Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Captulo 2: Modelo de bandas de los slidos

CAPITULO 2: MODELO DE BANDA DE LOS SLIDOS

TEMA A- Caractersticas Elctricas del Estado Slido
Ligaduras atmicas
Un slido es un estado de la materia caracterizado por un ordenamiento
de tomos que tiende a ser peridico y regular. Esta estructura de cristales
tiene que ver con el tipo de ligadura atmica.
Inica (electro Valente o heteropolar): La energa tpica del enlace es de
1 a 10 eV y se rige por la ley de Coulomb. Los tomos tienden a perder o
ganar electrones para completar su ltima orbita, quedando as ionizados
positiva o negativamente.
Es posible formar cmulos de molculas atradas entre si con tal que se
produzca un cierto ordenamiento espacial, esto se traduce en propiedades
mecnicas de fragilidad y una propiedad elctrica de poca conductividad,
como la sal:

Cl Na

Covalente u homopolar fuerte: la energa tpica del enlace es de 3 a 10

eV consiste en compartir electrones entre 2 o mas acomodos. Desde el
punto de vista de la mecnica ondulatoria, la comparticin de electrones
entre tomos que forman el cristal consiste en compartir la funcin de onda
del ltimo nivel, es decir, podramos hablar que alrededor de los tomos que
conforman el enlace, existe una funcin de onda comn.
En cualquier enlace menos el diamante, se presenta el mismo tipo de
organizacin aunque con menor regularidad espacial y sincronismo ente
mas elevada la temperatura. Ello implica menor dureza mecnica y menor
transparencia, puede percibirse un aumento de la conductividad elctrica.
Podemos describir el intercambio de electrones como un ir y venir entre los
tomos con un movimiento cuasi determinista.
Si las propiedades elctricas dependen del grado de libertad de los
electrones, mayor sincronismo y orden espacial en el intercambio implicara
menor libertan de los electrones. Podemos decir que un enlace sincrnico y
ordenado esta conformado por pares hueco-electrn ms o menos
estables.
Covalente u homopolar dbil (enlace metlico): rango de energa entre
1 y 5 eV. La comparticin de electrones es el mecanismo de enlace, pero con
mucho menor cantidad de electrones por orbita. A causa de este enlace, son
maleables mecnicamente, opacos y buenos conductores (aunque hay
orden espacial mas o menos regular, no hay necesidad de sincrona). As en
los enlaces metlicos prcticamente no podemos hablar de pares huecoelectrn y por el contrario debemos considerar a los electrones
prcticamente libres (hay mayor disponibilidad de lugares que de
electrones que los ocupen).
Van Der Waals: Rango de energa entre 1 y 3 e, caracterizan bsicamente
al estado gaseoso.

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Modelo energtico del cristal

Los materiales semiconductores deben pertenecer al grupo 4 de la tabla.
Los materiales semiconductores se presentan en la naturaleza en estado slido
y conducen la electricidad de forma moderada.
En el caso del SC (semiconductor), por ser tetravalente, necesita
conseguir 4 electrones, pero en lugar de compartir 4 con otro tomo, solo
comparte uno, de manera que necesita 4 tomos para estabilizarse.
Si la nica energa que se halla aplicada a
nuestro sistema es la trmica, diremos que nuestro
cristal est en equilibrio trmico.
Cando sumergimos al cristal en un ambiente
trmico y este entrega energa, los electrones de
valencia, al recibir energa pueden pasar a ocupar
niveles de energa mas altos, que estaban vacos a
0K.
En la figura se muestra el proceso de rotura
de una ligadura covalente, en donde puede verse
que el electrn que la ocupaba se libera del tomo;
este electrn liberado por la energa trmica que adquiri se transforma en un
electrn libre y se ubica a un nivel de mayor energa.
Todos estos estados le dan posibilidad a ese electrn libre de moverse con
absoluta comodidad, cuando se halle sometido a alguna fuerza que lo traslade,
dando lugar a una corriente elctrica, si no hay una fuerza que lo obligue a
moverse en una determinada direccin, se mover debido a la energa cintica
que posee en forma aleatoria, consecuentemente no podr sostener ninguna
corriente.
Hay un comportamiento especial que aparece en el cristal de
semiconductor, estos forman cadenas que van relacionando al tomo en
cuestin, no solo con sus 4 vecinos sino que a travs de estos y por carcter
transitivo, con todos los tomos que componen el cristal. Esa gran cadena hace
que los electrones ligados puedan moverse entre ligaduras en cuanto alguna de
haya roto. Este efecto produce 2 efectos simultneos: la formacin de un
electrn libre que puede desplazarse con libertan en niveles mas altos y vacos
llamados de conduccin y el otro, es al dejar en el nivel de valencia un estado
vaco se brinda la posibilidad a otro tomo ligado de moverse entre ligaduras
para ocuparlo.
Teora de bandas, desdoblamiento de los niveles energticos
Diagramas de energa
Segn el modelo de Bohr, los electrones tienen adentro del tomo energa
cintica potencial y total. Por intermedio del numero quntico principal n
podemos obtenemos algunos valores de energa, uno para cada valor de n.
Estos valores los denominamos niveles permitidos, siendo el resto, niveles de
energa prohibidos. Esos niveles de energa permitidos pueden ser ocupados por
electrones, los que adoptan la energa que le determina el nivel. Entre dos
niveles permitidos habr una gran cantidad de niveles prohibidos, si el electrn
se encuentra en un nivel determinado y gana la suficiente energa como para
pasar a ocupar otro nivel permitido, lo har y ahora ese electrn tiene la energa
que le marca el nuevo nivel.
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Dentro de un cristal, la energa de un estado la caracteriza un juego de 4

nmeros qunticos n, l, m y s, y segn el principio de exclusin de Pauli, en
el sistema no existirn 2 estados permitidos que tengan los mismos 4 nmeros
qunticos.
A medida que el electrn gana energa y tiene posibilidades de alejarse
del ncleo hasta que el radio se hace infinito.
Supongamos un cristal en el cual la separacin entre tomos la llamamos
0 ; los estados de un tomo determinado se vern sometidos, no solo a la
accin del ncleo del tomo al que perteneces, sino tambin al de los tomos
que lo rodean.

Tiene indicado en lnea de trazos el pozo propio de potencial dentro del

cual se hallan obligados a permanecer los electrones pertenecientes a dichos
tomos, en lnea llena se modifica el diagrama de potencial por la accin de un
tomo vecino produciendo el ensanchamiento. Para un valor determinado de n
los diagramas de energa se confunden y el pozo desaparece, lo que permite
que ciertos niveles que antes estaban dentro del pozo propio, sean ahora
comunes a todos.
En el interior del cristal, un electrn encerrado dentro de un pozo de
potencial no lo abandonara, pero podr desplazarse libremente dentro de el,
con solo ganar la energa que le permita llegar a ocupar niveles que estn por
encima de los valores mximos de los diagramas de energa internos del cristal.
Supongamos que la figura corresponde al diagrama de energas de un
cristal de silicio, este tiene la siguiente estructura atmica: 1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p 2

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El tomo tiende a completar su octaedro en forma ficticia con 4 tomos

vecinos compartiendo con cada no de ellos un electrn. Si cualquiera de los 8
electrones del ltimo nivel gana la energa Eg, no escapa del cristal, pero si
escapa del pozo de potencial del tomo al cual perteneca y pasa a ocupar
estados de niveles vacos comunes a todos tomos que le permiten moverse
libremente dentro del cristal.
Vemos como al pasar un electrn ligado a un nivel cualquiera rompe una
ligadura y deja vacante un estado permitido que corresponda a uno de los
electrones de valencia del tomo semiconductor, este estado puede ser llenado
si hay otro electrn que vaya a ocupar ese lugar y los nicos que lo podan
hacer son los otros electrones ligados, cuya energa trmica no les alcanza para
superar la diferencia de energa Eg; dichos electrones pueden pasar por efecto
tnel a ocupar el lugar que dejaron vacante los electrones que pasaron a
ocupar estados permitidos de otros niveles de conduccin.

Decimos que el tomo se ha ionizado, pues la falta de un electrn

produce, desde el punto de vista microscpico, una falta de neutralidad
elctrica. Desde el punto de vista macroscopio, el cristal sigue siendo neutro,
dado que el electrn sigue dentro de l.
Todos los electrones que han quedado libres estn en condiciones de
moverse dentro de los niveles de energa que hemos llamado de conduccin.
Al movimiento de los electrones libres, se le suma la posibilidad de
movimientos de otros electrones que permaneces aun en sus ligaduras, a dicho
nivel lo llamaremos de valencia.
Es fundamental entender que solamente aparece la posibilidad de
movimiento de un electrn ligado cuando se rompe una ligadura.
Bandas de energa
Supongamos un nivel en un tomo aislado, caracterizado por un valor de
n=2 en los N tomos sin interaccionar. La sumatoria de las energas de este
nivel en todos los tomos deba ser N veces la de un solo tomo. Por el
principio de conservacin de la energa, cuando los N tomos formen un
cristal, o sea, se interaccionen fuertemente entre si, la energa suma de los N
niveles en que se haban transformado los primitivos niveles de n=2 deber ser
la misma; luego como no pueden ser todas iguales, la mitad tendr valores de
energa menores que lo del nivel original y la otra mitad tendr valores de
energa superiores a dicho valor.
Tenemos niveles distintos, separados entre si por una cantidad de energa
diferente de cero, no obstante, es tan alta la cantidad de niveles que coexisten
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dentro de una banda que podemos decir que la separacin entre niveles es muy
pequea, tanto que podemos considerar una banda de energa prcticamente
continua. En estas condiciones, un electrn que ocupa un estado
correspondiente a un nivel dentro de la banda, podr ocupar cualquier otro
ganando o perdiendo nfimas cantidades de energa.
En la siguiente figura se ha modificado el diagrama de energas para el
silicio. Los niveles 1 y 2 quedan idnticos mientras que el nivel 3 se ha
convertido en banda. Esto es cierto debido a que por efecto tnel los electrones
ligados pueden moverse entre ligaduras como si dichas barreras no existieran; a
esta banda la llamaremos Banda de Valencia.
La fraccin 4/4 significa que por cada 4 estados permitidos, hay 4
electrones que los ocupan, lo que quiere decir que esa banda est totalmente
llena.

En el tomo individual, el ltimo nivel cuenta con 8 estados de los cales se

utilizaron 4 para construir la banda de valencia, los otros 4 quedaron sin ocupar,
y pasan a formar una banda vaca que llamaremos banda de conduccin. La
fraccin 0/4 quiere decir que esta vaca de electrones pero que tiene 4 estados
permitidos.
Diagramas simplificados de bandas de energa:
Entre Ec (piso de la banda de conduccin) y
Ev (techo de la banda de valencia) hay una
banda que llamaremos prohibida puesto
que en ella no hay ningn estado permitido.
A 0K, todos los electrones estn ocupando
sus ligaduras de manera que la banda de
valencia estar totalmente ocupada y la de
conduccin totalmente vaca.
Cada electrn que pasa de una banda de
valencia a la de conduccin produce un par
electrn-hueco
Eg Ec Ev

Propiedades de los metales, semiconductores, y Aislantes

Diagrama de la banda para diferentes materiales elctricos

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En los enlaces metlicos las distancias de interaccin son menores,

debido a la necesidad que intervenga en el enlace las subcapas energticas
mas internas. Si tomamos el cobre (Cu) cuya estructura electrnica de la ultima
orbita es tan solo de 2 electrones en el nivel 4 y la acercamos a mltiples
tomos entre si, tendera a producirse una hibridacin gradual que sigue la
siguiente forma:

Como podemos ver, se forma una banda prcticamente continua que

abarca para la distancia de equilibrio r0 dos niveles energticos diferentes,
producindose en consecuencia una gran cantidad de estados disponibles para
pocos electrones de enlace.
Una pieza de metal puede ser representada, a los efectos de la
conduccin elctrica, como una batea de potencial clsica cuya profundidad e
es la energa de extraccin. Dentro de esta banda nica de conduccin los
electrones se encuentran en un estado virtualmente gaseoso (gas de
electrones) ya que se encuentra en una concentracin con distancias de
separacin relativamente grande. En estas condiciones es muy simple producir
la conduccin elctrica por la aplicacin de un campo elctrico.
En los enlaces covalentes fuertes la hibridacin alcanza solo en los
ltimos subniveles presentan una hibridacin gradual, segn la distancia de
enlace, como se aprecia en el siguiente grafico.

En el estado de equilibrio (r0), los materiales ofrecen 2 bandas de energa

separadas por un salto energtico (GAP) cuyo intervalo Eg depende de los
tomos considerados.
Volviendo al GAP, esta tiene alrededor de 0.7 eV para el Ge, 1.1 eV para el
Si y 0.5eV para el C diamantizado. Los GAP inferiores a 2 eV dan origen a los
materiales semiconductores y los superiores a 6 eV dan origen a los aislantes.

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Conduccin en los metales segn la teora de Bandas. Ley vectorial de Ohm, resistividad,
movilidad
Conduccin elctrica de los metales
La abundancia de estados disponibles en un metal conductor, que se
manifiesta con una nica banda, permite describir a la concentracin de
electrones como si fueran un gas. Los electrones se encuentran casi en estado
libre y en consecuencia, son el vehiculo normal de transporte de cargas.
Suponiendo que el electrn es como una molcula de gas, en general
tiene desplazamiento medio nulo. Cuando aplicamos un campo elctrico se
desarrolla una trayectoria media, pero que aun conserva ciertas caractersticas
estocsticas. La trayectoria media del electrn se desarrollara entre 2 choques
con otros electrones, choque que puede considerarse perfectamente elstico,
debido a que la velocidad inicial media del electrn es nula y la velocidad final
media viene dada por la aceleracin impresa por el campo elctrico.
Notemos que en esta medida, despreciamos prcticamente cualquier
interaccin que exista entre los electrones no comprendidos en la fuerza de
choque, as como tambin despreciamos la interaccin con la red cristalina.
Admitiendo este tipo de movimiento, calculemos ahora la aceleracin y
velocidad media desarrollada:

Fe q.E me .amed

q.E
amed
me

Vmed max amed .t libre .medio .e

Q.E
Vmed max
.tlme
me

Si

Vi .med 0

media

Velocidad inicial media

Vm

Vi V f
2

Velocidad

Q.E
Vm m
.tlme (Velocidad Media Media)
2me

Que representa un corrimiento del electrn en el sentido opuesto al

campo elctrico aplicado, con tlme como tiempo libre medio entre choques.

Ahora Vm m puede ponerse en funcin de un parmetro que

denominaremos movilidad:

Vm m e .E
Siendo:

Q
.t (Movilidad)
2me lme

La movilidad representa la mayor o menor facilidad con que un electrn se

mueve dentro del metal. A mayor temperatura, aumenta la dispersin del
movimiento estocstico, por lo tanto aumenta la seccin eficaz el choque, y
esto aumenta la probabilidad de choque, por lo tanto disminuye el tiempo libre
medio entre choques. As la movilidad debe decrecer con el aumento de la
temperatura, cosa que relativamente ocurre en la prctica.
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Densidad de corriente
Consideremos un volumen elemental dentro del metal constituido por una
seccin de control s y el desplazamiento medio de los electrones l :
V s.l

l Vmm .t

V Vmm .t .s

Este V es dinmico, de modo que la cantidad de electrones que

atraviesa la seccin de control s es igual a la cantidad de electrones que
existe en este volumen elemental. Si n es la concentracin dinmica de
electrones libres, es decir, la concentracin de portadores de carga, entonces:
N .V n.V n.Vmm .t.s

La densidad de corriente, la calculamos en funcin de la carga

incremental Q por unidad de tiempo y superficie:
I
Q 1
J
Lim
.

0
s s0 t s

Q q.N .V q.n.Vmm .t.s q.n. e .E.t.s

J q.n. e .E .E

e .E Vmm

Ley Puntual de Ohm

Esta es la ley puntual de Ohm, donde es la conductividad del material, la

cual aumenta cuando la temperatura disminuye.
Descripcin elctrica del estado slido, necesidad de determinar la concentracin de portadores
Generacin y recombinacin de portadores:
Decimos que el cristal esta en condicin de equilibrio trmico cuando la
nica forma de energa con la que se halla en contacto es con la trmica. La
energa trmica es la responsable de la iotizacin de los tomos propios del
semiconductor, rompiendo ligaduras.
A este proceso de equilibrio trmico, se lo denomina generacin trmica
y ser, en este caso, funcin de la temperatura.
Como proceso complementario, tenemos a la recombinacin. Todo
electrn que ha pasado a ocupar un estado permitido de la banda de
conduccin, tiene mas energa que cuando se encontraba llenando una de las
ligaduras covalentes del semiconductor; el sistema en consecuencia, no ser
estable y tiende a estabilizarse buscando la menor energa posible, la que tiene
cuando cada electrn ocupa una ligadura. El proceso de reconstruccin de una
ligadura, por perdida de energa de un electrn libre, da lugar a la perdida de un
electrn libre y tambin de un hueco.

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G (T ) Generacin

R n0 , p0 , T Recombinacin

Es fcil entender que la recombinacin sea funcin de las concentraciones

de dichos portadores, ya que no podran encontrarse un electrn y un hueco, si
faltase alguno de ellos, pero no es tan fcil entender su dependencia con la
temperatura. Dicha dependencia se explica por el hecho de que los portadores
adquieren energa cintica bajo la accin de la energa trmica. A medida que le
temperatura aumenta, aumenta la energa cintica de las partculas y en
consecuencia la probabilidad de encuentro.
La generacin da lugar a la produccin de electrones y huecos, en forma
continua, lo que hace que la concentracin de los mismos aumente. Al haber
electrones y huecos y estar el sistema a TK habr recombinacin, de manera
que se vuelven a formar una cantidad de pares electrn-hueco que tiende a
compensar el proceso de ruptura. Por unidad de volumen y de tiempo se
pierden G pares electrn hueco y se forman R de los mismos.
G T R n0 , p0 , T
Si el material fuera intrnseco

=>

Gi T Ri ni , pi , T

Determinacin de la concentracin de portadores

La recombinacin depende de las concentraciones de portadores y de su
temperatura y que dichas recombinaciones debern ser iguales para la misma
temperatura, tanto si el cristal es intrnseco como extrnseco. Es posible relacin
las concentraciones de portadores extrnsecos n 0 y p0 con la intrnseca ni,
conociendo la temperatura de la muestra.
Si admitimos que la recombinacin es un polinomio cuyas variables son
n0, p0 y T, el mismo podra ser desarrollado aplicando la formula de Mac Laurin.
Como queremos desarrollar la funcin segn n0 y p0, como variables
consideramos a la temperatura constante. Desarrollamos la serie:

R n0 , p0 , T a T b T .n0 c(T ) p0 r (T ).n0 . p0 e(T ).n0 . p0 ...

2

La serie representa un hecho fsico, como es la recombinacin y por ende

no podr ser de ninguna manera divergente, puesto que la suma de todos sus
trminos nos tendr que dar un el valor de la recombinacin total dentro del
cristal, para las concentraciones n0 y p0 y la temperatura T. un valor aproximado
lo tendramos tomando la suma de algunos trminos e incluso considerando
solamente el primer termino diferente de cero en la serie.
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No podr existir recombinacin si no existen portadores como es el caso

del 1er trmino, o si contamos solamente con un tipo de portador. Recin el 4to
trmino puede representar una recombinacin, puesto que incluye a los 2 tipos
de portadores y suponiendo que los que siguen son despreciables, podemos
decir que aproximadamente:
R n0 , p0 , T r (T ).n0 . p0
Si desarrollamos en serie a la recombinacin intrnseca:
2
R ni , pi , T r (T ).ni . pi r (T ).ni
r(T) es solamente funcin de la temperatura y no tiene porque ser diferente
segn que el semiconductor sea intrnseco o extrnseco, luego en estas
condiciones, la expresin anterior queda:
2
n0 . p0 ni (T )
Dicha expresin dice que el producto entre las concentraciones de
electrones y de huecos en un semiconductor extrnseco en equilibrio trmico, es
constante e igual al cuadrado de la concentracin intrnseca de portadores para
ese material.
Es una consecuencia de que la recombinacin tiene que mantenerse
constante, puesto que si agregamos por medio de impurezas un tipo de
portador, al mantenerse el otro invariable, habr aumentado la cantidad total
de portadores; estos tienen en conjunto mayor probabilidad de encuentro entre
si, por lo cual se incrementara la recombinacin sin que se incremente la
generacin trmica, la mayor recombinacin dar lugar a la desaparicin en
cada caso de un electrn y un hueco, eso reduce ambos tipos de portadores
hasta q la recombinacin y la generacin se igualen.

TEMA B- Descripcin estadstica de la concentracin de portadores.

Conceptos sobre funciones de distribucin. Funciones de distribucin y de densidad de
distribucin
Funciones de distribucin
Corresponde estudiar ahora la ubicacin de los electrones en las distintas
bandas permitidas. Se considerara al sistema en equilibrio trmico con una
temperatura constante T K, uniforme y adems que la nica interaccin entre
el medio ambiente y el sistema es la temperatura.
Si no existen restricciones qunticas, la energa de una partcula es una
funcin continua entre E y E+dE, existen por lo tanto infinitos valores de
energa. Si existiese una funcin que diese el numero de partculas que existe
para cada energa, esa seria una funcin distribucin. Pero eso significa que
entre E y E+dE habra infinitas partculas, lo cual es absurdo.
Pero si podemos hablar de funcin de densidad de distribucin. Esta
funcin f E dara el numero de partculas que existen en un intervalo unitario
de energa, en el entorno de la energa E. es evidente que f E .dE seria el
numero de partculas que existiran en un intervalo dE de energa. La integral
E

.dE da el numero de electrones que poseen energas comprendidas entre 0

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y E, por otra parte

f E .dE N

, donde N es el numero total de partculas del

sistema.
Determinaremos el estado dinmico de una partcula mediante su
ubicacin en el espacio real x, y, z y en el espacio de los momentos px, py, pz .
La funcin densidad de distribucin ser: f x , y , z , px , py , pz y determinara para cada
juego de 6 coordenadas, el nmero de partculas que se encuentran en la
unidad de volumen del espacio real y en la unidad de volumen del espacio de
los momentos.
El cero en el volumen del espacio
real x, y , z es un punto arbitrario
cualquiera, mientras que el cero en el
espacio de los momentos, representa
partculas en reposo px py pz 0 que
significa vx vy vz 0 .
Es
evidente
que
todas
las
partculas de un sistema deben estar en
algn lugar en el espacio y poseer algn
momento; por lo tanto, como condicin de normalizacin, planteamos la
siguiente ecuacin:

f x , y , z , px , py , pz dx.dy.dz.dpx.dpy.dpz N

Donde N es el nmero total de partculas

Si el material que se considera y dentro del cual estn las partculas, es
uniforme, la distribucin en el espacio real no varia, por lo que la funcin
densidad de distribucin ser f px , py , pz y la condicin de normalizacin:

f px , py , pz dpx.dpy.dpz N

Comportamiento estadstico de las partculas. Espacio de estado dinmico de las partculas,

comparacin entre partculas clsicas y qunticas (caso clsico).
Distribucin de Maxwell-Boltzman (para partculas que no interactan)
Como introduccin al estudio de las funciones densidad de distribucin,
se considerara la distribucin de las molculas de un gas ideal bajo la accin de
la gravedad y por su puesto de la temperatura.
De la figura puede escribirse:
dP . g .dZ
dP n.m.g .dZ

Donde es la densidad, n el nmero de molculas por cm3, m la masa, g la

aceleracin de la gravedad y dZ el rea unitaria. De la ecuacin general de los
gases se escribe:

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P.Vm R.T
Vm
P.

N0
n

N0
R.T
n

P n.

Vm = Volumen Molar
R = constante universal de los gases
N0 = Numero de Avogadro
n = numero de molculas por cm3

R
T n.k .T
N0

(1);

R
J
1.38 x10 23
constante
N0
K

de

Boltzman
Diferenciando (1) tomando n como variable, pues en equilibrio trmico es k.T
una constante:
dP k .T .dn
igualando con: dP n.m.g.dZ
k .T .dn n.m.g .dZ

La ecuacin tiene su lgica: para que la pastilla de gas, de ancho dZ, se

mantenga estable, las fuerzas gravitatorias debido a la concentracin superior,
deben igualar a las fuerzas del propio gas (expansin) contenido en dicha
pastilla. De aqu surge que las partculas deben poseer una densidad de
distribucin determinada, donde m.g .dZ dEp => m.g .Z Ep( Z )
dn m.g .dZ

n
k .T
1
m.g
n .dn k .T .dZ
m.g .Z
Ln(n)
C
k .T
m. g
k .T

(2)
n A.e
Como m.g .Z es la energa potencial de las molculas, que coincide con la
energa de la ubicacin en que se encuentran, puede escribirse: m.g .Z Ep Z

n Z A.e

E Z
k .T

(3)

Por ejemplo: en la imagen del principio, la concentracin en la base (z=0)

la llamamos n0, entonces:

n Z n0 .e

E Z
k .T

=> Estadstica de Maxwell Boltzman.

n
e k .T
n0
M B
Funcin de densidad de distribucin de
M-B

f E

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La funcin (3) es una funcin densidad de distribucin. Para normalizar la

ecuacin debe integrarse entre 0 e intervalo donde deben encontrarse todas
las N molculas del sistema.

(Z )

.dZ A. e

m. g .Z
k .T

.dZ A.

m. g . Z
k .T

A.

m.g

k .T

k .T
0 n( Z ) .dZ A. m.g N

k .T
e e0
m.g

=>

N .m.g
k .T

Reemplazando en (3):
E Z

n Z

N .m.g k .T
(4)

.e
k .T

Que es la funcin densidad de distribucin para el sistema de N molculas

que hemos considerado a la temperatura T y en equilibrio trmico.
La formula (4) puede generalizarse:
f A N ;T .e

E
kT

(5)

Donde f es la funcin densidad de distribucin para un sistema cualquiera de N

partculas, que estn en equilibrio trmico a la temperatura T y que no
interaccionan entre si.
En muchas oportunidades, electrones y huecos obedecen a la probabilidad
de M-B. Generalmente lo hacen cuando su concentracin es muy dbil y por lo
tanto, las restricciones qunticas de los principios de Pauli y Heisemberg no
modifican sustancialmente la distribucin clsica de la ecuacin (5).
Caso quntico, funcin de distribucin de Fermi-Dirac. Probabilidad de transicin.
Distribucin de probabilidad de ocupacin de estados energticos qunticos de las
funciones de F-D
Las partculas qunticas no siguen la ecuacin estadstica de BoseEinstein, sino solo para grandes niveles de energa. Sin embargo los electrones
y huecos tampoco la siguen, la razn principal es que ambos estn sometidos al
principio de exclusin de Pauli.
Dado esto, se requiere deducir especficamente una funcin de
distribucin que se acomode a dicho requerimiento, que da origen a una nueva
familia de partculas qunticas llamadas fermiones.
Probabilidad de transicin
Consideremos un sistema con 2 estados dinmicos i y j dentro de un
gran conjunto de sistemas idnticos.
Cada estado est definido por 4 nmeros qunticos. Por simplicidad un
estado lo designamos con j y su energa con Ej. De la misma manera el
estado i tiene la energa Ei. Ser Ej>Ei.

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La probabilidad de que una partcula que

esta en j para hacer la transicin hacia i, la
definimos Wji. La probabilidad de una partcula
que esta en i para hacer la transicin a j lo
definimos Wij.
Considerando
un
nmero
M
suficientemente grande del sistema, podemos
evaluar, mediante la estadstica de M-B la
probabilidad de ocupacin de los estados i y j
independientemente:

Ei
k .T

Ej
k .T

n Ei A.e

(a)

n Ej A.e
El nmero de partculas que estando en un estado hagan la transicin de
i a j o viceversa:

Ei
k .T

ni j Wij . A.e
Ej

k .T

(b)

n ji Wji. A.e

Pero como el conjunto de sistemas estn en equilibrio trmico, el numero

de partculas que sube de i a j debe de ser igual al numero de partculas
bajan de j a i. Ser as:
ni j n j i

Wji. A.e

Ej
k .T

Wji
e
Wij

Wij . A.e
Ej Ei
k .T

Ei
k .T

(1)

Distribucin de Fermi-Dirac
Supongamos nuevamente un conjunto formado por un nmero muy
grande de sistemas. Dentro de cada sistema hay un estado j y un estado i.
Sean Ej y Ei las energas de ambos estados y Wij y Wji las probabilidades
de transicin de un estado a otro.
Sea f la funcin que define el grado de vacancia o de ocupacin de cada
estado (probabilidad de ocupacin de los estados dinmicos de un sistema
quntico. Segn sea su energa); si todos los estados j de los M sistemas del
conjunto estn vacantes, ser: fj=0.
Segn el principio de exclusin de Pauli, para que haya transicin, tiene
que existir una partcula en el 1er estado, el segundo estado tiene que estar
vaco.

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Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Captulo 2: Modelo de bandas de los slidos

El nmero de partculas que se encuentran en el estado i es M.fi. El

numero de estados vacantes en i es M(1-fi). El numero de estados j
ocupados es M.fj el de vacantes M(1-fj).
Tendremos el nmero real de partculas que, en la unidad de tiempo y por
unidad de volumen, pasan del estado i al estado j. Este numero es: M.fi(1fj).Wij. Se obtiene el numero de partculas que pasan del estado j al i en la
unidad de tiempo y volumen con: M.fj.(1-fi).Wji.
Y como el conjunto de sistemas se encuentra en equilibrio trmico:
M . fi.(1 fj ).Wij M . fj.(1 fi ).Wji
fi
Wji
fj

.
(1 fi ) Wij (1 fj )

Usando la (1):

fi
fj

.e
(1 fi ) (1 fj )

Ej Ei
k .T

Ei

Ej

fj e k .T

.
(1 fj ) kEi.T
e
Ej

fi
fj
.e k .T
.e k .T cte.
(1 fi )
(1 fj )

Como i y j son estados genricos, la expresin vale para todos los

estados de los sistemas en equilibrio. La nica alternativa de igualdad entre sus
miembros es que a su vez sean iguales a una constate:
Ej
fj
.e k .T C (2)
donde C es una constate
(1 fj )
Ej

fj.e k .T C (1 fj )
Despejando fj de (2):

fj

Ej

e k .T C

1
Ej
1
1 e k .T
C

Ef

Ef

1
Definimos una nueva constate: Ef, tal que: C e k .T y
e k .T se obtiene:
C
1
fj
Ej Ef
Distribucin de Fermi-Dirac
1 e k .T

Propiedades de la funcin de Fermi-Dirac, nivel de Fermi

La constante Ef se denomina nivel de Fermi, es propia de cada materia.
Como podemos observar, la funcin de Fermi-Dirac, es muy distinta a la funcin
de Maxwell-Boltzman, aunque sin embargo, si la energa de las partculas E-Ef
>> k.T converge a la funcin de M-B.

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Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Captulo 2: Modelo de bandas de los slidos

FF D ( E ) e

E Ef

k .T

FF D ( E ) FM B ( E )

Condicin de Concentraciones leves

Observando esta grafica inmediatamente puede definirse el nivel de Fermi

de 2 formas:

a)

D
efinicin probabilstica: es el nivel de
energa para un material dado, para el
cual la posibilidad de ocupacin vale 0.5

b)

Definicin fsica: en un cierto material que

se encuentra a 0K, el nivel de Fermi
es el estado mximo de energa que
puede ocupar un electrn.

Notemos que la segunda definicin implica que para 0K todos los niveles
energticos inferiores a Ef estn ocupados, mientras que los superiores estn
vacos. As el nivel de Fermi es una medida de energa de la densidad de un
material.
Una ultima observacin que se deduce directamente de la comparacin de la
FMB y FFD es que si los electrones se encuentran en un metal con concentraciones
diluidas, resulta apropiado tratarlos como un gas de electrones, tambin implica
esto que el nivel de Fermi se encuentra al menos en el piso de la banda de
conduccin de dichos materiales conductores, de modo que los electrones a
temperatura ambiente cumplen que E-Ef >> k.T.
Computo generalizado de densidad de portadores. Integracin aproximada mediante MaxwellBoltzman, condicin para su aplicacin.
Distribucin de Estados
Se refiere a como los estados estn repartidos en un cierto intervalo de
energa, mientras que en los sistemas clsicos hay una distribucin continua de
estados, en los sistemas qunticos hay una distribucin discreta de estos.
En la fsica clsica, un estado queda definido para un instante determinado
por una posicin y sus velocidades, considerando un espacio tridimensional, se
tendrn entonces 3 coordenadas de posicin y 3 coordenadas de velocidad.
Notemos que el sistema tiene 6 grados de libertad y adems puede ocupar
absolutamente todos los puntos de ese espacio. Un sistema quntico en cambio,
tiene 4 grados de libertad, que son dados por los 4 nmeros qunticos.
Para pasar de un sistema clsico a uno quntico hacen falta 2 restricciones:
una de estas es el principio de exclusin de Pauli, ya considerado en la funcin de
Fermi-Dirac, y la restriccin faltante es el principio de incertidumbre de
Heisemberg.
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Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Captulo 2: Modelo de bandas de los slidos

Consideremos el espacio de estados dividido en 2 sistemas de coordenadas

simultaneas, una de posicin y otra de impulso. Ambos sistemas estn vinculados
entre si, mediante la restriccin del principio de incertidumbre.
Relacin de
Incertidumbre

px.x h

py.y h
pz.z h

__________
vp.v h3
Esto quiere decir que localizar la partcula en cierta posicin espacial,
implica una cierta incertidumbre en su localizacin en el espacio de momentos.
Esta propiedad es la que nos permite computar en cierto volumen de energa la
cantidad de estados.
Supongamos que definimos un cierto v mnimo en el espacio fsico,
h3
. Pero hay que
vmin

entonces el Vmin en el espacio de momentos ser: vpmin

considerar que el principio de exclusin de Pauli permite hasta 2 partculas con el

mismo conjunto de coordenadas espaciales y de momento (con spin distinto).
Luego el v' pmin

1 h3
.
. Ahora podemos calcular el numero de estados en un
2 vmin

intervalo de espacio y de momentos: dVp dpx.dpy.dpz

queramos, pero siempre mayor que el Vmin.
dN

tan pequeo como

dVp
dpx.dpy.dpz

v ' p min
1 h3
.
2 Vmin

Entonces podemos calcular la concentracin de estados:

dS

dN
2
3 .dpx.dpy.dpz
Vmin
h

Numero de estados dentro del volumen del espacio de los momentos por cm3 de
cristal.
Computo del numero de fermiones en un intervalo de energa
Dada la densidad n(E) de partculas, si conocemos la distribucin de estados
por estados de energa (S(E)) y su probabilidad de ocupacin (F(E)), se tendr para
cada estado de energa E:
n( E ) F( E ) .S ( E )

Si n(E) se trata de fermiones, F(E) deber ser la funcin de F-D y S(E) debe
responder a los estados que cumplen con el principio de incertidumbre, as:
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Captulo 2: Modelo de bandas de los slidos
dn( E ) FF D ( E ) .dS ( E )
n

F D ( E )

.dS ( E )

Sustituyendo:
2
n 3
h

dpx.dpy.dpz
1 e

E Ef
k .T

(3)

Homogenizacin de variables entre energa e impulso

Debemos llevar la variable energa a impulso, lo que se puede realizar
suponiendo que toda la energa del Fermin se puede transformar en energa
cintica:
E

1
1
Px 2 Py 2 Pz 2
.m.V 2 .m. Vx 2 Vy 2 Vz 2

2
2
2m
2m
2m

De modo que solo deber sustituirse en la funcin de F-D la energa E. tanto los
electrones en la banda de conduccin libres y los huecos libres en la banda de
valencia, ambos son fermiones, sin embargo son antipartculas de modo que hay
que utilizar funciones de densidad de probabilidad complementarias.
Finalmente debemos considerar tambin
los intervalos de energa en donde
dichas partculas pueden encontrarse en
estados libres, as para los electrones
libres:

2 2 2

Px Py Pz
E EBC E EBC
2me* 2me* 2me*
Para los huecos libres:

Px Py Pz
E EBV E EBV
2mh* 2mh* 2mh*
2 2 2

Con lo visto anteriormente, la integral (3) ahora nos queda:

Vx max Vy max Vz max
2
dPx.dPy.dPz
n 3.
Ef
Px 2
Py 2
Pz 2
h Vx min Vy min Vz min
kT
2 m.kT
2 m. kT
2 m.kT
1 e .e
.e
.e
En general esta integracin demanda la utilizacin de mtodos numricos y
aproximaciones sucesivas, pero puede resolverse tericamente en un caso muy
importante, el cual es aquel de concentracin diluida, como por ejemplo, los
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Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Captulo 2: Modelo de bandas de los slidos

electrones de un mental. De esta forma la funcin de F-D se reduce a la funcin de

M-B ya que E-Ef >> k.T. Si esto ocurre, la integral se puede reducir a:
Ef Vx max Vy max Vz max

Px 2

Py 2

Pz 2

2
n 3 .e kT .
e 2 m.kT .e 2 m.kT .e 2 m.kT .dPx.dPy.dPz

h
Vx min Vy min Vz min

Que en definitiva podemos escribir como:

Ef Vx max

Px 2

Vy max

Py 2

Vz max

Pz 2

2
n 3 .e kT . e 2 m.kT .dPx. e 2 m.kT .dPy. e 2 m.kT .dPz
h
Vx min
Vy min
Vz min

Notemos que esta frmula de clculo clsico, coincide con la que se hubiera
Ef
2
esperado desde la teora cintica de gases, con la excepcin del factor 3 .e k .T que
h
es la densidad mxima de estados disponibles por intervalo de energa.

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