Benemrita Universidad Autnoma de Puebla

Facultad Ciencias de la Electrnica

Sistemas electrnicos de potencia.
Otoo 2015.
Equipo N2
PRCTICA N4: Circuito Oscilador de Relajacin UJT
Samynda Soleimy Ortiz Fortis, Miriam Rosas Santos, Jos Roberto Huerta
Snchez, Alex Adn Couto Rodrguez.
soleimy_fortis18@hotmail.com, rosas.201208296@gmail.com,
roberthsimt@hotmail.com, erzielen@yahoo.com.
RESUMEN
UJT:
Uni-Juction
Transistor,
dispositivo
semiconductor que tiene solo una juntura.
Relaxation Oscillator: Oscilador basado en el
comportamiento de retorno de un sistema fsico de
equilibrio despus de ser molestado.

INTRODUCCIN
El UJT tiene tres terminales: B1, B2 y E, donde las
bases B1 y B2 estn compuestos por material NType, mientras que el emisor E esta dopado con
material P-Type. La representacin fsica del UJT
se muestra en la Fig. 1

Fig. 2 Circuito equivalente del UJT

Las resistencias Rb1 y Rb2 constituyen la
resistencia de la barra de silicio, siendo Rbb la
suma de las dos resistencias, es decir, la
resistencia total:

bb
b1
b2
(1)
A Rbb se le conoce como static inter-base
resistance,o resistencia inter-base.
En trminos generales Rbb es variable
normalmente entre 5k-10k.
El diodo D es el equivalente a una unin emisorbase, presenta un voltaje umbral desde 0.4 volts
hasta 0.7 volts. Cuando un voltaje Vbb es aplicado
entre B1 y B2 con el emisor abierto el voltaje en el
nodo A es igual a:
R b1
V a Vbb Rb1 R
b2
(2)

Fig.1 Diagrama Interno a Bloques UJT

El emisor se dopa fuertemente, mientras que en la
regin de las bases se deposita una ligera
contaminacin, bajo estas condiciones, se hace
presente una regin de resistencia negativa, y
aparecen dos estados de funcionamiento bien
definidos, correspondientes al estado de bloqueo y
al estado de conduccin. Para comprender el
funcionamiento del dispositivo UJT, se recurre a
su circuito equivalente, que se muestra en la Fig.2.

R b1
R b1 R b2

(3)
A la ecuacin 3 se le conoce como Intrinsic
standoff ratio h (eta). produce una variacin que
comprende desde 0.5 hasta 0.8, lo cual significa
que Rb1 es igual o hasta cuatro veces el valor de
Rb2. La tensin Va se conoce como voltaje
intrnseco y es la que polariza inversamente al
diodo emisor, al no existir una seal en la entrada.
Al aplicarse la tensin Ve en el emisor, el
transistor permanece bloqueado hasta tanto no se
alcance el voltaje pico Vp, el cual est dado por
la siguiente expresin:

Vp Vd Va

(4)
Donde Vd es el voltaje del diodo emisor de

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acuerdo al circuito equivalente de la imagen Fig. 2.
Cuando el diodo de emisor entra en conduccin,
porque la regin P est fuertemente contaminada
y la regin N no, se inyecta huecos a la parte
inferior del UJT. La ligera contaminacin de esta
regin proporciona un tiempo de vida largo para
los huecos, se produce una trayectoria de
conduccin entre emisor y la base B1. Al fluir
corriente por B1, la resistencia Rb1 disminuye,
efectundose modulacin de conductividad. Al
disminuir esta resistencia, la tensin Va disminuye
y se obtiene una mayor inyeccin de corriente de
emisor. La disminucin de tensin y aumento de
corriente representa una regin de resistencia
bajos niveles de corriente. En la figura 3 se
muestra la curva caracterstica del UJT.

es despreciable, este valor depende de eta y la

variacin de eta es despreciable. Para compensar
variaciones en el diodo, se conecta una
resistencia R2 externa en serie con Rb2, a la
terminal B2. Bajo estas condiciones se tiene:
R
V a Vbb Rb1 Rb1b2 R2
(5)
Dividiendo ecuacin 5 con Rbb se tiene que:

V a V bb

R2
Rbb

(6)
Si la temperatura baja, Rbb baja, el factor R2/Rbb
sube y por consiguiente Va baja. Si la temperatura
sube, Rbb sube, el factor R2/Rbb baja y por
consiguiente Va sube. Se observa que las
variaciones de Vd se compensan con las
variaciones de Va, porque ocurren en sentido
opuesto, de esta forma se mantiene el valor de
Vp. Con un rango de trabajo para la fuente de
polarizacin Vbb comprende entre 10 y 35 volts,
se obtiene que R2 vara entre 50 k y 1 k.

El oscilador de relajacin

Fig.3 Curva Caracterstica del UJT

En aplicaciones que utilizan osciladores y circuitos
temporizadores no es conveniente tener
variaciones en el valor Vp, la exactitud de esos
circuitos depende de la invariabilidad de Vp,
adems, Vd y n son parmetros dependientes de
la temperatura, entonces es necesario estudiar su
incidencia sobre Vp. Vd disminuye al aumentar la
temperatura, esta variacin es del orden de 2mV/C. El valor de h tambin disminuye, en
grado inapreciable con el aumento de
temperatura.
El valor de Rbb es dependiente de la temperatura,
ya que es la resistencia de un material
semiconductor. Su efecto en la tensin Va es
despreciable, este valor depende de h y la
variacin de h es despreciable. Para compensar
variaciones en el diodo, se conecta una
resistencia R2 externa en serie con Rb2, a la
terminal B2.
Se toma el valor tpico del datasheet el cual es de
7 K-ohm. El valor de Rbb es dependiente de la
temperatura, ya que es la resistencia de un
material semiconductor. Su efecto en la tensin Va

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El circuito Fig. 4 trabaja de la siguiente forma: Al

encender la alimentacin, el condensador Ce se
carga a travs de Re hasta alcanzar el nivel Vp.
En este punto, el UJT entra en conduccin la
resistencia Rb1 tiende a disminuir hasta un valor
cercano a cero, se genera un pulso de corriente
que corresponde a la descarga del condensador,
esa corriente fluye por R1 y se desarrolla un pulso
de voltaje en la terminal B1. Simultneamente que
aparece un pico positivo en B1, aparece otro
negativo en B2. Esto sucede porque la cada de
tensin en Rb1 provoca una reduccin en la
resistencia total entre Vbb y tierra, y
consecuentemente un incremento en la corriente
por R2, se provoca una mayor cada a travs de
R2 crendose un pico de voltaje negativo en el
terminal B2.

Fig. 4 Oscilador de Relajacin

En el terminal de emisor, se desarrolla una seal
diente de sierra, la cual no es totalmente lineal
debido a la carga exponencial del condensador

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puesto que este no se carga a una rata constante.
Por otro lado, la parte baja de la seal no es
exactamente cero voltios. Hay dos razones para
que esto ocurra:

El voltaje emisor-base B1 jams alcanza

el valor cero, sino el voltaje de valle Vv.
Hay siempre alguna cada de voltaje a
travs de R1, debido a la corriente que
fluye a travs del UJT

OBJETIVO GENERAL
Disear un circuito oscilador de relajacin con un
UJT,
haciendo
las
debidas
operaciones
matemticas para su diseo

OBJETIVOS ESPECFICOS

Obtener una respuesta de Frecuencia

f=70, 75,77 y 79 Hz, variando la
resistencia R del circuito de la Fig. 2
Obtener las ecuaciones que permitan
saber que valores a usar en resistencias
y capacitor para armar el circuito de la
Fig. 4.
Realizar
las
anotaciones
correspondientes para obtener una
conclusin.

DESARROLLO
Dado el circuito de la Fig.4 se escoge el UJT con
la matrcula 2n2646 ya que dar los parmetros
con los que se debern de trabajar a travs del
diseo:
Resistencia intrnseca
Rbb=7k-ohms
Nota: observar el datasheet para ver la curva que
muestra la variacin de Rbb con respecto a la
temperatura. (Se escoge 7k-ohm ya que es el
valor tpico)
Corriente Pico
Ip=1uA
Corriente valle
Iv=6mA
Nota: Los valores Ip e Iv definen la regin de
resistencia negativa
Intrinsic stand-off
h=.674
Nota: es el valor ms importante del diseo con l
se desarrolla el diseo del oscilador
Power supply
Vbb30V
El circuito de la Fig. 4 nos da el diagrama de

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conexin a hacer donde R2 y R1 son resistencias

limitadoras de corriente, mientras que Re y Ce
determinaran la frecuencia de oscilacin del
circuito, dado por la ecuacin 7

1
R e C e ln

1
1

(7)
Dado que no conocemos los valores de Re y Ce
se elige un capacitor Ce=1e-6 F para tener solo
una variable que nos permita variar la frecuencia
en trminos de la resistencia Re. Ahora bien se
desean ciertas frecuencias por lo que es necesario
calcular la resistencia Re, esto puede ser posible
despejando la ecuacin 7 en trminos de Re,
dando como resultado:

Re

1
1
1

fC e ln

(8)

O en el tiempo

Re

T
C e ln

1
1

(9)
Con las ecuaciones 8 y 9 dada una frecuencia es
posible saber a qu resistencia Re se le debe de
colocar al circuito de la Fig. 4.
El valor de Re no debe de sobrepasar ciertos
valores, es decir, Re tiene lmites, un lmite
mximo (RMax) y un lmite menor (RMin), para
hayarlos se hace uso de las ecuaciones
siguientes:

R Min
R Max

V bb V v
Iv
V bb V p
Ip

(10)

(11)
El voltaje valle Vv es normalmente el 10% del
voltaje de alimentacin Vbb.
Para la realizacin de las operaciones se hace uso
de Matlab 2015 cuyo cdigo es:
%Script UJT
clear all;close all;clc;
vbb=10;%power supply
%////////////From the data sheet the
specifications for the 2N2646 are:
eta=0.674; %intrinsic stand off ratio
Rbb=7e3;%Resistencia interbase
Iv=6e-3;%valley current "Min"
Ip=1e-6;%Peak current
"Max"
%/////////////////////////////////////////
/////////////////////////////////
Vp=vbb*eta+0.7;%volage peak
Vv=vbb*.1;%voltage valley
%The limits values for R is given by:
RMax=(vbb-Vp)/Ip;%Max

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RMin=(vbb-Vv)/Iv;%Min
F=input('Give the Frequency: ');
C=1e-6;
T=1/F;
R=T/(C*log(1/(1-eta)));
if R<RMax && RMin<R
R=R/1000;
fprintf('You need a Resistor with: %.3f
Kohm \n',R)
else
disp('Not possible for the 2n2646')
end

El cual permite al usuario introducir la frecuencia y

el programa otorga el valor de la resistencia Re a
la cual logra su cometido.
As sin ms se procede a ejecutar el programa
para las frecuencias de:
//*****************F=70 Hz
Give the Frequency: 70
You need a Resistor with: 12.745 K-ohm
Power Supply=10.0
Vp=7.440
Vv=1.000
RMax=2560000.000
RMin=1500.000
eta=0.674
//*****************F=75 hz
Give the Frequency: 75
You need a Resistor with: 11.896 K-ohm
Power Supply=10.0
Vp=7.440
Vv=1.000
RMax=2560000.000
RMin=1500.000
eta=0.674
//*****************F=77 hz
Give the Frequency: 77
You need a Resistor with: 11.587 K-ohm
Power Supply=10.0
Vp=7.440
Vv=1.000
RMax=2560000.000
RMin=1500.000
eta=0.674
//*****************F=79 hz
Give the Frequency: 79
You need a Resistor with: 11.293 K-ohm
Power Supply=10.0
Vp=7.440
Vv=1.000
RMax=2560000.000
RMin=1500.000
eta=0.674

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Con 11.293 K-ohm Re12.745 K-ohm se elige

materiales comerciales con ello lleva una
resistencia de 10k que nos permita
mantenernos en cierto nivel y un POT de
rango de 0-5k
Ahora se tiene por completo la lista de
materiales para la realizacin del diseo del
circuito de la Fig. 4. Quedando como:
MATERIALES
Capacitor Ce=1 uF
R1=100 ohm
R2=470 ohm
R3=5 K-ohm
POT=5 k-ohm
UJT 2n4626
Modificando un poco el diseo de la Fig.
4 dando lugar al de la Fig. 5

Fig. 5 Diseo de la Prctica

De acuerdo a la Fig. 5 se realiza en
forma fsica quedando como Fig. 6

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Fig. 6. Armado del Circuito en protoboard

RESULTADOS
Con ayuda de un osciloscopio se
comprueba
el
funcionamiento
del
oscilador en el nodo Ve (entre la
resistencia R3 y el capacitor Ce) de la
Fig.5

Fig. 8 Respuesta Osciloscopio 70 hz

//*****************F=75 hz

//*****************F=70 hz

Fig. 9. Con el POT de 5k al 37.91

Fig. 7. Con el POT de 5k al 54.9%

Fig. 10. Respuesta Osciloscopio 75 Hz

//*****************F=77 hz

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Fig 11. Con el POT de 5k al 31.73%

Fig. 14 Respuesta Osciloscopio 79 Hz

CONCLUSIONES
Las caractersticas que se presentan en
el UJT lo hacen til en circuitos de
aplicacin industrial, como son circuitos
de
tiempo
(timers),
osciladores,
generadores de onda, y circuitos de
disparo para SCRs y TRIACs.

Fig. 12 Respuesta Osciloscopio 77 Hz

//*****************F=79

REFERENCIAS
Recuperado en:
http://www.profesormolina.com.ar/
tutoriales/enica_pot.htm
El 19 / 10 / 2015.
Pareja J., Muoz A., Angulo C.,
Prcticas
de
Electrnica,
McGraw-Hill, Espaa, 1990,
Cap.1
Semiconductores
avanzados, 239 paginas.
Muhammad
H.
Rashid,
Electrnica de potencia circuitos,
dispositivos
y
aplicaciones.
(2004), ed. Pearson Prentice
Hall, 3 edicin, 904 pginas,
Mxico.

Fig. 13. Con el POT de 5k al 25.86%

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