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Amplificadores Byron.
de pequea
seal con BJT
Martnez, Romero Diego y Vargas Juan.
Dept. Electric and Electronic Engineering
Universidad Nacional de Colombia
Bogot, Colombia
{bdmartinezm, diaromerori, jufvargasco}@unal.edu.co

Abstract The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a three

terminal device that could be used in many applications like
signal amplification or digital circuits. The BJTs have an
advantage comparing with MOSFETs and is that they have a
better amplification and also the reliability of this kind of devices
under severe environmental conditions. In this practice we design
the three possible configurations to amplify a signal using BJTs,
also we see the main properties of each configuration and some
parts of their frequency response.

1) Amplificador de emisor comn sin

degeneracin
Este amplificador se caracteriza por ser un excelente
amplificador.
En la figura 1, se muestra el modelo de amplificador en
pequea seal de emisor comn sin degenerar.

Index Terms Ancho de banda , Amplificador de base comn,

Amplificador de colector comn, Amplificador de emisor comn
degenerado y sin degenerar, Ganancia, Impedancia de entrada,
Impedancia de salida.

I.

INTRODUCTION

L
os transistores de unin bipolar o BJT a pesar de poseer ciertas
desventajas con respecto a otro tipo de dispositivos, han sido
fundamentales en el desarrollo de la electrnica moderna.
Adems de su utilidad en circuitos lgicos y dispositivos que
actan como interruptores, son elementos fundamentales en la
electrnica analgica, dado que permiten realizar la
amplificacin de seales, ofreciendo ganancias que a otros
dispositivos les resulta imposible. Por tal motivo es de vital
importancia en el trabajo electrnica conocer las diferentes
configuraciones de polarizacin y sus caractersticas
fundamentales y as poseer fundamentos slidos a la hora de
escoger, disear e implementar un circuito. El presente
laboratorio muestra cuatro topologas fundamentales de los
transistores BJT y a travs de un anlisis de pequea seal,
permite conocer sus caractersticas de ganancia, impedancia y
ancho de banda, las cuales son medidas y verificadas de
manera prctica.

Fig.1. Tipologa de emisor comn sin degenerar

Dnde; V1: representa la fuente de la seal que se quiere amplificar (seal
pequea) y Rs: resistencia de salida de la fuente V1.

Para obtener las expresiones de la ganancia del

amplificador, as como las resistencias de entrada y salida, se
remplaza el transistor por el modelo equivalente para seal
pequea. De esta manera se llega a las ecuaciones (1), (2) y
(3).
La ecuacin (1) corresponde a la expresin para la
ganancia, (2) la resistencia de entrada, vista por el generador,
y (3), la resistencia de entrada vista por la carga para un
emisor comn sin degenerar.

Av o =

Vo ( R B r )
=
gm( r o RC Rl ) (1)
Vi ( R B r ) + Rs

II. MARCO TERICO

A. Amplificador de emisor comn
La configuracin de emisor comn es la ms utilizada de
todos los circuitos amplificadores ya que dependiendo de la
tipologa se puede lograr ganancias de voltaje de unos
cientos. Sin embargo, la respuesta de alta frecuencia del
amplificador puede ser bastante limitada [1].

Rin=( R B r ) ( 2 )
Rout=( R C r o ) ( 3 )
Dnde: R B : representa el paralelo
r :representa la resistencia de entrada

de las resistencias de base,

del modelo del BJT,

2) Amplificador de emisor comn con

degeneracin

ro

representa la resistencia de salida del modelo del BJT, gm: es la

transconductancia.

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Este amplificador se caracteriza por tener una buena
respuesta en frecuencia, pero por tener ganancias de voltaje
muy bajas.
En la figura 2, se muestra el modelo de amplificador en
pequea seal de emisor comn con degeneracin.

Fig.3. Tipologa de base comn.

Fig.2.Tipologa de emisor comn con degeneracin

Al igual que el amplificador con emisor comn sin
degenerar, las expresiones de ganancia, resistencias de entrada
y salida del amplificador se obtienen remplazando el modelo
de pequea seal, como el de la figura 2, y por medio de
tcnicas de anlisis de circuitos encontrar las expresiones
deseadas. Estas expresiones se muestran en las ecuaciones (5),
(5) y (6).
En la ecuacin (4) corresponde a la expresin para la
ganancia, (5) la resistencia de entrada, vista por el generador,
y (6), la resistencia de entrada, vista por la carga para un
emisor comn degenerado.

Av o =

( r oR E )R ' L
r ( R ' L + R E +r o) + R E (R' L + r o ( +1))

( 4)

R' L + ( +1 )r o ]R E
[
Rin=r +
(5)

R ' L + R E +r o

Una caracterstica importante del amplificador de base

comn es que no posee ganancia de corriente sino una
ganancia positiva de voltaje, sin embargo este amplificador
presenta un problema y es que la ganancia depende de la carga
como se puede apreciar en la ecuacin (7), donde se desprecia
para el clculo la resistencia ro, ya que al usar la resistencia ro,
la expresin es bastante larga.

A v=

( RC RL)
(7)
RB
+
( +1)

Como se puede ver en la frmula de ganancia, el paralelo de

la resistencia de colector con la resistencia de carga afecta
directamente la ganancia.
Ahora para calcular la impedancia de entrada para este tipo
de amplificador, podemos usar la ecuacin (8) que aproxima a
un valor cercano de la resistencia, ya que no se tiene en cuenta
el valor de ro para el clculo.

Z =+

RB
(8)
( +1)

Finalmente la expresin que describe una aproximacin

para la impedancia de salida es como en muestra en (9):

RC ( R E +r o )[( r + R B ) + ( +1 )R E r o ]

Z out =Rc(9)
( 6)
r
+
R
R
+
R
+r
+
R
[R
+
(

+1
)
r
]
( B) ( C E o) E C
o
Una caracterstica especial del amplificador de base comn
Dnde: R B representa el paralelo de las resistencias de base, r
consiste en su utilidad para operaciones en alta frecuencia,
:representa la resistencia de entrada del modelo del BJT, r o : representa
esto gracias a que la base separa la entrada de la salida,
Rout=

la resistencia de salida del modelo del BJT, gm: es la transconductancia, :

ganancia de corriente de emisor comn.

B. Amplificador de Base Comn

El amplificador de Base comn se caracteriza por tener una
baja impedancia de entrada, eso puede ser un problema
cuando el generador de seales tiene una impedancia de
salida alta ya que la seal, o en su defecto la mayora de la
seal, puede caer en el generador de seales causando que el
amplificador no funcione de forma correcta. A continuacin se
muestra el esquemtico de un amplificador de base comn:

minimizando de esta forma las oscilaciones a alta frecuencia

[2].
C. Tipologa de colector comn
Teniendo en cuenta que una de las principales
aplicaciones para los transistores de unin bipolar es la de
funcionar como amplificador, es necesario, una vez que se
obtuvo una ganancia de tensin adecuada, entregar a la
carga una potencia considerable. Esto, dependiendo de la
impedancia total de la carga conectada a la salida del
amplificador, puede realizarse conectando un circuito que

3
posea una impedancia de salida muy baja en comparacin
con sta. El circuito de colector comn es ideal para tal fin,
dado que, aunque su ganancia de tensin es siempre menor
que 1, la impedancia de salida puede ser ajustada para ser
de algunos ohmios, lo cual implica que la corriente
entregada a la carga ser alta y, por consiguiente, si la
ganancia de tensin no decae de manera considerable, la
ganancia neta de potencia ser considerablemente alta.
El modelo de colector comn se muestra en la figura 4.

D. Diseos para la prctica experimental

1) Amplificadores de emisor comn
Se pretende disear dos amplificadores de pequea seal
de emisor comn, uno sin degenerar y otro degenerado, las
topologas se muestran en la figura 1 y 2 respectivamente.
Los requerimientos de la polarizacin son los siguientes:
Ic=3.5 [mA] y V_BE=8.5 [v].
Para cumplir los requerimientos, se debe cuadrar el punto
de polarizacin adecuadamente. En la figura 5, se muestra
el amplificador polarizado para cumplir los requerimientos.

Fig.4. Tipologa de colector comn

Realizando el anlisis de pequea seal mediante el

modelo pi, podemos obtener frmulas para impedancia de
entrada (es decir la impedancia vista desde la base del
transistor, incluyendo las resistencias de polarizacin),
impedancia de salida (impedancia vista desde el emisor,
donde finalmente se conectar la carga) y la ganancia de
tensin de esta configuracin que siempre es menor a 1 para
la topologa colector comn utilizada en la prctica, la cual
se muestra en la Figura 4. Las citadas frmulas se
encuentran transcritas en las ecuaciones 10,12, 15
respectivamente.

Z =Rt h RB ( 10)
RB =( gmR'L + R'L +r ) (11)
Z out =

R 'L' (R'B +r )
(12)
g m R'L' r + R 'B +2 r

R'L' =r o R E (13)
R'B =Ri R E (14)
g
'

m
r
+1
(
) R L +r (15)

Z R B
( gm r +1 ) R'L
R + R R B
A v= i t h

Fig.5.Configuracin de emisor comn con degeneracin

El amplificador de emisor comn sin degeneracin es igual

al mostrado en la figura 5, pero agregando un condensador
de acople entre emisor y la referencia.
2) Amplificador de base comn.
La ganancia de voltaje debe ser de 6 V/V. Para realizar el
diseo del amplificador es necesario usar el modelo hbrido
en baja frecuencia, adems se asume la resistencia de emisor
de 1 K y la resistencia de base 1 con un valor de 10 K,
adems, como es preciso que el transistor trabaje en zona
activa, se debe garantizar que el voltaje VCE se encuentre en
un valor de la recta de carga de tal forma que no pase en
ningn momento a saturacin ni a corte cuando se amplifique
la seal, de esta forma se escoge el voltaje VCE deseado con
un valor de 6V, es decir en la mitad del voltaje VCE posible.
Una vez fijados estos valores, se plantean las ecuaciones
para la polarizacin y para el modelo hbrido de pequea seal
y se obtienen los siguientes resultados para las resistencias:
RC=363.303
RB2=7.46491 K
Como esos valores no son exactos, es necesario normalizar
las resistencias con el estndar E24, es decir, se usan los
siguientes valores de resistencia:
RC=390
RB2=6.8 K

4
El circuito utilizado en la prctica se puede apreciar en la
figura 6.

Figura 6. Amplificador de base comn usado en la prctica.

El punto de polarizacin, se grafica en la recta de carga que

se obtiene de la ecuacin (16).

V CE =121.3924 K IC ( 16)

III. MEDICIONES EXPERIMENTALES

En la presente prctica se realizaron cuatro medidas
fundamentales para cada topologa con transistor BJT,
ganancia de tensin, impedancia de entrada e impedancia de
salida y ancho de banda.
El procedimiento utilizado para encontrar la ganancia de
tensin fue la medicin simultnea de tensiones de entrada y
de salida mediante el osciloscopio.
Para la impedancia de entrada se realiz un divisor de
tensin alimentado con el generador de seales que incluye un
trimmer y la impedancia de entrada del circuito a medir. Se
realiza la medicin de la seal del generador sin carga alguna
y luego se mide la tensin sobre la entrada del transistor y se
vara el trimmer hasta lograr que la tensin sea la mitad de la
medida inicialmente sin carga. De esta forma el trimmer
poseer el valor hmico de la impedancia de entrada.
La impedancia de salida se mide de una forma similar a la
anterior. Se ubica una seal de entrada al amplificador y en la
salida de ste, se ubica el trimmer como carga nica del
circuito. Se modifica el valor hmico hasta lograr una seal
que sea de la mitad del valor de la tensin sin carga y de esta
forma el trimmer posee la misma impedancia que la de salida
del circuito.
Tabla I
Mediciones y clculos para la configuracin emisor comn

Figura 7.Punto de polarizacin en la recta de carga.

Como se puede observaren la figura 7, el punto de

polarizacin fue escogido de tal forma que no se acerque
mucho ni al punto de corte, ni al punto de saturacin del
transistor una vez sea amplificada la seal.
3) Amplificador de colector comn
En la figura 8 se muestra el amplificador diseado.

Tipo

Ganan
cia

Rin

Rout

Ancho
de
Banda

Ganancia
Impedanci
a de
Entrada
Impedanci
a de Salida
Ancho de
banda

-8,59
4,7

2023
3.33k

61,8
30.3

N/A
1.5 KHz12.5 MHz

-0,067

367.374

62

N/A

-0,7

800

32

10 Hz25.2 MHz

Los valores calculados mediante las ecuaciones descritas

con anterioridad y los valores medidos de ganancia,
impedancia de entrada y de salida se muestran en las tablas I,II
y III. Igualmente cabe considerar que los clculos de ancho de
banda no se incluyen dado que su anlisis terico no es objeto
del presente curso.
Tabla II
Mediciones y clculos para la configuracin base comn

Ganancia
Impedancia de
Entrada
Impedancia de
Salida
Ancho de banda

Valor Terico

Valor Medido

6.3629
5.7537

11.632
N/A

389.09

380

N/A

830 Hz-1 MHz

Fig. 8. Circuito de colector comn utilizado en la prctica

Cabe resaltar que en el amplificador de base comn la

impedancia de entrada es muy pequea, por consiguiente no se

5
pudo obtener el valor para la impedancia de entrada sino solo
el valor de la impedancia de salida.

Tabla III
Mediciones y clculos para la configuracin colector comn

Ganancia
Impedancia de
Entrada
Impedancia de
Salida
Ancho de banda

Valor Terico

Valor Medido

0,93
26,3 K

0,981
21,3 K

7,21

22,5

Fig.11. Simulacin amplificador emisor comn sin degenerar

N/A

100Hz-1MHz

A partir de la Fig.11, se puede calcular la ganancia de la

simulacin para el amplificador de emisor comn sin
degenerar, haciendo la divisin entra la seal de entrada al
amplificador y la tensin sobre la carga se obtiene una
ganancia de -7.24 [V/V].
A partir de la Fig.12, se puede calcular la ganancia de la
simulacin para el amplificador de emisor comn con
degeneracin, haciendo la divisin entra la seal de entrada al
amplificador y la tensin sobre la carga se obtiene una
ganancia de -0.0667 [V/V].

IV. ANLISIS DE RESULTADOS

A. Emisor comn
En la tabla I, se observa que los datos tericos difieren un
poco respecto a los valores experimentales. Probablemente,
estemos omitiendo algunos fenmenos fsicos que no se
consideran en los modelos tericos. Como por ejemplo el
efecto Miller. Sin embargo, para el amplificador con
degeneracin los resultados coincidieron mucho ms.

Fig.12. Simulacin amplificador emisor comn con degeneracin

Fig.10.Seal de entrada y salida del amplificador de emisor sin

degeneracin.

Por otra parte, debido a los requerimientos de polarizacin

para este amplificador sin degeneracin. El transistor no puede
amplificar una seal mayor a 15 mv, ya que el transistor entre
en corte. Probablemente, eso afecte de manera significativa el
comportamiento del mismo.
En la figura 11 y 12, se muestran las simulaciones para el
emisor
comn
sin
degeneracin
y
degenerado
respectivamente.

El comportamiento en las simulaciones del emisor comn,

mostradas en las figuras 11 y 12, es mucho ms parecido a los
resultados experimentales. Lo que implica que efectivamente,
un fenmeno fsico, externo o no, est afectando las
mediciones de laboratorio. Uno de esos fenmenos es el ruido.
Los resultados de las simulaciones para el amplificador con
degeneracin, nuevamente igual que los tericos son muy
aproximados a los resultados experimentales.
Otra observacin importante es que el ancho de banda para
el amplificador degenerado es muy bueno, pero a cambio se
pierde ganancia.
B. Base comn
En la figura 13, se muestra la grfica obtenida en el
osciloscopio. Ah se puede observar la amplificacin del BJT.

6
Algunos de estos resultados pueden ser confirmados con la
simulacin en OrCAD, donde la ganancia total da 11.289 V/V
como se puede ver a continuacin:

Figura 13. Grfica obtenida para el amplificador de base comn.

Se puede observar, en la tabla 2, que aunque los valores se

desvan un poco de lo esperado, el diseo funciona para la
prctica, ya que la ganancia se desva en un 6.04% de lo
esperado y el voltaje se mantiene en un valor de la recta de
carga en donde se garantiza que el transistor no va a entrar en
saturacin ni en corte.
Un hecho bastante importante para resaltar es que la
impedancia de entrada para el amplificador de base comn es
bastante pequea, es decir casi 10 veces ms pequea que la
impedancia de salida del generador de seales normalmente
usado. Por ello, en la prctica, al conectar directamente el
amplificador al generador de seales, la mayora de la seal se
cae en el generador de seales, impidiendo que sea realizada
de forma correcta la amplificacin deseada.
Por consiguiente, es necesario usar un acople de
impedancias con una etapa de colector comn antes de
conectar el amplificador de base comn. Donde el
amplificador de colector comn tiene una ganancia de 0.981
V/V y una impedancia de salida de 22.5, en este caso la
impedancia del amplificador de base comn sigue siendo ms
pequea que la impedancia de salida del amplificador de
colector comn, gracias a un divisor de tensin podemos ver
que en el amplificador de base comn est entrando 0.45 veces
la seal que sale del otro amplificador, sin embargo la
ganancia del amplificador de base comn tambin se modifica
gracias a que cambia la resistencia de entrada, un resumen de
esto se puede apreciar a continuacin, donde AVCC es la
ganancia del amplificador de colector comn, AVAI es la cada
de tensin debido al acople de impedancias, AVBC es la
ganancia del amplificador de base comn y finalmente AVT es
la ganancia total:

A VCC =0.981
A VAI =

5.7537
=0.45114
5.7537+22.5

A VBC =25.8348
A v total=

Vo
= AVCC AVAI A VBC =11.4337
Vi

Fig.14. Simulacin del amplificador de base comn en OrCAD

Ahora, hay que tener en cuenta que la ganancia es diferente

a los 6 V/V del diseo, sin embargo realizando los ajustes
previamente mencionados, por el acople de impedancias y la
ganancia del amplificador de colector comn, se obtiene que
el error porcentual entre el valor terico y el valor obtenido en
el laboratorio es:

Error porcentual=

11.63211.4337
100=1.735
11.4337

Donde se puede ver que el error porcentual es pequeo y se

considera que est dentro del margen de error permitido para
los resultados, ya que si observamos ste error es menor al que
solo se obtiene con los valores de las resistencias que es del
5% segn las especificaciones del fabricante.
Otra parte del anlisis consiste en observar que al contrario
del amplificador de emisor comn, el amplificador de base
comn no invierte la fase de la onda de entrada, esto est
relacionado con las uniones pnp del transistor y el hecho de
que la seal de entrada vaya del emisor a la base y no de la
base al emisor como en el caso del amplificador de emisor
comn.
Ahora al comparar el ancho de banda del amplificador de
emisor comn con el amplificador de base comn, segn la
teora el ancho de banda del amplificador de base comn tiene
un ancho de banda mayor que el de emisor comn debido a
que no existe efecto Miller en el amplificador de base comn,
ya que el efecto Miller aparece en los amplificadores
inversores de voltaje debido a la amplificacin de la
capacitancia entre los terminales de entrada y salida [3].
Finalmente podemos comparar las impedancias de entrada
entre los amplificadores de emisor comn y base comn, a
simple vista resulta obvio que la impedancia de entrada del
amplificador de base comn es mucho ms pequea que la del
emisor comn, es decir la de base comn da en el orden de ,
muy pequea, a comparacin del de emisor comn que da en
el orden de K, sin embargo algo que compensa esa baja
impedancia de entrada en el amplificador de base comn es su
buen ancho de banda as como su buena respuesta en altas
frecuencias.

7
C. Colector Comn
De la tabla 1 podemos observar que la ganancia, salvo un
pequeo error, concuerda visiblemente con lo calculado, al
igual que la impedancia de entrada. La impedancia de de
salida presenta un notorio incremento en el valor medido,
debido a que su medicin se realiz sobre una seal de
apenas 50 mV que apenas poda distinguirse del ruido
electromagntico del laboratorio, que en ciertos momentos
alcanza niveles que impiden totalmente la medicin de
pequeas seales.
La figura 15, muestra las seales de entrada y salida de
transistor obtenidas mediante un osciloscopio. Es de
considerar que la amplitud de la seal de entrada tuvo que
ser incrementada ostensiblemente con el fin de minimizar el
efecto
del
ruido
electromagntico
mencionado
anteriormente. An con el incremento de magnitud de la
entrada, las dos seales (entrada y salida) son casi
indistinguibles debido a que la ganancia se acerca a la
unidad y al ruido de las ondas.

Los amplificadores de emisor sin degenerar pueden

proporcionar una ganancia voltaje de cientos. Por otra parte
los amplificadores con degeneracin tienen baja ganancia,
pero responden de manera excelente en altas frecuencias.
Los modelos tericos para el amplificador con emisor
comn degenerado se aproximaron de buena manera a los
resultados experimentales.
Los amplificadores de base comn poseen bsicamente dos
desventajas en comparacin con los otros dos tipos de
amplificadores; la primera consiste en la baja impedancia de
entrada, este problema puede ser solucionado con una etapa de
acople de impedancias puesta en la entrada de este
amplificador; la segunda desventaja consiste en el hecho de
que la ganancia del amplificador depende de la carga, eso
puede ser un problema a la hora de disear ya que en caso de
que cambie la carga, el amplificador no funciona de la misma
forma en que se dise.
A pesar de las desventajas del amplificador de base comn,
este tipo de amplificador posee una ventaja que consiste en
que tiene mayor ancho de banda en comparacin con el
amplificador de emisor comn, adems el amplificador de
base comn tiene buena respuesta en operaciones a altas
frecuencias ya que la base separa la entrada de la salida lo que
minimiza las oscilaciones a altas frecuencias.
El estudio de pequea seal se hace complicado en
ambientes con un gran ruido electromagntico dado que
obtener medidas exactas de una seal que es equiparable con
el ruido ambiental es casi imposible.

Fig. 15. Seales de entrada y salida de la configuracin colector comn

obtenidas en el osciloscopio.

Igualmente la medicin del ancho de banda posee una

incertidumbre alta, dados los errores introducidos por el ruido
al tratar de medir una seal.
V. CONCLUSIONES
Es fundamental, a la hora de realizar el diseo de circuitos
amplificadores utilizando transistores bipolares, ajustar una
corriente de colector y una tensin colector emisor que
permita que la seal de salida pueda ubicarse siempre dentro
de la regin lineal de las curvas caractersticas del dispositivo
con el [4]fin de no obtener cortes ni deformaciones de la seal.
Por tal motivo la prctica de fijar arbitrariamente una corriente
de colector o una tensin colector emisor no es conveniente
como qued demostrado en el presente laboratorio.

VI. REFERENCIAS
[1] A. S. S. y. K. C. Smith, Amplificadores con BJT, de
Circuitos microelectrnicos, Mxico, McGraw-Hill, 2006.
[2] HyperPhysics, Amplificador de Base Comn NPN, [En
lnea]. Available: http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbasees/electronic/npncb.html. [ltimo
acceso: 25 03 2014].
[3] Wikipedia, Efecto Miller, [En lnea]. Available:
http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Miller. [ltimo
acceso: 26 03 2014].
[4] Universidad Nacional de Colombia, Prctica 1- Gua de
laboratorio, Bogot, 2014.