Cap 3

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)
Captulo 3: Caracterizacin de los semiconductores
CAPITULO 3: CARACTERIZACION DE LOS

SEMICONDUCTORES
TEMA A - Caracterizacin esttica de los semiconductores.
Semiconductores extrnsecos, proceso de obtencin de mono cristales puros, distribucin de
portadores, caractersticas de los electrones y huecos como portadores en el Si y Ge:
La caracterizacin esttica de los semiconductores es la caracterizacin
del semiconductor en equilibrio trmico en el medio. Estas ya fueron
descriptas, en particular la estructura de bandas, los 2 tipos de portadores y
sus propiedades y los 2 tipos de corrientes posibles para cada caso, tipo de
portador. Resta indicar:
a)
Equilibrio detallado: cuando hablamos de un equilibrio trmico con
el medio, en realidad tambin hablamos de un proceso dinmico, pero que
es estacionario, de media nula.
Las transiciones ascendentes de energa deben incluir las rotoras de pares
electrn-hueco de manera que aparece tras una transicin, un electrn en
la banda de conduccin y un hueco en la banda de valencia. A este proceso
lo denominamos generacin intrnseca.
En el proceso inverso que lo balancee (principio de equilibrio de tallado)
haban transiciones inversas de energa por lo cual hay recombinacin de
pares hueco-electrn.
El equilibrio implica que estos procesos se neutralicen de manera tal que
la concentracin de electrones en la banda de conduccin y la de huecos en
la banda de valencia se mantienen estables. Por el contrario, en
desequilibrio, estas concentraciones crecern o decrecern.
b)
Concentraciones de equilibrio en semiconductores intrnsecos: un
semiconductor puro, con estructura cristalina homognea es un
semiconductor intrnseco. Evaluemos ahora cual es la concentracin de
portadores en los semiconductores intrnsecos.
El cmputo de la concentracin de electrones y huecos debe realizarse

con la integral generalizada ya vista:
P2
En E BC E1 E BC
2m.n *
P2
Eh E BV E 2 E BV
2m.h *
-1-

Notemos que el exceso de electrones por sobre el piso de la banda de

conduccin, o por debajo del techo de la banda de valencia, implican
correspondientemente, energa cintica disponible para la conduccin de
electrones y huecos.
Bajo estas condiciones de contorno, calcularemos la concentracin de los
electrones en equilibrio disponible en la banda de conduccin.
2 dpx.dpy.dpz
n0 3 . P2
h EBC Ef
2m.n*
1 e k.T

n0

2
dpx.dpy.dpz
.
3
E BC Ef
P2
h
1 e k .T .e 2 m.n*.k .T
Nos interesa considerar aqu una aproximacin terica importante que es

la concentracin dbil de portadores, validos para temperaturas bajas o al
menos no muy elevadas. Esta suposicin se basa sobre la premisa que
dado el GAP E de un semiconductor y una temperatura ambiente no muy
elevada, hay pocos portadores en la banda de conduccin y en la banda de
valencia.
La funcin de F-D se puede aproximar por la funcin de M-B:
E Ef
1
e k .T
E Ef
1 e
k .T
Aplicando la aproximacin en la integral, nos queda:

P2
E BC Ef
.
n0
2
e
h 3
EBC Ef P2
.
k .T k .T .2m.n*
2
n0 3 e
h
k .T
.e k .T .2 m.n* dpx.dpy.dpz
EBC Ef P2
.
k .T k.T .2m.n*
EBC Ef P2
.
k .T k .T .2m.n*
.e dpx e
.e dpy e
.e dpz
Podemos ver que nos quedan 3 integrales iguales, multiplicndose de la

forma de la integral de Gauss:
=>
P
2m.n * .k .T
-2-

Los lmites de integracin implican todas las posibles velocidades que

tienen las partculas, siempre que permanezcan dentro de la banda
respectiva. Este clculo no considera velocidades mximas admisibles para
estar dentro de la banda.
Resolviendo nos queda:
2
n0 3
h
2 .m.n * .k .T .e
EBC Ef
k .T
Nc.e
E BC Ef
k .T
Nc = Estados disponibles en BC
La forma de la ley no es otra que la de M-B, admitiendo que los electrones
tienen en promedio una energa E BC Ef ; adems Nc representa la
concentracin de estados disponibles en la banda de conduccin, cuyo
1019
valor es del orden de
a temperatura ambiente, tanto en el Si, como en
cm 3
el Ge. La cantidad de estados depende como vemos de
Temperatur aAmbiente 3
Considerando que el hueco es una antipartcula del electrn, debe
aplicarse la ecuacin de F-D, complementaria, resulta claramente que:
2
p0 3
h
2 .m. p * .k .T .e
Ef EBV
k .T
Nv.e
Ef EBV
k .T
Demostracin:
2 dPxdPy.. dPz
p0 3 P 2
h Ef EBV
1 e
p0
2
h3
dPx.dPy.dPz
1 e
Ef E BV
k .T
.e
P2
2 m. h*. k .T
2m.h*
k.T
-3-

Aproximando:
1 e
2
p0 3
h
Ef E BC
k .T
Ef EBV
.e
k .T
Ef E BV
k .T
P2
. dPx .dPy .dPz
2.m.h*.k .T
2
p0 3 .e
h
Ef EBV
k .T
.e
Px 2
.dPx
2.m.h*.k .T
Py 2
.dPy
2.m .h*.k .T
Pz 2
.dPz
2.m. h*.k .T
Y se resuelve con la integral de Gauss como vimos anteriormente

c)
Estimacin del Nivel de Fermi: para conocer la posicin relativa del
nivel de Fermi, debemos introducir la condicin fundamental de un
semiconductor intrnseco n0 p0 ya que el nico proceso considerado en
equilibrio detallado que aporta portadores es la rotura y recombinacin de
pares hueco electrn. Igualando nos queda:
Nc.e
EBC Ef
k .T
Considerando Nc ~ Nv queda:
EBC Ef
k .T
e.
Nv.e
Ef E BV
k .T
Ef EBV
k .T
E BC Ef Ef E BV
Ef
E BC E BV
2
Vemos que el nivel de Fermi no esta en el medio, ya que Nc, no es igual a

Nv, lo que simultneamente implica que el nivel de Fermi se mueve
relativamente respecto de la estructura de banda con la temperatura.
De todo esto surge que la caracterizacin principal de un semiconductor
intrnseco, esta dada por el nivel de Fermi, y el ancho del GAP, todo lo cual
implica inmediatamente una concentracin caracterstica de portadores a
una determinada temperatura.
Esta concentracin puede medirse con la determinada concentracin
intrnseca ni :
2
ni n0 .p0
Finalmente observamos que la condicin de concentracin diluida se
cumple toda vez que:
E Ef k .T
E Ef k .T BC
Ef E BV k .T
Lo que se da en la mayora de los casos a temperatura ambiente.
-4-

Procesos de conduccin en los semiconductores, corrimiento y difusin. La constante de

difusin, ecuacin de Einstein. Generacin intrnseca de portadores y recombinacin
trmica:
Para que haya conduccin elctrica deben romperse enlaces huecoelectrn de la banda de Valencia, de modo que quedan electrones y huecos
libres.
Se puede intuir que no solo habr transporte de carga en presencia de un
campo elctrico en la banda de conduccin, sino tambin en la banda de
valencia, aunque con distintas movilidades.
En la banda de conduccin el movimiento de carga elctrica se puede
describir como el caso de un metal, en la banda de valencia el movimiento de
huecos es a favor del campo elctrico. En ambos casos la corriente es en el
sentido del campo elctrico.
Mientras que en el metal hablamos de un nico tipo de proceso, aqu
tenemos que hablar no solo de corrimiento, sino tambin de difusin. En el
corrimiento, el motor es el campo elctrico externo aplicado, mientras que en
la difusin, el motor es el gradiente de concentracin.
As en un semiconductor o aislante, debemos hablar de 4 componentes
de corriente: una de difusin y una de corrimiento de huecos en la banda de
valencia y otra de difusin y corrimiento de electrones en la banda de
conduccin.
J Je Jh
Je Jecorrimiento Jedifusion
Jh Jhcorrimiento Jhdifusion
Corriente de corrimiento
Esta claro que los electrones de la banda de conduccin se comportan en
formasimilar a como
lo hacen
en un metal, consecuentemente:
Jecorrimiento q.n. e .E n E
Donde n=concentracin de electrones
Dado que el hueco es la antipartcula del electrn, habr que hablar de
una corriente
de corrimiento
de
huecos, finalmente:
Jhcorrimiento q. p. p .E p E
Donde p=concentracin de huecos
n Y p
son las conductividades debido a electrones y huecos, en

general sern diferentes, porque son diferentes las movilidades. n deber ser
igual a p para conservar la neutralidad elctrica de carga.
Corriente de difusin
Es el flujo de cargas a
travs de la seccin de
control, debido al gradiente
de concentracin. Podemos
describir esta corriente en
trminos proporcionales al
gradiente, a travs de una
constante apropiada que
determinaremos
como
-5-

constante de difusin. As visto y considerando que el flujo se opone al

gradiente.
Jhdifusion Jp difusion q.Dp.p
Dp es la constante de difusin de huecos. Ahora considerando el electrn

y su carga:
Je difusion Jn difusion q .Dn.n q.Dn.n

Si bien el movimiento es en ambos casos en contra del gradiente de
difusin, la corriente resulta negativa para huecos y positiva para los
electrones, por la carga del elemento.
Corriente total
Je q.n. e .E q.Dn.n
Je q. p. p .E q.Dp.p
La diferencia de signo de las corrientes de difusin permite equilibrar los

procesos de distribucin de portadores, eliminando la causa que provoca el
desequilibrio.
La diferencia que hay entre un semiconductor y un aislante esta dada
nada ms que por el juego de constantes n , p , Dn, Dp . De esta manera la
diferencia fundamental entre un aislante y un semiconductor a cierta
temperatura es simplemente la menor disponibilidad de portadores libres.
Relacin entre y D: Ecuacin de Einstein
Tomamos una pieza de semiconductor aislada, en la que no puede haber
corriente neta, cualquier causa que implique una distribucin no uniforme de
portadores, producir como hemos visto una corriente de difusin y como
consecuencia, una corriente de corrimiento que se debe oponer para mantener
la corriente neta igual a cero.
Tomamospor ejemplo:
Jp q. p . p.E q.Dp.p 0
La componente de corrimiento depender de un campo elctrico E que

obviamente no puede ser externo, ya que la pieza esta aislada circuitalmente.
As este campo elctrico representa un gradiente de potencial interno, que se
da precisamente por efecto de la desigual distribucin del portador:
E E int erno v
Consideremos una nica direccin:

q. p . p.
=>
dV
E
dx
dV
dP
q.Dp.
0
dx
dx
p . p.dV .Dp.dP 0
p
dP
.dV
Dp
P
=>
Ecuacin de Einstein
Esta ecuacin diferencial de Einstein describe que la distribucin de

portadores desigual, esta compensada por una distribucin de potencial
interno.
Dp
Es constante cualquiera sea la posicin dentro del semiconductor
(homogeneidad de portadores).
-6-

Resolviendo la ecuacin diferencial:
P C.e
p
Dp
=>
.V
P( x ) C.e
p
Dp
.V( x )
(1)
La forma de la ecuacin sugiere una densidad de distribucin de

probabilidad de la energa que se podra escribir como:
P C.e
q .V
k .T
(2)
Nos indica cual es la densidad de probabilidad que un portador tipo p

tiene que ocupar en cierto nivel de energa (entre 0 y E=q.V). El producto k.T
puede denominarse energa trmica media de los portadores. Efectivamente, si
tomamos partculas que no interaccionan entre si, o muy dbilmente, estas
siguen la ley de distribucin de M-B
p ( E ) C.e
Comparando (1) y (2)
E
k .T
(3)
p
q
cte
Dp
k .T
p
n
q
Dp
Dn
k .T
cte
Esta ltima igualdad, es la que regula el paso relativo de las corrientes a

cierta temperatura T de equilibrio
Semiconductores extrnsecos. Tipos, impurezas donoras y aceptoras, niveles energticos de las
impurezas, procesos de obtencin de los semiconductores extrnsecos, generacin
extrnseca:
Un semiconductor extrnseco, es un semiconductor con una estructura
cristalina homognea y eventualmente impuro, todo lo cual dar resultado que
en el equilibrio trmico n0 no tiene que ser igual a p0; pero ello no implica
violar el principio de neutralidad de cargas, lo que implica en caso de
desigualdad que no solo hay carga mvil, en la banda de valencia y la banda
de conduccin a considerar, sino tambin carga fija en el GAP (tomos
ionizados).
La forma de lograr desbalancear la cantidad de electrones con el de
huecos es agregando tomos diferentes a los del semiconductor, eso implica
en si, agregar impurezas en nuestro cristal puro, con lo cual estamos
interfiriendo e la posibilidad de utilizacin de la masa efectiva.
Las impurezas que debemos agregar al cristal semiconductor, deben
pertenecer al grupo 3 de la tabla peridica o al grupo 5, y deben ser lo mas
parecido posible a los tomos del semiconductor, a fin de que la estructura
cristalina acepte a las mismas como tomos de su propia naturaleza.
Las impurezas se unen mediante ligaduras covalentes con otros 4 tomos
vecinos, estas estn en muy pequea
cantidad y se encuentran muy separadas
entre si.
Al agregar impurezas con 5
electrones de valencia, como el P
-7-

(fsforo), introducimos tomos pentavalentes. El tomo de impureza se ubica

en el retculo cristalino del silicio sustituyendo un tomo de este material. El
electrn extra que no se recombina con ningn electrn del silicio, no puede
ser acomodado en la estructura cristalina del Si, y al quedar fuera de lugar ser
fcilmente removible de su tomo, as la energa de iotizacin del P en el Si, es
mucho menor que la altura de la banda prohibida. En un cristal de Si, a
temperatura ambiente, hay usualmente suficiente energa trmica como para
entregar esa cantidad de energa en cualquier condicin, lo que hace que las
impurezas estn casi todas ionizadas a temperatura ambiente, con lo que
tendremos un nmero igual de electrones de conduccin.
Esta condicin, llamada iotizacin completa, permite decir que n0 Nd en
donde Nd es la concentracin de impurezas pentavalentes y n0 la
concentracin de electrones en equilibrio trmico.
El diagrama de bandas de energa del semiconductor en el cual se marco
el nivel donor de energa Ed queda determinado por los estados
correspondientes de los 5 electrones de los tomos donores. Dicho nivel esta
ubicado muy cerca de la banda de conduccin, de manera que con muy poca
energa, el electrn que se halla ocupando ese estado, puede pasar a esa
banda generando un electrn sin la correspondiente laguna. Un nivel donor de
energa esta dentro de la banda prohibida del semiconductor.
Un semiconductor en estas condiciones se denomina extrnseco, y como
tiene mas electrones que huecos, lo llamamos tipo N y se verifica que n0>p0
Consideremos ahora que la impureza que se incorpora al silicio es una
impureza con 3 electrones de valencia, como el aluminio, por esto queda una
ligadura faltante que puede ser llenada
con facilidad por otro electrn ligado
proveniente
de
un
tomo
del
semiconductor. Esa ligadura rota es en
realidad un estado permitido vaco que
fue introducido por el tomo de
impureza aceptora. Dicho estado se
encuentra en un nivel de energa
llamado nivel aceptor ubicado dentro
de la banda prohibida cerca de la tabla
de la banda de valencia y corresponden a estados vacos permitidos que fueron
introducidos por las impurezas aceptoras.
Como estos estados estn muy cerca de la banda de valencia, los
electrones ligados que estn dentro de ella, pueden pasar a ocupar algunos de
estos estados, gastando muy poca energa, tambin llamada de ionizacin. Eso
nos permite decir que a la temperatura ambiente, la casi totalidad de tomos
de impurezas se ha ionizado dando lugar cada uno a la formaron de un hueco,
llamando Na a la concentracin de tomos de impurezas trivalentes, que
sern las impurezas aceptoras, podemos decir que: na p0 , en donde p0 es la
concentracin de huecos en equilibrio trmico. Diremos en este caso que el
semiconductor es extrnseco tipo P: p 0 n0
Procesos de obtencin de semiconductor extrnseco
La posibilidad de generacin extrnseca se logra a partir de al menos 3
tcnicas:
-8-

a) Semiconductores por exceso o defecto de tomos de un cierto

compuesto: son bsicamente inicos, la disponibilidad de electrones libres o
huecos libres se logra a travs del exceso o defecto de un tipo de Ion con
respecto a otro. Es el caso de algunos xidos, el dixido de cobre, oxido de zinc
u oxido de nquel. Esta tcnica est en desuso.
b) Semiconductores dopados con impurezas: se basan principalmente en los
elementos del grupo 4 en especial el Si y Ge. A un semiconductor intrnseco
puro perfectamente cristalizado (semiconductor anfitrin o sustrato) se le
introducen impurezas en bajsima concentracin, las impurezas son
normalmente semiconductores del grupo 3 o 5 (semiconductor husped) si las
impurezas son pentavalentes (fsforo, arsnico, antimonio) los tomos se
comportan como centros donores, situados en la banda prohibida ligeramente
por abajo del piso de la banda de conduccin, si por el contrario, las impurezas
son trivalentes (boro, aluminio, galio, indio) los tomos se comportan como
tomos aceptores, las que se sitan en la banda prohibida ligeramente por
arriba del techo de la banda de Valencia. Los semiconductores dopados con
impurezas donoras dan lugar al tipo N, mientras que los dopados con
impurezas aceptoras al tipo P. La insercin de las impurezas puede realizarse
luego de la purificacin del sustrato durante el proceso de cristalizacin
mediante la introduccin de una semilla dopada por difusin de impurezas a
alta temperatura; por crecimiento epitaxial o finalmente por implantacin
inica. Las ms utilizadas y tambin las que mayormente son controlables, son
las tcnicas de difusin e implantacin inica. Es posible utilizar compuestos
del grupo 4, son las tcnicas de difusin e implantacin inica. Es posible
utilizar compuestos del grupo 4 para conformar el semiconductor anfitrin,
tales como Si-C, Si-Ge y Si-Ge-C (ello permite controlar el GAP del
semiconductor intrnseco). En todos los casos la concentracin de impurezas
debe ser dbil a fin de no alterar sustancialmente la estructura de bandas del
semiconductor anfitrin, de lo contrario si se produce una distorsin de la
estructura de bandas, da lugar a los denominados semiconductores
degenerados
c) Semiconductores Intermetlicos o compuestos Intermetlicos dopados: el
semiconductor anfitrin se basa en la unin de semiconductores tipo 3 y 5
tales como el As-Ga, sulfato de zinc o el fsforo de galio. En estos compuestos
Inter metlicos se podran desarrollar semiconductores por exceso o defecto,
sin embargo es mucho mas conveniente la impurificacin de este compuesto
anfitrin con tomos de grupo 2 o de grupo 6.
Recombinacin de los semiconductores extrnsecos
Existen 2 tipos de proceso de recombinacin, uno directo y otro indirecto,
el directo es la asociacin de un par electrnhueco por coalicin directa. No obstante este
proceso no es muy probable a temperaturas
cercanas a las ambientales normales. As
aparecen los mecanismos de recombinacin
indirecta.
La recombinacin indirecta se basa en
las trampas de electrones y huecos que son
los propios tomos ionizados en la red.
-9-

Hay otra clase de trampa que son transitorias, y que se deben a la

irregularidad cristalina de la superficie del semiconductor (trampas
superficiales) las trampas superficiales as como capturan portadores mviles,
y pueden aportar a la recombinacin, son mas bien localidades donde se alojan
transitoriamente portadores mviles que desaparecen del flujo de portadores,
pero luego pueden ser reintegrados, contribuyendo a la fluctuacin estadstica
del nuecero de electrones y huecos libres.
Otro contribuyente es a travs de trampas situadas energticamente
ms o menos en el centro del GAP; producidas por la existencia de otro tipo de
contaminacin, particularmente Au y Ag. Estos se denominan centros de
recombinacin y tienen un tiempo de retencin ms prolongado, favoreciendo
as la recombinacin al ionizarse positiva o negativamente.
Los centros de recombinacin son deseables porque facilitan la
recombinacin disminuyendo el tiempo de vida media de los portadores y
aumenta la rapidez de los dispositivos. Contrariamente las superficiales
contribuyen al ruido electrnico y adems empeoran la rapidez de los
dispositivos al aumentar los tiempos de vida media.
Efecto Hall
Es la sensibilidad a la presencia de los campos magnticos. El efecto Hall
no solo es importante desde el punto de vista practico, sino tambin terico, en
particular porque demuestra que el transporte de carga elctrica se puede
realizar efectivamente a travs de huecos y electrones, colocando en un pie de
igualdad al electrn y al hueco como cuasi partculas, al menos en lo que
concierne a los mecanismos de conduccin elctrica.
El efecto hall es la interaccin de un campo magntico y una corriente
perpendicular. Ello genera una diferencia de potencial (campo elctrico) a su
vez perpendicular a ambos, se demuestra que una banda semiconductora tipo
P produce una diferencia de potencial opuesta a una barra de semiconductor
tipo N.
Concentracin de portadores, determinacin del nivel de Fermi, efectos de la temperatura

Tenemos un semiconductor extrnseco, las ecuaciones que definen la
concentracin de portadores no deberan cambiar, puesto que el sustrato es un
SC intrnseco, sin embargo el desequilibrio entre poblaciones de portadores
libres debe manifestarse de alguna forma, y esto implica que el nivel de Fermi
se desplace fuera del centro del GAP.
Supongamos que describimos una situacin particular de equilibrio con el
medio ambiente, con las siguientes magnitudes:
Nd= tomos donores (electrones de tomos donores)
-10-

Na= tomos aceptores (huecos de tomos aceptores)

nd= tomos donores no ionizados
na= tomos aceptores no ionizados
n= Electrones en la banda de conduccin
p= Huecos en la banda de valencia
A fin de mantener la neutralidad elctrica, se tendr en un semiconductor
tipo N:
n p ( Nd nd )
Y en un semiconductor tipo P:
p n ( Na na )
En general es posible que haya ambos tipos de contaminacin con

diferentes niveles de concentracin de modo que: n p ( Nd nd ) ( Na na )
Esto es doblemente importante en la fabricacin ya que permite
neutralizar impurezas no deseadas o realizar diferentes capas semiconductoras
por sucesivas contaminaciones. El lmite es que la concentracin total de
impurezas sea aun pequea para no degenerar el semiconductor.
De esto surge que en un semiconductor tipo N, a temperaturas
suficientemente elevadas, pero aun dentro de las tpicas ambientales, los
electrones que habrn, sern solo aquellos producidos por los tomos donores,
o por la diferencia entre la concentracin donora y aceptora. De igual manera
pero en sentido inverso para un semiconductor tipo P.
( E BC Ef )
k .T
Portadores non Nd Na Nc.e
( Ef EBv )
Mayoritarios
k .T
pop Na Nd Nv.e
( Ef E Bv )
k .T
En un semiconductor tipo N con T~T ambiente normal

En un semiconductor tipo P con T~T ambiente normal
E BC Ef
Nc
Nc
Ln
=>
k .T
Nd Na
Nd Na
Nc
Ef E BC k .T .Ln Nd Na Temperatu .Normales
Tipo ' N '

E
E
Nc
BC
Ef Donora
k .T .Ln
Temp .Bajas
2
Nd Na
Nv
Ef E BV k .T .Ln Nd Na Temperatu .Normales
Tipo ' P'

E E Aceptora
Nc
Ef BV
k .T .Ln
Temp .Bajas
2
Nd Na
Estas ecuaciones nos dicen que en un semiconductor no degenerado: si

es n, el nivel de Fermi se encuentra en la mitad superior del GAP y si es p
en la mitad inferior.
Ahora la concentracin de portadores minoritarios lo podramos indicar
con los smbolos nop y pon. Para estimar la poblacin de estos portadores basa
conocer la poblacin de los mayoritarios y la condicin de conservacin de la
-11-

concentracin intrnseca, que se debe cumplir si no hemos alterado la

estructura del semiconductor anfitrin.
n2 (N )
2
ni ( N ) non . pon =>
pon i
Nd
2
n ( P)
2
ni ( P ) nop . p op =>
nop i
Na
Podemos reescribir la totalidad de las ecuaciones de concentracin de
portadores en funcin de la concentracin intrnseca, evaluando el valor de
esta para un semiconductor dado en funcin de la temperatura y el ancho del
GAP. Para ello comencemos evaluando las relaciones p n y p.n .
n0 Nc.e
Evaluando: p
E BC Ef
k .T
p0 Nv.e
Ef E BV
k .T
Nc Nv
n :
Ef E BV
k .T
p Nv.e
e
E BC Ef
n
Nc.e k .T
Ef EBV
k .T
EBC Ef
.e
k .T
EBV EBC 2. Ef
k .T
2. Efi 2. Ef
p
e
n
k .T
2 Efi Ef
k .T
Aunque esta ecuacin se ha deducido para un semiconductor intrnseco,

tambin es valida para un semiconductor extrnseco y nos muestra que el
desbalance de concentraciones depende de la posicin del nivel de Fermi,
respecto del centro de la banda prohibida (Efi)
Evaluando: p.n :
2
p.n ni Nc.Nv.e
E BC Ef Ef E BV
k .T
Nc.Nv.e
EBC EBV
k .T
Nc.Nv.e
Eg
k .T
Teniendo en cuenta:
Nc
3
2
. 2 .m.n * .k .T 2
3
h
p.n
Nv
3
2
. 2 .m.n * .k .T 2
3
h
Eg
3
3
2
2 .m.n * .k .T 2 . 23 2 .m. p * .k .T 2 .e k .T
3
h
h
2 .m.n * .k .T
p.n 4.
h2
2 .m. p * .k .T
.
h2
.e
Eg
k .T
-12-

3 3
22
Eg
3 3
2.k
p.n .4 2 m.n .* m.p * 2.T .e k.T
h
Eg
3 3
2 k.T
Eg
3 k.T
2.k
p.n .4 2 m.n .* m.p * .T e C'.T .e
h
n C '.T .e
2
i
Eg
k .T
Eg
33
2 k.T
2.k
ni 4. 2 m.n* m.. p * .T e
h
3
Eg
3
3
4 2 2 k.. T
2.k
ni 2. 2 m.n* m.. p * .T e
h
2
ni (T ) C.T
.e
Eg
2. k .T
p.n C.T
=>
.e
Eg
k .T
Podemos ahora estimar tambin las poblaciones mayoritarias en funcin

de la concentracin intrnseca. En un material tipo P.
p p p2

e
n P ni 2
2
p ni .e
2
2 Efi Ef
k .T
2 Efi Ef
k .T
pop ni .e
Efi Ef
k .T
Y de forma simtrica para un semiconductor tipo N:

non ni .e
Ef Efi
k .T
Concluyendo, las condiciones que caracterizan a un semiconductor extrnseco

son las siguientes:
-13-

Ef Efi
k .T
Efi Ef
k .T
non ni .e
p op ni .e
ni C.T 2 ..e
Eg
2 kT
n
p on i
Nd
2
ni
nop
Na
Tipo N
Tipo P
Intrin sec o
Distribucin energtica de los portadores

Como complemento de la descripcin de la concentracin de portadores,
conviene analizar ahora brevemente como se encuentran estos distribuidos
energticamente en las bandas.
Los electrones pueden describirse por el siguiente producto:
n E S E .FF D E
Donde S(E) es la distribucin de estados.
La distribucin de estados es proporcional al impulso de los portadores:
S E a. p
p
E.2m
2m E E BC
n E a. 2m . E E BC .FF D Z b E E BC .FF D E
De la misma forma para los huecos:
p E b' E BV E .F ' F D E
Teniendo en cuenta esto, podemos construir el siguiente diagrama para

un semiconductor tipo N:
Conductividad en Funcin de la Temperatura

Consideremos el balance entre los procesos de generacin intrnseca y
extrnseca de portadores segn la temperatura y como se manifiesta ello en la
concentracin de portadores libres en ambas bandas. Por otra parte, la
poblacin de portadores libres describe directamente las conductividades
elctricas de un semiconductor. La dependencia trmica de estas
-14-

conductividades elctricas puede representarse para la mayora de los

semiconductores extrnsecos prcticos, en una grfica logartmica.
La zona inferior es
una regin de generacin
extrnseca que hace que
aumente
la
conductividad hasta un
punto en el que la
totalidad de los tomos
de
impureza
se
encuentran
ionizados.
Superada cierta Tmin,
sobreviene una regin
trmica en la que no hay
aumento de la cantidad
de portadores, debido a
que
aun
no
tienen
suficiente energa, los
tomos de cristal para romper pares hueco-electrn, el aumento de la
temperatura entonces, provoca un descenso de la conductividad. Esta regin
operativa se prolonga hasta una temperatura mxima que depende del GAP
(Eg/k.T). Superada esta temperatura mxima, comienza la generacin
intrnseca y por lo tanto un nuevo aumento de la conductividad. Este aumento
es importante y puede conducir rpidamente a la destruccin del dispositivo.
TEMA B: Caracterizacin dinmica de los semiconductores:

Se entiende a esta como evoluciona el semiconductor cuando lo sacamos
del equilibrio por efecto de una excitacin externa o tambin como retorna al
equilibrio cuando la excitacin cesa.
Comportamiento dinmico,
recombinacin
recombinacin
de
portadores,
trampas
centros
de
Si agregamos cualquier otro tipo de energa, rompemos la condicin de

equilibrio trmico, pero no la de equilibrio dinmico, que implica que en todo
instante deba generarse recombinarse la misma cantidad de pares electrnhueco. Como a la temperatura ambiente, los tomos de impurezas estaban
prcticamente ionizados en su totalidad, la nueva forma de energa agregada,
solamente podr romper ligaduras covalente de tomos del semiconductor y
por lo tanto pares electrn hueco, o sea que los portadores (Electrones y
huecos) generados por la energa agregada estarn siempre en igual nmero.
Vamos a llamar a estos electrones y huecos generados, excesos y los
llamaremos n y p, respectivamente; se tendr que verificar que n=p y si
llamamos n y p a las cantidades totales:
n n 0 n'
(1)
p p0 p'
En estas condiciones, el cristal esta fuera de equilibrio eso no quiere
decir que el cristal no se encuentre en equilibrio dinmico, sino que por el
-15-

contrario, esa condicin tendr que existir y tendr que verificarse tambin en
este caso que la generacin total ser igual a la recombinacin total:
G (T ) g r (T ).n. p (2)
Donde g representa la generacin producida por la otra forma de energa
agregada al sistema y representa la velocidad de formacin de pares huecoelectrn por unidad de volumen y de tiempo. Introduciendo (1) en (2):
G (T ) g r (T ).(n0 n' ).( p 0 p ' )
G (T ) g r (T ).n0 . p 0 r (T ).n0 . p ' r (T ).n' p 0 r (T ) n' p '
Comparando con G (T ) r (T ).n0 . p 0

g r (T ).n0 . p ' r (T ).n' p 0 r (T ) n' p '
(3)
(3) representa la recombinacin de los excesos de portadores. En (3) cada uno

de los trminos del segundo miembro representa una recombinacin. Si los
excesos estn en un numero mucho menor que los portadores mayoritarios y
siendo que esta es la condicin mas comn, la mencionada expresin puede
simplificarse.
n' y p sern pequeos, razn por la cual el 3er termino puede despreciarse:
g r (T ).n 0 . p ' r (T ).n' p 0 (4)
Luego se verificara que si el material es N, ser p0 << n0 de donde (4)
queda:
g r (T ).n0 . p ' (5)
Mientras que si fuera P, como n0 << p0, (4) queda:
g r (T ).n' p 0 (6)
Se deduce que en la recombinacin de los excesos intervienen los
portadores mayoritarios en equilibrio trmico, y los minoritarios en exceso.
Debe interpretarse de esto, que si bien los excesos se recombinan de a
pares, la velocidad de recombinacin esta determinara por la probabilidad de
encuentro de los minoritarios en exceso, con los mayoritarios en equilibrio
trmico.
En la condicin de equilibrio dinmico, tendr que verificarse que la
generacin de excesos y su recombinacin, debern ser iguales, condicin que
corresponde a las igualdades (5) y (6); esto implica naturalmente que:
g r (T ).n0 . p ' 0
=> Tipo N
(7)
g r (T ).n'. p 0 . 0
=> Tipo P
(8)
Si el equilibrio dinmico no estuviera establecido, como resultado de la
accin conjunta de la generacin y la recombinacin, los excesos variaran en
el tiempo.
g r (T ).n0 . p '
dp '
dt
g r (T ).n'. p 0 .
Haremos: p
1
r T .n0
=>
dn'
dt
1
r T . p 0
=>
Tipo N
Tipo P
(tiempo de vida media de los
excesos)
Si introducimos estas, en (7) y (8):
-16-

p'
dp '
dp ' p '
=> g dt
Tipo N
p
dt
p
n'
dn'
dn' n'
g
=> g
Tipo P
n
dt
dt n
p'
n'
Donde para un N y
para un P, representan la recombinacin de los
n
p
g
excesos, que segn la definicin ya dada anteriormente, es la cantidad de

pares hueco electrn que se forman por unidad de tiempo, en 1 cm3 de cristal.
Diremos que p para un material tipo N o n para un material tipo P es
el tiempo de vida de los excesos de minoritarios dentro del cristal, su valor
oscila entre 0.1 y 1000uS. A igualdad de temperatura el tiempo de vida ser
menor cuanto mayor es la concentracin de mayoritarios; eso es lgico, pues
en esas condiciones es mayor la probabilidad de encuentro entre un minoritario
en exceso y un mayoritario en equilibrio trmico, que son los que determinan
en su casi totalidad el valor de la recombinacin.
Normalmente los excesos n=p sern en general pequeos comparados
con la concentracin de portadores mayoritarios en equilibrio trmico, de all
que la suma influye muy poco en el valor de los mismos; en cambio los excesos
de minoritarios, pueden alcanzar un valor importante comparado con la
concentracin en equilibrio trmico de dichos portadores. Por consiguiente las
expresiones (1) No tendrn ambas la misma importancia y se cumplir que, si
nos referimos a un material tipo N en donde n0>p0:
n n0 n' n0
p p0 p'
Si el material es tipo P donde n0<p0
n n0 n'
p p0 p' p0
Si bien la inyeccin de portadores producida por una energa diferente de
la trmica, produce en igual numero, electrones y huecos en exceso, la
importancia porcentual de los mismos ser grande cuando nos refiramos a los
portadores minoritarios y ser despreciable en relacin con los mayoritarios.
Inyeccin de portadores minoritarios, funcin de recombinacin, ecuacin de la continuidad
Cuando se saca del equilibrio al semiconductor mediante una causa de
excitacin externa, o cuando cesa la causa de excitacin ocurren fenmenos de
redistribucin de portadores que son adems funciones del tiempo, en pocas
palabras describimos un proceso espacio temporal de reacomodamiento de
portadores.
Ello responde a una ecuacin diferencial en derivadas parciales del
espacio del tiempo que tambin denominamos ecuacin de continuidad. La
llamamos as porque se funda en la conservacin de la carga elctrica que a su
vez puede expresarse como una conservacin
punto a punto de la poblacin de portadores.
Hemos de analizar todos los procesos
fsicos que pueden modificar la concentracin
de portadores en un volumen arbitrario, V,
cualquiera en el interior de un semiconductor.
-17-

p.dv
Analicemos los huecos, la integral de volumen:
ser igual al
nmero de huecos que estn almacenados dentro del volumen V. Estos huecos
pueden:
a) Variar en Cantidad: t
p.dv t .dv
v
b) Recombinarse: R ( n, p, T ).dv GT 0 r (T ).n0 . p ' r (T ). p 0 .n' dv

v
Es negativo porque se refiere a una perdida. Se indica el numero de huecos

que se recombinan por unidad de volumen y en la unidad de tiempo.
c) Generarse: La generacin puede ser trmica o por excitacin externa:
G.dv G
T0
g dv
donde GTO es la generacin trmica y g la generacin externa.

d) Desaparecer: atravesando la superficie S que delimita el volumen v:
1
.dS
. J p .n
q
S
Jp
es la densidad de corriente,
Ip
q
ser la densidad de partculas
(huecos) que transportan esa corriente. Aplicando el teorema de la divergencia

de Gauss:
1
1
. J p .n.dS
. .J p .dv
q S
q v
Analizados todos los procesos que pueden sufrir los portadores, estamos
en condiciones de escribir una ecuacin que exprese su continuidad.
T0
g dV
R n, p, T dv q .Jp.dv t .dv
v
El primer miembro determina el nmero de portadores que se generan

dentro del volumen v, el segundo miembro determina todas las posibilidades
que estos portadores tienen.
Es conveniente modificar la forma matemtica de la expresin:
p
t .dv g G dV G
T0
T0
r (T ).n0 . p ' r (T ). p 0 .n' dV
1
q
.Jp.dv
v
Evidentemente el volumen V es arbitrario no por ello la ecuacin debe

cambiar, de modo que la igualdad puede extenderse a los integrandos:
p
1
g GT 0 GT 0 r (T ).n0 . p ' r (T ). p 0 .n' .Jp
t
q
Podemos considerar aqu que para simplificar un semiconductor tipo N,

de modo que nos quedara:
p n
p
dp n '
1
1
g r (T ).n0 . p ' .Jpn g n ' ..Jpn
t
q
pn q
dt
De igual forma para el tipo P, en donde escribiramos:

-18-

n p
t
g r (T ). p 0 .n'
n p'
dn p '
1
1
.Jnp g
..Jnp
q
np q
dt
Estas ecuaciones describen la dinmica de los portadores minoritarios.

Aun podemos trabajar algo estas ecuaciones, en primer lugar,
excluyendo la seccin en la que se produce la inyeccin, con lo cual g=0.
Adems debemos recordar que la densidad de corriente esta compuesta de
subcomponentes de corrimiento
y difusin.
Jpn q. p n . p .E q.Dp.pn
Jnp q.n p . n .E q.Dn.np
Si solo consideramos el desequilibrio debido a la inyeccin que provoca la

difusin de portadores en ausencia de un campo elctrico externo aplicado
(E=0).
. p p
.n n
Jpn q.Dp. 2 pn q.Dp. 2 p ' n
Jnp q.Dn. 2 np q.Dn. 2 n' p
Con estas hiptesis simplificadoras, nos quedan las siguientes ecuaciones

generales de difusin de portadores minoritarios:
dp n ' p ' n
Dp. 2 p ' n
dt
pn
dn
n' p
p'
Dn. 2 n' p
dt
np
Tipo
Tipo P
Estas son las ecuaciones de difusin de portadores minoritarios

inyectados (g=0 y E=0).
Consideremos ahora 2 casos bsicos de difusin de portadores
minoritarios, debidos a una inyeccin
a) Inyeccin impulsiva por efecto de un Flash lumnico sobre una cara
del semiconductor
b) Inyeccin estacionaria por efecto de una juntura o contacto con una
cara del semiconductor.
Estos 2 estados nos permitirn por un lado visualizar los aspectos
salientes de la dinmica y por otro lado definir los parmetros caractersticos
de dicha dinmica.
Ecuacin de difusin de los portadores minoritarios inyectados en rgimen estacionario y en
rgimen impulsivo
Inyeccin estacionaria
-19-

Vamos a considerar una pastilla semiconductora iluminada en uno de sus
extremos y la distribucin de los excesos de huecos p en funcin de x. dicha

distribucin deber indudablemente disminuir a medida que nos movemos
hacia la derecha, lo que implica generacin igual a cero y recombinacin de los
excesos diferentes a cero.
La luz se halla aplicada ya desde hace bastante tiempo y hemos llegado
a la condicin de rgimen permanente.
Trataremos de hallar la ecuacin diferencial que rige el proceso de la
difusin de portadores minoritarios dentro del cristal semiconductor. Vamos a
considerar un volumen elemental del cristal constituido por el rea transversal
de la pastilla que supondremos unitaria y por una longitud diferencial dx.
La cantidad de portadores, por
ejemplo: huecos, que ingresa al volumen
elemental en la unidad de tiempo, ser
funcin de la corriente Jp que circula por
la
pastilla.
Como
la
carga
esta
representada por huecos, dividiendo a la
corriente por la carga de un hueco, o sea q, tendremos el numero de huecos
buscado, luego este numero de huecos que entra al volumen elemental ser
1
.Jp .
q
Si dentro del volumen se crean o desaparecen portadores, se producir

una variacin de la corriente Jp, dicha variacin quedara expresada por su
derivada, luego el numero de huecos que sale del volumen elemental ser:
1
dJp
. Jp
.
q
dx
O sea que la variacin del numero de lagunas que se produjo dentro del
1 dJp
.
q dx
volumen elemental ser:
y como la luz se aplico en un extremo de la
pastilla, el volumen incremental bajo estudio no estar iluminado, por ser

interno, en consecuencia, la generacin de excesos deber ser all, nula y
solamente existir recombinacin de los mismos. Dicha recombinacin se
p'
expresa por la relacin ; luego la derivada de Jp en el interior del volumen

p
elemental tendr que ser negativa, dado que por ser la recombinacin mayor
que la generacin, el nmero de excesos debe disminuir.
p'
1 dJp
.
q dx
=>
p ' 1 dJp
.
0
p q dx
Pero:
-20-

Jp q.Dp.
1 dJp
d 2 p'
.
Dp.
q dx
dx 2
dp '
=>
dx
Luego:
p'
d 2 p'
Dp.
0 =>
p
dx 2
p ' p .Dp.
d 2 p'
0
dx 2
(1)
Que es la ecuacin de la difusin. La resolucin de (1) es una ecuacin

del tipo:
x
d2y
=>
y w2 . 2 0
y C .e w
dx
Aplicando a (1):
p ' C.e
x
Lp
donde
Lp
p .Dp
Vemos que las 3 constantes halladas

caracterizan a un cristal semiconductor:
longitud de difusin l; el tiempo de vida y
la constante de difusin D.
Inyeccin impulsiva (Flash)
Consideramos la misma pieza semiconductora, solo que la excitacin
proviene de un elemento lumnico
impulsivo, tipo flash. Nos interesa conocer
como
varia
la
concentracin
de
portadores a lo largo del tiempo en una
seccin x0 arbitraria que no sea la cara
de excitacin.
Esperamos que en la seccin x0 se
produzca un aumento sbito de la
concentracin de portadores minoritarios por efecto de la inyeccin, tras lo
cual dicha concentracin decaer por efecto de la recombinacin hasta los
valores de equilibrio previo.
En las concisiones mencionadas,
inmediatamente
despus
de
desaparecido
el
impulso,
existe
generacin de portadores provocada por
ninguna excitacin externa.
gp 0
dJp
.Jp 0
dx
x 0
x cte x0; E 0
El flujo de portadores es cero a travs de las superficies que delimtala el cristal

p ' 0 excesos.
siendo
g
1
p ' p '
.Jp
q
p
dt
-21-

Como:
g=0 =>
p '
p'
0 =>
dt p
1
.Jp 0
q
p ' p ' 0 .e
t
p
En la seccin x0, se verifica un exceso instantneo inicial p(0), el que

luego se recombina en el tiempo decayendo exponencialmente con la
constante de tiempo p (tiempo de vida media de los portadores). Dependiendo
de la concentracin de portadores p esta comprendida entre 0.15 y 1000uS en
los semiconductores tpicos.
-22-

Cap 3

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Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Captulo 3: Caracterizacin de los semiconductores

CAPITULO 3: CARACTERIZACION DE LOS

El cmputo de la concentracin de electrones y huecos debe realizarse

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Notemos que el exceso de electrones por sobre el piso de la banda de

Nos interesa considerar aqu una aproximacin terica importante que es

Aplicando la aproximacin en la integral, nos queda:

Podemos ver que nos quedan 3 integrales iguales, multiplicndose de la

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Los lmites de integracin implican todas las posibles velocidades que

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Y se resuelve con la integral de Gauss como vimos anteriormente

Vemos que el nivel de Fermi no esta en el medio, ya que Nc, no es igual a

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Procesos de conduccin en los semiconductores, corrimiento y difusin. La constante de

son las conductividades debido a electrones y huecos, en

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

constante de difusin. As visto y considerando que el flujo se opone al

Jhdifusion Jp difusion q.Dp.p

Dp es la constante de difusin de huecos. Ahora considerando el electrn

Je difusion Jn difusion q .Dn.n q.Dn.n

La diferencia de signo de las corrientes de difusin permite equilibrar los

La componente de corrimiento depender de un campo elctrico E que

Consideremos una nica direccin:

Esta ecuacin diferencial de Einstein describe que la distribucin de

Es constante cualquiera sea la posicin dentro del semiconductor

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Resolviendo la ecuacin diferencial:

La forma de la ecuacin sugiere una densidad de distribucin de

Nos indica cual es la densidad de probabilidad que un portador tipo p

Comparando (1) y (2)

Esta ltima igualdad, es la que regula el paso relativo de las corrientes a

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

(fsforo), introducimos tomos pentavalentes. El tomo de impureza se ubica

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

a) Semiconductores por exceso o defecto de tomos de un cierto

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Hay otra clase de trampa que son transitorias, y que se deben a la

Concentracin de portadores, determinacin del nivel de Fermi, efectos de la temperatura

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Na= tomos aceptores (huecos de tomos aceptores)

En general es posible que haya ambos tipos de contaminacin con

Portadores non Nd Na Nc.e

En un semiconductor tipo N con T~T ambiente normal

Ef E BC k .T .Ln Nd Na Temperatu .Normales

Tipo ' N '

Ef E BV k .T .Ln Nd Na Temperatu .Normales

Tipo ' P'

Estas ecuaciones nos dicen que en un semiconductor no degenerado: si

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

concentracin intrnseca, que se debe cumplir si no hemos alterado la

Aunque esta ecuacin se ha deducido para un semiconductor intrnseco,

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Podemos ahora estimar tambin las poblaciones mayoritarias en funcin

Y de forma simtrica para un semiconductor tipo N:

Concluyendo, las condiciones que caracterizan a un semiconductor extrnseco

Ctedra: Dispositivos Electrnicos (1031)

Distribucin energtica de los portadores

Donde S(E) es la distribucin de estados.

La distribucin de estados es proporcional al impulso de los portadores:

De la misma forma para los huecos:

Teniendo en cuenta esto, podemos construir el siguiente diagrama para