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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE LENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA


RECHERCHE SCIENTIFIQUE
Universit Mentouri de Constantine
Facult des Sciences de lIngnieur
Dpartement dElectronique

THESE
Prsente en vue de l'obtention du diplme de Doctorat en-Science
En Electronique
Par
Amel BOUFRIOUA
Matre assistante lUniversit de Constantine

Intitule

CONTRIBUTION A L'ETUDE DES ANTENNES A PATCH RESISTIF


ET PARFAITEMENT CONDUCTEUR TENANT COMPTE D'UNE
SOURCE D'EXCITATION ET DES NOUVELLES FORMES
ASYMPTOTIQUES DE COURANT

Soutenance prvue pour Novembre 2006 May 2006

Devant le jury :
Prsident :

Mme. Saida LASSOUED

Prof. U. Constantine

Rapporteur :

Mr.

Abdelmadjid BENGHALIA

Prof. U. Constantine

Noureddine DOGHMANE

Prof. U. Annaba

Mr.

Mohamed Lahdi RIABI

Prof. U. Constantine

Mr.

Tarek FORTAKI

M C. U. Batna

Examinateurs : Mr.

AVANT PROPOS
Ce travail a t effectu la facult des Sciences de l'Ingnieur au sein de l'Institut
d'Electronique, Laboratoire d'Hyperfrquence et Semi Conducteur, sous la direction
de Monsieur le Professeur Abdelmadjid Benghalia.
Jexprime toute ma gratitude Monsieur Abdelmadjid Benghalia Professeur
luniversit de Constantine pour m'avoir accueilli dans son laboratoire et pour avoir
assurer la direction de cette thse avec une grande comptence, pour ces conseils et
son aide prcieuse et efficace, et pour tout l intrt quil porte la recherche
scientifique, je tiens lui exprimer tous mes respects.
Jexprime ma profonde reconnaissance et mes chaleureux remerciements Madame
Saida Lassoued, Professeur lUniversit de Constantine, de me faire l honneur de
prsider le jury de cette thse.
Jadresse mes profonds remerciements M onsieur Noureddine Doghmane Professeur
lUniversit de Annaba pour avoir accept de participer ce jury. Je lui tmoigne
toute ma gratitude.
Jexprime mes sincres remerciements et ma grande estimation Monsieur Mohamed
Lahdi Riabi Professeur luniversit de Constantine, d'avoir accept de m honorer de
sa prsence dans ce jury ainsi que son aide efficace durant ma premire anne de
recrutement.
Jexprime mes sincres remerciements Monsieur Tarek Fortaki matre de confrence
luniversit de Batna, pour avoir accept de participer ce jury.
Je remercie vivement Monsieur Mohamed Essaaidi Professeur l Universit
Abdelmalek Essaadi Tetuan, Maroc et Monsieur Sattar B Sadkhan l universit de
Al-Nahrain Baghdad, Irak pour lintrt port ce travail qui a t pour moi un grand
encouragement et qui mont donn pleinement satisfaction.
Un grand merci tous mes collgues et amies du Centre Nationale des Techniques
Spatiale CNTS, et j'associe particulirement ces remerciements Monsieur Bekhti
chef du projet ALSAT1, Monsieur Arezki chef du laboratoire, l'ensemble des
chercheurs, techniciens et secrtaire du la boratoire d'Instrumentation Spatiale pour
leur accueil, leur aide, leur bonne humeur et leur gentillesse et surtout pour leur esprit
scientifique et humain. Une mention spciale mes collgues de bureau qui j'ai eu
beaucoup de discussions enrichissantes et conviviales et pour les nombreuse et
prcieux conseils.
Je remercie infiniment Messieurs Belarbi, Benia, Soltani, et je tiens exprimer ma
gratitude Madame Benabdelaaziz, Madame et Monsieur Bouchmat et Madame et
Monsieur Marir
Je remercie tout particulirement mes pare nts qui m'ont soutenu pendant toute ma vie
et qui m'ont mis sur le bon chemin, j'adresse aussi mes remerciements les plus
sincres mes frres et surs.

C'est avec un plaisir non dissimul que j'exprime ma reconnaissance Madame


Mounira Amro-iyache, son mari et toute son aimable famille ainsi que Serief Chahira.
J'exprime ma reconnaissance plus particulirement Madame Chafika Aissaoui pour
sa disponibilit sa discussion enrichissantes mais aussi et surtout ses conseils et sa
gentillesse.
J'exprime mes chaleureux remerciements ma trs chre Maya Lakhdara pour son
aide prcieuse et efficace et ses encouragements tout le long de ce travail elle m a t
dun grand apport moral surtout durant mon existence Oran et je porte une profonde
estime ma trs chre Nacra Larbi.
Je remercie trs sincrement Messieurs Farid Bouttout, Mounir Hajras pour l aide
certain quils mont apport et je noublie pas aussi de remercier Messieurs, Djamil
Rachem, Djamel Khedrouche et Houssine Bourouba.
Je pense particulirement Lynda Benjamaa et Nedjma Abdenabi et je leurs souhaite
bonne chance.
A Zoubeida Messali, Hind Djerloud, Lamia Semra, Fadla Benmeddour, Soumeya
Cherouat et toutes mes amies.
J'exprime ma reconnaissance Tarzi Samia secrtaire du dpartement d'lectronique
pour sa gentillesse.
Je souhaite faire part tous mes collgues qui m'ont partag ces annes d'tude au
dpartement d'lectronique de l'universit de Constantine bon courage tous et je
voudrais pouvoir exprimer mes remerciements toutes les personnes qui ont pu
contribuer directement ou indirectement ce travail.

TABLE DES MATIERES


01

INTRODUCTION GENERALE
CHAPITRE 1
APERU GENERAL SUR LES ANTENNES PATCHES
I. Introduction......

05

II. Mthode d'analyse......

06

II. 1. Le modle lctromagntique .....

07

II.1. 1. La Mthode des diffrences finies.......

07

II.1. 2. La Mthode des moments........

08

III. Description des antennes patches ........

09

IV. Les matriaux dilectriques utiliss ...

10

IV. 1. Critres de choix du substrat .....

10

IV. 2. Caractristiques des matriaux dilectriques .....

10

Les matriaux cramiques...

10

Les matriaux semi-conducteurs .

11

Les matriaux ferrimagntiques ..

11

Les matriaux synthtiques .

11

Les matriaux photoniques ..

11

Les matriaux chiraux..

12

Les matriaux T.M.M (Thermoset Microwave Material) ...

12

Les matriaux RO3000

12

Les matriaux composites

12

IV. 3. Anisotropie du substrat ..

12

V. Excitation par onde de surface ....

15

VI. Alimentation des antennes patches ........

16

VI.1. Diffrentes mthodes d'alimentation ..

16

VII. Choix du type de lignes de transmission planaire ....

19

VII.1. Effet de la dispersion dans Les lignes microrubans ..

20

VII.2. Discontinuits sur les lignes microrubans .

20

VIII. Conclusion......

20

CHAPITRE 2
CARACTERISTIQUES DE RESONANCE ET DE RAYONNEMENT DES ANTENNES
A PATCH RECTANGULAIRE ET CIRCULAIRE
I. Introduction..

22

II. Mise en quation du problme ....

22

II.1. Dtermination du tenseur spectral de Green ....

22

II.2. Equation intgrale du champ lectrique (EFIE) .

26

II.3. Frquence de rsonance...

29

II.4. Diagramme de rayonnement....

31

II.5. Directivit.

32

III. Rsultats et discussion ...

32

IV. Conclusion.....

41

CHAPITRE 3
ANALYSE D'UNE ANTENNE PATCH RECTANGULAIRE AVEC EXCITATION
I. Introduction......................

43

II. Systme une seule couche intgr, alimentation par contact (Type ouvert) ....

43

II.1. L'alimentation par ligne microstrip ..

43

II.2. L'alimentation coaxiale

44

III. Systme double couche intgr, alimentations par proximit (Type ferm). .

45

III.1. Couplage par fente .

46

III. 2. Conception d'une antenne microstrip alimente par proximit .

47

IV. Choix de lalimentation....

48

V. Thorie....

49

VI. Les diffrents modes de courant ....

52

VI.1. Courants sur la ligne microstrip d'excitation .

52

VI.1. 1. Courant de dplacement d'onde sur la ligne d'alimentation ...

53

VI.1. 2. Courant de chevauchement (Overlap currents) .....

54

VI.2. Courant du patch

55

VII. Impdance d'entre...

57

VIII. Rsultats et discussion ....

58

VIIII Conclusion......

61

CHAPITRE 4
ANALYSE D'UNE ANTENNE PATCH RECTANGULAIRE PAR DES
NOUVELLES FORMES ASYMPTOTIQUES DES FONCTIONS DE BASE
I. Introduction..

63

II. Thorie

63

III. Formes exactes des courants .

64

III.1. Fonction de base Sinusodal sans condition de bord ..

65

III.2. Fonction de base Sinusodal avec condition de bord ..

65

III.3. Polynmes de Chebyshev avec condition de bord ..

66

III.4. Les fonctions roof top

67

IV. Formes asymptotiques des courants

69

IV.1. Fonction de base Sinusodal sans condition de bord ..

69

IV.2. Fonction de base Sinusodal avec condition de bord ..

69

IV.3. Polynmes de Chebyshev avec condition de bord .

70

V. Rsultats numriques..

70

VI. Conclusion.....

78

CHAPITRE 5
EFFETS DU PATCH RESISTIF ET DU SUBSTRAT A ANISOTROPIE UNIAXIALE
SUR LES CARACTERISTIQUES DE RESONANCE ET DU RAYONNEMENT D'UNE
ANTENNE MICRORUBAN RECTANGULAIRE
I. Introduction.

80

II. Thorie

81

II.1. Dfinition du RCS

84

II.2. RCS solution par la mthode des moments ..

84

III. Rsultats numriques .

86

VI. Conclusion.....

99

CONCLUSION GENERALE
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES

100

ANNEXE A
SEPARATION DES MODES TM ET TE ET CALCUL DU CHAMP
ELECTROMAGNETIQUE

117

ANNEXE B
CALCUL DE LA DIRECTIVITE

121

ANNEXE C
MATRICE DE TOEPLITZ

125

ANNEXE D
LES MODES D'ONDE DANS UN DIELECTRIQUE ISOTROPE D'UNE ANTENNE
A PATCH RESISTIF
ANNEXE E

127

LISTE DES FIGURES


Figures

Titre

Page

CHAPITRE 1
Fig. 1.

Prsentation d'une antenne patch.

09

Fig. 2.

Spectre des modes de propagation.

15

CHAPITRE 2
Fig. 1.

Chemin dintgration dans le plan complexe.

30

Fig. 2.

Partie relle de la frquence de rsonance normalise en fonction de

33

l'paisseur du substrat pour le mode TM01 (sans condition de bord).


Fig. 3.

Partie imaginaire de la frquence de rsonance normalise en fonction de

33

l'paisseur du substrat (sans condition de bord).


Fig. 4.

Directivit des antennes patches rect angulaire et circulaire en fonction de la

36

constante dilectrique relative du substrat. h = 0.159cm, freq = 2.4Ghz.


Fig. 5.

Frquence de rsonance en fonction de la constante dilectrique du substrat

37

(a) cas carre, (b) cas circulaire.


Fig. 6.

Frquence de rsonance en fonction de dimensionnement de patch a: (a) cas


carre, (b) cas circulaire

Fig. 7.

=2.5, h=0.159cm, a=b.

Directivit des antennes patches rect angulaire et circulaire en fonction de la


frquence h = 0.159cm,

Fig. 8.

r=

39

2.5.

Directivit en fonction de la frquence de rsonance: (a) cas carre, (b) cas


circulaire

38

40

varie, h=0.159cm, a=b=2.0cm.


CHAPITRE 3

Fig. 1.

Alimentation par ligne microruban.

44

Fig. 2.

Alimentation par sonde coaxiale.

44

Fig. 3.

Couplage par fente.

46

Fig. 4.

Couplage par proximit en sandwich.

47

Fig. 5.

Couplage par proximit en sandwich, vue de dessus.

49

Fig. 6.

Systme d'alimentation par proximit.

50

Fig. 7.

Disposition des modes de dplacement d'onde sur la ligne d'alimentation.

54

Fig. 8.

L'effet de la largeur de la ligne d'alimentationwf sur: (a) la frquence de

59

rsonance, (b) la rsistance d'entre.


Fig. 9.

La rsistance d'entre en fonction de la frquence de rsonance.

60

CHAPITRE 4
Fig. 1.

Gomtrie de l'antenne patch rectangulaire.

63

Fig. 2.

Fonction roof top sur le patch rectangulaire.

67

Fig. 3.

Formes exacte et asymptotiques des fonctions de base sinusodale sans

74

condition de bord en fonction de la frquence.


Fig. 4.

Formes exactes et asymptotiques des fonctions de base avec condition de

75

bord en fonction de la frquence, (a), sinusodales, (b) Chebychev.


Fig. 5.

Frquences de rsonance du patch rectangulaire par l'utilisation des

77

diffrents formes asymptotiques des fonctions de base, h = 0.1 cm,


r

2.35 , a=1.5cm, b=1.0cm.


CHAPITRE 5

Fig. 1.

Partie relle de la frquence de rsonance normalise en fonction de

87

l'paisseur du substrat pour des substr ats d'anisotropie uniaxiale positive,


ngative et les substrats isotropes; a=1.5 cm, b=1.0 cm.
Fig. 2.

Partie imaginaire de la frquence de rsonance normalise en fonction de

88

l'paisseur du substrat pour des substr ats d'anisotropie uniaxiale positive,


ngative et les substrats isotropes; a=1.5 cm, b=1.0 cm.
Fig. 3.

Diagramme de rayonnement en fonction de l'angle

d'un patch

90

parfaitement conducteur pour les substrats d'anisotropie uniaxiale positive,


ngative et isotropes au plan
Fig. 4 a.

0 , a=1.5 cm, b=1.0cm, h=0.2cm.

RCS normalis en fonction de l'angle

pour un patch parfaitement

91

conducteur pour un substrat d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et


isotrope au plan

0 .

Fig. 4 b. RCS normalis en fonction de l'angle

pour un patch parfaitement

conducteur pour un substrat d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et


isotrope au plan

0 ; a=1.5cm, b=1.0 cm, h=0.2 cm.

92

Fig. 5.

RCS normalis du substrat isotrope en fonction de l'angle

pour

93

diffrentes valeurs de la rsistance de surface la frquence 5.95 Ghz, ( a =


1.5 cm, b = 1.0 cm, h= 0.2cm,
Fig. 6.

= 5.0,

RCS normalis en fonction de l'angle


substrat
plan

Fig. 7.

d'anisotropie

0 ).
pour un patch rsistive pour un

uniaxiale positive,

ngative

et isotrope au

0 , a=1.5 cm, b=1.0 cm, h=0.2 cm, Rs =60 .

Diagramme de rayonnement en fonction de l'angle

d'un patch rsistif

pour les cas isotropes, anisotropie uniaxiale positive et ngative


une fois
Fig. 8.

94

95

0 ,

chang (a = 1.5 cm, b = 1.0 cm, h = 0.2cm, Rs=60 ).

Diagramme de rayonnement en fonction de l'angle

d'un patch rsistif

96

pour les substrats d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et isotropes


0 ,
Fig. 9.

change (a = 1.5 cm, b = 1.0 cm, h = 0.2cm, Rs=60 .

Diagramme de rayonnement du substrat isotrope en fonction de l'angle

97

pour diffrentes valeurs de la rsistance de surface la frquence 5.95 Ghz,


(a = 1.5 cm, b = 1.0 cm, h = 0.2cm,
Fig. 10.

= 5.0,

0 ).

RCS du substrat isotrope en fonction de la directivit pour diffrentes


valeurs de la rsistance de surface.

98

LISTE DES TABLEAUX


Tableaux

Titre

Page

CHAPITRE 1
Tableau 1

Principaux substrats utiliss dans le domaine des hyperfrquences.

14

Tableau 2

Diffrents types d'alimentation d'une antenne patch.

18

CHAPITRE 2
Tableau 1 a

Paramtres dimensionnelles et lectriques des patches circulaires.

Tableau 1 b

Comparaison des frquences de rsonance mesures et calcules des

34
35

patches circulaires prsentes en tableau1 a.


CHAPITRE 3
Tableau 1

Comparaison des frquences de rsonance et des rsistances d'entre

58

mesures et calcules.
Tableau 2

Rsistance d'entre en fonction de la distance de chevauchement.

60

CHAPITRE 4
Tableau 1

Comparaison des frquences de rsonance mesures et calcules d'une

71

antenne microstrip rectangulaire.


Tableau 2

Frquences de rsonances d'un patch rectangulaire par l'utilisation de

72

deux systmes de fonctions de base (Roof top, Entire domain).


Tableau 3

Frquences de rsonances en fonction de la constante dilectrique


(

Tableau 4

73

).

Variation de la frquence de rsonance en fonction de la constante


dilectrique relative (

) pour diffrente fonction de base.

73

CHAPITRE 5
Tableau 1

Frquence de rsonance d'un patch parfaitement conducteur

Tableau 2

Frquence de rsonance d'un substrat isotrope (


anisotropie uniaxiale positive (
z

Tableau 3

=1.88,

z
x

=2.35) et ngative (

=2.35.
z

=2.35),
x

89
89

=2.82,

=2.35), a=1.5cm, b=1.0cm.

RCS en fonction de la frquence d 'un patch parfaitement conducteur


imprimes sur un substrat isotrope.

91

RESUME

ne tude thorique de structures d'antennes microrubans de gomtries


rectangulaire et circulaire a t ralise dans cette thse. Une analyse

rigoureuse base sur une quation intgrale du champ lectrique constitue l'outil
thorique de caractrisation pour ces structures.
L'quation intgrale du champ lectrique est formule en terme du tenseur
spectral de Green en utilisant la mthode des moments, la procdure de Galerkin a
permis la discrtisation de cette quation pour donner lieu un systme d'quations
homognes. Dans la procdure de rsolution par la mthode des moments, le choix
des fonctions de base constitue une originalit du fait que l'effet de diffrents
paramtres sur la directivit est pris en compte. L'exactitude du modle dvelopp
montre un accord trs prcis entre les rsultats obtenus et ceux de la littrature.
Le courant de patch rectangulaire est calcul par l'application des diffrentes
fonctions de base, l'tude d'un nouveau type de fonction de base nous a permis une
formulation algbrique simplifie et un temps de calcul trs rduit. Les formes
asymptotiques dveloppes sont du type: fonction de base sinusodales sans condition
de bord et avec condition de bord, polynmes de Chebychev avec la condition de
bord, et les fonctions roof top.
Aussi nous avons dvelopp un modle de calcul par l'application des fonctions
de base sinusodales pour une antenne patch rectangulaire excit par une ligne
microruban, les courants sur cette dernire sont dvelopps et la rsistance d'entre est
calcule.
Notre propre logiciel a t tabli pour calculer les grandeurs macroscopiques
caractristiques telles que la frquence de rsonance, la rsistance d entre, le
diagramme de rayonnement, la directivit
Une forme variationnelle pour l'impdance d'entre est obtenue donnant des
rsultats qui s'accordent bien avec les mesures.
Aussi la formulation thorique de l'antenne patch rectangulaire excit par
couplage lectromagntique (proximit) est donne, finalement l'tude d'un nouveau
modle de calcul qui tient compte de l'effet de la rsistance de surface ainsi que l'effet
de l'anisotropie uniaxial du substrat est prsente. Les termes ncessaires pour
reprsenter la rsistance de surface du patch rectangulaire sont drivs et incluses

dans l'quation intgrale sous forme d'une matrice de rsistance, les rsultats prouvent
que l'addition d'une telle rsistance diminue l'nergie disperse de l'antenne.

RESUME

theoretical study of a rectangular and circular microstrip antennas was carried


out in this thesis. A rigorous analysis based on an electric field integral

equation was used for the characterization of these structures.


The integral equation of the electric field is formulated in term of the Green
spectral tensor by using the moment method, based on the Galerkin's procedure which
discretizes this equation to give place to a system of homogeneous equations. In the
procedure of resolution by the moment method, the choice of the basic functions
constitutes originality owing to the fact that the effect of various parameters on
directivity is taken into account. The exactitude of the developed model shows a very
precise agreement between the results obtained and those of the literature.
The current of a rectangular patch is calculated by the application of a various
basic functions, the study of a new type of basic function allowed us to a simplified
algebraic formulation and a much reduced computing time. The developed asymptotic
forms are of the type: sinusoid basis function without and with edge condition,
Chebychev polynomials with the edge condition, and the roof top functions.
Also we developed a model of calculation by the application of the sinusoid
basis functions for a rectangular patch antenna excited by a microstrip line, the
currents on this line are developed and the input resistance is calculated.
Our own software was established to calculate the macroscopic characteristic
such as the resonant frequency, the input resistance, the radiation, the directivity
A variational form for the input impedance is obtained giving results which
agree well with measurements.
Also the theoretical formulation of the rectangular patch antenna excited by an
electromagnetic coupling (proximity) is given, finally the study of a new model of
calculation which take into account the effect of the surface resistance as well as the
effect of the uniaxial anisotropy in the substrate is presented.The necessary terms to
represent the surface resistance of the rectangular patch are derived and included in
the integral equation in the form of a resistance matrix; the results prove that the
addition of such a resistance decreases the antenna dispersed energy.

.
.
.

Green
(Galerkin)

(directivit)

:
(Chebychev)

.roof top

.
.(directivit)

)
.

(matrice)

INTRODUCTION GENERALE

INTRODUCTION GENERALE

e domaine des tlcommunications connat actuellement une croissance sans


prcdent. Le rythme de cette expansion ne devrait pas flchir pendant de

nombreuses annes. En effet, lmergence de nouvelles technologies assure le


renouvellement des produits et toffe les services proposs aux clients toujours plus
exigeants. Dans un systme de communication, l'antenne est un composant part
entire qui ncessite une tude. Tout en cherchant optimiser les performances
radiolectriques d'une antenne, on doit l'adapter aux applications les plus rcentes.
Pendant les deux dernires dcennies les antennes microruban ont volu
comme une activit innovatrice majeure dans le domaine des antennes. Jusqu'au dbut
des annes 1990, les technologies microruban taient employes spcialement pour
les applications militaires. Depuis, on constate un changement rapide vers les
applications commerciales. Un grand nombre de produits destins aux technologies
sans fil sont apparus sur le march . Les antennes microruban ont quelques
particularits qui les rendent idales pour plusieurs applications commerciales. Bases
sur la technologie des circuits imprims, elles sont trs peu dispendieuses produire.
La production en grande quantit est facile. Leur profil plat leur permet d'tre montes
dans le mme botier que le produit qu'elles servent. Souvent elles peuvent tre
intgres sur la plaque qui contient le circuit radiofrquence ou micro-onde.
Notre ambition nous ramne dvelopper notre propre logiciel bas sur la
mthode des moments afin d analyser les diffrentes structures d antennes imprimes.
Dans le premier chapitre introductif, nous avons prsent les antennes patches,
les diffrents matriaux et substrat utiliss pour ces types d'antennes. Nous voquons
aussi l'influence de l'apparition des modes de substrat sur les caractristiques de
rayonnement et le choix que nous allons faire afin de limiter leur excitation. Ainsi que
les diffrentes mthodes d'alimentation rencontres dans la littrature. Enfin nous
prsentons les mthodes d'analyse utilises pour traiter ce genre d'antenne. Le second
chapitre a pour but de prsenter la mthode que nous allons utiliser afin de synthtiser
la gomtrie rectangulaire et circulaire par la suite nous explicitons une tude
comparative entre ces deux gomtries. Le troisime chapitre a pour objectif de
prsenter les diffrentes formes de courants ainsi que leurs formes asymptotiques, de
plus nous prsentons une tude comparativ e entre ces formes asymptotiques, enfin,
nous exposons les rsultats obtenus en fais ant introduire l'effet de l'anisotropie
2

uniaxiale. Dans le quatrime chapitre nous prsentons brivement les quatre types
d'alimentation les plus utilises, ensuite nous traitons l'antenne patch rectangulaire
alimente par ligne microstrip et par couplage lectromagntique (par proximit),
nous explicitons enfin les considration qui nous ont permis de choisir ces types
d'alimentation. Le cinquime chapitre a pour objectif d'tudier l'antenne patch
rectangulaire tenant compte de l'effet de la rsistance de surface. Nous prsentons
galement la mthode mise en uvre afin de pouvoir caractriser une antenne patch
rsistif implant sur un substrat isotrope ou anisotrope.

CHAPITRE 1

APERU GENERAL SUR LES ANTENNES


PATCHES

I. INTRODUCTION

ans un systme de communication l antenne est un composant part entire qui


ncessite une tude, tout en cherchant optimiser ces performances

radiolectriques, il est donc ncessaire de concevoir des antennes bien adaptes.


Depuis les annes soixante dix, on constate un essor considrable des micro
antennes ou antennes plaques, favoris par le progrs de la technologie micro
lectronique dans le domaine de la miniaturisation et de l intgration lectronique.
Dans les applications aronautiques, arospatiales et militaires o le faible volume, le
faible poids, le faible cot, les hautes performances et la facilit de mise en uvre
sont les principales exigences, les antennes faiblement profiles sont une ncessit.
Aujourd'hui, avec l'explosion des tlcomm unications, ces contraintes se retrouvent
dans des applications commerciales sans fil. Les antennes microrubans ont t
proposes pour rpondre ces exigences. La dcennie passe a t tmoin d un usage
rapide de ces antennes en communication et en systme radar. Elles ont reu
beaucoup dattention ces dernires annes, et trouvent plusieurs applications dans une
large gamme de frquence. Elles allient la fois petite taille, simplicit, facilit de
fabrication et de mise en uvre. En outre, elles s'adaptent facilement aux surfaces
planes et non planes et prsentent une grande robustesse lorsqu'elles sont montes sur
des surfaces rigides. Elles sont galement trs performantes en terme de rsonance, de
polarisation, d'impdance d'entre et de diagramme de rayonnement [1-6]. Les
inconvnients majeurs des antennes microrubans rsident dans leur faible puret de
polarisation, une bande passante troite qui es t typiquement de l'ordre de quelque pour
cents [1, 7-13].
Cependant, des mthodes utilises pour l'augmentation de l'paisseur du
substrat, la diminution de la permittivit relative, permettent d'amliorer le rendement
de l'antenne jusqu' 90% en rduisant les ondes de surface et permettent galement
d'augmenter la bande passante jusqu' 35% [14]. Toutefois, en augmentant l'paisseur
du substrat, on cre des ondes de surface qui reprsentent des pertes et diminuent par
consquent le rendement de l'antenne. Ces ondes de surfaces peuvent tre limines
tout en maintenant une large bande passante par l'introduction de fentes sur l'lment
rayonnant.
Il est vident que les tudes menes sur les antennes microbandes soient
orientes pour mieux perfectionner leurs avantages et de remdier leurs
inconvnients.
5

La plus part des mthodes utilises pour la caractrisation radiolectrique des


antennes microbandes ncessitent en gnral des calculs longs et fastidieux. Les
antennes microbandes peuvent prendre des formes quelconques, cependant, les formes
rgulires sont les plus utilises afin de faciliter l analyse.
Depuis la naissance de ce type d'antenne, des approches utilises pour l analyse
et la conception de celles-ci sont nombreuses (APLAC, PCAAD, ENSEMBLE,
HFSS), or nous avons uniquement la possibilit de modliser des structures
stockes dans les banques de donnes de ces logiciels. Pour ces raisons, notre
ambition nous conduit dvelopper notre propre logiciel bas sur la mthode des
moments afin danalyser les diffrentes structures d antennes.
II. METHODES D'ANALYSE
Depuis lavnement des antennes microbandes, plusieurs mthodes d analyse
ont t utilises, allant des modles analytiques simples jusqu aux mthodes
numriques rigoureuses.
Les mthodes analytiques sont bases sur des suppositions physiques poses au
pralable, qui aboutissent gnralement des formules analytiques simples, menant
une meilleure comprhension physique du phnomne, et bien compatible avec la
C.A.O. Le modle de la ligne de transmission est le plus simple, il donne de bonnes
interprtations physiques mais modlise difficilement le couplage [11, 14]. Le modle
de la cavit rayonnante est quant lui plus prcis que le modle de la ligne de
transmission mais en mme temps plus complexe. Cependant il donne une bonne
interprtation physique, mais approche au ssi difficilement le couplage bien qu'il
donne de bons rsultats pour des paisseurs faibles [1-14]. Cependant, ces modles
sont fonds sur des approximations qui peuvent donner lieu des rsultats inexacts,
notamment pour des applications qui requirent un substrat pais ou une constante
dilectrique leve.
Pour y remdier, on a eu recours des mthodes dites mthodes d analyse
rigoureuses (Full-Wave Analysis). Lorsqu'il est appliqu correctement, ce modle est
trs prcis, trs souple et traite les lments isols aussi bien que les rseaux, les
formes arbitraires et le couplage. Cependantc'est le modle le plus complexe [11, 1317]. Ces mthodes sont bases sur le problme aux frontires des grandeurs
lectromagntiques, qui aboutissent une quation intgrale en faisant appel aux
fonctions tensorielles de Green, soit dans le domaine spectral, ou directement dans le
6

domaine spatial. Ces mthodes ne souffrent d aucune approximation et s avrent tre


trs rigoureuses, puisque aucune supposition initiale n est considre. En outre, ces
mthodes permettent d tudier des antennes de formes trs varies, mais font appel
des formulations ou calculs plus complexes et des temps de calcul plus importants.
Comme il est important de noter que, le choix des fonctions de test et l intgration
dans le plan complexe sont des tapes critiques durant le processus de rsolution
numrique [11, 13-21].
II.1. LE MODELE ELECTROMAGNETIQUE
Les mthodes lectromagntiques consistent rsoudre directement les
quations de Maxwell dans l'espace [13, 15-17]. Ces mthodes numriques sont des
processus qui transforment un problme continu en un problme discret constitu d'un
assemblage discret d'lments comportant chacun un nombre fini d'inconnues. Alors
la ncessit davoir une analyse rigoureuse des microbandes a contraint les chercheurs
mettre en uvre une mthode danalyse prcise base sur des quations intgrales.
Cette mthode fut adopte dans de nombreux travaux de caractrisation des structures
dantennes microbandes. Bien qu il existe plusieurs variantes de mthodes intgrales
on peut cependant, les classer en deux grandes catgories, celles correspondant une
formulation dans le domaine spectral et celles relatives une formulation dans le
domaine spatial. Pour les deux classes, l inconnue dterminer sera les courants
lectriques surfaciques sur les conducteurs m talliques. Une fois ces courants sont
dtermins, on peut calculer les grandeurs macroscopiques caractristiques telles que
la frquence de rsonance, limpdance dentre, le diagramme de rayonnement
La mthode des diffrences finies et la mthode des moments sont parmi les
mthodes lectromagntiques les plus utilises.
II.1. 1. LA METHODE DES DIFFERENCES FINIES
Parmi les mthodes de rsolution numrique, nous avons la mthode des
diffrences finies qui rsout les quations de champs en des points discrets, dfinis
d'une faon ordonne dans le domaine complet de la structure. Elle rsout directement
les quations de Maxwell sous leur forme diffrentielle en remplaant les oprateurs
diffrentiels par des oprateurs de diffrence, ralisant ainsi une approximation par
discrtisation [11, 22].
7

Dans la famille des mthodes de diffre nces finies, on trouve la FDTD (Finite
Diffrence Time Domaine) qui a pour point de dpart, la discrtisation directe des
quations locales de Maxwell. Cette Mthode est applicable des structures
quelconques sans modification de l'algorithmede base. L'volution de la puissance de
calcul des ordinateurs a entran un regain d'intrt pour ces mthodes de diffrences
finies. Par ailleurs, afin de rduire le volume de calcul, d'autres mthodes hybrides ont
t dveloppes. Parmi celles ci, la Mthode de Ligne MoL (Method of Line) qui est
une combinaison de la mthode des diffrences finies dans le domaine frquentiel
avec une mthode analytique.
II.1. 2. LA METHODE DES MOMENTS
La mthode des moments est une technique numrique qui permet de rsoudre
efficacement le systme d'quations intgrales en le transformant en un systme
matriciel [2, 4, 6, 11, 13, 17-25]. Elle est base sur le critre de nullit d'une
fonctionnelle constitue partir d'une intgrale des rsidus, gnre par la diffrence
entre la solution approximative (fonction d'essai) et la solution exacte, pondre par
des fonctions de poids (fonctions de test).La fonction d'essai est exprime sous forme
de srie de fonctions de base connues dont les coefficients de pondration sont
dtermins en rsolvant le systme linaire. Cette quation fonctionnelle peut tre
transforme en un systme d'quations algbriques en dveloppant les vecteurs
densits de courant sous la forme de srie de fonctions de base. La dtermination de la
solution se rduit donc celle des coeffici ents inconnus des fonctions de base. Les
fonctions d'essai doivent converger vers la solution exacte lorsque les nombres N et M
des fonctions de base tendent vers l'infini. Pour un nombre fini de fonctions de base, il
en rsulte une erreur rsiduelle dfinie comme tant la diffrence entre la solution
exacte et la fonction d'essai. Le systme d'quations linaires de la mthode des
moments correspond au cas o la fonctionnelle dfinie par l'erreur rsiduelle est
rendue orthogonale l'espace des fonctions de test. Il en rsulte que plus cette
fonctionnelle est orthogonale des fonctions de test, meilleur est l'approximation . Le
cas particulier o les fonctions de base sont identiques aux fonctions de test
correspond la mthode de Galerkin [6, 11, 14, 20]. Pour appliquer cette mthode aux
structures, on utilise la procdure de rsolution par la mthode des moments des
fonctions de bases partielles. Autrement dit, chaque rgion de gravures et d'ouvertures
est maille en sous rgions finies, lesquelles constituent les supports des fonctions de
8

bases partielles. Ces fonctions de base sont nulles en dehors de leurs sous rgions. Le
systme d'quations linaire rsoudre peut s'crire pour tout type de maillage sous
une forme matricielle [11, 13, 17-20].
Dans notre travail, seul sera trait le modle lectromagntique qui inclue les
quations intgrales et la mthode des moments.
III. DESCRIPTION DES ANTENNES PATCHES
Dans sa structure de base, une antenne patch est constitue d'un fin conducteur
mtallique (habituellement de 17,5 35 m d'paisseur en hyperfrquence) de forme
arbitraire, appel lment rayonnant, dpos sur un substrat dilectrique dont la face
infrieure est entirement mtallise pour raliser un plan de masse.
Z
Substrat dilectrique
Plaque conductrice
Y

Plan de masse
X

Fig 1. Prsentation d'une antenne patch


Dans la pratique, les formes des lments rayonnants les plus souvent utilises,
de dimensions rduites (de l'ordre de

0/2

0),

sont le carr, le rectangle, le disque et

l'anneau. Des gomtries plus labores sont toutefois employes pour rpondre des
contraintes spcifiques sur l'antenne. Le substrat dilectrique de faible paisseur
(h<< 0) sert de support l'antenne, mais surtout influe directement sur ses
performances. On prfrera des matriaux de faible permittivit (

< 3), vitant ainsi

le confinement des champs l'intrieur de la cavit, et de faibles pertes dilectriques


(tan < 2.10-3) favorisant un meilleur rendement de l'arien [1, 6, 14, 26].
9

IV. LES MATERIAUX DIELECTRIQUES UTILISES


Le substrat joue un rle double dans la technologie microruban. Il est la fois
un matriau dilectrique, o viennent se graver les circuits, et une pice mcanique,
car il supporte la structure. Cela implique des exigences la fois sur le plan
mcanique et lectrique parfois difficiles concilier, d paisseur gnralement faible
devant la longueur d onde de fonctionnement ( h << 0), le substrat dilectrique affecte
le comportement et les performances lectromagntiques de l antenne. On prfre
souvent utiliser des substrats faibles pertes dilectriques (tan
le rendement de lantenne et ceux permittivit relative faible (

< 10-3) qui favorisent


r

<3) qui amliorent

le rayonnement tout en diminuant les pertes par ondes de surface pour une hauteur
donne.
IV.1. CRITERES DE CHOIX DU SUBSTRAT
La conception des antennes microrubans dans le domaine des ondes
millimtriques est guide par les critres suivants pour le choix du substrat:
(a) Possibilit d'excitation par onde de surface.
(b) Effets de la constante et de la tangente de perte dilectrique sur la dispersion.
(c) Importance des pertes par dilectrique et par conducteur.
(d) Anisotropie dans le substrat.
(e) Effets de l'environnement tels que la temprature, l'humidit,
(f) Conditions mcaniques: Physiquement, le matriau doit rsister aux contraintes
mcaniques, conserver sa forme originelle. Son facteur d'expansion doit tre voisin de
celui de la mtallisation, car il est confront de fortes tempratures lors des
soudures. Enfin, son tat de surface doit tre le plus parfait possible.
(g) Cot de fabrication.
IV.2. CARACTERISTIQUES DES MATERIAUX DIELECTRIQUES
Les matriaux dilectriques se divisent en diffrentes catgories, et le dtail des
caractristiques de chacune de ces familles de matriaux est donn ci-dessous [8, 14,
18, 26-28]:
- Les matriaux cramiques: Couramment employs pour les circuits microrubans,
dont le plus rpandu est sans doute l'alumine (Al 2O3) avec une permittivit relative
10

autour de 10. D'un point de vue mcanique, ces substrats disposent gnralement
d'excellentes qualits de surface et de rigidit, mais sont cassants et donc fragiles.
Leurs permittivits sont pour la plupart leves et ils prsentent de faibles pertes (tan
< 10-3).
- Les matriaux semi-conducteurs: De type Arsniure de Gallium (GaAs) ou
Silicium (Si) permettent couramment la fabrication des circuits M.M.I.C. La surface
disponible, gnralement rduite pour raliser des antennes, destines des
applications dans le domaine millimtrique.
- Les matriaux ferrimagntiques: Ces matriaux comprennent les substrats Ferrite
et YIG. Leffet gyromagntique est mis profit pour concevoir des circulateurs, des
isolateurs ou encore des antennes plaques rayonnant naturellement une onde en
polarisation circulaire. Ce sont des matriaux anisotropes forte permittivit relative
(de 9 16) et faibles pertes dilectriques.
- Les matriaux synthtiques: La plupart de ces matriaux possdent d'excellentes
proprits lectriques, une permittivit proc he de 2 avec de faibles pertes (tan

0,003). A ceux-ci viennent sajouter aujourdhui les mousses ROHACELL dont la


permittivit relative est proche de l air (

~1), cependant les pertes deviennent vite

importantes lorsque l on monte en frquence (tan

> 0.01 26.5 GHz) un exemple de

ces matriaux: le polythylne, le polyester, le tflon, le polypropylne, etc...


- Les matriaux photoniques: Depuis le dbut des annes nonante, un nouveau type
de matriaux, les cristaux photoniques (matriaux permittivit priodique) font
l'objet d'une grande effervescence dans le monde scientifique. Or, la grande majorit
des recherches portant sur ces matriaux ont t effectues par des physiciens dans le
cadre d'tudes de dispositifs optiques. Actuellement les chercheurs s'intressent une
application dans le domaine des microondes. Il s'agit de concevoir une antenne
imprime sur une cavit constitue par des matriaux photoniques, ces derniers
peuvent rduire les ondes de surface.

11

- Les matriaux chiraux: Les proprits de chiralit ou de bi-isotropie que possdent


certains matriaux, notamment dans le domai ne des microondes et de l'optique, font
depuis plusieurs annes l'objet d'intenses recherches. Rcemment, A. Bossavit prdit
qu'on peut construire des matriaux chiraux en incluant priodiquement dans une
matrice de matriau dilectrique des inclusions de matriau fortement conducteur. Le
comportement souhait s'obtient alors la limite

0 o

dsigne la taille de la

cellule de priodicit. Un des points cl pour aboutir au comportement chiral est que
la conductivit des inclusions doit tre te lle que la profondeur de peau dans ces
matriaux est de l'ordre de . A. Bossavit a propos une loi de comportement
quivalente l'aide de techniques formelles base de dveloppements de Taylor
locaux.
- Les matriaux T.M.M (Thermoset Microwave Material): Ces matriaux
constitus de rsines charges de diffrents composants cramiques, gnrent une
gamme de substrats TMM-3, TMM-4, TMM-6, TMM-10 de faibles pertes (tan

<

0,0018) pour des permittivits respectivement gales 3,25 ; 4,5 ; 6,5 ; 9,8. Rigides et
moins cassants que les cramiques, ils c onservent leurs dimensions et leurs
permittivits des tempratures leves.
- Les matriaux RO3000: Ces matriaux sont de permittivit relative stable en
temprature et en frquence. Ils sont fabriqus par ajout de poudre cramique au
Tflon et peuvent tre utiliss haute frquence (> 30 GHz).
- Les matriaux composites: Ce type de matriaux s'obtient en combinant les
qualits radiolectriques et mcaniques d un substrat. En ajoutant aux matriaux
plastiques de la fibre de verre (cas du DUROID 5870, du TLC, ARLON 320) ou de la
poudre de cramique (ARLON 340) les proprits mcaniques sont amliores et l'on
peut, suivant le dosage, ajuster la permittivit. Des produits comme le DUROID sont
couramment utiliss pour raliser des antennes imprimes.
IV. 3. Anisotropie du substrat: L'anisotropie est dfinie comme tant la dpendance
de la constante dilectrique du substrat sur l'orientation du champ lectrique appliqu.
Pour obtenir les proprits lectriques et mcaniques ncessaires, des matriaux de
remplissage appropris sont gnralement ajouts pendant le processus de la
12

fabrication du substrat. Ces remplisseurs ont une tendance de supposer des


orientations prfres. Ceci peut mener aux effets d'anisotropies quelques substrats
pratiques, comme le Saphir et le PTFE [8, 14]. La valeur de la constante dilectrique
cite par le fabricant est gnralement pour le cas o le champ lectrique appliqu est
perpendiculaire la plaque conductrice, qui est habituellement suffisante pour la
plupart des antennes microrubans. Le concepteur devrait, cependant, soigneusement
vrifier les effets anisotropes du substrat avec lequel il travaille. Si
anisotropie uniaxiale positive, et si

<

>

, on a une

on a une anisotropie uniaxiale ngative. La

plupart des substrats utiliss dans le dom aine des micro-ondes sont d'anisotropie
uniaxiale ngative avec des rapports d'anisotropie

moins de 1.4 [14].

D'aprs la littrature plusieurs antennes ont t ralises sur diffrents substrats.


Les matriaux composites offrent un trs bon compromis, les concepteurs choisissent
dutiliser des substrats de la famille de s DUROID car ils proposent non seulement des
bonnes proprits lectriques et une trs faible variation de leur permittivit relative
pour des tempratures comprises entre -55C et 100C, mais aussi des faibles pertes:
- le DUROID 5880 (

= 2,2 0.04 et tan

- le DUROID 6200 (

= 2,94 0.04 et tan

= 0,0015 10 GHz et 23C)


= 0,0015 10 GHz et 23C)

De plus, une mesure des pertes sur le DUROID 6002, a montr que la tangente
de pertes ne dpassait pas 3.10 -3 37 GHz. Les pertes de ce type de substrat prsentent
donc lavantage de ne pas augmenter considrablement avec la frquence.
Nous prsentons ici un tableau rcapitulatif (tableau 1) de matriaux
couramment utiliss. Les caractristiques des s ubstrats fournis par les fabricants sont
gnralement donnes 10 GHz.

13

Matriau
MY1
ISOCLAD 917
CUCLAD 217
RT/DUROD 5880 O
DICLAD 880
RT/DUROD 5870 O
DICLAD 870
CUCLAD 233
ISOCLAD 933
DICLAD 527
TACONIC TLX *
RT DUROD 6002 O
RO 3003 O
TACONIC TLC *
ARLON 320
TMM3 O
RO4003 O
ARLON 350
VERRE EPOXY
TMM4 O
RT/DUROD 6006 O
TMM6 O
TMM10 O
ALUMINE (Al2O3)
RT/DUROD 6010 O
SILICE
GaAs

10 Ghz

2.17
2.17
2.17
2.2
2.2
2.33
2.33
2.33
2.33
2.5
2.55
2.94
3.0
3.2
3.2
3.25
3.38
3.5
4.4
4.5
6.15
6.5
9.8
9.8
10.2-10.5-10.8
11.9
13.0

1%
1%
1%
1%
2%
0.85%
1.7%
0.85%
0.85%
1.6%
1.5%
1.35%
1.33%
1.5%
1.5%
2.5%
1.5%
4.5%
1.5%
2.5%
2.5%
2.5%
2.5%
2.5%

tan 10
Ghz

Fournisseurs

0.0013
0.0011
0.0008
0.0009
0.0009
0.0012
0.0012
0.0014
0.0014
0.0019
0.0019
0.0012
0.0013
0.003
0.0029
0.0016
0.002
0.0026
0.02
0.0017
0.002
0.0018
0.0017
0.0003
0.0024
0.0024
0.0006

:METCLAD
O : MB
ELECTRONIQUE
: P2M
: CCI
EUROLAM

Tableau. 1: Principaux substrats utiliss dans le domaine des hyperfrquences


Il n'y a pas de matriau idal et universel dans le domaine des hyperfrquences.
Toutefois la palette de substrats propose par les fournisseurs est aujourd'hui
relativement large. Le choix des matriaux dilectriques s est avr trs important
pour les antennes microrubans et l emploi de ces diffrents substrats peut se rvler
plus ou moins intressant en fonction des performances dsires.

14

V. EXCITATION PAR ONDE DE SURFACE


Les ondes de surface sont les modes de propagation soutenus seulement par le
substrat, c. . d pendant que l'antenne patch rayonne, une portion de l'nergie totale du
rayonnement direct se bloque le long de la surface du substrat. Deux types d'ondes de
surface des modes sont possible, le mode transversal magntique TM et le mode
transversal lectrique TE. Pour les deux t ypes, les composantes de champ changent
sinusodalement avec z dans le substrat, et diminuent exponentiellement dans la
direction z en dehors du substrat. En gn ral, le spectre de mode d'un substrat
dilectrique contenant des modes TM et TE est reprsent sur la figure 2. L'intervalle
entre les frquences de coupure de deux modes des ondes de surface successifs est
donn par [14, 18]:

fi

c
4h

O c est la vitesse de la lumire, h et

(1)

sont respectivement, l'paisseur et la

constante dilectrique du substrat.


TM 0

TE0

TM1

TE1

TM2

TE2

fi

frquence de coupure
Fig. 2. Spectre des modes de propagation

Le mode TM0 a une frquence de coupure nulle, ce mode est toujours prsent
dans le substrat, indpendamment des valeurs de l'paisseur et de la constante
dilectrique du substrat. Pour ce mode, la composante y du champ lectrique est forte,
particulirement si le substrat est lectriquement pais ou a une constante dilectrique
leve. Cette caractristique affecte les performances de conception des antennes
patches.
Les modes des ondes de surface d'ordre plus suprieur peuvent tre non
propagatrice en choisissant des faibles valeurs pourh et
r

. Les faibles valeurs de h et

diminuent, aussi l'amplitude du mode TM0 [11, 14, 18, 19].

15

Alternativement, le concepteur [14, 29], peut utiliser la formule suivante comme


critre pour choisir h.

c
4 fu

(2)

Dans l'quation (2), fu est la frquence maximale partir de laquelle l'antenne


fonctionne. Cette quation peut tre employe pour choisir h, (indpendamment du
type d'antenne), condition que la constante dilectrique du substrat soit dj choisie.
VI. ALIMENTATION DES ANTENNES PATCHES
Lalimentation des antennes microbandes est assure par plusieurs techniques, la
structure dalimentation prsente un lment essentiel dans la conception des antennes
microbandes, sans une alimentation adquate, l antenne relle ne peut pas fonctionner
correctement alors une tude thorique sur les diffrents techniques d alimentations a
t mene.
Le but de notre travail est d analyser des antennes microbandes par une mthode
de niveau de complexit leve et de mettre au point les algorithmes correspondant
pour calculer les caractristiques de rayonne ment tenant compte de la source
dalimentation.

VI.1. DIFFERENTES METHODES D'ALIMENTATION


Les diffrentes mthodes d'alimentation des antennes patches peuvent tre
regroupes en deux grandes catgories [14]: les alimentations par contact (par sonde
ou ligne microruban) et les alimentations par proximit (couplage lectromagntique
par ligne ou fente). La technique utilise peut modifier de faon importante le
fonctionnement de l'antenne, les avantages et les inconvnients des principales
mthodes de base rencontres dans la littrature sont prsents dans le tableau suivant
[26]:

16

Avantages

Inconvnients

-Pas des pertes par rayonnement de -Rayonnement parasite de la sonde de


ligne.

type monopolaire.

-Slection

possible

d'un

mode -Partie selfique ramene par l'me du

privilgie.

connecteur prendre en compte.

-Obtention de l'impdance d'entre par

-Technique de perage et de soudure

positionnement de la sonde

plus dlicate en millimtrique.

-Prdiction

-Rapidement

aise

de

l'impdance

cher

et

compliqu

d'entre pour des substrats de faible

industriellement pour exciter chaque

hauteur

lment d'un rseau forte directivit.

-Technique de perage simple jusqu'


10Ghz
-Procd technologique plus simple

-Rayonnement

parasite

de

la

par gravure sur la mme face de discontinuit ligne arienne.


l'antenne et du circuit d'alimentation.

-Rayonnement parasite

-Adaptation de l'arien possible par

circuit de distribution en millimtrique

contact pntrant.

- Structure fige aprs gravure

-Procd technologique plus simple

-Rayonnement parasite

possible

du

possible

du

par gravure sur la mme face de circuit de distribution en millimtrique


l'antenne et du circuit d'alimentation.

- Structure fige aprs gravure


-Paramtrage du positionnement relatif
de la ligne ncessaire pour adapter
l'antenne.

-Dessin

du

circuit

d'alimentation - Deux couches de substrat requises.


-Difficult

modifiable par rapport aux ariens


-Bande

passante

augmentation

de

plus
la

large

pour

l'intgration

de

par dispositifs actifs et pour la dissipation

hauteur de chaleur.

(h1+h2>h1)

17

- Procd technologique simple.

-Rayonnement arrire parasite possible

- facilits pour intgrer des dispositifs

de la fente

actifs et dissiper la chaleur rsultante.

- Transition fente-ligne de transmission

-Mmes avantages que le cas de la -Gnration de modes de propagation


ligne fente.

parasites

- Faible rayonnement arrire

coplanaires.

sur

les

guides

d'onde

-Transitions simples pour l'intgration


des dispositifs actifs et de circuit
MMIC.

-Ralisation du circuit de distribution

-Technologie

et de l'arien indpendante.

complexe (positionnement des deux

-Sparation lectromagntique des

couches, quatre faces de mtallisation)

deux couches.

-Intgration sur un support mcanique

-Possibilit d'largir la bande en

ncessitant des prcautions

plus

coteuse

et

associant la rsonance de l'lment

-Rayonnement arrire parasite de la

rayonnant celle de la fente.

fente

lorsque

celle-ci

rsonne

au

voisinage de l'lment.
-Mme avantages que le cas du

- Technologie trs coteuse

couplage par fente

-Apparition

- Rayonnement arrire nul

parasites microstrip de propagation

possible

de

modes

entre le ruban conducteur et le plan de


masse de la fente.

Tableau. 2: Diffrents types d'alimentation d'une antenne patch


18

VII. CHOIX DU TYPE DE LIGNES DE TRANSMISSION PLANAIRE


Dans le cas d'application fort gain, l'alimentation des diffrents lments
s'effectue le plus souvent par l'intermdia ire de ligne de transmission type microruban.
Plus la frquence augmente, plus l'tude de la ligne doit tre minutieuse, puisqu'elle
contribue un rayonnement parasite souvent d sa gomtrie. Alors le choix
dutiliser une technologie associe la ralis ation de lignes de transmission de type
microruban est justifi au regard des considrations suivantes:
- Pertes Ohmiques trs haute frquence (facteur de perte prpondrant): les
lignes microruban permettent de minimi ser leur impact au regard des autres
lignes.
- Influence de lpaisseur des conducteurs: les lignes microruban y sont moins
sensibles.
- Effets dispersifs: Dispersions des caractristiques lectriques avec la frquence.
- Influence de lenvironnement sur les caractristiques des fonctions ralises: les
circuits raliss en technologie microruban y sont moins sensibles puisque la prsence
dun plan de masse permet une isolation arrire intrinsque.
- Excitations des modes de substrat : ces modes ont la possibilit d tre excits
quelle que soit la technologie choisie. Nanmoins, les contraintes sur les
caractristiques de substrat, lies leur non- excitation, sont moins importantes pour la
technologie microruban.
- Rayonnement des lignes et discontinuits de gomtrie: ce phnomne est plus
important pour la technologie microruban. Lorsque ce phnomne est matris il est
plutt favorable s il est associ au rayonnement d une antenne planaire. Par contre, il
ncessite un choix judicieux de la topologie des discontinuits et de la gomtrie des
lignes lorsque lon dsire le minimiser, par exemple, lorsque l on dsire limiter les
effets perturbateurs associs une alimentation d antenne de type patch par ligne
microruban.
- Pr dimensionnement laide doutils de simulations lectromagntiques
disponibles: la simulation de circuits microrubanest plus aise car leur excitation est
relativement simple, ce qui n est pas forcment le cas pour des fonctions ralises en
d'autres technologie.

19

VII.1. Effet de la dispersion dans Les lignes microrubans


L'attnuation des signaux au cours de leur propagation sur les circuits
microrubans est principalement due quatre causes [1, 14, 30]:
- les pertes ohmiques du conducteur (ou pertes par effet Joule),
- les pertes dilectriques,
- les pertes par ondes de surface; (piges dans le dilectrique).
- les pertes par rayonnement principalement dues aux discontinuits. Notant que ces
pertes par rayonnement sont prendre en compte ds que l'on monte en frquence.
VII.2. Discontinuits sur les lignes microrubans
Les lignes de transmission dans les circuits ne sont jamais droites et uniformes,
elles comportent des discontinuits comme des changements de direction, de largeur,
des intersections. Ces discontinuits peuvent tre l'origine de l'apparition de modes
suprieurs. Ces modes s'attnuent rapidement lorsque l'nergie s'loigne de la
discontinuit, si la frquence de travail est infrieure la frquence de coupure, ce qui
peut ne plus tre le cas lorsque les frque nces de travail augmentent. De plus, toujours
pour des frquences leves, le mode dominant devient dispersif et la discontinuit est
l'origine d'un rayonnement parasite [31]. Ainsi, si les discontinuits ne semblent pas
avoir d'influence aux basses frquences ( f<20 GHz), de nombreux problmes de
dispersion, de pertes et de rayonnement sont l'origine d'une baisse des performances
(principalement pertes sur le gain des antennes) particulirement aux hautes
frquences.
VIII. CONCLUSION
Dans ce chapitre, nous avons prsent brivement les antennes patches, les
diffrents matriaux et substrat utiliss, aussi nous avons voqu l'influence de
l'apparition des modes de substrat sur les caractristiques de rayonnement et la
limitation de leur excitation. Ainsi que les diffrentes mthodes d'alimentation
rencontre dans la littrature, nous avons galement discut les avantages et les
principales contraintes imposes la ralisation de ces structures d'alimentation, de
plus nous avons explicit les considrations du choix de la ligne d'alimentation du
type microruban et les principales discontinuits sur ces lignes. Finalement nous
avons prsent les mthodes d'analyse utilises pour traiter ce genre d'antenne, on se
basant sur les modles lectromagntiques notamment la mthode des moments.
20

CHAPITRE 2

CARACTERISTIQUES DE RESONANCE ET DE
RAYONNEMENT DES ANTENNES A PATCH
RECTANGULAIRE ET CIRCULAIRE

21

I. INTRODUCTION

ne conception prcise des antennes patch rectangulaire et circulaire imprim


sur un substrat pais peut tre faite en utilisant la mthode des moments [2-6],

qui s'est avre tre un outil trs utile et prcis pour l'analyse et la conception des
structures microruban. Une quation intgrale peut tre formule en utilisant la
fonction de Green sur un substrat dilectrique pais afin de dterminer le champ
lectrique un point quelconque. La solution d'une quation intgrale est finalement
obtenue par la mthode des moments avec un systme donn des conditions de bord.
partir de cette analyse, la distribution du courant sur le patch est dtermine [6, 11,
13, 14, 17-20, 34], le choix du domaine entier dfini sur la plaque conductrice est
illustr pour dvelopper les courants inconnus sur cette dernire. Puisque l'effet de
diffrents paramtres sur la directivit d'une antenne microruban n'a pas t encore
trait, un certain nombre de rsultats concernant ce cas sont prsents dans cette
tude, aussi il est important de comparer la directivit entre la forme rectangulaire et
circulaire.
II. MISE EN EQUATION DU PROBLEME
Ltude thorique est base sur une quation intgrale, rsolue dans le domaine
spectral laide de la mthode des moments. Les courants de surface sont
dcomposs sur une base de fonctions orthogonales dont le choix est un critre
important pour la convergence des intgral es mises en jeu [11, 13, 14, 17-20, 34]. Les
fonctions de test sont prises identiques aux fonctions de base (mthode de Galerkin)

[6, 14, 20]. Ces fonctions utilisent les modes TM et TE, le champ lectrique tangentiel
est calcul partir des fonctions dya diques de Green [6, 11, 13-21, 33, 35, 36, 42, 46,
50] et des courants de surface. La gomtrie considre est donne en figure 1 du
chapitre prcdent, avec une plaque conductri ce soit de forme rectangulaire ayant des
dimensions (a, b) selon respectivement, les deux axes x et y, ou de forme circulaire de
rayon a.
II. 1. DETERMINATION DU TENSEUR SPECTRAL DE GREEN
Plusieurs techniques et mthodes sont utilises pour la dtermination du tenseur
spectral de Green, lapproche adopte dans ce chapitre pour le calcul de ce tenseur est
base sur ltude de la discontinuit du champ magntique H linterface du
conducteur et les composantes tangentielles qui seront directement dduites via les
22

quations de Maxwell. Cette tude mne une relation matricielle entre les
composantes tangentielles spectrales de E et celles de J .
La condition de bord sur la plaque conductrice est donne par [66]:
E scat

Einc

(1)

Einc Composante tangentielle du champ lectrique incident


E scat Composante tangentielle du champ lectrique dispers
Tenant compte des quations de Maxw ell dans le domaine spectral, les
composantes transversales lectriques et magntiques sont donnes par [13, 17, 19,
21]:
~
Es k s , z

~
Hs k s, z

e jk z z A k

gk

e jk z z A k

jkz z

Bk

jk z z

(2)

Bk

(3)

Avec :
A et B sont deux vecteurs deux composantes dterminer [19].
g reprsente ladmittance caractristique des modes TM et TE.

kz

kz

kz

k zTM

kz
kz

k zTM
0

k1

0
k zTE
k zTE
k

, k1 k0

et k0

k0 et k1 reprsentent les constantes de propagation dans l espace libre et dans le


substrat respectivement.
23

Cas rectangulaire k s = k s , ( k s est le vecteur d'onde transverse)

~ TM
Es k s , z
~
, Hs k s , z
~ TE
Es k s , z

~
Es k s , z

~ TM
k s,z
Hs
~ TE
Hs k s,z

(4)

Les composantes transverses du champ lectromagntiques sont obtenues en


utilisant une formulation par les transformes vectorielles de Fourier:
Ex r s , z
Ey rs , z

Es r s , z

H y rs,z
Hx rs , z

Hs rs , z

~
d k s F k s ,rs Es k s , z

~
d k s F k s ,r s H s k s , z

(4-a)

(4-b)

Cas circulaire k s = k , ( k est le nombre d'onde transverse)


~
E TM k , z
~
, Hs k , z
~ TE
E k ,z

~
Es k , z

~
H TM k , z
~
H TE k , z

(5)

Les composantes transverses du champ lectromagntiques dans ce cas sont


obtenues en utilisant une formulation par les transformes vectorielles de Hankel:

Es

Hs

,z

,z

E
E

,z
,z

H
H

,z
,z

ei n

dk k H k ,
0

ei n

dk k H k ,
0

~
Es k , z

~
Hs k , z

(5-a)

(5-b)

Avec
F k s , rs , H k ,

sont les noyaux de transforme vectorielle de Fourier et de

Hankel respectivement.
24

Llimination de A et B dans les quations (2) et (3) mne aux calculs des
composantes tangentielles des champs lectriques et magntiques d une interface z 2
en fonction de celle existante sur l interface z 1.
~
E k s , z2
~
H k s , z2

j g 1 sin k z h
I cos k z h

I cos k z h
j g sin k z h

~
E k s , z1
~
H k s , z1

0
~
Jk

(6)

Avec I matrice unit dordre 2.


En appliquant les conditions aux limites pour la structure considre et aprs
quelques dveloppements algbriques le tenseur spectral de Green s crit :

GT M
0

0
GT E

(7)

Avec :

GT M

0
0

GT E

0
0

cos k z h
j r k z1 cot k z h k z

cos k z h 1

1
j k z cot k z h k z1

(8.a)

(8.b)

Avec:
k z1

k 0 cos k z h
Ce tenseur est factoris en une matrice diagonale ayant toujours la mme forme,

indpendante de la gomtrie de la plaque rayonnante [13, 19]. Il contient donc toutes


les indications concernant la structure tudie.

25

II. 2. EQUATION INTEGRALE DU CHAMP ELECTRIQUE (EFIE)


Les composantes tangentielles du champ lectrique sont donnes selon le
formalisme des transformes vectoriel de F ourier dans le cas d'un patch rectangulaire
[17, 19, 21, 34, 49] et selon le formalisme des transformes vectoriel de Hankel dans
le cas d'un patch de forme circulaire [34, 39-44, 55].
La solution des problmes de propagation (dispersion) est parmi les applications
majeures des mthodes intgrales. Dans de tels problmes, l onde incidente frappe un
objet provoquant un courant qui circule sur la surface de ce dernier et son tour, ce
courant produit une onde appele l onde de dispersion (the scattered wave) [22].
Ainsi, ces mthodes intgrales permettent de trouver la solution d un problme de
propagation en dterminant les distributions de courant ou de champ sur une surface
particulire qui est en gnral une surface de discontinuit (dans notre cas c est
linterface de la plaque conductrice).
Dans le domaine spectral et en reprsentation (TM, TE) le champ lectrique
~
~
tangentiel E n sur linterface de la plaque conductrice est li au courant J k s de
cette dernire par :
~
Es k

Gk

~
Jk

(9)

o G est la fonction spectrale dyadique de Green donne par l'quation (7) et


~
J k s est le courant sur le patch qui est relie la transforme vectorielle de Fourier
de J(rs) dans le cas d'un patch rectangulaire [49] et la transforme vectorielle de
Hankel dans le cas d'un patch de forme circulaire [42].
Le patch rectangulaire de longueura et de largeur b est imprim sur un substrat
dilectrique qui a une paisseur uniforme h. En utilisant la procdure de Galerkin le
courant de surface sur le patch peut tre dvelopp en une srie de fonctions de base
connues Jxn et Jym.

J rs

N
n 1

an

J xn rs
0

26

M
m 1

bm

0
J ym rs

(10)

Avec an et bm sont les coefficients inconnus dterminer dans les directions x et


y respectivement.
Les fonctions de base sont en rapport direct avec la gomtrie de la plaque
conductrice, gnralement pour la plaque conductrice rsonnante, le dveloppement
des courants du domaine entier mnent la convergence rapide et peuvent tre lis
un type d'interprtation du modle de la cavit [49]. Dans ce chapitre les fonctions
sinusodales sans conditions de bord ont t choisies pour la gomtrie rectangulaire.
Les courants dirigs suivant x et y ont t employs avec les formes suivantes [33,
50].
J xn rs

ym

sin

cos

n1

n2

cos

sin

b
2

b
2

(11)

(12)

Dans le cas d'une antenne patch circulaire les transformes vectorielles de


Hankel de k n m

et f n p

kn

ont t utiliss [42].

m 1

an m k n m
0

p 1

bn p f n p

(13)

O
knm

et f n p

sont donns par:

k nm

Jn
in
nm

nm

Jn

nm

27

(14)

in

Jn

np

f np

Jn

np

(15)

np

0
Jn k

: fonction de Bessel de premire espce d'ordre n et d'argument k

Jn k

: drive de la fonction de Bessel par rapport l'argument.

Avec:
Jn

nm

0 pour m 1,2,3,

M,

Jn

np

0 pour p

1,2,3,

L'quation intgrale dcrivant le champ E du patch rectangulaire ou circulaire


peut tre discrtise par la matrice suivante:
Z1
Z3

N N

Z2

M N

Z4

N M

N 1

M M

M 1

(16)

Dans le cas rectangulaire les lments de la matrice impdance sont donns par:

Z1

dk s

1 2 TM
kx G
k s2

Z2

dk s

Z3

dk s

Z4

dk s

kxky
k

2
s

kxky
k s2

k y2 G TE

~
J xk

~
k s J xn k s

(17.a)

G TM

G TE

~
J xk

~
k s J ym k s

(17.b)

G TM

G TE

~
J yl

~
k s J xn k s

(17.c)

1 2 TM
kyG
k s2

28

k x2 G TE

~
J yl

~
k s J ym k s

(17.d)

Dans le cas circulaire les lments de la matrice impdance sont donns par:

Z1
Z2
Z3
Z4

~ T
~
d k k K nj k G k K nm k

(18.a)

~ T
~
dk k K n j k G k F n p k

(18.b)

~ T
~
dk k F n k k G k K n m k

(18.c)

~ T
~
dk k F n k k G k F n p k

(18.d)

~
Dans l'quation (17), J est la transforme de Fourier qui sera donne
~ ~
ultrieurement, Dans l'quation (18), F , K sont les transformes de Hankel de F et K
respectivement.
II.3. FREQUENCE DE RESONANCE
Puisque le systme dquations est homogne, sa solution non triviale est
atteinte quand le dterminant de la matrice Z disparat.

det Z

(19)

La frquence de rsonance complexe peut tre dtermine par la recherche


numrique de la racine de l'quation aux valeurs propres prcdentes

fr

j fi

(20)

O la partie relle f r est la frquence de rsonance de la bande rsonatrice (patch


rsonateur) et f i traduit les pertes par rayonnement.
La conception de la frquence complexe, qui tait introduite pour la premire
fois par Itoh et al [20] dans le calcul des frquences de rsonance, et le facteur de
29

qualit Q des antennes planaires ont t la base pour l analyse de plusieurs types de
radiateurs microbande [20], [45]. Malheureusement dans tous ces travaux, il parait
que les intgrales des lments de la matrice impdance ont t values le long de
laxe rel, bien que ce type dintgration est acceptable sous certaines conditions;
c..d substrat mince, frquence basse et un faible permittivit [20], ce problme a t
rsolu et publi par Assailly et al [20] o ils prsentent le chemin correct d intgration
dans le but dviter les ples des ondes de surface sur l axe rel.
Durant lvaluation numrique des lments de la matrice Z , nous avons
rencontr le problme des singularits ou ples, correspondant aux ondes de surface
lectrique et magntique, donc il fallait trouver le chemin correct d intgration pour
viter ces ples. Dans la recherche des zros du systme d quations linaires les
frquences de rsonances peuvent tre complexes et avoir une partie imaginaire
ngative et petite. La fonction G T M k
k0, k0

contient des singularits dans le segment

; [11, 13, 46-48], donc le chemin d intgration doit tre lgrement

dform afin que, les chemins de la migration de ces singularits ne traversent pas le
chemin dintgration.
Dans le plan complexe de la variable spectralek

, la mthode classique utilise

pour dtourner ces singularits consiste dformer le contour d intgration de l axe


rel C vers le contour C1 qui contourne les ples par des petits demi-cercles. Voir
Figure 1.
Im k

Chemin original
dintgration (C)

Chemin dform
dintgration (C1)

Point de branchement

Ple

k0

kg

k0

Fig. 1. Chemin dintgration dans le plan complexe

30

Re k

Pour h petit, il ya un seul ple dans la rgion susmentionne, correspondant au


mode TM dans le substrat dilectrique et peut tre facilement localis. La mthode
utilise pour localiser ce ple converge rapidement si une bonne estimation initiale
pour lemplacement de ce dernier est donne.
Pour h petit et

1 , lemplacement du ple k g est donn approximativement

par [48] :

kg

k0

k0 h 2 2

(21)

Cette dernire quation sert comme une bonne estimation initiale


lemplacement du ple.
La proximit de lemplacement du ple au chemin d intgration est nuisible aux
valuations numriques effectives des intgrales il est avantageux de retrancher
dehors la singularit du ple et l intgrer analytiquement. L intgrale obtenue est une
fonction rgulire et peut tre intgre efficacement en utilisant la quadrature de
Gauss. Cependant, pour un substrat pais, plusieurs ples peuvent exister, et
llaboration analytique des intgrales autour des demi-cercles peut se compliquer si
deux ou plusieurs ples sont trs proches [13, 19, 55]. Le nombre total des ples est
dtermin par la frquence du fonctionnement et les paramtres dimensionnels du
substrat [13, 47, 55]. Il peut tre montr [11] que si k0 h
dnominateur de G T E k

1 12

na aucun zro par contre celui de G T M k

alors le

a un seul.

II.4. DIAGRAMME DE RAYONNEMENT


Pour dterminer les champs lointains E et E , on utilise la mthode classique
de la phase stationnaire [17, 19, 21, 36], aprs avoir trouv les coefficients du courant
sur le patch par la dtermination du vecteur propre minimal de la matrice impdance.
Les expressions des champs lointains s'crivent:

E
E

j k0

exp j k 0 r
2 r

GT M
0
31

0
TE
G cos

~
J TM
~
J TE

(22)

II.5. DIRECTIVITE
La directivit ou le gain en directivit est le rapport de l'intensit du
rayonnement dans une direction donne sur l'intensit du rayonnement d'une antenne
de rfrence qui est suppose tre une source isotrope. La directivit de l'antenne est
donne par l'expression suivante [6, 14, 53, 54, 95]:

D ,

F ,

F ,

(23)

sin d d

0 0

O:
F ,

: L'intensit du rayonnement, voir annexe B.

III. RESULTATS ET DISCUSSION


Une analyse rigoureuse est prsente pour obtenir la frquence de rsonance
complexe d'une antenne patch rectangulaire,la procdure de Galerkin de la mthode
des moments avec des fonctions de base sinusodales sans condition de bord du
domaine entier est tudie. Les dimensions de l'antenne patch rectangulaire sont de
1.5 cm

1 cm, le substrat a une constante dilectrique relative de

r=

2.35. Le mode

TM01 est considr dans ce travail, les parties relle et imaginaire normalises de la
frquence de rsonance complexe pour cette structure sont donnes en fonction de
l'paisseur h, la normalisation est faite par rapport la frquence de rsonance f0 du
modle de la cavit (figures 2, 3). Une tude comparative montre un accord prcis
entre nos rsultats et ceux disponibles dans la littrature [51].

32

Rel ( f / f0 )

Nos paper
rsultats
This

0.98

Rsultats
Results ofde[4][51]

0.96
0.94
0.92
0.9
0.88
0.86
0.84
0

0.02 0.04 0.06 0.08

0.1

0.12 0.14 0.16 0.18

0.2

h (cm)

Fig. 2 Partie relle de la frquence de rsonance normalise en fonction de l'paisseur


Imag ( f / f0 )

du substrat pour le mode TM01 (sans condition de bord).

0.05
0.045
0.04
0.035

This
Nospaper
rsultats
Rsultat
de [51]
Results
of [4]

0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
0
0

0.02 0.04 0.06 0.08

0.1

0.12 0.14 0.16 0.18

0.2

h (cm)

Fig. 3 Partie imaginaire de la frquence de rsonance normalise en fonction de


l'paisseur du substrat (sans condition de bord).
33

Le tableau 1 montre une tude comparative entre les donnes calcules et


mesures prsentes par [19, 55] et les rsultats calculs partir de notre modle.
Pour des patches parfaitement conducteurs de diffrentes paramtres dimensionnelles
et lectriques, on constate un trs bon accord entre nos rsultats et l'exprience, il est
important de noter que le mode tudie dans ce travail est le mode dominant TM11.
No d'antenne

a (cm)

h (cm)

3.493

0.1588

2.50

1.270

0.0794

2.59

3.493

0.3175

2.50

13.894

1.2700

2.70

4.950

0.2350

4.55

3.975

0.2350

4.55

2.990

0.2350

4.55

2.000

0.2350

4.55

1.040

0.2350

4.55

10

0.770

0.2350

4.55

Tableau. 1 a: Paramtres dimensionnelles et l ectriques des patches circulaires


Il est important de noter que le mode la normalisation de la frquence de
rsonance dans le tableau 1 est par rapport f0 du modle de la cavit, le mode tudi
dans ce travail est le mode dominant TM01.

34

Frquence de rsonance (Ghz)


Rsultats de [55]
mesures

calcules

Rsultats de [19]
modle de

mode de

la cavit

Chebychev

Nos
rsultats

1.570

1.555

1.560

1.545

1.544

4.070

4.175

4.188

4.142

4.145

1.510

1.522

1.528

1.510

1.512

0.378

0.370

0.370

0.366

0.367

0.825

0.825

0.824

0.815

0.818

1.030

1.027

1.023

1.011

1.015

1.360

1.358

1.352

1.334

1.343

2.003

2.009

1.995

1.966

1.990

3.750

3.744

3.683

3.626

3.748

10

4.945

4.938

4.825

4.750

5.000

Tableau. 1 b: Comparaison des frquences de rsonance mesures et calcules des


patches circulaires prsentes en tableau1 a.

35

(dB)

Rectangulaire
Circulaire

Fig. 4. Directivit des antennes patches rectangulai re et circulaire en fonction de la


constante dilectrique relative du substrat. h = 0.159cm, freq = 2.4Ghz
La figure 4 montre l'effet de la constante dilectrique relative du substrat sur la
directivit pour une antenne patch fonctionnent 2.4 Ghz avec un substrat d'paisseur
h=0.159 cm, on note qu'une augmentation de la constante dilectrique relative du
substrat cause une diminution de la directivit, donc il est prfrable de travailler avec
des substrats de faible constantes dilectriques. La mme remarque est faite pour le
cas d'un patch carre (a=b=2.0cm) et circulaire (a=2.0cm), figure (5. a, b) avec un
substrat d'paisseur h=0.159cm; c. . d l'augmentation de la constante dilectrique du
substrat cause une diminution de la frquence de rsonance, mais on note que pour les
mmes paramtres dimensionnelles la gamme de frquence dans le cas carre est
beaucoup plus important que pour le cas circulaire on note aussi d'aprs la courbe (6.
a, b) que pour le mme substrat dilectrique h=0.159 cm,

=2.5 la frquence de

rsonance du patch carre est trs leve par rapport au cas circulaire. On constate
aussi d'aprs ces courbes que le travail avec des antennes microstrip des frquences
leves offre la possibilit de leur miniaturisation ce qui est en accord avec ceux dj
publies dans [48].
36

(Ghz)
6.2
6
5.8
5.6
5.4
5.2
5
4.8
4.6
2

2.5

3.5

4.5

4.5

(a)
(Ghz)
2.9
2.8
2.7
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2

2.5

3.5

Fig. 5. Frquence de rsonance en fonction de la constante dilectriq ue du substrat


(a) cas carre, (b) cas circulaire
37

(Ghz)
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1

1.5

2.5

3.5

3.5

(a)

(Ghz)
5.5

4
(cm)

5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
1

1.5

2.5

4
(cm)

(b)
Fig. 6. Frquence de rsonance en fonction de dimensionnement de patch a
(a) cas carre, (b) cas circulaire
38

=2.5, h=0.159cm, a=b=2.0cm

La figure 7 montre qu'une augmentation de la frquence cause une augmentation


de la directivit. On constate aussi d'aprs cette figure que dans le cas d'un patch
circulaire on a une lgre augmentation de la directivit compare au cas du patch
rectangulaire, nous pouvons voir sans peine pa rtir de ces deux courbes que l'antenne
patch circulaire est plus directive par rapport l'antenne patch rectangulaire et
deviennent plus significatifs lorsque la frquence diminue.

(dB)
Circulaire

Rectangulaire

(Ghz)

Fig. 7. Directivit des antennes patches rectangulai re et circulaire en fonction de la


frquence h = 0.159cm,

39

r=

2.5

(dB)
7.5

6.5

6
4.6

4.8

5.2

5.4

5.6

5.8

6.2
(Ghz)

2.8

2.9
(Ghz)

(dB)
7.5

6.5

2.1

2.2

2.3

2.4

2.5

2.6

2.7

Fig. 8. Directivit en fonction de la frquence de rsonance


(a) cas carre, (b) cas circulaire
40

varie, h=0.159cm, a=b=2.0cm

Les courbes de la figure 8 montrent l'allure de la directivit d'une antenne patch


de forme carre et circulaire avec la variation de la frquence, en note qu'une
augmentation dans la frquence se traduit par une augmentation dans la directivit,
alors pour amliorer la directivit on travaille des frquences leves.
IV. CONCLUSION
La technique de la mthode des moments a t dveloppe pour les deux cas de
gomtrie rectangulaire et circulaire. La directivit peut tre trouve par l'intgration
numrique du modle du champ lointain. Une technique efficace de la fonction
dyadique de Green est prsente, l'tude comparative entre ces deux diffrentes
formes est faite et elle est compare avec d'autres rsultats disponibles dans la
littrature. L'effet des diffrents paramtres sur la frquence de rsonance et sur la
directivit est tudi.
Les rsultats du modle dvelopp montre un accord trs prcis entre nos
valeurs et celles disponibles dans la littrature.

41

CHAPITRE 3

ANALYSE D'UNE ANTENNE PATCH


RECTANGULAIRE AVEC EXCITATION

42

I. INTRODUCTION

e but de ce chapitre est danalyser l'antenne microbande par une mthode de


niveau de complexit leve et de me ttre au point les algorithmes correspondant

pour calculer les caractristiques de rayonne ment tenant compte de la source


dalimentation.
Lalimentation des antennes microbandes est assure par plusieurs techniques.
La structure dalimentation prsente un lment essentiel dans la conception des
antennes microbandes. Sans une alimentation adquate, l antenne relle ne peut pas
fonctionner correctement alors une tude thorique sur les diffrentes techniques
dalimentations a t mene dans ce travail.
Les diffrentes mthodes d'alimentations des antennes patches peuvent tre
regroupes en deux grandes catgories:

II. SYSTEME A UNE SEULE COUCHE INTEGRE, ALIMENTATION PAR


CONTACT (TYPE OUVERT)
Dans ce systme, le mcanisme d'alimentation et l'lment rayonnant sont placs
sur une seule couche dilectrique du substrat. L'lment peut tre aliment soit partir
d'un bord du patch en utilisant une ligne microstrip ou en arrire du substrat en
utilisant une sonde d'alimentation.
II.1. L'alimentation par ligne microstrip
La ligne microstrip d'alimentation constitue galement un lment rayonnant
mais dont la largeur est gnralement trs infrieure par rapport celle du patch
(figure 1). Ce type d'alimentation est facile mettre en uvre et permet une
adaptation d'impdance facile par simple positionnement du point de contact. Par
contre, on a un rayonnement parasite qui peut devenir considrable, aux hautes
frquences; le paramtre additionnel qui doit tre considr est les pertes (par
longueur d'onde). Ces pertes additionnelles sont dues l'excitation par onde de
surface. Dans une certaine mesure on peut liminer ces pertes par la galvanoplastie
[14].

43

Ligne microstrip
Patch

Substrat
Plan de masse

Fig. 1. Alimentation par ligne microruban


II.2. L'alimentation coaxiale
L'alimentation coaxiale o le conducteur intrieur est attach au patch et le
conducteur externe au plan de masse est largement utilise (figure 2). Ce type
d'alimentation est facile mettre en uvre et adapter. Mais il offre une bande
passante troite et il est difficile modliser particulirement pour des paisseurs du
substrat suprieures 0.02

[14]. L'avantage de cette alimentation est qu'elle occupe

moins d'espace que l'alimentation par ligne microstrip. La ractance offerte par la
sonde est un facteur constitutif dans la conception de l'alimentation, lorsque la
frquence augmente, cette ractance (de la sonde) devient excessive en comparant
avec l'impdance d'entre de l'antenne, et par consquent l'alimentation par sonde n'est
pas convenable pour les hautes frquences moins que quelques autres dispositions
soient prise pour liminer cette ractance due la sonde par l'accord avec les stubs
capacitifs.

Patch
Substrat

Cable coaxial

Plan de masse

Fig. 2. Alimentation par sonde coaxiale

44

L'alimentation par ligne microruban ou parcble coaxial prsente une asymtrie


qui gnre une composante croise. Pour remdier cet tat de fait, l'alimentation par
proximit a t introduite [14, 56-59] .
III. SYSTEME A DOUBLE COUCHE INTEGRE, ALIMENTATIONS PAR
PROXIMITE (TYPE FERME)
L'alimentation par contact a trait des structures d'alimentation situes sur le
mme substrat que l'lment rayonnant. Les limitations de ce type d'alimentation
sont :
- dans ces structures, l'alimentation occupe une place considrable et peut obstruer le
rayonnement partir des lments de rseau,
- le rayonnement parasite de la structure d'alimentation intervenant avec l'lment
rayonnant, causant la dtrioration au niveau de la polarisation croise (cross
polarisation) du rseau principal.
- l'adaptation parfaite de la ligne d'alimentation l'lment de l'antenne n'est pas
toujours possible.
On peut liminer toutes ces difficults da ns l'alimentation en utilisant l'alimentation
dans un autre type de configuration double couche. Bien que le systme devient
encombrant d une autre couche, cette structure est meilleur parce qu'elle limine
tous les inconvnients des configurations ouvertes. Le couplage lectromagntique
EMC est parmi les diffrents types de ce systme d'alimentation .
La conception des antennes patches par couplage lectromagntique EMC telles que
le couplage par proximit et le couplage par fente ont beaucoup d'avantages par
rapport l'alimentation par contact "l'excitation coaxial et l'excitation aux extrmits
directes du patch". Parmi ces avantages:
- aucun contact physique entre la ligne d'alimentation et l'lment rayonnant.
- pas besoin d'un perage
- moins de rayonnement parasite
- meilleur pour les rseaux
- bonne suppression des modes d'ordre suprieur
- une meilleure performance haute frquence

45

III.1. Couplage par fente

Substrat d'antenne

Patch

Fente dans le
plan de masse

Ligne microstrip

Substrat d'alimentation
Plan de masse

Fig. 3. Couplage par fente


Dans le couplage par fente, l'nergie RF de la ligne d'alimentation est couple
l'lment rayonnant par une ouverture commune sous forme d'une fente rectangulaire,
en 1985 Pozar a propos ce type d'alimentation [60].
Ce type d'alimentation est le plus difficile mettre en uvre. De plus, il prsente
une bande passante troite et prsente un rayonnement parasite faible. Il se compose
de deux substrats spars par un plan de masse sur lequel est pratiqu la fente. La
ligne d'alimentation se situe sur la face libre du substrat infrieur et l'lment
rayonnant se trouve sur la face libre du substrat suprieur. Cette configuration permet
une optimisation indpendante entre la ligne d'alimentation et l'lment rayonnant. En
gnral un dilectrique avec une permittivit leve est utilis pour le substrat
infrieur et un dilectrique pais avec une permittivit faible est utilis pour le substrat
suprieur. Le plan de masse isole la ligne d'alimentation de l'lment rayonnant et
limite l'interfrence du rayonnement parasite sur le diagramme de rayonnement et
offre ainsi une plus grande puret de polarisation. Pour cette structure, les paramtres
lectriques du substrat, la largeur de la ligne d'alimentation et la taille de la fente
46

peuvent tre utiliss pour optimiser l'antenne. L'adaptation d'impdance s'effectue en


agissant sur la largeur de la ligne d'alimentation et sur la longueur de la fente.
III.2. Conception d'une antenne microstrip alimente par proximit
Le couplage par proximit est un autre type d'alimentation EMC. Ce type
d'alimentation (figure 4) offre la meilleure bande passante (environ 13%) [14]. Il est
facile modliser et prsente un rayonnement parasite faible. La distance entre la
ligne d'alimentation et le patch peut tre utilise pour adapter l'impdance de
l'antenne. Le principal inconvnient de ce type d'alimentation est qu'il est difficile
mettre en uvre.

Patch

b
y

h2

h1

s
wf

Ligne microstrip

Plan de masse

Fig. 4. Couplage par proximit en sandwich


L'antenne couple par proximit se compose de deux couches: la couche
d'alimentation qui est une ligne microstrip de 50

avec un plan de masse et la

couche suprieur qui contient le patch rayonnant.


Le niveau du couplage peut tre ajust en changeant la longueur de la distances
de chevauchement (figure 4). D'aprs G. Splitt et al, [14] un couplage maximum se
produit quand la distance de chevauchementest approximativement gale la moiti
de la longueur du patch.

47

Pour une conception typique la frquence de rsonance dcale vers le haut par 1
2 % pour un chevauchement de b/2, ainsi les dimensions du patch devraient tre
conues une plus basse frquence [14].
IV. CHOIX DE LALIMENTATION
Plusieurs mthodes ont t exposes. Les plus utilises sont :
La ligne microstrip, la sonde coaxiale, le couplage par fente, le couplage par
proximit.
En effet, lutilisation dune alimentation microruban (figure 1) cre une
discontinuit entre la ligne microruban et l lment rayonnant. Ceci augmente le
coefficient de rflexion S 11, par suite ladaptation de limpdance dentre de
lantenne se dgrade. De plus cette mthode donne une bande plus troite [14] .
Les deux autres mthodes possibles, savoir l alimentation par fente ou
lalimentation par sonde coaxiale, malgr leur large bande, sont compliques et donc
ne vrifient pas la contrainte de simplicit de la structure. Finalement, le couplage par
proximit (en sandwich) runit la simplicit et la large bande. Son inconvnient est le
rayonnement parasite de la partie non masque de la ligne d alimentation.
Dans ce travail nous nous intressons l'alimentation par ligne microruban et
l'alimentation par proximit.

48

V. THEORIE
Le mcanisme d'excitation des antennes microstrip de forme rectangulaire
excite par couplage lectromagntique est fourni par une ligne de transmission
incluse l'intrieur du substrat (figure4, 5) qui couple l'nergie parasite l'antenne
microstrip.

b
a
s

Fig. 5. Couplage par proximit en sandwich, vue de dessus


Ce type de couplage lectromagntique a t propos la premire fois par
Oltman pour les diples suspendus et plusieurs analyses thoriques et tudes
exprimentales ont t faites [61, 62] . Le couplage lectromagntique des diples
microstrip [63, 64] ont t tudis par des techniques empiriques et par des analyses
approximatives, et un modle trs approximatif a t driv pour l'antenne microstrip
rectangulaire [62, 63]. Cependant puisque le mcanisme de couplage est fortement
affect par l'existence de dilectrique [14], les caractristiques de l'antenne telles que
l'impdance d'entre et la frquence de rsonance peuvent tre tout fait diffrentes
de celle d'un milieu homogne. Dans ces analyses thoriques un milieu homogne a
t propos. Puisque le mcanisme de rayonnement d'un diple microstrip est trs
semblable celui d'un microstrip patch [63], le modle dvelopp dans le cas de
diple [63] est applicable l'analyse et la conceptions des lments microbande qui
sont de forme rectangulaire mais avec une largeur plus petite que la longueur de
l'lment (patch). Rcemment, les chercheurs ont rapports une analyse rigoureuse
dans laquelle une quation intgrale est rsolue [ 62, 63]. Le patch microstrip avec la
ligne de transmission considre ici est montr dans la figure ci-dessus. Dans ce cas
de couplage par proximit (en sandwich), la ligne d'alimentation microstrip est sur un
49

substrat d'paisseur h1, couvert de superstrat d'paisseur h2 (h2=d-h1), le substrat et le


superstrat sont considrs, ayant la mme constante dilectrique. Alors que pour le cas
d'alimentation par ligne microruban, nous avonssimplement plac le patch et la ligne
d'alimentation sur le mme substrat d'paisseur h1, pour enlever efficacement le
superstrat. La ligne d'alimentation est encastre par distance s de l'extrmit du patch,
c'est ce chevauchement (des modes d'expansion) qui fournit la continuit du flux du
courant de la ligne d'alimentation au patch. Le flux du courant sur le patch est
augment en terme de la direction x et y du courant, puisque les courants sont toujours
continus dans la direction du flux de courant. La solution est dtermine en imposant
les conditions aux limites sur le patch et sur la ligne d'alimentation.
On suppose que t1 et t2 (les paisseurs du patch et de la ligne de transmission
respectivement) sont trs petits par rapport la longueur d'onde dans le dilectrique
( t1 , t 2

), on suppose aussi que les courants suivant le patch et la ligne

d'alimentation circulent sur les fonds de surface S1 et S2.


Le systme d'antenne est spar dans trois rgions (figure 6):
Patch

Ligne microstrip

a-s

Plan de masse

Fig. 6. Systme d'alimentation par proximit


La rgion I est une ligne microstrip utilise comme une ligne d'alimentation,
La rgion II reprsente le chevauchement de l'antenne et de la ligne
d'alimentation. Cette rgion est une ligne de transmission couple asymtrique dans
un milieu inhomogne. Dans cette rgion, existent deux modes indpendants avec
diffrentes valeurs des constantes de pr opagation, le mode C, correspondant au mode
pair dans une ligne couple symtriques et le mode

qui est semblable un mode

impaire [62], pour chaque mode nous avons deux impdances caractristiques
correspondant aux patch suprieur et infrieur. Au moyen de la thorie de rseau
50

micro-onde [62], toutes ces impdances et constantes de propagations peuvent tre


trouves dans la rgion de recouvrement [62].
La rgion III est une ligne microstrip suspendue reprsentant la partie
dsaccouple de l'antenne patch.
La mthode rapporte dans ce travail est base sur une quation intgrale dont le
champ lectrique est donn par:
Ei r

G iv r J v r ds

v 1, 2

(1)

Dans le domaine spectral et en reprsentation (TM, TE) ce champ lectrique


tangentiel qui est li au courant est crit sous cette forme:
~
Ei k s

Gvi k s J v ks

(2)

v 1, 2

O
Ei est le champ lectrique dans le milieu i (i=1 l'air, i=2 les dilectriques),
Giv est la fonction dyadique de Green dans le milieui, d la source v (v=1: patch,
v=2: la ligne de transmission), ce tenseur est factoris en une matrice diagonale ayant
toujours la mme forme et indpendante de la gomtrie de la plaque rayonnante. Il
contient donc toutes les indications concernant la structure tudie.
La mthode des moments procdure de Galerkin permet la dcomposition de la
solution d'une quation intgrale suivant un dveloppement de fonction de base grce
l'application d'un produit intrieur sur ces fonctions de base.
Puisque les largeurs du patch et la ligne de transmission sont des fractions de la
longueur d'onde dans le dilectrique, il peut tre suppos que les courants sont
continus et parallles l'axe x, par consquent, on suppose que les densits de courant
de surface J1 et J2 respectivement sur les lments rayonnant 1 et 2 (le patch et la
ligne d'alimentation) peuvent s'exprimerau moyen d'un dveloppement des modes de
courant et de fonctions connues.
Le vecteur de courant dans l'quation (1) peut tre crit sous plusieurs modes:

51

VI. LES DIFFERENTS MODES DE COURANT


Puisque les courants sont toujours continus dans la direction du flux de courant,
la solution est exprime en imposant les conditions aux limites sur le patch et la ligne
d'alimentation:
E inc
tan

E scat
tan

(3)

O
E inc
tan

est

le

champ

lectrique

tangentiel

d'un

courant

de

dplacement

lectromagntique (traveling wave current) quasi-transverse d'une onde (TEM) sur la


ligne microstrip.
E scat
tan est le champ tangentiel dispers d aux courants sur le patch et les courant nonTEM sur la ligne d'alimentation et le patch. Les courants sur la ligne d'alimentation et
le patch sont dvelopps selon trois types de modes [ 65, 66]:
Courant de dplacement d'onde sur la ligne d'alimentation (Traveling Wave
Current),
Courant de chevauchement (Overlap Currents),
Courant du patch,
VI.1. COURANTS SUR LA LIGNE MICROSTRIP D'EXCITATION
Pour des petites largeurs de la ligne d'alimentation, la composante transversale
du courant lectrique sur la ligne est trop petite par rapport la composante
longitudinale et peut tre nglige [65]. Par consquent, seulement une composante
est considre dans l'analyse. Le courant lectrique longitudinal sur la ligne
d'alimentation est dvelopp selon deux modes: les modes de dplacement d'onde
(traveling wave current) du domaine entier suivant la ligne semi infinie (SIM) et les
modes sinusodaux secondaires (piecewise sinusoidal) proximit de l'extrmit
ouverte (PWS) [66, 68]:

52

VI.1. 1. Courants de dplacement d'onde sur la ligne d'alimentation


Elles sont donnes par l'quation suivante:
J f x x, y

gf y

1 R fc x

j 1 R fs x

(4)

O
g f y est la distribution transversale du courant qui peut inclure l'effet de bord
(premier cas) ou tre suppos simplement en tant que constante pour une ligne
d'alimentation troite (deuxime cas) [ 14, 65, 66], donc on a deux formes possibles:
Une distribution constante au large de la ligne:

gf y

1
wf
0

wf

pour y

ailleurs

(5)

Une distribution tenant compte de la condition de bords:


2
gf y

wf 1
0

2y
wf

wf

pour y

ailleurs

(6)

R est le coefficient de rflexion suivant la ligne dterminer,


wf est la largeur de la ligne d'alimentation.
Les expressions f c x , f s x dans l'quation (4) sont:
fc x
fs x
ke

cos k e x,

pour

sin k e x,

pour

2 ke
x

est la constante de propagation de la ligne microstrip, ke est calcule


g

travers une analyse rigoureuse (Full-Wave Analysis) [66, 67] dans le cas de
53

l'alimentation par proximit, l'effet du superstrat sur ke doit tre inclus (la diffrence
entre l'alimentation par proximit et l'alimentation par ligne microstrip) [66, 67]. La
figure7 montre la disposition des modes de dplacement d'onde sur la ligne
d'alimentation.
Ce choix des modes pour l'alimentation est efficace parce qu'ils modlisent
exactement les courants de dplacement d'onde loin des courants non uniforme la
jonction ligne d'alimentation.
Puisque ke est choisi comme constante de propagation du microstripline, les
champs tangentiels partir de ces courants des modes de dplacement d'ondes sont
automatiquement zro sur la ligne d'alimentation (au moins loin des extrmits).
Pour des cas pratiques la longueur de la ligne d'alimentation est finie et gale
Lf (au lieu d'tre semi infini), en prenant des expressions de Balanis et al [52], dans ce
cas la disposition des modes de dplacement d'onde sur la ligne d'alimentation est
donne par cette figure.
Patch

Ligne microstrip

a
a/2
a/2

Lf

Fig. 7. Disposition des modes de dplacement d'onde sur la ligne d'alimentation


Supposant le patch est centr l'origine
Lf est la longueur finie de la ligne d'alimentation, cette longueur devrait tre choisie
comme multiple de

[66, 67] de sorte que les discontinuits non physiques

n'existent pas la fin du mode [66, 67].


VI.1. 2. Courant de chevauchement overlap currents
Dans le cas ou la ligne d'alimentation entre en contact avec le patch, ou dans le
cas du couplage par proximit ou la ligne d'alimentation se termine, le courant sera
non uniforme en raison de la discontinuit, les modes piecewise sinusodal PWS ont
t utiliss pour modliser ce non uniformit:
54

J nf x, y

gf y

Nf
n 1

(7)

I nf f nf x

avec:
f nf x donne par cette expression:

f nf x

sin k e h f

x nhf

sin k e h f

pour x n h f

hf

(8)

O
Nf : l'ensemble des modes PWS sur la ligne d'alimentation.
I nf : sont les coefficients de ces sous section de fonctions de base.
hf : est la longueur de sous section dela fonction de base rooftop sinusodale.
Le nombre d'onde du mode PWS est arbitraire, mais a t choisi aussi ke, pour la
simplicit
Dans le cas d'une alimentation entrante en contact, les modes de PWS
recouvrent la ligne d'alimentation et le patch et ainsi fournit la continuit du flux du
courant.
VI.2. Courant du patch
Thoriquement, il existe plusieurs systmes des fonctions de base pour
modliser le courant du patch, mais dans la pratique on utilise qu un nombre limit.
Ces fonctions de base sont en rapport direct avec la gomtrie de la plaque
conductrice, les courants de type entiredomain mnent une convergence rapide et
peuvent tre lies un type d'interprtation du modle de la cavit. Les courants
suivant les directions x et y ont t utilis avec les formes qui seront donnes en dtail
dans le prochain chapitre.
L'tude d'une antenne microstrip avec le systme d'excitation, par la mthode
spectrale fait appel au calcul des transformes de Fourier de chacun des modes
prcdents.

55

Les coefficients de dveloppement des modes prcdents sont inconnus. Le


nombre d'inconnues dterminer est gale ( 1 N f

Nx

N y ).

Le patch et la ligne d'alimentation sont diviss en N v+1 segments avec v=1, le


patch et v=2, la ligne d'alimentation. En utilisant les formes spectrales des courants
pour l'valuation des lments de la matrice impdance et aprs un dveloppement
mathmatique pnible on aboutie un systme d'quations linaires de cette forme:
Z mi vn I nv
i 1, 2

Pour

v 1, 2

et

(9)

Vmi

m 1, 2, 3 ...M
n 1, 2, 3 ...N

O
Vmi

est le vecteur d'excitation, I nv est le vecteur des inconnus, et Z mi vn est la

matrice impdance qui peuvent tre divises dans quatre rgions, dont les lments
sont donns par:
Z111

Z 311
Z 121
Z 321

Z 211

Z 411
Z 221
Z 421

Z 11 2

Z 31 2
Z12 2
Z 32 2

Z 21 2

Z 41 2
Z 22 2
Z 42 2

R
I nf
an

bm

V11
V21
V12
V22

(10)

Avec:
Z111 , Z 211 , Z 311 , Z 411 sont les lments de la matrice impdance propre de l'lment
rayonnant 1.
Z12 2 , Z 22 2 , Z 32 2 , Z 42 2 sont les lments de la matrice impdance propre de l'lment
rayonnant 2
( Z11 2 , Z 21 2 , Z 31 2 , Z 41 2 ), ( Z121 , Z 221 , Z 321 , Z 421 ) sont les lments de la matrice
impdance mutuelle entre les lments rayonnant 1 et 2.
Il faut noter que les expressions de ces lments sont au cours de publication.
Si on considre la ligne d'alimentation comme le premier lment rayonnant et
le patch comme le deuxime lment rayonnant, alors les termes Z 221 par exemple de
56

la matrice impdance reprsentent l'impdance entre un mode sinusodal du domaine


entier suivant x sur le patch et un mode de PWS sur la ligne d'alimentation.
Les termes dans le vecteur de tension rsultent du mode de dplacement d'onde
incidente quasi TEM sur la ligne d'alimentation, par consquent l'amplitude de cette
onde se prend gale l'unit, l'amplitude de l'onde du courant rflchi est une inconnu
R, qui est le coefficient de rflexion de te nsion, les autres modes ont des coefficients,
I nf , a n , bm
O
I nf : est le coefficient de l'ensemble deNf des modes PWS sur la ligne d'alimentation
a n : est le coefficient de l'ensemble de Nx des modes sinusodaux (entire domain)
suivant la direction x des courants sur le patch.
bm : est le coefficient de l'ensemble de Ny des modes sinusodaux (entire domain)
suivant la direction y des courants sur le patch.
Aprs la dtermination des inconnus, l'impdance d'entre peut tre calcule
un point quelconque sur la ligne d'alimentation.
VII. IMPEDANCE D'ENTREE
Dans le domaine spectral l'impdance d'entre pour une antenne s'exprimera
l'aide des fonctions spectrales [69] et il est indispensable de connatre la distribution
du courant et le champ tangentiel.
Connaissant les courants de surface sur les lments rayonnants, nous pouvons
dterminer l'impdance d'entre Z in comme tant la raction du courant d'alimentation
avec les courants existant sur les lments rayonnants [69], dans le cas d'un courant
source d'intensit I 0. L'impdance d'entre Zin de l'antenne s'crit:

Z in

1
I 02

N
n 1

I n Vn

(11)

Avec:
N: reprsente la somme du nombre total de fonction de base sur l'ensemble des deux
lments rayonnants.
I0: tant le courant d'alimentation, on le prend gale 1.
57

VIII. RESULTATS ET DISCUSSION


Pour la validation de la mthode numrique nous avons pris les donnes
exprimentales de la rfrence [70]. La comparaison est faite sur le tableau 1 pour la
frquence de rsonance et la rsistance d'entre mesure par la mme rfrence [70],
et la rfrence [72] calcule par la mthode des moments ainsi que pour notre modle,
on voit bien que la frquence de rsonance augmente en fonction de la miniaturisation
de dimensionnement du patch, il ya bien concordance entre nos rsultats et la mesure
[70] ainsi que les frquences calcules par [72], cependant on note que la rsistance
d'entre mesure [70] et calcule par notre modle ne prsente pas la mme variation,
bien que celle calcule par [72] concorde bien avec notre rsultat. Il faut noter que le
tableau 1 est effectu pour un chevauchement nulle entre la ligne d'alimentation et la
plaque conductrice.

wf

(mm) (mm) (mm) (mm)

Mesur [70]

[72]

Nos rsultats

Freq

Freq

Freq

(Ghz)

( )

(Ghz)

( )

(Ghz)

( )

10.2

1.27

20

30

1.19

2.26

335

2.25

350

2.21

365

10.2

1.27

9.5

15

1.19

4.43

339

4.50

350

4.60

342

10.2

2.54

19

30

2.38

2.18

363

2.33

420

2.80

342

2.22

0.79

25

40

2.42

3.92

136

3.92

130

3.69

157

2.22

0.79

12.5

20

2.42

7.56

152

7.60

160

7.49

155

2.22

1.52

25

40

4.66

3.82

119

3.80

143

3.75

155

2.22

1.52

12

20

4.66

7.72

69

7.75

145

7.75

146

Tableau. 1: Comparaison des frquences de rsonance et des rsistances d'entre


mesures et calcules
On choisissant une antenne patch carre de dimension a=b=4.02cm, imprime
sur un substrat isotrope de permittivit relative

=2.55 et d'paisseur h=0.159cm,

avec une ligne d'alimentation centre le long du bord de rayonnement pour un


chevauchement nulle, on a reprsent la variation de frquence de rsonance (figure 8.
a) ainsi que la variation de la rsistance d'entre (figure 8. b) en fonction de la largeur
de la ligne d'alimentation wf .
58

(Ghz)
3.58
3.57
3.56
3.55
3.54
3.53
3.52
3.51

1.5

2.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5
(mm)

3.5

4.5

5
(mm)

(a)
(a)

( )
264
263.8
263.6
263.4
263.2
263
262.8
262.6
262.4
262.2
262

(b)
(b)
Fig. 8 L'effet de la largeur de la ligne d'alimentationwf sur
(a) la frquence de rsonance, (b) la rsistance d'entre
59

La figure 9 montre la variation de la rsistance d'entre en fonction de la


frquence pour la mme structure, on note que la rsistance d'entre diminue en
fonction de l'augmentation de la frquence.

( )

264

263.8
263.6
263.4
263.2
263
262.8
262.6
262.4
262.2
262
3.51

3.52

3.53

3.54

3.55

3.56

3.57

3.58
(Ghz)

Fig. 9. La rsistance d'entre en fonction de la frquence de rsonance


(wf varie, s=0)
On reprend la mme structure traite dans les figures prcdentes, mais cette
fois au lieu de changer la largeur de la ligne d'alimentation w( f =1.23 cm) on ne
modifie que la distance de chevauchement s de la ligne d'alimentation au patch,
d'aprs le tableau 2 on voit bien que la rsistance d'entre diminue. Elle devient nulle
au milieu du patch, ensuite augmente de faon symtrique, mais la frquence reste
constante c. . d que le changement de s n'affecte pas la frquence (freq= 10.4 Ghz).
s (cm)

0.0

1.0

2.0

3.0

3.2

R( )

153.38

76.69

0.0

76.69

100.39

Tableau. 2: Rsistance d'entre en fonction de la distance de chevauchement


a=1.65cm, b=4cm, h=0.297cm,
60

=2.32

Dans le tableau 2 nous avons trouv que la rsistance d'entre de l'antenne


concorde bien avec la littrature [14] qui montre qu'un couplage maximum se produit
quant la distance de chevauchement est approximativement gale la moiti de la
longueur du patch.
VIIII. CONCLUSION
L'alimentation

d'une

antenne

patch

rectangulaire

par

le

couplage

lectromagntique et par la ligne microruban a t tudie dans ce chapitre. Une


analyse rigoureuse est mene en utilisant la formulation par la fonction de Green o le
problme de valeurs aux frontires est rduit un systme d'quations intgrales
vectorielles couples en utilisant le formalisme des transformes vectoriel de Fourier.
La mthode de Galerkin est utilise dans le domaine spectral pour rsoudre les
quations intgrales ainsi obtenues. Dans le cas de l'alimentation par ligne microruban
l'effet de la largeur de la ligne d'alimentation ainsi que le chevauchement sur la
frquence de rsonance et la rsistance d'entre sont prsents. Finalement, il faut
noter que la formulation thorique de l'alimentation par proximit a t effectue mais
dans ce travail on ne dispose pas de rsultats de simulation pour cette alimentation qui
reste une de nos futurs travaux, une tude comparative entre nos rsultats et les
mesures montre une trs bonne concordance.

61

CHAPITRE 4

ANALYSE D'UNE ANTENNE PATCH


RECTANGULAIRE PAR DES NOUVELLES
FORMES ASYMPTOTIQUES DES FONCTIONS
DE BASE

62

I. INTRODUCTION

'antenne patch rectangulaire est la configuration la plus largement rpandue


parce que cette forme ncessite une analyse thorique simple, la mthode de

Galerkin est utilise dans le domaine spectral o deux types de courants sont
employs. Le premier type est bas su r l'ensemble complet de modes orthogonaux
d'une cavit cylindrique, et l'autre utilise des polynmes de Chebyshev avec condition
de bord [73]. Puisque l'utilisation des courants asymptotiques pour l'analyse des
antennes microruban n'a pas t encore traite, dans certain nombre de nos rsultats
nous avons utilis les formes asymptotiques du courant par une combinaison des
polynmes de Chebyshev et les formes asymptotiques de fonction de base
sinusodales (entire domain) avec et sans condition de bord.
II. THEORIE
Considrons un patch rectangulaire parf aitement conducteur de dimensions
a b imprim sur un substrat dilectrique d'paisseur uniforme h et de constante

dilectrique

, reprsent par la figure 1.

Systme d'axe translat


y

Plaque conductrice

y0

x0

(2)
(1)

Plan de masse

Fig. 1. Gomtrie de l'antenne patch rectangulaire


63

Le vecteur de transforme vectorielle de Fourier est exprim par:


~
J ks

d rs F k s , rs J rs

(1)

O
F k s , rs est le noyau de la transforme vectorielle de Fourier [33].
~
J ks

est le courant sur le patch qui s'est relie au vecteur de la transforme de

Fourier J(rs) [49]. Ce courant de surface peut tre dvelopp selon une srie connue
de fonctions de base Jxn et Jym.
Le choix des fonctions de base est trs important pour une convergence rapide
vers les solutions exactes, nous avons choisi quatre types de fonctions de base sur le
patch.
La fonction de base sinusodale sans condition de bord du domaine entier
La fonction de base sinusodale du domaine entier avec la condition de bord.
Courant d'un patch rectangulaire par une combinaison des polynmes de
Chebyshev avec condition de bord.
Les fonctions roof top.
Une tude comparative entre ces quatre fonctions de bases avec leurs formes
asymptotiques a t dveloppe.
III. FORMES EXACTES DES COURANTS
Les fonctions de base sinusodales du domaine entier sont employes pour
dvelopper les courants inconnus sur le pa tch. Beaucoup d'analyses impliquent les
fonctions de base du domaine entier qui sont limites aux formes canoniques telles
que les gomtries rectangulaires, circul aires et elliptiques. Cependant il y a peu
d'analyse thorique concernant l'utilis ation des fonctions de base par des
combinaisons des polynmes de Chebyshev pour modliser le courant sur le patch.

64

III.1. Fonction de base Sinusodal sans condition de bord


Pour la bande conductrice (patch) rsonnante, le dveloppement de courant par
le systme de fonction de base du domaine entier mne une convergence rapide et
peut tre li un type d'interprtation physique [66] form par le systme de modes
transverses magntiques (TM) et transverses lectriques (TE) d'une cavit cylindrique
de murs magntiques latraux et de murs lectriques au sommet et la base [73]. Ces
courants ont t employs, avec les formes suivantes [33]:

J xn rs sin

n1
n2
x a cos
y b
a
2
b
2

(2. a)

J ym rs cos

m1
m2
x a sin
y b
a
b
2
2

(2. b)

La transforme de ces fonctions de base (2.a) et (2.b) peut tre crite sous cette forme:
~
J xn k s

i k x x0 k y y0

a/2

dx e

ik x x

sin

a/2

n1
a

a
2

b/2

dy e

ik y y

cos

b/2

n2
b

b
2
(3. a)

~
J ym k s

i k x x0 k y y 0

a/2

dx e

ik x x

cos

a/2

m1
a

a
2

b/2

dy e

ik y y

m2
b

sin

b/2

b
2
(3. b)

III.2. Fonction de base Sinusodale avec condition de bord


Le deuxime systme de fonctions de ba se inclut la condition de bord pour les
courants du patch, les calculs peuvent tre effectus trs efficacement si les fonctions
de base satisfont la condition de bord [50]. Ces fonctions sont donnes par:

J xn rs

J ym rs

1
1

2y / b

1
1

2x / a

sin

cos

n1
a

m1
a
65

a
2

a
2

cos

sin

n2
b

m2
b

b
2

b
2

(4. a)

(4. b)

En utilisant l'quation (1), les transformes de Fourier de (4.a) et (4.b) sont


exprimes par:
~
J xn k s

a/2

i k x x0 k y y0

sin

n1
a

n2
b

b
2

cos

m1
a

b
2

ik x x

dx e

a/2
b/2

dy e

ik y y

cos

b/2

~
J ym k s

i k x x0 k y y 0

a/2

dx e

ik x x

a/2
b/2

dy e

ik y y

sin

b/2

m2
b

a
2
1

a
2

(5. a)
2y /b

2x / a

(5. b)

III.3. Polynmes de Chebyshev avec condition de bord


Les fonctions de base du domaine entier sont utiles pour analyser les patches
rectangulaires ou circulaires, mais deviennent encombrantes pour d'autres
formes.Quelques travaux ont t publis concer nant l'utilisation des fonctions de base
par les polynmes de Chebyshev pour modliser le courant des antennes patches qui a
t rapproch dans les directions x et y par des combinaison des polynmes de
Chebyshev du premier et du deuxime espce T n(x), Un(x) avec un facteur de
pondration additionnel choisi pour incorporer la condition de bord [73, 74, 92].

J xn rs

J ym rs

2x a

2y b

2y b

2x a

U n1 2 x a Tn 2 2 y b

Tm1 2 x a U m 2 2 y b

(6. a)

(6. b)

Les transformes de Fourier de ces fonctions de base (6. a) et (6. b) sont donnes
par:

66

~
J xn k s

~
J ym k s

ab

ab

n1 n 2

i k x x0 k y y 0

m1 m2

i k x x0 k y y0

J n2 k y

b
2

n1 1
J
a n1
kx
2

J m1 k x

a
2

m2 1
J
b m2
ky
2

kx

a
2

ky

(7. a)

b
2

(7. b)

III.4. Les fonctions roof top


Le systme de fonctions de base roof top est utilis pour modliser la
distribution de la densit de courant sur le conducteur. Les fonctions roof top sont
caractrises par leur forme triangulaire le long de la direction du flux du courant et
de section croise rectangulaire dans la direction orthogonale [75]. Le patch
rectangulaire est divis en ( M +1) (N +1) cellules le long des directions x et y,
chaque cellule ayant les dimensions de

et

. La taille des fonctions roof top pour

les lments de courants dirigs suivant l'axe des x les dimensions 2

et

dans

les directions x et y respectivement, tandis que la taille des fonctions roof top pour les
lments de courants dirigs suivant l'axe des y les dimensions

et 2

dans les

directions x et y respectivement [75]. La figure 2 illustre la discrtisation et la


disposition de fonction roof top pour le patch rectangulaire. Les centres des fonctions
roof top dirigs suivant x sont identifis par des cercles et les centres des fonctions
roof top dirigs suivant y sont identifis par des croix.
(xm, yn)

Jxmn
x

(xm, yn)
Jymn

b
y
a

Fig. 2. Fonction roof top sur le patch rectangulaire


67

Mathmatiquement, les fonctions de ba se roof top pour les composantes du


courant sont dcrites par:

J x rs

M N 1
m 1n 1

J y rs

Les fonctions

I xmn

M 1 N
m 1n 1

x rect n y

I ymn

(8. a)

(8. b)

y rect m x

et rect sont les fonctions "triangle" et "rectangle" respectivement.

La transforme des densits de courant de (8. a) et (8. b) est donne par:


~
Jx ks

~
J y ks

M N 1
m 1 n 1

~
I xmn K xmn k s

M 1 N
m 1n 1

(9. a)

~
I ymn K ymn k s

(9. b)

Avec:
~
K xmn k s

~
K ymn k s

8
x

8
y

sin 2 k x
kx

y
x
sin k y
2
2
exp
ky

x
y
sin 2 k y
2
2
exp
2
kx
k y

sin k x

O
x

a M 1 et y

b N 1

xm , yn coordonne d'un mode (m, n) de courant.


xm
yn

x
m 1
2
y
2

n 1
68

jk x x m

jk y y n

jk y

y/2
(10. a)

jk x x m

jk y y n

jk y

y/2
(10. b)

IV. FORMES ASYMPTOTIQUES DES COURANTS


Aux grands arguments ks les transformes de Fourier asymptotique, des quatre
fonctions de base prcdentes sont calcules.
IV.1. Fonction de base Sinusodale sans condition de bord
Les formes asymptotiques des fonctions de base (3. a), (3. b) pour des grandsks
sont donnes par:

~
J xn k s

kx, k y

i k x x0 a
2

n1
i
a

kx

n1

i k x x0 a
2

kx

ik y y0 b
2

ky

n2

i k y y0 b
2

ky
(11. a)

~
J ym k s

k x,k y

i k x x0 a
2

m2
i
b

kx

m1

i k x x0 a
2

i k y y0 b
2

kx

ky

m2

i k y y0 b
2

ky

(11. b)
IV.2. Fonction de base Sinusodale avec condition de bord
Aux grands ks les formes asymptotiques de (5. a) et (5. b) sont exprimes par

~
J xn k s

kx , ky

n1
2a

~
J ym k s

kx , k y

b
2

ik y y 0

ky

m
- 2
2b

n2

ik y y 0

ky

m2

b
2

1 i
2
i 1

n2

1 i
2
i 1

69

kx

a
2

n1

ik x x 0

kx

a
2

b
2

ik y y 0

m2

ik x x 0

(12. a)

ky

ik x x 0

ik y y 0

ky

kx
b
2

a
2

i 1

m1

ik x x 0

a
2

kx
(12. b)

IV.3. Polynmes de Chebyshev avec condition de bord


Aux grands ks (7. a), (7. b) produire les formes asymptotiques suivantes:

~
J xn k s

kx , ky

b
n1 1
a

~
J ym k s

kx , k y

b
2

ik y y 0

ky

i 1

a
m2 1
b
ik y y 0

ky

n2

i 1

m2

ik x x 0

kx

a
2

i 1

n1

ik x x 0

kx

a
2

b
2

ik y y 0

m1 m 2

b
2

n1 n 2

(13. a)

ky

ik x x 0

ik y y 0

ky

kx
b
2

a
2

i 1

m1

ik x x 0

a
2

kx
(13. b)

En utilisant la mthode de Galerkin l'quation intgrale dcrivant le champ E


dans le domaine spectral peut tre discrtise sous une forme matricielle [15, 17-21].
V. RESULTATS NUMERIQUES
Des programmes de simulation ont t mis au point pour valuer les lments de
la matrice impdance et rsoudre alors l'quation matricielle. Pour valider nos
programmes de simulation, des comparaisons sont montres dans le tableau 1 entre
les donnes calcules et mesures prsentes par [49] et les rsultats calculs de notre
modle, pour diffrents patches parfaitement conducteur sans substrats dilectriques
(air). Il est important de noter que la normalisation est faite par rapport la frquence
de rsonance f0 du modle de la cavit, le mode tudi est le mode TM01. Les
rsultats calculs montrs dans le tableau 1 concordent trs bien avec les rsultats
exprimentaux obtenus par d'autres auteurs, la diffrence maximum entre les rsultats
exprimentaux et numriques est moins de 7%, ce dcalage peut indiquer des
tolrances physiques de dimensions du patch ou des paramtres du substrat
dilectrique.

70

Measur

James

Hammerstad

[49]

Nos rsultats

(cm)

(cm)

(cm)

[49], (f/f 0)

(f/f0)

(f/f 0)

(f/f0)

(f/f0)

5.70

3.80

0.317

0.893

0.889

0.920

0.919

0.882

4.55

3.05

0.317

0.897

0.866

0.900

0.903

0.863

2.95

1.95

0.317

0.841

0.816

0.861

0.859

0.816

1.95

1.30

0.317

0.773

0.754

0.810

0.805

0.765

1.70

1.10

0.317

0.761

0.724

0.785

0.773

0.740

1.40

0.90

0.317

0.705

0.683

0.750

0.722

0.710

1.20

0.80

0.317

0.673

0.662

0.733

0.684

0.693

1.05

0.70

0.317

0.651

0.633

0.710

0.620

0.672

1.70

1.10

0.152

0.881

0.835

0.878

0.876

0.834

1.70

1.10

0.317

0.761

0.724

0.785

0.773

0.739

Tableau. 1: Comparaison des frquences de rsonance mesures et calcules d'une


antenne microstrip rectangulaire
Les rsultats calculs pour les deux systmes de fonctions de base montrs dans
le tableau 2 sont bien conformes aux rsultats exprimentaux et ceux obtenus par
d'autres auteurs (tableau 1), les rsultats numriques montrent que les fonctions de
base roof top fournissent de trs bons rsultats dans l'valuation de la frquence de
rsonance avec une amlioration significative dans le temps d'excution des
programmes de simulation et moins d'itra tions comparativement aux fonctions de
base sinusodales du domaine entier, il convi ent de noter que la convergence de la
solution a t tudie en changeant le nombre de sous-sections. Le nombre de
subdivisions dans le cas des fonctions de base roof top a t choisi par M = 7, N = 8.
Il faut noter aussi qu'aucune amlioration significative des rsultats numriques n'a t
trouv quand on augmente le nombre M et N au del de 7 et 8, aussi la solution de
notre modle dans le cas du domaine entier converge trs bien en utilisant M=1, N=0.
Des comparaisons sont montres dans le tableau 3 pour les donnes calcules
prsentes par [78] et nos rsultats obtenus par les deux systmes de courants. Quand
71

la constante dilectrique le long de l'axe optique

est change et la constante

reste constante les rsultats montrent une large variation dans la frquence de
rsonance, d'autre part, nous avons trouv une lgre variation dans la frquence de
rsonance quand la constante dilectrique

est change et

reste constante. Ces

comportements sont conformes trs bien ceux obtenus par [78], avec une lgre
variation dans la frquence entre les rsu ltats des fonctions roof top et celles du
domaine entier, aussi il faut noter qu'il est ncessaire de considrer la variation de
et

(AR =

Nos
rsultats
(f/f0)

pour prvoir les variations de la fr quence, parce que le rapport d'anisotropie


x

) seul n'est pas suffisant pour prdire le changement de la frquence.

h (cm)

0.317 0.317

a (cm)

5.70

b (cm)
Roof top

0.317

0.317

0.317

0.317 0.317 0.152 0.317

4.55

2.95

1.95

1.40

1.20

1.05

1.70

1.70

3.80

3.05

1.95

1.30

0.90

0.80

0.70

1.10

1.10

0.854

0.839

0.801

0.761 0.718 0.707 0.691 0.815 0.741

Entire domain 0.882 0.863 0.816 0.765 0.710 0.693

0.672

0.834

Tableau. 2: Frquences de rsonances d'un patch rectangulaire par l'utilisation de


deux systmes de fonctions de base (Roof top, Entire domain).

72

0.739

Permittivit

Permittivit

Rapport

relative

relative

d'anisotropie

AR=

Frquences de rsonances (Ghz)

Rsultats
de [78]

Nos rsultats
Entire domain

Sub-domain

2.32

2.32

4.123

4.121

4.072

4.64

2.32

4.042

4.041

3.963

2.32

1.16

5.476

6.451

5.311

1.16

2.32

0.5

4.174

4.171

4.143

2.32

4.64

0.5

3.032

3.028

3.032

Tableau. 3:Frquences de rsonances en fonction de la constante dilectrique (

Les figures 3, 4, montrent les diffrentes formes des fonctions de base en


fonction de la frquence pour une antenne patch rectangulaire ayant les dimensions
physiques, a=1.5 cm, b=1.0cm. Pour s'assurer que les programmes de simulation sont
corrects, des comparaisons sont montres dans le tableau 4 pour les donnes calcules
et prsentes par [78] et nos rsultats effectus par diffrentes formes de courants.
Notons que les rsultats calculs montrs dans le tableau 4 sont conformes trs bien
ceux obtenus par [78].
Frquences de rsonances (Ghz)
x

AR

[78]

Forme exacte
Sb-with

Forme asymptotique
Sb-with

Sb-without

Cheby-pol

2.32

2.32

4.123

4.121

4.035

4.420

4.398

2.32

1.16

5.476

6.451

5.990

6.143

6.142

2.32

4.64

0.5

3.032

3.028

3.145

2.966

2.910

Tableau. 4: Variation de la frquence de rsonance en fonction de la constante


dilectrique relative (

) pour diffrente fonction de base.


73

Avec:
x

constante dilectrique relative le long de l'axe x,

Constante dilectrique relative le long de l'axe optique

AR =

rapport d'anisotropie.

Sb-with: fonction de base sinusodale avec condition de bord.


Sb-without: fonction de base sinusodale sans condition de bord.
Cheby-pol: polynme de Chebyshev avec condition de bord.

(A/m2)

-8

x 10

6
5
4

Forme exacte

Forme asymptotique

2
1
0
1.15 1.155 1.16 1.165 1.17 1.175 1.18 1.185 1.19 1.195 1.2
10
x 10 (Hz)
Fig. 3. Formes exacte et asymptotiques desfonctions de base sinusodale sans
condition de bord en fonction de la frquence

74

(A/m2) x 10-8
1.4
1.2
1
Forme asymptotique

0.8

Forme exacte

0.6
0.4
0.2

0
1.15 1.155 1.16 1.165 1.17 1.175 1.18 1.185 1.19 1.195 1.2
10
x 10 (Hz)
(a)
(A/m2) x 10-8
1.6
1.4
1.2

Forme asymptotique

1
0.8

Forme exacte

0.6
0.4
0.2
0
1.15 1.155 1.16 1.165 1.17 1.175 1.18 1.185 1.19 1.195 1.2
10
x 10 (Hz)
(b)
Fig. 4. Formes exactes et asymptotiques des fonctions de base avec condition de bord
en fonction de la frquence, (a), sinusodales, (b) Chebychev
75

La figure 5 prsente les frquences de rsonance d'un patch rectangulaire de


dimensions a b avec a = 1.5cm, b= 1.0 cm, imprim sur un substrat isotrope de
constante dilectrique relative

2.35 et d'paisseur h = 0.1 cm.

Nous comparons l'utilisation des formes asymptotiques pour les fonctions de


base sinusodales avec et sans condition de bord ainsi que les formes asymptotiques
de polynmes de Chebyshev avec nos rsultats calculs partir des formes exactes
des fonctions de base sinusodales et les rsultats de [79].
Il est clair que la convergence est meilleure mais lente et lourde quand les
formes asymptotiques des fonctions de base sinusodales avec condition de bord sont
utilises compares aux formes asymptotiques des fonctions de base sinusodaux sans
condition de bord, bien que le dveloppement sinusodal avec condition de bord exige
un chemin plus court d'intgration pour atteindre la convergence numrique. Par
consquent l'existence de la condition de bord est un tat utile [50], mais non essentiel
pour la convergence. Alors que les fonctions de base par la combinaison des
polynmes de Chebyshev avec condition de bord sont utilises nous avons une
convergence plus rapide compare la forme asymptotique des fonctions de base
sinusodales sans condition de bord avec moins d'itrations. Notons que l'accord entre
nos rsultats en utilisant la forme exacte des fonctions de base sinusodales sans
condition de bord et ceux obtenus par [79] est trs bon, mais il faut noter que nous
avons un temps de compilation et d'excution du programme long pour la forme
exacte compare la forme asymptotique pour les trois types des fonctions de base
prcdentes. Nous pouvons noter que la diffrence entre les rsultats obtenus pour les
frquences de rsonance quand nous utilisons les formes asymptotique des fonctions
de base sinusodales avec condition de bord et ceux obtenus quand nous utilisons la
forme exacte du courant atteint 2.03 %, quand b/h = 2, cependant, la diffrence entre
les rsultats obtenus pour les frquences de rsonance quand nous utilisons les formes
asymptotiques des fonctions de base sinusodales sans condition de bord atteint 5.49
%. Il est clair aussi que les frquences de rsonance pour le polynme de Chebyshev
sont beaucoup plus grandes et atteignent 8.01 %, autrement dit les solutions des
fonctions de base sinusodales sont issues du modle de la cavit, alors ils sont plus
proche de l'aspect physique de l'antenne que les fonctions de Chebychev qui sont
purement mathmatiques, galement il est ncessaire de noter que nous avons une
meilleure convergence quandb/h est grand.
76

13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

b/h
Fig. 5. Frquences de rsonance du patch rectangulaire par l'utilisation des diffrents
formes asymptotiques des fonctions de base, h = 0.1 cm,

2.35 , a=1.5 b.

Formes asymptotiques des fonctions de base par la combinaison des


polynmes de Chebyshev.
Formes asymptotiques des fonctions de base sinusodale sans condition de
bord
Formes asymptotiques des fonctions de base sinusodale avec condition de
bord
Formes exactes des fonctions de base sinusodale sans condition de bord
Rsultats de [79].

77

VI. CONCLUSION
Nous avons calcul les frquences de rsonance d'un patch rectangulaire en
utilisant la transforme vectorielle de Fourier, o quatre types de fonctions de base et
de leurs formes asymptotiques sont utiliss: les fonctions roof top, polynmes de
Chebyshev et fonctions sinusodales avec et sans condition de bord. Les rsultats
numriques montrent que les formes asymptotiques fournissent des rsultats prcis
avec moins d'effort dans l'excution du programme de calcul. L'utilisation de la forme
asymptotique des polynmes de Chebyshev fournit une amlioration significative du
temps de calcul avec moins d'itrations dans l'valuation de la frquence de rsonance
d'une antenne microruban compare la forme asymptotique des fonctions de base
sinusodales sans condition de bord. Cependant la forme asymptotique sinusodale
sans condition de bord prsente une c onvergence rapide comparativement aux
fonctions sinusodales avec condition de bord, ainsi la condition de bord n'est pas
essentielle. Aussi il est important de noter que nous avons un long temps de
compilation et d'excution du programme pour les formes exactes compars aux
formes asymptotiques.

78

CHAPITRE 5

EFFETS DU PATCH RESISTIF ET DU


SUBSTRAT A ANISOTROPIE UNIAXIALE
SUR LES CARACTERISTIQUES DE
RESONANCE ET DU RAYONNEMENT D'UNE
ANTENNE MICRORUBAN RECTANGULAIRE

79

I. INTRODUCTION

es proprits de propagation des rubans mtalliques dans l'espace libre sont bien
connues et beaucoup de travaux de recherche sur la thorie lectromagntique

de ce type de rubans sont discutes. Bala nis [89, 91] discute la propagation des bandes
parfaitement conductrices dans l'espace libre avec des polarisations TE et TM.Une
varit de mthodes a t employe pour examiner de telles bandes. Ces mthodes
incluent la physique optique, la thorie de la physique de diffraction, et la mthode
des moments. Ces dernires annes, l'tude des rubans rsistifs a suscit beaucoup
d'attention. Senior [88, 89] a examin la propagation des bandes rsistives par
l'utilisation des techniques de diffraction. Senior [85, 87, 89] a galement formalis
les conditions aux limites ncessaires pour modliser correctement les bandes
rsistives. Senior et Liepa [86, 89] ont employ des techniques de diffraction afin
d'tudier des rubans non constants. Ray et Mittra [89] ont employ la mthode des
moments pour analyser des rubans avec unersistance constante charge sur les bords
de ruban. Haupt et Liepa [89] ont montr pour certains cas, que pour les rubans
rsistifs dans l'espace libre, les mthodes de solution de la physiques optique peuvent
donner des rsultats qui sont proches des rsultats donns par la mthode des
moments et le cne rsistif plac sur le ruban peut tre employ pour commander
l'excution de dispersion du ruban. Hall et Mittra [89] ont dvelopp l'analyse de base
de la mthode des moments pour inclure des rubans dans un environnement infini de
rseau. Peters et Newman [89] ont examin la propagation du mode TM par une
feuille rsistive situe dans un substrat dilectrique avec l'utilisation de la mthode des
moments et des fonctions de Green dans le domaine spectral. Bailey [89] a employ
des techniques semblables afin d'examiner les rubans parfaitement conducteurs dans
un substrat dilectrique pour prvoir les proprits des antennes microruban. Les
matriaux supraconducteurs peuvent prsenter des proprits semblables ceux des
rubans rsistifs, et ont t rcemment examins [89] (les matriaux supraconducteurs
possdent de trs petites rsistances de surfaces par rapport aux matriaux classiques,
l'oxyde de cuivre YBaCuO est le matriau supraconducteur le plus rpandu
actuellement). Richmond et al [90] ont examin les ondes de surface sur une feuille
rsistive mince, David Shively [89] a examin la propagation d'une onde de surface
dans un substrat dilectrique couverte de feuille rsistive. Les rsultats prsents par
Shively [90] sont aussi valides pour un substrat dilectrique couvert des deux cts
80

par une feuille rsistive. Il montre que les deux modes d'ordre suprieur TM

commencent se propager quant la rsistivit de surface augmente.


Ce chapitre dcrira l'analyse dans le domaine spectrale des antennes patches
rsistive en utilisant les fonctions de base sinusodale (entire domain) pour modliser
la densit de courant de la bande conductrice. L'tude des substrats anisotropes est
d'intrt, pratiquement beaucoup de substrats ont une quantit significative
d'anisotropie qui peut affecter les performances des antennes et des circuits imprims,
et ainsi la caractrisation et la conception prcises doivent tenir compte de cet effet
[36]. On constate que l'utilisation de tels matriaux peut avoir un effet bnfique sur
les caractristiques du rayonnement des antennes [36]. Il y a eu trs peu de travaux sur
le radar cross section (RCS) des antennes imprimes dans la littrature, qui tient
compte de l'effet de la rsistance de surface et l'effet d'un substrat d'anisotropie
uniaxial. Dans ce chapitre, nous dvelopperons et calculerons le radar cross section
(RCS) d'une antenne patch rsistive de forme rectangulaire sur un substrat
d'anisotropie uniaxial.
II. THEORIE
Les couches minces d'un matriau pertes sont d'intrt vident pour la
rduction de la section croise, un modle mathmatique d'une telle couche est une
feuille rsistive. Une feuille lectriquement rsistive est simplement une feuille de
courant lectrique dont la force est proportionnelle au champ lectrique tangentiel sur
sa surface. Pendant ces dernires annes la propagation de ce type de feuille a t
intensivement explore, il a trouv beaucoup d'applications utiles et il peut tre aussi
bien ncessaire d'inclure cette feuille rsis tive [85]. Levi-Civita [85] remarque que ses
proprits lectromagntiques sont compltement indiques par sa rsistance de
surface R en ohm.
On suppose que le patch est imprim sur un substrat dilectrique infini, et on
suppose que le plan de masse est lectrique ment parfaitement conducteur. Le patch
rsistif de forme rectangulaire avec la longueur a et la largeur b est imprim sur un
substrat dilectrique contenant des matriaux isotropes ou anisotropes avec l'axe
optique perpendiculaire au patch et ayant une paisseur uniforme h (voir figure1 du
chapitre4), on suppose que tous les matriaux dilectriques sont non magntiques

81

avec une permabilit 0 . Pour simplifier l'analyse, l'alimentation d'antenne ne sera


pas prise en considration.
La condition de bord pour le champ lectrique sur une feuille rsistive mince a
t examine par senior [85] et elle est valide tant que la feuille est lectriquement
mince. En utilisant ce type de conditions aux limites, plusieurs auteurs ont examin la
rponse de propagation des bandes rsistives . Cette approche a t aussi employe
afin d'tudier les surfaces slectives de frquence (frequency selective surfaces) [23].
La condition au limite sur la surface du patch est donne par [85, 89]:
E scat

Einc

Rs J

Rs

Rsistance de surface sur l'antenne patch

Einc

Composante tangentielle du champ lectrique incident.

(1)

E scat Composante tangentielle du champ lectrique dispers.


J

Courant de surface sur la bande conductrice.

R s J Reprsente le champ absorb par le patch.


La rsistance de surface R s est en gnral, une fonction de x et y et elle est
gale zro pour un patch parfaitement conducteur.
L'tude des substrats anisotropes est d'intrt, cependant, les concepteurs
devraient, soigneusement vrifier les effets des matriaux utiliser, en valuant les
effets de l'anisotropie. Mathmatiquement, la constante dilectrique d'un substrat
anisotropie uniaxiale peut tre reprsente par un tenseur dyadique de forme [36]:

.diag

, x,

(2)

est la constante dilectrique de l'espace libre.


Dans le domaine spectral le courant et le champ lectrique sur le patch sont

donns par [49] avec G est la fonction spectrale dyadique de Green qui est
efficacement dtermines par la reprsentation (TM, TE).

82

L'quation intgrale du champ lectrique qui impose les conditions aux limites
donne par l'quation (1) peut tre discrtise sous la forme matricielle suivante [80]:
Z

1 N N

2 N M

R1

N 1

N N

N 1

0
Z

3 M N

4 M M

M 1

R4

M M

(3)

M 1

Z i Les termes de la matrice impdance, i = 1, 2, 3, 4


R

Les termes de la matrice de rsistance reprsentant la rsistance de surface sur le

patch j = 1, 4.
Avec:

Z1

dk s

Z2

dk s

Z3

dk s

1 2 TM
kx G
k s2
kxky
k

2
s

kxk y
k

2
s

k y2G TE

~
J xk

~
k s J xn k s

(4.a)

G TM

G TE

~
J xk

~
k s J ym k s

(4.b)

G TM

G TE

~
J yl

~
k s J xn k s

(4.c)

1 2 TM
kyG
k s2

~
k s J ym k s

(4.d)

R1

R s x, y J xk n x J yl m y J xnn x J ymm y dx dy

(5.a)

R4

Rs x, y J yk m x J xl n y J yn m x J xmn y dx dy

(5.b)

Z4

dk s

k x2 G TE

~
J yl

et

Une fois la matrice impdance et la matrice de rsistance ont t calcules, les


rsultats sont ajouts pour former un systme des quations simultanes. Le systme
rsultant des quations est alors rsolu pour trouver les coefficients inconnus des
courants sur le patch.

83

II. 1. Dfinition du RCS


La dfinition du radar cross section (RCS) ou la surface quivalente radar
s'articule sur une comparaison de deux densits de puissance, une mesure
l'metteur et l'autre au rcepteur [93]. Elle caractrise gnralement la capacit de la
cible rayonner l'nergie lectromagntique vers le radar.
Le RCS est l'expression d'un rapport entre l'nergie r-mise sur la densit
d'nergie reue par unit de surface. Ce facteur a t trait pour fournir une rsolution
significative sur les dtails du mcanisme de rayonnement [93], il dcrit la faon dont
un objet reflte une onde incidente. Pour un objet arbitraire, le RCS dpend fortement
de la direction d'onde incidente ainsi que la longueur d'onde.
Il ya trs peu de travail sur l'tude du RCS des antennes imprimes dans la
littrature [36, 76], rcemment ce paramtre a t traite par [76, 93].
II. 2. RCS solution par la mthode des moments
La solution de l'quation intgrale du champ lectrique par l'intermdiaire de la
mthode des moments a t un outil trs utile pour prvoir exactement le RCS dans le
domaine frquentiel [76].
Dans cette section, nous dvelopperons la thorie du RCS d'une antenne patch
rectangulaire sur un substrat isotrope et uniaxial, y compris l'effet du patch rsistif.
Soit une onde plane incidente Einc se propageant dans la direction du vecteur
unitaire. L'onde difracte par l'obstacle est note Escat Le RCS mono statique est
dfinie par [36, 76, 93]:

lim 4
r

RCS 10 log10

E scat

E inc

(6)

(7)

Pour calculer aisment la limite prcdente, on utilise une reprsentation


intgrale du champ difract. Dans le cas d'une rsolution par quation intgrale, cette
reprsentation intervient dans la formulation du problme rsoudre et est effectue
l'aide des courants lectriques J. le RCS est donn par cette quation pour un champ
lectrique incident unitaire:
84

r 2 E scat

(8)

Le calcul de la diffraction d'ondes par la mthode des quations intgrales


(EFIE) demande gnralement un volume de stockage mmoire considrable, notant
que la symtrie de la structure dans le plan y=0 et la polarisation de l'onde permettent
de rduire la taille du systme final rsoudre. Lorsque le champ lectrique incident
est dans le plan de symtrie, les courants travers une arte et l'arte symtrique sont
gaux. Lorsque le champ lectrique incident est orthogonal au plan de symtrie, ces
courants sont opposs.

85

III. RESULTATS NUMERIQUES


La technique de la mthode des moments a t dveloppe pour examiner la
frquence de rsonance, le rayonnement et le radar cross section d'une antenne patch
rectangulaire avec une rsistance de surf ace non nulle. La condition de bord pour le
champ lectrique a t utilise pour driver une quation intgrale pour le courant
lectrique, les termes ncessaires pour reprsenter la rsistance de surface sur le patch
ont t drives et incluses dans l'quation sous forme d'une matrice de rsistance. Il
faut noter que les termes de la matrice dersistance ne dpendent pas de la frquence,
la procdure de Galerkin de la mthode des moments avec les fonctions sinusodales
de base du domaine entier (entire domain) sans condition de bord est tudie.
L'influence de l'anisotropie uniaxiale dusubstrat sur la frquence de rsonance
d'une antenne patch rectangulaire de dimension a( = 1.5cm, b = 1.0 cm) avec les
diffrentes paires de la constante dilectrique relative (

) est montre dans la

figure 1. La partie relle de la frquence de rsonance complexe normalise, est trace


en fonction de l'paisseur h qui est normalise par rapport au cas isotrope fri, L'tude
comparative montre le trs bon accord entre nos rsultats et ceux obtenus par d'autres
auteurs [78]. Les rsultats obtenus montrent une large variation dans la frquence de
rsonance quand la constante dilectrique

change et la constante dilectrique

reste constante, d'autre part, nous avons trouv une lgre variation dans la frquence
de rsonance quand la constante dilectrique

est change et

rsultats sont conformes ceux prsents par Bouttout et al [78].

86

reste constante. Ces

(fr / fri)
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

0.14

0.16

0.18

0.2

(h / b)

Fig. 1. Partie relle de la frquence de rsonance normalise en fonction de l'paisseur


du substrat pour des substrats d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et les
substrats isotropes; a=1.5 cm, b=1.0 cm.
x

= 5,

= 3.6,

= 5,

= 5,
x

= 3.6,

= 6.4,

87

=5

= 5,

= 6.4

(fi / fri)
0.035
0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.1

0.12

0.14

0.16

0.18

0.2
(h / b)

Fig. 2. Partie imaginaire de la frquence de rsonance normalise en fonction de


l'paisseur du substrat pour des subs trats d'anisotropie uniaxiale positive,
ngative et les subs trats isotropes; a=1.5 cm, b=1.0 cm.
x

= 5,

= 3.6,

= 5,

= 5,
x

= 3.6,

= 6.4,

= 5,

= 6.4

=5

Nos rsultats numriques sont galement compars ceux de Nelson et al [82],


pour le cas d'une bande conductrice troite ( b = 1.0 cm, a = 0.2 cm) avec une
paisseur du substrat h = 0.158 cm, seul une fonction de base a t utilise (N=1,
M=0), le tableau 1 montre qu'il y a une trs bonne concordance entre les deux
rsultats, les rsultats de Nelson et al montrs dans le tableau sont dduits de [82, Fig.
4], et le rapport d'anisotropie est dfini par

nx
nz

Dans le tableau 2 le cas d'une faible constante dilectrique est aussi tudi. Dans
ce tableau nous avons compar nos rsultats ceux de Wong et al obtenus partir de
[33, Fig. 3(a)]. Les variations de la partie relle de la frquence due l'anisotropie
88

uniaxiale peuvent tre remarques. Par consquent, une bonne concordance entre nos
rsultats et ceux de Wong et al [33] est obtenue. Les rsultats obtenus montrent que la
constante dilectrique

le long de l'axe optique est le facteur le plus important dans

la dtermination de la frquence de rsonance, pour des paisseurs infrieur et


suprieur du substrat quand la paire (

) change. Les mmes remarques se

tiennent pour la partie imaginaire de la frquence de rsonance, du rayonnement et du


radar cross section figures (2, 3, 4(a), 4(b)).

Rapport

Frquence de rsonance

Nos rsultats

d'anisotropie

(Ghz) [82]

(Ghz)

8.13

8.148

9.63

9.639

1.5

8.85

8.870

Tableau. 1: Frquence de rsonance d'un patch parfaitement conducteur


h (cm)

0.1

0.2

Wong [33],

Nos rsultats,

(f/f 0)

(f/f0)

2.82

0.910

0.9161

2.35

0.915

0.9213

1.88

0.925

0.9269

2.82

0.835

0.8469

2.35

0.850

0.8573

1.88

0.865

0.8687

Tableau. 2: Frquence de rsonance d'un substrat isotrope (


uniaxiale positive (

=1.88,

=2.35) et ngative (

a=1.5cm, b=1.0cm
89

x
x

=2.35

=2.35), anisotropie

=2.82,

=2.35),

sxE 1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-100

-80

-60

-40

-20

20

40

60

80

100

(deg)

Angle

Fig. 3. Diagramme de rayonnement en fonction de l'angle d'un patch parfaitement


conducteur pour les substrats d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et
0 , a=1.5 cm, b=1.0cm, h=0.2cm.

isotropes au plan
x

= 5,

= 5,
z

= 3.6,

= 5,
x

= 6.4,

= 3.6,

= 6.4,

=5

=5

Tableau 3 montre le RCS mesur [36] et calcul partir de notre modle en


fonction de la frquence d'un patch parfa itement conducteur ayant les dimensions
a=2.6cm, b=3.66cm, imprimes sur un substrat dilectrique isotrope d'paisseur,
h=0.158cm, et de permittivit

=2.17 avec

= (60deg, 45deg), on constate une

trs bonne concordance entre nos rsultats et l'exprience [36].

90

Freq (Ghz)

2.2

3.2

5.1

6.0

7.3

RCS

[36]

-60

-58

-54

-45.5

-55.2

(dBsm)

Nos
rsultats

-60.4

-57.8

-54.3

-46

-55.9

Tableau. 3: RCS en fonction de la frquence d 'un patch parfaitement conducteur


imprimes sur un substrat isotrope
Notant que 1 m2 correspond 0 dBsm et la valeur en dBsm d 'une fraction est ngative
(par exemple: 0.01 m2 =-20 dBsm)

(dB) 5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40

10

20

30

40

50

Angle

(deg)

Fig. 4 a. RCS normalis en fonction de l'angle

60

70

80

90

pour un patch parfaitement

conducteur pour un substrat d'anisotropie uniaxiale positive,ngative et isotrope au


0

plan
x

= 5,

= 5,

91

= 6.4,

= 5,

= 3.6

(dB) 0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40

10

20

30

40

50

Angle

(deg)

Fig. 4 b. RCS normalis en fonction de l'angle

60

70

80

90

pour un patch parfaitement

conducteur pour un substrat d'anisotropie uniaxiale positive,ngative et isotrope au


plan
x

0 ; a=1.5cm, b=1.0 cm, h=0.2 cm.

= 5,

= 3.6,

= 5,

= 6.4,

=5

Le radar cross section des trois diffre nts patches rectangulaires, chacun avec
une rsistance de surface constante, a t calcul. Les dimensions du patch de ces
antennes rectangulaires sont de 1.5 cm
dilectrique relative

1.0 cm. Le substrat a une constante

=5.0. La figure 5 montre que le radar cross section normalis a

t trac en fonction de l'angle

au plan

et en fonction de la rsistance de

surface la frquence 5.95Ghz. Il est clair que le niveau d'amplitude du RCS diminue
quand la rsistance de surface sur le patch augmente. Par consquent, l'addition de la
rsistance sur la surface d'une antenne patch diminue l'nergie disperse de l'antenne.

92

(dB) 0

Rs = 0

Rs = 30

-5

Rs = 60

-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50

10

20

30

40

50

Angle

(deg)

60

Fig. 5. RCS normalis du substrat isotr ope en fonction de l'angle

70

80

90

pour diffrentes

valeurs de la rsistance de surface la frquence 5.95 Ghz, ( a = 1.5 cm, b = 1.0 cm,
h= 0.2cm,

= 5.0,

0 ).

Le RCS pour un patch rsistif imprim sur un substrat uniaxial est montr dans la
figure 6, o les substrats isotropes, les subs trats d'anisotropie uniaxiale positive et les
substrats d'anisotropie ngative sont considrs. Il est important de noter que les
rponses obtenues ont t normalises par rapport au cas isotrope avec un patch
parfaitement conducteur. Comme exemple, pour un patch rsistif, nous prenons la
rsistance de surface Rs=60

avec les dimensions a = 1.5 cm, b = 1.0 cm et une

paisseur du substrat h = 0.2 cm. On observe aussi que pour le patch rsistif la
constante dilectrique
dilectrique

a un effet plus fort sur le radar cross section que la constante

93

(dB)

0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50

10

20

30

40

50

Angle

(deg)

Fig. 6. RCS normalis en fonction de l'angle

60

70

pour un patch rsistive pour un

substrat d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et isotrope au plan


a=1.5 cm, b=1.0 cm, h=0.2 cm, Rs =60 .
x

= 5,

= 3.6,

= 5,

= 5,

= 3.6,

94

80

= 6.4,

= 5,

=5

= 6.4

0 .

90

Les diagrammes de rayonnement d'une antenne patch rsistive sont montrs


dans les figures (7, 8), o les substrats isot ropes, les substrats d'anisotropie uniaxiale
positive et ngative sont considrs. Comme exemple, pour un patch rsistif, nous
. Nous observons que la constante

prenons la rsistance de surface Rs=60


dilectrique

dilectrique

(figure7) a un effet plus fort sur le rayonnement que la constante


(figure 8).

90

120

2
1.5

60

150

30

0.5
180

210

330
240

270

300

Fig. 7. Diagramme de rayonnement en fonction de l'angle d'un patch rsistif pour


les cas isotrope, anisotropie uniaxiale positive et ngative

0 , une fois

(a = 1.5 cm, b = 1.0 cm, h = 0.2cm, Rs=60 ).


(
(

= 5,

= 5)
z

= 6.4),

= 5,

95

= 3.6)

chang

90

120

1.5

60

1
150

30

0.5

180

210

330
240

270

300

Fig. 8. Diagramme de rayonnement en fonction de l'angle d'un patch rsistif pour


les substrats d'anisotropie uniaxiale positive, ngative et isotropes
x

(
(

= 6.4,

0 ,

change (a = 1.5 cm, b = 1.0 cm, h = 0.2cm, Rs=60 )

= 5)
z

= 5),

= 3.6,

= 5)

La figure 9 montre les proprits de dispersion de la composante E du champ


lectrique qui varie en fonction de l'angle

, pour le plan

et en fonction de la

rsistance de surface la frquence 5.95 Ghz pour un patch rectangulaire avec des
dimensions a b = 1.5cm 1cm
0.2 cm et une constante dilectrique

imprim sur un substrat isotrope d'paisseur h =


r

5 . Quand la rsistance de surface sur le patch

est augment, il est clair que l'amplitude de la composante E diminue, cependant il


est important de noter que nos rsultats pour la composante E ne changent pas avec
la rsistance de surface pour le plan

0 , on conclue que l'addition d'une rsistance

96

sur la surface de la plaque conductrice microruban diminue la composante E

0 .

90

120

1.5

60

1
150

30

0.5

180

330

210
240

300

270

Fig. 9. Diagramme de rayonnement du substrat isotrope en fonction de l'angle pour


diffrentes valeurs de la rsistance de surface la frquence 5.95 Ghz, ( a = 1.5 cm, b
= 1.0 cm, h = 0.2cm,
Rs=0,

Rs=30 ,

= 5.0,

0 ).

Rs=60

La figure 10 montre la variation du radar cross section RCS en fonction de la


directivit d'un patch rectangulaire avec des dimensions

a b=

1.5cm 1cm

imprim sur un substrat dilectrique isotrope d'paisseur h = 0.2 cm et une constante


dilectrique

5 , pour une frquence de 5.95 Ghz au plan

0 , quand la

rsistance de surface sur le patch augmente l'nergie disperse de l'antenne diminue


ainsi que la directivit. On constate alors que l'addition d'une rsistance sur la surface
d'une antenne patch diminue l'nergie de rayonnement ainsi que la directivit.

97

(dBsm)
-71

Rs=0

-72
-73
Rs=30

-74
-75
-76

Rs=60

-77
-78
-79
-80
4.5

5.5

6.5

7.5
(dB)

Fig. 10. RCS du substrat isotrope en fonction de la directivit pour diffrentes valeurs
de la rsistance de surface

98

IV. CONCLUSION
Une mthode de computation efficace tenant compte de l'effet de la rsistance
de surface ainsi que l'effet d'anisotropie uniaxiale est prsente dans ce chapitre.
L'tude a t effectue dans le domaine spect ral. Les fonctions de base sinusodales du
domaine entier sans condition de bord ontt introduites pour dvelopper le courant
inconnu sur les patches mtalliques. La condition de bord pour le champ lectrique a
t utilise pour driver une quation intgrale pour le courant lectrique. Puisque
l'effet de la rsistance de surface non nulle sur le radar cross section RCS d'une
antenne microruban imprime sur un substrat uniaxial n'a pas t encore trait mme
pour un substrat isotrope, un certain nombre de nos rsultats concernant ce cas sont
prsents dans ce chapitre. Il a t constat que l'utilisation de tels substrats affectent
de manire significative la caractrisation des antennes microruban . Les rsultats
numriques montrent que la constante dilectrique

le long de l'axe optique a un

effet plus fort sur le rayonnement, la frquence de rsonance et le radar cross section
des antennes rectangulaires microruban pour un patch rsistif ou parfaitement
conducteur. D'ailleurs les rsultats prouvent que l'addition d'une rsistance sur la
surface d'une antenne patch diminue l'nergie disperse de l'antenne. Une tude
comparative entre nos rsultats et ceux disponibles dans la littrature montre une trs
bonne concordance.

99

CONCLUSION GENERALE

100

CONCLUSION GENERALE

e travail de recherche repose sur cinq axes principaux lis la conception d'une
antenne patch par l'application de la mthode des moments dans le domaine

spectrale qui est parmi les diffrentes techniques de caractrisation de l'antenne


microstrip. Nous avons dvelopp une mthode d'analyse trs complte permettant de
prendre en compte tous les paramtres gomtriques et physiques de la structure.
Dans cette tude, l'paisseur du ruban mtallique est considre comme tant nulle.
Le premier axe est l'tude thorique des st ructures rectangulaire et circulaire. Le
calcul rigoureux de la structure microruban par l'intermdiaire de la mthode de
Galerkin est prsent, les fonctions dyadiques de Green du problme sont
efficacement dtermines par la reprsentati on (TM, TE). Le choix des fonctions de
base pour chaque gomtrie est trs important, une tude comparative entre ces deux
gomtries a t tablie. Rcemment, beaucoup de travaux de recherche ont t
publis concernant les proprits de rayonne ment des antennes microruban sur divers
types de gomtries. Pratiquement, tous ces travaux ont t effectus avec des
fonctions de base du domaine entier pour dvelopper le courant sur le patch. Dans ce
travail le choix de quatre types de fonctions de base et de leurs formes asymptotiques
dfinies dans le domaine de la plaque conductrice a t illustr pour dvelopper les
courants inconnus sur cette dernire. La frquence de rsonance d'une antenne patch
rectangulaire utilisant ces diffrentes f onctions de base ainsi que ces formes
asymptotiques a t tudie, aussi l'effet de l'anisotropie uniaxiale sur la frquence de
rsonance est prsent pour ces courants asym ptotiques. Des comparaisons sont faites,
et montrent que l'utilisation de la fonction de base asymptotique fournit une
amlioration significative du temps de calcul par rapport la forme exacte pour
l'valuation de la frquence de rsonance d'une antenne microruban. Les rsultats pour
la forme exacte de la fonction de base sinusodale sans condition de bord, sont en bon
accord avec ceux obtenus dans la littrature.
La structure d'alimentation prsente un lment essentiel dans la conception des
antennes patches. Nous avons dvelopp un modle de calcul pour une antenne patch
rectangulaire avec l'utilisation d'une ligne microruban d'alimentation. La formulation
thorique de l'alimentation par proximit et par la ligne microruban a t effectue.
Pour cette dernire alimentation nous avons prsent l'effet de la structure
d'alimentation sur la frquence de rsonance ainsi que la rsistance d'entre.
101

Enfin la technique de la mthode des moments est dveloppe pour examiner les
proprits de propagation d'une antenne patch rectangulaire avec une rsistance de
surface non nulle. La condition de bord pour le champ lectrique est utilise pour
driver l'quation intgrale. Les termes ncessaires pour reprsenter la rsistance de
surface du patch rectangulaire sont drivs et inclus dans l'quation intgrale sous
forme d'une matrice de rsistance. Le radar cross section (RCS) d'une antenne
microruban, y compris l'effet de la rsistance de surface et l'effet d'un substrat uniaxial
sont analyss. Il faut noter que les frquences calcules ne dpendent pas de la
rsistance de surface.
L'effet de l'anisotropie uniaxial du substrat sur la frquence de rsonance
complexe d'une antenne microruban est galement tudi. Les rsultats numriques
montrent que la rsistance de surface affecte d'une manire significative le RCS ainsi
que le rayonnement de l'antenne patch er ctangulaire. De plus on a prouv que la
constante dilectrique

a un effet plus fort sur la frquence de rsonance, le

rayonnement et le radar cross section que la constante dilectrique

Comme perspectives pour des travaux futurs, un travail exprimental doit tre
effectu pour tudier ce type d'antenne afin de le confronter avec nos rsultats de
simulation.

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Grounded Dielectric Slab, IEEE Trans. Antennas Propagat, Vol. 42, no. 4, pp.
552-556, Apr 1994.
[90] D. Shively, Surface waves on a grounded dielectric slab covered by a resistive
sheet, IEEE Trans. Antennas Propagat, Vol. 41, pp. 348-350, Mar 1984.
[91] C. A. Balanis, Advanced Engineering Electromagnetics. New York, Wiley,
1989.
[92] G. Arfken, Mathematical Methods for physists, New York , Academic press ,
1970.
[93] E. F. Knott, J. F. Shaeffer, M. T. Tuley, Radar cross section, Second Edition
Artech house: Boston, 2004.
114

[94] V. Losada, R. Boix, and F. Medina, Radar cross section of stacked circular
microstrip patches on anisotropic and chiral substrates, IEEE Trans. Antennas
Propagat, Vol. 51, pp. 1136-1139, May 2003.
[95] C. Tai, C. Preira, An approximate formula for calculating the directivity of an
antenna, IEEE Trans. Antennas Propagat, Vol. 24, pp. 235-236, Mar 1976.
[97] D. Bini, Toeplitz matrices, algorithms and applications, ECRIM News Online
Edition, No.22, July 1995.
[98] W. H Press, B. P. Flannery, S. A. Teukolsky and W. T. Vettering, Numerical
recipes, The Art of Scientific Programming . UK, Cambridge Univ, 1994.

115

ANNEXES

116

ANNEXE A
Sparation des modes TM et TE et calcul du champ lectromagntique
page 116-119

ans cette annexe, les champs lectriques et magntiques sont dvelopps dans
le domaine de Fourier.

Le champ lectrique E et magntique H sont caractriss par leurs composantes

cartsiennes selon ( x, y et z) et qui sont relies par les quations de Maxwell.


Lquation de Maxwell-Ampere scrit sous la forme:

E
t

rot H

(A-1)

Avec:
E

Ek e j

et E k

Ek e

jk r

(A-2)

Le rotationnel du champ magntique H sexprime par :

x
rot H

Hx
Hy
Hz

Hy

Hz
y
Hx
z
Hy

z
Hz
x
Hx
y

(A-3)

Lquation de Maxwell-Faraday s crit sous la forme :

rot E

H
t

(A-4)

Avec:
H

Hk e

et H k
117

Hk e

jkr

(A-5)

Alors:

x
rot E

Ex
Ey
Ez

Ey

Ez
y
Ex
z
Ey

z
Ez
x
Ex
y

(A-6)

Pour aboutir l'quation d'onde on appliquant les autres quations de Maxwell:


div E

(A-7)

div H

(A-8)

Aprs un certain calcul on obtient:


2

Ez
x2

Hz
x2

Ez
y2
Hz
y2

x
z

Ez
z2
Hz
z2

k 02 E z

k 02 H z

(A-9)

(A-10)

Avec:
k0

La sparation des modes TM et TE revient exprimer les composantes


transversales du champ lectromagntique en fonction des composantes normales Ez
et Hz.
Les drivs du champ lectrique et magntique en y et en x des quations
prcdentes sont dcomposables en onde plane: e
Dans le domain spectral:

118

j kx x

j ky y

j kz z

~
E kx , ky , kz

E x, y , z

E x, y , z e

j kx x

j ky y

dx dy

~
jk y
E k x , k y , k z e j k x x e y dk x dk y

(A-11.a)

(A-11.b)

et
~
H kx , k y , kz

H x, y, z

H x, y, z e

j kx x

j ky y

dx dy

~
jk y
H k x , k y , k z e j k x x e y dk x dk y

(A-12.a)

(A-12.b)

Avec:
~ ~
E i , H i est la transforme de Fourier de Ei et Hi respectivement
et
i=x, y ou z
Alors dans le domaine spectral on a:
x
y
z
t

j kx
j ky
j kz
j

Aprs un certain calcul mathmatique on obtient:


~
Ex

~
Ey

z
x

z
x

kx
k s2
ky
k

2
s

~
Ez
z
~
Ez
z
119

2
s

0
2
s

ky ~
Hz

(A-13)

kx ~
Hz

(A-14)

~
Hx

~
Hy

k s2

0
2
s

ky ~
Ez

j kx
k s2

kx ~
Ez

j ky
k s2

~
Hz
z

(A-15)

~
Hz
z

(A-16)

Avec:
k s2

k x2

k z2

k 02

k s2

k z2

k 02

k y2
pour le mode TE.
k s2

pour le mode TM.

: permittivit et permabilit du milieu


: pulsation

k x , k y constante de propagation selon x et y respectivement


Pour les ondes polarises TM il n' existe pas des composantes en Hz et la structure
est infinie en z et on peut crire le rotationnel du champ lectrique tel que:

x
rot E

0
0

Ez

Hx
Hy
0

Ez
y
Ez
x
0

Hx
Hy
0

(A-17)

Dans le cas d'une onde polarise TE on peut crire le rotationnel du champ


magntique sous la forme suivante:

x
rot H

0
0

Ex
Ey

Hz

120

Hz
y
Hz
x
0

Ex
Ey
0

(A-18)

ANNEXE B
Calcul de la directivit
Page 120-123

a densit de puissance d'une onde lectromagntique rayonne d'une antenne est


donne par le vecteur de Poyting. Pour des variations sinusodales du champ, ce

vecteur s'crit:
1
Re E
2

(B-1)

La puissance totale rayonne sur une surface S est donne par l'intgrale:

Prad

1
Re
2

H ds

(B-2)

1
Re
2

Ex H

*
y

*
x

E y H dx dy

Notant qu'en zone lointaine le champ lectrique et magntique sont relis par
cette quation:

E
0

120

(B-3)

: Impdance d'onde dans le vide

Par dfinition, la directivit est le rapport entre l'intensit maximale du


rayonnement et l'intensit maximale du rayonnement d'une antenne de rfrence. Une
antenne isotrope est d'habitude choisie comme antenne de rfrence. A partir de la
dfinition on a:
F ,
F0 ,

D ,

121

(B-4)

O
D est la directivit,
F : est l'intensit maximale du rayonnement
F0 : est l'intensit d'une antenne isotrope
Pour une antenne isotrope la puissance est la mme dans toute les directions,
donc le vecteur de Poyting est constant pour tous les angles. la puissance totale
rayonne s'crit:
Prad

F0

(B-5)

En utilisant cette dernire expression la directivit peut tre exprime comme:


4 F ,
Prad

D ,

(B-6)

Prad : reprsente la puissance rayonne par unit d'angle solide.


A grande distance r d'une antenne suppose l'origine du systme de rfrence,
l'onde rayonne est sphrique et prsente une onde plane, dans une direction

la densit de puissance rayonne par unit d'angle solide F est alors relie au champ
lectrique par la relation:
F

r 2 P r, ,

(B-7)

Avec:
P : la puissance de rayonnement donne par:

P r, ,

E 2 r, ,
0

(B-8)

Et comme la densit de puissance dpend de 1/ r2 l'intensit de rayonnement


dpend seulement de la direction

et non pas de la distance r, on obtient:


122

E2

E2

(B-9)

Dans le domaine spectrale on aboutie :


1

Prad

~ ~
E x H *y

Re

~ ~
E y H *x dk x dk y

(B-10)

D'aprs l'annexe A et aprs un certain dveloppement mathmatique on abouti :


1

~
Ex k x , k y , kz
k 02

~
k x2 J x

~
k y2 J y

j ka z h

~
kx ky J y

~
Ey kx , k y ,kz
k 02

r sin k b h
De k

~ 1
ky J y

~
j k x ka k x J x

r r sin 2k b h
2 De k Dm k

(B-11)

j ka z h

~
kx ky J x

sin k b h
De k

~ 1
ky J y

~
j kx ka kx J x

sin 2 k b h
2 De k D m k
r

(B-12)
~
H x kx , k y , kz

~
ka J y

j ka z h

~
kY k x J x

~
H y kx , k y ,kz

~ 1
ky Jy

j ka z h

~
kx kx J x

~
ka J X

~ 1
ky J y

sin k b h
De k

sin 2 k b h
2 De k D m k
r

sin k b h
De k

(B-13)

sin 2 k b h
2 De k Dm k
r

(B-14)

Avec:
De k

ka

sin k b h

123

j k b cos k b h

(B-15)

Dm k

j k a cos k b h k b sin k b h

(B-16)
Avec:
k a2

k z2

k s2

k b2

k z2

k s2

k x2

k y2

k 02

k s2

k 02

Les champs lointains sont donnes par:


E
E

~
cos E x k x , k y , k z

,
cos

sin

~
Ex k x , k y , k z

Avec:
kx

k 0 sin cos

ky

k 0 sin sin

124

~
sin E y k x , k y , k z
~
cos E y k x , k y , k z

(B-17)
(B-18)

ANNEXE C
Matrice de Toeplitz

'valuation numrique des lments de la matrice impdance est parmi les tapes
critiques rencontres dans l'analyse des antennes patches par la mthode

spectrale.
Il convient de noter que dans notre tude chacun des quatre sous matrice
impdance est une forme de bloc modifie de Toeplitz. Ceci signifie que seulement la
premire range de chaque sous matrice doit tre calcule par une intgration
numrique. Les termes restants de chaque sous matrice peuvent tre remplis par les
termes de premire range, de ce fait en rduisant le temps ncessaire pour calculer la
matrice impdance.
les matrices de Toeplitz sont largement utilises en informatique, car il est
possible de montrer que l'addition de deux matrices de Toeplitz peut tre ralis en un
temps en fonction de n et que le produit matriciel de deux matrices de Toeplitz peut
tre fait en un temps en fonction de n log n [97].
Ces matrices sont aussi troitement lies aux sries de Fourier, car l'oprateur de
multiplication par un polynme trigonomtrique, restreint un espace de dimension
finie, peut tre reprsente par une telle matrice.
En algbre linaire, une matrice de Toeplitz (d'aprs Otto Toeplitz) ou matrice
diagonales constantes est une matrice dont les coefficients sur une diagonale
descendant de gauche droite sont les mmes. Par exemple, la matrice suivante est
une matrice de Toeplitz [97, 98] :

a
f

b
a

c
b

d
c

e
d

g
h
j

f
g
h

a
f
g

b
a
f

c
b
a

125

(C-1)

Toute matrice A (mn) de la forme suivante est une matrice de Toeplitz:

(C-2)

Si l'lment (i,j) de A est not Ai,j, alors on a :


Ai,j = ai

(C-3)

En gnral, une quation matricielle: Ax = b, correspond un systme de n


quations linaires rsoudre. Si A est une matrice de Toeplitz, alors le systme est
particulier : Sa dimension est 2n 1 au lieu de n2 dans le cas gnral et est donc plus
facile rsoudre.

126

ANNEXE D
Les modes d'onde dans un dilectrique isotrope d'une antenne patch rsistif

ans cette annexe on veut dterminer les modes d'onde dans un dilectrique
isotrope d'une antenne patch rsistif; c. . d le cas d'un matriau perte de

longueur a et b suivant les axes x et y respectivement et ayant une constante


dilectrique

. Les conditions aux limites vont imposer les diffrentes classes de

solutions possibles. Dans l'annexe A on a trait le cas d'un mtal parfait, et on a


montr qu'il n'ya pas de couplage entre les composantes longitudinales Ez et Hz; c. . d
qu'il n'existe pas de relations entre ces deux composantes, on dfinit ainsi deux
familles de modes: les modes TE (transverse lectrique) et les modes TM (transverse
magntique). Dans le cas d'un mtal rel, les champs sont non nuls dans le matriau et
les conditions de continuit vont imposer un couplage; c. . d les composantes
tangentielles des champs lectromagntiques aux interfaces sont relies par la
rsistance de surface Rs par cette expression [87]:
E

Rs H

(D-1)

O
z est le vecteur unitaire normale l'interface entrant dans le mtal.
La rsistance de surface aux interfaces dilectrique-mtal s'exprime en fonction
de la constante dilectrique du mtal [87]:
Notant que la constante dilectrique

prend des valeurs complexes, alors le

vecteur d'onde (kz) doit tre aussi complexe, l'quation d'onde pour Ez et Hz d'aprs
l'annexe A devient:

E z x, y
x2

E z x, y
y2

127

E z x, y
z2

k 2 E z x, y

(D-2)

H z x, y
x2

H z x, y
y2

H z x, y
z2

k 2 H z x, y

(D-3)

Avec:
k2

k 02

k z2

Dans un plan de section droite, il est possible d'crire les fonctions E et H sous
la forme d'un produit de fonctions variable spares comme suit:
E x, y
On

substituant

E1 x E 2 y
ces

et H x, y

expressions

dans

H1 x H 2 y

l'quation

(D-4)

d'onde

du

champ

lectromagntique (D-3), (D-4) et aprs un certain calcul mathmatique on obtient:


E x, y

E0 e j

H x, y

H0 e j

x x0

x x0

x x0

x x0

ej

y y0

ej

y y0

y y0

(D-5)

y y0

(D-6)

Avec:
2

k z2

k 02

: vecteur d'onde suivantx.


: vecteur d'onde suivanty.
En appliquant les quations de Maxwell avec les conditions aux limites
imposes par l'quation (D-1) et aprs un certain calcul mathmatique en aboutit :
kz

E 0 e j x0

Rs
kz

E0 e j

Rs H 0 k z2

k z2 e j x0
E0 e
a x0

k 02 e j

E0 e

k z2 e j x0

Rs H 0 k 02
E 0 k 02

kz

E 0 k 02

j x0

kz
a x0

kz

k z2 e

j x0

k z2 e

j x0

j x0

H 0e

j x0

(D-7)

0
E 0 e j x0

Rs

H 0 e j x0

kz

(D-8)

a x0

R s H 0 k z2

H 0 e j x0

R s H 0 k 02

H0 e

E0 e

j x0

H0 e j

k 02 e
128

a x0

a x0

H0 e

a x0

(D-9)

E0 e j

Rs
Rs k z

H0 e
E0 e j

kz

H0 e j

E0 e j

kz

R s H 0 k z2

Rs

kz

Rs

E0 e j

Rs k z

E 0 k z2

k 02 e
H0 e j

b y0

R s H 0 k z2

b y0
j

b y0

E 0 k z2

E0 e

a x0

k 02 e

a x0

H0 e

(D-10)
0

(D-11)

H0 e

E0 e

Rs

E0 e

(D-12)

b y0

kz

k 02 e

E0 e j

Rs

E 0 k z2

E0 e

k 02 e

E0 e

H0 e j

Rs

a x0

Rs H 0 k z2

H0 e j

Rs k z

a x0

k 02 e j

E 0 k z2

b y0

k 02 e j

H0 e j

Rs k z

a x0

k 02 e j

E 0 k z2

k 02 e j

R s H 0 k z2
Rs k z

a x0

k 02 e j

b y0

b y0
b y0

b y0

H0 e

0
Rs k z

H0 e

b y0

E 0 k z2

k 02 e

b y0

b y0

(D-13)

(D-14)
0

Ce systme peut tre s'crit sous une forme matricielle, avec A donn par
l'quation (D-15) qui constitue le vecteur des inconnues, le systme ainsi constitu
n'admet de solutions non triviales que lorsque son dterminant est nul, pour une
frquence donne, notant que le dtermin ant de la matrice n'est fonction que
de

et

, Alors pour trouver les modes dans le dilectrique il faut trouver le couple

complexe

.
E0 e
E e
A= 0
H0 e
H0 e

129

j x0
j y0
j x0
j y0

(D-15)

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