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Laboratoire 1

Diodes et applications

Universit Mohammed V, Facult des Sciences, Rabat

Premire partie

Rappel de cours
La diode est un lment actif comportant deux lectrodes dsignes gnralement par
anode et cathode. La diode P N rsulte de la jonction de deux lments semi-conducteurs
gnralement en silicium (cf. g. 1). Lun des lments a subit un dopage type P , lautre un
dopage type N . A cause des proprits particulires des semi-conducteurs, la circulation
du courant travers la jonction ne peut seectuer que dans le sens P ! N .

Fig.1 : Constitution et symbole dune diode jonction P N .

Courbe caractristique

En examinant en dtail la relation courant-tension dune jonction polarise, on constate


que le courant obit la tension applique selon la loi exponentielle suivante :
ID = Is exp(

VD
)
nVT

(1)

le courant Is est appel courant inverse de saturation. Cest la valeur asymptotique du


courant traversant la jonction en polarisation inverse.
VT est la tension thermodynamique qui vaut VT =
10 19 C; K = 1; 23 10 23 J= K):

KT
q

' 26mV 25 C (q = 1; 6

n est le coe cient dmission. Il dpend du matriau, voisin de 1 dans les jonctions de
transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 dans les
diodes au silicium.
La caractristique courant-tension (1) peut tre approxime convenablement par la relaVD
tion ID ' Is exp( nV
) dans le cas o la tension VD excde 100mA.
T
La diode est dite polarise en direct lorsque la tension VD est positive. Dans ce cas, la
croissance exponentielle du courant est fortement marque par la tension de seuil VD0 (cf.
g.2). Pour la jonction au silicium, la tension seuil VD0 stablit environ entre 0:6V et
0:7V .
Pour une tension applique VD < 0, la diode est polarise en inverse. Le courant traversant
la diode de la cathode vers lanode est extrmement faible et crot rapidement avec la
temprature ; il vaut Is . On considre que la diode est bloque.

Pr. A. MAAOUNI

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Fig.2 : Caractristique relle de la jonction PN


B Diode
Lorsque la tension inverse jVD j angmente jusqu atteindre une tension jVBR j dite de
claquage, le courant augmente rapidement dans la diode entranant sa destruction.
B Diode Zener
Le courant ID est ngligeable tant que jVD j < jVBR j = jVZ j (tension Zener). Au-del,
le courant ID crot trs rapidement et VD = Vz . Pour viter la destruction de la diode
zener, le constructeur spcie le courant maximal. jVZ j varie selon le type de la diode
entre quelques volts et plusieurs dizaines de volts.

2
2.1

Modle lectrique quivalent la diode en direct


Modles statiques

Pour tudier les structures lectroniques on est conduit dans un but de simplication
linariser la fonction ID = f (VD ) en direct. En fonction du problme traiter direntes
hypothses peuvent tre envisages :

Fig.3 : Modles de la diode en direct


Pr. A. MAAOUNI

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Diode idale
Si VD < 0, le courant ID = 0.
Si ID > 0; la tension VD = 0.
La diode est quivalente un interrupteur :

A dsigne lanode et K la cathode.


Diode parfaite
Si VD < VD0 , le courant ID = 0.
Si ID > 0; la tension VD = VD0 .
La diode est quivalente soit un circuit ouvert, soit une source de tension parfaite de
f..m VD0 :

Diode relle
Si VD < VD0 , le courant ID = 0.
Si ID > 0; la tension VD = VD0 + RD IA!K .
La diode est quivalente soit un circuit ouvert, soit une source de tension de f..m VD0
et de rsistance interne RD :

2.2

Rsistance dynamique et modle dynamique

Dans quelques applications, on cherche dterminer le comportement en AC du circuit


diodes autour dun point de fonctionnement. On a donc une superposition dun signal
DC et dun signal AC de faible amplitude.
Pr. A. MAAOUNI

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Fig.3 : Excitation AC de la diode de faible amplitude autour


du point de fonctionnement Q
Le signal instantan appliqu la diode est :
vD = VDQ +

vd
|{z}

Composante AC

Le courant dans la diode correspondant scrit :

vD
)
nVT
vd
VDQ
= Is exp(
) exp(
)
nVT
nVT
|
{z
}

iD ' Is exp(

IDQ

' IDQ (1 +

vd
);
nVT

vd
nV
| T{z

1
}

Faible signal

Il sensuit que :
id = iD

IDQ '

IDQ
vd
nVT
|{z}
1=rd

o rd est la rsistance dynamique de la diode dnie par : rd =

nVT
.
IDQ

En polarisation directe, la diode est quivalente en dynamique au circuit suivant :

Fig.4 : Schma quivalent en polarisation directe


petits signaux de la diode

Pr. A. MAAOUNI

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Modle de la diode zener

Dans le sens direct, cette diode se comporte comme une diode normale, dans le sens
inverse la diode zener est quivalente une source de tension de f..m Vz et de rsistance
interne rz (cf. g.5) :

Fig.5 : Modle, symbole et caractristique de la diode zener.

4
4.1

Applications des diodes


Redressement

Les redresseurs sont des circuits qui permettent de transformer lalternatif en DC. On
distingue deux types de redresseurs : mono alternance et bi alternances. Le principe est
dcrit dans la gure suivante :

Fig.6 : Chane de conversion AC-DC


On suppose dans ce qui va suivre que les diodes sont caractrises par une rsistance directe
RD nulle.

4.1.1

Redressement monoalternance

Soit le montage suivant :

Fig.7 : Redresseur simple alternance


La tension vi est sinusodale : vi = Vm sin(!t) de frquence f =
du signal.
Pr. A. MAAOUNI

!
2

1
.
T

T est la priode

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Si i > 0; la diode idale est un court-circuit. La loi des mailles scrit : vi


Ri > 0: Donc, si :
vi > VD0 ; vo = vi
Si vAK = vA
Donc, si :

VD0 = va =

VD0 :

vK < 0 la diode idale est un circuit ouvert, vA = Vi ; vK = VD0 ; vo = 0.


vi < VD0 ; vo = 0

Fig.8 : Caractristique de transfert et volution de la tension de sortie vo .

4.2

Redressement bi-alternances

Soit le montage suivant :

Fig.9 : Redresseur bi-alternances pont.


En remplaant les diodes (supposes ici identiques) par leurs modles quivalents, on peut
redssiner le schma du redresseur double alternance ainsi :

Fig.10 : Schma quivalent


Pr. A. MAAOUNI

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Fig.11 : a) Schma quivalent du pont pour lalternance +, b) celui pour lalternance -.


Si vi > 2VD0 , les diodes idales D1i et D3i sont quivalentes des courts-circuits, la tension
de sortie vaut donc : vo = vi 2VD0 .
Si vi < 2VD0 , les diodes idales D2i et D4i sont quivalentes des courts-circuits, la
tension de sortie vaut donc : vo = vi + 2VD0 .

4.3

Composante DC, valeur e cace et facteur de forme du signal priodique

Soit s(t) un signal priodique de priode T . Par dnition :


Z
1
SDC = Smoy =
s(t)dt
T
T
s Z
1
s2 (t)dt
Sef f =
T T
Facteur de forme :

Sef f
Smoy
Pour le signal redress monoalternance (cas o VD0 = 0) :
Vm
Vo;DC =
F =

Vm
Vo;ef f = p
2
F =
Pr. A. MAAOUNI

signal dentre vi = Vm sin(

2
t)
T

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Pour le signal redress bi-alternances (cas o VD0 = 0) :


Vo;DC =

2Vm

Vm
Vo;ef f = p
2
F =

Dans le cas o Vm

4.4

p
2 2

2VD0 ; la composante Vo;DC vaut :

2(Vm 2VD0 )

Filtrage

Le circuit de ltrage le plus simple consiste mettre un condensateur en parallle avec le


redresseur (voir gure 12).

Fig.12 : Redressement et ltrage


La loi des noeuds au noeud de potentiel vo entrane :
iD =

Pr. A. MAAOUNI

vo
dvo
+C
R
dt

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Lorsque la diode est passante, le condensateur se charge et vo = vi VD0 . A linstatnt t1 ;


la diode se bloque et le condensateur se dcharge avec une constante de temps = RC :
vo (t) = (Vm

VD0 ) exp(

t1

A linstant t1 + T
T o t = T4 T3 dsigne le temps de conduction de la diode, la
tension aux bornes du condensateur vaut :
vo (t1 + T

t) = (Vm

VD0 ) exp(

' (Vm

VD0 ) exp(

' (Vm

VD0 )(1

T
T
T

);

Lamplitude vr des ondulations vaut donc :


vr = (Vm

VD0 )

= (Vm

VD0 )

(Vm

VD0 )(1

Dans le cas dun dtecteur de pic base dun redresseur bi-alternances, lamplitude des
ondulations est donne par :
T
vr = (Vm VD0 )
2

4.5

Rgulateur de tension

Soit le montage suivant :

Fig.13 : Rgulateur de tension


Le circuit maintient la tension au niveau de la charge R constante (elle vaut Vz ) :
lorsque la charge varie : stabilisation aval
lorsque la tension dalimentation varie : stabilisation amont

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R variable tension U = Cte


le courant de charge IL varie, sil augmente, le courant Iz dans la diode diminue puisque
I = URsVz = Iz + IL = cte. Pour la charge, le stabilisateur se comporte comme une source
de tension constante.
U variable
A un accroissement U en entre correspond un accroissement
sortie (au niveau de la charge) :
UR '

UR de la tension de

rz
U
Rs

Deuxime partie

Manipulation
5

Diode

5.1

Relev de la caractristique de la diode loscilloscope

Fig.14a : Schma pour le relev de la caractristique de la diode


1. Raliser le montage de la gure 14a et relever la caractristique de la diode. Dduire
la tension seuil VD0 et identier le type de diode : Ge ou Si.
2. Expliquer le rle de la rsistance R.

Fig.14b : Oscillogramme de la caractristique de la diode


Pr. A. MAAOUNI

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Note :
Aucune sortie du gnrateur B.F. nest relie la masse M de loscilloscope. On dit
que le gnrateur B.F. travaille en sortie ottante.
Mettre le bouton base de temps en position lissajous( X via Y)

5.2

Redressements monoalternance et double alternances

3. Raliser le montage suivant :

Fig.15a : redressement monoalternance et ltrage

Fig. 15b : Oscillogrammes pour a) C = 0; b) C = 1 F , c) C = 2; 2 F , d)


C = 10 F .
et relever les oscillogrammes (g.15b, a), b), c) et d)), explications.
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4. Dterminer la valeur crte, la valeur moyenne et la valeur e cace pour la forme


donde correspondante C = 0.
5. Dterminer lamplitude des ondulations vr . Comparer ce rsultat avec la valeur
thorique pour les deux cas : C = 1 F; C = 2; 2 F .
6. Reprendre les questions 3 , 4 et 5 pour le circuit suivant :

Fig.16a : Redressement bialternances et ltrage

Fig. 16b : Oscillogrammes pour a) C = 0; b) C = 1 F , c) C = 2; 2 F , d)


C = 10 F .

Pr. A. MAAOUNI

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Diode Zener

6.1

Relev de caractristique

7. Raliser le montage de la gure suivante et relever la caractristique inverse de la


diode Zener. Dterminer partir du graphique, la tension Zener VZ et la rsistance
rz .

Fig.16a : Relev de la caractristique inverse de la diode Zener

Fig. 16b : Trac de la caractristique inverse de la diode Zener

6.2

Stabilisation en tension

8. Raliser le montage de la gure 13 pour Rs = 470 . Relever la caractristique de


transfert U = f (UR ) pour R = 1k .
9. Relever et tracer IL = f (UR ) pour U = 20V .
10. Conclure

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Fig.17a : Caractristique de Transfert UR = f (U )

Fig.17b : Caractristique IL = f (UR )

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Laboratoires 2 et 3 :

Etage amplicateur transistors

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Premire partie

Rappel de cours
1

Transistor bipolaire

Le transistor est constitu de deux jonctions, places en srie, trs proches lune de lautre
et de polarits opposes. On distingue le transistor NPN et le transistor PNP dont voici
les symboles et les conventions :

Fig.1 : Convention et symboles


Avec les convenstions de la Fig.1 :
1. Pour le transistor N P N
Les courants collecteur iC , emetteur iE , et base iB sont positifs.
Les tensions vBE et vCE sont positives.
2. Pour le transistor P N P
Les courants collecteur iC , emetteur iE , et base iB sont positifs.
Les tensions vEB et vEC sont positives.
Le transistor N P N est constitu dune jonction N P (Collecteur-Base) et dune jonction
P N (Base-Emetteur). Suivant le mode de polarisation de ces deux jonctions (bloque =
inverse ou passante = directe), quatre modes de fonctionnement du transistor peuvent
apparatre :
Jonction collecteur-base
Inverse
Bloque
Directe
Directe

Jonction base-metteur
Direte
Bloque
Directe
Inverse

Mode de fonctionnement
Normal
Bloqu
Satur
Inverse

En mode normal, le transistor ajuste le courant collecteur de sorte quil soit une version
amplie du courant base avec une constante damplication :
ic = ib ; ie = ic + ib = ( + 1)ib

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Le modle du transistor dans cette rgion est reprsent la gure 2 :

Fig.2 : Modle simpli du transistor NPN


Is ' 10nA
Si on injecte un signal de faible amplitude vBE au niveau de la base autour du point
de fonctionnement Q(IBQ , VBEQ ), on aura en entre et en sortie des grandeurs de faibles
amplitudes iB , iC et vCE :

Fig.3 : Application dun signal de faible amplitude autour du point


de fonctionnement Q caractris par VBEQ ; IBQ ; ICQ et VCEQ
Le courant base comporte une composante DC et une composante de faible amplitude :
(2)

iB = IBQ + iB
IS
1
'
exp(VBEQ =VT )(1 +
VT
|
{z
}

vBE )

IBQ

IBQ
vBE
VT
ICQ
= IBQ +
vBE !
VT
|{z}
= IBQ +

1=r

iB =

ICQ
VT
|{z}

vBE

1=r

r est la rsistance dentre du transistor mont en metteur commun. A temprature


ambiante, on peut crire :
38:46
( )
(3)
r '
ICQ
Pr. A. MAAOUNI

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De mme, le courant collecteur peut tre mis sous la forme :


iC

(4)

= ICQ +

iC
1
' ICQ (1 +
VT

vBE )
38:46ICQ

iC =

ICQ
VT
|{z}

vBE =

vBE

gm = =r

1=r

gm transconductance du transistor.

z}|{
ICQ
iB =
VT
|{z}

Compte tenu des relations (2) et (4), on peut reprsenter le transistor, vis vis des signaux
de faibles amplitudes (petits signaux1 ), par le schma quivalent de la gure suivante :

Fig.4 : Schma simpli du transistor pour les petits signaux


Les paramtres hije dsignent les paramtres hybrides du transistor mont en metteur
commun. h12e est trs faible de lordre de 10 4 (ngligeable). La rsistance de sortie est
souvent nglige.

Transistor FET

Le transistor FET est un transistor eet de champ dont la grille nest pas isole. Il
est constitu dun barreau semi-conducteur gnralement au silicium, du type N ou P
faiblement dop (canal) plac entre deux couches de semi-conducteur de dopage oppos
et relies entre elles pour former llectrode que lon nomme la grille. Les extrmits du
canal forment deux autres lectrodes nommes le drain et la source. La gure 5 rsume
les principales caractristiques du FET.
Le modle basse frquence du JFET est reprsent la gure 6. La transconductance gm
du transistor est donne par la relation suivante, value au point de repos Q (ID ; VGS ) :
gm =

IDSS
Vp

VGS
Vp

(5)

gm varie de 0:1 10mA=V . RDS est la rsistance de sortie du transistor mont en source
commune.
1
Dans toute la suite, on remplacera
Exemple : vGS
vgs , iB
ib

Pr. A. MAAOUNI

vXY par vxy et

iXY par ixy :

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Fig.5 : Symboles et caractristiques du JFET

Fig. 6 : Modle petits signaux du JFET

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Prparation

Transistor Bipolaire
On considre le montage amplicateur metteur commun (EC) de la gure 6 :

Fig. 6 : Montage Amplicateur EC


R1 = 10k ; R2 = 2; 2k ; RC = 820 , RE = 330 ; C1 = 10 F; C2 = 100 F , CE =
470 F , Ru = 1k , VCC = 20V:
Le schma reprsentatif de cet tage amplicateur en AC est celui dssin ci-aprs (Fig.
7) :

Fig.7 : Montage amplicateur EC en AC


Les capacits Ci;i=1;2 sont des capacits de couplage (ils servent pour lisolement des
tages amplicateurs de point de vue statique). CE est la capacit de dcouplage qui sert
liminer leet de la rsistance RE en rgime petits signaux. En statique, RE est utilise
pour la stabilit du point de fonctionnement vis vis des drives thermiques.
Note : On negligera leet de

dans la suite.

1. On suppose que = 100; VBEQ = 0:7V . Etablir le schma en statique de lamplicateur de la gure 6 et dterminer la valeur de ICQ . En dduire la valeur de
h11e .

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2. Dterminer les expressions des lments du montage amplicateur quivalent


ltage EC dans la bande passante2 (cf. g.8) (rsistance dentre Ri , rsistance
de sortie Ro , gain en tension vide Avo ) :

Fig.8 : Schma quivalent de lamplicateur


Dterminer lexpression du gain Av en tension avec charge Ru . En dduire lexpression du gain en courant Ai . Donner les valeurs numriques de ces grandeurs.
3. Etablir le schma en dynamqiue de lamplicateur de la gure 6 sans CE (CE dbranche) et dterminer son impdance dentre Ris , de sortie Ros , son gain en tension
Avs avec charge et son gain en courant Ais . Donner les valeurs numriques de ces
grandeurs. Conclure.

Transistor JFET
On considre le montage amplicateur un seul tage de la gure 9 :

Fig.9 : Amplicateur Source-commune


On suppose que le transistor est caractris par une tension de pincement Vp =
un courant IDSS = 18:5mA.

5:5V et

2
Dans la bande passante de lamplicateur, les capacits de couplage et de dcouplage sont des courtcircuits

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On donne :
R1 = 100k ; R2 = 200k ; RD = 2:2k ; RS = 10k ; C1 = 10 F; C2 = 10 F;
C3 = 100 F , VDD = 20V:
4. Etablir le schma en statique et dterminer le point de fonctionnement Q (VGSQ ;
VDSQ ; IDQ ).
5. Calculer la valeur de la transconductance gm du transistor et tablir le schma
petits signaux de lamplicateur (on ngligera leet de la rsistance rds entre drain
et source).
6. Dterminer lexpression de :
la rsistance dentre Ri = ve =ie
la rsistance de sortie Ro
gain en tension vide Avo
gain en tension Av (avec charge Ru )
gain en courant Ai
gain en puissance Ap = Ai Av
Donner ensuite les valeurs numriques correspondantes.

Manipulation

Amplicateur EC
Gain en tension, impdances dentre et de sortie
Raliser le montage suivant (cf. Fig.10) :

Fig.10 : Cicruit de polarisation de lampli-EC


1. Mesurer IBQ et ICQ et dduire

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et h11e .

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2. Raliser le montage de lampli-EC suivant :

Fig.11 : Amplicateur EC
R1 = 10k ; R2 = 2; 2k ; RC = 820 , RE = 330 ; C1 = 10 F; C2 = 100 F , CE =
470 F , Ru = 1k , VCC = 20V:
On xe la frquence f = 1kHz. Remplir le tableau suivant :

RC ( )
Av;exp =
Av;th

vs;cc
ve;cc

220
avec CE

sans CE

470
avec CE

sans CE

avec CE

820
sans CE avec CE et Ru

Pour RC = 820

ve;cc et vs;cc dsignent les tensions crte-crte lentre et la sortie de lamplicateur. On


visualisera ces signaux loscilloscope et on veillera ce que lamplicateur fonctionne
dans la zone linaire. Il peut tre ncessaire dintroduire un diviseur de tension (dun
rapport de 10%), si le niveau minimum du GBF est trop grand.
3. Quelles mthodes de mesures faut-il choisir pour mesurer les impdances de sortie
et dentre ? Quelles prcautions faut-il prendre ?
4. Mesurer les impdances dentre et de sortie de lamplicateur pour RC = 820
avec et sans CE .
Frquences de coupures
On prend CE = 470 F; C1 = 10 F .
5. Rappeler les mthodes de mesures des frquences de coupures ?
6. Par un relev de lvolution du gain en tension en fonction de la frquence, dterminer les frquences basse fcb et haute fch de lamplicateur. Dduire sa bande
passante.
7. Etablir lexpression thorique de la frquence basse de lamplicateur et comparer
sa valeur celle obtenue par mesure.
Pr. A. MAAOUNI

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4.1

Amplicateur Source commune

8. Raliser le montage de la gure 12a :

9. Faites varier la tension VDD entre 0V et 15V tout en mesurant la tension aux bornes
de la rsistance RD . Dduire la valeur de IDSS.
10. Raliser le montage de la g. 12b et mesurer la tension de pincement Vp .
11. Raliser la montage amplicateur source commune de la gure 13 :

Fig.13 : Amplicateur source commune

12. Mesurer laide du multimtre VGSQ ; IDQ (coordonnes du point de fonctionnement)


13. Calculer la valeur de la transconductance gm .
14. Remplir le tableau suivant :
Av;exp =

vs;cc
ve;cc

f = 1kHz
avec CS sans Cs avec Cs et RL = 1k

Comparer avec les rsultats thoriques. Conclure.

Pr. A. MAAOUNI

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vs;cc et ve;cc dsignent respectivement les tensions crte crte des signaux sur canal
1 et 2.
15. Mesurer les impdances dentre Ri et de sortie Ro de lamplicateur (Rsistance
Rs decouplee).
16. Dterminer les frquences de coupures haute fh et basse fb dans le cas o RL = 1,
avec/sans Cs .

4.2

Amplicateur drain commun

17. Raliser le montage de la gure 14 :

Fig.14 : Amplicateur drain commun


18. Relever laide du multimtre VGSQ et IDQ et en dduire la valeur de gm .
19. Remplir le tableau suivant :
Av;exp =

vs;cc
ve;cc

f = 1kHz
RL = 220
RL = 470

RL = 100

Comparer avec les rsultats thoriques. Conclure.


20. Mesurer les impdances dentre Ri et de sortie Ro de lamplicateur.
21. Dterminer les frquences de coupures haute fh et basse fb dans le cas o RL = 1.

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Laboratoire 4 :
Amplicateur raction

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Rappel de cours
1

Notion de raction

La raction consiste chantillonner le signal de sortie de lamplicateur par un rseau


appropri et rinjecter cet chantillon lentre vias une chane (ou rseau) de raction
(ou de retour). A lentre un sommateur (comparateur) ou mlangeur combine le signal
de raction avec le signal de source externe. La raction consiste donc faire tendre les
caractristiques dun amplicateur rel vers celles dun amplicateur idal.
La topologie dun amplicateur de base une boucle est reprsente la gure 15.

Fig.15 : Amplicateur raction


Le raccordement de raction la sortie dun amplicateur de base fournit un chantillon
de la tension de sortie (cf. g.16a) ou du courant de sortie(cf. g.16b) :

Fig.16 : a) chantillonneur de tension, b) chantillonneur de courant


La gure 17 reprsente les deux dispositifs trs communs de comparaison ou sommation
des signaux dentre et de raction. Le circuit de la gure 17a compare la tension vs et
le signal vf de raction. La gure 17b dcrit le raccordement shunt de comparaison du
courant is avec le courant if de raction.

Pr. A. MAAOUNI

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Fig.17 : Types de comparateurs lentre

Montages fondamentaux de circuits raction

Il existe quatre types damplicateurs de base, chacun approche les caractristiques dune
source idale dpendante. Comme il fallait sy attendre, il existe quatre topologies damplicateurs raction une boucle. La gure 18 donne la structure de chacune delles.

Fig.18 : Types damplicateurs raction une seule boucle

2.1

Amplicateur idal raction

Considrons la reprsentation de lamplicateur raction de la gure 19. Lamplicateur


de base de gain A est raccord selon lune des quatre topologies de raction (cf. g. 18).
Le signal dentre xs , le signal de sortie xo , le signal de raction xf et le signal direntiel
xi reprsentent chacun un courant ou une tension.

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Fig. 19 : Modle damplicateur idal raction


Le signal xi est le signal lentre de lamplicateur A. A est le gain de lamplicateur
sans raction ; il est souvent appel gain en boucle ouverte et reprsent par AOL . est la
transmission inverse de la chane de raction. Elle est souvent relle, mais, en gnral cest
une fonction de la frquence (A ne pas confondre avec le gain en courant en court-circuit
dun mmeteur commun).
On a :
xi = xs xf
xf = x o
xo = Axi
La combinaison des quations ci-dessus nous permet dcrire :
AF =

A
xo
=
xs
1+ A

Af est appel gain en boucle ferm. Si jAF j < jAj la raction est dite ngative ( contreraction).

2.2
2.2.1

Impdances des amplicateurs contre-raction


Rsistance dentre

La rinjection de tension en entre augmente limpdance dentre quelque soit le


raccordement en sortie
Dmo.

vi = vs
= vs
= vs
vi =
Pr. A. MAAOUNI

vf
xo
Avi

vs
1+ A

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La rsistance dentre vaut :


Rif =

vi
vs
= (1 + A) = Ri (1 + A) > Ri
I
I

La rinjection de courant en entre diminue limpdance dentre indpendamment


du raccordement en sortie
Dmo.

ii = is
= is
= is
ii =

if
xo
Aii

is
1+ A

La rsistance dentre Rif vaut :


Rif =
2.2.2

V
R i ii
Ri
=
=
is
is
1+ A

Rsistance de sortie

Le prlvement de tension en sortie dun amplicateur raction ngative diminue


la rsistance de sortie et ceci indpendamment du raccordement en entre.
Dmo.

vo;co
io;cc
est la tension de sortie en circuit ouvert et io;cc est le courant de sortie en courtRof =

vo;co
circuit.

vo;co = Axi = A(xs


io;cc =
Pr. A. MAAOUNI

Axi
Axs
=
;
Ro
Ro

vo;co ) ! vo;co =

Axs
1+ A

xi = xs (xf = 0; car vo = 0)

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La rsistance de sortie Rof vaut :


Axs
1+ A
Axs
R0

Rof =

Ro
< Ro
1+ A

Le prlvement de courant en sortie dun amplicateur raction ngative augmente


la rsistance de sortie et ceci indpendamment du raccordement en entre.
Dmo.

vo;co =

Axi Ro = Axs

io;cc =

Axi =

A(xs
Rof =

2.3

(xi = xs car io = 0)
xf ) = A(xs

( io;cc )) ! io;cc =

Axs
1+ A

vo;co
= Ro (1 + A) > Ro
io;cc

Avantages de la contre raction

Les avantages de la contre raction sont :


la stabilit du gain
lamlioration des impdances dentre et de sortie
la diminution de la distortion non linaire
llargissement de la bande passante

2.4

Rgles pour lidentication de lamplicateur sans raction

Lapplication des rgles ci-dessous donne la conguration de lamplicateur de base sans


raction mais tenant compte de leet des charges du rseau .
Dtermination du circuit dentre
a. Dans le cas dun raccordement shunt en sortie, annuler vo .
b. Dans le cas dun raccordement srie, annuler io .
Dtermination du circuit de sortie
c. Dans le cas dune comparaison de courant, annuler vi , autrement dit, court-circuiter
le noeud dentre de manire que rien du courant de raction nentre dans lentre
de lamplicateur.
d. Dans le cas de comparaison srie ( de tension), annuler ii ; autrement dit, ouvrir la
boucle dentre de manire que rien de la tension de raction natteigne lentre de
lamplicateur.
Pr. A. MAAOUNI

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Exercice prparatoire
On considre lamplicateur contre raction de la gure ci-dessous (g. 20).

Fig. 20 : Amplicateur raction


1. Identier la topologie de lamplicateur contre raction.
2. En appliquant les rgles ci-dessus, identier lamplicateur sans raction et tablir
son schma en dynamique.
3. Dterminer le gain AoL en boucle ouverte de lamplicateur.
4. Dterminer la rsistance de sortie Ro et la rsistance dentre Ri de lamplicateur
sans raction.
5. Dterminer la transmission de la chane de retour.
6. Dterminer les rsistances dentre Rif et de sortie Rof de lamplicateur raction.
On donne : Vp = 4:5; IDSS = 16mA; = 50 (Caractristique du transistor npn),
VBE = 0:7V . On suppose une temprature ambiante.

Manipulation
1. Raliser le montage de la gure 21 :

Fig. 21 : Amplicateurs en cascades


Pr. A. MAAOUNI

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2. Complter le tableau suivant :


RL = 1
vs;c c
RL = 1k
vs;c c

vo;c

vo;c

Av0 =

vo;c
vs;c

Av =

Ri

vo;c
vs;c

Ro

c
c

RL est une charge mettre en parallle avec Rf . Av0 est le gain vide et Av est le
gain de lamplicateur avec charge RL = 1k . vs;c c et vo;c c dsignent repectivement
la tension dentre crte-crte et la tension de sortie crte-crte.
3. On dsigne par vo1 la tension de sortie du premier tage amplicateur. Dterminer
le gain Av1 du premier tage et le gain Av2 du second tage pour RL = 1. (Il sagit
ici des gains en tension)
4. A partir de la relation entre les gains en tension Av0 et Av , dterminer la valeur de
la rsistance de sortie Ro ( comparer ce rsultat celui mesur en 2 ).
5. Dterminer les frquences de coupures haute (fh ) et basse (fb ).
6. Adopter les valeurs de Vp (tension de pincement), de IDSS , de obtenues pour les
laboratoires 2 et 3. Mesurer ICQ (courant collecteur), VGSQ , IDQ (courant drain)
puis en dduire h11e = r et gm .
7. Dterminer, partir du modle petits signaux de lamplicateur, les valeurs thoriques du gain en tension vide Av0 , de la rsistance dentre Ri et de la rsistance
de sortie Ro . Comparer vos rsultats ceux de la question 2.
8. Raliser le montage raction de la gure 22 :

Fig.22 : Amplicateur raction

Pr. A. MAAOUNI

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9. Mesurer VGSQ ; IDQ ; ICQ et en dduire les valeurs de gm et de r .


10. Complter le tableau suivant :
RL = 1
vs;c c
RL = 1k
vs;c c

vo;c

vo;c

Av0 =

vo;c
vs;c

Av =

Ri

vo;c
vs;c

Ro

c
c

Comparer ces rsultats ceux de la question 2. Conclure.


11. Dterminer les frquences de coupures haute (fh ) et basse (fb ) et comparer les
valeurs obtenues avec celles de la question 5 .

Pr. A. MAAOUNI

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