Electrnica de Potencia

Ti i t
Tiristores
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

Introduccin
Definicin: El tiristor (SCR
SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado
de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones
PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados Anodo
Anodo,
Ct d y Puerta
Ctodo
P
Puerta.
t El iinstante
t t d
de conmutacin,
t i puede
d ser controlado
t l d con ttoda
d
precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional,
conmutador casi ideal y rectificador.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

La caracterstica real V I del tiristor est representada

en la figura:

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

POR EJEMPLO SIENDO:

VDRM:
VDSM:
VDWM:
VRRM:
VRSM:
VRWM:
VD :
VR :

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

En la fabricacin se emplean tcnicas de difusin

y crecimiento epitaxial.
epitaxial El material bsico es el Si.
Estructura
y caracteristica VV-I
Conduccin

Bloqueo inverso
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

Bloqueo
q
directo
10

 2 I G + I CO1 + I CO2
IA =
1 (1 + 2 )

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

11

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

12

Caractersticas estticas:
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y
son los valores mximos que colocan al elemento en en lmite de
sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IR, Tj, IH.
Identifica estos parmetros en la hojas de caractersticas de los
SCR adjuntos

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

13

Caractersticas de control:
Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las
condiciones de disparo.
Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes
caractersticas: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT (VGD), IGT, IGNT (IGD)
VGNT (VGD)
(
) e IGNT ((IGD)) q
que dan los valores mximos de corriente y de tensin, p
para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de
dispararse de modo indeseado.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

14

Caractersticas de control

Construccin de la curva
caracterstica de puerta

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

15

Caractersticas de control
Dentro de esta zona encontramos una
parte en la cual el disparo resulta
inseguro Esta corriente mnima
disminuye al aumentar la temperatura:

09/05/07

PG(AV)
PGM

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

16

Observar las curvas y parmetros de puerta de las

hojas de caractersticas adjuntas( SKT10 de Semikron)

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

17

Angulo de Conduccin
La corriente y la tensin
media de un tiristor variarn
en funcin del instante en
el que se produzca el
disparo, es decir, todo va a
disparo
depender del ngulo de
conduccin
conduccin.
d
i
L
La
potencia
t
i
entregada y la potencia
consumida por el dispositivo,
tambin dependern de l:
cuanto mayor sea ste,
mayor
y p
potencia tendremos a
la salida del tiristor

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

18

El cto de la figura representa un control simple de potencia con

carga resistiva, calcular:
1.- Tensin de pico en la carga.
1
carga
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensin media en la carga.
4 - Corriente media en la carga.
4.carga
Datos: Ve (RMS) = 120V f = 50Hz

09/05/07

= 60 RL = 10

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

19

V p(carga) = V mx = V e(RMS)
I p(carga) =

I med

09/05/07

Vp(carga)
RL

2 = 169.7V

169.7
= 16.97V
10

169.7
Vmed =
(1 + cos60 ) = 40.5V
2
I
= mx (1 + cos ) = 4 . 051 A
2

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

20

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

21

Mtodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe
estar
t polarizada
l i d en directo
di
t y la
l seal
l de
d mando
d debe
d b permanecer un
tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un
valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir
que el SCR comience a conducir
conducir.
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin
deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del
estado de conduccin al estado de bloqueo directo.
Los distintos mtodos de disparo
p
de los tiristores son
son::
7.6.1.- Por puerta.
7.6.2.- Por mdulo de tensin. (V)
7.6.3.- Por g
gradiente de tensin ((dV/dt))
7.6.4.- Disparo por radiacin.
7.6.5.- Disparo por temperatura.
El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de
tensin son modos no deseados.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

22

Caractersticas de
conmutacin:
Los tiristores necesitan un
tiempo
para
pasar
de
bloqueo a conduccin y
viceversa
viceversa.
i
A.-

Tiempo de Encendido

(tON)
El tiempo de encendido (paso
de corte a conduccin)) tON, lo
dividimos en dos partes:
A1.- Tiempo de retardo.
retardo (ttd)
A2 Tiempo
A2.Ti
de
d subida.
subida
bid (ttr)

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

23

B.- Tiempo de Apagado (tOFF)

B
Es el tiempo de paso conduccin a corte

Dividimos el tiempo de apagado en dos:

B1.- T de recuperacin inversa.
inversa (ttrr).
puerta (ttgr).
B2.- T de recuperacin de puerta.

t
09/05/07

off

= t

rr

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

+ t

gr
24

Caractersticas de conmutacin:

Es aconsejable
E
j bl ttratar
t d
de iindentificar
d tifi
los parmetros de conmutacin en las
hojas de caractersticas

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

25

La extincin del tiristor se producir por dos motivos

motivos:: Por
reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente
de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.
nodo

Parmetros q
que influyen
y sobre toff:
9 Corriente en conduccin (IT).
9 Tensin inversa (VR).
9 Velocidad
V l id d d
de cada
d d
de lla corriente
i t d
de
nodo
d dI/dt
dI/dt.
9 Pendiente de tensin dVD/dt.
9 Temperatura de la unin Tj o del contenedor Tc.
9 Condiciones
C di i
d
de puerta.
t
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

26

Disparo por puerta:

Di
Disparo
por dc
d

Di
Disparo
por impulso
i
l
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

Di
Disparo
por puerta:
t
27

Disparo por gradiente de tensin:

Disparo indeseado

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

28

Li it i
Limitaciones
d l tiristor
del
ti i t
Las ms importantes son debidas a:
Frecuencia de funcionamiento.
Sobretensiones y pendiente de tensin (dV/dt).
Pendiente de intensidad (dI/dt).
(dI/dt)
Temperatura.
En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el
fabricante, se pueden utilizar ctos supresores de transitorios.
transitorios Se
conectan en bornes de la alimentacion, en p
paralelo con el
semiconductor o en paralelo con la carga.
Una solucin muy utilizada en la prctica es conectar en paralelo con
el tiristor un cto RC (Red
Red SNUBBER
SNUBBER), para evitar variaciones bruscas
de tensin en los extremos del semiconductor:
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

29

Li it i
Limitaciones
d l tiristor
del
ti i t

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

30

Li it i
Limitaciones
d l tiristor
del
ti i t : frecuencia
tiristor:
f
i

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

31

Ejemplo de calculo rpido red RC:

El SCR del cto de la figura puede soportar una dVAK/dt = 50V/s. La
descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A.
En el momento en que se cierra el interruptor S es conectada la fuente
de tensin VS al circuito.
Si en ese momento se aplica un impulso apropiado a la puerta del
elemento, calcular:
1) Valor
V l del
d l condensador
d
d de
d la
l red
d de
d proteccin.
t
i
2) Valor de la resistencia de proteccin.
Datos: dV/dt = 50V/s; R = 20; Imx = 3A
I C (0) =

VS mx 311V
=
= 15.55A
RL
20

dV
dt
311V
R =
3A

IC = C

09/05/07

C =

15.55A
= 0 . 311 F
50 V / s

= 103.6
103 6 = 100
M. Sc. Ing. B. SENZ L.

32

MTODOS PARA EL CLCULO DE

LOS ELEMENTOS DE
PROTECCIN::
PROTECCIN
A.- Mtodo de la constante de tiempo (ms utilizado).
B.- Mtodo resonante.
resonante

A - Mtodo de la constante de tiempo

A.
Con ste mtodo tratamos de buscar el valor mnimo de la constante de
tiempo () de la dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos en la figura:
=

0.63 VDRM
dV
dt
min

C=

R =

V Amx
(I TSM I L ) K

K= F de seguridad. (0.4 ... 0.1)

RL

La misin de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la

descarga instantnea del condensador al inicio de la conduccin.
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

R min =

VAmx
dI
C
dt
33

Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt)

Una variacin rpida de la intensidad puede dar lugar a una
destruccin del tiristor.(creacin
tiristor
de puntos calientes)

Un procedimiento posible es aadir una inductancia L para conseguir que la

pendiente de la intensidad (dI/dt) no sobrepase el valor especificado en las
caractersticas del estado de conmutacin
conmutacin.

V
IA = 1e
R

Rt

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

L =

V
dI A
dt

mx

34

Supongamos
g
que el tiristor est
colocado segn la figura. Calcular
aplicando el mtodo de la cte de tiempo
el cto de proteccin contra dV/dt y
dI/dt.
Datos: VRMS = 208V; IL = 58A;

R = 5;

VDRM = 500V;
ITSM = 250A;dI/dt =
SCR:
13.5 A/s;
dV/dt = 50V/s

=
VAmx
VAmx
R min =
= 4.15
= 3.83
RS =
dI
C

(ITSM I L ) K
dt

V
L = Amx = 21.7 H
ddI
dt
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

= 208

V Amx

2 = 294V

0.63 VDRM
= 6.3s
dV

dt
min

C=

= 1.26F

35

El fusible debe de conducir la

corriente nominal del dispositivo

sobreintensidades

La energa permitida para el

fusible i2t < i2t dispositivo

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

36

Limitaciones de la temperatura
Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la
potencia media disipada en un tiristor ser:
P AV =

T
1
V AK I A dt
T 0

Potencia

de puerta.

Podemos decir que las prdidas con una tensin de

alimentacin dada y una carga fija,
fija aumentan con el
ngulo de conduccin ().
Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia
media de perdidas ser:

AV

VAK = V0 + I A R

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

1
T

t
t

AK

dt

PAV = V0 IA(AV) + R (IA(RMS))

37

a=f =

I A(RMS)
I A(AV)

Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms

importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada
tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms
desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms
apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento
semiconductor al medio ambiente.
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

38

Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6C/W y con Rcd = 0.2C/W, alimenta
a una carga
g resistiva de 10 a partir de una seal alterna de
220VRMS. Si la conduccin del SCR es completa ( = 0). Calcular
el disipador para una temperatura ambiente de 40C utilizando la
grfica representada en la figura.

ITAV =
09/05/07

220 2
(1 + cos ) = 10A
2 R
M. Sc. Ing. B. SENZ L.

39

E ti i del
Extincin
d l tiristor
ti i t . Tipos
tiristor.
Ti
d conmutacin
de
conmutacin.
t i .
Entenderemos por extincin
extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos
g
al tiristor que
estaba en conduccin a pasar a corte
corte. En el momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.
Conmutacin Natural

intensidad por el tiristor

se anula p
por si misma

-a.-) Libre
-b.-) Asistida
Conmutacin Forzada
-a.-)
a ) Por contacto mecnico
-b.-) Por cto resonante
-Serie
-Paralelo

Secuencia lgica de la
fuente p
primaria

-c.-) Por carga de condensador

-d.-) Por tiristor auxiliar
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

40

Conmutacin forzada.
forzada.
Para provocar la conmutacin del tiristor,
tiristor ser necesario anular la
corriente andica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda
pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duracin es inferior a un valor determinado por toffff (valor intrnseco
al tiristor utilizado) no tendr lugar la conmutacin del dispositivo.

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

41

Sea el circuito de la figura. Para un tiempo de apagado del tiristor de toff

= 15s, determinar si se podr producir la conmutacin ptima del
mismo para el valor de capacidad adoptado.
adoptado
Datos: E = 100V; R0 = 5; C = 5F
R tC
VC (t ) = A + B e 0
; VC (0) = A + B

R tC
VC () = A ; VC (t ) = VC () + (VC (0) VC () ) e 0

R tqC
VC (t ) = -E + (E + E ) e 0

tq
0 = E + 2E e R 0 C

t q = 0.693 R

t q = 0.693 R 0 C = 0.693 5 5 10 -6 = 17 .33 s > toff

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

42

Fundamento de conmutacin por cto resonante

f =

1
2 LC

di 1
L + idt + v C (t = 0) = 0
dt C

i(t) = + VC

C
senwt
L

v C (t)
( ) = + VC coswt
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

43

C
Conmutacin
t i por carga de
d condensador
d
d
La extincin del tiristor se consigue con el circuito de
l figura
la
fi
figura:

En el cto anterior podemos distinguir 2 partes: cto de potencia constituido

por la fuente E, el tiristor T1 y la carga RO (resistiva pura); y el cto auxiliar
de bloqueo formado
f
por R, C y un tiristor auxiliar T2.
El cto puede se comparado con un biestable asimtrico de potencia,
potencia en el
que los tiristores conducen de forma alternada.
09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

44

TRIAC GTO ZTO FOTOTIRISTORE

FOTOTIRISTORES
S SITH ASCR MCT

TRIAC

09/05/07

Dispositivo de tres terminales con capacidad de

controlar el paso de corriente en ambas direcciones
(di
(dispositivo
di
dispositivo
iti bidi
bidireccional
bidireccional),
i
l muy utilizado
l)
tili d en lla
regulacin de corriente alterna.

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

45

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

46

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

47

GTO (Gate
(Gate - Turn - Off)
Dispositivo
p
semiconductor de p
potencia q
que combina caractersticas de un
tiristor convencional con las de un transistor bipolar, presentando la ventaja
de poder pasar de conduccin a bloqueo mediante la aplicacin de un
impulso negativo a la puerta
Es equivalente a una resistencia la cual es
p de bloquear
q
voltaje.
j Para continua
incapaz
el dispositivo no presenta ningn
problema, no obstante, si queremos
bloquear cualquier voltaje inverso,
deberemos conectar en serie con el GTO
un diodo. Si deseamos que pase la
corriente, deberemos conectar un diodo en
antiparalelo
i
l l con ell di
dispositivo.
ii

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

48

09/05/07

M. Sc. Ing. B. SENZ L.

49