UNIVERSIDAD DE SONORA

Electrnica industrial

INTEGRANTES:
Soto Buitimea Misael
Lpez Figueroa Aarn Alejandro
Molina Espinoza Manuel Eduardo
Castillo Gonzales Jess Alberto
Arce Escobedo Armando Alberto

PRACTICA 3
Saturacin de transistor BJT.

Horario: 12:00 13:00

Objetivos
2.1.- Determinar los parmetros del transistor TIP41 o equivalente y proponer una
resistencia de carga de acuerdo a las especificaciones establecidas en la hoja de datos
del transistor.
2.2.- Comparar el comportamiento trmico del BJT con y sin disipador de calor usando
un sensor de temperatura electrnico.
2.3.- Disear los circuitos en PCB de acuerdo a las especificaciones dadas.
2.4.- Graficar los resultados para ambos PCB de temperatura (y) tiempo (x), durante
5 minutos.
2.5.- Simular los circuitos en Livewire o Multisim.

Introducccion
En esta prctica se estudiara las caractersticas y comportamiento del transistor bjt
cuando se emplea como un dispositivo de conmutacin, utilizando para ello un circuito
tpico, el inversor bsico en emisor comn, que constituye adems uno de los circuitos
lgicos fundamentales de la electrnica de potencia. As como un anlisis trmico de
un sistema electrnico. Igualmente, se presentara un marco terico que incluye
informacin bsica acerca del tema principal de la prctica.

Marco terico
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de
material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo
caso estaramos hablando de un transistor npn.

Figura 1.1 estructura del transistor bjt.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las
zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto ms
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor
pase a colector, como veremos ms adelante. Adems, si la base no es estrecha, el
dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos
en oposicin se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de
esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del
emisor. En posteriores apartados se tratar el tema.

Funcionamiento del transistor

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible
controlar una gran potencia a partir de una pequea. En la figura 1.2 se puede observar
un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector
(C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la
seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones
de corriente a travs del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs
de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir
esta variacin de corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.

Figura 1.2 ejemplo del funcionamiento

Regiones de funcionamiento
En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del
transistor bipolar podemos conseguir que ste entre en una regin u otra de
funcionamiento. Por regiones de funcionamiento entendemos valores de corrientes y
tensiones en el transistor, que cumplen unas relaciones determinadas dependiendo de
la regin en la que se encuentre.

Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte
cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la
corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin baseemisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.

Activa
La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en
todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en
directa y el colector base en inversa.

Saturacin
En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la basecolector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica slo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores

determinados.

Curvas caractersticas
Entendemos por curvas caractersticas de un transistor la representacin grfica de las
relaciones entre sus corrientes y tensiones. Esta informacin es muy til para el
diseador a la hora de elegir uno u otro transistor para un circuito, pues permite tanto
observar todas las caractersticas del mismo, como realizar el diseo en s.
Las curvas caractersticas son representaciones grficas de 3 variables. En los ejes X e
Y se colocan dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores
de la tercera variable.
En funcin de qu tres variables se elijan para representar una curva caracterstica, y
si se consideran curvas de entrada o salida, se pueden definir los siguientes tipos de
grficas en los transistores bipolares:

Tabla 1.1 curvas caractersticas

En emisor comn
Como se coment en el apartado anterior, las curvas caractersticas son la
representacin de diversas variables (tensiones o corrientes) de un transistor bipolar en
coordenadas cartesianas. En el caso concreto de curvas de salida en emisor comn,
las variables a representar son (tabla 1.1): IC, VCE e IB En la figura 1.3 se observa las
curvas caractersticas indicadas. Se representa en el eje Y la corriente de colector (IC),
en el eje X la tensin colector-emisor (VCE), y se dibuja una curva para cada uno de
los valores de la corriente de base (IB) que se consideren, por ejemplo en la figura se
toma el intervalo de 10 a 70 A. A partir de estas curvas es posible determinar el punto
de trabajo del transistor, es decir, las tensiones y corrientes del mismo, una vez
polarizado.

Figura 1.3 curva caracterstica en emisor comn.

Es posible identificar las distintas regiones de funcionamiento de un transistor bipolar
en sus curvas caractersticas. En la figura 1.4 se muestran las curvas caractersticas en
emisor comn con la indicacin de cada una de las regiones de funcionamiento.
Atendiendo a la definicin dada de regiones de funcionamiento se identifican de la
siguiente forma:
Regin de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual se
puede aproximar como la no circulacin de corriente por el colector y la base, luego la
zona corresponde a corriente IB=IE=IC=0.
Regin de saturacin. En esta regin se verifica que la tensin colector-emisor es muy
pequea (VCE 0,2V, zona prxima al eje de coordenadas).
Regin activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la regin activa

Figura 1.5 regin de funcionamiento.

Desarrollo
Para el desarrollo de esta prctica se realiz cada uno de los objetivos especficos
dichos anteriormente. De tal manera se empez con los clculos para determinar el
valor de la resistencia de base que utilizaramos mas adelante para nuestro circuito.
Clculos:
La Beta del Tip 120 es 1000.
VB = 5V
5V
RB = IB
Potencimetro de 5K
12
=1.2 Amp=Ic
10

IB(Sat)=

1.2 Amp
=1.2 X 103 Amp
1000

RB=

5V
=4.1666
1.2 Amp

Imgenes de la realizacin de la prctica.

Simulaciones digitales.

Fig.1.1: simulacin tridimensional de PCB

Fig.1.2: Simulacin en Proteus

Fig1.3: pistas de PSIM

Fig. 1.4: Diferencias de temperatura: con disipador.

Fig. 1.5: Diferencia de temperatura: sin disipador.

La medicin de la temperatura se realiz por medio de una

interfaz arduino y un LM35 como sensor.

Fig. 1.6: medicin de temperatura

Mediciones con Arduino en fsico.

Fig. 1.7: medicin de temperatura sin el disipador.

Fig.1.8: medicin de temperatura con disipador.

Conclusin
La prctica present bastantes problemas a la hora de conectar
los componentes; la placa PCB, aunque no represent un gran
problema a realizar, siempre tenda a puentear entre los
componentes y la tierra. Las conexiones fueron algo fcil de
realizar y el acomodamiento prctico, pero en s la soldada fue el
verdadero problema.
Cabe destacar que, debido a un problema con la resistencia en la
base, el transistor BJT se quem, logrando algunos datos. El
problema fue que a la hora de reducir toda la resistencia variable
a cero, no haba resistencia que amortiguara el voltaje en base, lo
cual caus un deceso al inocente transistor; afortunadamente se
lograron las mediciones.
Fuera de los problemas, la prctica fue un xito, logramos obtener
datos suficientes para realizar las mediciones y obtener los
resultados tericos.