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mittels Nanoindenting
Bilel Jebali, Paul Huber, Yoonjoo Park
Einleitung
Steigende Anforderungen an die Rechenleistung heutiger Prozessoren erfordern unter anderem
eine kleinere Dimensionierung von Transistoren in integrierten Schaltungen. Typische Strukturgren betragen daher heutzutage nur noch wenige Nanometer. Doch der Umgang mit immer kleineren Strukturen bringt neue Probleme mit sich. Ein neuer Ansatz diese Probleme zu Umgehen
verspricht der Einsatz von Nanomagneten. Dabei ist es wichtig, die Position des Nukleationszentrums jedes Magneten zu kennen und zu kontrollieren.
Um das zu bewerkstelligen wurden in diesem Praktikum mit Hilfe der Methode des Nanoindentings
Artificial Nucleation Centers (ANCs) hergestellt, und deren Einfluss auf die Magnete
getestet und gemessen.
In einem AFM interagiert eine sich auf einem Cantilever befindliche Spitze mit der Probenoberflche,
wie in Abbildung 1 gezeigt. Der Cantilever ist auf einem beweglichen Kopf befestigt. Diese Art der Befestigung ermglicht es, den im Praktikum verwendeten sog. Tappingmode des AFM zu verwenden, in
dem der Cantilever in seiner Resonanzfrequenz zum
Schwingen angeregt wird. Um nun durch Rastern
ein genaues Hhenprofil der Probenoberflche zu
erstellen, wird ein Laserstrahl auf den Cantilever gerichtet. Der reflektierte Strahl trifft dabei auf eine
Photodiode. Bei der Interaktion der Spitze mit der
Probenoberflche wird der Cantilever leicht verbogen. Dies fhrt zu einer Auslenkung des reflektierten
Laserstrahls an der Photodiode und somit zu einer
nderung der Ausgangsspannung. Das so entstandene Spannungsprofil lsst sich nun ganz leicht
mittels eines Computers in ein Hhenprofil umrechnen.
Um nun einen Indent zu setzen, wird ein Punkt auf dem durch Rastern gescannten Bild ausgewhlt
und eine Schwellspannung festgelegt. Die Spitze wird daraufhin an dieser Stelle in die Probe gedrckt, was zur Folge hat, dass sich der Cantilever anfngt zu verbiegen. Erreicht die Ausgangsspannung an der Photodiode den Wert der Schwellspannung, ist der Indent gesetzt.
Versuchsdurchfhrung
Die Unterschiedliche Positionierung der ANCs hat ergeben, dass man mit Anordnung B die besten
Umschaltfelder erzeugen kann (siehe Abbildung 5, oben). Ebenso hat das Experiment gezeigt, dass
dieselbe Anordnung bei der Herstellung am besten kontrollierbar ist. Das Ergebnis des Indentings
mit unterschiedlichen Schwellspannungen wurde exemplarisch mit 2V und 3V, wie in Abbildung 5
unten zu sehen, getestet. Es gilt die Faustregel: Eine grere Schwellspannung bewirkt ein
besseres Umschaltfeld.
Abbildung 5: Verteilung der Umschaltfelder bei verschiedenen Anordnungen bei einer Schwellspannung von 3V (oben) und Verteilung der Umschaltfelder bei den Schwellspannungen 3V und 2V mit der
Anordnung B (unten)
Inverterstrukturen
Ein weiteres Ziel des Praktikums war es, die Technik des Indenten an einer praktischen Anwendung
zu testen. Zu diesem Zweck wurden die Ausgnge von Inverterstrukturen, wie auf Abbildung 6 zu
sehen ist, indentiert. Der untere Plot auf Abbildung 7 weist zum einen die erfolgreiche Indentierung
durch die verschmlerte Hysterese nach. Zum anderen kann man eine Verschiebung derselben um
ca. 3-5 mT nach links erkennen, was auf eine Beeinflussung durch den Invertereingang zurckzufhren ist und somit die korrekte Funktionsweise des Inverters nachweist.
Abbildung 6: AFM Scan einer Inverterstrukur vor (links) und nach (rechts) dem Indenting
Abbildung 7: Vergleich des Umschaltfeldes vor (oben) und nach (unten) dem Indenting. Die untere
Abbildung zeigt eine Verschiebung der Hysterese zur vertikalen Achse nach links um ca. 3-5 mT.