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Prctica No.

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Curvas caractersticas del MOSFET de vaciamiento canal n
Objetivos especficos: El alumno aprender a:
Obtener las curvas caractersticas de drenaje del MOSFET de vaciamiento
Obtener la grfica de la funcin de transferencia del MOSFET de vaciamiento.

INTRODUCCION TEORICA.
Anlisis de la operacin del transistor MOSFET de vaciamiento canal-n.
Los MOSFET son dispositivos de cuatro terminales llamados Source o fuente (S), Drain o denaje(D), Gate
o compuerta (G) y Sustrate o substrato (SS). Sin embargo, el substrato generalmente est conectado
internamente al terminal del fuente, y por este motivo se pueden disponer de dispositivos MOSFET de
tres terminales. La palabra MOSFET es acrnimo de Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor
(significa en castellano transistor de efecto de campo).
Los MOSFETs se dividen en dos tipos: el de vaciamiento (o decrecimiento, agotamiento, etc.) y
crecimiento (o incremental). Los trminos vaciamiento o crecimiento se definen como consecuencia de
los modos de operacin, como ser explicado ms adelante.

La construccin bsica de un MOSFET del tipo vaciamiento canal n se esquematiza en las figuras 8.1 y 8.2.
Se forma a partir de una base de material de silicio monocristalino tipo p al se le denomina sustrato. El
sustrato es el cimiento sobre el que se construir el dispositivo resultando un dispositivo de cuatro
terminales, como el que aparece en la figura 8.1. Las terminales de fuente y drenaje estn unidas entre s
a travs de una regin de semiconductor tipo n mediante una zona denominada canal n como se muestra
en la misma figura. La compuerta se conecta a una superficie de contacto metlico, pero permanece
aislada del canal n por una capa muy delgada de
pero permanece aislada del canal n por una capa muy delgada de dixido de silicio. El SiO2 es un tipo
particular de aislante que no permite una conexin elctrica directa entre la terminal de compuerta y el
canal para el MOSFET; por esta razn, a estos dispositivos se les conoce tambin como IGFETs (insulatedgate field-effect-transistor, transistor de efecto de campo con compuerta aislada).

No existe conexin elctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de un MOSFET


La resistencia de entrada de un MOSFET es mucho mayor que la del JFET tpico, an cuando la impedancia
de entrada de la mayora de los JFET sea lo suficientemente alta comparada a la impedancia de entrada
de los BJTs. De hecho, debido a esta muy alta impedancia de entrada, la corriente de compuerta IG es
esencialmente de cero amperes para las diferentes configuraciones de polarizacin en cd.

Proceso1 tecnolgico para la fabricacin del MOSFET.


Continuacin vamos a describir de forma esquemtica los pasos del proceso para fabricar un transistor
MOSFET de canal n con compuerta metlica.
Este proceso se lleva a cabo usando la tecnologa planar que se puede realizar mediante procesos de
crecimiento epitaxial2 de pelculas semiconductoras, crecimiento trmico de xidos, difusin de
impurezas, implantacin de iones, fotolitografia y deposicin3 de polisilicio de capas dielctricas y
metlicas.

Consiste en una serie de pasos ordenados rigurosamente para la trasferencia del diseo grfico de un
chip a una oblea de silicio monoltico.
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Es un proceso por medio del cual se hace crecer una capa de material que mantiene una relacin definida con
respecto al substrato cristalino inferior. Por ejemplo, partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o
sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este.
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Depositar.
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ETAPAS DE FABRICACION DE UN MOSFET DE VACIAMIENTO


Etapa

Vista frontal de la oblea

Descripcin de la etapa

La oblea de partida, silicio monocristalino, tipo p.

Se crece la capa de dixido de silicio (SiO2) trmico.

Primer proceso fotolitogrfico para la abertura de una


ventana en lo que sern las reas activas (regiones de
drenaje, compuerta y fuente) por medio de fotolitografia.
Se aplican varias gotas de photorresist4 (PR) sobre la
oblea y se hace girar a altas rpm para distribuir la
sustancia uniformemente.
Despus del paso de girado, se lleva a la oblea a
horneado para eliminar solventes y mejorar la adhesin
de la pelcula del PR.

Se enmascara5 la oblea para proteger de luz UV las zonas


que sern removidas.
Luego se expone a la oblea a luz UV y la capa de PR no
cubierta por el enmascaramiento experimenta un cambio en
sus propiedades qumicas (indosubilidad) que se fijan por
medio de un proceso similarmente al revelado en fotografa

Luego se remueve la zona que no recibi la luz por


medio de una solucin.
Finalmente, la oblea es limpiada, secada y horneada
nuevamente tal que la PR pueda resistir el acido fuerte
para atacar la capa de dixido expuesta

Para atacar el SiO2 se usa acido HF debido a que no ataca al


silicio
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Resina fotosensible es una material sensible a la luz utilizado en varios procesos industriales, tales como la
fotolitografa y fotograbado, para formar un recubrimiento modelado sobre una superficie.
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Mscara. Placa con aberturas que se disea para producir un patrn de grabacin en la capa fotosensible.
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Despus de atacar al SiO2 se quita el PR por medio de un


solvente (Acetona) o por oxidacin por plasma , dejando el
patrn de aislamiento que es el mismo que la imagen sobre
la mascara.

Proceso de difusin de impurezas donadoras se usan para


formar el drenaje, compuerta y fuente

Se crece una capa adicional de oxido trmico

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Segundo proceso de fotolitografia para quitar el oxido que


definir la regin de compuerta.
Enmascaramiento
Exposicion a la luz UV
Revelado

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Remocin del PR no expuesto

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Remocin de la capa de dixido de silicio por medio de


ataque quimico.

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Despus de atacar al SiO2


se quita el PR por medio de un solvente (Acetona)

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Se crece una delgada capa de dixido de silicio

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Se inicia el tercer proceso de fotolitografia para remover el


oxido, definir ranuras de contactos para la fuente y drenaje.

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definicin de los contactos de fuente


y drenaje.

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Remover la capa PR

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Se deposita aluminio evaporado sobre toda la superficie


bajo condiciones de alto vacio.

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Se hace el proceso final de fotolitografia para remove la


capa de aluminio para definir el patrn de contactos.

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Definicin exacta de contactos en puerta,


fuente y drenador

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Definicin exacta de contactos en puerta,


fuente y drenador

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Fabricacin del dispositivo MOSFET completada.

OPERACIN BSICA Y CARACTERSTICAS.


Respuesta de la corriente de drenaje ID con respecto a la variacin del voltaje
VDS, considerando la compuerta a tierra (VGS = 0 ).
I)

La diferencia de potencial entre compuerta y fuente de la figura 8.3 es cero volts (VGS = 0 ) al estar
conectadas en comn con la terminal del sustrato y la conexin de tierra. Por el lado del circuito de
drenaje se le est aplicando al transistor un voltaje VDD a travs de las terminales drenaje-fuente (VDS). El
resultado es que los electrones libres del canal n son arrastrados por esta diferencia de potencial VDS y
formaran la corriente ID similar a la establecida a travs del canal del JFET. En la figura 8.4 se muestra en la
curva caracterstica del funcionamiento del MOSFET de vaciamiento, es decir, la variacin de la corriente
resultante ID con respecto a la variacin de VDS. Se puede apreciar que la corriente ID aumenta conforme
el voltaje VDS aumenta (aumentando VDD). Ver Figura 8.3 (b).
Este comportamiento proporcional se mantendr a cierto valor donde VDS = VP (este valor de voltaje
provoca el estrangulamiento del canal). A partir de este valor, los incrementos del voltaje VDS no producen
mayor incremento de la corriente ID . El comportamiento constante del valor de ID se le llama corriente
de saturacin IDSS .

Figura 8.3 (b)

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL SIMULADO I).


a) Armar el siguiente circuito.

b) Medir el voltaje VDS y la corriente ID, mientras se incrementa el valor de la fuente VDD desde 0 hasta 20
volts, manteniendo el voltaje VGS = 0 V. Anotar sus resultados en la siguiente tabla

c) Con los valores de la tabla anterior, realice la grfica de ID vs VDS.

d) Analice y comente con los integrantes del equipo, los resultados. Escriba sus conclusiones.

II) Respuesta de la corriente de drenaje ID con respecto a la variacin del voltaje


VGS, considerando VDS = a un valor constante.
Independientemente del efecto que provoca el voltaje VDS sobre la resistividad del canal (y su repercusin
en la corriente ID), por medio del aumento de la zona de vaciamiento, ahora se estudiar el efecto del
voltaje sobre la misma corriente. En la figura 8.5, VGS tiene un potencial negativo, tal como 1 V. El
potencial negativo en la compuerta producir un campo elctrico en direccin substrato-compuerta, tal
que arrastrar a los electrones libres (portadores mayoritarios en el canal n) hacia el sustrato tipo p y
atraer a los huecos del sustrato tipo p. Dependiendo del valor de la polarizacin negativa establecida por
VGS, ocurrir la recombinacin entre electrones y huecos que reducir el nmero de electrones libres
disponibles para la conduccin en el canal n. Mientras ms negativa sea la polarizacin, mayor ser la
velocidad de la recombinacin. Por consiguiente el valor de la corriente de drenaje ID se reduce con el
incremento en la polarizacin negativa para VGS como se muestra en la figura 8.5 para VGS = -1 V, -2 V, y as
sucesivamente, hasta el nivel de estrechamiento de -4 V. Los niveles resultantes de la corriente de
drenaje y la grfica de la curva de transferencia se comportan exactamente de la misma forma que para
el JFET.

La figura 6.31 muestra la curva obtendra al hacer el experimento de un MOSFET de vaciamiento.

Al igual que en el caso del JFET, bajo las condiciones experimentales W. Shockley dedujo la ecuacin que
define la relacin entre ID y VGS en un MOSFET de vaciamiento, la cual en honor a l se llama Ec. De
Shockley:

V
ID IDSS 1 GS
VP

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PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL SIMULADO II).


a) Armar el siguiente circuito.

b) Medir el voltaje VDS y la corriente ID, mientras se incrementa el valor de la fuente VDD
desde 0 hasta 20 volts, manteniendo el voltaje VGS = - 3 V. Anotar sus resultados en la siguiente
tabla:

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c) Con los valores de la tabla anterior, realice la grfica de ID vs VDS

d) Analice y comente con los integrantes del equipo, los resultados. Escriba sus conclusiones.

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