2.

Semicondutores
2.1 Introduo fsica de semicondutores
Semicondutores:

Grupo

de

materiais

apresentam

caractersticas

que

eltricas

intermedirias entre metais e isolantes.

Atualmente os semicondutores obedecem a
duas classes bsicas: orgnicas nas quais esto
inseridos os polmeros e inorgnicas mais
comumente utilizados atualmente.
Os materiais se arranjam na forma amorfa e
cristalina. Nossos estudos sero baseados em
materiais semicondutores inorgnicos e com
arranjo

cristalino

de

longo

alcance

(policristalinos e monocristalinos).
Mtodos

de

obteno

mais

comuns:

Czochralski, floating zone, MBE e CVDs.

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02_CE_2005

Bandas de energia
Metal no h Eg devido a superposio das bandas
Eg do Isolante > Semicondutor (intrseco)
Nvel de vcuo

Banda de conduo
(LUMO)

Eg
EF
Banda de valncia
(HOMO)

Eg: Energia da banda proibida (gap)

: Afinidade eletrnica
EF: Energia do nvel de Fermi

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02_CE_2005

 Diversas

so

as

aplicaes

dos

materiais

semicondutores intrsecos e dopados, utilizados

isoladamente ou construdos em junes ou ligas
com outros materiais.
Em aplicaes no campo da eletrnica podemos
destacar o uso destes materiais em dispositivos
eletroluminescentes,

fotovoltaicos,

retificadores,

reguladores, chaveadores, enfim, algumas das quais

sero base para nossos estudos.

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2.2 Semicondutor intrnseco

Ligao qumica covalente: Quatro eltrons em sua ltima
camada (valncia): tomos

se ligam compartilhando

eltrons se mantendo eletricamente isolantes

! Cristais como de carbono na forma do diamante, e
tetradricas de Si, SiC ou GaAs

so exemplos

de

semicondutores.

Figura 2. 1: Representao de uma rede de um cristal de Si

So considerados materiais intrsecos aqueles que apresentam baixssima

concentrao de dopantes (materiais diferentes na rede), < 1014 tomos/cm2 se

tratando do silcio obtido por mtodos de crescimento como Czochralski e
Floating Zone.

2.3 Semicondutor extrnseco

JRocha

Excede
e
e
02_CE_2005 livre

Figura 2. 2: Representao tipo N: Rede de Si (4 e-) e P(5 e-)

Figura 2. 3: Representao tipo P: Rede de Si (4 e-) e In(3 e-)

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02_CE_2005

Figura 2.4: Corrente eltrica - material N e no Material P

(independente da polaridade)

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02_CE_2005

Conduo

Conduo

EFn

Eg
P

Eg
EFp
Valncia

Semicondutor tipo P

Semicondutor tipo N

Figura 2. 5: Esquema de bandas material P e N antes do contato

Potencial de Fermi :
FN = - KT/q ln (ND/ni) e Fp = + KT/q ln (NA/ni)
Onde: K = 1,38x10-23 J/K, q=1,6x10-19C, ND, NA e ni a
concentrao de tipo N e tipo P e intrseca do material.
Exemplo: Si obtido por Cz (1014 cm-2) temperatura 300K (KT/q =
0,026), tem dopagem ND = 1017 cm-2.
Potencial de Fermi : FN = - 0,18 V.

2.4 Diodo Semicondutor: Juno PN

A
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02_CE_2005

K
7

Figura 2. 6: Smbolo, estrutura, aspecto fsico-qumico e comercial

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P - N
P

BC

EFp = EFn
BV

Figura 2. 7: Diagrama de energias aps contato no equilbrio trmico

Exemplo: Sabe-se que o potencial do material p e n so

respectivamente, 0,5 V e - 0,2 V.
Qual o valor da barreira de potencial (degrau) aps a juno trmica
destes materiais?

VD = V0 = P - N

>>

VD = 0,7 V

>>

VD = 0,0 V

Quanto teria em um diodo ideal?

>> Diodos comerciais de silcio (VD ~ 0,7 V)

Tipo
VR ou PRV (V) IF ou ID (A) IR ou II (mA)
1N4001
50
1
0,01
1N914
75
0,01
25E-6
1N4002
100
1N1185
125
10
4,6
MR504
400
3
BY127
800
> Testes prticos
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- Condio de juno PN: conduz no sentido direto e no

conduz no sentido inverso
- Curto circuito da juno: Conduz em ambos sentidos
- Juno aberta: No conduz em ambos sentidos

Obs.: Borne preto (+) e borne vermelho (-) na escala de

resistncia dos multmetros analgicos.

2.5 Polarizao direta/ inversa de junes PN

Idif

Ider

RS

Figura 2. 8: Corrente de difuso de cargas majoritrias (corrente

direta), e, corrente de deriva de cargas minoritrias (inversa)

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V
I

ID2
I

VR
VD

ID1
V

Figura 2. 9: Curva do dispositivo PN em funcionamento direto (VD) e

funcionamento inverso (VR) na terceira aproximao
Exemplo: Corrente direta do diodo (ID)? Sabe-se que: RB = 0,2 , VD
= 0,7 V, Vcc = 5 V e RS = 1 K.
R.: ID ~ IS >> ID ~ 4,3 mA
Ex2: Dada a curva caracterstica e traada a reta de carga obteve-se:
IS = 30 mA, VC = 3 V, VD = 0,8 V e ID = 10 mA.
I

IS
ID

Q
VD

VC
V

Figura 2. 10: Ponto de operao Q/ Potncia do dissipada (PD).

Qual o valor da resistncia de shunt e a potncia dissipada pelo diodo
do ex.2? RS = Is / Vc = 100
PD = VD ID = 80 mW

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2.6 Dispositivos baseados em uma juno PN

> Diodo Zener

Principais caractersticas temperatura ambiente:

- Tenso Zener inversa (VZ = IZ.RZ)
- Corrente Zener inversa (IZ)
- Potncia Zener (PZ)
- Coeficiente de temperatura [mV/oC]
- Tolerncia
- Faixa de trabalho: IZmm = 0,1Izmx e Izmx = Pzmax/VZ
Exemplos de diodos Zener:
Serigrafia
VZ (V) IZ (mA) PZ (W)
BZX79 C2V4
2,4
5
0,4
BZX79 C24
24
5
0,4
BZV88 C24
24
10
1,3
BZT03 C75
75
10
3,25
BZW03 C75
75
20
5

Tolerncia (%)
2 ou 5
2 ou 5
5
5
5

Aplicaes: Regulador de tenso; Grampeador...

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Figura 2. 11: Diodo Zener ideal

Figura 2. 12: Tenso de ruptura: Efeito Zener vs Efeito Avalanche

(Vz/T e Vz/Iz)
Exemplo: Zener de 5,1 V - 10 mV/oC com RS = 1K e Vcc = 10 V a
25C e 75oC. Temos: IS = 5,1 a 5,4 mA.
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> Dispositivo eletroluminescente (exemplo: LED)

Materiais de transio direta como GaP, GaAsP, GaAlAs, Alq3(VIS: 400-750

nm) e GaAs (IR: > 750nm). Emisso espontnea (Einstein) Ex.: EgMEH = 2,1 eV
(hc ~ 2E-25J.m). Ento: 592 nm.

EC
EG

hc/

EV mxima (I ),

Principais caractersticas: Corrente direta

FM
corrente nominal (IF), Tenso direta (VF) e tenso reversa
mxima (IR). IF = 20 mA e VF = 1,7 V. R ?
R = (Vcc - VF) / IF

>>

R = 65

Obs.: = 10 lm/W em GaAs

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