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Taller IV: Electrnica Anloga

2016-I
Pre-Informe No. 2:
EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR Y APLICACIONES
Carlos Eduardo Patio Gmez - cepatinog@unal.edu.co
Profesores: Rodrigo Acua Herrera, Jorge Galvis
Universidad Nacional de Colombia Sede Medelln

Resumen
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que permite generar cierta seal de salida, en
funcin de una seal de entrada. Se utiliza para diversas funciones como amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. Se estudia el funcionamiento del transistor de unin bipolar (BJT), se
proponen diferentes circuitos tanto para amplificacin como regulacin de voltaje, se analiza el
comportamiento del transistor en sus diferentes puntos de operacin, as como su comportamiento al
variar diferentes parmetros.
Introduccin
1.1 Objetivos:
General:
Estudiar el comportamiento del transistor BJT en sus diferentes puntos de operacin, disear circuitos
que evidencien dicho comportamiento y conocer algunas de las aplicaciones de ste dispositivo.
Especficos:
Proponer un sistema de polarizacin por divisin de tensin para un transistor BJT analizando
su comportamiento en el paso por los diferentes puntos de operacin: regin de corte, regin
activa y regin de saturacin.
Observar cambios en la capacidad de amplificacin del transistor de una seal AC de pequea
amplitud, en cada uno de los puntos de operacin.
Disear un regulador de voltaje de tipo serie utilizando un transistor de paso de mediana
potencia. Observar comportamientos en la seal de salida al variar la resistencia de carga.
Realizar un correcto diseo de los diferentes circuitos teniendo en cuenta los parmetros
dados por el fabricante del transistor a utilizar.

2. Marco terico
El transistor es un dispositivo que consta de la unin,
ya sea de dos capas de un material semiconductor
tipo n y una de un material tipo p, llamados
transistor NPN; o la unin de dos capas tipo p y una
tipo n, llamado transistor PNP. Suele utilizarse la
abreviatura BJT para los dispositivos de 3
terminales.

funcionando en lo que se conoce como regiones de


operacin.

En la figura 1. Se pueden observar los transistores


NPN y PNP

Figura 2.
Como se observa en la figura 2, si se polariza la
juntura Base-Emisor directamente, y la juntura Base
colector inversamente, la barrera de potencial de la
Base-Emisor ser pequea mientras que la barrera
Base-Colector ser muy grande.

Figura 1.
Como se puede observar en la figura, cada terminal
del transistor posee caractersticas que tienen que ver
con su construccin:

Emisor (E): Fuertemente dopado


Base (B): Ligeramente dopado
Colector (C): Dbilmente dopado

En ste caso nos ocuparemos del anlisis del


transistor NPN pero el funcionamiento del PNP es
completamente anlogo
Funcionamiento:
Para poner en funcionamiento a un transistor es
necesario polarizar sus junturas, estas junturas se
pueden entender como diodos que comparten una
base comn.
De acuerdo a como se polarizan estas junturas, el
transistor se comporta de manera diferente,

Mediante el voltaje que existe entre el colector y la


base es posible controlar la cantidad de cargas que
pasan del emisor al colector. (Se controla la barrera
de potencial)

Con el transistor polarizado de esta manera,


a la regin de control de dicho transistor se
le conoce como regin lineal o activa, y en
sta regin se tiene que:

V BE >0
V BC <0

En el caso en el que la juntura Base-Colector


se polarice directamente y la Base-Emisor
directamente, no existira prcticamente
oposicin al flujo de corriente entre el
emisor y el colector. Se dice entonces que el
BJT est en saturacin (mxima cantidad
de corriente), prcticamente un corto
circuito. En sta regin se tiene que:

V BE >0

V BC >0

I E IC

Si ambas junturas estn polarizadas


inversamente, las barreras de potencial son
muy grandes y en este caso prcticamente no
existe flujo de corriente, se dice entonces
que el BJT est apagado o en corte. Se tiene
entonces que:

V BE <0
V BC <0

Configuraciones:
El transistor posee tres configuraciones dependiendo
de cul terminal est ms cercana a tierra: Base
comn, Emisor comn o Colector comn, en ste
caso estudiaremos la configuracin de emisor comn
que es la ms utilizada.
Emisor comn

Figura 5.
Figura 3.

En la figura se observa la configuracin de emisor


comn, observamos que la parte negativa de las
fuentes

V BB y V BB Comparten tierra con el emisor.

El voltaje de entrada ser el de Base-Emisor y el de


salida Colector-Emisor.
Para la configuracin de Emisor comn, tenemos lo
siguiente:
Figura 4.

Un transistor NPN se simboliza como se observa en


la figura 4.

IC
=
IB

I E =I C + I B
Pero debido a que la capa que corresponde a la base
del transistor, es muy delgada y dbilmente dopada,

tanto se tiene que:

IC

V BE >0
V BC <0

Por la ley de nodos de Kirchhoff se tiene que

I B es muy pequea en comparacin a

Para la regin activa:

por

Donde es un factor de amplificacin que


es otorgado por el fabricante del transistor,
indica cuntas veces se amplifica la seal.
Para la regin de saturacin:

V BE >0
V BC >0
V CE 0
En sta regin se cumple que:

IC < I B

Para la regin de corte:

V BE <0
V BC <0
IC 0
Recordar que

I E IC

Consideracin:
La potencia de salida, est dada por

P=V CE I C Pmx
El punto de operacin Q, debe estar por debajo de la
curva de potencia dada por el fabricante.
3. Procedimiento
El transistor que se utilizar en los diferentes
montajes ser el 2N2222, de cuya hoja de
especificaciones obtenemos ciertos valores de
inters:

Figura 6.
CIRCUITO
DE
POLARIZACIN
DIVISIN DE VOLTAJE

POR

En un proceso de diseo o de anlisis de un circuito


amplificador es necesario conocer la respuesta de
este sistema tanto en DC como en AC. La seleccin
del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a
travs de diferentes circuitos de polarizacin que
fijen sus tensiones y corrientes.
ste punto de operacin lo fija la polarizacin DC
del circuito. Si existe una componente AC en este
circuito, sta oscilar alrededor del punto de
operacin Q.

Figura 7.

En la figura 7 se pueden observar los valores


mximos
para
IC y
VCE,
y
tambin
la curva de potencia mxima. Se
observan
las
zonas de saturacin donde VCE VCEsat y la de corte
donde IB 0A.
El dispositivo BJT puede operar fuera de estos
lmites mximos pero su vida til se disminuye o
podra daarse el dispositivo.

Se emplea la tcnica del circuito de Thevenin con lo


que se encuentran los valores equivalentes de R TH y
VTH de los elementos que se reciben la corriente
antes de llegar a la Base.
Para el VTH se encuentra usando regla de divisor de
voltaje:

V Th=

Esquema del circuito


Para

R2
V
R1 + R2 CC

RTh se obtiene:

RTh =

R1 R 2
R1 + R2

Finalmente, por ley de mallas obtenemos:

V Th + R Th I B +V BE + I B R E=0
Sabiendo que

I E =I B+ I C
Figura 8.
La configuracin de polarizacin del divisor de
voltaje es posiblemente la ms comn de las
configuraciones. Esto se debe principalmente a su
baja sensibilidad a los cambios del factor de un
transistor a otro del mismo lote. Se puede aplicar un
anlisis exacto a cualquier configuracin, aunque
tambin se puede aplicar un anlisis aproximado
slo cuando resistencia de emisor reflejada vista en
la base es mucho mayor que el resistor de menor
valor de la configuracin de polarizacin del divisor
de voltaje conectada a la base del transistor.
El Circuito puede tener unos capacitores llamados
capacitores de acople, pero stos no afectan el
anlisis DC ya que, en este caso, se pueden
considerar como un circuito abierto.
Malla Base-Emisor
Al realizar esta malla, nuestro objetivo final es
calcular Ib.

V BE =0.7
Se tiene

I B=

V Th0,7 V
RTh +(+ 1) RE
Ec. 1

Malla colector-emisor
Recorriendo esta malla obtenemos:

V CE =V CC I C ( R E + RC )
Ec. 2
Tambin se tiene para la regin activa, segn el
fabricante que

I C =I B
Port tanto:

I C =

Por tanto, se puede calcular que

(V Th0,7V )
RTh +( +1) R E

V CC
I
(R E + RC ) C(mx )

Ec. 3
Como se requiere que el circuito tenga un punto de
operacin que pase por las tres regiones, se deben
tomar algunas consideraciones.

IB

Variando

es posible cambiar el punto de

operacin Q

Reemplazando los valores ya establecidos,

R E + RC 16.666
Se escogen entonces los siguientes valores de
resistencias para cumplir con lo anterior:

R E=1 k

Regin de corte.
Sabemos que, en ste caso,

IC 0

RC =1.5 k

Entonces tendramos de la Ec. 2

Con esto se tiene que

V CE =V CC

I C (Saturacin) =4 mA

Obtenindose una Potencia mxima aproximada de


0.016W para

Pero

V CE V CE ( mx ) , dada por el fabricante.

V CE ( mx )=40 V
entonces

un

valor

Regin de saturacin.

V CE 0

Y de la Ec. 2 tenemos

V CC
=I
( R E + RC ) C
I C I C ( mx) , dada por el fabricante .
En este caso para nuestro transistor:

I C ( mx )=600 mA

La potencia del BJT est dada por

P=0.04 W

V CE =V CC =10V

En este caso

RC

P=V CE I C

En este caso para el transistor 2N2222

Fijamos

R E y de 0.024 W para

para

Como la potencia mxima es de 625mW, nos


encontramos en una zona segura.

Regin Activa.
Para la regin lineal, una buena opcin para
establecer el

V CE

es tomar un valor de

0.5 V CC , obtenindose
V CE =5 V
Para la seleccin de las resistencias

R 1 y R2

podemos fijar una de ellas, con un valor


relativamente grande de tal manera que las corrientes
generadas sean pequeas y no se generen problemas
para con la potencia mxima soportada.

R1=10 k

Fijamos entonces
Variando

Pero evitando quemar la resistencia, es decir:

V R 2=V Th

R2

podemos entonces establecer el

punto de operacin de nuestro transistor.


Para la regin activa, segn la Ec. 1 y considerando
que

I B es muy pequea se puede obtener una

expresin tal que

Ic=

V t h0,7

P=

V Th
R2

R2 526
Se toma un valor de

R2 de 560

Para desplazarse a la regin de saturacin, se debe


buscar un valor de
Obtengo que

R2 4.845 k

Como se escogi el

V CC

aumente la corriente en

como un punto medio,

puedo buscar un valor cercano al obtenido de


manera que sea comercial.
Se fija entonces

R2 grande, de tal manera que

R2=4.7 k

y sature al transistor.

De manera que escogemos una resistencia cercana o


igual a R1 para que Rth sea mxima.

R2=10 k

para la regin de saturacin.

Amplificacin del
divisin de voltaje.

El circuito quedar entonces as, para la regin


activa:

IB

circuito

polarizador

por

En este caso se seleccionan capacitores


relativamente grandes de 100uF de tal manera que su
impedancia capacitiva no afectara mucho el circuito,
se aade una pequea seal AC para observar el
efecto de amplificacin.

Para desplazarse a la regin de corte, se debe tomar

R2

pequea, de tal manera que la corriente

I B ser prcticamente 0 y

V CE =V CC

Para observar el comportamiento de acuerdo a la


regin en la que se encuentra el transistor se variar
R2 obteniendo diferentes formas de amplificacin.

Amplificacin regin activa


Para un valor de R2=4.7kOhms

Amplificacin regin corte


Para un valor de R2=560Ohms

Donde Vz es una constante dada por el fabricante del


diodo zener.
En este caso, se utilizar un diodo de 7.5V
Al fijar dos resistencias de 10k e ingresar una seal
de voltaje sinusoidal, se obtiene la siguiente seal.
El voltaje de salida alcanza un punto mximo que es
controlado por el diodo Zener.
Haciendo variar la resistencia R2, podemos observar
cmo se comporta la seal de salida en la siguiente
figura:

Regin de Saturacin.
Para un valor de R2 = 10kOhms

Toma de datos

CIRCUITO
DE
POLARIZACIN
DIVISIN DE VOLTAJE
Simulacin
Regulador de voltaje tipo serie
Al realizar una malla al circuito de la figura se
obtiene lo siguiente:
VR2 = Vz VBE

POR

Experimental

Regin

Vce

Ic

Vce

Ic

Activa

3.8176V

2.4681mA

3.66V

2.52m
A

Saturaci
n
Corte

93.477mV

3.938mA

60mV

4.1mA

9.9831V

6.7503A

9.98V

7 .1A

Amplificacin en circuito polarizador.


Regin
Activa
Saturacin
Corte

Simulacin
V entrada
simulado
353.53m
V
353.53m
V
353.53m
V

V salida
simulado
513.77mV

Factor
de
amplificacin
1.4532

421.76mV

1.19

231.09mV

0.65

Experimental
Regin
Vrms
Vrms
entrada
salida
Activa
346mV
493mV
Saturacin
346mV
334mV
Corte
346mV
207mV
Regulador de voltaje

Factor
de
amplificacin
1.424
0.965
0.598

Simulado

Experimental

Resistencia
R2
V(entrada)

10k

10k

10

10

V(salida)

6.7725

6.81

V(entrada)

15

15

V(salida)

6.7822

6.82

Regulador de voltaje variando resistencias de


carga 10V DC de entrada
Resistencia
530

Vsalida
Simulado
6.690

Vsalida
Experimental
6.69

1k

6.7102

6.72

4.7k

6.752

6.78

Consideracin: Se trabaja con valores relativamente


altos de resistencias del orden de k para que la
corriente que pase por estas sea del orden de
miliamperios, evitando riesgos de sobrepasar la
potencia soportada por los resistores
Bibliografa.
Boylestad,R .y Nashelsky,L Electrnica
Teora de Circuitos. Prentice Hall.
http://hyperphysics.phyastr.gsu.edu/hbasees/solids/imgsol/tran1.gif
[1]
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/2014
19/contLinea/leccin_11_circuito_de_polariz
acin_fija_y_de_polarizacin_estabilizada_po
r_emisor.html