Difusinenslidos

Difusin
Difusin
if i

Fenmeno detransporte demasa por movimiento

atmico

Mecanismos
GasesyLiquidos
Gases y Liquidos movimiento aleatorio (Browniano)
Slidos difusin por vacancias odifusin intersticial.

Difusin enslidos
Interdifusin o difusin de impurezas: Los tomos de un metal difunden en el otro.
g
de las regiones
g
de alta concentracin a la de baja
j concentracin.
Los tomos migran

Inicial

Perfiles de concentracin
Perfilesdeconcentracin

Despus de un tiempo

Perfiles de concentracin
Perfilesdeconcentracin
3

Autodifusin
Autodifusin: En metales puros, los tomos del mismo tipo puede intercambiar
Posiciones. No puede observarse por cambios de composicin.

tomos etiquetados

Despus de un tiempo
C

C
D

A
A
D
B
B

Anivelatmico,ladifusinconsisteenlamigracindelostomosdeunsitiodelaredaotro.
Enlosmaterialesslidos,lotomosestnencontinuomovimiento.
La movilidad atmica requiere 2 condiciones:
Lamovilidadatmicarequiere2condiciones:
1)unlugarvecinovaco
2)eltomodebetenersuficienteenrga comopararompere losenlacesconlos
tomosvecinosydistorsionarlaredduranteeldesplazamiento.
y
p
Aunatemperaturadeterminadaunapequeafraccindelnmerototaldetomosescapaz
Dedifundirdebidoalamagnituddesuenergavibratoria.
4

Mecanismos dedifusin
Difusin por vacancias
Difusin intersticial

Difusinporvacancias
intercambio de un tomo de una posicin reticular normal a una vacancia
o lugar reticular vecino vaco.
vaco
applies to substitutional impurities atoms
la tasa depende de:
--nmero
nmero de vacancias
--la energa de activacin para el intercambio.

Aumento del tiempo transcurrido

Simulacin deladifusin
de la difusin
Interdifusin a travs
De una interfaz

La tasa de difusin substitucional

depende de:

--concentracin
t i de
d vacancias
i
--frecuencia de saltos.

Elmovimientodelostomosenladifusinvaensentidoopuestoaldelasvacancias.

 Difusin intersticial tomos que vandesde una posicin

intersticial aotra vecina desocupada.
Tiene lugar por interdifusin desolutos que tiene tomos
pequeos
(como
(
H C N O)
H,C,N,O).

Es ms rpida que la difusin por vacancias

7

Procesos que usan difusin

Endurecimiento:
E d
i i t

-tomos de carbono se
difunden a la superficie
--Ejemplo: engranes de acero

Resultado: la presencia de tomos de C

hacen que el hierro (acero) sea ms duro.

Procesos que usan difusin

Procesosqueusandifusin
Dopar silicio con fsforo para tener semiconductores tipo n
0 5 mm
0.5

1. Se depositan capas ricas

en P sobre la superficie.
superficie
magnified image of a computer chip
silicon

2. Se calienta
3. Resultado: Regiones del
Semiconductor dopadas

silicon

light regions: Si atoms

light
g regions:
g
Al atoms
9

Cuantificacin
Cmo cuantificamos latasa dedifusin?

moles (or mass) diffusing mol

kg
J Flux

or
2
surface area time
cm s m2s
Mediciones
M di i
empricas
i
Hacer una pelcula delgada (membrana)conrea superficialconocida
Imponer ungradiente deconcentracin
Medir qu tanrpido lostomos omolculas sedufunden atravs de
lamembrana.

M l dM
Flujo
l
J

At A dt

M=
mass
diffused

J slope
time
10

Difusin enestado estacionario

Condicindeestadoestacionario:elflujodedifusinnocambiaconeltiempo
Flujo proporcional al gradiente de concentracin =

C1 C1

dC
dx

Primera ley de Fick:

C2
x1

C2

x2

dC C C2 C1
si es lineal

dx x
x2 x1

dC
J D
dx
D coeficiente de difusin [m2/s]

Ladireccindedifusinescontraria
Al
Algradientedeconcentracin:
di t d
t i
Vadealtaabajaconcentracin
11

Ejemplo:Guantes protectores contra

qumicos
El
Elcloruro
l
d
demetileno
il
es uningrediente
i
di
comn
para remover
pintura.Adems deserirritante,puede absorberse por lapiel.
Cuando seutiliza este removedor depintura
p
sedeben usar
guantes protecores.
Siseutilizan guantes decaucho butlico (0.04cmdeespesor),
cul
l es elflujo
l fl j dedifusin
d dif i delcloruro
d l l
d
demetileno
il
atravs
del
d l
guante?
Datos:
Coeficiente dedifusin encaucho butlico:
D =110x108 cm2/s
Concentraciones ensuperficies: C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
12

Ejemplo
j p ((cont).
)
Solucin asumiendo un gradiente de concentracin lineal

guante
C1

dC
C2 C1
J -D
D
dx
x2 x1

2
tb
6D

Removedor

piel

de pintura

Datos:

C2
x1 x2

J (110 x 10

-8

D = 110 x 10-8 cm2/s

C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
x2 x1 = 0.04
0 04 cm

(0.02 g
g/cm3 0.44 g
g/cm3 )
g
cm /s)
/ )
1.16 x 10 -5
(0.04 cm)
cm2s
2

13

Difusin ytemperatura
El coeficiente de difusin aumenta con la temperatura.

Qd

D Do exp
RT
D = coeficiente de difusin [m2/s]
Do = p
pre-exponencial
p
[[m2/s]]
Qd = energa de activacin [J/mol or eV/atom]
R = constante de los gases [8.314 J/mol-K]
T = temperatura absoluta [K]

14

Difusinytemperatura

300

600

1000

10
0-8

1500

D depende exponencialmente de T

D (m2/s)

T(C)

Dintersticial >> Dsubstitucional

C en -Fe
C en -Fe

10-14

10-20
05
0.5

10
1.0

15
1.5

Al en Al
Fe en -Fe
Fe en -Fe

1000 K/T

15

Example: At 300C the diffusion coefficient and activation energy for Cu in

Si are
D(300C) = 7.8 x 10-11 m2/s
Qd = 41.5 kJ/mol
What is the diffusion coefficient at 350C?

transform data

Temp = T

1
and
T2
Qd
D2
lnD2 lnD1 ln

D1
R

Qd
lnD2 lnD0
R

ln D

1/T

Qd
lnD1 lnD0
R
1 1

T2 T1

1

T1

16

Example (cont )
Example(cont.)
Qd
D2 D1 exp
R

1 1

T2 T1

T1 = 273 + 300 = 573 K

T2 = 273 + 350 = 623 K

D2 (7.8 x 10

11

41,500 J/mol 1
1
m /s) exp

8.314 J/mol - K 623 K 573 K

2

D2 = 15.7 x 10-11 m2/s

17

Difusin enestado
en estado noestacionario
no estacionario
Laconcentracin
a co ce t ac de
delas
as espec
especies
es que se
sedifunden
d u de es funcin
u c
tanto delaposicin como deltiempo C=C(x,t)
Encondicionesnoestacionariasutilizamoslaecuacinconderivadasparciales:

Sielcoeficientededifusinesindependientedelacomposicin,laec.anterior
sesimplificaa:
i lifi

C
2C
D 2
t
x

Segunda ley de Fick

Lassolucionesaestaecuacinseconsiguenespecificandocondicioneslmites
Fsicamentesignificativas.

18

Consideracionesparalasolucin
p
Enlaprctica,unasolucinimportanteesladeunslidosemiinfinito cuya
concentracinsuperficialsemantieneconstante.
Frecuentementelasubstanciaquedifundeesungas,cuyapresinparcial
semantieneconstante.
Seplanteanlassiguienteshiptesis:
1.
2.
3.

Antesdeladifusin,todoslostomosdesolutoestnuniformemente
distribuidosenelslidoaconcentracinC0.
Elvalordexenlasuperficieesceroyaumentaconladistanciadentrodel
slido.
Eltiemposetomaigualaceroenelintante inmediatamenteantesde
empezarladifusin.

Estascondicioneslmiteson:
Parat=0,C=C0 a0 x
parat>0,C=Cs (laconcentracinsuperficialconstante)x=0
C=C
C
C0 ax
a x=
Aplicandolascondicionesiniciales,seobtienelasolucin:

C x , t Co
x
1 erff

Cs Co
2 Dt

Solucin:
Solucin:

C x , t Co
x
1 erf

Cs Co
2 Dt

C(x,t)=Conc.Enelpunto
C(x
t) = Conc En el punto x al
al
tiempo t
erf (z)=funcin error

z
0

y 2

dyy

CS

C(x,t)
Co

20

 Cobre difundindose hacia una barra de aluminio.

Conc. superficial
Cs de tomos de
Cu
Cu.

bar
Conc. p
pre-existente Co de tomos de cobre

Cs

21

C x , t Co
x
1 erf

Cs Co
2 Dt
CuandosedeseaconseguirunaconcentracindeterminadadesolutoC
d
d
d
d d
l
1,
elprimermiembrodelaec.seconvierteen:

Enestacondicin,elsegundomiembrodelaec esunaconstante:
o

Perfildeconcentracin
Paradifusinenestadono
Estacionario.
Estacionario

Valores de la funcin error

Valoresdelafuncinerror

Ejemplo
j p
Paraalgunasaplicacionestecnolgicasesmsconveniente
endurecerlasuperficiedelaceroqueelinterior.Uncamino
paraconseguirestefinesincrementarlaconcentracinde
carbonodelasuperficieenunprocesollamado
carburacin.Lamuestradeaceroseexponeaelevada
p
temperatura,enunaatmsferaricaenunhidrocarburo
gaseoso,talcomoelmetano(CH4).
Setrataa450Cunaleacinconunaconcentracininicial
Se trata a 450C un aleacin con una concentracin inicial
uniformede0.25%enpesodecarbono.Silaconcentracin
delcarbonodelasuperficiesellevaysemantienea1.2%,
t ti
cuntotiemposenecesitaparaconseguiruncontenido
it
i
t id
del0.80%a0.5mmdeprofundidad?Elcoeficientede
difusindelcarbonoenelhierroaestatemperaturaesde
11 m2/s.Sesuponequelamuestraessemiinfinita.
1.6x1011
/

Solucin

Problemadedifusinenestadonoestacionario.
Co=0.25%C
Cs=1.2%C
C 0 80%
Cx=0.80%
X=0.5mm=5x104m
D=1 6x10 11 m2/s
D=1.6x1011m2/s

As:
As:

Debemosencontrarelvalordezparaelcuallafuncinerroresde0.4210.Paraellohacemos
unainterpolacinusandolosdatosdelatabla:

 Entonces
Despejandot:

Ejemplo2
j p
Loscoeficientesdedifusindelcobreydelaluminioa500y600Cson
14 y5.3x10
13 m2/s,respectivamente.Determineeltiempo
4 8 1014
4.8x10
5 3 1013
/
ti
t D t
i
l ti
aproximadonecesarioparaconseguira500ClamismadifusindelCuen
Alenunpuntodeterminado,queuntratamientode10ha600C.
Usamoslaec.
Lacomposicindeambasdifusionesesigualenlamismaposicin(x)
Entonces
Dt =constanteaambastemperaturas

(Dt)500=(Dt)600

Ejemplo 3
Ejemplo3
Losdispositivoscomotransistoressefabricandopando
semiconductores con diversos dopantes para generar regiones que
semiconductorescondiversosdopantesparagenerarregionesque
tengansemiconductividad tipopotipon.Elcoeficientededifusin
delfsforo(P)enelSiesD=6.5x1013 cm2/sa1100C.Supongaque
la fuente proporciona una concentracin superficial de 1020tomos
lafuenteproporcionaunaconcentracinsuperficialde10
tomos
/cm3 yqueeltiempodedifusinesunahora.Supongaquepara
empezar,laobleadesilicionocontieneP.
A)CalculelaprofundidadalacuallaconcentracindePser10
A) Calcule la profundidad a la cual la concentracin de P ser 1018
tomos/cm3.
B)Qusucederconelperfildeconcentracinalenfriarlaoblea
de Si con contenido de P?
deSiconcontenidodeP?
C)Qusucedersiahorasedeberecalentarlaobleapara
difundirleboroycrearunaregintipop?

Factores involucrados en la difusin

Factoresinvolucradosenladifusin
Especiesquesedifunden
i
dif d
Lamagnituddelcoef.DedifusinDesindicativo
delatasaalacuallostomossedifunden.
Lasespeciesquesedifundenaligualqueel
materialbaseinfluencianelcoef.Dedifusin.

Temperatura
p
Influenciaprofundaenelcoeficientededifusiny
latasadedifusin(Dpuedeaumentar6rdenes
( p
demagnitudalaumetar laTde500a900Cenla
difusindeFeenFe)

Resumen
Difusin MS RPIDA para...

Difusin MS LENTA para...

estructuras cristalinas abiertas

estructuras con
empaquetamiento compacto

materiales con enlaces

secundarios

materiales con enlace

covalente

tomos pequeos
tomos grandes
materiales con baja densidad
materiales con alta densidad

31