Ep Introduccion

PRIMERA UNIDAD:
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
COMPETENCIA
Comprende, analiza y aplica los conceptos, principios y datos tcnicos del
fabricante de dispositivos semiconductores de potencia y hace uso de los
procedimientos de las ciencias y la tecnologa para simular y obtener
valores mediante programas de aplicacin especfica .
CAPTULO 1
INTRODUCCIN
1.1
LA ELECTRNICA DE POTENCIA
En el algol cotidiano, se puede decir que la gente no usa electricidad, pero, en

cambio usan la comunicacin, luz, trabajos mecnicos, entretenimiento y todos los
otros beneficios tangibles de la energa y la electrnica. El campo de la Electrnica
de Potencia est referido al procesamiento de la energa elctrica de potencia
usando dispositivos electrnicos. Siendo el elemento fundamental la conversin por
conmutacin, tal como se ilustra en la figura 1,1.
La electrnica de potencia es la disciplina encargada de estudiar los dispositivos y
circuitos electrnicos usados en la conmutacin de potencia y que permiten controlar
el flujo de energa elctrica.
Es decir, en la industria moderna se requieren de los sistemas electrnicos de
potencia para realizar la conversin de la energa elctrica de un tipo en otro
mediante el uso de los dispositivos electrnicos de potencia y, por otra parte, se
requieren los sistemas electrnicos de potencia para controlar los procesos
industriales. Los sistemas electrnicos de potencia presentan una estructura bsica
formada por tres bloques: el circuito de potencia, el circuito de disparo y bloqueo y el
circuito de control, es decir, en la electrnica de potencia se combinan la potencia, la
electrnica y el control. El rpido desarrollo de los microprocesadores y la tecnologa
de los microcomputadores tienen un gran efecto sobre el control y la sintetizacin de
la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia.
La historia moderna de la Electrnica de Potencia se inicia con la introduccin del
tiristor en los fines de 1950. Ahora existen diferentes tipos de dispositivos de
UNCP- FIEE B. Senz L.
potencia disponibles para aplicaciones en alta potencia y alta frecuencia. Los ms

notables son los tiristores de apagado por compuerta, los transistores darlington de
potencia, Mosfets de potencia, transistores bipolares de compuerta aislada, entre
otros. Fundamentalmente, los dispositivos de potencia son usados como
conmutadores para convertir potencia de una forma a otra.
Figura 1.1: Diagrama de bloques del sistema de la Electrnica de Potencia (Mohan2004,

Erickson2004 y Aguilar2007).
Entre tantas aplicaciones de la electrnica de potencia se encuentran los controles

de temperatura, de iluminacin, de motores, fuente de poder, calentamiento por
induccin, sistemas de impulsin de vehculos y sistema de corriente directa en alto
voltaje entre otros tantos.
1.2
EVOLUCIN TECNOLGICA DE
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
LOS
DISPOSITIVOS
Durante la dcada de 1970, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por
Puerta (GTOs); y los Transistores Bipolares (BJTs) constituan los dispositivos de
potencia primordiales, mientras que los Transistores MOSFETs eran todava
demasiado recientes para participar en las aplicaciones de potencia. Los SCRs y los
BJTs de entonces slo podan conmutar a frecuencias entre 1 y 2KHz.
Durante la dcada de 1980 se tuvieron avances de consideracin, tales como
reduccin de la resistencia en conmutacin de los transistores MOSFETs, aumento
de la tensin y la corriente permitida en los GTOs, desarrollo de los IGBTs, as como
el incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus
aplicaciones.
Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya que poseen una mayor velocidad de
conmutacin, un rea de operacin segura ms grande y un funcionamiento ms
sencillo, en aplicaciones de reguladores de alta frecuencia y precisin para el control
de motores.
Figura 1.2: Diagrama de bloques de la evolucin histrica de dispositivos semiconductores.
Los GTOs son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia, debido
a las mejoras en los procesos de diseo y fabricacin que reducen su tamao y
mejoran su eficiencia. Aparecen los IGBTs, elementos formados por dispositivos

Bipolares y dispositivos MOS, estos dispositivos se ajustan mucho mejor a los altos
voltajes y a las grandes corrientes que los MOSFETs y son capaces de conmutar a
velocidades ms altas que los BJTs.
Los IGBTs pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo cual,
facilita la reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el control de convertidores de
potencia. Mediados los aos ochenta aparecen los dispositivos MCT que estn
constituidos por la unin de SCRs y MOSFETs.
En la dcada de 1990 los SCRs van quedando relegados a un segundo plano,
siendo sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutacin en
dispositivos MOSFETs e IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente
reemplazados por los dispositivos de potencia anteriores. Los C.I. (circuitos
integrados) de potencia tienen una gran influencia en varias reas de la electrnica
de potencia.
Para concluir, decir que tecnolgicamente se tiende a fabricar dispositivos con
mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para bloquear elevadas
tensiones, permitir el paso de grandes corrientes y por ltimo, que tengan cada vez,
un control ms sencillo y econmico en consumo de potencia.
Figura 1.3: Caractersticas frecuencia potencia conseguidas, durante 1990, para los
distintos tipos de semiconductores de potencia.
En la figura 1,3 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos

semiconductores, en cuanto a potencia controlada y frecuencias de conmutacin.
Dispositivos que pueden controlar elevadas potencias, como el Tiristor (104 KVA)
estn muy limitados por la frecuencia de conmutacin (orden de KHz), en el lado
opuesto los MOSFETs pueden conmutar incluso a frecuencias de hasta 103 KHz
pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en la franja intermedia se encuentran
los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs permiten una mayor frecuencia de
conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control de potencias de unos 2000 KVA, por
ltimo los IGBTs parecen ser los mas ideales para aplicaciones que requieran tanto
potencias como frecuencias intermedias.
Potencia
(VA)
Frecuencia de operacin (Hz)

Figura 1.4: Aplicaciones de los dispositivos de potencia (Rashid2004).
Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la

incesante evolucin desde la aparicin de los semiconductores, siempre buscando el
estado ideal; poder controlar la mxima cantidad de potencia, pudiendo hacer que
los dispositivos conmuten a la mas alta frecuencia con el consiguiente beneficio en
rapidez y en eliminacin de ruidos pues interesa conmutar a velocidades superiores
a la frecuencia audible (20 kHz)
En la figura 1,4 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los

distintos semiconductores, a lo largo de su historia, as como las cotas de potencia y
frecuencias de conmutacin alcanzadas y su previsible evolucin futura, Destacar la
utilizacin de SCRs en centrales de alta potencia; los GTOs para trenes elctricos;
mdulos de Transistores, mdulos de MOSFETS, IGBTs y GTOs para sistemas de
alimentacin ininterrumpida, control de motores, robtica (frecuencias y potencias
medias, altas); MOSFETs para automocin, fuentes conmutadas, reproductores de
video y hornos microondas (bajas potencias y frecuencias medias); y por ltimo
mdulos de Transistores para electrodomsticos y aire acondicionado (potencias
bajas y frecuencias medias).
1.3
ELEMENTOS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Una de las cosas que hacen que el campo de la Electrnica de Potencia sea
interesante es que incorpora conceptos de un conjunto de temas y reas diversas,
los que incluyen:
Circuitos anlogos
Dispositivos electrnicos
Control de sistemas
Magnetismo
Mquinas elctricas
Simulaciones numricas
Por tanto, la prctica de la Electrnica de Potencia requiere de un amplio

conocimiento de la ingeniera elctrica, adems, existen conceptos
fundamentales que son nicos para el campo de la electrnica de potencia
y requieren un estudio especializado. Por ejemplo, la presencia de
conmutaciones de alta frecuencia hace que las conversiones por
conmutacin no sean directas.
Figura 1.2: Aplicaciones de la electrnica de potencia.
1.4
CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS ELECTRNICOS DE

POTENCIA
Los sistemas electrnicos de potencia se clasifican segn el tipo de conversin de

energa elctrica que realizan, porque su objetivo consiste en adaptar los requisitos
de tensin y corriente de la carga al generador. Se tienen los siguientes tipos de
convertidores:
1. Rectificadores de diodo (convierte seal ca a cd y puede ser monofsico o
trifsico.),
2. convertidores de ca-cd (convertidores controlados y pueden ser monofsicos o

trifsicos. Control de voltaje dc y corriente ac),
3. convertidores de ca-ca (cicloconversin: cambian y controlan magnitudes de
tensin y frecuencia),
4. convertidores de cd-cd (convertidores de cd recortador de pico o regulador de
conmutacin; cambian o controlan magnitudes de voltaje),
5. convertidor de cd-ca (inversores: producen una seal sinusoidal de magnitud y
frecuencia controlables) e
6. interruptores o contactores estticos de ca o cd..
1.5
DISEO DE EQUIPOS ELECTRNICOS DE POTENCIA
En el diseo de los equipos de conversin de potencia se requieren de varias

disciplinas de la ingeniera elctrica. Las aplicaciones de la electrnica de potencia
estn orientadas a la teora de circuitos, teora de control, electrnica,
electromagnetismo, microprocesadores para control y sistemas de transferencia de
calor. Es importante la eleccin de un dispositivos semiconductor de potencia
comercialmente existente para una determinada aplicacin y que no solo depender
de los niveles de tensin y corriente necesarios, sino tambin de sus caractersticas
de conmutacin.
Figura 1.10: Clasificacin de los convertidores estticos segn la energa que los alimenta.
En tal sentido, los transistores y los GTO proporcionan control de activacin y

desactivacin, los SCR proporcionan el control de activacin pero no de
desactivacin, y los diodos no ofrecen ninguno de los dos. Los factores ms
importantes de los circuitos electrnicos de potencia son las velocidades de

conmutacin y las prdidas de potencia asociadas.
Figura 1.11: Dispositivos disponibles para el diseo de circuitos electrnicos de potencia.
Se puede clasificar en 4 partes:

a)
b)
c)
d)
Diseo de los circuitos de potencia,

Proteccin de los dispositivos de potencia
Determinacin de la estrategia de control y
Diseo de los circuitos lgicos y de compuerta.
1.6
REQUISITOS DEL DISPOSITIVO ELECTRNICO
Un dispositivo electrnico bsico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia (idealmente

infinita), que caracteriza el estado de bloqueo y otro de baja impedancia
(idealmente cero) que caracteriza el estado de conduccin.
Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeas cadas de tensin en

estado de conduccin y grandes tensiones con pequeas corrientes de fugas
cuando se encuentra en estado de alta impedancia o de bloqueo.
Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca

disipacin de potencia.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad para

poder trabajar a frecuencias considerables.
De los dispositivos electrnicos que cumplen los requisitos anteriores, los ms

importantes son el Transistor de Potencia y el Tiristor. Estos dispositivos tienen dos
electrodos principales y un tercer electrodo de control.
Muchos circuitos de potencia pueden ser diseados con transistores, siendo
intercambiables entre s en lo que se refiere al circuito de potencia exclusivamente y
siendo diferentes los circuitos de control segn se empleen Transistores o Tiristores.
1.6.1 Componentes de base en la electrnica de potencia.

Los componentes semiconductores de potencia que vamos a caracterizar se pueden
clasificar en tres grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad:
Diodos: Estado de ON y OFF controlables por el circuito de potencia.
Tiristores: Fijados a ON por una seal de control pero deben conmutar a OFF
mediante el circuito de potencia.
Conmutadores Controlables: Conmutados a ON y a OFF mediante seales de
control.(BJT, MOSFET, GTO, IGBT's).
1.7
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Desde los finales de la dcada del 50 en que se desarroll el tiristor, ha habido

desarrollos importantes. Hasta 1970, los tiristores se usaban para el control industrial
de potencia. Desde entonces se han desarrollado varios tipos de dispositivos
semiconductores de potencia que se emplean en la industria moderna. Los
semiconductores de potencia se fabrican tpicamente de silicio, aunque en la
actualidad se vienen desarrollando la fbrica de dispositivos de carburo de silicio.
Estos dispositivos se pueden clasificar en forma general en tres clases:
1) Diodos de potencia,
2) Transistores y
3) Tiristores.
Dentro de los dispositivos electrnicos de potencia, tambin podemos citar a los
derivados de los ya mencionados, tales como los triacs, diacs, conmutador unilateral
o SUS, transistor uni-unin o UJT y el transistor uni-unin programable o PUT.
Figura 1.3: Dispositivos semiconductores de potencia
10
Figura 1.4: algunos tipos de diodos de potencia.
Los diodos de potencia son de tres tipos y son: de propsito general, de alta
velocidad y diodos Schottky. Los diodos de propsito general existen en el mercado
hasta para 6000 V y 4500 A. Los diodos de alta velocidad existen de hasta 6000 V y
1100 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0,1 y 5 s. Los diodos de alta
velocidad son importantes para una conmutacin de alta frecuencia de los
convertidores de potencia. Los diodos de Schottky tienen bajo voltaje de estado
activo o de conduccin y un tiempo de recuperacin muy pequeo y del orden de
nanosegundos. La corriente de fuga aumenta al subir la capacidad de voltaje y
dichas capacidades estn limitadas a 100 V y 300 A. En un diodo de potencia la
cada de voltaje directo vara entre 0,5 y 1,2 V. En la figura 1.3 y 1.4 se muestran
algunos tipos de diodos de propsito general.
La clasificacin moderna de los semiconductores de potencia es la que se muestra
en la figura 1.5.
Semiconductores
de potencia
SILICIO
Diodos
Diodo de
Schottky
Diodo
Epitaxial
PIN
Transistores
Diodo de
unin bipolar
NPN
PNP
MOSFET
Diodo de
doble difuSin (PIN)
Ampliacin
de canal N
CARBURO DE SILICIO
Tiristores
Diodos
Tiristores para
control de fase
Diodo de
Schottky
Tiristor rpido
Diodo IBS
Transistores
MOSFET
Simtrica
Diodo PIN
Asimtrica
Inversa
Conduccin
11
Convencional
S-FET
Cool-MOS
Ampliacin
de canal P
Baja
VC(sat)
NPT
Conven
cional
Simtrica
Asimtrica
Inversa
Conduccin
IGCT
IGBT
PT
GTO
Asimtrica
Inversa
Conduccin
IGBT de
de zanja
Alta
velocidad
MCT
Tipo P
Tipo N
MTO
LEYENDA:
Dispositivos de poca importancia en el mercado.
Figura 1.5: Clasificacin de semiconductores de potencia (Rashid2004).
Un tiristor es un dispositivo de tres terminales y que al hacer pasar una pequea

corriente a travs de la compuerta, el tiristor conduce siempre en cuando el terminal
del nodo tenga mayor potencial que el ctodo. Se clasifican en once tipos:
Figura 1.6: Otros tipos de diodos y diversas configuraciones de tiristores (Rashid2004).
1) Tiristor conmutado forzado,

2) Tiristor conmutado por lnea,
3) Tiristor de abertura de compuerta (GTO: gate-turn-off thyristor). Es un tiristor de
autoabertura y se activa o desbloquea mediante un pulso corto positivo o
negativo en la compuerta. Se tienen en el mercado hasta de 6000 V y 6000 A;
12
4) Tiristor de conduccin inversa (RCT: reverse-conducting thyristor). Se usa en

conmutacin de alta velocidad, sobre todo en aplicacin de traccin. Es un
tiristor con un diodo inverso en paralelo y estn disponibles hasta para 4000 V y
2000 A y 800 A en conduccin inversa, con un tiempo de conmutacin de 40 s.
5) Tiristor de induccin esttica (SITH: static induction thyristor). Es equivalente a
los GTO, cuya capacidad puede alcanzar 1200 V y 300, se espera se apliquen
en convertidores de potencia intermedia y a frecuencias de varios cientos de
Khz.
6) Tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT: gate-assisted turn-off thyristor).
Es equivalente a un RCT y se puede hallar disponible hasta para1200 V y 400 A
con velocidad de conmutacin de 8 s.
7) Rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR: light-activated siliconcontrolled rectifier).
8) Tiristor abierto por MOS (MTO: MOS turn-off). Es una combinacin del GTO y
MOSFET y supera la capacidad de abertura del GTO. Su estructura es parecida
a la del GTO. Se disponen hasta para 10 KV y 4000 A. Su uso vara entre 1 y 20
MVA.
9) Tiristor abierto por emisor (ETO: emitter turn-off). Es un hbrido de MOS y GTO.
Se tienen hasta para 6000 V y 4000 A.
10) Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT: integrated gate-commutated
thyristor). En este dispositivo se integra un tiristor conmutado por compuerta
(GCT) con un activador de compuerta de tarjeta de circuito impreso. Un GCT es
un GTO con conmutacin permanente. El IGCT se enciende aplicando a su
compuerta la corriente de cerrado y se apaga por medio de una tarjeta de
circuito activador de compuerta.
11) Tiristor controlado por MOS (MCT: MOS-controlled thyristor). Se puede activar
mediante un pulso pequeo de voltaje negativo a la compuerta MOS (con
respecto a su nodo), y se puede desactivar con un pequeo pulso de voltaje
positivo. Es como un GTO, excepto por la ganancia de abertura que es muy alta.
Se disponen hasta para 4500 V y 250 A.
Los transistores de potencia se clasifican en 4 tipos:
a)
transistores de unin bipolar (BJT: Bipolar junction transistors): se emplean en
convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 Khz y se tienen de
hasta 1200 V y 400 A.
13
Figura 1.8: Intervalos de potencia de los semiconductores comerciales (Rashid2004).
b)
transistores de efecto de campo de xido de metal semiconductor (MOSFET:

Metal oxide semiconductor field_effect transistors): se emplean en
convertidores de potencia y se disponen para bajas potencias de 1000 V y 100
A en el orden de decenas de Khz. El COOLMOS es una nueva tecnologa para
MOSFET de potencia con alto voltaje, tiene menor resistencia en estado
cerrado y maneja dos o tres veces ms potencia de salida que el MOSFET.
c)
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT: insulated-gate bipolar

transistors): son transistores de potencia de voltaje controlado. Son mas
rpidos que los BJT y menos rpidos que los MOSFET, pero ofrecen
caractersticas de activacin y salida muy superiores que los BJT. Son
recomendados para alto voltaje, gran corriente y frecuencias de hasta 20 Khz y
se disponen hasta para 1700 V y 2400 A.
d)
transistores de induccin esttica (SIT: static induction trnasistors): Es de alta

potencia y alta frecuencia. Se disponen para 1200 V y 300 A y una velocidad
de conmutacin de hasta 100 Khz.
1.8
CARACTERSTICAS DE LOS INTERRUPTORES
14
Existen muchos conmutadores de potencia y varan segn la tecnologa actual de

los dispositivos semiconductores. Cada uno de ellos tiene sus propias ventajas y
desventajas y por tanto son adecuados para aplicaciones especficas. Como poltica
de motivacin en el desarrollo de todo dispositivo nuevo es lograr las caractersticas
de un dispositivo ideal (segn Rashid [1] Superdispositivo); por tanto, se deben
comparar y evaluar las caractersticas de cualquier dispositivo real con referencia a
las caractersticas ideales. Las caractersticas prcticas son suministradas por los
fabricantes mediante las hojas de datos que describen los parmetros y las
capacidades de cada uno de ellos. Los parmetros ms importantes son:
1)
capacidades de voltaje,
2)
capacidades de corriente,
3)
velocidad o frecuencia de interrupcin,
4)
capacidad de di/dt (amortiguador en serie),
5)
capacidad de dv/dt (amortiguador shunt o circuito RC),
6)
prdidas por conmutacin,
7)
requisitos de activacin de compuerta,
8)
rea de operacin segura (SOA),
9)
I2t para proteccin con fusible,
10)
Temperaturas y
11)
Resistencia trmica.
1.9
SELECCIN DE LOS INTERRUPTORES
La seleccin de un dispositivo de potencia para una aplicacin especfica no slo

depende de sus caractersticas de tensin y corriente, sino tambin de sus
caractersticas de conmutacin. As se tienen que, los transistores y los GTO
permiten el control de activacin y desactivacin, los SCR proporcionan el control de
activacin pero no de desactivacin, y los diodos no proporcionan ninguno de los
dos. Las velocidades de conmutacin y prdidas de potencia son parmetros
importantes en los circuitos electrnicos de potencia. El transistor BJT es un
dispositivo de portadores minoritarios, mientras que el MOSFET es un dispositivo de
portadores mayoritarios que no sufre retrasos de almacenamiento de portadores
minoritarios, por lo que el MOSFET es ventajoso en cuanto a velocidad de
conmutacin.
15
Tabla 1.1: Capacidades de los dispositivos semiconductores de potencia (Rashid2004).
16
Tabla 1.2: Caractersticas y smbolos de algunos dispositivos de potencia (Rashid2004).

17
Figura 1.9: Caractersticas de control de los dispositivos de conmutacin de potencia

(Rashid2004).
18
1.10
MDULOS INTELIGENTES
Los dispositivos de potencia se hallan disponibles como unidades aisladas o como

mdulos. Los mdulos son ms ventajosos debido a que presentan menos prdidas
en estado cerrado, buenas caractersticas de conmutacin de alto voltaje y corriente,
y mayor velocidad que la de los dispositivos convencionales.
1.11 SIMULACIONES EN ELECTRNICA DE POTENCIA

Los simuladores usados son fundamentalmente el SPICE, MATLAB y SPIM en sus
versiones de estudiante y si fuera posible es mejor en las versiones profesionales.
El proceso de simulacin puede consistir en varios niveles de modelado de
dispositivos y componentes, dependiendo del objetivo de la misma. Tpicamente se
usan modelos de componentes ideales, por lo que los resultados son
aproximaciones de primer orden, en forma parecida al obtenido mediante el proceso
analtico.
Figura 1.5: Diagrama de bloques de un sistema inteligente de potencia (Rashid2004).
19
Bibliografa
[Erickson04] R. W. Erickson & Dragan Maksimovic. FUNDAMENTALS OF
POWER ELECTRONICS. 2da. Edicin. University of Colorado,
Boulder. 2004.
[Hart01]
Daniel W. Hart. ELECTRNICA DE POTENCIA. Prentice Hall. 2001.
[Mohan03]
N. Mohan, T.M. Undeland and W. P. Robins. POWER ELECTRONICS (Converters, Applications & Design). 3ra. Edicin. Editorial
Wiley, 2003.
[Rashid04]
Muhammad H. Rashid. ELECTRNICA DE POTENCIA. Circuitos,

Dispositivos y Aplicaciones. 3ra. Edicin, editorial Prentice Hall.
2004.
20
CAPTULO 2
CLCULOS DE POTENCIA
2.1
CONCEPTOS BSICOS
Los clculos de potencia son necesarios para el anlisis y diseo de los circuitos
electrnicos de potencia. Se tiene especial atencin a los clculos de potencia en
circuitos con corrientes y tensiones peridicas no sinusoidales.
a)
Potencia instantnea
La potencia instantnea de cualquier dispositivo se calcula a partir de la tensin en

bornes del mismo y de la corriente que le atraviesa.
p (t ) v .i
(t )
(2,1)
(t )
La relacin es vlida para cualquier dispositivo o circuito. La potencia instantnea es

una magnitud que vara con el tiempo. El dispositivo absorbe potencia si P(t) es
positivo en un valor determinado de t y entrega potencia si P(t) es negativa.
b)
Energa
La energa o trabajo se define como la integral de la potencia instantnea.
W 12 p (t ) d (t )
(2,2)
Si v(t) est expresada en voltios e i(t) en amperios, la potencia se expresar en
vatios y la energa en julios.
c)
Potencia media
Las funciones de tensin y corriente peridicas producen una funcin de potencia

instantnea peridica. La potencia media es el promedio a lo largo del tiempo de p(t)
durante uno o ms periodos. Algunas veces tambin se denomina potencia activa o
potencia real.
1
T
T
0
p (t ) d (t )
1
T
T
0 v (t ).i (t ) d (t )
(2,3)
Donde T es el periodo de la forma de onda de potencia.
2.1.1 BOBINAS Y CONDENSADORES

Las bobinas y condensadores tienen las siguientes caractersticas para tensiones y
corrientes peridicas:
21
a) Bobina
En una bobina, la energa almacenada es:
Si la corriente de la bobina es peridica, la energa acumulada al final de un periodo

es igual a la energa que tena al principio. Si no existe transferencia de potencia
neta, se tendr que la potencia absorbida por una bobina es cero para
funcionamiento peridico en rgimen permanente. Es decir:
La potencia instantnea no tiene por qu ser cero. A partir de la relacin de tensincorriente de la bobina:
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:
Multiplicando por L/T y sabiendo que i(t0+T)=i(t0).

La tensin media en extremos de una bobina es cero, o sea que:
b) Condensador
En un condensador, la energa almacenada es:
Si la tensin del condensador es una seal peridica, la potencia media absorbida

por el condensador es cero para funcionamiento peridico en rgimen permanente,
es decir:
A partir de la relacin de tensin-corriente del condensador:
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:
22
Multiplicando por C/T y sabiendo que v(t0+T)=v(t0).
2.2
POTENCIA EN CIRCUITOS DE ALTERNA CON SEALES

SINUSOIDALES
Generalmente, las tensiones y/o corrientes en los circuitos electrnicos de potencia

no son sinusoidales. Sin embargo, una forma de onda peridica no sinusoidal puede
representarse mediante una serie de Fourier de componentes sinusoidales.
En los circuitos lineales con generadores sinusoidales, todas las corrientes y
tensiones de rgimen permanente son sinusoidales.
2.2.1 POTENCIA INSTANTNEA Y POTENCIA MEDIA

Para cualquier elemento de un circuito de alterna, supongamos que:
Recordemos que la potencia instantnea de los circuitos de alterna es:
Y la potencia media:
Luego la potencia instantnea es:

Sabiendo que
Y la potencia media es:
El resultado de esta integral puede obtenerse por deduccin. Dado que el primer
trmino de la integral es una funcin coseno, la integral en un periodo es igual a cero
y el segundo trmino es una constante. Por tanto, la potencia media de cualquier
elemento de un circuito de alterna es:
O bin:
23
Siendo:
el ngulo de fase entre la tensin y la corriente. Su unidad es el vatio (w). Esta

potencia es la denominada potencia activa.
2.2.2 POTENCIA REACTIVA

La potencia reactiva se caracteriza por la acumulacin de energa durante una mitad
del ciclo y la devolucin de la misma durante la otra mitad del ciclo.
La unidad es el voltio-amperio reactivo (VAR).

Por convenio, las bobinas absorben potencia reactiva positiva y los condensadores
absorben potencia reactiva negativa.
Por convenio, las bobinas absorben potencia reactiva positiva y los condensadores
absorben potencia reactiva negativa.
2.2.3 POTENCIA COMPLEJA

La potencia compleja combina las potencias activa y reactiva para los circuitos de
alterna:
Vrms e Irms son magnitudes complejas que se expresan como fasores (magnitud y
ngulo) y (Irms)*.
es el complejo conjugado de un fasor de corriente, lo que proporciona resultados
coherentes con el convenio de que la bobina absorbe potencia reactiva.
Esta ecuacin de potencia compleja no es aplicable a seales no sinusoidales.
24
Figura No. 2,1: Identificacin de potencias, corriente y tensin para desfase de 30..
25
Figura No. 2,2: Identificacin de potencias, corriente y tensin para desfase de 90.
EJEMPLO1:
Trazar el tringulo de potencias de un circuito cuya impedancia es z = 3 + j4 y
al que se le aplica un fasor de tensin V =100|30 volt.
SOLUCIN:
El fasor de intensidad de corriente es:
26
2.2.4 POTENCIA APARENTE

La potencia aparente se expresa de la siguiente forma:
Figura No. 2,3: Identificacin de los valores en un medidor digital. El smbolo de un condensador o
un inductor indica de qu tipo son las cargas, capacitivas o inductivas, respectivamente.
Su unidad es el voltio-amperio (VA)

La potencia aparente en los circuitos de alterna es la magnitud de la potencia
compleja:
2.2.5 VALOR EFICAZ

El valor eficaz tambin es conocido como valor cuadrtico medio o rms. Se basa en
la potencia media entregada a una resistencia.
Para una tensin peridica aplicada sobre una resistencia, la tensin eficaz se define
como una tensin que proporciona la misma potencia media que la tensin continua.
La tensin eficaz puede calcularse:
27
Calculando la potencia media:
Si igualamos estas dos ecuaciones:
Del mismo modo, la corriente eficaz se desarrolla a partir de:
P=R.IRMS;
2.2.6 FACTOR DE POTENCIA

El factor de potencia de una carga se define como el cociente de la potencia media o
activa y la potencia aparente:
Esta ecuacin de factor de potencia tampoco es aplicable a seales no sinusoidales,

como se ver posteriormente.
El factor de potencia utiliza el valor total de RMS, incluyendo as todos los
armnicos, para su clculo.
2.3
CARGAS LINEALES Y NO LINEALES
Lo ideal, es que la mayor parte de las cargas utilizadas en la red elctrica son cargas
lineales, cargas que dan lugar a corrientes con la misma forma de onda que la
tensin, es decir, prcticamente sinusoidales.
Con la llegada de la electrnica integrada a numerosos dispositivos elctricos, las
cargas producen corrientes distorsionadas cuya forma ya no es sinusoidal. Estas
28
corrientes estn compuestas por armnicos, cuya frecuencia es mltiplo de la

frecuencia fundamental de 60 Hz.
29
Figura No. 2,3: Las cargas lineales pueden provocar que entre la corriente y la tensin exista
un desfase, sin embargo no provocan la deformacin de la forma de onda. Son cargas

lineales, es decir, stas son las cargas resistivas, inductivas y capacitivas
30
Figura No. 2,4: A diferencia de las anteriores, las cargas no lineales se caracterizan por
producir una deformacin de la onda de corriente. Se muestran aplicaciones.
2.4 CARGAS NO LINEALES (descomposicin armnica)

2.4.1 DEFINICIN DE ARMNICO
Una perturbacin armnica es una deformacin de la forma de onda respecto de la seal
sinusoidal pura o terica. Segn la norma UNE EN 50160:1996, una tensin armnica es
una tensin sinusoidal cuya frecuencia es mltiplo entero de la frecuencia fundamental de la
tensin de alimentacin. Podemos definir los armnicos como oscilaciones sinusoidales de
frecuencia mltiplo de la fundamental.
2.4.2
ORDEN DEL ARMNICO
Los armnicos se clasifican por su orden, frecuencia y secuencia, una aplicacin es la se

muestra en la tabla siguiente:
El orden del armnico es el nmero entero de veces que la frecuencia de ese

armnico es mayor que la de la componente fundamental. Por ejemplo, el armnico
de orden 7 es aquel cuya frecuencia es 7 veces superior a la de la componente
31
fundamental, si la componente fundamental es de 50 Hz el armnico de orden 7

tendra una frecuencia de 350 Hz. En una situacin ideal donde slo existiera seal
de frecuencia 50 Hz, slo existira el armnico de orden 1 o armnico fundamental.
Se observa en la tabla que hay dos tipos de armnicos, los impares y los pares. Los
armnicos impares son los que se encuentran en las instalaciones elctricas,
industriales y edificios comerciales.
Los armnicos de orden par slo existen cuando hay asimetra en la seal debida a
la componente continua.
En un sistema trifsico no distorsionado las corrientes de las tres fases llevan un
cierto orden. Si el sistema es simtrico y la carga tambin las tres ondas de corriente
tendrn el mismo mdulo y estarn desfasadas 120; diremos que la secuencia es
directa si el orden con que las tres ondas pasan sucesivamente por un estado es
ABC y diremos que es inversa si es ACB. Con ondas distorsionadas se puede hacer
el mismo planteamiento para cada uno de los armnicos. Cuando el sistema est
formado por ondas iguales en fase se denomina homopolar.
Si la secuencia de las ondas fundamentales es directa, todos los armnicos de
orden 3n-2 sern de secuencia directa, los de orden 3n-1 de secuencia inversa y los
de orden 3n de secuencia homopolar.
Si utilizamos como ejemplo un motor asncrono trifsico de 4 hilos, entonces los
armnicos de secuencia directa o positiva tienden a hacer girar al motor en el mismo
sentido que la componente fundamental. Como consecuencia provocan una
sobrecorriente en el motor que hace que se caliente.
Provocan en general calentamientos en cables, motores, transformadores. Los
armnicos de secuencia negativa hacen girar al motor en sentido contrario al de la
componente fundamental y por lo tanto frenan al motor, provocando tambin
calentamientos. Los armnicos de secuencia neutra (0) o homopolares, no tienen
efectos sobre el giro del motor pero se suman en el hilo neutro, provocando una
circulacin de corriente de hasta 3 veces mayor que el 3 armnico que por
cualquiera de los conductores, provocando calentamientos.
32
Figura No. 2,5: Tipos de armnicos.
2.4.3 ESPECTRO ARMNICO

El espectro armnico permite descomponer una seal en sus armnicos y
representarlo mediante un grfico de barras, donde cada barra representa un
armnico, con una frecuencia, un valor eficaz, magnitud y desfase.
Figura 2,6: Espectro armnico o diagrama de barras. Cada barra representa un armnico, y
para cada armnico se proporciona, en la parte superior derecha, su orden, su frecuencia,
los amperios eficaces, valor porcentual de ese armnico con respecto al fundamental o al
total, y el desfase con respecto a la fundamental. En este ejemplo se puede observar como
los armnicos predominantes son, adems del fundamental, el 3, 5 y 9.
En la figura 2,6 se muestra una representacin en el dominio de la frecuencia de la

forma de onda que se puede observar con un osciloscopio.
33
Es necesario utilizar instrumentos de medida de tecnologa adecuada, capaces de

medir el valor eficaz real de una seal de corriente o de tensin. El anlisis y la
interpretacin de los datos medidos, en trminos de contaminacin armnica, podrn
hacerse de manera clara a partir de un equipo apropiado, tal como un analizador de
potencia y el cual permite ver representadas las formas de onda de la tensin y de la
corriente, como en un osciloscopio y adems da directamente las potencias activa,
reactiva y aparente, factor de desplazamiento y factor de potencia. Adems, permite
obtener la descomposicin armnica de la seal.
2.5ONDAS PERIDICAS Y ANLISIS DE FOURIER

2.5.1 Parmetros caractersticos de una seal alterna
Perodo (T): Tiempo que abarca una onda completa de la seal alterna:
T
2
segundos.
2
radianes/segundo
T
Pulsacin=
Frecuencia (f): Nmero de ciclos que se producen en un segundo:

f
1
ciclo/segundo=Hertz:
T
2f .
Valor instantneo v o i: Es el que tiene la tensin o la corriente alterna para

cada valor de t o de .
v(t ) V m Sen wt V m Sen ;
(t )
I m Sen wt I m Sen
Valores mximos (Vm) (Im): Se corresponden con la cresta (mximo) y con el valle
(mnimo), situados en t=T/4 =/2 y en t=3T/4 =3/2.
2V
rms
2I
(2.1)
rms
Valor medio (Vdc) y (Idc): Es la media aritmtica de todos los valores instantneos de
un determinado intervalo. El valor medio de un perodo completo es cero, ya que la
seal en el semiperiodo positivo es igual que en el negativo, pero de signo opuesto:
dc
1
T
v
0
(t )
dt ;
dc
1
T
i
0
(t )
dt
(2,2)
Valor eficaz (Vrms) e (Irms): El valor eficaz de una seal alterna es el equivalente al de
una seal constante, cuando aplicadas ambas seales a una misma resistencia
durante un perodo igual de tiempo, desarrollan la misma cantidad de calor. Y
tambin como:
rms
1
T
(t )
dt ;
rms
1
T
2
i (t )
T
dt
(2.3)
Factor de forma y factor de rizado: Las seales de tensin y corriente a la salida

del rectificador estarn formadas por la superposicin del valor medio
correspondiente y por una seal de ondulacin formada por un trmino senoidal
principal y por sus armnicos:
(t )
V dc vac
(2.4)
34
Para determinar la magnitud de las ondulaciones respecto del valor medio se usan
dos coeficientes:
a)
Factor de forma (FF): Es la relacin entre el valor eficaz total de la magnitud
ondulada y su valor medio.
b)
Factor de rizado (RF): Es la relacin entre el valor eficaz de las

componentes alternas de la seal y su valor medio, y nos determinar el rizado de
la seal.
FF V
V
rms
FR
dc
v
V
ac
; FR
dc
V rms
V
dc
FF
(1.5)
Componente alterna de una tensin (Vac):
rms
V dc vac ; vac
2
rms
V dc
(1.6)
Factor de cresta (FC): Para una intensidad determinada ser:
FC
I
I
(1.7)
rms
Debe tenerse en cuenta que la nomenclatura a utilizar para el caso de las tensiones
en los rectificadores ser la siguiente:
Vm = Tensin mxima de fase.
VFS = Valor eficaz de la tensin de fase.
VLS = Valor eficaz de la tensin de linea.
VS = Tensin eficaz en el secundario del transformador.
2.5.2 ENERGA Y POTENCIA

Para una tensin sinusoidal, v( t ) V m Cos ( wt ) , a una impedancia
establece una intensidad de corriente
(t )
Z Z
, se
I m Cos ( wt ) . La potencia total
consumida por la impedancia en el instante t, ser:
(t )
v( t ) . i ( t ) ;
(1.8)
luego se tiene que:
(t )
V m Cos ( wt ). I m Cos ( wt ) vrms i rms Cos vrms irms Cos(2wt )

(1.9)
La potencia instantnea est compuesta de un trmino sinusoidal expresada por
v i
rms rms
Cos (2 wt ) y
un trmino independiente denominado valor medio de la
potencia definida por:
35
1
T
p
0
(t )
1
T
dt
v i
(t )
(t )
dt ,
(1.10)
donde T es el perodo de la forma de onda de la potencia. La potencia neta o media

que consume una carga durante un perodo se llama potencia activa y como
v i
rms rms
Cos (2wt )
en un perodo completo es cero, luego se tiene que:
Cos
P v i
a
rms rms
(1.11)
y la cual, cuando se refiere a valores constantes queda expresada como:
P P V I
a
dc
dc
(1.12)
dc
La energa o trabajo est expresada como la integral de la potencia instantnea, la

energa absorbida por un componente en el intervalo de tiempo de t1 a t2 es:
t
t p dt
(t )
(1.13)
Si un circuito contiene bobinas o condensadores o ambos a la vez, una parte de la

energa consumida durante un perodo se almacena en dichos elementos y
posteriormente vuelve a la fuente. Durante el perodo de retorno de la energa, la
potencia es negativa. La potencia envuelta en este intercambio se denomina
potencia reactiva. Aunque el efecto neto de la potencia reactiva es cero, su
existencia degrada la operacin de los sistemas de potencia. La potencia reactiva
se define como:
P V I
R
Sen
(1.14)
La potencia aparente es el producto de las magnitudes de la tensin y corriente

eficaces y se emplea frecuentemente para indicar el valor nominal de los equipos de
potencia. Se le define de la siguiente forma:
P V I
S
rms
rms
P P
(1.15)
Donde Pa y PR tienen diferentes significados y no pueden ser sumados

aritmticamente. Sin embargo, pueden ser representados apropiadamente en forma
de una magnitud vectorial denominada potencia compleja PS, que se define como
PS=Pa+jPR. El mdulo de esta potencia es a lo que se denomina potencia aparente:
Factor de utilizacin de un transformador (TUF): Se le define as:
FUT
P
V I
dc
P
P
dc
(1.16)
siendo VS e IS valores eficaces en el secundario del transformador.

Factor de potencia (FP): Es la relacin de la potencia media o activa, con la
potencia aparente:
36
P P
P V I
F .P
dc
dc
(1.17)
S
ngulo de desplazamiento o desfase ( ): Es la diferencia de ngulo entre las

componentes fundamentales de la corriente y la tensin de entrada.
Factor de desplazamiento (FD): Se define como Cos .
2.5.3 SERIES DE FOURIER

La serie de Fourier para las funciones peridicas pueden ser descompuestas en la
suma de:
a)
Un trmino constante que ser la componente continua.
b)
Un trmino sinusoidal llamado componente fundamental, que ser de la

misma frecuencia que la funcin que se analiza.
c)
Una serie de trminos sinusoidales llamados componentes armnicos, cuyas

frecuencias son mltiplos de la fundamental.
(t )
a0
n 1
Cos ( nwt ) bn Sen( nwt )
(1.18)
Donde se tienen que:
es una constante que viene a ser el valor medio de la funcin
(t )
y est
definido como sigue:
T
2
T
1
T
v dt
(t )
1
2
( wt )
d (wt )
(1.19)
Adems se tienen que:
a
b
2
T
2
T
T
2
(t )
Cos (nwt ) dt
(t )
Sen( nwt ) dt
T
2
Las constantes
Para: n=2, 4, 6, ..
(1.20)
Para n=1, 3, 5, ..
son los valores pico de las componentes. Como para
cada armnico (o para la fundamental) estas dos componentes estn desfasadas

90, la amplitud de cada armnico (o de la fundamental) viene dada por:
a b
(1.21)
Y de esta ecuacin podemos deducir un ngulo

lados de valores
como catetos y
, que estar definido por los
como hipotenusa. Los senos y

37
cosenos de la misma frecuencia pueden combinarse en una misma sinusoide, dando

como resultado una expresin alternativa para una serie de Fourier:
v
donde:
(t )
a0 C n . cos nwt n
n 1
tan
n
(1.22)
bn
o tambin puede expresarse de la siguiente forma:
v
donde:
(t )
a0 C n .sen nwt n
n 1
n tan
(1.23)
a
b
n
Siendo el coeficiente C1 la amplitud del trmino de la frecuencia fundamental y los

otros coeficientes son las amplitudes de los armnicos de otras frecuencias; del
mismo modo,
es el ngulo de retardo de la componente armnica de orden
n de la seal de salida.
2.5.3.1
Simetra de una funcin f(t)
Pueden reconocerse con facilidad cuatro tipos de simetra que se utilizarn para
simplificar la tarea de calcular los coeficientes de Fourier:
a) Simetra de funcin par
b) Simetra de funcin impar
c) Simetra de media onda
d) Simetra de cuarto de onda
Una funcin es par cuando f(t) = f(t) y es impar cuando f(t) = f(t). La funcin par
slo tiene trminos coseno (bn=0) y la funcin impar slo tiene trminos seno (a n=0).
En la simetra de media onda se cumple: f(t)= -f(t-T/2) y tiene la propiedad de que
tanto an como bn son cero para valores pares de n (solo contiene armnicos de orden
impar). Esta serie contendr trminos seno y coseno a menos que la funcin sea
tambin par o impar.
Ejemplo2: Determinar el desarrollo trigonomtrico en serie de Fourier para una
onda cuadrada y dibujar su espectro.
Siendo;
38
Solucin:
El intervalo 0<t<, f(t)=V; y para <t<2, f(t)= -V. El valor medio de la onda es
cero, por lo tanto a0/2=0. Los coeficientes de los trminos en coseno se obtienen
integrando como sigue:
Por tanto, la serie no contiene trminos en coseno. Realizando la integral para los
trminos en seno, se tiene:
Entonces, bn=4V/n para n = 1, 3, 5,..., y bn=0 para n = 2, 4, 6,...Por lo tanto la serie

para la onda cuadrada es:
y el espectro para esta serie ser el que se muestra a continuacin:
39
El cual muestra los armnicos impares de los trminos en seno, como pudo
anticiparse del anlisis de la simetra de la onda. Ya que la onda cuadrada dada, es
impar, su desarrollo en serie contiene solo trminos en seno, y como adems tiene
simetra de media onda, slo contiene armnicos impares.
Las formas de onda ms comunes en electrnica de potencia son las que muetsran
a continuacin y sus respectivas series de Fourier:
ONDA CUADRADA:
ONDA PULSANTE:
ONDA CUADRADA MODIFICADA:
40
SINUSOIDE RECTIFICADA DE MEDIA ONDA:
SINUSOIDE RECTIFICADA DE ONDA COMPLETA:
RECTIFICADOR TRIFSICO EN PUENTE:
2.5.3.2
Distorsin armnica total Total Harmonic Distortion(THD)
41
Tambin se le conoce como factor armnico o factor de distorsin. Se defini como

consecuencia de la necesidad de poder cuantificar numricamente los armnicos
existentes en un determinado punto de medida. Es la relacin del valor eficaz de la
distorsin y el valor eficaz de la fundamental. Debido a que la fundamental no
contribuye a la distorsin, el valor efectivo de la distorsin es la raz de la suma de
los cuadrados de los valores eficaces de las armnicas, de la segunda en adelante.
Matemticamente se escribe:
Al incluir el valor eficaz de la fundamental, I1, dentro del radical se obtiene:
el cociente In/I1 es el valor eficaz de la armnica n dividido por el valor eficaz de la

fundamental.
El valor eficaz de
(t )
puede calcularse a partir del a serie de Fourier mediante la
siguiente relacin matemtica:
V rms
V
n 0
2
n , rms
Cn
a0
2
n 1
(1.24)
Para formas de onda de corriente y tensin peridicas representadas por series de

Fourier en un circuito, la potencia media se calcula a partir del a ecuacin 1.10. El
valor medio del os productos del os trminos de continua es VdcIdc. El valor medio
del os productos de corriente y tensin del a misma frecuencia est dado por la
ecuacin 1.11 y el valor medio del os productos de corriente y tensin de frecuencias
diferentes es cero. En consecuencia, la potencia media para formas de onda de
corriente y tensin peridicas no sinusoidales estar dada por:
P
n 0
V dc . I dc V n , rms . I n , rms cos

n 1
(1.25)
42
P P
a
n 0
a ,n
n 1
V dc . I dc
n , mx
. I n,mx
cos
De las ecuaciones anteriores se puede concluir que la potencia media total es la

suma del as potencias para las frecuencias contenidas en la serie de Fourier.
Si se aplica una tensin peridica no sinusoidal a una carga de elementos lineales,
la potencia absorbida por la carga puede hallarse mediante el principio del a
superposicin. Si una fuente de tensin sinusoidal se aplica a una carga no lineal, la
forma de onda del a corriente no ser sinusoidal, pero puede representarse como
una serie de Fourier, luego la potencia media absorbida por la carga o entregada por
la fuente se calcula a partir del a ecuacin 1.25 y resulta ser:
V .I
P
2
a
cos
V 1,rms . I 1,rms cos
(1.26)
Se nota que el nico trmino de potencia distinto de cero ese l que

corresponde a la frecuencia de la tensin aplicada. El factor de potencia se
calcula a partir del a ecuacin 1.17 y cuya expresin matemtica es la que se
muestra en la ecuacin 1.27:
F .P
1, rms
. I 1,rms cos
1, rms
. I rms
I
I
cos
1, rms
rms
(1.27)
Pero, la corriente eficaz se calcula a partir del a siguiente ecuacin:
I n,rms
I rms
n 0
In
I dc
2
n 1
(1.28)
Para una tensin y corriente sinusoidales, el factor de potencias e expresa como el

cos
y que es el trmino del factor de potencia usado normalmente en los
circuitos lineales y que se denomina factor de potencia de desplazamiento [2]. El

cociente entre el valor eficaz a la frecuencia fundamental y el valor eficaz total en la
ecuacin 1.27 es el denominado factor de distorsin (HD), es decir, para saber
cmo se asemeja la componente alterna de una onda peridica a una sinusoidal, o
saber su contenido de armnicos se da el parmetro distorsin de la onda. La
distorsin de un armnico cualquiera estar dado por:
H .D.
I
I
1, rms
(1.29)
rms
43
El factor de distorsin representa lar reduccin del factor de potencia debida a la

propiedad no sinusoidal de la corriente. El factor de potencia tambin se puede
expresar en funcin del factor de distorsin en la forma siguiente:
F .P.
cos 1 H .D.
(1.30)
La distorsin total (THD) estar expresada as:
THD
I
n 1
2
n , rms
n 1
1, rms
2
n , rms
(1.31)
1, rms
o
2
THD
I rms I 1,rms
I
(1.32)
2
1, rms
La distorsin armnica total se aplica frecuentemente en situaciones en las que el

trmino de continua es cero y que ser:
THD
I
n2
2
n
(1.33)
El valor eficaz del armnico de orden n de la corriente de entrada para una

corriente en la carga de valor constante IC, y un ngulo de conduccin en la carga
ser:
n , rms
1
2
a b
2 2 IC
n
sen
(1.34)
Luego los valores eficaces de la corriente del fundamental (I1,rms) y de la corriente de

entrada (IS) sern respectivamente:
I 1,rms
I
2 2 IC
sen
(1.35)
(1.36)
44
x2
4
f ( x)
(1
)
2
x 3
x2
4
f ( x)
(1
)
2
x 3
PROBLEMAS DE APLICACIN:
Resolver los 30 problemas propuestos de Daniel W. Hart del 2do. Captulo.
45

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PRIMERA UNIDAD:

En el algol cotidiano, se puede decir que la gente no usa electricidad, pero, en

potencia disponibles para aplicaciones en alta potencia y alta frecuencia. Los ms

Figura 1.1: Diagrama de bloques del sistema de la Electrnica de Potencia (Mohan2004,

Entre tantas aplicaciones de la electrnica de potencia se encuentran los controles

Figura 1.2: Diagrama de bloques de la evolucin histrica de dispositivos semiconductores.

mejoran su eficiencia. Aparecen los IGBTs, elementos formados por dispositivos

En la figura 1,3 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos

Frecuencia de operacin (Hz)

Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la

En la figura 1,4 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los

ELEMENTOS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Por tanto, la prctica de la Electrnica de Potencia requiere de un amplio

UNCP- FIEE B. Senz L.

Figura 1.2: Aplicaciones de la electrnica de potencia.

CLASIFICACIN DE LOS CIRCUITOS ELECTRNICOS DE

Los sistemas electrnicos de potencia se clasifican segn el tipo de conversin de

2. convertidores de ca-cd (convertidores controlados y pueden ser monofsicos o

DISEO DE EQUIPOS ELECTRNICOS DE POTENCIA

En el diseo de los equipos de conversin de potencia se requieren de varias

En tal sentido, los transistores y los GTO proporcionan control de activacin y

importantes de los circuitos electrnicos de potencia son las velocidades de

Figura 1.11: Dispositivos disponibles para el diseo de circuitos electrnicos de potencia.

Se puede clasificar en 4 partes:

Diseo de los circuitos de potencia,

REQUISITOS DEL DISPOSITIVO ELECTRNICO

Un dispositivo electrnico bsico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia (idealmente

Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeas cadas de tensin en

Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad para

De los dispositivos electrnicos que cumplen los requisitos anteriores, los ms

1.6.1 Componentes de base en la electrnica de potencia.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Desde los finales de la dcada del 50 en que se desarroll el tiristor, ha habido

Figura 1.3: Dispositivos semiconductores de potencia

UNCP- FIEE B. Senz L.

Figura 1.4: algunos tipos de diodos de potencia.

Un tiristor es un dispositivo de tres terminales y que al hacer pasar una pequea

Figura 1.6: Otros tipos de diodos y diversas configuraciones de tiristores (Rashid2004).

1) Tiristor conmutado forzado,

4) Tiristor de conduccin inversa (RCT: reverse-conducting thyristor). Se usa en

UNCP- FIEE B. Senz L.

Figura 1.8: Intervalos de potencia de los semiconductores comerciales (Rashid2004).

transistores de efecto de campo de xido de metal semiconductor (MOSFET:

transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT: insulated-gate bipolar

transistores de induccin esttica (SIT: static induction trnasistors): Es de alta

CARACTERSTICAS DE LOS INTERRUPTORES

UNCP- FIEE B. Senz L.

Existen muchos conmutadores de potencia y varan segn la tecnologa actual de

SELECCIN DE LOS INTERRUPTORES

La seleccin de un dispositivo de potencia para una aplicacin especfica no slo

UNCP- FIEE B. Senz L.

Tabla 1.1: Capacidades de los dispositivos semiconductores de potencia (Rashid2004).

UNCP- FIEE B. Senz L.

Tabla 1.2: Caractersticas y smbolos de algunos dispositivos de potencia (Rashid2004).

Figura 1.9: Caractersticas de control de los dispositivos de conmutacin de potencia

Los dispositivos de potencia se hallan disponibles como unidades aisladas o como

1.11 SIMULACIONES EN ELECTRNICA DE POTENCIA

Figura 1.5: Diagrama de bloques de un sistema inteligente de potencia (Rashid2004).

UNCP- FIEE B. Senz L.

Daniel W. Hart. ELECTRNICA DE POTENCIA. Prentice Hall. 2001.

Muhammad H. Rashid. ELECTRNICA DE POTENCIA. Circuitos,

UNCP- FIEE B. Senz L.