Universidad de Piura

Electrnica de estado slido

Dr. Ing. Csar Chinguel Arrese

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1. Electrnica de estado slido

Conceptos previos
Conductividad y Resistividad:
La conductividad elctrica es la capacidad de un cuerpo para permitir el paso de los
electrones, los mismos que forman a su paso una corriente elctrica. Por el contrario se le
llama resistividad al grado de dificultad que encuentran los electrones en sus
desplazamientos. Se designa por la letra griega rho minscula ( ) y se mide en ohm-metros
(*m). Su valor describe el comportamiento de un material frente al paso de corriente
elctrica, por lo que da una idea de lo buen o mal conductor que es. Un valor alto de
resistividad indica que el material es mal conductor mientras que uno bajo indicar que es
un buen conductor. Generalmente la resistividad de los metales aumenta con la temperatura,
mientras que la resistividad de los semiconductores disminuye ante el aumento de la
temperatura.
La resistividad est definida por la siguiente ecuacin:
( )(

Ecuacin 1.- Resistividad

Ejemplo:
Supongamos que tenemos un conductor cuyo material es de cobre, trabaja a temperatura
ambiente y su rea es A= 1
. Determina su resistividad

Resistividad de:
Plata:
Cobre:
Grafito:

= 1.7 *
= 1.7 *

55
7
6

8
8
8

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= 1.7 *

1.1. Bandas de Energa:

Las bandas de energa son un modelo que consiste en que los electrones de un mismo nivel
de energa se encuentran en estados energticos ligeramente diferentes. Es por ello que no
es correcto hablar de capas de energa sino que ms bien de bandas de energa. Estas bandas
se siguen los siguientes principios:
Los electrones poseen niveles de energa de valor discreto pues se mueven en distintas
trayectorias respecto del ncleo.
Los electrones tienden siempre a ocupar los niveles de energa ms bajos.
En cada nivel de energa el nmero de electrones no puede ser mayor al nmero de
estados cunticos.
Principio de Exclusin de Pauli: solo un electrn puede ocupar un estado cuntico.
Para el estudio de los fenmenos presentes en la electrnica nos ocuparemos de las dos
ltimas bandas de energa. Estas son la banda de valencia y banda de conduccin las cuales
a su vez estn separadas por la banda prohibida (Ilustracin 1)

Ilustracin 1.- Modelo de bandas

Conductor y Aislante
El ncleo en un conductor atrae los electrones
orbitales, y estos no caen hacia el ncleo debido a la
fuerza centrfuga creada por su movimiento orbital;
cuando un electrn se halla en rbita estable, la fuerza
centrfuga esta en equilibrio con la atraccin elctrica
ejercida por el ncleo. En las rbitas ms alejadas, es
necesaria una menor fuerza centrfuga para
contrarrestar la atraccin ejercida por el ncleo. La
menor fuerza de atraccin se dar en la rbita
exterior, y como sta es tan dbil, este electrn recibe

"La diferencia entre conductores,

semiconductores y aislantes"
Los conductores son todos aquellos que poseen
menos de 4 electrones en la capa de valencia, el
semiconductor es aquel que posee 4 electrones
en la capa de valencia y el aislante es el que
posee ms de 4 electrones en la capa de
valencia.

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el nombre de electrn libre, el cual puede ser arrancado fcilmente por una fuerza
externa. An la tensin ms pequea puede hacer que los electrones libres de un conductor
de cobre se muevan de un tomo al siguiente, siendo ste el principio de la conductividad.
Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un nico electrn de valencia.
Es interesante comparar las bandas de energa de los materiales vistos (conductores,
semiconductores y aislantes) ya que permite entender el comportamiento de estos
materiales y la importancia de la banda prohibida. Como se observa en la ilustracin 2 en
los aislantes las bandas de conduccin y de valencia estn separadas por una banda
prohibida muy grande; esto significa que ser necesaria mucha energa para hace pasar un
electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin. Por el contrario en los
conductores las bandas de conduccin y de valencia estn superpuestas y no existe banda
prohibida por lo que ser muy fcil que se d la conduccin elctrica. El tercer material es
el semiconductor que presenta una banda prohibida relativamente pequea y por lo tanto
necesitar mucha energa para conducir la electricidad.

Ilustracin 2.- Diferencias entre las bandas de energa de los materiales conductores, semiconductores y
aislantes)

Enlace Covalente
El enlace covalente consiste en el compartimiento de pares de electrones por dos tomos,
dando lugar a molculas, y se realiza cuando existe electronegatividad polar pero la

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diferencia de esta entre los tomos no es lo suficientemente grande como para que haya
transferencia de electrones.
En el caso particular del silicio, cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo
central, quedando este con cuatro tomos adicionales sumando un total de 8 electrones en
su rbita de valencia (rbita ms exterior en la cual se encuentran los electrones de
valencia), estando ahora compartidos por tomos adyacentes, por medio de fuerzas iguales
y opuestas, constituyendo un enlace entre las partes internas opuestas.

1.2. Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con valencia 4; en el cual su nmero de electrones en la
rbita de valencia es clave para la conductiva elctrica. Es un material que posee un nivel
de conductividad que se localiza entre los extremos de un aislante (8 electrones de valencia)
y los conductores (1 electrn de valencia).
Silicio (Si):
El tomo de silicio posee 14 protones y 14 electrones, de tal forma que en la primera orbita
contiene 2 electrones, la segunda contiene 8 y dejando en la ltima orbita 4 electrones
(caracterstica del semiconductor).

Ilustracin 3.- tomo de silicio

El silicio es el material semiconductor ms ampliamente utilizado.

Germanio (Ge):

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El tomo de germanio posee 32 protones y 32 electrones, de tal forma que en la primera
orbita contiene 2 electrones, la segunda contiene 8, en la tercera contiene 18 y dejando en la
ltima rbita 4 electrones (caracterstica del semiconductor).

Ilustracin 4.- tomo de Germanio

Algunas de las caractersticas nicas del Ge y Si, son el resultado de su estructura atmica.
Los tomos de ambos materiales organizan un patrn bien definido que por naturaleza es
peridico. Un patrn completo se denomina Cristal y el arreglo peridico de los tomos se
denomina red. Para el caso del Ge y Si, el cristal presenta la estructura tridimensional del
diamante. Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetidas del
mismo tipo se denomina estructura de monocristal.
Cristales Semiconductores
Cuando los tomos un semiconductor como el silicio o el germanio se combinan para
formar un slido, organizan un patrn bien definido que por naturaleza es peridico, es
decir se repite peridicamente. Un patrn completo se denomina cristal y el arreglo
peridico de los tomos se denomina red. Para el caso del Si y Ge, el cristal presenta la
estructura tridimensional del diamante de la ilustracin 5. Cada tomo comparte sus
electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal forma que tiene 8 electrones en la
rbita de valencia. Cuando un tomo posee 8 electrones en su rbita de valencia, se vuelve
qumicamente estable. Aunque el tomo central tena originalmente 4 electrones en su
rbita de valencia, ahora tiene 8 electrones en esa rbita. Esto es apreciable en la ilustracin
6.
Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetidas del mismo
tipo se denomina estructura monocristal, siendo esta una caracterstica de los materiales
semiconductores de aplicacin prctica en el campo de la electrnica. Adems se observa
que la periodicidad de su estructura no se altera mucho con la adicin de impurezas en el
proceso de dopado.

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Ilustracin 5.- Estructura de monocristal de Ge y Si.

Ilustracin 6.- Enlaces Covalentes

Las vibraciones de los tomos de silicio pueden, ocasionalmente hacer que se desligue un
electrn de la rbita de valencia. Al suceder esto, el electrn que es liberado gana la engera
suficiente para situarse en una rbita mayor. En dicha rbita el electrn es un electrn libre,
y adems su salida deja un vaci, el cual se denomina hueco.

1.2.1. Semiconductores Intrnsecos:

Es un material semiconductor de un cristal sin ningn otro tipo de tomos dentro del cristal,
es decir puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica, mientras que a cero
grados Kelvin no existen electrones libres.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero, debido a que por accin de la energa trmica se producen
los electrones libres y los huecos por pares, es decir hay tantos electrones libres como
huecos. Definiremos como la concentracin de portadores intrnsecos, y se halla mediante
la siguiente ecuacin:

Ecuacin 2.- Concentracin de portadores

intrnsecos

: constante relacionada con el material

: temperatura en grados Kelvin
: nivel de energa entre bandas
: constante de Boltzman

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Donde B es una constante relacionada con el material, T es la temperatura (Kelvin),
el nivel de energa entre bandas (eV) y k es la constante de Boltzman (86
Algunos valores de B y
se muestran en la siguiente tabla:

Material

(eV)

Silicio (Si)

1.1

5.23*

Arseniuro de Galio (GaAs)

1.4

2.10*

Germanio (Ge)

0.66

1.66*

es
).

Tabla 1.- Algunos valores de B y Eg

Desde el punto de vista de bandas de energa un semiconductor intrnseco tendra la

estructura mostrada en la ilustracin 7. La energa trmica hace saltar algunos electrones de
la banda de valencia a la banda de conduccin generando unos pocos huecos y electrones
libres en pares. Por ello se puede observar que el semiconductor intrnseco posee la misma
cantidad de huecos que de electrones libres. Adems los huecos se localizan en la banda de
valencia y los electrones libres en la banda de conduccin.

Ilustracin 7.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco

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Dopado de un Semiconductor:
El dopado es una forma de aumentar la conductividad elctrica de un conductor, y consiste
en aadir deliberadamente tomos de impurezas a un cristal intrnseco.
El proceso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y
cambiar el estado del silicio del slido. En el caso de querer aumentar el nmero de
electrones libres se aaden tomos pentavalentes al silicio fundido. Como estos materiales
donarn un electrn extra un electrn extra al cristal de silicio se les conoce como
impurezas donadoras.

1.2.2. Semiconductores Extrnsecos:

Debido a que las concentraciones de electrones y huecos en un semiconductor intrnseco
son relativamente pequeas, slo son posibles corrientes muy pequeas. Sin embargo estas
concentraciones pueden aumentarse de manera considerable al aadir cantidades
controladas de ciertas impurezas. Una impureza deseable es aquella que entra a la estructura
cristalina y reemplaza (sustituye) uno de los tomos del semiconductor, aun cuando el
tomo de la impureza no tiene la misma estructura de electrones de valencia.
Un semiconductor extrnseco, es aquel que posee impureza con la finalidad de aumentar la
conductividad elctrica. Si el material posee impurezas, se dice que esta dopado y el tipo de
impurezas pueden ser elementos trivalentes o pentavalentes, con lo cual se puede diferencia
dos tipos:

1.2.2.1. Semiconductores extrnsecos tipo n1:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb).
Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la ltima
capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn
enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como
consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares electrn-hueco, se
liberan los electrones que no se han unido.

Portadores de carga mayoritarios: electrones

Portadores de carga minoritarios: huecos
Portadores de carga minoritarios: huecos

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Como ahora en el semiconductor existe un mayor nmero de electrones que de huecos, se
dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas se las llama
donadoras.
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por
ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

Ilustracin 8.- Representacin de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con elemento de 5
electrones de valencia.

Esto se puede visualizar en el esquema de bandas de energa de la ilustracin 9. Como es de

esperarse este tiene mayor nmero de electrones libres en la banda de conduccin que
huecos en la banda de valencia debido a que los primeros son los portadores mayoritarios y
los segundos los minoritarios.

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Ilustracin 9.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco tipo n

1.2.2.2. Semiconductores extrnsecos tipo p2:

En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho
de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, exista un nmero
insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recin formada
dejando una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda
de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.

Portadores de carga mayoritarios: huecos

Portadores de carga minoritarios: electrones

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Ilustracin 10.- Representacin en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un tomo de 3
electrones de valencia.

Si observamos este tipo de semiconductor desde el modelo de bandas de energa se puede

apreciar que hay ms huecos en la banda de valencia que electrones libres en la banda de
conduccin como se aprecia en la ilustracin 11. Esto se debe a que adems de los pares
hueco- electrn libre creados por efectos trmicos hay huecos adicionales generados por la
presencia de impurezas aceptadoras.

Ilustracin 11.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco tipo p

La unin PN
Un semiconductor, sea de tipo n o de tipo p, no tiene ms importancia que una resistencia.
Sin embargo, si al cristal se le agregan impurezas de tal manera que la mitad sea de tipo n y
la otra mitad de tipo p, aparece el efecto diodo. La separacin o frontera fsica entre un

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semiconductor tipo n y uno tipo p se llama unin pn, tambin denominada como zona de
deplexin.

Ilustracin 12.- Zona de deplexin

Bajo condiciones sin polarizacin (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario
(hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la frontera pn fluir directamente
hacia el material tipo p.

Zona de Deplexin
La repulsin mutua entre los electrones libres en el lado n, tiende a dispersarlos en cualquier
direccin, ocasionando que algunos de estos se difundan atravesando la unin. Cuando un
electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario, que estar
rodeado de huecos, por lo que este electrn libre tendr un tiempo de vida corto, ya que
poco despus de entrar en la regin p se recombinar, convirtindose en un electrn de
valencia. Cada vez que el electrn abandona el lado n deja un tomo pentavalente al que le
falta una carga negativa, convirtindose en un ion positivo. Algo anlogo sucede cuando un
electrn cae en un hueco en el lado p, el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte
en un ion negativo. Por lo tanto cada vez que un electrn se difunde crea un par de iones, lo
cual es apreciable en la ilustracin 12.

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Cada par de iones positivo y negativo se llama dipolo. Al aumentar el nmero de dipolos, la
regin cercana se va quedando sin portadores, siendo esta, la zona de deplexin.
Barrera de Potencial
Existe un campo elctrico entre los iones positivo y negativo de cada dipolo formado. Por lo
tanto este campo elctrico tratar de devolver los electrones libre adicionales que intenten
entrar en la zona de deplexin a la zona n. Este campo elctrico ser proporcional al nmero
de electrones que atraviesen la zona de deplexin, por lo tanto luego de cierto tiempo
terminar por detener la difusin de electrones a travs de la unin. Este campo elctrico
entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial,
la cual es aproximadamente 0.3 V para el Germanio y 0.7 V para el Silicio.

Ilustracin 13.- Zona deplexin y barrera de potencial

1.2.3. Polarizacin Directa:

Se explicara mediante el uso de una fuente de corriente continua conectada a un diodo (este
trmino quedo definido anteriormente como la unin de las zonas p y n en un solo
elemento); el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, mientras que
el terminal positivo se conecta al material tipo p; a esta forma de conexin se denomina
Polarizacin Directa.

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Ilustracin 14.- Polarizacin directa

Flujo de Electrones Libres

Debido a esta configuracin, la batera empuja a los huecos y a los electrones libres hacia la
zona de unin. Adems, hay que prestar atencin en la medida de tensin; ya que si esta no
es mayor que la barrera de potencial, los electrones libre no poseern la suficiente energa
para atravesar la zona de deplexin. Por lo tanto si no se supera la barrera de potencial, no
circular corriente por el diodo, ya que cuando los electrones entre en la zona de deplexin,
no la atravesaran sino que los iones se ven empujados de regreso a la Zona n.
Cuando el voltaje es mayor a la barrera de potencial, los electrones libres y los huecos son
empujados a la zona de deplexin, pero esta vez los electrones libres si cuenta con la
suficiente energa para pasar dicha zona y recombinarse con los huecos; ahora como los
electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo, y continuamente
se crean hueco en el extremo izquierdo, existir una corriente que circula por el diodo.
Flujo del Electrn
Observemos ms detenidamente lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal
negativo de la fuente, entra por el extremo derecho del cristal y se desplaza a travs de la
zona n como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en
electrn de valencia. Luego se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia,
saltando a travs de los huecos y tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al
terminal positivo de la fuente.

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Ilustracin 15.- Flujo de electrn

Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin de signo contrario a la barrera de potencial
interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente
corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera
desaparezca totalmente.

1.2.4. Polarizacin Inversa:

Si se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo se polariza en inversa. Esto se
logra conectando el terminal negativo de la batera al lado p y el terminal negativo al lado n.
A esta conexin se le denomina Polarizacin Inversa.

Ensanchamiento de la Zona de Deplexin:

El terminal negativo de la fuente atrae los huecos, y el terminal positivo atrae los electrones
libres, por ellos los huecos y los electrones libres se alejan de la unin; como consecuencia
la zona de deplexin se ensancha y los iones recin creados hacen que aumente la diferencia
de potencial hasta que iguale a la tensin inversa aplicada.

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Ilustracin 16.- Ensanchamiento de la zona de deplexin

Al ir aumentando esta tensin inversa llega un momento en que el diodo pierde su

capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa. Esta tensin recibe el
nombre de "tensin de ruptura". Normalmente en esta situacin el diodo se destruye.
Corrientes en Polarizacin Inversa:
En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin trmica de pares electrnhueco. Los pocos electrones generados trmicamente pierden energa y bajan de p a n, es la
"Corriente Inversa de Saturacin" (Is) que es muy pequea.
Adems de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina
"Corriente de Fugas" (If).
Entonces la corriente resultante en polarizacin inversa, ser la suma de Corriente Inversa
de Saturacin y la Corriente de Fugas.

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Ilustracin 17.- Simbologa

Ilustracin 18.- Polarizacin

Ruptura
Cuando se polariza en inversa, se tiene que tener en cuenta una tensin inversa de ruptura,
que es la mxima tensin en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en
conduccin; esta tensin para un diodo es destructiva, ya que cuando alcanza dicha tensin
una gran cantidad de portadores minoritarios aparecen repentinamente en la zona de
deplexin y el diodo conduce descontroladamente. Esta gran cantidad de portadores

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minoritarios, son producidos por el efecto avalancha que se da en presencia de elevadas
tensiones inversas.
Cuando la tensin inversa disminuye, provoca que los portadores minoritarios se muevan
ms rpido, chocando de esta forma con los tomos de cristal. Si dichos portadores tienen la
energa suficiente pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos, y aumentar el
nmero de electrones libres que a su vez provocaran la liberacin de otros electrones de
valencia, de ah viene el nombre de Efecto Avalancha.

Ilustracin 19.- Efecto avalancha

Efecto Zener
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que debido a la caracterstica
constitucin de los mismos originan fuertes campos elctricos que causan la ruptura de los
enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin.
Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y
superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en los bornes del
diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l.

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Referencias
Ecuaciones
Ecuacin 1.- Resistividad ..................................................................................................................... 2
Ecuacin 2.- Concentracin de portadores intrnsecos ...................................................................... 7
Tablas
Tabla 1.- Algunos valores de B y Eg...................................................................................................... 8
Ilustraciones
Ilustracin 1.- Modelo de bandas........................................................................................................ 3
Ilustracin 2.- Diferencias entre las bandas de energa de los materiales conductores,
semiconductores y aislantes) .............................................................................................................. 4
Ilustracin 3.- tomo de silicio ............................................................................................................ 5
Ilustracin 4.- tomo de Germanio..................................................................................................... 6
Ilustracin 5.- Estructura de monocristal de Ge y Si. .......................................................................... 7
Ilustracin 6.- Enlaces Covalentes ....................................................................................................... 7
Ilustracin 7.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco .................................................... 8
Ilustracin 8.- Representacin de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con
elemento de 5 electrones de valencia. ............................................................................................. 10
Ilustracin 9.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco tipo n ....................................... 11
Ilustracin 10.- Representacin en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un
tomo de 3 electrones de valencia. .................................................................................................. 12
Ilustracin 11.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco tipo p ..................................... 12
Ilustracin 12.- Zona de deplexin .................................................................................................... 13
Ilustracin 13.- Zona deplexin y barrera de potencial .................................................................... 14
Ilustracin 14.- Polarizacin directa .................................................................................................. 15
Ilustracin 15.- Flujo de electrn ...................................................................................................... 16
Ilustracin 16.- Ensanchamiento de la zona de deplexin ................................................................ 17
Ilustracin 17.- Simbologa ................................................................................................................ 18
Ilustracin 18.- Polarizacin .............................................................................................................. 18
Ilustracin 19.- Efecto avalancha ...................................................................................................... 19

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Bibliografa
Principios de Electrnica, Albert Paul Malvino 6ta edicin Captulo 2: Semiconductores
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.pdf
https://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/materialessemiconductores.pdf
http://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Tema3.pdf
http://ocw.usal.es/ensenanzastecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf
http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1806-11172006000400013