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Dept. de Physique. Univ. A. Mira de B´ejaia. S´erie. I. Propri´et´es Physiques des Solides 21

Dept. de Physique. Univ. A. Mira de B´ejaia.

S´erie. I.

Propri´et´es Physiques des Solides 21 avril 2010

EX01

En consid´erant milieu m´etallique de Potassium K

1/ d´eterminer la densit´e des ´electrons n˜ du milieu. 2/ d´eterminer le vecteur d’onde des ´electrons de conduction k F sur la surface de Fermi. 3/ d´eterminer l’´energie de Fermi E F de ces ´electrons de conduction. 4/ comparer la valeur de cette ´energie avec celles de l’agitation thermique dans le domaine de temp´eratures { 200, 250, 300, 350 400, 450 & 500 K } 1 .

de densit´e de masse 0 .36 × 10 +3 Kg m 3 .

39.

19

09

EX02

Pour le cas d’un milieu m´etallique assimil´e `a un gaz d’´electrons libres, l’expression de son ´energie de Fermi `a une temp´erature T est d´etermin´ee `a partir de l’occupation ´electronique totale 2 :

n˜ = 2

+

0

f (ε ) .g (ε )

1/ d´eterminer l’expression de cette occupation ´electronique `a la temp´erature du z´ero aboslu

(T 0 K ).

2/ d´eterminer la relation entre cette occupation et l’´ene rgie de Fermi du milieu.

EX03

1/ d´eterminer l’´energie cin´etique moyenne (i.e. par ´electron) dans un gaz `a n ´electrons libres `a

la temp´erature du z´ero

aboslu (T 0 K ) :

ε = 2

N

+

0

ε.f (ε ).g ( ε )

2/ d´eduire la relation entre cette ´energie moyenne avec l’´energie de Fermi de l’EXO1 pr´ec´edent.

EX04

1/ d´eterminer l’erreur relative commise `a travers l’application de la formule d’approximation de Stirling dans les calculs, pour une s´erie de valeurs n 1000 :

ℓn (n !) nℓn n

2/ repr´esenter et comparer les profils des deux fonctions 3 .

1 en unit´e de la Temp´erature Thermodynamique : Kelvin 2 la forme des DOS ’s tridimensionnelles ´etant exprim´ee sous la forme :

g (ε ) =

2π 2 2m elec

1

¯h 2

« 3/2 ε 1/2

3 Il est recommend´e d’´ecrire un programme en Fortran (ou en C ) calculant les valeurs des deux fonctions, les affichants en tableaux distincts, d´eterminant les erreurs r elatives et repr´esentant graphiquement leurs profils

1

EX05

En consid´erant un ´echantillon d’un milieu mat´eriel m´etallique de forme parall´elo-pip´edique et de dimensions a × b × c (en unit´e de 10 6 [m ] 3 ). Sur la base des id´ees de Drude, la propri´et´e ´electrique du milieu est enti`erement port´ee par ses ´ele ctrons de conduction, le comportement de ces derniers `a l’int´erieur du milieu est ainsi assimil´e `a celui des ´electrons libres d’un gaz ´electronique.

1/ D´evelopper l’expression de l’hamiltonien g´en´eral du milieu m´etallique.

2/ D´eduire la forme de cet hamiltonien r´esultant d’une application de l’approximation de Born- Oppenheimer (i.e. figeant les noyaux fig´es sur les positions des sites ato miques).

3/ Proposer une solution propre au probl`eme poly´electronique pos´e.

4/ L’assimilation du milieu mat´erial `a un gaz d’´electrons est r´ealis´e `a travers une n´egligeance des interactions ´electrostatiques “Coulombiennes“ (´electron-ion) et (´electron-´electron), discuter la s´eparabilit´e de l’hamiltonien r´esultant.

5/ En adoptant comme solution propre `a l’hamilonien mono´electronique du gaz d’´electrons une fonction en onde plane (PW) 4 suivante :

ϕ k i ( r i ) = C.e j

k i .

r

i

l’indice ´electronique i = { 1 , 2

d´eterminer l’expression de la constante de normalisation C .

n } ´etant utilis´e pour distinguer chancun des n ´electrons du gaz,

6/ D´eterminer la s´erie des vecteurs d’ondes ´electroniques v´erfiants les conditions de Born-von Karman (BVK) et distinguants les ´etats quantiques permis dans l’espace des points- k .

˜

7/ d´eterminer le volume Ω k i occup´e par chaque ´etat quantique k i dans cet espace des points- k .

8/ D´evelopper l’expression de la valeur (´energie) propre mono´electronique ε k i .

9/ Repr´esenter la relation de dispersion (´energie-vecte ur d’onde) : ε k i = ε

i .

k

10/ D´evelopper la forme de la solution propre poly´electro nique pour un gaz ”hypoth´etique“ `a six (06) ´electrons.

11/ D´evelopper l’expression correspondante de l’´energie du gaz E gaz `a l’´etat fondamental.

o

12/ Avec le passage du cas dicrˆet vers le cas continu, d´eter miner l’expression de la densit´e d’´energie du gaz `a la temp´erature du z´ero absolu (T = 0 K ) 5 :

k

i

k

1

˜

d k

3

13/ L’introduction de l’effet de la temparature est r´ealis´e `a travers la distibution Fermi-Dirac d´ecrivant la r´epartition ´electronique sur chaque ´etat quantique d’´energie ε :

f ( ε ) = 1 1 + exp

εE F K B T

d´eterminer l’expression de la densit´e d’´energie du gaz a` une T temp´erature non-nulle.

14/ d´evelopper l’expression de la chaleur sp´ecifique du ga z d’´electrons trait´e.

4 PW : Plane Wave 5 Dans le cas tridimensionel, l’expression de la densit´e des ´etats quantiques est exprim´ee sous la forme radicale suivante (en unit´e de etats/eV.m 3 ) :

g (ε ) =

2π 2 2m elec

1

¯h 2

2

« 3/2 ε 1/2

15/ d´eterminer l’expression du coefficient γ de Summerfeld correspondant, tel que :

C elec = γ.T

EX06

Les ´etudes sur les propri´et´es ´electroniques des solide s cristallins ont montr´e le rˆole jou´e par

la p´eriodicit´e des potentiels cristallins dans l’apparition de gaps d’´energies aux extr´emit´es des

zones de Brillouin (BZ’s). Ce comportement est mis en ´evidence `a travers l’ap plication du mod`ele unidimensionnel de Kronig-Penney bas´e sur l’approximation du potentiel p´eriodique du solide (i.e. le potentiel r´eel avac sa forme exacte) par une s´erie de potentiels constants (plats) de hauteur u o et centr´es sur les sites atomiques, Fig.1.

1/

D´evelopper l’expression de l’hamiltonien mono´electr onique dans chacune des r´egions :

0 x A & A x A + B

2/

D´evelopper les ´equations de Schrˆodinger de ces deux r´egions.

3/

d’un ´electron i ) dans la r´egion int´erieure `a la sph´ere atomique et (kappa carr´e) κ = 2 m elec (ε i u o ) ¯h 2 le vecteur d’onde de cet ´electron i (i.e. son ´energie cin´etique) dans la r´egion interstitelle entre les sph`eres atomiques, les formes g´en´erales des soutions pr opres ϕ i(1) (x i ) & ϕ i(2) (x i ) dans chacune des deux r´egions de calculs sont donn´ees par :

En posant k = 2 m elec ε i ¯h 2 d´ecrivant le vecteur d’onde ´electronique (i.e l’´energie cin´etique

2

i

2

i

ϕ i(1) = C 1 cos (k i x i ) + C 2 sin (k i x i ) ϕ i(2) = D 1 ch (κ i x i ) + D 2 sh (κ i x i )

A partir des conditions de continuit´e des solutions propres et de leurs d´eriv´ees premi`eres,

d´eterminer les relations liants les coefficients { D 1 & D 2 } de la seconde solution propre aux

coefficients { C 1 & C 2 } de la premi`ere.

4/

r´eecrire l’expresion de la solution propre de la seconde r´egion tenant compte des r´esultats

de

/3/.

5/

En appliquant le th´eor`eme de F. Bloch (1929 ) pour les solutions propres et leurs d´eriv´ees

premi`eres, au point x i = B (la p´eriodicit´e de ce r´eseau atomique unidimensionnel ´etant R = A + B ) :

et

en

ϕ i(1) (x i + R)

∂ϕ i(1) ( x i + R)

∂x i

x i = B = e jG.R . ϕ i(1) (x i ) x i = B

=

e jG.R .

∂ϕ i(1) ( x i )

∂x i

x i = B

x i = B

tenant compte de la condition de continuit´e des solutions propres { ϕ i(1) (x i ) & ϕ i(2) (x i ) }

ce point x i = B , montrer que le syst`eme r´esultant est d´evelopp´ee sous l a forme matricielle :

cos (k i A ) e jG ( A + B ) c h (κ i B )

sin (k i A) + e jG ( A + B ) k κi sh (κ i B )

i

k i . sin (k i A) + e jG ( A + B ) κ i .s h (κ i B ) k i . cos (k i A) e jG ( A + B ) k i .ch (κ i B

)

. C C 2 = 0 0

1

G ´etant le vecteur de translation de l’espace r´eciproque unidmensionnel correspondant.

les solutions non-triviales (non nulles ensembles) du d´eterminent s´eculaire 6 r´esultant sont ob- tenues pour le seul cas o`u :

κ

2

i

k

2

i

2

κ i k i

. sin (k i A) sh (κ i B ) + cos (k i A) .ch (κ i B ) = cos (G (A + B ))

6/ Dans le cas d’une assimilation des secondes r´egions du po tentiel pr´ec´edent `a des fonctions

delta de Dirac `a travers une subtitution, Fig.2. :

– de la valeur finie u o des hauteurs des barri`eres par une valeur infinie u o + .

– de la largeur B de ces barri`eres par une valeur nulle B 0, de mani`ere `a consever la valeur finie de l’aire d´efinie par le produit u o × B = C ste .

3

Discuter le sens physique d’une telle situation, `a l’´echelle de l’´electron.

7/ En posant α = m elec u o .B.A ¯h 2 (avec u o .B = C ste ) et β = k i A, d´emontrer que les solutions non-triviales pr´ec´edentes vont ˆetre r´eduites sous la forme :

α. sin (β )

β

+ cos (β ) = cos (GA )

La r´esolution graphique de cette derni`ere ´equation est r´ealis´ee `a travers le trac´e de la fonction f (β ) = α. sin ( β ) + cos ( β ) et la recherche des points k i donnants lieu `a :

1 f (k i ) 1

Note :

Pour le cas des hautes barri`eres (α = 3π ), le profil de la fonction r´esultante est repr´esent´e par Math´ematica sous la forme :

2

In[41]:=

phi1z_ :3 Pi 2 Sinz z Cosz phi2z_ : 1 phi3z_ : 1 Plot phi1z , phi2z , phi3z , z, 20, 20 , PlotRange Automatic

5 4 3 Out[44]= 2 1 �20 �10 10 20 �1 Sat, 25th-04-2009 09 :30
5
4
3
Out[44]=
2
1
�20
�10
10
20
�1
Sat, 25th-04-2009 09 :30 AM

6 Secular Determinant : det=0

4

Fig. 1 – Profils du potentiel de Kronig-Penney et du potentiel complet (R´eel : full

Fig. 1 – Profils du potentiel de Kronig-Penney et du potentiel complet (R´eel : full Potential)

et du potentiel complet (R´eel : full Potential) Fig. 2 – Profil du potentiel de Kronig-Penney

Fig. 2 – Profil du potentiel de Kronig-Penney r´esultant

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