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Procedimiento
IEN 7220
Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016
1.
El circuito mostrado en la siguiente figura representa una configuracin bsica para establecer los
valores con los cuales se caracterizar el transistor NMOS.
220
2N7000
VG
+
-
9V
+
-
Implemente el circuito de la figura anterior usando una protoboard. Antes de energizar el circuito,
establezca el nmero de mediciones y los valores que VG tomar en cada caso. Luego, fije los
valores de VD en 9V y VG en 0V para iniciar sus mediciones. Disponga de un multmetro para medir
Vgs y otro para medir Id, y vare VG segn lo ha establecido. Para cada punto de medicin, tome
nota del valor de Id. Una vez haya terminado de tomar mediciones, haga una grfica de Id vs. Vgs.
Puede ayudarse de herramientas como Excel o Matlab.
Cul es el voltaje umbral en la prctica?
Compare el Vt obtenido con el de la simulacin y con el de la hoja de datos. Qu tan parecidos son
estos valores entre s? Calcule porcentajes de error. Si hay alguna diferencia indique cules seran
las posibles causas.
IEN 7220
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ZVP2106A
VG
+
-
220
+
-
9V
Implemente el circuito de la figura anterior usando una protoboard. Antes de energizar el circuito,
establezca el nmero de mediciones y los valores que VG tomar en cada caso. Luego, fije los
valores de VS en 9V y VG en 0V para iniciar sus mediciones. Disponga de un multmetro para medir
Vsg y otro para medir Id, y vare VG segn lo ha establecido. Para cada punto de medicin, tome
nota del valor de Id. Una vez haya terminado de tomar mediciones, haga una grfica de Id vs. Vsg.
Puede ayudarse de herramientas como Excel o Matlab.
Cul es el voltaje umbral en la prctica?
Compare el Vt obtenido con el de la simulacin y con el de la hoja de datos. Qu tan parecidos son
estos valores entre s? Calcule porcentajes de error. Si hay alguna diferencia indique cules seran
las posibles causas.
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2.
Obtencin de n y p
Con las grficas experimentales de Id vs. Vgs, obtenga las grficas de n vs. Vgs y p vs. Vsg,
respectivamente.
Compare estas grficas con las obtenidas por el software.
Obtenga n y p experimentales y compare con los resultantes de las simulaciones y de los modelos
spice. Calcule porcentajes de error
3.
Obtencin de la resistencia de
Early
IEN 7220
En la siguiente figura se puede observar la grfica de Id vs. Vds de un NMOS con la cual se puede
obtener el Voltaje y la Resistencia de Early graficando con distintos valores de Vgs. Realice las
modificaciones necesarias en sus esquemticos y en sus comandos de simulacin para obtener lo
observado en dicha figura. Una vez obtenga las grficas, calcule la Resistencia de Early y estime el
Voltaje de Early de acuerdo a lo observado.
Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016
Modifique los circuitos utilizados para obtener los voltajes de umbral quitando los resistores en los
drenajes. Inicialmente, establezca la cantidad de muestras que tomar para realizar cada grfica, y
calcule los valores que debe tomar el voltaje de compuerta con respecto al voltaje de umbral para
cumplir con lo observado en la figura que muestra el efecto Early. Tenga en cuenta el valor de
voltaje de umbral que obtuvo experimentalmente. Disponga de un multmetro para medir el voltaje
entre drenaje y fuente, y otro para medir la corriente de drenaje. Luego, fije el voltaje de compuerta
en cada uno de los valores previamente establecidos, y en cada caso vare el voltaje entre drenaje
y fuente, y tome nota del valor de la corriente drenaje. Obtenga las grficas necesarias. Estime VA y
calcule ro en cada caso.
Qu difiere entre la grfica experimental y la simulada?
Hay diferencias entre los valores de las grficas de un mismo transistor?
Existen diferencias significativas entre los valores de ro y VA hallados? Si las hay, a qu se deben?
Qu influencia pueden tener en los datos previamente encontrados?
Qu diferencias hay entre los valores del NMOS y los del PMOS? Si las hay, a qu se deben estas
diferencias?
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Preparado por David Vera, Jos Manjarrs y Mauricio Pardo, Enero, 2016