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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOKRATIQUE ET POPULAIRE


MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA
RECHERCHE SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE
BOUMERDES
FACULTE
PHYSIQUE

MHAMED
DES

BOUGARA

SCIENCES

DE

DPARTEMENT

Option : INFOTRONIQUE
V.Tourtchine

COMPOSANTS ELECTRONIQUES
TRAVAUX PRATIQUES
R1

R2

+15 V
R

U1
R'1

1 k
V1

+15 V

100

-15 V

U2

V2

R'2

100
-15 V

Manuscrit labor selon le programme officiellement agre et confirm par le


conseil Scientifique de la Facult des Sciences

BOUMERDES - 2008
-1-

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N01

CARACTERISTIQUE DUNE DIODE A JONCTION


But
Le but du TP est de tracer la caractristique ID = f(UD) dune diode jonction P-N en sens
direct et de valider la loi de variation tension - intensit du courant.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 5% 2W
Rsistance 10 5% 2 W
Diode Si 1N 4007
Diode Ge AA 118
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu
Cavalier

57674
57732
57720
57851
57850
52145
531120

1
1
1
1
1
1
1
1
3
2

50145
50148

Schma
A

R1

100
E

R2
10

mA

+
K

Fig.1

-2-

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Montage

V
-

+
100

10

mA

V
+

Fig.2

I. Taches raliser avant le TP


Exprimentalement, on constate quune jonction P-N se comporte comme une valve qui laisse
passer le courant lectrique quand la tension applique est positive entre P et N, puis qui le
bloque totalement si la tension est inverse. Dans le schma (figure 1), on dsigne par anode
A la borne P et par cathode K la borne N. La diode est reprsente par un triangle orient dans
le sens passant.
On rappelle lquation du courant ID dans une diode jonction
UD

I D I S e UT 1 , o

(1)

UD est la tension aux bornes dune diode.


kT
, avec k : constante de Boltzmann, T :
qe
temprature en Kelvin, qe : charge lectrique dun lectron. Pour la jonction idale la
temprature ordinaire UT = 26 mV.
UT est la tension thermique, donne par U T

est le facteur du semi-conducteur et de lintensit; il dpend de la temprature et il na pas


la mme valeur, pour un semi-conducteur donn, en courants forts et en courants faibles.

-3-

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

IS est le courant inverse de saturation de la diode, il est de lordre du nA (nA = 10-9 A) la


temprature ordinaire et qui ne dpend pas de la tension pour UD 0.
Considrons, avec la relation (1), les deux sens : passant et bloquant.
a) Cas de VAK = UD 0 (sens passant)

Pour UD 0,1 V,

UD
UT

1 et donc
UD

I S e UT

ID

(2)

b) Cas de VAK = UD 0 (sens bloquant)


Si U D 0,1 V,

UD
U T

1 on considre que ID

- IS.

Dans le tableau ci-dessous sont reprsents les rsultats de mesures du courant ID en fonction
de tension UD dans le cas passant dune diode.
UD
(V)

0.6

0.65

0.68

0.7

0.72

0.73

0.75

0.76

0.77

ID
(mA)

1,0

3,5

6.4

10,0

16,0

20,0

31,0

40,0

50,0

T.1. Tracer sur le papier millimtr (annexe 1) la courbe reprsentante la variation ID


en fonction de UD, c'est--dire la caractristique courant - tension de cette diode ID =
f (UD).
T.2. Dterminer, daprs la courbe obtenue, la tension seuil US de la diode pour
laquelle le courant commence passer, de faon non ngligeable.
T.3. Dterminer la tension maximale aux bornes de la diode D (figure 1) dans le cas
o la source de tension E est rgle sur la valeur maximale : E = 15,0 V. Quel est le
rle de rsistances R1 et R2 si on considre lintervalle de rglage de la tension UD
entre 0,1 et 1,0 V ?
T.4. Dterminer le point de fonctionnement de la diode si la tension dalimentation est
rgle sur la valeur E = 7,7 V.
T.5.Calculer la rsistance
dynamique directe RD de la diode au point de
fonctionnement dtermin prcdemment :
RD

U D U D2 U D1

I D
I D I D1
2

T.6. Redessiner sur le papier millimtr (annexe 2) la caractristique da la diode dans


lchelle semi- logarithmique :

-4-

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Ln (ID) = f (UD)

(3)

T.7. Exprimer la relation (2) dans la mme chelle. Quelle est la pente de cette
courbe ?
T.8. Dterminer le courant IS et la valeur du produit UT en dduire le facteur . On
utilisera la transformation (3) pour la caractristique de la diode ID = f (UD) puis on la
traitera par la mthode des moindres carrs (voire annexe 3).

II. Droulement de lexprience


1. ETUDE DUNE DIODE AU SILICIUM
a) Relev de la caractristique dune diode au silicium
1A.1. Raliser le montage du circuit daprs le schma lectrique (figure 1) en utilisant
une plaque perfore. Disposer le matriel, par exemple, comme cest indiqu sur la
figure 2.

1A.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant)..


1A.3. Mettre le circuit sous tension.
1A.4. Faire varier la valeur de la tension dalimentation E partir de 0 V et lire sur le
voltmtre les valeurs correspondantes de la tension UD aux bornes de la diode. Pour
chaque valeur de UD avec la prcision 0,002 V indique dans le tableau 1, lire
lintensit de courant correspondante sur lampremtre. Complter le tableau 1.

Tableau 1
UD
(V)

0.5

0.55

0.60

0.65

0.70

0.71

0.72

0.73

0.74

0.75

0.76 0.77

ID
(mA)

1A.5. Tracer sur le papier millimtr le graphique ID =f (UD) de faon qui permet
dobtenir une courbe bien continue reliant les points exprimentaux.
1A.6. Rgler la source de tension pour obtenir la valeur de E = 7,7 V. Mesurer UD et
ID pour ce point de fonctionnement et lindiquer sur le graphique reprsent dans 1A5.

-5-

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b) Observation qualitative
1B.1. Retirer la diode D et inverser le sens de branchement (sens bloquant). Rinsrer
la diode.
1B.2. Retirer la rsistance R2.
1B.3. Faire varier progressivement la tension dalimentation de 0 15 V. Observer la
variation du courant inverse traversant la diode. Noter le rsultat dobservation.
1B.4. Rinsrer la rsistance R2.
1B.5. Eteindre la source de tension.
c) Exploitation du graphique exprimental
1C.1. Dterminer la tension seuil US de la diode.
1C.2. Dterminer la rsistance dynamique RD au point prcis dans 1A6.
1C.3. En utilisant la mthode des moindres carrs pour le lissage de la caractristique
obtenue exprimentalement ID =f (UD) dterminer :
a) Le courant inverse de saturation IS.
b) Le facteur en prenant la tension thermique UT pour une jonction idale.
UD

1C.4. Tracer sur le papier millimtr (annexe 4) la courbe thorique ItD (U D ) I S e UT .


1C.5. Sur le mme papier millimtr tracer une droite de charge statique pour la
tension dalimentation E = 7,7 V et dterminer le point de fonctionnement sur la
caractristique relle ID(UD) et celle thorique ItD(UD).

2. ETUDE DUNE DIODE AU GERMANIUM


a) Relev de la caractristique dune diode au germanium
2A.1. Remplacer dans le montage prcdent la diode au silicium par la diode au
germanium.
2A.2. Mettre le circuit sous tension.
2A.3. Faire varier la tension UD aux bornes de la diode avec la prcision 0,002 V et
complter le tableau 2.

-6-

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Tableau 2
UD
(V)

0.3

0.35

0.40

0.45

0.50

0.55

0.60

0.65

0.70

0.75

ID
(mA)

2A.4. Tracer sur papier millimtr le graphique ID =f (UD).


Raliser par analogie toutes les tapes dtude, comme dans le cas dune diode au silicium :
b) Observation qualitative (de 2B.1 2B.5).
c) Exploitation du graphique (de 2C.1 2C.5).

III. Exploitation et interprtation des rsultats des


manipulations
(Ltudiant doit rpondre aux questions ci-dessous pour rdiger son compte rendu)

Q.1. Les diodes sont tils des composants passifs linaire ou non linaires ?
Commenter la rponse en sappuyant sur les rsultats trouvs.

Q.2. Une diode idale se comporte comme un interrupteur command. Dduire la


rponse des rsultats obtenus.

Q.3. Quest ce quune diode ? Commenter.

Q.4. Comment circule le courant dans une diode ?


basant sur les rsultats de manipulation.

Expliquer le phnomne en se

Q.5. Quelle est la diffrence entre une diode au silicium et une diode au germanium ?
Dduire la rponse par les donnes de mesure.

Q.6. Pour quel type de diode le courant IS est plus grand ? Dmontrer par les donnes
de mesure.

Q.7. Comment peut-on expliquer la diffrence entre la caractristique obtenue


exprimentalement et celle obtenue par lissage ?

-7-

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Q.8. Comment construire la droite de charge dun circuit et dterminer sure elle le
point de fonctionnement dune diode? Quelle est son utilit ?

Q.9. Est-ce que la rsistance dynamique directe dune diode est constante ou non?
Pourquoi ?
Q.10. Dans le calcul des circuits contenants des diodes faut-il prendre obligatoirement
ou non en considration les valeurs de US et de RD ? Dduire la rponse par les
donnes de mesure.

Q.11. Le courant admissible pour une diode au silicium 1N 4007 est de 100 mA. Peuton brancher cette diode dans le sens passant directement sur une pille de 1,5 V ?
Pourquoi ?
Q.12. Lorsque la temprature slve, est ce que le courant IS augmente ou diminue ?
Est que la tension de claquages dpend de la temprature ? Expliquer.

-8-

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ANNEXE 1

ID (mA)
50

25

0,0
0,5

0.6

0,7

(V)

-9-

0,8

UD

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ANNEXE 2
Ln (ID)

0,5

0,6

- 10 -

0,7
UD (V)

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ANNEXE 3
Lissage de la caractristique ID = f(UD) dune diode
par la mthode des moindres carrs
NP

Daprs cette mthode on cherche y yi min .


i 1

Pour le lissage de la caractristique ID = f (UD) dune diode on utilise la fonctionne de


rgression suivante : y = b + kx, o y = ln (ID) et x = UD.
NP

y y

La fonction

atteint sa valeur minimale si on calcule les coefficients b et k comme

i 1

suit :
NP

NP

NP

NP

NP

yi ( xi )2 - xi yi xi
b

i 1

i 1
NP

i 1
NP

i 1
NP

i 1
NP

et k

NP ( xi )2 xi xi
i 1

i 1

NP

NP

NP xi yi xi yi
i 1
NP

i 1
NP

NP ( xi )2 xi xi

i 1

i 1

i 1

i 1

APPLICATION NUMERIQUE
NP 10

i 1 NP

Ud

Id

0.5
0.55
0.60
0.65
0.70
0.72
0.73
0.74
0.75
0.76

x Ud

0.1 10

y ln Id

0.36 10

NP

1.0 10

3.0 10

s1

NP

s2

i 1

s3

i 1

3
3

18 10

( s2 s4 s3 s1)
NP s4 s1 s1

Is e

Ut

28 10

38 10

i i

2
xi
i1

( NP s3 s1 s2)
NP s4 s1 s1

22 10

s4

x y

i 1

9.4 10
14 10

NP

NP

1
k
Udi

Is 1.511 10

Ut 0.045

Itd Is e

Ut

Caractristique relle Id (Ud)

Idi

Caractristique thorique Itd (Ud)

0.04

0.04

0.02

Itd i 0.02

0.4

0.5

0.6

0.7

0
0.4

0.8

Udi

0.5

0.6
Udi

- 11 -

0.7

0.8

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TP N02

CARACTERISTIQUES DES DIODES


ELECTROLUMINESCENTES
But
Dterminer les caractristiques de diodes lectroluminescentes de diffrentes couleurs et
calculer les longueurs donde dmission correspondantes.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 680 5% 2W
Rsistance 470 5% 1.4W
Diode luminescente verte, LED 1, verticale
Diode luminescente rouge, LED 2, verticale
Diode luminescente jaune, LED 3, verticale
Diode luminescente infrarouge, horizontale
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu
Cavalier

57674
57732
57720
57857
57848
57847
57849
52145
531120

1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3
2

50145
50148

Schma
R1

680
+
E

LED

+
R2

470

mA

+
N

Fig.1

- 12 -

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Montage

V
-

+
100

10

mA

I. Aperu thorique

V
+

Fig.2
(ltudiant doit approfondir ses connaissances sur cette partie

la salle ressources dInfoTronique)


a) Dfinition et symbole dune diode lectroluminscente.
Les diodes lectroluminescentes (DEL ou LED en anglais : Light Emitting Diode) sont des
composants optolectroniques qui mettent sous certaines conditions, une radiation
lectromagntique. Le spectre dmission est trs troit, et la longueur (nm) donde dpend
du matriau (fig.3). Ce nest pas la couleur du botier qui fait que tel composant mettra dans
cette mme couleur mais la nature prcise du matriau semi-conducteur. Les techniques de
fabrication permettent dobtenir des diodes lectroluminescentes mission super rouge,
rouge, orange, jaune, verte et bleue et aussi infrarouge.

400

450

500

550

600

650

700

750
(nm)

Bleue

Verte

Jaune

Rouge

Fig.3
On obtient de la lumire infrarouge pour le silicium et larsniure de gallium (GaAs), de la
lumire visible pour le phosphure de gallium (GaP), larsniophosphure de gallium (GaAsP)

- 13 -

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etc. Les LED mettant dans le visible ont un pic dans le rouge (GaAsP0,4), le vert (GaP), le
jaune (GaAsP0,85).
La longueur donde est relie avec la tension de seuil US dune diode lectroluminescente
par la relation : 1 040 / US.
Le symbole dune LED est reprsent sur la figure 1.

b) Fonctionnement
Lorsquune jonction P-N est parcourue par un courant direct, il se produit des recombinaisons
entre les porteurs de charge, qui saccompagnent dune libration dnergie. Une partie de
lnergie libre est mise sous forme de lumire.
Le fonctionnement est le mme que celui dune diode. Cependant une LED ne supporte pas
de tension inverse leve plus de 5 V, ni une trop grande intensit du courant (10 50 mA).
Les conditions optimales sont fournies par le constructeur (voir le tableau ci-dessous).

Couleur de LED

Rouge
Jaune
Verte
Infrarouge

Tension nominale
directe
Un, V

Tension maximale
directe
Um, V

Courant maximale
direct,
Im , mA

1,7
2,0
2,2
1,1

2,5
2,5
2,8
1,5

20
20
20
10

Une LED doit tre mont en srie avec une rsistance de protection Rp limitant le
courant la valeur prconise.

II. Droulement de lexprience


D.1. Raliser le montage du circuit daprs le schma lectrique (fig.1) en utilisant une
plaque perfore. Disposer le matriel, par exemple, comme cest indiqu sur la figure
2. Effectuer une premire manipulation avec LED 1.

D.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).


D.3. Mettre le circuit sous tension.
D.4. Augmenter trs progressivement, partir de 0,00 V, la tension dlivre par la
source E jusqu ce que la LED sallume : la tension aux bornes de la LED est appele
tension de seuil US. Noter la valeur de cette tension.

D.5. Continuer daugmenter trs progressivement la tension dlivre par la source E


jusqu obtenir aux bornes de la LED sa tension nominale Un. Enregistrer alors
lintensit du courant traversant la LED : cest lintensit nominale note In.

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

D.6. Continuer daugmenter trs progressivement la tension dlivre par la source E


sans dpasser la tension maximale de diode. Noter la valeur du courant ID.
D.7. Calculer la valeur de la longueur donde .
D.8. Vrifier sur le spectre (fig.3) la couleur correspondante la longueur donde
dtermine par calcul.
D.9. Relever la caractristique ID = f(UD) sous la forme dun tableau (voir TP N 01).
D.10. Ne dmonter pas votre montage pour continuer les manipulations avec dautres
LED.
D.11. Effectuer les mmes manipulations avec LED 2 puis avec LED 3 et enfin avec
une diode infrarouge.
D.12. Reprsenter toutes les caractristiques obtenues sur le mme papier millimtr.

III. Exploitation et interprtation des rsultats de


manipulations
(Ltudiant doit rpondre aux questions ci-dessous pour rdiger son compte rendu)

Q.1. La LED est passante si :


a) la tension ses bornes est positive
b) la tension ses bornes est suprieure sa tension seuil
c) quelque soit la tension ses bornes
Q.2. Lorsque la LED est allume :
a) lintensit du courant dans le circuit varie progressivement
b) lintensit du courant dans le circuit est toujours proche de In de la LED
c) lintensit du courant dans le circuit dpend peu de la tension aux bornes de
la LED
Q.3. Pourquoi une diode est-elle toujours associe une rsistance de protection Rp ?

Q.4. La LED utilise est caractrise par Un = 1,2 V et In = 15 mA. La source de


tension dlivre une tension de 6 V. La rsistance de protection Rp = 320 permet-elle
LED de fonctionner dans les conditions nominales ?
Q.5. La LED utilise a la tension de seuil US = 2,3 V. Quelle couleur met-elle ?

- 15 -

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TP N03

LA DIODE ZENER : TRAC DE CARACTERISTIQUE


ET STABILISATION DE TENSION
Buts
On cherche dans ce TP mettre en vidence les proprits de la diode Zener. Pour cela, on
trace sa caractristique, cest--dire la courbe UZ = f (IZ) reprsentant la tension ses bornes
en fonction du courant qui la traverse. On tudie ensuite la stabilisation de tension en amont et
en aval de la diode Zener.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 5% 2W
Rsistance 10 5% 2W
Potentiomtre 220 3 W
Diode Zener
Cavalier
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu

57674
57732
57720
57790
57855/54
50148
52145
531120
50145

1
1
1
1
1
3
1
2
1
4

I. Rappel thorique ( prparer avant le TP)


Caractristiques
Si lpaisseur de la jonction P-N est faible et si le taux de dopage est important, on obtient des
diodes qui prsentent un courant inverse intense au-del dune valeur UZ de la tension inverse
qui est la tension de coude ou de Zener.
Le claquage inverse de la jonction rsulte soit dun claquage par avalanche par ionisations
dans la zone de dpltion par les porteurs, soit dun claquage par effet Zener qui correspond
au passage des lectrons de la bande de valence la bande de conduction sous leffet du
champ lectrique.
Si la construction de la diode permet la dissipation de la puissance dgage, le claquage est
rversible. On obtient alors une diode Zener. Sa caractristique directe est identique celle
dune diode classique.
Pour les diodes Zener avec UZ 6 V la rsistance dynamique est voisine de quelques ohms et
le coude trs brutal (claquage par avalanche). Selon le courant dbit, la tension aux bornes
de la diode sera dautant plus stable que la rsistance dynamique de celle-ci sera faible.
Stabilisation de tension
Il est possible de raliser un stabilisateur de tension en utilisant une diode Zener (fig.1). On
suppose que le courant inverse IZ dans la diode est tel que le point de fonctionnement est situ
dans la partie linaire de la caractristique. Il est alors possible de modliser la diode par
lassociation dune source de tension VZ en srie avec une rsistance dynamique inverse RZ de
la diode (fig.2).
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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

RS

RS

I
IR

IZ

I
Ch

U0 RCh

DZ

IR

IZ

Ch

U0 RCh
VZ

Fig.1

Fig.2

Remplaons le gnrateur E, la rsistance srie RS et la rsistance de charge RCh par leur


quivalent Thvenin (fig.3) :
ETh

E
RCh ;
RS RCh

RTh

RS RCh
RS RCh

Le point de fonctionnement PF de la diode est obtenu en cherchant lintersection de sa


caractristique U = VZ + RZIZ avec la droite de charge dquation U = ETh RThIZ (fig.4).
RTh

I
R Z= 0

IZ
ETh

RZ

RZ > 0
U0
PF

VZ

U
VZ
Fig.3

ETh

Fig.4

On retrouve graphiquement le fait que le systme ne fonction que si ETh > VZ.
Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge et dans la diode varient
mais U0 VZ reste constant car la pente de la droite de charge varie. De mme si la tension de
la source E varie (stabilisation aval) U0 VZ reste galement constant car la droite de charge
se dplace paralllement elle-mme.

II. Etude exprimentale


E.1 Relev de la caractristique

- 17 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Montage
E1.1. Raliser le montage daprs la figure 5. Ici la rsistance R = 100 .
Question : Quelle manipulation sur le circuit doit-on oprer pour soumettre cette diode une
tension ngative, ceci sans inverser la position de la diode sur la plaque perfore?
vers la source
de tension CC
R

V
DZ
mA

Fig.5
E1.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).

Mesures
M1.1. Mettre le montage sous tension.
M1.2. Rgler la source de tension de faon imposer les diffrentes valeurs du tableau
1. Relever alors pour chacune de ces valeurs de IZ ou de UZ selon ce qui est demand
(on noubliera pas la manipulation effectuer concernant les valeurs ngatives du
tableau 1).
M1.3. Tracer la caractristique de la diode tudie sur une feuille de papier
millimtre.
M1.4. En dduire la tension de Zener UZ et la rsistance dynamique RZ dans la partie
et puis la tension de seuil UD et la rsistance dynamique RD dans la partie positive.

Tableau 1
UZ
(V)
IZ
(mA)
UZ

-45

-40

-35

-30

-25

-20

-15

-10

-5

-1

-5,00

-1,00

0,00

0,20

0,30

0,35

0,40

0,45

0,50

0,60

- 18 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

(V)
IZ
(mA)
UZ
(V)
IZ
(mA)

10

15

20

25

30

35

40

45

E.2 Stabilisation de tension


Schma dexprience
Le schma est reprsent sur la figure 6. Ici le potentiomtre P est destin pour varier la
charge.

RS

E +

RCh

DZ
0...15 V

+
M1 mA

10

+
V
U0

M2
mA +

Fig. 6

Montage
E2.1 Raliser le montage daprs la figure 7. Les appareils de mesure sont
correctement branchs en respectant les polarits indiques. Les choix des calibres
sont adapts.
E2.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).

- 19 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

vers la source de tension CC


+
V

RS

+
M1
DZ

mA

RCh

d
a
b

+
mA
M2

Fig. 7

Mesures
M2.1. Positionner le curseur du potentiomtre P sur g (charge minimale).
M2.2. Mettre le montage sous tension. Faire varier la tension dentre E. Complter le
tableau 2.
Tableau 2
E (V)
2
4
6
8
10
12
14
M1 (mA)
M2 (mA)
U0 (V)

M2.3. Rgler la source de tension E sur 0 V. Retirer la diode Zener.


M2.4. Faire varier la tension dentre E. Complter le tableau 3.
M2.5. Rgler la source de tension E sur 0 V. Rinsre la diode Zener.
M2.6. Ajuster la source de tension E sur 14 V. Faire varier le potentiomtre P de la
valeur minimale la valeur maximale. Rsultats dobservations reprsenter dans le
tableau 4.
M2.7. Retirer la diode Zener. Faire varier nouveau le potentiomtre P. Noter la
variation de la tension U0.
- 20 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

E
M1
M2
U0

(V)
(mA)
(mA)
(V)

Position du
curseur de
potentiomtre
P
M1 (mA)
M2 (mA)
U0 (V)

10

12

Tableau 3
14

Tableau 4
g

III. Analyse et interprtation des rsultats


Q.1. Lexistence dune tension aux bornes de la diode Zener implique t-elle toujours
lexistence dun courant ? Donner alors les valeurs approximatives des deux tensions
pour lesquelles le courant commence circuler.
Q.2. Lorsque la diode est parcourue par un courant, que peut-on dire de lvolution de
la tension ?
Q.3. Que peut-on dire de la tension aux bornes de la diode en fonction de la tension
aux bornes de la source de tension ?
Q.4. En utilisant la caractristique obtenue reprsente sur le papier millimtr et les
rsultats de mesures (tableau 2) montrer graphiquement leffet de stabilisation de
tension en aval.
Q.5. En utilisant la mme caractristique de la diode et les rsultats dobservations
reprsents dans le tableau 4 donner linterprtation graphique de la stabilisation en
amont.
Q.6. Donner lexplication thorique des rsultats reprsents dans les tableaux 3 et 4.

Conseil : Exprimer la tension de sortie U0 sous la forme :

UZ0

U 0 U Z 0 kE R0 I Ch , avec :
RS
RZ
R R

UZ , k
et R0 S Z
RS RZ
RS RZ
RS RZ

- 21 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N04

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE : COURBES


CARACTERISTIQUES
Buts
Ltude du composant transistor bipolaire par:
une prsentation rapide.
lobtention des courbes caractristiques de ce composant.
lexploitation de ces caractristiques permettant la mise en lumire de plusieurs tats
de fonctionnement.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 5% 2W
Rsistance 10 k 1% 0.5W
Potentiomtre 220 3 W
Transistor BC 140
Cavalier
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Multimtre numrique GDM 356
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu
Cble dexprience, 50 cm, noir

57674
57732
57756
57790
57876
50148
52145
531120

50145
500424

1
1
1
1
1
6
1
2
1
1
5
1

I. Prsentation du transistor bipolaire.


Le transistor (mot anglais, de transfer resistor, rsistance de transfert) cest un dispositif
semi-conducteur, qui peut amplifier des courants lectriques. Il est obtenu en insrant un
barreau semi-conducteur de type oppos aux deux cristaux de mme type. On obtient ainsi 2
possibilits : transistor NPN (fig.1) et transistor PNP (fig.2). Les noms des 3 bornes ainsi
constitues sont : la base (B), lmetteur (E) et le collecteur (C). Les reprsentations
symboliques des transistors informent sur leur type (NPN ou PNP) ainsi que sur le sens des
courants (fig.1 et fig.2).

- 22 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Collecteur (C)
IC

N
Base (B)

IB

VCE

VBE

IE
Emetteur (E)

Fig.1

Emetteur (E)

VEB

IE

P
Base (B)

IB

VEC

P
IC
Collecteur (C)

Fig.2
Deux jonctions constituent le transistor, jonction que lon peut assimiler 2 diodes (entre BC et B-E) dont le sens dpend du type de transistor. Ainsi, pour permettre le passage dun
courant travers le transistor, il faut dabord sassurer de la conduction ou du blocage de ces
jonctions.
On distingue 3 modes de fonctionnement du transistor : le mode linaire et non linaire (ou
satur).
La courbe ci-contre reprsentant le courant de
collecteur (IC) en fonction du courant de base (IB)
permet didentifier ces 3 cas de fonctionnement :
bloqu : il ny a pas de courant dans le
transistor.
linaire : le courant IC est directement
proportionnel au courant IB.
satur : partir dun certain courant IB, appel
courant de saturation IBsat, le courant IC atteint
une valeur maximale, le transistor est dit
satur .
- 23 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.


IC
Fonctionnement
non linaire

Fonctionnement
linaire
IB
Bloqu

IBsat

Le transistor peut tre utilis dans les trois montages fondamentaux (metteur commun,
collecteur commun, base commune) et par consquent, les courbes caractristiques seront
fonction du montage particulier examin.
Le transistor possde quatre grandeurs lectriques. Cela apparat la figure 3.
Ie

Is
Transistor
Circuit
de sortie Vs

Circuit
Ve d'entre

Fig.3

Ces quatre grandeurs lectriques sont les deux tensions


Ve et Vs, et les deux courants Ie et Is.
La tension Ve, applique entre llectrode de commande
et llectrode commune et le courant Ie parcourant
llectrode de commande dfinissent le circuit dentre
du transistor.

De la mme faon, la tension Vs, applique entre llectrode de sortie et llectrode


commune, et le courant Is circulant dans llectrode de sortie dfinissent le circuit de sortie
du transistor.
Une courbe caractristique reprsente la relation entre deux grandeurs lectriques. Dans le
cas prsent, il y a quatre grandeurs lectriques. Il est donc possible de tracer six courbes
caractristiques (Ve-Ie, Vs-Is, Ve- Is, Vs-Ie, Ve-Vs, Ie-Is).
Les quatre grandeurs lectriques sont toutes dpendantes lune de lautre. Par consquent,
pour un couple de grandeurs donn, il existe plusieurs caractristiques que lon appelle un
rseau de caractristiques.
A titre dexemple soit le couple Vs-Is. Dans un transistor le courant Is est fonction du courant
Ie (Is est galement fonction de la tension Ve puisque celle-ci dtermine Ie). Par consquent,
il est possible de tracer une courbe caractristique pour chaque valeur du courant Ie. Ie est le
paramtre relatif au rseau de caractristiques Vs-Is.

II. Relev des courbes caractristiques relatives au montage


metteur commun dun transistor NPN au silicium
Raliser le montage dinstallation exprimental daprs le schma lectrique,
reprsent sur la figure 4, en tenant compte des explications donnes ci dessous.

Schma
La source de tension E1 polarise en directe la jonction base-metteur.
Le potentiomtre P permet de faire varier la tension VBE entre la base et lmetteur.
Cette tension VBE est mesure avec le multimtre M2, tandis que le courant de base IB est
mesur avec le multimtre M1.
- 24 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

La rsistance RB est destine pour limiter le courant base.


La source de tension E2 rglable de 0 15 V polarise en inverse la jonction collecteur- base.
La tension entre le collecteur et lmetteur VCE est mesure avec le multimtre M4 et le
courant du collecteur avec le multimtre M3.
La rsistance RC est destine pour limiter le courant collecteur.

Montage
La figure 5 montre un exemple de la disposition des composants sur la plaque perfore. Ici :
M1 et M3 multimtres analogiques ; M2 - multimtre numrique GDM 352A et M4multimtre numrique GDM 356.
M3
+
RC
M1
P

+
E1

5V

220

100
+

C
RB

A
10 k
M2

B
+
V

M4

E2

0...15 V

Fig.4

Caractristique dentre : IB = f(VBE) (couple Ve-Ie, o Ie = IB et Ve = VBE,


paramtre Vs = VCE )
CE.1. Rgler la source de tension E2 pour obtenir la tension VCE = 1 V.
CE.2. En dplaant le potentiomtre P (pour obtenir les diffrentes valeurs de IB)
mesurer la tension VBE pour chaque valeur du courant IB en jouant trs
progressivement sur lalimentation E2 pour maintenir la tension VCE = 1 V. Les
rsultats de mesures doivent tre reports dans le tableau 1.
CE.3. Changer la valeur du paramtre VCE = 5 V et recommencer la mme srie de
mesures pour une seconde caractristique et ainsi de suite pour remplir le tableau 1.
CE.4. Tracer le rseau des caractristiques dentre : VBE = f(IB). Porter la tension VBE
sur laxe horizontal du repre cartsien, tandis que le courant IB sur laxe vertical.
CE.5. Constater linfluence de la tension VCE sur la tension VBE ainsi que sur le
courant IB.

- 25 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

0...15 V

5V
+

M3
M1

RB

RC

BC 140
+

M4
+
M2

Fig.5

IB (A)

10

20

40
VCE = 1 V

60

80

Tableau 1
100

VBE (V)
VCE = 5 V
VBE (V)
VCE = 10 V
VBE (V)

Caractristique de sortie : IC = f(VCE) (couple Vs-Is, o Is = IC et VS = VCE,


paramtre Ie= IB )
CS.1. Positionner le potentiomtre P pour obtenir le courant de base IB = 10 A.
CS.2. Faire varier VCE en mettant des valeurs de la source de tension E2 comprises
entre 15 V et 0 V.
Remarque : entre 1 et 0 volts jouer trs progressivement sur lalimentation E2 en ajustant le
potentiomtre P pour maintenir le courant de base IB = 10 A.
CS.3. Pour chaque valeur de VCE mesurer la valeur du courant IC correspondant.
reporter les rsultats de mesures sur le tableau 2.
- 26 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

CS.4. Changer la valeur du paramtre IB = 20 A et recommencer la mme srie de


mesures pour une seconde caractristique et ainsi de suite pour remplir le tableau 2.
CS.5. Tracer le rseau des caractristiques de sortie : IC = f(VCE). Porter la tension
VCE sur laxe horizontal du repre cartsien, tandis que le courant IC sur laxe vertical.
CS.6. Faire lanalyse du rseau des caractristiques obtenu lorsque VCE est nulle, puis
lorsque la tension VCE varie lgrement et quand la tension VCE atteint un certain
seuil.
Tableau 2
E2
15
12
10
8
6
4
2
1 .0
(V)
IB = 10 A
VCE
(V)
IC
(mA)
IB = 20 A
VCE
(V)
IC
(mA)
IB = .A
VCE
(V)
IC
(mA)
IB = 100 A
VCE
(V)
IC
(mA)

Caractristiques de transfert en courant : IC = f(IB) (couple Is-Ie, o Is = IC et Ie


=IB, paramtre Vs = VCE)
CTC.1. Rgler la source de tension E2 pour obtenir la tension VCE = 1 V.
CTC.2. En dplaant le potentiomtre P (pour obtenir diffrentes valeurs de IB)
mesurer le courant IC pour chaque valeur du courant IB en jouant trs progressivement
sur lalimentation E2 pour maintenir la tension VCE = 1 V. Reporter les rsultats de
mesures sur le tableau 3.
CTC.3. Changer la valeur du paramtre VCE = 5 V et recommencer la mme srie de
mesures pour une seconde caractristique et ainsi de suite pour remplir le tableau 3.

- 27 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

CTC.4. Tracer le rseau des caractristiques de transfert en courant : IC = f(IB). Porter


le courant IB sur laxe horizontal du repre cartsien et le courant IC sur laxe vertical.
CTC.5. Faire lanalyse du rseau des caractristiques IC = f(IB).

CTC.6. Calculer la valeur de et la comparer lindication donne par le


constructeur : 50 < < 200.
Tableau 3
10
20
40
60
80
100
IB (A)
VCE = 1 V
IC (mA)
VCE = 5 V
IC (mA)
VCE = 10 V
IC (mA)

Caractristiques de transfert en tension : VBE = f(VCE) (couple Vs-Ve, o Vs = VCE


et Ve =VBE, paramtre Ie = IB)
CTT.1. Positionner le potentiomtre P pour obtenir le courant de base IB = 10 A.
CTT.2. Faire varier VCE en mettant des valeurs de la source de tension E2 comprises
entre 15 V et 1 V.
CTT.3. Pour chaque valeur de VCE mesurer la valeur de tension VBE correspondante.
Reporter les rsultats de mesures sur le tableau 4.
CTT.4. Changer la valeur du paramtre IB = 20 A et recommencer la mme srie de
mesures pour une seconde caractristique et ainsi de suite pour remplir le tableau 4.

E2 (V)

15

12

10

8
IB = 10 A

VCE
(V)
VBE
(V)
IB = 20 A
VCE
(V)
VBE
(V)
IB = A
VCE
(V)
VBE

- 28 -

Tableau 4
1

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

(V)
IB = 100 A
VCE
(V)
VBE
(V)
CTT.5. Tracer le rseau des caractristiques de transfert en tension : VBE = f(VCE).
Porter la tension VCE sur laxe horizontal du repre cartsien et la tension VBE sur
laxe vertical.
CTT.6. Faire lanalyse du rseau des caractristiques VBE = f(VCE).
Diagramme des caractristiques du transistor NPN mont en metteur commun.
Tracer les rseaux caractristiques obtenus en CE, CS, CTC et CTT dans les coordonnes
reprsentes sur la figure 6.
IC (mA)
10
TRANSFERT
EN COURANT
IC = f(IB) VCE constante

SORTIE
IC = f(VCE) IB constante

IB (A)
100

VCE (V)

50

ENTREE

7,5
0,5

15

TRANSFERT
EN TENSION
VBE = f(VCE) IB constante

IB = f(VBE) VCE constante


1
VBE (V)

Fig.6

III. Exploitation des caractristiques du transistor bipolaire.


Q.1. Pour E2 = 10 V, trouver la relation liant VCE, RC, IC et E2 (loi des mailles).
Montrer que cette quation scrit : IC = kVCE + b et donner les valeurs numriques de
k et b.
Q.2. Lquation IC = kVCE + b reprsente une droite qui sappelle la droite de charge
statique du transistor. Tracer cette droite sur le rseau obtenu en 2.3e.
Q.3. Dterminer alors le point de fonctionnement (IC ; VCE) du transistor pour IB = 100
A.

- 29 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Q.4. Pour VBE = 0 V, le transistor est dit bloqu . Pourquoi ?


Q.5. Pour 0 < IB < IBsat, le transistor fonctionne en rgime linaire. Par quoi cela se
traduit-il ?
Q.6. Pour IB > IBsat, le transistor est dit satur , donner une explication et donner la
valeur obtenue par VCE au maximum dans cet tat de fonctionnement.

- 30 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N05

POLARISATION DUN TRANSISTOR BIPOLAIRE


But
Le but de ce TP est ltude des montages de polarisation pour le transistor bipolaire :
On commence par mesurer le du transistor utilis, ainsi que la valeur minimale de
saturation du courant de base IBsat.
On poursuit avec ltude des montages de polarisation du transistor BC 140 (NPN).
On fini avec des calculs de puissances lentre et la sortie du transistor.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 2W
Rsistance 1 k 5% 1.4W
Rsistance 10 k 1% 0.5W
Potentiomtre 220 3 W
Potentiomtre 47 k 1,5 W
Transistor BC 140
Cavalier
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu
Cble dexprience court 20 cm, noir

57674
57732
57744
57756
57790
57782
57876
50148
52145
531120
50145

1
2
1
2
1
1
1
3
1
2
1
4
1

I. Polarisation du transistor ( prparer avant TP)


1.1 Point de repos
Polariser le transistor, cest lamener grce aux alimentations et rsistances extrieures dans
un tat lectrique donn. Cest tat se traduit graphiquement par un point appel point de
repos (en ralit quatre points correspondant aux quatre types de caractristiques).
Le point de repos QO se situe obligatoirement sur une caractristique du transistor car
celles-ci reprsentent lensemble des tats possibles du transistor.
Ses coordonnes sont affectes de lindice zro : IBO, ICO , UBEO et UCEO.

- 31 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

1.2 Droite de commande


On appelle ainsi la droite de charge de lentre du transistor, elle est trace dans le repre (IB,
UBE).
RB

IB

IBO

EB / RB

IB
B

EB

UBEO

E
UBE

Fig.1

Son quation est


EB RB I B U BE (fig.1)
Soit

IB

1
E
U BE B
RB
RB

Elle coupe les axes aux points de coordonnes :


(IB = 0, UBE = EB) et en (UBE = 0, IB = EB / RB).
Son intersection avec la caractristique dentre fournit le point de repos de lentre de
coordonnes IBO et UBEO (fig.1) (on suppose que toutes les caractristiques dentre sont
confondues).
1.3 Droite de charge
Elle concerne la sortie du transistor, elle est donc trace dans le repre (IC, UCE).

IC
E / RC
Q0
ICO

IC
C

IB = IBO

E
UCE
UCEO

Fig.2
Elle a pour quation
E = ICRC + UCE

- 32 -

(fig.2)

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Soit

IC

1
E
U CE
RC
RC

(1)

Elle coupe les axes en (IC = 0, UCE = E) et en (UCE = 0, IC = E / RC).


Le point de repos Q0 du transistor se situe lintersection de la caractristique trace pour la
valeur particulire IBO de IB et de la droite de charge statique (1).
On en dduit ses coordonnes (UCEO, ICO) (fig.2).
On trouve galement ICO en utilisant la caractristique de transfert en courant.
Pour rester le plus possible dans le domaine linaire, on cherchera parfois placer le point
de repos au milieu de la droite de charge statique.
1.4 Puissance consomme
Le transistor consomme une puissance gale UCB IC, entre bornes B et C, et une puissance
gale UBE IE entre bornes B et E (fig.3). Toute cette puissance lectrique est transforme
en chaleur par effet Joule.

IC
IC

B
E
IE

P = PMAX
UCE

Fig.3 Puissance consomme par le transistor


(En hachur : la zone interdite au point de repos).

La puissance totale consomme est :


P = UCB IC + UBE IE
Souvent IE est voisinage de IC, donc P (UCB + UBE)IC = UCEIC
Si lon note PMAX la valeur maximale de la puissance admissible par le transistor, la relation
IC = PMAX / UCE se reprsente par une hyperbole dans le rseau de sortie (fig.3). Le point de
repos du transistor doit obligatoirement se situer en de de cette hyperbole.
1.5 Polarisation du transistor pour lamplificateur classe A.
La classe A : le transistor fonction toujours dans le domaine linaire ; au repos le point de
polarisation a comme coordonnes (ICO, UCEO, IBO, UBEO).

- 33 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

a) Polarisation par rsistance de base


La rsistance de base RB place entre VCC et la base fixe
le courant :
I BO

VCC U BEO
RB

+VCC
RC

RB

(2)

ICO

IBO

UCEO

RC permet de limiter le lieu des points (IC, UCE) une


droite de charge.

UBEO

Linconvnient de cette mthode de polarisation est


quelle nempche pas lemballement thermique du
transistor : si la temprature augmente, le coefficient
damplification de courant (gain ) augmente qui son
tour produit une augmentation de ICO = IBO,, et cela
jusqu la destruction du transistor.

IEO

Fig.4

b) Polarisation par raction de collecteur


Le mot raction signifie quune grandeur de sortie (IC)
fait varier une grandeur dentre (IB). Llment de raction
(commun lentre et la sortie) est ici la rsistance de
collecteur RC.
Dans le montage de la figure 5 :
VCC = RC (ICO + IBO) + RBIBO + UBEO.
Mais IB est ngligeable devant IC
en fonctionnement
normal et ICO = IBO alors
VCC = RC IBO + RBIBO + UBEO, do on a:
I BO

VCC U BEO
RC RB

, ICO I BO

(VCC U BEO )
RC RB

(3)

+VCC
RC
RB

IBO

ICO
UCEO
IEO

UBEO

Fig.5

On montre que ICO dpend beaucoup moins de que dans le cas prcdent. En particulier si
RB est ngligeable devant RC , le courant ICO est indpendante de et vaut :
VCC U BEO
(4)
ICO
RC
c) Polarisation par pont de base et rsistance dmetteur
Cest le montage le plus frquent. Pour rendre indpendant le courant collecteur IC des
variations du gain, on utilise un diviseur de tension nomm pont de base .
Le pont diviseur maintient constant UBM (fig.6a) condition que les variations du courant
base IB puissent tre ngligeable devant le courant I1 qui circule dans les rsistances du pont
de base (I1 = entre 5 et 10 fois IBO).
En remplaant R1 et R2 par le gnrateur de Thvenin quivalent (fig.6b), on tire :
R2
RR
ETh VCC
; RTh 1 2
R1 R2
R1 R2
Soit : UBM = ETh - RThIBO et si IBO << I1 alors UBM = ETh.

- 34 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

La stabilisation en temprature est assure par une rsistance RE place en srie avec
lmetteur : si la temprature augmente, ICO augmente, IEO augmente, la tension sur lmetteur
REIEO augmente, la tension UBEO diminue en entranant une diminution de IBO qui rtablit la
valeur initiale de ICO.

+VCC

+VCC

RC

R1

ICO

IBO
I1

RC
ICO
RTh

IBO

UCEO

B
IEO

IEO

ETh
R2

RE

RE
M

a)

b)
Fig.6

II. Etude exprimentale


2.1 Dtermination de et IBsat du transistor
Le transistor utilis BS 140 est un NPN dont le constructeur indique : 100 < < 200. On
aimerait avoir une meilleure prcision sur ce chiffre, ainsi que la valeur du courant de base IB
qui dfinit la limite entre la zone linaire et la zone de saturation.
DB.1. Raliser le montage daprs le schma lectrique reprsent sur la figure 7.

RC

100
+

M2

+
E1

5V

B
M3

1k
220

Fig.7

- 35 -

M1

RB

E2

0...15 V

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

La figure 8 montre un exemple de disposition des composants sur la plaque perfore.

E1

E2
0...15 V

5V
+

RC

M2
M1

RB

BC 140
+
M3 V

+
A

Fig.8
DB.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).
DB.3. Rgler la source de tension E2 pour obtenir la sortie une tension de 10 V.
DB.4. En dplaant le potentiomtre P (pour obtenir diffrentes valeurs de IB) mesurer
le courant IC correspondant pour chaque valeur de IB ainsi que UCE. Reporter les
rsultats de mesures sur le tableau 1.
Tableau 1
IB
(mA)
M1
IC
(mA)
M2
UCE
(V)
M3

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

- 36 -

0,7

0,8

0,9

1,0

1,5

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

DB.5. Tracer le graphe IC = f(IB) et en dduire la valeur de . En dduire galement la


valeur de IBsat , valeur limite de IB pour entrer dans le domaine de saturation.
DB.6. Pour IB > IBsat , mesurer la valeur de VCE.
2.2 Etude de la polarisation par rsistance de base
PRB.1. Raliser le montage (fig.9) en modifiant le montage prcdent daprs le
schma lectrique reprsent sur la figure 4. Ici la rsistance de base RB est compose
par une rsistance de 10 k branche en srie avec une rsistance rglable P1de 47
k. Faire vrifier le montage (par lenseignant).
PRB.2. Tracer lallure de la droite de charge en utilisant lquation (1).
PRB.3. Calculer la valeur de la rsistance de base RB pour obtenir IBO = 0,4 mA.
Utiliser lquation (2) en supposant que UBEO = 0,7 V. Vrifier que IBO < IBsat.
PRB.4. Calculer alors la valeur de ICO et celle de VCEO, cest--dire dterminer le point
Q0.
PRB.5. Placer ce point sur la droite de charge prcdemment trace. Le point de repos
Q0 est-il au milieu de la droite de charge ?

E1

E2
0...15 V

5V
+

P1
RC
47 k

RB

M2

+
A

M1
+

BC 140
+
M3 V

Fig.9

- 37 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

PRB.6. Ajuster la source de tension E2 pour obtenir la sortie VCC = 10 V.


PRB.7. A laide du potentiomtre P1 rgler le courant de base IBO = 0,4 mA.
PRB.8. Mesurer ensuit les valeurs de ICO et UCEO. Placer ce point de repos
exprimental Q'0 sur la droite de charge prcdemment trace en 2.2e.
PRB.9. Laisser le montage fonctionner un moment 10 minutes et reprendre les
mesures de IBO, ICO, et UCEO. Que peut-on constater ?
PRB.10. Explique ce phnomne en considrant que augmente avec la temprature.
PRB.11. Eteindre la source de tension et mesurer la rsistance de base RB. Que peuton constater ?

2.3 Etude de la polarisation par raction de collecteur


PRC.1. Faire petite modification du montage prcdent (fig.9) daprs le schma de la
figure 5 (dplacer en bas sur une case la rsistance de 47 k et un cavalier). Faire
vrifier le montage (par lenseignant).
PRC.2. Brancher la source de tension et lajuster pour obtenir la tension VCC = 10 V.
PRC.3. A laide du potentiomtre P1 rgler le courant de base IBO = 0,4 mA.
PRC.4. Mesurer ensuit les valeurs de ICO et UCEO. Placer

ce point de repos

exprimental Q''0 sur la droite de charge prcdemment trace en 2.2e.


PRC.5. Laisser le montage fonctionner un moment 10 minutes et reprendre les
mesures de IBO, ICO, et UCEO. Que peut-on constater ?
PRC.6. Eteindre la source de tension et calculer le courant ICO daprs la formule (3)
puis daprs (4). Que peut-on constater ?

2.4 Etude de la polarisation par rsistance de base et dmetteur


PBE.1. Suivant le schma lectrique reprsent sur la figure 6a modifier le montage
prcdent comme cest indiqu sur la figure 10. Ici : R1 = R2 = 10 k et RC = RE =
100 . Faire vrifier le montage (par lenseignant).
PBE.2. Pour le schma de la figure 6b calculer les valeurs de ETh et RTh en prenant VCC
= 10 V.
PBE.3. Donner lquation de la droite dattaque, cest--dire lquation liant UBE, VCC,
RC, RE et IC, sachant que IE IC.

- 38 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

E1

E2
0...15 V

5V
+

RC
P1

47 k

R1

M2

+
A

M1
+
P

BC 140
+
M3 V

R2

RE

Fig.10
PBE.4. En prenant lquation de la droite dattaque, montrer que :
E U BEO
I BO Th
RTh RE

E U BEO
ICO Th
RTh RE

et

(5)

PBE.5. Montre que si RE est grand devant RTh, la valeur de ICO ne dpend plus de et
vaut
E
ICO Th
RE

(6)

PBE.6. Dterminer le point de repos QO en calculant pralablement IBO et ICO en


utilisant les quations (5) puis (6), sachant que UBEO = 0,7 V.
PBE.7. Tracer la droite de charge IC = f(UCE).
PBE.8. Placer le point QO sur la droite de charge prcdemment trace en 2.4h.

- 39 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Q.1. Le point de repos QO est-il au milieu de la droite de charge ?


Q.2. Si augment, le point de repos QO se dplace-t-il ?
Q.3. Quel est intrt de ce montage par rapport au prcdent ?
PBE.9. Brancher la source de tension et lajuster pour obtenir la tension VCC = 10 V.
PBE.10. Mesurer les valeur de IBO, ICO et UCEO.
PBE.11. Retrouver la valeur de .
PBE.12. Placer le point de repos exprimental Q'0 sur la droite de charge
prcdemment trace en 2.4h.
PBE.13. Laisser le montage fonctionner un moment 10 minutes et reprendre les
mesures de IBO, ICO, et UCEO. Que peut-on constater ?
PBE.14. Pour les valeurs mesures prcdemment calculer :

La puissance utile : P U CEO ICO

La puissance de commande : P' U BEO I BO

Comparer les deux valeurs. Commentaires ?

III. Exploitation des polarisations du transistor bipolaire


Le point de fonctionnement dun transistor bipolaire est dpendant de la dispersion de son
paramtre technologique et de la temprature de la jonction metteur-base. La nature du
circuit de polarisation permettant de fixer ce point de fonctionnement est, de ce fait, de la
plus grande importance. Dans ce problme considrer deux circuit lmentaires que lon peut
utiliser avec ce composant actif. Il sagit des circuits de polarisation par la rsistance de base
(fig.4) et de polarisation par la rsistance de base et dmetteur (fig.6) .
Considrer le transistor utilis dans ce TP donc le gain est connu ainsi que UBEO == 0,7 V et
on impose un courant ICO = 50 mA et VCC = 10 V.
3.1 Circuit de polarisation par la rsistance de base (fig.4 et le montage de la figure 8)
Q1.1. Dterminer les valeurs de RC et RB afin que le point de fonctionnement soit situ
au milieu de la droite de charge statique.
Q1.2. Calculer la dispersion relative

IC
du courant collecteur pour une variation de
ICO

temprature de jonction T = 20C. On admettra que :

- 40 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

1
1% / C
T
3.2 Circuit de polarisation par rsistance de base et dmetteur (fig.6 et le montage de la
figure 10)
Le circuit de la figure 6 est polarisation mixte ralise laide dun pont de base (R1 et R2)
et dune rsistance sur lmetteur RE.
Q2.1 Quelles doivent tre les valeurs de RC, RE, R1 et R2 pour que le point de
fonctionnement Q0 soit situ au milieu de la droite de charge statique et le courant
collecteur soit encore de ICO = 50 mA ?
Q2.2. Dterminer la valeur de la dispersion

IC
ICO

pour la mme variation de

temprature de T = 20C.

Directives pour la solution :


1. Polarisation pour que le point QO soit situ au milieu de la droite de charge et pour
lequel on souhaite obtenir un courant ICO prcis
1.a - Rgle du dixime : choisir une tension dmetteur UEM approximativement gale au
dixime de la tension dalimentation VCC, soit :
UEM = 0,1VCC
1.b - Choisir un point QO environ au milieu de la droite de charge statique, soit :
UCE = 0,5VCC
1.c - Par addition des tensions sur la maille collecteur, il sensuit quune tension denviron
0,4VCC apparat aux bornes de la rsistance collecteur, do :
RC = 4RE
1.d - Lindpendance de IC par rapport entrane la rgle du

RE
100
=
, do lon
RTh
1

choisira le plus petit auquel on risque dtre confront :


RTh = 0,01RE
1.e - En sachant que RTh< R2 soit RTh R2 on calcule R1 selon la rgle de proportionnalit
du diviseur de tension (voire la figure 6a et 6b) :

- 41 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.


V
E
R1 CC Th R2
E
Th

I
2. Dispersion C
I CO

2.a - Polarisation par rsistance de base


Lexpression permettant le calcul de la variation relative du courant collecteur sera obtenue
laide de lquation suivante (voire lexpression 2) :
V V
ICO I BO CC BEO
RB

En admettant que les termes VCC et RB ne dpendent pas de la temprature, la diffrentielle de


lexpression prcdente donnant le courant collecteur scrit :
dI C

V
U BEO
CC
d
RB

En passant aux accroissements, il vient :


I C
I CO

2b.- Polarisation par rsistance de base et dmetteur


Pour valuer linfluence de la temprature sur ICO, on exprime ce courant en fonction de IBO
laide de lquation (3) :
ICO I BO

(VCC U BEO )
RC RB

On trouve la diffrentielle de courant ICO en fonction de :

dIC
E U BEO
R
Th
( Th )
R
d
2
( Th RE )2

Ce qui donne, en passant aux accroissements :


IC
RTh

I CO RTh RE

IV. Conclusion
Faire la conclusion en quelques lignes.
- 42 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N06

AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL :
CARACTERISTIQUES EN COURANT CONTINU
Buts
1. Dterminer la rponse en tension avec contre-raction.
2. Dterminer le facteur damplification et le courant de sortie maximum dun circuit
inverseur et analyser le courant dans la branche de contre-raction.
3. Dterminer le facteur damplification dun circuit de sommation.
4. A partir du rapport de lamplification du signal diffrentiel lamplification double
action, dterminer le rapport dattnuation double action de lamplificateur diffrentiel.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 2W
Potentiomtre 1 k 1 W
Potentiomtre 47 k 1.5 W
Rsistance 4.7 k 5% 1.4W
Rsistance 10 k (soit 15 k) 1% 0.5W
Amplificateur oprationnel 741
Cavalier
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu

57674
57732
57792
57782
57752
57756
57885
50148
52145
531120
50145

1
2
1
1
2
3
1
3
1
1
2
6

I. Caractristiques dun amplificateur oprationnel en


courant continu (prparer avant TP)
Un amplificateur oprationnel (AO) comporte (fig.1):
l'une inverseuse (-)
2 entres
l'autre non inverseuse (+)
1 seule sortie, o le signal US est mesur par rapport un point commun.

- 43 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Une source dalimentation externe courant continu 15 V par rapport au point commun.
LAO est un amplificateur diffrentiel grande gain en boucle ouverte Aol (ol : open loop),
cest--dire en absence de contre-raction.
+VCC
I+

IU+

U-

- VCC

US
-

Source
CC

+
Point commun

Fig.1

LAO idal (parfait) remplit les conditions suivantes :


Un gain diffrentiel infini en boucle ouverte :
Aol

US
, o U - U

La tension de sortie est nulle en absence de signal dentre.


Les courants sur chaque entre sont nuls : I+ = I- = 0. Limpdance dentre diffrentiel est
infini : Ze= .
Une impdance de sortie nulle : Zs = 0. LAO idal est quivalent la sortie une source de
tension US de rsistance nulle.
LAO est caractris par sa rponse en tension (tension de sortie en fonction de la tension
diffrentielle dentre).
La caractristique US = f() comporte 3 zones :
US
U+ > U- US = + VCC - zone de saturation positive
+VCC
U+ = U- = 0
- rgime linaire

U+ = U- US = - VCC - zone de saturation ngative


-VCC

LAO rel diffre sensiblement de lAO idal.


Le gain en boucle ouverte nest pas infini, mais de lordre de 104 106.
Limpdance dentre nest pas non plus infinie, do des courants I+ et I- non nuls.
Limpdance de sortie nest plus nulle, et le courant de charge sera donc limit.

- 44 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

La symtrie de lAO nest jamais parfaite ce qui signifie quune tension nulle en
entre conduira une sortie non nulle.
Les proprits de lAO sont principalement dtermines par le branchement extrieur.
1.1 Amplificateur de tension non inverseur : effets de la raction. Calcul du gain.
Dans ce classe damplificateur le signal dentre attaque lentre non inverseuse, la raction
rinjecte un chantillon de la tension de sortie sur lentre inverseuse = U+ - U- (fig.2).
+

R2

Ue U+

US
R1

U-

Dans lhypothse dun fonctionnement en rgime


linaire :
U+ = Ue (signal dattaque) ;
R1
= Ue - BUS et U
U S BU S
R1 R2
(chantillonnage de la tension de sortie US) ;
US Aol Aol (Ue BUS ) donc US (1 Aol B) AolUe
soit
Aol
1
R
U S AclUe
Ue Ue (1 2 )Ue
1 Aol B
B
R1

Fig.2

Donc US = AclUe : dfinition dun gain en boucle ferme en raison de la contre-raction Acl
(cl : closed loop).
Ici lAO adapte la tension de sortie US, afin que la tension chantillonne U- soit gale la
tension dentre Ue : cest la contre-raction.
R2

1.2 Amplificateur de tension inverseur


Si le signal de sortie est en phase avec le signal
dentre pour lamplificateur non inverseur, il
peut tre utile dans certaines applications
davoir un signal en opposition de phase.
Le schma principal dun amplificateur
inverseue est donn par la figure 3.
Dans lhypothse dun rgime linaire = 0 :

R1

U R2

M
-

U R1
Ue

Rc
U-

U+

Fig.3
= U+ U-= 0 U- = U+ = 0 car lentre non inverseuse est connecte la masse.
Le point M (fig.3) est une masse virtuelle, au potentiel de U- 0, mais o aucun courant ne
scoule.
UR1= Ue U- = IR1R1 IR1= Ue/R1 et UR2= U- US = IR2R2 car I+ = I-, donc IR1= IR2 = I.
Alors :
UR2 = US = IR2
Donc

- 45 -

US

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

US

R2
R
Ue soit U S AclUe, avec Acl 2 (signe - indique inversion de phase).
R1
R1

1.3 Amplificateur sommateur inverseur


Lamplificateur
inverseur
peut
traiter
simultanment plusieurs entres, car lentre
inverseuse est une masse virtuelle.
= U+ U-= 0 U- = U+ = 0
U R U U Ui
U Ri I i Ri I i i i

Ri
Ri
Ri

R1

R2

U1

US

U2

UR = U- -US = -US =IR , I Ii


i

U S
i

R
Ui
Ri

Fig. 4

1.4 Amplificateur diffrentiel (soustracteur)


Les signaux dattaque tant appliqus sur les entres inverseuse et non inverseuse, les
proprits de lamplificateur inverseur et non inverseur sont exploites.
En utilisant le thorme de superposition on trouve successivement :
U2 = 0, US = f(U1)
-----------------------

U1 = 0, US = f(U2)
---------------------U+ 0 = UU 2 0 R2 I
R1
U S (U 2 ) U 2
0 U S R1I
R2

R2
R1
R
US U
U1 U S (U1 ) 1 U1
R1 R2
R1 R2
R2

superposition :
U S U S (U1 ) U S (U 2 )

R1
R
R
U1 1 U 2 1 U1 U 2
R2
R2
R2

Limpdance dentre Re est finie :


Ue =U1 U2 = R2I1 + - R2I2 = R2(I1 I2) = R2Ie Re = Ue/Ie = R2.
R1

Fig.5 Amplificateur diffrentiel

R2
R2
U2

U1

R1

US

- 46 -

Si on applique le signal U1 par


lintermdiaire dun diviseur de
tension form par R1 = R4 et R2 =
R3 on obtient un montage de
soustracteur :
R
R
U S 4 U1 1 U 2
R3
R2

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

II. Etude exprimentale


2.1 Caractristique dun amplificateur de tension non inverseur
ANI.1. Raliser le montage daprs le schma lectrique de la figure 6. Lexemple de
disposition des composants sur la plaque perfore est reprsent sur la figure 7. Ici : R1
= 4.7 k, R2 = 10 k et les multimtres M1 et M2 sont numriques.

R1

+15 V

R2
+15 V

100

1 k

V
R

-15 V

100

-15 V

Fig.6

ANI.2.Faire vrifier le montage par lenseignant.


ANI.3. Rgler la source de tension continue 15 V.
ANI.4. Appliquer lentre du circuit des tensions Ue de valeurs diffrentes (en
utilisant le potentiomtre P et le multimtre M1) et mesurer (multimtre M2) la
tension de sortie US.
ANI.5. Complter le tableau 1.

Tableau 1
Ue
(V)
M1
US
(V)
M2

-12

-9,0

-7,5

-6,0

-4,5

-3,0

0,0

- 47 -

3,0

4,5

6,0

7,5

9,0

12

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

E1
5V
+

E2
0...15 V
-

vers +15V

R1

R2

vers +15V

M2

M1 V
+

vers-15V

vers-15V

Fig.7

ANI.6. Tracer sur le document N1 le graphe US = f(Ue).


ANI.7. Reprer et dlimiter les domaines du rgime linaire et non linaire.
ANI.8. Dterminer la valeur du gain Acl.
ANI.9. Comparer le gain Acl au terme 1

R2
. En dduire une relation entre US, Ue et
R1

les rsistances R1 et R2 en rgime linaire.

2.2 Caractristique dun amplificateur de tension inverseur


a) Gain dun circuit inverseur
AI.1. Modifier le montage prcdent daprs le schma lectrique de la figure 8.

- 48 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

R1

+15 V

R2
+15 V

100

1 k
V

-15 V
R

100

-15 V

Fig.8

AI.2. Appeler lenseignant avant de continuer.


AI.3. En variant laide du potentiomtre P la tension dentre Ue (mesure par le
multimtre M1) mesurer la tension de sortie US (multimtre M2) correspondante, puis
complter le tableau 2.
Tableau 2
Ue
(V)
M1
US
(V)
M2

-12

-9,0

-7,5

-6,0

-4,5

-3,0

0,0

3,0

4,5

6,0

7,5

9,0

12

AI.4. Tracer sur le document N2 le graphe US = f(Ue).


AI.5. Dlimiter sur le graphe les zones des rgimes linaires et saturs. Justifier le
terme inverseur donn ce montage.
AI.6. Dterminer la valeur du gain Acl .
AI.7. Comparer le gain Acl au terme

R2
. En dduire une relation entre US, Ue et les
R1

rsistances R1 et R2 en rgime linaire.


b) Courant de sortie maximum dun amplificateur inverseur
AI.8. Modifier le montage prcdent daprs le schma lectrique de la figure 9.
Lexemple du montage est donn par la figure 10.

- 49 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

R1

R2

4,7 k

10 k

+15 V
R

100

1 k

47 k
V

P2

+15 V

-15 V

100
-15 V

Fig.9
AI.9. Appeler lenseignant avant de continuer.

E1
5V
+

E2
0...15 V
-

vers +15V

M3
V
V
+

R1

R2

P2

vers +15V

M2

M1

vers-15V

vers-15V

Fig.10

- 50 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

AI.10. Rgler la source de tension 15 V.


AI.11. Ajuster laide du potentiomtre P la tension dentre sur 2,0 V (mesure par
le multimtre M1).
AI.12 Varier laide du potentiomtre P2 la rsistance de charge du circuit et
mesurer le courant de sortie IS (multimtre analogique M3) ainsi que la tension de
sortie US (M2) correspondante.
AI.13. Porter sur le document N3 le graphe de variation US en fonction de IS. En
dduire la valeur du courant ISmax partir lequel la tension de sortie commence varie
c) Intensit de courant dans la branche de contre-raction
AI.14. Modifier lgrement le montage prcdent suivant le schma lectrique de la
figure 11.
AI.15. Appeler lenseignant avant de continuer.
AI.16. Rgler la source de tension 15 V.

R1

P2

+15 V
4,7 k
R

100

1 k
V

47 k
+15 V

-15 V

100
-15 V

Fig.11

AI.17. Ajuster laide du potentiomtre P la tension dentre sur 2,0 V (mesure par
le multimtre M1).
AI.18. Varier laide du potentiomtre P2 la rsistance de contre-raction et mesurer
le courant IG (multimtre analogique M3) ainsi que la tension de sortie US (M2)
correspondante.
AI.19. Complter le tableau 3.
AI.20. Porter sur le document N4 le graphe de variation IG en fonction de RG.
Remarque : utiliser lchelle logarithmique pour laxe de RG (log10)

- 51 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Tableau 3
US(V)
M2

-0,1

-1

-4

-8

-10

-11

-11,5

-12,0

-12,8

IG(mA)
M3
RG=US/IG

AI.21.Calculer IG daprs la relation : I G

Ue
.
R1

AI.22. Faire la conclusion.

2.3 Ladditionneur inverseur


AAI.1. Raliser le montage dun additionneur suivant le schma lectrique de la figure
12. Ici : R1 = R2 = R3 = 10 k (soit 15 k). Exemple de la ralisation dun montage
est donn par la figure 13.
AAI.2. Appeler lenseignant pour continuer.
AAI.3. Ajuster la source de tension sur 15 V.
R2
+5 V
R1

R3

+15 V
U2

+15 V

100
U1

1 k
V

-15 V

100
-15 V
Fig.12

AAI.4. En variant la tension U1 ( laide du potentiomtre P dans la plage de -5 + 5


V) mesurer la tension de sortie US correspondante, la tension U2 tant constante et
gale 5 V.

- 52 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

E1

E2
0...15 V

5V
+

vers +15V

R2

R1

R3

+
M1 V

vers +15V

M2

vers 0 V

vers-15V

vers 0 V

vers-15V

Fig.13

AAI.5. Reporter dans le tableau 4 rsultats des mesures.


AAI.6. Tracer le graphe de la tension US en fonction de la somme des tensions
dentres U1 + U2.
AAI.7. Dterminer partir de AAI.6 le facteur damplification AS et comparer avec la
relation reliant U1, U2 et US pour ce type damplificateur.

Tableau 4
U1(V)
M1

-5

-4

-3

-2

-1

US(V)
M2

- 53 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.4 Circuit en amplificateur diffrentiel


AD.1. Raliser le montage dun amplificateur diffrentiel en modifiant lgrement le
montage prcdent suivant le schma lectrique de la figure 14. Ici : R1 = R1 = 4.7k
et R2= R2 = 10 k.
R1

R2

+15 V
U1

100

1 k

R'1
V

+15 V

U2

-15 V
R'2

100
-15 V
Fig.14

AD.2. Appeler lenseignant pour continuer.


AD.3. Ajuster la source de tension sur 15 V.
AD.4. En variant la tension U1 ( laide du potentiomtre P dans la plage de -2 + 10
V) mesurer la tension de sortie US correspondante, la tension U2 tant constante et
gale 5 V.
AD.5. Reporter les rsultats des mesures dans le tableau 5.
Tableau 5
U1(V)
M1

-2

-1

10

US(V)
M2

AD.6. Tracer le graphe de la tension US en fonction de la diffrence des tensions U2


U1.
AD.7. Dterminer partir de AD.6 le facteur damplification AD et comparer avec la
relation reliant U1, U2 et US pour ce type damplificateur.
AD.8. Dconnecter la source de tension + 5 V et laide dun cavalier raliser le
montage o U1 = U2.
- 54 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

AD.9. Appeler lenseignant pour vrifier le montage.


AD.10. En variant la tension U1 ( laide du potentiomtre P dans la plage de -10 +
10 V) mesurer la tension de sortie US correspondante.
AD.11. Reporter les rsultats des mesures dans le tableau 6.
Tableau 6
U1 (V)
M1

-10

-8

-6

-4

-2

10

US(mV)
M2

AD.12. Tracer le graphe de la tension US en fonction de la tension U1. En dduire le


facteur damplification dquisignal (gain dquisinal) AG le quotient de US par U1
pour U1 = U2.
AD.13. Calculer ensuit le facteur dattnuation double action suivant lquation :

20log

AD
(dB)
AG

III. Conclusion gnrale sur AO (en quelques lignes)

- 55 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N07

UTILISATION DE LOSCILLOSCOPE ET DU
GENERATEUR DE FONCTIONS
But
Se familiariser avec lutilisation de loscilloscope et du gnrateur de fonctions par
intermdiaire de montages simples.

Matriel
Alimentation CC 015 V
Multimtre numrique GDM 352A
Oscilloscope analogique HM303-6
Gnrateur de fonctions GFG-8020H
Cble de mesure BNC/fiche 4 mm
Connecteur BNC/fiche 4 mm
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu

52145

57524
50145

1
1
1
1
1
1
1

I. Introduction
1.1. Loscilloscope analogique tube cathodique HM303-6 (voir annexe, page 61)
L'oscilloscope analogique permet de suivre sur un cran l'volution d'un signal lectrique en
temps rel, et d'en mesurer les caractristiques principales tels que l'amplitude, la priode, le
dphasage...
Son lment de base est (voir figure ci-dessous) : le tube cathodique, une ampoule de verre
maintenue sous vide,contenant le canon lectrons qui sont mis par un filament surchauff,
phnomne appel mission thermolectronique et une srie d'lectrodes portes un
potentiel positif. Grce celles-ci les lectrons sont concentrs puis acclrs pour former un
faisceau dirig vers la face avant du tube, qui fait office d'cran de l'oscilloscope. Sa surface
fluorescente, au point d'impact, transforme l'nergie du faisceau d'lectrons en nergie
lumineuse pour former ce qu'on appelle communment le spot.
De part et d'autre du trajet du faisceau, en amont de l'cran de visualisation, des plaques
horizontales et verticales portes un potentiel variable ont pour fonction de faire dvier le
trajet du faisceau, vers le haut ou vers le bas, vers la droite ou vers la gauche. Ces dviations
sont proportionnelles aux diffrences de potentiels auxquelles sont portes les plaques.
Ce systme permet de faire dcrire au spot sur l'cran une trajectoire directement
reprsentative du signal tudier si la tension de celui-ci alimente les plaques horizontales et
si chacune des valeurs de la tension v(t) dfinit une position du spot prenant en compte les
variations du temps.
Pour permettre de mesurer les principales caractristiques lectriques de ce signal, l'cran de
l'oscilloscope est muni d'un rticule grav, constitu de 11 lignes verticales et de 9 lignes
horizontales, qui constituent une grille de rfrence.

- 56 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Le systme de dviation verticale de l'oscilloscope reoit les variations de tension du signal


d'entre (INPUT CHI et INPUT CH II) afin de les visualiser sur l'cran (axe Y). Son gain
permet de dfinir la sensibilit verticale, exprime en volt par division (VOLTS/DIV.). Plus la
gamme de sensibilit d'un oscilloscope est tendue, plus ses capacits d'analyse sont grandes;
elle varie ici de 5mV 20 V par division dans la squence impose 1-2-5 (5 mV-10mV20mV-50mV-100mV-200mV...).
Le systme de dviation horizontale de l'oscilloscope analogique contrle les vitesses de
balayage du spot lumineux l'cran. Le systme est constitu d'un gnrateur de signal "dent
de scie" (ou rampe) conu pour que le dplacement du spot soit une fonction linaire du
temps.
C'est la raison pour laquelle le systme horizontal d'un oscilloscope est appel base de temps.
Suivant la vitesse de balayage choisie, le signal d'entre est observ intervalles plus ou
moins longs. Pour un signal de frquence donne, l'augmentation de la vitesse de balayage se
traduit par une dilatation horizontale de sa reprsentation l'cran.
Le commutateur TIME/DIV qui sert au rglage est gradu en s/div. Comme pour le systme
vertical, le rglage du systme horizontal se rfre directement au systme de divisions de
l'cran. La vitesse de balayage varie ici de 0,1 s 0,2 s par division dans la mme squence
1-2-5.
Le systme de dclenchement est d'assurer une relation entre le signal mesurer et le
gnrateur de balayage, afin que le spot lumineux dmarre toujours au mme endroit du signal
(sinon on se retrouve l'cran avec plusieurs traces du mme signal non superposables).
Pour fonctionner, ce systme requiert un signal de dclenchement qui peut tre aussi bien le
signal tudi lui-mme qu'un signal externe (on appelle ce signal source de dclenchement
TRIG.EXT).
Il faut en outre dfinir un point de dclenchement sur ce signal. La position de ce point est
dfini par deux paramtres: la pente, positive ou ngative touche SLOPE le niveau de
tension - bouton LEVEL.
- 57 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Lorsque le circuit de dclenchement "reconnat" le niveau de tension et la pente choisie, le


gnrateur de balayage est automatiquement dclench et une partie du signal est visualise
l'cran.
1.2. Le gnrateur de fonctions GFG-8020H (Fig.1)
Il dlivre des signaux sinusodaux, triangulaires et rectangulaires dont la frquence est
rglable en sept gammes logarithmiques de 1 Hz 1 MHz.
Le signal dsir peut tre slectionn en appuyant sur la touche correspondante du
commutateur FUNCTION.
Les gammes de frquence peuvent tre slectionnes en appuyant sur la touche
correspondante du commutateur RANGE Hz.
La frquence souhaite peut alors tre ajuste avec le bouton FREQUENCY en gros
(COARSE) et en fine (FINE).
Le signal est conduit vers la douille OUTPUT 50 par le potentiomtre AMPL, l'amplificateur
et l'attnuateur. La tension de sortie est rglable de faon continue jusqu' 20 V crte crte et
peut tre attnue de 20 dB (bouton AMPLI tire). Cette attnuation, dans le cas d'un signal
mixte, diminue en mme temps et dans le mme rapport l'amplitude de la tension
continue.

FUNCTION GENERATEOR
MODEL

GFG 8020H

RANGE
PWR

1 M 100 k 10k

1k

DUTY

FUNCTION

Hz

100

10

OFFSET

TTL

AMPL

INPUT
VCF

OUTPUT
TTL / CMOS

OUTPUT
50

FREQUENCY
COARSE

FINE

Fig.1
La sortie TTL( bouton enfonce) / CMOS (bouton tire) donne uniquement en sortie, un
signal en crneaux.
Le gnrateur peut dlivrer une tension continue rglable utilise comme tension d'offset
additionne au signal de sortie slectionn. On utilise alors la commande OFFSET (bouton
tire).
Le bouton DUTY (bouton tire) permet de modifier le rapport cyclique dun signal en
crneau.
- 58 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

II. Exprimentation de loscilloscope et du gnrateur de fonctions


2.1. Mise en service et rglage de loscilloscope (voir la notice correspondante
disponible dans le laboratoire).
2.1.1 Recommandations avant mise sous tension :
a) Vrifier que toutes les touches sont sorties.
b) Vrifier que les boutons rotatifs de rglage continu de lattnuateur dentre et
sont en position calibre soit : 14, 19,25 en bute droite et de inhibition 23 en
but gauche.
c) Mettre les boutons de dcalage Y- POS. I (5), Y- POS. (8), X- POS. (11) et de
niveau LEVEL (10) en position mdiane (trait des boutons vers le haut).
d) Mettre le slecteur de dclenchement TRIG. MODE (20) en position haute AC.
e) Mettre le bouton rotatif base de temps ou balayage TIME/DIV. (24) en
position intermdiaire, 1 ms par exemple.

2.1.2. Mise en route et rglage :


a) Appuyer dabord sur touche de masse

(30) et (34) des voies CH I et CH II.

b) Mettre sous tension, une trace apparat : sinon les points du 1 (recommandations).
c) Rgler la luminosit et la finesse de la trace laide des boutons INTENS (2),
FOCUS (4).
d) Rgler la position horizontale de la trace avec le bouton Y- POSE. I (5).
e) Enfoncer la touche CHI/II (15) : une autre trace apparat puis faire comme en 2d pour
CH II.

f) appuyer sur la touche DUAL (16). Constater.

2.1.3. La base de temps (ou balayage)


2..

Tourner le bouton TIME/DIV. (24) complment gauche, puis revenir sur 1 ms.
Constater.

- 59 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

b) Appuyer sur le bouton X-Y (26) ; constater puis revenir rapidement sur1 ms.
ATTANTION ! Ne pas rester dans cette position en absence de signal

pour ne pas endommager lcran.

2.2. Mesure dune tension continue


2.2.1. Connexion
a) Pour le branchement (fig.2), on utilise un cble coaxial de mesure placer sur la
prise INPUT CH I (28) ou (et) INPUT CH II (32).
b) On peut utiliser un connecteur BNC et deux fils simple (rouge et noire ou bleu).
c) Attention : sortie noire du cble de mesure ou du connecteur BNC est reli avec la
masse de loscilloscope.
2.2.2. Tension aux bornes dune source de tension continue rglable
Remarque : avant de mesurer une tension continue loscilloscope, il faut dabord
reprer sur quelle ligne de lcran le 0 V a t rgl (ligne de base)

a) Placer la trace initiale ou zro Volt de la voie I (CH I) au milieu de lcran,


et placer le bouton de sensibilit de dviation verticale soit calibre VOLTS/DIV.
Sur 2 V.
b) Slectionner le couplage dentre CC (couplage direct) de la voie I (CH I) en
enfonant le bouton poussoir CA CC (29).
c) On veut mesurer la tension Upn aux bornes de la sortie de la source de tension 5 V
la voie CH I (fig.2) soit :

Oscilloscope

Source de tension

CH I

CH II

Fig.2
- la sortie noire du cble de mesure de CH I la borne bleu et le connecteur central
la borne rouge de la source de tension ;
- sortir alors la touche
(30) : constater ;

- 60 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

d) On veut mesure la tension Unp. Permuter alors les deux fils : soit la sortie noire du
cble la borne rouge et le connecteur central la borne bleu. Constater.
e) Changer le calibre avec le bouton 13. Constater, puis revenir 2 V.

2.3. Visualisation dune tension priodique symtrique


2.3.1. Connexion du gnrateur de fonctions GFG-8020H
Le gnrateur de fonctions (GF) est teint et les boutons AMPL, TTL, OFFSET et DUTY sont
enfoncs.
a) On utilise le connecteur BNC placer sur la prise OUTPUT du gnrateur GF.
b) Connecter le gnrateur GF la voie CH I de loscilloscope (fig.3).

Gnrateur de
fonctions

Oscilloscope

TTL OUTPUT

CH I

50

CH II

Fig.3
c) Attention : les masse de loscilloscope et du gnrateur GF doivent imprativement
tre relies entre elles (rappel : bornes noires), sinon le GF est en court-circuit.
2.3.2. Rglages prliminaires de loscilloscope
a) placer la ligne 0 V au milieu de lcran
b) enfoncer la touche

(30) sur loscilloscope.

c) enfoncer la touche CA CC (29).


d) sortir la touche

(30).

2.3.3. Afficher une tension


a) Mettre le GF sous tension.
b) Slectionner la forme sinusodale, damplitude 3 V, et de frquence 500 Hz.
- 61 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

c) Rgler le balayage de faon observer deux priodes, noter le calibre.


d) Rgler la sensibilit de dviation verticale de la voie CH I, pour obtenir la plus
grande dviation verticale et noter le calibre.

2.3.4. Questions
a) La tension dlivre ici par le GF est variable, alternative, priodique, symtrique,
sinusodale ? Prciser ces termes.
b) Rappeler le calibre de base de temps, noter le nombre de divisions horizontales
correspondant une priode T ; en dduire la valeur mesure de la priode
loscilloscope.
c) A partir de T, calculer la valeur de la frquence f , puis comparer la valeur
affiche sur le GF.
d) Modifier le calibre de base de temps puis de sensibilit verticale ; change t-on alors
les valeurs de la priode et de lamplitude ?
e) Lenseignant(e) ayant affich une tension, mesurer son amplitude, sa priode donc
sa frquence ; la dessiner.

2.4. Visualisation dune tension priodique non symtrique


2.4.1. Manipulation
a) garder les branchements et de donnes du E.III la touche 29 tant sur CC ;
b) brancher un voltmtre en position continue V

aux bornes du GF ;

c) tirer le bouton OFFSET du GF et le tourner.

2.4.2. Questions
a) En position continue le voltmtre mesure la valeur moyenne dune
variable ?

tension

b) Prciser ce que vous remarquer sur lcran de loscilloscope et le voltmtre.

- 62 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

ANNEXE

63

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N08

LE TRAC AUTOMATIQUE DE
CARACTRISTIQUES DES DIODES LAIDE DE
LOSCILLOSCOPE
But
Se familiariser avec lutilisation de loscilloscope pour obtenir le trac automatique des
caractristiques de diodes

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 5% 2 W
Diode Si 1N 4007
Diode luminescente rouge, LED 2, verticale
Diode Zener 6.2 V , 0.5 W
Gnrateur de fonctions GFG-8020H
Oscilloscope analogique HM303-6
Cble de mesure BNC/fiche 4 mm
Connecteur BNC/fiche 4 mm
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu
Cavalier

57674
57732
57851
57848
57855

57524
50145
50148

1
1
1
1
1
1
1
2
1
1
2

I. Principe du trac automatique (prparation du TP)


Le trac point par point des caractristiques de diodes et autres composants lectroniques non
linaires est fastidieux et long. Du fait de laffichage deux dimensions, le tube cathodique de
loscilloscope convient bien la reprsentation de ces caractristiques et permet facilement
dobtenir le trac automatique. Comme toute la caractristique est balaye un rythme rapide,
on peut mme dpasser la limite de dissipation autorise sans endommager le composant
tudi.
Les courbes qui peuvent tre prsentes ont un caractre essentiellement qualitatif ; cest
avec des instruments de mesure (voltmtre, ampermtre) quon a utilis pour dterminer les
tensions ou intensits du courant essentielles.
Lexploitation dune caractristique exige des valeurs numriques. Au prix dune certaine
complication, on peut talonner les axes x et y de manire lire directement sur un cran
quadrill les tension et intensits du courant.
Pour tracer la caractristique dun composant, on relie ses bornes dentre une tension
alternative (gnralement entre 50 et 100 Hz) et ses bornes de sortie amplificateur de

64

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

tension applique aux plaques verticales YY de loscilloscope. La mme source alimente les
plaques horizontales XX avec amplificateur interpos (fig.1).
Comme la tension dattaque est alternative, la tension applique varie constamment entre les
valeurs de crte positive et ngative et explore donc la caractristique entre ces deux points
limite. Une tension de mme frquence et phase produit la dviation horizontale, ce qui fait
qu chaque valeur de la tension dentre produisant une dviation verticale donne
correspond une dviation horizontale qui reprsente cette tension dentre. On obtient donc
une suite continue de points de mesure.

Composant
tudi

Y
X

50...100 Hz
Amplificateur

X'

Y'

Fig.1

Le mcanisme de trac de la caractristique dune diode est le suivant. Considrons le circuit


lectrique reprsent sur la figure 2, contenant un gnrateur G, une diode D (composant
tudi) branche sur une rsistance R. Le gnrateur G dlivre ces bornes une tension
dalimentation du circuit Ve (t) alternative qui varie entre les valeurs de crte positive +
Vemax et ngative - Vemax (fig.3).Durant une alternance positive (intervalle du temps de 0
T/2) la diode D est polarise dans le sens direct de sa conduction et donc elle est conductrice.
Le courant i(t) traversant la diode et la rsistance R produit dans celle-ci une chute de tension
VR(t), ayant la forme de l'alternance VR (t ) Ri (t ) positive du signal d'entre.
XX'
D

GBF

Ve
R

Pendant l'alternance ngative (intervalle


du temps de T/2 T), la diode D est
polarise dans le sens inverse de sa
conduction et elle prsente une rsistance
interne trs leve. Le courant ngatif qui
traverse la rsistance R est donc trs
faible.

UD

masse de l'oscilloscope
UR
YY'

Fig.2
Donc la tension aux bornes de la diode durant l'alternance ngative est gale :
VR (t ) Ve(t ) . La figure 3 montre les formes des tensions redresser Ve (t) et la sortie
VR (t) du circuit.

65

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.


Ve
1er cycle
alternance
positive

2me cycle

altenance
ngative

+Vemax
+

t
T/2

-Vemax

priode T

VR
+

0
T/2

+
t
-

priode T

Fig.3

La tension aux bornes dune diode est applique aux bornes dentre de lamplificateur de
dviation horizontale (XX).
On branche les bornes dentre de lamplificateur de dviation verticale (YY) aux bornes
dune rsistance de valeur connue, place en srie avec la diode tudie.
Lordonne du sport est ainsi proportionnelle la tension aux bornes de la rsistance, donc
lintensit du courant dans le circuit.
Les rsistances dentre des amplificateurs sont leves (de lordre du M), gnralement la
prsence de loscilloscope ne perturbe pas la mesure, le trac du spot est par consquent
semblable la caractristique de la diode.
Malgr tout, une complication vient du fait que chaque amplificateur a une de ses bornes
dentre relie la masse de loscilloscope. Cest le montage avec lisolement galvanique de
gnrateur qui rsout le problme des masses.
Daprs le circuit de la figure 2 le gnrateur dlivre une tension variable
Ve (t) = UD (t) + UR (t) soit VR (t) = Ve (t) UD (t).
Sous tension inverse, la diode ne conduit pratiquement pas, et le courant dans la rsistance est
quasiment nul, tout comme UD (t) = - Ve (t).
Sous tension directe, lorsque Ve (t) US alors UD est voisine de US.

66

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

II. Droulement de lexprience


2.1. Le montage dexpriences
2.1.1. Raliser le montage du circuit daprs le schma lectrique (figure 2) en
utilisant une plaque perfore. Disposer le matriel, par exemple, comme cest
indiqu sur la figure 4.

2.1.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).


vers CH I
vers GBF

a
D
b

vers CH II
Fig.4

2.2. Mise en service et rglage de loscilloscope HM 303- 6


2.2.1. Vrifier que toutes les touches sont sorties.
2.2.2. Vrifier que les boutons rotatifs de rglage continu de lattnuateur
dentre et sont en position calibre soit : 14, 19,25 en bute droite et de
inhibition 23 en but gauche.

67

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.2.3. Mettre les boutons de dcalage Y- POS. I (5), Y- POS. (8), X- POS.
(1I) en position mdiane (trait des boutons vers le haut).
2.2.4. Slectionner le couplage dentre CC (couplage direct) de la voie I (CH
I) et II (CH II ) en enfonant le bouton poussoir CA CC (29) et CA CC (33).
2.2.5. Enfoncer les boutons
CH II.

(30) et (34) pour dsactiver les voies CH I et

2.2.6. Positionner pralablement lattnuateur dentre de la voie I CH I (13) et


de la voie II (CH II) (18) sur 1 Volt.
2.2.7. Inverser la voie CH II en appuyant sur la touche INV. (35).
2.2.8. Appuyer sur le bouton X-Y (26).
2.2.9. Mettre loscilloscope sous tension, une tache lumineuse doit apparatre ;
ATTENTION ! Dans cette position il faut rgler systmatiquement la luminosit du spot
pour ne pas endommager lcran.
2.2.10. Rgler la luminosit (bouton INTENS) (2) et ventuellement
lastigmatisme (bouton FOCUS), (4) et positionner le spot au milieu de lcran
(boutons X-POS et Y-POS.II).

2.3. Mise en service et rglage du gnrateur GFG 2080 H


2.3.1. Le gnrateur de fonctions est teint et les boutons AMPL, TTL,
OFFSET et DUTY sont enfoncs ; connecter le gnrateur GFG avec le circuit
comme est indiqu sur la
figure 4.
2.3.2. Slectionner le signal sinusodal (FUNCTION) et la frquence (RANGE)
0,2 Hz.
2.3.3. Positionner le bouton AMPLI en position mdiane (trait des boutons
vers le haut).
2.3.4. Mettre le gnrateur sous tension.

2.4. Mesure du courant dans le circuit sur la voie CH II


2.4.1. Insrer le cavalier (reprsent sur la plaque perfore par les lignes
interrompues courtes) entre les prises (a) et (b).
2.4.2. Insrer la diode LED2.
2.4.3. Relcher le bouton

(34) (CH II est active).

68

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.4.4. Rgler lamplitude de dplacement du spot (en manipulant avec AMPLI


du gnrateur) pour obtenir lamplitude du courant traversant le circuit au
niveau de 30 mA (diode est en court circuit).
2.4.5. Reprsenter sur le papier millimtr N1 limage obtenue en indiquant le
calibre et le nombre de divisions.
2.4.6. Retirer le cavalier entre les points (a) et (b).
2.4.7. Observer et mesurer le courant maximal dans le circuit.
2.4.8. Reprsenter sur le papier millimtr N2 limage obtenue en indiquant
le calibre et le nombre de divisions.

2.5. Mesure de la tension applique aux bornes de la diode sur CH I


2.5.1. Dsactiver la voie CH II (enfoncer le bouton 34) et activer la voie CH I
(relcher le bouton 30).
2.5.2. Mesurer les tensions maximales aux bornes de la diode dans les
diffrentes phases (ici on peut observer les phases laide de la LED 2).
2.5.3. Reprsenter sur le papier millimtr N2 limage obtenue en prcisant
chaque zone o la diode est conductrice (allume) et o elle est bloque
(teinte).

2.6. Trac automatique des caractristiques des diodes LED 2 et 1N 4007


2.6.1. Activer les deux voies CH I et CH II.
2.6.2. Ajuster la frquence du gnrateur sur 1 kHz.
2.6.3. Observer et reprsenter sur le papier millimtr N3 la caractristique
obtenue et en dduire la tension seuil US et la rsistance dynamique RD avec le
plus que possible prcision (augmenter ventuellement la sensibilit de la voie
CH I et CH II).
2.6.4. Remplacer la diode LED 2 par la diode 1N 4007.
2.6.5. Observer et reprsenter sur le papier millimtr N3 la caractristique
obtenue en dduire la tension seuil US et la rsistance dynamique RD.

2.7. Trac automatique de la caractristique de la diode Zener ZPD 6.2


2.7.1. Remplacer la diode1N 4007 par la diode Zener.
2.7.2. Positionner les boutons de calibres de CH I et CH II sur 2 V.

69

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.7.3. Ajuster lamplitude de sortie du gnrateur GBF sur la valeur maximale.


2.7.4. Observer et reprsenter sur le papier millimtr N4 la caractristique
obtenue.

III. Conclusion (en quelques lignes).

70

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N09

LA DIODE DE REDRESSEMENT
But
Examiner le fonctionnement dune diode en redressement. Vrifier exprimentalement le rle
dun condensateur sur londulation de la tension redresse.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 100 5% 2 W
Rsistance 2.2 k 5% 1.4 W
Condensateur 1 F 5%
Condensateur 4.7 F 5%
Diode Si 1N 4007
Gnrateur de fonctions GFG-8020H
Oscilloscope analogique HM303-6
Multimtre numrique GDM 352A
Cble de mesure BNC/fiche 4 mm
Connecteur BNC/fiche 4 mm
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu
Cavalier

57674
57732
57748
57815
57816
57851

57524
50145
50148

1
1
1
1
1
4
1
1
1
2
1
1
5

I. Redressement du courant alternatif ( faire avant darriver en TP)


1.1 Redressement simple alternance
La diode, prsentant une rsistance pratiquement infinie lorsquelle est polarise en inverse,
peut tre utilise pour obtenir un courant unidirectionnel partir dun courant alternatif tel
que le courant sinusodal.

RS

D
RCh

e(t) = Vsint

Dans le circuit de la figure 1, la diode est


passante quand le potentiel de son anode est
suprieur la tension de seuil US celui de sa
cathode. Si on nglige les effets dus la tension
de seuil, la charge RCh est traverse par du
courant uniquement pendent les alternances
positives.

Fig.1
On pose :
e(t) = Vsint = RS I(t) + U(t)
Or : e(t) = (RS +RCh)I(t)
Si e > 0 donc U(t) = e(t).RCh/(RCh +RS)
Si e < 0 donc U = 0
Pour une tension sinusodale dont une seule alternance est redresse, la valeur moyenne de la
tension est gale :

71

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

1
U
T

T /2

T /2

V sin t dt T cos t

2V
V

2
T
T

(1)

1.2 Redressement double alternance avec 4 diodes


Dans le montage prcdent, la valeur moyenne de la tension U est faible car cette tension est
nulle la moiti du temps (T/2). On amliore le procd en effectuant un redressement double
alternance.
On obtient ce redressement au moyen dun pont de 4 diodes (pont de Graetz) reprsent sur la
figure 2.
B
D1

D4
A
RCh

e(t) = Vsint

D2

U = RChI

D3
C
Fig.2

Quand e > 0 (0 t T/2), les diodes D1 et D3 conduisent.


Le courant venant de A ne peut passer dans D4 place en inverse, et ne peut passer en D2, car
elle aussi en inverse.
Pour e < 0 (T/2 t T), les diodes D2 et D4 conduisent. Les diodes D1 et D3 sont bloques.
Le courant traverse la charge RCh toujours dans le mme sens.
On constate que :
-

la tension U est toujours positive ;


si la valeur de crte de e est trs suprieure la tension de seuil de la diode,
lalternance positive de e est conserve, lalternance ngative change de signe.

En rgime sinusodal on a :
U

2V

(2)

1.3 Filtrage
La tension obtenue aprs redressement est unidirectionnelle mais elle nest pas continue. La
forme de tension est priodique ; elle contient une composante continu (la valeur moyenne de
la tension redresse) et des harmoniques que lon dsire annuler : on fait suivre la cellule de
redressement par un filtre qui supprime les hautes frquences.

72

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

RS

e(t) = Vsint

U
RCh

U
t
t1

t2

Fig.3

Fig.4

Le filtrage le plus simple fait appel un seul condensateur C plac en parallle sur la charge
RCh ( fig.3) et qui se comporte comme un rservoir dnergie.
Sur la figure 4 on a dsign par t1 la dur de chargement du condensateur C. Durant cette
priode la diode D est passante : le condensateur se charge rapidement ( condition que la
rsistance RS + RD est trs infrieure celle de la charge RCh). On peut dfinir la constante de
temps de charge c = (RS + RD)C.
La tension crte atteinte aux bornes du condensateur est gale V - US : on admet que la
rsistance RCh est assez grande pour pouvoir ngliger le courant de dcharge dans RCh devant
le courant de charge.
Ds que V - US > e(t), le gnrateur est isol de la charge RCh par la diode D qui est devenue
bloque. Le condensateur se dcharge dans RCh avec une constante de temps RChC. La qualit
du filtrage est dautant meilleure que le courant de dcharge est faible : il faut utiliser des
condensateurs de capacit leve pour obtenir une constante de temps de dcharge aussi
leve que possible.
Le calcul rigoureux de lamplitude des variations de la tension de sortie U est relativement
compliqu et long. Comme il est rarement ncessaire de connatre ces paramtres avec
prcision on fera les approximations suivantes :
a) la priode de dcharge = T (approximation dautant meilleur que U est faible).
b) la dcharge se fait de manire linaire (en ralit il sagit dune exponentielle).
Comme I(t) = CdV(t) / t, on a, en supposant I(t) constante = I moyen : dV = (I moyen / C)dt
Comme valeur de dt, on peut prendre la priode de dcharge T. Cette estimation est
pessimiste car la charge du condensateur dbute avant la fin de la priode.
Lordre de grandeur de la tension dondulation est donc
U

moyen

moyen

Cf

(3)

On peut estimer la valeur de Imoyen pour le cas le plus dfavorable, soit Imoyen = V/(2RCh).

73

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

II. Manipulation
M.1 Redressement simple alternance
M.1.1. Daprs le schma lectrique de la figure3 raliser le montage comme cest
indiqu sur la figure 5 (le condensateur C est rtir); ici RS = 100 , RCh = 2,2 k.

M.1.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).

vers CH I

vers GBF
fil rouge

RS

vers CH II

D
+
V
C

RCh

Fig.5

M.1.3. Mettre le gnrateur de fonction GBF sous tension; slectionner la

forme

sinusodale du signal de la frquence 500 Hz et de lamplitude maximale.

M.1.4. Mettre loscilloscope sous tension et le rgler pour visualiser les deux signaux
positionns comme suit : au milieu dcran - signal dentr e(t) et au -dessous - signal
de sortie U(t)).

M.1.5. Reprsenter sur une feuille du papier millimtr N1 les signaux e(t) et U(t).
M.1.6. laide de loscilloscope et de la touche AC/DC (33) dterminer la valeur
moyenne du signal de sortie Umoyen.
M.1.7. laide du voltmtre mesurer la valeur moyenne Umoy du signal de sortie et
comparer avec celle dtermin daprs la relation 1.

74

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

M.2 Filtrage par condensateur


M.2.1. Insrer le condensateur C de 1 F (voire la figure 5) et observer le signal de
sortie U(t).
M.2.2. Reprsenter sur une feuille du papier millimtr N 2 les signaux e(t) et U(t).
M.2.3. laide du voltmtre mesurer la valeur moyenne Umoy du signal de sortie.
M.2.4. laide de loscilloscope et de la touche AC/DC (33) dterminer londulation
crte crte U du signal de sortie.
M.2.5. Calculer, en utilisant la relation (3), la valeur dondulation crte crte et
comparer avec celle de mesure.
M.2.6. Remplacer le condensateur 1 F par un condensateur de 4,7 F et observer
nouveau le signal de sortie.
M.2.7. Reprsenter sur une feuille du papier millimtr N 3 les signaux e(t) et U(t).
M.2.8. laide du voltmtre mesurer la valeur moyenne Umoy du signal de sortie.
M.2.9. laide de loscilloscope et de la touche AC/DC (33) dterminer londulation
crte crte U du signal de sortie.
M.2.10 Calculer, en utilisant la relation (3), la valeur dondulation crte crte et
comparer avec celle de mesure.

M.3 Redresseur double alternance, pont de Graetz


M.3.1. Daprs le schma lectrique de la figure 4 raliser le montage comme cest
indiqu sur la figure 6.

M.3.2. Mettre le gnrateur de fonction GBF sous tension sans changer le rglage prcdent.

M.3.3. Mettre loscilloscope sous tension et le rgler pour visualiser le signal de sortie
U(t).
M.3.4. Reprsenter sur une feuille du papier millimtr N 4 le signal de sortie U(t).
M.3.5. Mesurer la valeur moyenne Umoy du signal de sortie laide du voltmtre.
M.3.6. Calculer daprs la relation 2 la valeur moyen de U(t) et comparer avec la
valeur moyenne
mesure.

75

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

vers CH II

vers GBF
fil rouge
+

RCh

Fig.6

III. Conclusion (en quelques lignes).

76

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N10

CIRCUITS A DIODE :
REALISATION DE CIRCUITS DE RESTAURATION
POSITIVE, NEGATIVE ET DE MULTIPLICATEURS DE
TENSION
But
Le but consiste raliser successivement :
- un circuit de restauration positive et ngative,
- un dtecteur de tension crte crte,
- un doubleur de tension,
- un tripleur et puis un quadrupleur.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Diode 1N 4007
Condensateur 1 F 5 %
Cavalier
Multimtre numrique GDM 352A
Oscilloscope analogique HM303-6
Gnrateur de fonctions GFG-8020H
Cble de mesure BNC/fiche 4 mm
Connecteur BNC/fiche 4 mm
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu

57674
57851
57815
50148

57524
50145

1
4
4
8
1
1
1
1
1
2

I. Fonctionnement des montages de diffrents circuits


diode ( prparer avant les manipulations).
1.1 Circuit de restauration
Le circuit de restauration sert ajouter une composante continue, positive ou ngative, au
signal.
Soit le schma suivant (fig.1)
Expliquer le principe de fonctionnement du montage vu aux bornes de la rsistance de
charge RL.
Dessiner le signal de sortie VS et prciser la valeur de la tension crte crte.

Faire la simulation laide de WORKBENCH ou MULTISIM ou TINA.

Dessiner le schma dun circuit de restauration ngative, et expliquer-le de la mme


faon.
77

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

C1
+ VC
0

D1

v(t) = VCsin(t)

RL

VS

- VC

Fig.1

1.2 Dtecteur de tension crte crte


Si on met en cascade un circuit de restauration positive et un diple (diode et condensateur),
on obtient un dtecteur de tension crte crte (fig.2).
C1

D2

+ VC
0

D1

v(t) = VCsin(t)

C2

VS

- VC

Fig.2

Expliquer le principe de fonctionnement du montage vu aux bornes de la rsistance de


charge RL.
Dessiner le signal de sortie VS et prciser la valeur de la tension crte crte.

Faire la simulation laide de WORKBENCH ou MULTISIM ou TINA.

1.3 Multiplicateur de tension


Un multiplicateur de tension comprend au moins deux quadriples (diode, condensateur) en
chane, qui produisent une tension continue gale un multiple de tension de crte VC
dentre (2VC, 3VC, 4VC) prise aux bornes des diffrentes condensateurs.
Ces alimentations sont utilises surtout pour les installations tension leve et faible
courant, comme par exemple les alimentations des tubes cathodiques (les tubes - image des
rcepteurs TV, les oscilloscopes et consoles de visualisation dordinateurs).

1.3a - Doubleur de tension


Sur la figure 3, le doubleur de tension est form dun assemblage de deux quadriples (diode,
condensateur) en chane.

78

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

C1

D2

- VC +
D1

+
C2

2VC

RL

VS = 2VC

Fig. 3

1.3b - Tripleur et quadrupleur de tension


En ajoutant un quadriple et puis encore un autre quadriple, on obtient successivement le
tripleur (fig.4) et le quadrupleur (fig.5) de tension.
VS = 3VC
RL
C1

C3

- VC +
D1

- 2VC +
D3

D2
C2
- 2VC +

Fig.4

Expliquer le principe de fonctionnement du doubleur, du tripleur et du quadrupleur de


tension.
Vrifier comme prcdemment la tension de sortie.

Faire la simulation laide de WORKBENCH ou MULTISIM ou TINA.

79

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

C1

C3

- VC +

- 2VC +
D3

D2

D1

D4
C4

C2
- 2VC +

- 2VC +

RL
VS = 4VC

Fig.5

II. Manipulation
2.1. Daprs le schma lectrique de la figure 5, raliser le montage de linstallation
exprimentale en disposant les composants comme il est indiqu sur la figure 6 (exemple).

vers GBF

C1

C3

D1

D2

D3

C2

C4

masse
du GBF

masse
d'oscilloscope

Fig.6

80

D4

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.2. Faire vrifier le montage (par lenseignant).


2.3. Rgler les appareils :
2.3.1 Gnrateur de fonctions GFG-8020H (GBF) : signal de sortie sinusodal ;
frquence au voisinage de 500 Hz ; amplitude crte VC du signal de sortie 4 V
(ajuster dfinitivement laide doscilloscope).
2.3.2.Oscilloscope HM303-6 : fonctionnement en double voie ; mode de couplage
de la voie CH I et CH II DC ; position des lignes de base au milieu de lcran
(ajuster pendant la manipulation).
Remarque : Dans toutes les expriences la rsistance dentre de loscilloscope reprsente la
rsistance de charge avec RL = 10 M.

2.4. Exprience avec le circuit de restauration.


2.4.1. Relever le signal dlivr par le GBF (voie CH I) et encas de besoin ajuster la
valeur damplitude crte sur 4 V. Positionner la ligne de base (bouton Y-POS.I) au
milieu de lcran.
Remarque : Garder ce rglage durant toutes les expriences.
2.4.2. Relever le signal aux bornes de la diode D1 (voie CH II) et positionner la ligne
de base (bouton Y-POS. II) sur la mme ligne comme en 2.4.1.
2.4.3. Reproduire les signaux relevs sur le papier millimtr (oscillogramme N1) et
prciser tous les rglages. La figure 7 donne un exemple de la reprsentation des
rsultats de lexprience.

Oscillogramme N1. Restauration positive du signal

CH I : 5 VOLTS/DIV.
CH II : 5 VOLTS/DIV.
TEMPS/DIV : 1 ms

Fig.7

81

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.4.4. Retirer la diode D1 et la insrer dans la polarisation inverse.


2.4.5. Reproduire les signaux observs sur le papier millimtr (oscillogramme N2)
comme en 2.4.2.
2.4.6. Placer la diode D1 en polarisation directe comme le montre la figure 6.
2.4.7. Comparer les rsultats observs avec les rsultats thoriques dtermins en 1.1.
2.4.8. Faire une conclusion en attirant lattention sur la valeur de tension 2VC.

2.5. Exprience avec le circuit de dtecteur de tension crte crte


2.5.1. Relever le signal dlivr par le GBF (voie CH I) et le signal aux bornes du
condensateur C2 (voie CH II).
2.5.2. Reproduire les signaux observs sur le papier millimtr (oscillogramme N2)
comme sur 2.4c.
2.5.3. Comparer les rsultats obtenus avec les rsultats trouvs en 1.2.

2.6. Exprience avec le circuit de tripleur et quadrupleur de tension


2.6.1 Circuit de tripleur de tension
2.6.1.1. Dconnecter de la plaque perfore le cble de mesure de la voie CH I et la
dsactiver (bouton GD).
2.6.1.2. laide de la voie CH II de loscilloscope mesurer successivement la tension
aux bornes des condensateurs C1, C2 et C3.
2.6.1.3. Mesurer la tension de sortie VS.
2.6.1.4. Dessiner le schma (schma N1) du circuit de tripleur de tension et porter les
valeurs des tensions mesures aux bornes de chaque condensateur en prcisant la
polarit. Indiquer et prciser sur le schma N1 la valeur de tension de sortie VS.
2.6.1.5. En utilisant le multimtre numrique GDM 352A (rsistance dentre est 10
M) reprendre les mesures des tensions aux bornes de chaque condensateur ainsi que
la tension de sortie VS. Reporter les rsultats des mesures sur le schma N1.
2.6.1.6. Mesurer laide du multimtre la valeur efficace Veff de la tension dentre
dlivre par GBF. Calculer ensuit lamplitude crte VC = 1,41Veff.
2.6.1.7. Comparer les rsultats des mesures obtenus en 2.6.1b, 2.6.1c et 2.6.1e. En cas
de grande diffrence entre aux refaire toute la srie de mesure.

82

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.6.2 Circuit de quadrupleur de tension


2.6.2.1. laide de la voie CH II de loscilloscope mesurer successivement la tension
aux bornes des condensateurs C1, C2, C3 et C4.
2.6.2.2. Mesurer la tension de sortie VS.
2.6.2.3. Dessiner le schma (schma N2) du circuit de quadrupleur de tension et
porter les valeurs des tensions mesures aux bornes de chaque condensateur en
prcisant la polarit. Indiquer et prciser sur le schma N2 la valeur de tension de
sortie VS.
2.6.2.4. Reprendre les mesures des tensions aux bornes de chaque condensateur ainsi
que la tension de sortie VS en utilisant le multimtre numrique. Reporter les rsultats
des mesures sur le schma N2.
2.6.2.5. Comparer les rsultats des mesures obtenus en 2.6.2a, 2.6.2b et 2.6.2d. En cas
de grande diffrence entre aux refaire toute la srie de mesure.

III Conclusion gnrale (en quelques lignes)

83

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N11

FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION DUN


TRANSISTOR BIPOLAIRE
But
Mettre en vidence le comportement dun transistor bipolaire en fonctionnement de
commutation :
On commence par mesurer le S du transistor utilis en mode dite saturation dure.
On poursuit avec ltude de ce type de polarisation pour le transistor BC 140
(NPN) utilis comme interrupteur lectronique.
On fini avec du circuit de gnration dune tension en dents de scie.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 1 k 5% 1.4 W
Rsistance 10 k 1% 0.5W
Condensateur 1 F, 63 V
Diode luminescente rouge, LED
Interrupteur unipolaire
Transistor BC 140
Cavalier
Alimentation CC 015 V
Gnrateur de fonctions GFG-8020H
Oscilloscope analogique HM303-6
Cble de mesure BNC/fiche 4 mm
Connecteur BNC/fiche 4 mm
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu

57674
57744
57756
57815
57848
57913
57876
50148
52145

57524
531120
50145

1
1
1
1
1
1
1
3
1
1
1
2
1
2
1
5

I. Transistor comme linterrupteur lectronique.


Fonctionnement en commutation ( prparer avant TP)
Un transistor bipolaire peut fonctionner en commutation.
En effet, sur un rseau de caractristiques dun transistor bipolaire branch en metteur
commun, on peut distinguer les zones de fonctionnement suivantes (fig.1) :
- La rgion, qui entoure le point de repos Q0, correspond au rgime linaire normal,
cest celle que lon utilise comme amplificateur.

- 84 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Les deux extrmits de la droite de charge statique correspondent des rgimes non
linaires, ce sont ces deux rgions que lon utilise pour la commutation, le passage
dune rgion lautre tant trs rapide.

IC

IB
IB(mA)

VCC/RC

S
Q0
B
UCES

0,3
0,2
0,1
0,01
UCE

VCC

UBE
E0

a)

UBES
b)

Fig.1
Il est alors possible de raliser lun ou lautre des deux tats suivants :
-

Etat bloqu : si la tension base-metteur est infrieure au seuil E0, le courant de base
est nul (fig.1a). Comme le courant collecteur est galement nul, on a : IC 0 et UCE
0. Le point de fonctionnement est en B (fig.1a), le transistor est ltat bloqu.
Etat satur (de saturation) : si la tension base-metteur est suprieure au seuil E0, le
courant de base commence circuler, ce qui entrane le dplacement du point de
fonctionnement sur la droite de charge. Si le courant base a une valeur suffisamment
leve, le point de fonctionnement se fixe en S dans la partie sature (fig.1b), le
transistor est ltat satur.

Ainsi peut-on conclure :

En rgime de commutation, un transistor se comporte comme interrupteur.

On peut reprsenter les deux tats (ouvert et ferm) de cet interrupteur (fig.2a) en faisant
intervenir (pour ltat bloqu) le seuil E0 (fig.2b) et les tensions UBES et UCES (fig.2d)
correspondant ltat satur.
On sait, que le coefficient damplification en courant est plus faible dans la zone sature que
dans la zone linaire. Si min reprsente ce coefficient minimal, la saturation est bien ralise
si lon a : IB IC/min.
Lapplication principale de la commutation concerne la ralisation de portes logiques (NON,
OU, ET ainsi que les bascules RS, JK, DT) qui sont la base de linformatique.

- 85 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

La commutation lectronique permet aussi de raliser des relais statiques qui remplacent les
relais lectromagntiques.
Sur la base de commutation du transistor bipolaire on ralise des gnrateurs de tension en
dents de scie largement utiliss dans les circuits dalimentations des tubes cathodiques de
tlviseurs et de moniteurs dordinateurs.

IC
RB

IB B

RC
E

IE

VB

E0

V CC

U BES

a)

b)

UCES

c)

Fig.2

II. Etude exprimentale


2.1. Circuit dallumage dune LED

2.1.1. Daprs le schma de la figure 2, raliser sur la plaque perfore et faire vrifier
par lenseignant le montage simple pour allumer une LED rouge.
vers + V CC

vers + V CC

A
RB
RC

1 k

A
LED

RC

M1

1 k
+

+
+

M2

C
0

10 k

+
1

V M3

Fig.2

Fig.3

- 86 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.1.2. Mesurer le courant du circuit IC ainsi que la tension UAC aux bornes de la LED
pour deux positions (0 et 1) de linterrupteur K. Calculer la puissance utile du circuit :
Pu = IC UAC.
2.1.3. Dterminer les tats de la LED (obscure ou illumin) en fonction de la tension
UAC. Reporter dans le tableau 1 les rsultats dobservations et de mesures.
Tableau 1
Interrupteur K ferm (en 1)
IC
UAC

Interrupteur K ouvert (en 0)


IC
UAC
Etat de la LED

Etat de la LED

Puissance utile Pu

Puissance utile Pu

2.2. Transistor en mode de saturation


2.2.1. Soit le schma du circuit lectrique de la figure 3. On donne : RB = 10 k, RC =
1 k, VCC = 10 V, UBES = 0,8 V et S = 10 (saturation dure). Calculer IB, IC et UCE en
fonction de la position de linterrupteur K (0 et 1).
2.2.2. Raliser et faire vrifier par lenseignant le montage daprs le schma de la
figure 3 (lexemple dun montage correspondant est donn sur la figure 4).
2.2.3. Allumer la source de tension et ajuster E2 sur 10 V.
2.2.4. Mesurer les grandeurs IB (M1), IC (M2), UBE (M3) et UCE (M3) dtermines
prcdemment et reporter ces valeurs au tableau 2.
2.2.5. Conclusion.
Tableau 2
Etat

IB

Calculs
IC

UCE

IB

Mesures
IC
UBE

UCE

Bloqu
(K en 0)
Satur
(K en 1)

2.3. Transistor interrupteur


Afin de mettre en vidence le comportement dinterrupteur du montage prcdent il faut le
modifier.
2.3.1. Raliser et faire vrifier par lenseignant le montage daprs le schma de la
figure 5 (lexemple de disposition des composants sur la plaque perfore est donn
sur la figure 6).
- 87 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

E1

E2
0...15 V

5V
+

K
1

0
+
A
M1

RB

RC

1 k

+
M2 A

10 k

BC 140
+
M3 V

Fig.4

1
K

RB

RC
1 k

10 k LED
+

M1

+
M2

vers + VCC

+
V M3

Fig.5

- 88 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

E1

E2
0...15 V

5V
+

K
B

+
A
M1

RC

1 k

A
RB

+
M2 A

10 k

BC 140

+
V M3
E

Fig.6

2.3.2. Allumer la source de tension et ajuster E2 sur 10 V.


2.3.3. Pour deux positions de linterrupteur K (0 et 1) mesurer IB (M1), IC (M2) et UBE
(M3) et UAE (M3).
2.3.4. Reporter dans le tableau 3 les rsultats des mesures en prcisant ltat de la
LED (obscure ou illumin).
2.3.5. Calculer la puissance de commande : Pb = IBUBE et la puissance utile : Pu =
ICUAE.
2.3.6. Conclusion.

IB

Interrupteur K en position 0
IC
UBE
UAE
Pb Pu IB
Etat de la LED

Tableau 3
Interrupteur K en position 1
IC
UBE
UAE
Pb Pu
Etat de la LED

- 89 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.3.7. Modifier lgrement le montage prcdent (fig.6) comme cest indiqu sur la
figure 7 (ne pas brancher le condensateur C utilis dans un autre montage qui suit).
Dans ce montage le circuit de base du transistor est attaqu par un chelon de tension
carr E dlivr par le gnrateur GBF.
2.3.8. Brancher le GBF et slectionner le signal carr de la frquence denviron
quelques Hz et damplitude maximale.
2.3.9. Observer le clignotant de la LED. Explication ?
2.3.10 Allumer loscilloscope et positionner les calibres de la voie CH I sur 10 V/DIV
et CH II sur 5V/DIV (pralablement) ; le bouton de base de temps est pralablement
sur 0.1 s/DIV.
2.3.11. Disposer les lignes de base de CH I et CH II de telle faon pour quon puisse
bien visualiser les deux signaux : de lentre (la sortie du GBF) et de la sortie (tension
UCE).
2.3.12. Reproduire les signaux sur loscillogramme N1 en prcisant ltat de la LED.
Explication ?

vers GBF
masse +

E1

CH I CH II

5V
+

E2
0...15 V
-

K
0

1
RC

RB

1 k

10 k

BC 140
C

Fig.7

- 90 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.4. Transistor commutateur de courant


Une autre utilisation lmentaire du transistor en commutation est le montage en commutateur
de courant.
Dans le circuit de la figure 8 le condensateur C se charge en absence de la tension sur la base
du transistor. Lapparition de la tension de saturation UBES provoque une dcharge brutale du
condensateur C par le courant de la jonction collecteur-metteur.
0
vers GBF

vers + VCC

RB

10 k

1 k

Fig.8
2.4.1. Reprsenter la phase de la charge et de la dcharge du condensateur C.
Rappel : La tension aux bornes dun condensateur C durant le chargement varie comme suit :

t
u (t ) E 1 exp( ) avec 1 = R1C et
1

celle durant le dchargement est : u (t ) E exp(

) o 2 = R2C.

2.4.2. Brancher le condensateur C (reprsent par les lignes interrompus -courtes sur la
figure 7) entre le collecteur et lmetteur du transistor (LED na pas pratiquement
dinfluence sur le phnomne tudier).
2.4.3. Ajuster le GBF sur 200 Hz et observer le signal aux bornes du condensateur C
(ajuster correctement la base de temps et le calibre de la voie CH II). Reprsenter le
signal obtenu sur loscillogramme N2.
2.4.4. Varier la frquence du signal dentre (500 Hz, 1 kHz et 2 kHz) en prsentant
pour chaque frquence le signal de sortie correspondant (comme dans le cas
prcdent).
2.4.5. A partir de la quelle frquence du GBF la tension aux bornes du condensateur C
varie presque linairement ? On obtient un signal quon appelle le signal en dents de
scie.

III. Conclusion gnrale (en quelques lignes).


- 91 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

TP N12

AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR BIPOLAIRE:


CIRCUIT DE PRINCIPE
But
1. La conception du circuit de principe dun amplificateur classe A en metteur commun.
2. Vrification exprimentale de fonctionnement de cet amplificateur.

Matriel
Plaque perfore DIN A4
Rsistance 680 2 W
Rsistance 47 k 1% 0.5 W
Transistor BC 140
Alimentation CC 015 V
Multimtre analogique
Multimtre numrique GDM 352A
Cavalier
Oscilloscope analogique HM303-6
Gnrateur de fonctions GFG-8020H
Cble de mesure BNC/fiche 4 mm
Connecteur BNC/fiche 4 mm
Paire de cbles 50 cm, rouge/bleu

57674
57742
57764
57876
52145
531120
50148

57524
50145

1
1
1
1
1
2
1
6
1
1
2
1
6

I. Conception du circuit en question ( prparer avant

TP)

La figure1 donne un exemple damplificateur transistor bipolaire soumis aux


fonctionnements statique et dynamique. Il sagit dun circuit de principe que lon a simplifi
afin den faciliter ltude. Dune part, on dterminera les conditions de fonctionnement dans
le rgime statique qui est impos par les deux sources de courant continu VB et VCC, et
dautre part, on analysera le fonctionnement dynamique impos par le gnrateur de tension
sinusodale e(t). Cela permettra dtablir et de montrer comment sutilisent les schmas
quivalents dans ces deux rgimes de fonctionnement.
On donne : UBE = 0,6 V, = 100, UT = 26 mV, e(t) = Emsint, avec Em = 1 V.

- 92 -

V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

RC

680

RB
VCC

47 k
VB

15 V

5V

e(t)

Fig.1

1.1. Etude en rgime statique (cest--dire pour e(t) = 0).

1.1.1. Calculer lintensit IB0 du courant de base.

1.1.2. En dduire les coordonnes du point de repos Q0 (UCE0, IC0).

1.1.3. Tracer la droite de charge statique dans le plan IC(UCE) et porter le point Q0 .

1.2. Etude du rgime dynamique.


1.2.1. Dcrire un modle linaire simplifi du transistor pour rsoudre les problmes
de petits accroissements.
1.2.2. Dterminer les amplitudes des variations iB(t), uBE (t), iC(t) et uCE(t).
1.2.3. Donner le schma quivalent du circuit dans ce rgime de fonctionnement.
1.2.4. En dduire les expressions des gains en tension intrinsque et composite.

DIRECTIVES DE CONCEPTION :
1. Rgime statique
a Calcule de IB0 :
Lquation de la maille dentre permet de dterminer IB0 :
VB = RBIB0 + UBE IB0
b Point de repos Q0 :

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

La maille de sortie du circuit permet dcrire :


VCC = RCIC0 + UCE0 avec IC0 = IB0 UCE0
c Droite de charge statique :
Lquation prcdente permet dcrire celle de la droite de charge statique :
I

V
1
U
CC
CE R
R
C
C

2. Rgime dynamique
a Modle linaire simplifi du transistor
Le point de repos Q0 est dfini par lensemble des grandeurs lectriques caractrisant le
transistor en labsence des signaux amplifier. On affecte ces grandeurs de lindice 0 : IB0,
IC0, UCE0. Les accroissements sont les variations de ces grandeurs lectriques par rapport au
point de repos Q0. On les dsigne par la lettre : IC, UBE , UCE etc.
Soit un point de repos Q0 dtermin par le couple de grandeurs (IC0, UBE0). Le modle du
transistor en fonctionnement normal direct peut tre linaris lorsquon considre des
accroissements. En particulier la relation entre les accroissements de courant command et la
tension de commande devient :
IC = gmUBE,
o
U
I S exp BE 0
dI C
UT
I
gm
U CE Cte g m
C0
(1)
dU BE U
UT
UT
BE 0

Donc gm est la conductance de transfert du transistor.


La relation entre les accroissements du courant command et les accroissements du courant de
commande reste aussi linaire :
IC = IB
Le paramtre rB correspond la rsistance dynamique de la jonction base-metteur a pour
expression :
U
I S exp BE 0
U
I
dI B
UT
U
1
I B I BS exp BE avec I BS S dont on dduit:

rB T
UT

rB dU BE U
UT
IC 0
BE 0

b Amplitudes des signaux alternatifs :


Lquation de la maille dentre dans les rgimes statique et dynamique scrit :
VB + e(t) = RBIB0 + UBE0 +RBiB(t) + uBE(t)
On en dduit lquation se rapportant au seul rgime dynamique :
e(t) = RBiB(t) + uBE(t) = (RB + rB)iB(t)

(2)

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Le terme rB reprsente la rsistance dynamique de la jonction base-metteur polarise en


directe avec une intensit IB0 calcule prcdemment. Donc :
i B (t )

e (t )
RB rB

avec rB

UT
I C0

La valeur crte de iB(t) est alors :


iB m

Em
RB rB

La valeur crte des variation uBE(t) de la tension base-metteur : uBE(t) = rB iB(t), do

uBEm = rBiBm
Valeur crte des variation iC(t) du courant de collecteur : iC(t) = iB(t), do

iCm = iBm
Dans les rgimes statique et dynamique, lquation de la maille de sortie scrit :
VCC = RC(IC0 + iC(t)) + UCE0 + uCE(t) = RCIC0 + UCE0 + RCiC(t) + uCE(t)
Lquation du rgime dynamique est par suite :
0 = RCiC(t) + uCE(t)

(3)

do :

uCE(t) = - RCiC(t)

et : uCEm = - RCiCm

c Schma quivalent

RB

e(t)

iB(t)

rB

uBE(t)

E
Fig.2 Schma quivalent relatif lquation
de la maille dentre

iC(t)

RC

uCE(t)

E
Fig.3 Schma quivalent relatif lquation
de la maille de sortie

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Les figures 2 et 3 reprsentent les schmas quivalents correspondant aux quations (2) et (3).
Lassociation de ces deux circuits donne le schma quivalent de cet tage amplificateur
(fig.4).
RB

e(t)

iB

rB

uBE

iC = iB
= gmuBE

RC

uCE = vS

E
Fig.4 Schma quivalent du circuit en rgime dynamique des faibles signaux

Les relations (2) et (3) permettent de ne plus reprsenter la variable t dans les critures. La
variation uCE = vS constitue la tension de sortie dynamique de lamplificateur (pour cet
exemple).

d Gains en tension intrinsque et composite


Par dfinition, le gain intrinsque av est donn par la relation :
av

vS
iC
RC
u BE
u BE

En remplaant iC par iB et iB par le rapport uBE/rB , on peut exprimer av. Cependant, le gain
en courant est caractris par trs forte dispersion. Il est prfrable dexprimer le gain
intrinsque en fonction dune grandeur que lon peut rendre indpendante de . Il sagit de la
grandeur gm dtermine par lexpression (1). Ainsi :
IC 0
IC 0
1
iC i B
u BE
u BE
u
g m u BE
rB
UT
U T BE
do :
a v RC

g m u BE
RC g m
u BE

On retrouve ce rsultat en faisant le rapport des accroissements uCE et uBE (vrifier).


Par dfinition, le gain en tension composite correspond au rapport :

Av

avec :

vS
vS u BE
u BE

av
Em
u BE Em
Em

u BE
rB

Em
rB RB

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

Le rapport uBE/Em est dit facteur dattnuation dentre. Il pnalise le gain composite Av,
dont la valeur infrieur au gain intrinsque av.
Le facteur dattnuation dentre dpend de rB et donc du gain en courant . Le gain en
tension Av de ce circuit metteur commun est donc sensible la dispersion sur ce paramtre.

II. Etude exprimentale


2.1. Montage de polarisation du transistor

2.1.1. Raliser le montage de la figure 5 daprs le schma lectrique reprsent sur la


figure 1. Ici : M1 et M2 sont les multimtres analogiques et M3 est le multimtre
numrique.
Remarque : Dans cet exprience on nutilise pas le gnrateur de courant alternatif e(t).
2.1.2. Faire vrifier le montage par lenseignant.

E1

E2
0...15 V

5V
+

RB

M1
+

M2

RC
680

47 k
B

BC 140

C
+
V M3

Fig.5
2.1.3. Allumer la source de tension et ajuster la tension VCC sur la valeur de 15 V.
2.1.4. Mesurer les courants IB0, IC0 et la tension UCE0 et UBE0. Reporter dans le tableau
1 les rsultats de mesures.

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.1.5. Complter le tableau 1 en reprsentant les valeurs thoriques de IB0, IC0 et UCE0.
2.1.6. Porter le point de repos Q0 dtermin exprimentalement sur la droite de charge
statique et sel thorique.
2.1.7. Comparer les rsultats et faire la conclusion.

Tableau 1

IB0 (mA)

Circuit de polarisation du transistor : point de repos Q0


Thorique
Mesure
IC0 (mA)
UCE0 (V)
IB0 (mA) IC0 (mA) UBE0 (V) UCE0 (V)
M1
M2
M3
M3

2.2. Montage amplificateur metteur commun


2.2.1. Modifier lgrement le montage prcdent comme montre la figure 6. Voire
aussi le schma lectrique de la figure 1. Identifier les appareils utiliss et leur rle.
2.2.2 Faire vrifier le montage par lenseignant.
E1
5V
+

GBF
+

RB

C
B

47 k

BC 140

E2
0...15 V
-

RC
680

CH I CH II

Fig.6

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V.Tourtchine. COMPOSANTS ELECTRONIQUE. Travaux pratiques.

2.2.3. Ajuster le gnrateur GBF : slectionner le signal sinusodal et positionner


RANGE sur 1 kHz; tirer le bouton AMPL (attnuation 20 dB).
2.2.4. Allumer le gnrateur GBF et loscilloscope.
2.2.5. laide de loscilloscope (voie CH I en mode AC, calibre 1 V/DIV.) rgler
lamplitude du signal dentr (tension de sortie du GBF) sur la valeur 1 V. Observer
ce signal sur la deuxime ligne au-dessus sur lcran doscilloscope.
2.2.6. Sur la voie CH II (mode AC, calibre 1 V/DIV.) observer et mesurer la tension
entre le collecteur (C) et lmetteur (E) uCEm. Positionner la ligne de base pour ce
signal sur la deuxime ligne au-dessous sur lcran doscilloscope.
2.2.7. Reporter les deux signaux observs sur loscillogramme N1 dans lchelle bien
choisi.
2.2.8. Connecter la voie CH I avec la base (B) du transistor et mesurer la tension de
base uBEm.
2.2.9. Reporter les deux signaux observs sur loscillogramme N2 dans lchelle
appropri.
2.2.10. Remplir le tableau 2 en reportant les rsultats de calculs thoriques.
Tableau 2
Analyse en alternatif : gain en tension
Mesure
Em
(V)
CH I

uBEm

uCEm

(V)
CH I

(V)
CH II

av

Av

uBEm

Thorique

uCEm

av

Av

2.2.11. Enfoncer le bouton AMPL du GBF et le positionner sur lindication MIN.


2.2.12. laide de loscilloscope (voie CH I et CH II en mode AC, calibre 2 V/DIV.)
observer le signal dentr venant de la sortie du GBF et le signal aux bornes du
collecteur et metteur (signal de sortie) au fur et au mesure daugmentation du signal
dentre (rgler lamplitude du signal dentre progressivement de 1 V jusqu
lapparition de la distorsion, puis lcrtage du signal de sortie).
2.2.13. Expliquer pourquoi le signal de sortie commence se dformer partir de
certaine tension du signal dentre ?

III Conclusion gnrale (en quelques lignes)

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