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JJJor

Electrnica de Potencia
Definicin de electrnica de potencia:
Es la aplicacin de dispositivos electrnicos al
control y conversin de energa elctrica.
Ejemplos: Control de motores, calefaccin,
sistemas de iluminacin, fuentes de
alimentacin, etc.

JJJor

Dispositivos semiconductores de potencia:


Se pueden clasificar en cinco tipos:

1. Diodos de potencia
2. Tiristores
3. TBJ de potencia (Transistores bipolares de juntura)
4. MOSFET de potencia
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) 1. Diodos
de potencia

Sus terminales son nodo y ctodo.


Conduce slo cuando Va > Vk (equivale a un cable).
Si Vk > Va el diodo no conduce (equivale a un circuito abierto).

JJJor

2. Tiristores

Sus terminales son: nodo, ctodo y compuerta (gate).


Slo conduce cuando Va > Vk, y se inyecta una corriente por
el Gate (entonces A-K equivale a un cable).
La nica forma de apagarlo es forzando Va < Vk .
3. TBJ (Transistor bipolar de juntura)

Sus terminales son emisor, base y colector.


Slo conduce cuando VBE > 0.7V
Si adems IB es suficientemente grande, entonces C-E
equivale a un cable.

JJJor

4. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)


Sus terminales son gate, source y drain.
Es un dispositivo de conmutacin rpida
(ms rpido que TBJ).
Slo conduce si VD > VS y
VG > VS (n-MOSFET), entonces D-S es un cable.
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Sus terminales son gate, emisor y colector.
Combina las mejores
caractersticas del TBJ y del
MOSFET.
Slo conduce si VC > VE y
VG > VE (nIGBT), entonces C-E es un cable.

JJJor

Caractersticas tpicas de los dispositivos


Dispositivo
Uso general
High Speed

Max. Volt
Inverso Max.
Corr Directa
5000V/5000A
3000V/1000A

Switchin
g time
(s)
100
2-5

Resistenci
a
equivalent
0,16m
1m

Schottky

40V/50A

0,2

10m

Uso general

5000V/5000A

200

0,25m

High Speed

1200V/1500A

20

0,50m

Light triggered

6000V/1500A

200-400

0,50m

TBJ
MOSFET

400V/250A
500V/9A

10
0,7

4m
0,6m

IGBT

1200V/400A

2,3

60m

Diodos

Tiristores

Transistor

JJJor

Ejemplo de uso de los dispositivos:

Lo intento apagar

Dispositivos con
control de apagado

JJJor

Ejemplo de uso de los dispositivos:

La corriente
de base es
significativa

La corriente
de gate es
despreciable

Debe permanecer encendido


Lo intento apagar

Clasificacin de los circuitos electrnicos de potencia:


Los dispositivos permiten convertir potencia elctrica de DC y AC:
1.
2.
3.
4.
5.

Rectificadores con diodos


Conversores AC-DC (rectificadores controlados)
Conversores AC-AC (ac voltage controllers)
Conversores DC-DC (dc choppers)
Conversores DC-AC (inverters)

1. Rectificadores con diodos Ejemplo N1:

1. Rectificadores con diodos Ejemplo N2:

Funcionamiento:

t1

t2

2. Conversores AC-DC - Ejemplo:

ngulo de disparo
Pulso de encendido

Cambiando el ngulo de disparo se modifica VDC

VDC

3. Conversores AC-AC - Ejemplo:

ngulo de disparo
VAC (eficaz)
VDC = 0

Cambiando el ngulo de disparo se modifica VAC

4. Conversores DC-DC - Ejemplo:


Tiempo de disparo

Diodo de
proteccin

VDC

Cambiando el duty cycle (t1) se modifica VDC

5. Conversores DC-AC - Ejemplo:


Semi-periodo de disparo

Cambiando el disparo se modifica VAC

Efectos indeseados:

stos circuitos operan encendiendo y apagndose


constantemente, lo que introduce ruido en:

La tensin de salida

La fuente de alimentacin

Esto genera problemas:

Inyecta ruido en la carga

Inyecta ruido en la fuente de alimentacin

Produce interferencia en circuitos cercanos


Para reducir estos problemas se puede:

Usar filtros de entrada y de salida

Elegir el circuito ms conveniente

Usar blindaje electromagntico

Diodos de potencia
Esquema del diodo:

Curvas caractersticas:

Ecuacin del diodo:


Donde:
- ID = corriente que circula por el diodo [A]
- VD = tensin Va-Vd [V]
-6
- I = corriente
de
saturacin
inversa
(10
S
- n = coeficiente de emisin (1 a 2)
- VT = voltaje trmico:

a 10-15A)

q = carga del electrn (1.6022 * 10-19 C)


T = temperatura [K]
k = constante de Boltzmann (1.38 * 10-3 J/K)

En directa (VD >> VT) :


En inversa (VD < 0) :
En ruptura (VD < VBR)

Diodos de propsito general:


- Tiempo de recuperacin ~ 10 s
1A-6000A / 400V-3600V / VF = 1.2V
- Usados en aplicaciones de baja frecuencia (rectificadores de red)
Diodos Fast-recovery:

- Tiempo de recuperacin ~ 0.1 a 10 s


30A-200A / 400V-1500V / VF = 1.2V
- Usados como conversores DC-DC o DC-AC (inversores, UPS)
Diodos Schottky (metal-semiconductor):
- Tiempo de recuperacin ~ 5 ns
1A-120A / 15V-150V / VF = 0.7V
- Usados en alta frecuencia (fuentes conmutadas, cargadores de bateras)

Encapsulado DO-5:

Funcin del encapsulado:


-

Conexin elctrica
Disipacin trmica
Aislamiento elctrico

Ejemplo de hoja de datos (1/3):

Al aumentar la corriente ID aumenta la potencia disipada y el diodo


comienza a recalentarse:

- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax (por ej. 125C o 150C)

Clculo de disipadores
Analoga trmico - elctrica:

Juntura

Tj

Modelo trmico equivalente del diodo:


Carcaza

Pd

Pot.Rt = Tamb I.R =


V

Ambiente

T ambiente

Regimenes mximos
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax
Las caractersticas trmicas del diodo se definen segn:
Forma tpica
(Tjmax=125C): Pdja
@Ta=25C
= 25W
Rjc
= 1,4 C/W
Frecuentemente
(Tjmax=125C) :
Pdjc @Tc=25C = 70W

Alternativa (Tjmax=125C):
Pdja @Ta=25C =
25W Pdjc @Tc=25C
=
70W
Ocasionalmente
(Tjmax=125C) : Rjc
C/W

= 1,4

Estos cuatro casos son exactamente equivalentes (demostrarlo).

Clculo de disipadores
Problema: Dado un diodo con mximos:

Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W
Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W

Rjc
Tc

y sabiendo que Pd = 4 W y Ta = 50 C, determine si debe usarse disipador.


Solucin: A partir del modelo trmico:

Rca
Ta

Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax


Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax
Del enunciado:
Rjc = Tjmax Tc = 125 C 25 C = 1,4 C/W
Pdjc
70 W
Rca = Tjmax Ta - Rjc = 125 C 25 C - 1,4 C/W = 2,6 C/W
Pdja
25 W
Entonces: Tj = 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) = 66C < 125C

Si no se cumple hay
que usar disipador

El disipador quedara en paralelo con Rca: Rca//Rd ~ Rd, Rd = Tj Ta - Rjc

Pd

Ejercicio
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?

Ejercicio - Resolucin

T
j

Tc
Ta
R jc
Rca
Rja = Rjc Rca

Temperatura de Juntura [C]


Temperatura de carcasa [C]
Temperatura ambiente [C]
Resistencia trmica juntura-carcasa [C/W]
Resistencia trmica carcasa-ambiente [C/W]
Resistencia trmica juntura-ambiente [C/W]

Datos del fabricante extrados de los regmenes mximos absolutos:


Temperatura de juntura mxima: T m = 200C
xj
Disipacin de potencia mxima: P = 6 W @ T = 25 C
mx
a

Pmx= 117W @ T c = 25 C

T
Por lo tanto:

R
jc=

c
@T c
mx
mx

T
R ja=

m
xj

@T a

200 25 C
=

177

C
= 1.50

W
W
200 25 C = 29.17 C
=
W

Puede el dispositivo, sin disipador externo, disipar 30W a Ta = 50C?


Verificacin: Si

P= 30
W,

Ta = 50 C y

R = 29.17
ja

C
W

Entonces:

Tj = Rja P Ta = 29.17 30 C 50 C = 925 C


Resulta T m >> 200C
xj

Qu hacemos?

TO-92

TO-5

TO-247

TO-218

TO-220

TO-3

Mayor disipador menor resistencia

TO-220

TO-3

Incidencia de la posicin

Ventilacin forzada

Diferentes tipos de aislantes

Mantenimiento de disipadores

Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste

Ejercicio (resolucin - continuacin)


Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
Dispositivo con disipador externo:
Si
tomamos:

P= 30 W

Ta = 50 C
R jc= 1.50

C
R = 27.67 W

T j = 200 C

mx
mx
T c = T j P R jc
mx

Tc

= 200 C 30 1.5 C
= 155
Quema!
C

Dispositivo con disipador externo:


P= 30 W

R = 1.50

Ta = 50 C

Despejando
:

Tc Ta = P
Rca

R || R =
Tc
ca

dis

C
W

ja

|| Rdis

Ta

1
1
1
Rdis = 3.5 C Rc
W
a
T =T

jc

R = 27.67

Tc = 155 C

155 50 C

= 3.5

30
W
C
R =4
dis

P R

W
R


R =
50 C
30W
427.67
+ 1.5

= 199.8 C

Dispositivo con disipador externo:


Conviene tener un factor de seguridad en la eleccin del disipador.
En general se elige un disipador con R 30% menor a la calculada.
Si el clculo da un disipador de R = 4 C/W, conviene colocar un
disipador de R =0.7 x 4 C/W= 2.8 C/W.
A simple modo de referencia, si queremos utilizar un disipador de aluminio se
necesita una superficie de aletas aproximadamente de 156 cm2 de acuerdo
a la
2

156cm
50

siguiente frmula emprica:


50 cm
A=
cm
R
=
2
C
dis

Para obtener 2.8 C/W el disipador tendra una superficie de aletas


DOS veces mayor (318 cm2).

Tiristores
ngulo de disparo
Pulso de encenido

Cambiando el ngulo de
disparo se modifica
VDC

VDC

El tiristor es un dispositivo unipolar con un terminal de disparo pero sin corte.

-El tiristor es uno de los principales dispositivos de potencia.


- Es un sandwich PNPN que puede modelarse como dos transistores:

- Si IG = 0, entonces es un circuito abierto.


- Si IG = 0 y VGK > VBO, el tiristor se dispara, se produce una realimentacin
positiva (~reaccin en cadena) y se transforma en un cable (es peligroso).
- Si IG > 0 y VGK < VBO, el tiristor se dispara en forma segura.

Curva caracterstica del tiristor:

VBO (tensin de ruptura): mnima tensin de Vak que dispara al tiristor.


IL(corriente de latch): es la mnima corriente de encendido del tiristor.
IH (corriente de retencin): mnima corriente que lo mantiene encendido.

AW

IR (corriente reversa): corriente que circula para Vk > Va.

Modos de encendido del tiristor


- Trmico: La temperatura elevada puede dispararlo por corriente de fuga.
- Luz: Si la luz incide sobre la juntura puede disparar al tiristor.
- Por tensin: Si VAK > VBO el tiristor se enciende, pero de modo destructivo.
- dv/dt: Si VAK varia rapidamente puede disparar al tiristor (no es deseable).
- IG: Con IG > 0 y una tensin VAK < VBO el tiristor se enciende.

- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.

Circuitos de proteccin
di/dt: si IT crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots
- El inductor Ls ayuda a proteger al sistema

dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT

Al cargarse el capacitor
limita dV/dt

pero al descargarse
nada limita la corriente

dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT

Limita la corriente
de descarga del
capacitor

Este circuito es muy habitual y se conoce como Snubber Circuit

1. Silicon control
rectifier (SCRs)
2. Fast Switching Thyristors
(SCRs)
3. Gate Turn-off
Thyristors
(GTOs)
4. Triode of Alternating
Current (TRIACs)
5. Reverse Conducting
Thyristors (RCTs)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)

(1,2)

(6)
(3)

(9)

(4)

(7)

Gate Turn-Off thyristors (GTO):


- Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate.
- Puede no bloquear la tensin inversa (fugas).
- Tiene varias ventajas sobre un SCR:
Requiere menos componentes circuitales.
Alta velocidad de apagado.
- Tiene varias ventajas sobre los transistores:

Mayor capacidad de bloqueo de tensin inversa.


Mejor capacidad de manejo de corrientes pico.
Menor corriente de activacin (que el TBJ)
Una seal de activacin mas corta

+
+

Triode of Alternating Current (TRIACs):

Reverse Conducting Thyristor (RCT)


- Tiene un diodo integrado en inversa
- Se usa en inverters DC-AC y choppers DC-DC.

Static Inductor Thyristor (SITH):


- Se apaga mediante un voltaje negativo en el gate.
- Tiene alta velocidad de conmutacin y soporta grandes di/dt y dv/dt.

Light Activated Silicon Controlled Thyristor (LASCRs)


- Se usa en aplicaciones de alto voltaje y corriente (lneas de HVDC)
- Brinda completa aislacin entre el gate y la salida.
- El LASCRs no se puede apagar desde el Gate.

FET Controlled Thyristor (FET-CTHs)


- Consiste de un FET en paralelo con un tiristor.
- No se puede apagar desde el Gate.

MOS Controlled Thyristor (MCTs): Combinan


caractersticas de SCR y de MOS:
1. Baja cada de tensin nodo-ctodo.

o.

2. Rpido encendido y apagado.


3. Bajo consumo para switcheo
4. Baja capacidad de bloqueo de Vak invers
5. Alta impedancia de gate.
Se usa en apliaciones de baja velocidad.

Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL
para diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar
cuando la potencia disipada en la carga es mxima.
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.

Ejercicio (resolucin)
Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
vs

vs

t
vSCR

vSCR

t
vRL

vRL

td = 0

td > 0

La potencia disipada en la carga es mxima cuando el disparo se produce


en td = 0. Entonces, el SCR conduce durante un semiciclo completo de la
seal, ya que en el semiciclo negativo el SCR se apaga.

b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente


1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
En el semiciclo en el cual no circula corriente (el SCR no conduce), el SCR
no disipa potencia. En el semiciclo en el cual circula corriente, la cada en el
SCR es de 1 Volt, aproximadamente en forma continua. Durante ese
intervalo de tiempo la corriente pico que circula
311V
0.62 A
I
es:
1V

500

1 0.62 A

Luego, se tiene entonces que la Ief que circula por el SCR es: I
ef
A

Por otro lado, la tensin eficaz en el SCR


es:

Ve 1V 0.5V
2
f

2 2

0.22

Ejercicio
El modelo equivalente trmico del SCR es el siguiente:

Sin disipador
tenemos:

PMA Tj 150 C 50 1.57W


X
Ta
C
Rja 63.5 C /W

As resulta: PMAX > Pdisipada = 0.11 W No se necesita disipador.


Verificacin: Tj Ta P Rja 50 C 0.31W 62 C / 69 C TjMAX
W

dispositivos y en la carga RL en las siguientes condiciones:


a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
c. Los SCR no conducen en ningn momento.

Vs
Vef = 220V
f = 50Hz

al disparo
al disparo

Ejercicio (resolucin)

Vs [V]

a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

200
0
-200 0

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

V RL [V]

0.03
Tiempo [s]

V SRC1 [V]

0.02

200
0
-200

V D1 [V]

0.01

200
0
-200

200
0
-200

200
0
-200

V SCR2 [V]

al disparo

V D2 [V]

al disparo

200
0
-200

SCR1
Seal disparo

Vs [V]

b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.


200
0
-200
0

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

00
-200

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

V SRC1 [V]

200
0
-200

V D1 [V]

200
0
-200

V D2 [V]

200

200
0
-200

V SCR2 [V]

SCR2

V RL [V]

Seal disparo

200
0
-200

Ejercicio (resolucin)
0

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

D1

RL

SCR1
Se
Se

Vs [V]

200
0
-200

V RL [V]

200
0
-200

V SRC1 [V]

al disparo

200
0
-200

V D1 [V]

c. Los SCR no conducen en ningn momento.

200
0
-200

V D2 [V]

SCR2

200
0
-200

V SCR2 [V]

D2

200
0
-200

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

al disparo

SCR1

Se
D2

D1

SCR2

RL

Ejercicio (resolucin)

D2
0

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

0.01

0.02

0.03
Tiempo [s]

0.04

0.05

0.06

Transistores de potencia
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.
Parmetros

MOS

Bipolar

Impedancia de

Alta (1010 )

Media (104 )

entrada Ganancia en

Alta (107)

corriente
Resistencia
ON (saturacin)

Media / alta

Media (10 a
100)
Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje CE/DS mx. aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500
Khz)
Alto

Baja (10-80
Khz)
Medio

Costo

D1

RL

SCR1
Se
Se

D2

SCR2

El IGBT ofrece entrada MOS y corriente de TBJ:


- Se activa por tensin (no por corriente).
- Tiempos de conmutacin bajos.
- Soporta mayor disipacin (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca a un elemento ideal:

Manejo de alta potencia.


Bajo tiempos ton toff.
Alta densidad de corriente.
Que apagado soporte alta tensin VCE o VDS.
Que soporte grandes di/dt y dv/dt.
TBJ NPN

Principios bsicos de funcionamiento


-

En un TBJ se controla IC con IB:

IC = IB

- En un MOS se controla ID con VGS: ID = k(VGS-VT) 2


En ambos casos, con una potencia pequea (IB o VGS)
se controla una mucho mayor (IC o ID).
MOS - N

Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ (las del MOS son similares):

IC
IB

Funcionamiento normal

Funcionamiento extremo

- Avalancha primaria: Superada la mxima VCB con emisor abierto (VCBO), o la


mxima VCE con base abierta (VCEO), la unin C-B polarizada en inversa entra
en un proceso de ruptura similar al de un diodo y conduce corriente.

- Avalancha secundaria: Puede darse una avalancha con tensiones por debajo
de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base). Est avalancha es destructiva. Debe evitarse.

Tiempo de conmutacin y disipacin


- Con el transistor en saturacin o en corte las prdidas son despreciables.
- Durante la conmutacin se produce un pico de potencia disipada:

Esto es as porque:
Potdis

VC
E

= VCEIC

IC

ON

Potdis-ON = 0VIC
Potdis-OFF = VCE0A

IB

Pdi
s

IC

OFF

Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):


- La zona de funcionamiento est limitada por la disipacin de energa:

- El transistor puede estar en la zona lmite de la avalancha secundaria durante


cortos intervalos de tiempo sin que se destruya.
- Para corrientes grandes se funden las conexiones metlicas

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT):


Es una mezcla entre MOSFET y TBJ:

- El IGBT presenta alta impedancia de entrada como los MOSFET, y bajas


perdidas de conduccin como el TBJ, pero sin ruptura secundaria como el TBJ.
- El IGBT es mas rpido que el TBJ, pero mas lento que el MOSFET

- Los valores no son exactos dada la gran disparidad del mercado.


- En general el producto tensin-corriente es una constante (limitacin de
potencia): hay MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida.
-Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo: existen bipolares de poca
potencia que trabajan a 50kHz, aunque no es lo usual.

Aplicaciones