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Aula 2
- Nmeros Qunticos
Orbital (l) s, p e d
Magntico (m) inclui o f
Magntico Spin (Ms) - +1/2 e -1/2
- Eltrons de Valncia
Estabilidade eletrnica
- Ligaes:
- METAIS
1 a 3 eltrons de valncia
Ligao no direcional
Eltrons de valncia livres
Nuvem eletrnica
- POLMEROS
Compartilhamento de eltrons
Ligao altamente direcional
Menor diferena de eletronegatividade do que os metais
Forte carter covalente (primria)
Mas podem ocorrer ligaes de Van de Walls (secundria)
- CERMICA
Transferncia de eltrons
Ligao no direcional
Grande diferena de eletronegatividade (atrao eletrosttica)
Ligao inica e/ou covalente
Aula 3
- Raio Atmico: distncia do centro do tomo at seu orbital mais externo
- Reticulado cristalino tomos (esferas) agrupadas de forma peridica nas trs
dimenses
- Clula unitria agrupamento de tomos que representam uma estrutura cristalina
- Parmetros de rede arestas e ngulos entre arestas
- Nmero de Coordenao
Mais rara
NC = 6
1 tomo por clula unitria
FEA
Comum em metais
NC = 12
2 tomos por clula unitria
FEA = 0,74
Aula 4
- Cermicas so materiais inorgnicos, geralmente constitudos de elementos
metlicos e elementos no metlicos, ligados por ligaes de carter misto, inicocovalente.
- nions ocupam posies da rede e Ctions ocupam posies intersticiais
- Estruturas CFC e HC
- Estrutura afeta propriedades, alm de difuso e deformao por escorregamento
- Pode ter NC valendo, 3, 4, 6, 8 e 12
- O tipo de estrutura tambm determinado pela estequiometria. Exemplos:
Tipo NaCl (halita): Rede CFC; compostos AX, MX; NC = 6; ctions octadricos
Tipo ZnS (Blenda de Zinco): Rede CFC; AX, MX; NC = 4; Ctions
tetradricos
Tipo ZnS (Wurzita): Rede HC; AX, MX; NC = 4; Ctions tetradricos
Tipo CaF2 (Fluorita): Rede CFC do tipo CS; AmXp; NC = 8; Ctions
octadricos
Tipo BaTiO2 (Perovskita): Rede CFC; AmBnXp; Anion + Ctions na rede maior e
Ctions octadricos
Tipo MgAl2O4 (Espinlio): Rede CFC; AB2O4; Ctions 1/8 tetra e octadricos
Aula 5
- Difrao de Raios-X para caracterizar estruturas cristalinas
Usa a Lei de Bragg para calculo da distncia entre tomos e uma frmula para
calcular a distncia interplanar:
- Direes cristalogrficas
Direo = Vetor
Translada-se o vetor e o projeta em x, y e z. Essas sero as coordenadas
Direo quebrada, multiplica-se por um inteiro comum.
Representao: [abc]
- Planos
Desenhar o plano
Inverter as coordenadas (1/x; 1/y; 1/z)
Multiplicar caso necessrio para se obter inteiros
Representao: (abc)
- Densidade Linear
- Densidade Planar
Aula 7
- Classificao dos Defeitos Cristalinos
PUNTIFORMES
LINEARES
PLANARES
VOLUMTRICOS
- Puntiformes
Autointersticiais tomo que se localiza em uma posio onde originalmente
no estaria. Assim, falta um tomo onde deveria ter
Em cristais inicos, ocorre o Defeito de Schottky (2 lacunas) ou de Frenkel
(lacuna catinica)
No existem metais 100% puros
Impurezas podem formar substncias slidas ou de segunda fase. Tambm
podem ser acrescentadas de propsito para aumentar propriedades.
As solues slidas podem ser substitucionais ou intersticiais.
- Lineares
Discordncia em aresta ou cunha (distoro)
Magnitude e direo dadas pelo VETOR DE BURGUERS (Perpendicular
linha de discordncia)
Pode haver discordncia em cunha (caso acima), discordncia em hlice (Vetor
de Burguers paralelo linha de discordncia e discordncias mistas (ngulo
entre o Vetor de Burguer e a linha de discordncia entre 0 e 90
Todos os cristais tm discordncia
Fora de discordncia geralmente baixa, exceto em cermicas.
Aumentando a temperatura, aumenta-se a velocidade do deslocamento
Discordncias geram lacunas e influem nos processos de difuso
-Planares
Tm alguns tipos principais:
- Superfcie externa: causa maior distrbio na estrutura e ocorre entre o cristal
e o meio que o circunda. Importante para materiais particulados.
- Contorno de Gro: lembrando que so as fronteiras que separam duas
orientaes diferentes.
- Contorno de Macla: Macla a fonteira entre duas regies do cristal que so
imagens ESPELHADAS uma da outra (maclas de deformao). Geralmente
tem forma lenticular.
- Empilhamento: encontrados geralmente nas estruturas CFC e HC, so
delimitados por discordncias parciais. Medidos em EDE (Energia de Defeito
de Empilhamento)
- Interface: Fronteiras entre duas fase diferentes que podem ser coerentes
(menor energia), semicoerentes e incoerentes (maior energia)
- Volumtricos
Normalmente so introduzidos nos processos de fabricao, afetando
fortemente as propriedades dos produtos. Ex.: Trincas
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