Propriedades Ópticas de Semicondutores Orgânicos (Polímeros Conjugados)

1
Propriedades pticas e Eltricas de Semicondutores Orgnicos Base de Polmeros

Conjugados
Silsia de Ftima Curcino da Silva, Mrcia Dutra Ramos Silva, Newton Martins Barbosa
Neto, Raigna Augusta Da Silva Zadra Armond, Alexandre Marletta.
Instituto de Fsica, Universidade Federal de Uberlndia, Av. Joo Naves de vila ,
2160; CEP: 38400-902 - Uberlndia - Minas Gerais Brasil e-mail: sisifisica@yahoo.com.br
Resumo: Os polmeros conjugados e emissores de luz apresentam propriedades pticas e
eletrnicas similares s dos semicondutores inorgnicos. A utilizao destes materiais como
camada ativa, atravs de seu processamento na forma de filmes finos, permite a fabricao de
dispositivos eletroluminescentes que vo deste os diodos emissores de luz (LED) a clulas
fotovoltaicas. Neste trabalho estudamos as propriedades pticas e eltricas desses polmeros
conjugados. O material estudado o semicondutor orgnico poli(p-fenileno de vinilideno)
(PPV). A apresentao dos resultados feita atravs de medidas de absoro ptica,
fotoluminescncia, tenso x corrente e corrente x tempo.
Palavras chaves: propriedades pticas e eltricas, polmeros conjugados, semicondutores
orgnicos, PPV(poli(p-fenileno de vinilideno), a clula fotovoltaica.
ABSTRACT: The polymer conjugated and light emission show optical and electronic
properties similar to the of the inorganic semiconductors. The use of this materials as layer
activates, through your processing in the form of fine films, it allows the production of
devices electro-luminescent since light emission diodes (LED) to photovoltaic cell .In this
work we have studied the optical and electric properties of this polymer conjugated. The
studied materials are organic semiconductors to the base of the poly (p-phenylene vinylene)
(PPV). The presentation of the results will be made through measures of optical absorption,
photo-luminescent, tension x current and current x time.
KEY WORDS: optical and electric properties, synthesis poly (p-phenylene vinylene) (PPV).
1. Introduo
meros (ou monmeros) se repetem, ou

seja, polmeros so molculas longas cujas
Polmeros, do grego poli que

significa muitas e meros que significa
unidades, so macromolculas onde os
estruturas so obtidas atravs de processo

qumico de polimerizao de unidades
2
estruturais menores e idnticas chamadas
Dependendo da natureza qumica
monmeros[1]. Estes compostos orgnicos
dos monmeros e da tcnica empregada
geralmente formam uma cadeia principal
para
de tomos de carbono unidos por ligaes
(polimerizao),
covalentes e, eventualmente ligados aos
diversas conformaes espaciais. Os mais
tomos de carbono, tomos de hidrognio,
comuns
oxignio, nitrognio e halognios. O
ramificada ou em rede (reticulada). A
tamanho da molcula polimrica definido
figura
pela sua massa molecular ou ento pelo
estruturas.
formao
so
dos
estes
os
de
polmeros
podem
exibir
estrutura
apresenta
linear,
exemplos
destas
numero de monmeros que se repetem ao

longo
da
molcula.
Esta
repetio
determina o grau de polimerizao (n) da

cadeia.
Mais
precisamente,
grau
de
polimerizao o valor mdio do nmero

de monmeros que se repetem na cadeia.
As
macromolculas
consideradas
que
polmeros,
podem
que
ser
possuem
propriedades fsicas teis, tem pesos

moleculares da ordem de 103 a 10 6. [1] Se
somente uma espcie de monmero est

presente na estrutura do polmero, este
chamado
homopolmero.
Se
Figura 2. Representao das cadeias

macromoleculares:
(a) cadeia sem ramificao, (b) cadeia com
espcies
As classificaes mais comuns dos
diferentes de monmeros so empregadas,

este chamado copolmero. Na figura 1
apresentamos a estrutura qumica do
polmero comercial polietileno (PE), como
polmeros envolvem a estrutura qumica,

o
mtodo
caractersticas
de
preparao,
tecnolgicas
as
o
comportamento mecnico,[1] como segue:
exemplo.
i) segundo a estrutura qumica,

H2C
CH2
CH2 CH2
conforme os grupos funcionais presentes

n
Etileno
Polietileno
nas
macromolculas,
estas
sero
classificadas em poliamidas, polisteres,

Figura 1. Exemplo de relao de
polimerizao monmero-polmero para o
polietileno (PE) [2].
etc;
ii)
quanto
ao
mtodo
de
preparao so divididos, em linhas
3
gerais,
em
polmeros
de
adio
material
causado
pela
aplicao
de
polmeros de condensao, conforme
potencial externo. Este fenmeno ocorre
ocorra
sem
em alguns xidos de metais de transio e
subproduto, ou uma reao em que so
em vrias substncias orgnicas e
abstradas
conseqncia das diferentes propriedades
uma
simples
dos
adio,
monmeros
pequenas
pticas. [3]
molculas, como HCl, H2O e KCl;

iii) as caractersticas tecnolgicas,
que
impem
diferentes
processos
As
propriedades
singulares
aos
eletrnicas,
polmeros
eletrnicos,
tecnolgicos, so a base da classificao
advm do fato de existir ao longo da cadeia
dos
principal a alternncia de ligaes simples
termorrgidos. Os polmeros lineares ou
e duplas (polmeros conjugados). Nas
ramificados, que permitem fuso por
ligaes simples, a densidade eletrnica
aquecimento
por
entre dois tomos se concentra sobre o eixo
chamados
que os une e nas ligaes duplas a
termoplsticos. Os polmeros que, por
densidade eletrnica tambm se concentra
aquecimento ou outra forma de tratamento,
entre os tomos, mas de um lado e do outro
assumem
estrutura
sobre o plano que contm os dois tomos.
reticulada,
com
polmeros
termoplsticos
solidificao
resfriamento,
so
tridimensional,
ligaes
cruzadas,
Essas ligaes acabam por gerar uma
tornando-se insolveis e infusveis, so
configurao
chamados termorrgidos (thermoset).
abrindo
As
responsveis
eletrnica
uma
ligaes
qumicas
so
exatamente
pelas
propriedades
de
distribuio
regio
no
nvel
eletrnica;
molcula,
proibida
de
(gap)
Fermi
da
devido
conduo ou no dos materiais, sendo que
dimerizao do sistema (instabilidade de
um polmero s se torna um condutor
Peierls).[4] Ao alterar a rota de sntese
quando so removidos eltrons (oxidao)
qumica do polmero, altera-se o gap do
ou
material
quando
so
adicionados
eltrons
e,
consequentemente,
suas
(reduo). Esse processo denominado de
propriedades pticas, tais como, o espectro
dopagem. Assim, a caracterstica principal
de absoro, gerando-se novos produtos
dos polmeros semicondutores a mudana
com propriedades eletrnicas diferentes
de suas propriedades (ptica e eltrica) em
das originais.
funo do seu estado de oxidao. Por
No caso dos polmeros conjugados,
exemplo, a mudana de cor conhecida
a absoro da luz pela molcula resulta na
como eletrocromismo o fenmeno de
promoo do eltron de um orbital
mudana das propriedades pticas de um
4
molecular de mais baixa energia para um
orbital
de
mais
alta
energia
, ou
polmeros
condutores
(ou
polmeros
conjugados) pode ocorrer por mecanismos
simplesmente uma transio intrabanda
distintos, definidos na literatura com a
com energia entre 1 a 4 eV (de
formao
1200 a 300nm).
biplarons, que so portadores de carga
Os
polmeros
semicondutores
formam uma nova classe de materiais que

combinam a flexibilidade e facilidade de
de
slitons,
plarons
introduzidos ao longo da cadeia polimrica

pela ionizao da mesma por um aceitador
ou doador de eltrons.
[8 ]
processamento tpico de polmeros, com
O poli(p-fenileno vinileno) (PPV)
propriedades pticas e eletrnicas de
um polmero semicondutor emissor de luz
metais e semicondutores. Eles tornam
que possui estrutura com alternncia de
realidade vrias aplicaes que seriam
ligaes simples e duplas, obtido a partir
impossveis com outros materiais, ou
do processamento e da converso trmica
reduzem
de um polmero precursor no conjugado,
os
existentes.
custos
Exemplos
diversos
de
produtos
podem
como
ser
j
to
revestimentos
poli
(cloreto
tetrahidrotiofeno)
de
(PTHT).
xilideno
A
frmula
anticorrosivos ou antiestticos, baterias
estrutural do PPV apresentada na figura
ultraleves e dispositivos optoeletrnicos
abaixo.
flexveis (lasers, monitores de vdeo

coloridos, fotoclulas e fotodetectores de
grande rea, janelas de transparncia
controlada, papel de parede luminoso, etc).
Figura3. Frmula estrutural do PPV.
Algumas dessas aplicaes j foram

desenvolvidas e fazem parte do nosso dia-
PPV,
alm
da
fcil
a-dia; muitas outras devem estar no
processabilidade e baixo custo, emite luz
mercado em breve.[5]
em varias freqncias do visvel. Assim,
Alguns
descobertos
tm
desses
polmeros
utilizaremos este semicondutor no nosso
outras
propriedades
dispositivo e faremos medidas eltricas na
quando
tentativa de se entender seus mecanismos
conduzem eletricidade, dependendo do
de conduo de carga e sua eficincia no
potencial aplicado. Esses polmeros so
contexto do trabalho.
interessantes:
emitem
luz
conhecidos como LEP - light emitting

polymers. A conduo eletrnica em
2. Metodologia
5
exemplo, o AI (Adobe Illustrator). Em
i) Eletrodo
seguida, o mesmo desenho impresso em

Neste trabalho utilizamos lminas
alta resoluo em um papel transfer,
de vidro recoberto com xido de estanho
comercialmente
dopado com flor (FTO), onde foi
especializadas
confeccionado o eletrodo interdigitado, que
circuitos integrados. Posteriormente
um circuito sobre a camada de FTO,
papel transfer colocado sobre o substrato
como mostra a figura 4.a. O dispositivo
de
contem 24 canais (interdigitado) de 1 mm
transferncia processada com o auxilio
de comprimento por 350 m de largura. A
de uma prensa HT3020 da Ferragini
figura 4.b mostra uma foto dos eletrodos.
Design. O material utilizado foi: Becker,
FTO
encontrado
para
em
lojas
confeco
previamente
lavado.
de
o
acetona, zinco em p fino, substrato FTO,

gua deionizada, pina, HCl 1 M e
multmetro digital. O procedimento segue
as seguintes etapas:
1. Lavagem do substrato com acetona.
(a)
2. Enxge (gua destilada).

3. Secagem.
4. Verificao do lado do FTO com
multmetro.
5. Colocao do papel transfer (lado
FTO).
(b)
6. Levar conjunto para Prensa j

aquecida (~180). O FTO + transfer
Figura 4. a) Representao esquemtica do

dispositivo interdigitado. b)Fotografia de um
substrato de vidro coberto com FTO
modelado no padro de interdigitado.
ii) Preparao
dos
eletrodos
interdigitados:
ficam voltados para cima. A prensa

deve descer paralela base para
evitar que o transfer se desloque da
base. Assim que o tempo de
imprenso (t ~ 45s) terminar, o
apito ir soar e o substrato dever,
Inicialmente o padro do eletrodo
com
cuidado,
ser
retirado
interdigitado desenhado em escala
imediatamente.
Observao:
atravs de um editor grfico vetorial, por
presso ajustada manualmente.
6
7. Passar pasta de zinco no sentido das
deionizada, perxido de Hidrognio e
trilhas (catalisador do cido que ir
hidrxido de amnia (H2O:H2O2:NH4OH)
corroer o FTO no protegido pela
na
tinta). Utilizamos 0,4580g do zinco
durante 1 hora para hidrofilizao do
para 0,5 ml de gua para fazer a
substrato.
proporo
pasta.
5:1:1,
respectivamente,
5 Etapa: substratos descansam em
8. Imerso em cido clordrico 1
gua destilada.
MOL/L. Observao: no se deve

deixar a amostra por mais de 30s na
iv) Preparao dos filmes automontados
soluo para evitar que o HCl+Zn

venha corroer o FTO protegido.
A tcnica utilizada foi a de
9. Enxge (gua destilada).
automontagem,
10. Lavagem com acetona para retirar o
previamente tratado e submerso por um
restante de tinta.
tempo
onde
pr-determinado
substrato
numa
soluo
11. Enxge novamente.
contendo poliction. Em seguida lavado
12. Secagem.
em gua ultrapura (Milli-Q) e submerso

numa soluo contendo polinion por um
iii) Processo de lavagem dos substratos
tempo tambm pr-determinado. No final

do processo obtida uma camada dupla
O material utilizado para lavar o

substrato
foi:
hidrxido
perxido
de
hidrognio
deionizada,
suporte
para
de
amnia,
30%,
gua
substrato
bquer. Utilizamos as seguintes etapas:
(bicamada) que pode ser repetida at

atingir a espessura desejada aps uma
otimizao
dos
parmetros
fsicos
qumicos que envolvem esta tcnica.

Os filmes de PPV foram obtidos a
1 Etapa: lavagem dos substratos,
partir da soluo precursora formada de
suporte de vidro e do bquer com gua
PTHT e DBS (sal de sdio do cido
abundante e detergente.
dodecilbenzenosulfnico). Essa soluo foi
2 Etapa: montagem dos substratos

no suporte de vidro dentro do bquer.
3 Etapa: lavagem dos substratos
com bastante gua destilada.
4 Etapa: banho trmico a 80 C
dos substratos em soluo de gua
preparada como alternativa da tcnica

descrita por Decher e colaboradores de
adsorver ao substrato o poliction depois o
polinion, alternadamente.[6] Os filmes
automontados
de
20
camadas
de
PTHT+DBS seguiram as seguintes etapas:
7
A sntese do PTHT inicia-se a partir
a) Mergulhar o substrato na soluo

do
PTHT/DBS por 30s.
monmero
p-xileno-bis
b) Mergulhar na gua destilada.
(tetrahidrotiofeno) diludo em metanol a
c) Secagem da amostra por spinner.
0oC. A polimerizao ocorre ento pela
d) Repetir as etapas anteriores n vezes,
adio da base (NaOH) e o processo
conforme
numero
de
camadas
finalizado com a adio do cido (HCl),
desejadas; nosso caso n=20.
eliminando os resduos qumicos pelo
Na figura 5 apresentado o esquema de
processo de dilise. A obteno do
montagem dos filmes de PTHT/DBS de 20
polmero conjugado PPV realizada
camadas
atravs de uma converso trmica, na qual
obtidas
pela
tcnica
de
o filme de PTHT submetido a uma etapa
automontagem.
de
eliminao
do
grupo
lateral
tetrahidrotiofeno, como mostra a figura 6.

Entretanto
quando
este
grupo
estabilizado com o contra-on Cl, as

temperaturas de eliminao trmica so
superiores a 200C, como se verifica na
reao (i) esquematizada na figura 6.
Figura 5. Esquema do filme PTHT/DBS de
20 camadas obtidas pela tcnica de SA.
v) Sntese do PPV
As facilidades de processamento
dos
materiais
polimricos
passam
inicialmente pela rota de sntese qumica.

Como o PPV no solvel em solventes
polares ou apolares, utiliza-se uma rota
qumica, denominada rota do precursor
solvel.
Neste
caso,
obtm-se
primeiramente o polmero precursor poli

(cloreto de tetrahidrotiofeno de xililideno)
(PTHT), que solvel at mesmo em gua.
[7]
Figura 6. Esquema do processo de converso

do PPV baixa temperatura: (i) esquema da
rota convencional de tratamento trmico para
obter PPV; (ii) adio do DBS ao PTHT; (iii)
processo de eliminao do grupo de sada
tetrahidrotitiofeno complexado com o contraon DBS a baixas temperaturas (110oC) em
tempos rpidos (30 min).
8
Uma rota alternativa para obter-se
PPV a mais baixa temperatura a troca em
a) Absoro ptica
soluo do contra-on Cl do polmero

As medidas de absoro ptica
precursor PTHT pelo sal de sdio do cido

dodecilbenzenosulfnico
(DBS);
foram
realizadas
utilizando
um
temperatura de converso do PPV
equipamento que tem como fonte de luz
reduzida consideravelmente para 110oC,
uma lmpada de Deutrio-Tungstnio da
como mostra a reao (iii) na figura 6. A
Ocean Optics (modelo Dtmini) operando
vantagem deste procedimento a produo
numa faixa de comprimento de onda de
de filmes polimricos com menos defeitos
200 a 800 nm como mostra o esquema da
estruturais.
Figura 7. A montagem experimental do
Foram produzidas 10 amostras de
tipo caseiro e usa dois espelhos cncavos
filmes finos utilizando a tcnica de
focando o feixe de luz na amostra a ser
automontagem de PTHT/DBS com 20
analisada e consequentemente sendo lido
camadas,
em um espectrofotmetro CCD da Ocean
correspondente
aproximadamente 60 nm de espessura.
ptics (modelo USB 2000).
O substrato de FTO previamente

lavado e hidrofilizado e posteriormente
submerso por um tempo pr-determinado
(t1=30s) na soluo de PTHT (poliction) e
em seguida lavado em gua ultrapura.
Este procedimento repetido utilizando-se
a soluo de DBS (polinion) por tempo
Figura 7. Montagem experimental para

absoro ptica.
pr-determinado (t2=t1), secando-o em

seguida por rotao. No final destes dois
b) Fotoluminescncia
passos obtida uma camada dupla

(bicamada) que foi repetida 20 vezes para
obter a espessura desejada.
Para
converso
As medidas de fotoluminescncia
foram realizadas no Laboratrio de
do
PPV,
Polmeros do Grupo Benhard Gross no
utilizamos as amostra 2,3,4 e 6 que foram
Instituto de Fsica da USP de So Carlos
colocadas em uma estufa a vcuo com uma
utilizando um equipamento Shimadzu
temperatura de 110C por 30 minutos.
spectrofluorophotometer(RF-5301 PC).
vi) Caracterizaes pticas
9
3. Resultados e discusses:
A figura 9 apresenta os espectros de

i) Medidas de absorbncia e
fotoluminescncia
absoro
de
amostras
de
PPV
convertidos vcuo a uma temperatura de

A figura 8 apresenta os espectros de
110C por 30minutos, aps o tratamento
absoro de 6 amostras de PTHT na regio
trmico, os quais mostram uma curva na
do visvel (comprimento de onda que vai ,
regio do visvel com uma banda larga que
aproximadamente, de 350 a 550nm ). Esses
vai de 470 a 525 nm. Todos os espectros
espectros
regies
demonstram comportamentos iguais, o que
caractersticas: uma de 370 a 410nm e a
confirma a hiptese de que os filmes so
outra, bem menor, de 415 a 450 nm. Os
reprodutivos
espectros
demonstram
automontagem. Alm disso, esta banda
comportamentos semelhantes, o que nos
est diretamente associada aos estados no
leva a concluir que o processo de
localizados do PPV, o que confere a este o
deposio reprodutivo. Para comparao,
carter de semicondutor. Esta banda se
o espectro do substrato FTO est presente.
deve presena de segmentos de PPV com
A primeira banda est associada s
vrios tamanhos de conjugao ao longo
transies localizada dos anis de benzeno
da cadeia principal. Devidos a presena de
e ou agregados moleculares do estilbeno. A
defeitos conformacionais e estruturais.
nos
das
mostram
amostras
utilizando
tcnica
de
segunda banda est associada a estados no

1,5
localizados do PPV de diferentes graus de

Absorbncia (u.a.)
conjugao.
0,5
PTHT 1
PTHT 5
PTHT 7
PTHT 8
PTHT 9
PTHT 10
substrato de FTO
Absorbncia (u.a.)
0,4
PPV 2
PPV 3
PPV 4
PPV 6
1,0
0,5
0,3
350
400
450
500
550
Comprimento de onda (nm)

0,2
0,1
350
400
450
500
550
Comprimento de onda (nm)
Figura 8. Espectro de absoro de filmes de

PTHT/DBS depositados sobre o interdigitado
(FTO) obtidos pela tcnica de automontagem,
juntamente com o espectro do substrato de
FTO.
Figura 9. Espectro de absoro de filmes de

PPV depositados sobre o interdigitado (FTO)
obtidos pela tcnica de automontagem.
Na figura 10 apresentamos os
espectros de fotoluminescncia das 6
10
trabalho
575 a 625 nm. E novamente os espectros
(absoro-figura 8) de PTHT, os quais
das amostras demonstraram igualdade de
mostram uma curva na regio do visvel
comportamento reafirmando a hiptese de
com um pico nas proximidades de 475 nm.
o material ser reprodutivo.
amostras
estudadas
neste
Novamente podemos observar que os

350
espectros de todas as amostras so iguais,
PPV 2
PPV 3
PPV 4
PPV 6
300
reafirmando a hiptese de o processamento

250
apresentam trs picos caractersticos. O

primeiro a altas energias (~475nm) se
PL(u.a.)
ser reprodutivo. Basicamente, os espectros
200
150
100
50
refere s transies eletrnicas e os outros

0
dois (~515 e 550nm) s replicas de fnon.
250
PL(u.a.)
450
500
550
600
650
700
(nm)
Figura 11. Medida de fotoluminescncia das

amostras de filmes de PPV, depositado sobre
o interdigitado.
PTHT 1
PTHT 5
PTHT 7
PTHT 8
PTHT 9
PTHT 10
200
400
ii) Caracterizao eltrica
150
100
As medidas de tenso versus
50
corrente das amostras depositadas sobre
0
400
450
500
550
600
650
700
(nm)
interdigitado (FTO), obtido pela tcnica de

automontagem, foram obtidas utilizando
Figura 10. Medida de fotoluminescncia das

amostras de filmes de PTHT/DBS depositado
sobre o interdigitado (FTO) obtidos pela
tcnica de automontagem.
Na
figura
11
encontra-se
os
espectros de fotoluminescncia de 4
um porta-amostra, o qual garante um

contato
hmico
entre
aparato
experimental e o dispositivo. O aparelho

utilizado nas medidas o KEITHLEY,
modelo 2410-c.
amostras de PPV(absoro-figura 9) com
No grfico dado pela figura 12
uma curva apresentando dois picos na
apresentamos o resultado da medida
regio do visvel. O primeiro pico se
eltrica
apresenta nas proximidades de 525nm,
Atravs do ajuste linear dos dados (linha
enquanto que o segundo pico esta prximo
vermelha) obtemos valores de resistncia
de 550nm. Essa curva demonstra tambm
igual a 8,1 x 109 para os 24 pares de
uma pequena banda direita que vai de
eletrodos. Este resultado mostra que o
do
dispositivo
interdigitado.
11
processo
de
corroso
dos
canais
Resistncia do PTHT/DBS:
altamente eficiente, uma vez que a

resistividade do FTO de 10/cm.
Nas
figuras
13.a
13.e
apresentamos os grficos dos resultados

80
para o dispositivo interdigitado contendo
Interdigitado
9
R=8,1428x10
E=0,9999
um filme de 20 camadas de PTHT/DBS, a
Tenso(V)
60
linha vermelha corresponde ao ajuste linear

40
dos dados. Os valores da resistncia de

cada amostra so dados na tabela 1, o que
20
mostra que o material , razoavelmente,

0
0,0
2,0x10
4,0x10
6,0x10
8,0x10
1,0x10
Corrente eltrica (A)
Figura 12. Medida de tenso versus corrente

do interdigitado.
um isolante. Alm disso, que os contatos

metal/polmero podem ser considerados
hmicos.
12
20
15
Tenso (V)
15
Tenso (V)
PTHT/DBS sobre FTO (amostra 7)

10
R=3,4 x10
E=0,99803
20

10
R=3 x 10
E=0,99822
10
10
(b)
(a)
0,0
0,0
-4
-4
2,0x10
2,0x10
-4
-4
-4
4,0x10
6,0x10
-4
4,0x10
6,0x10
20

10
R=3,9 x 10
E=0,99987
15
Tenso (V)
15
Tenso (V)

10
R=3,8 x 10
E=0,99967
20
10
10
(c)
0,0
-4
2,0x10
(d)
-4
-4
0,0
4,0x10
2,0x10
-4
4,0x10
20

10
R=3,7 x 10
E=0,99992
Tenso (V)
15
10
(e)
0,0
-4
2,0x10
-4
4,0x10
-4
6,0x10
Figura 13: Medida de tenso versus corrente da amostra de PTHT/DBS: a) amostra 1; b) amostra
7; c) amostra 8; d) amostra 9; e) amostra 10.
13
Tabela 1: Resistncia das amostras de
PTHT/DBS.
filme de PTHT/DBS de 20 camadas
de Resistncia ()
vermelha corresponde a um ajuste linear.
Amostras
convertidas para PPV a 100oC, a linha
Novamente podemos observar que os
PTHT/DBS
Amostra 1
3 x 1010
contatos
metal/polmero
podem
ser
Amostra 7
3,4 x 1010
considerados hmicos. A resistncia total
Amostra 8
3,9 x 1010
do dispositivo de PPV diminui de 2 ordens
Amostra 9
3,8 x 1010
Amostra 10
3,7 x 1010
de grandeza quando comparado com o

dispositivo de PTHT/DBS, o que nos
mostra que o PPV pode ser considerado
um semicondutor e o PTHT/DBS um
Resistncia do PPV:
isolante. Os valores de resistncia das

amostras de PPV esto dispostas na tabela
Nas
figuras
14.a
14.d
2.
apresentamos os grfico de I vs. V para um
PPV sobre FTO (amostra 2)

8
R=3 x 10
E=0,99892
20
15
Tenso (V)
15
Tenso (V)

8
R=4 x 10
E=0,99986
20
10
10
(a)
(b)
0
0,0
-2
0,0
4,0x10
2,0x10
-2
6,0x10
-2
2,0x10
-2
-2
-2
4,0x10
6,0x10
-2
8,0x10
20

8
R=1,5 x 10
E=0,99012
20

8
R=2,5 x 10
E=0,99984
15
Tenso (V)
Tenso (V)
15
10
10
(d)
(c)
0,0
0,0
-2
3,0x10
6,0x10
-2
-2
9,0x10
-2
4,0x10
8,0x10
-2
-1
1,2x10
Figura 14: Medida de tenso versus corrente das amostras de PPV: a) amostra 2; b) amostra 3;
c) amostra 4; d) amostra 6.
14
Tabela 2. Resistncia das amostras de PPV.

comprimento do canal e considerando o
Amostras de PPV
Resistncia ()
nmero de pares w, a equao 1 pode ser
Amostra 2
3 x 108
reescrita como:
Amostra 3
4 x 108
Amostra 4
2,5 x 108
Amostra 6
1,5 x 10
Atravs das curvas de I vs. V para o

dispositivo (Fig. 12) e os filmes de
PTHT/DBS (Fig. 13) e PPV/DBS (Fig.14)
foi
possvel
equivalentes
obter
com
as
boa
resistncias
aproximao
hmica. Isto verificado na dependncia

aproximadamente linear da corrente com a
ddp
aplicada.
Assim,
os
A R
d w
(2)
A partir do layout dado na figura

4.a, a rea da seco transversal do canal
A = L x e igual a 4,5 x 10-9 m2 e o d
igual a 3,0 x 10-4 m. Os valores de das

amostras de PTHT/DBS, PPV/DBS e
Interdigitado esto listados na tabela 3.
contatos
FTO/PTHT e FTO/PPV so considerados

hmicos para baixos valores de tenso, ou
seja, na faixa de linearidade da camada
Tabela 3. Resistividade mdia das

amostras de PTHT/DBS; PPV e do
interdigitado.
polimrica (V < 150 volts). Lembrando

que o dispositivo possui 24 pares ligados
Dispositivo
(m)
em paralelo e iguais, dividiremos o valor
PTHT/DBS
2 x 104
da resistncia equivalente por 24 para
PPV/DBS
1,7 x 102
Interdigitado
5,1 x 103
encontrar o valor da resistncia em cada

par. Lembrando ainda que na aproximao
hmica a resistividade ser dada por:
Fazendo a mdia da resistividade

para as amostras de PTHT/DBS e PPV,
A
= R
d
conforme mostra a tabela 3, podemos

(1)
onde a resistividade, A a rea da

seco transversal do canal e d
analisar a resistividade de cada dispositivo,

e observar que o dispositivo PPV apresenta
a resistividade menor, o que comprova o
que j mencionamos, que o PPV pode ser
considerado como um semicondutor, com
15
uma ordem de 3 vezes menor que o
reversamente com o objetivo de avaliar a
PTHT/DBS.
difuso de cargas.
Nas figuras 15.a a 15.d so
iii) Estabilidade dos dispositivos
apresentados
os
resultados
para
as
amostras de PTHT/DBS e nas figuras 16.a

Para testar a estabilidade de nossos
a 16.d para as amostras de PPV/DBS. Em
dispositivos, os filmes foram submetidos a
ambos os casos no houve variaes
uma ddp constante (Vcc) igual a 10V pelo
significativas de tenso, demonstrando que
intervalo de 60 minutos, aps decorrido
o dispositivo se manteve estvel nessas
este
condies e temperatura ambiente.
tempo,
ddp
-4
aplicada
PTHT(amostra7)
U=+10V
-4
4,9x10
(a)
-4
4,2x10
PTHT (amostra7)
U=-10V
-4
5,0x10
5,6x10
foi
(b)
-4
4,0x10
-4
3,5x10
10
20
30
40
50
60
Tempo (min)
10
20
30
40
50
60
Tempo (min)
-4
3,5x10
PTHT (amostra 8)
U=+10V
1,8x10
PTHT (amostra 8)
U= -10V
-4
3,0x10
-3
-3
1,5x10
-3
1,2x10
(c)
-4
9,0x10
-4
2,5x10
(d)
-4
2,0x10
-4
1,5x10
-4
6,0x10
-4
1,0x10
10
20
30
Tempo (min)
40
50
60
10
20
30
40
50
60
Tempo (min)
Figura 15. Medida de corrente versus tempo das amostras de PTHT/DBS: a) amostra 7 para
ddp=+10V; b) amostra 7 para ddp=-10V; c) amostra 8 para ddp=+10V; d) amostra 8 para ddp=10V.
16
PPV (amostra3)
U=-10V
-2
9,0x10
PPV (amostra3)
U=+10V
-2
4,50x10
-2
3,00x10
(a)
-2
1,50x10
-2
6,0x10
(b)
-2
3,0x10
0,00
10
20
30
40
50
10
20
60
30
40
50
60
Tempo (min)
Tempo (min)
PPV (amostra4)
U=+10V
-2
PPV (amostra 4)
U= -10
-1
4,8x10
7,50x10
(c)
-2
5,00x10
-1
4,0x10
(d)
-1
3,2x10
-2
2,50x10
-1
10
20
30
40
50
2,4x10
60
Tempo (min)
10
20
30
40
50
60
Tempo (min)
Figura 16. Medida de corrente versus tempo das amostras de PPV: a) amostra 3 para ddp=+10V;
b) amostra 3 para ddp=-10V; c) amostra 4 para ddp=+10V; d) amsotra 4 para ddp=-10V.
como uma rea de grande interesse
Concluses
tecnolgico. No entanto, muitos problemas

Atravs das medidas de absoro e
tecnolgicos relacionados eficincia e ao
fotoluminescncia podemos observar as
tempo de vida do dispositivo ainda no
propriedades pticas dos filmes de PPV e
esto solucionados. Baseados nos dados
concluir
filmes
obtidos, desenvolvemos neste trabalho um
polimricos via a tcnica de automontagem
dispositivo interdigitado de FTO com
reprodutiva.
amplificao de corrente, uma vez que a
que
produo
rea
de
de
polmeros
resistividade destes materiais so altas.
semicondutores relativamente recente na
Atravs das curvas de tenso versus
histria cientifica (dcada de 70) e j to
corrente verificamos que a resistividade no
importante e presente em nossas vidas.
dispositivo base de PPV duas vezes
Apesar disso, os dispositivos eletrnicos e
mais baixa que o dispositivo base de
optoeletronicos
tem
PTHT/DBS, o que nos leva a pensar que o
alcanado enorme sucesso e desponta
PPV pode ser considerado como um
de
polmeros
17
semicondutor, enquanto que o PTHT/DBS
Universidade Federal do Paran. 2005.
pode ser considerado como um isolante, o
167p. Tese de doutorado.
que j era esperado.
[4] Bianchi, Rodrigo., Estudo das
Constatamos ainda, atravs das
propriedades eletrnicas e pticas de
curvas do experimento de I vs. t, que o
filmes e dispositivos polimricos.
dispositivo se mantm estvel condies
Universidade de So Paulo. 2002. 141p.
ambientes ao longo do tempo utilizado.
Tese de doutorado.
Assim, dispositivos de layout interdigitado
[5] Pesquisadores em polmeros ganham
podem ser utilizados com eficincia para
Nobel de Qumica. Polmeros. So
caracterizao da camada ativa de filmes
Carlos, v. 10, n. 3, 2000. Disponvel
finos e apresentam grande potencialidade
em:
em vrias aplicaes.
<http://www.scielo.br/scielo.php?script=sc
i_arttext&pid=S010414282000000300005&lng=pt&nrm=iso>.
Agradecimentos.
Os autores agradecem o apoio

financeiro
das
brasileiras
de
seguintes
fomento
instituies
pesquisa:
Fapemig, CNPq e UFU. Aos integrantes do

GEM
(Grupo
de
Espectroscopia
de
[6]
Paterno,L.G.,
Ultrafinos
Produzidos
Filmes
Pela
Polimricos
Tcnica
De
Automontagem: Preparao, Propriedades e

Aplicaes. Departamento de Engenharia de
Materiais/DEMa-UFSCar, CP 676, 13565-905
So Carlos - SP
Materiais) da Faculdade de Fsica pela
[7] D. D. C. Bradley, J.Phys. D: Appl.
ajuda durante a pesquisa.
Phys. 20, 1389 (1987).
Referncias bibliogrficas
[1]
Mano,
Elosa
B.,
Introduo
polmeros, cap.1, Editora Edgard Blucher,

So Paulo, Brasil (1994)
[2] ] CURSO BSICO INTENSIVO DE

PLSTICOS. Disponvel em: <htpp: //
www. Jorplast.com.br/sees/aulas-5.htm
>.
[3] Berton, Alessandra N.B.,
Eletropolimerizao do 0-aminofenol e
caracterizao de filmes formados.

Propriedades Ópticas de Semicondutores Orgânicos (Polímeros Conjugados)

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1

Propriedades pticas e Eltricas de Semicondutores Orgnicos Base de Polmeros

meros (ou monmeros) se repetem, ou

Polmeros, do grego poli que

estruturas so obtidas atravs de processo

Dependendo da natureza qumica

monmeros[1]. Estes compostos orgnicos

dos monmeros e da tcnica empregada

geralmente formam uma cadeia principal

de tomos de carbono unidos por ligaes

covalentes e, eventualmente ligados aos

diversas conformaes espaciais. Os mais

tomos de carbono, tomos de hidrognio,

oxignio, nitrognio e halognios. O

ramificada ou em rede (reticulada). A

tamanho da molcula polimrica definido

pela sua massa molecular ou ento pelo

numero de monmeros que se repetem ao

determina o grau de polimerizao (n) da

polimerizao o valor mdio do nmero

propriedades fsicas teis, tem pesos

somente uma espcie de monmero est

Figura 2. Representao das cadeias

diferentes de monmeros so empregadas,

polmeros envolvem a estrutura qumica,

comportamento mecnico,[1] como segue:

i) segundo a estrutura qumica,

conforme os grupos funcionais presentes

classificadas em poliamidas, polisteres,

preparao so divididos, em linhas

polmeros de condensao, conforme

potencial externo. Este fenmeno ocorre

em alguns xidos de metais de transio e

subproduto, ou uma reao em que so

em vrias substncias orgnicas e

conseqncia das diferentes propriedades

molculas, como HCl, H2O e KCl;

tecnolgicos, so a base da classificao

advm do fato de existir ao longo da cadeia

principal a alternncia de ligaes simples

termorrgidos. Os polmeros lineares ou

e duplas (polmeros conjugados). Nas

ramificados, que permitem fuso por

ligaes simples, a densidade eletrnica

entre dois tomos se concentra sobre o eixo

que os une e nas ligaes duplas a

termoplsticos. Os polmeros que, por

densidade eletrnica tambm se concentra

aquecimento ou outra forma de tratamento,

entre os tomos, mas de um lado e do outro

sobre o plano que contm os dois tomos.

Essas ligaes acabam por gerar uma

tornando-se insolveis e infusveis, so

chamados termorrgidos (thermoset).

conduo ou no dos materiais, sendo que

dimerizao do sistema (instabilidade de

um polmero s se torna um condutor

Peierls).[4] Ao alterar a rota de sntese

quando so removidos eltrons (oxidao)

qumica do polmero, altera-se o gap do

(reduo). Esse processo denominado de

propriedades pticas, tais como, o espectro

dopagem. Assim, a caracterstica principal

de absoro, gerando-se novos produtos