INFORME DE ELECTRONICA DE POTENCIA

TEMA: Dispositivos de Potencia

OBEJETIVOS:
General
Definir todos los parmetros de funcionamiento, caracterstica y construccin de los
dispositivos de potencia empleando una investigacin seria y profunda del tema para su
correcta aplicacin en las prcticas que se han de realizar.
Especficos
Conocer las caractersticas constructivas, principio de funcionamiento de los Diodos de
potencia.
Analizar los parmetros del diodo de potencia, la curva de voltaje/ corriente y la
proteccin trmica.
Identificar los tipos de diodos de potencia y sus aplicaciones en el campo de la
electrnica de potencia.
MARCO TERICO
DIODOS DE POTENCIA
* Introduccin
Los diodos de potencia juegan un papel importante en los circuitos electrnicos de
potencia, para la conversin de energa elctrica. El diodo funciona como un interruptor
que efecta diversas funciones como por ejemplo; conmutadores en rectificadores,
reguladores conmutados, inversin de carga de capacitor y transferencia de energa
entre componentes, aislamiento de voltaje, regreso de energa de la carga a la fuente
de alimentacin y recuperacin de la energa atrapada.
Los diodos de potencia se parecen a los diodos de seal de unin PN .Sin embargo
los diodos de potencia tienen mayores capacidades de manejo de potencia, voltaje, y
corriente que los diodos ordinarios de seal.
La respuesta a la frecuencia o velocidad de conmutacin es baja, en comparacin a los
diodos de seal.

* Definicin
Los diodos de potencia son bsicamente igual que los diodos llamados normales en
cuanto a funciones bsicas: son rectificadores, pero de mayores dimensiones y pudiendo
soportar mayores tensiones y corrientes, de manera que pueden requerir elementos
disipadores de potencia para evitar el sobrecalentamiento.
Pueden llegar a soportar corrientes de 1000 A y tensiones (inversas) de unos 2000 V.
En general son ms

robustos, de mayor

tamao

que los diodos conocidos por

normales.
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de
recuperacin rpida) y Schottky
Los diodos de uso general estn disponibles hasta 6000 V, 4500 A, con un tiempo de
recuperacin inversa de 25 s y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida
puede llegar hasta 6000 V, 1100 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5
s.
Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de
recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta
con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A.
* Caractersticas constructivas del Diodo de Potencia
El diodo de potencia es la unin de dos mate-riales semiconductores, uno tipo p y otro
tipo n .La interseccin de las regiones dopadas forman la denominado unin P-N.
En la figura se muestra la estructura interna del encapsulado del diodo en el cual se
muestran sus terminales nodo y ctodo as como las terminales semiconductoras.

Estructura interna del Diodo de Potencia

* Curva de V/I de los Diodos de Potencia
Cuando el diodo se polariza en forma directa aparece una curva que nos da los valores
de intensidad en funcin de la tensin entre nodo y ctodo, Hasta que la tensin no
llega a unos 0,6 o 0,7 V (tensin umbral) no se empieza a apreciar una circulacin de
intensidad notable. A partir de dicha tensin la intensidad aumenta en forma brusca;
pequeos aumentos de tensin dan lugar a grandes aumentos de intensidad. Para el valor
nominal de intensidad de funcionamiento la tensin (cada directa) es de
aproximadamente 1 V, en diodos rectificadores de mediana potencia.
El diodo no ofrece pues un valor fijo de resistencia al paso de la corriente; su
resistividad depende de la tensin que tenga aplicada. Entre 0 V y unos 0,7 V (tensin
umbral), su resistividad es muy elevada (por ello no se aprecia casi circulacin de

corriente); a partir de la tensin umbral su resistencia empieza a hacerse muy baja y por
ello la intensidad aumenta bruscamente

- Caracterstica esttica del Diodo de Potencia

La tensin VF que se indica en la curva esttica corriente-tensin se refiere a la cada de

tensin cuando el diodo est conduciendo (polarizacin directa).
La tensin VR representa la tensin de ruptura del dispositivo o lo que es lo mismo, la
mxima tensin inversa que puede soportar el diodo cuando ste est bloqueado
(polarizacin inversa).
- Modelos Estticos del Diodo de Potencia

* Principio de Funcionamiento de los Diodos de Potencia

El Diodo presenta dos estados muy diferentes , que se llaman corte o bloqueo y
conduccin En estado de corte se comporta como un interruptor abierto no circula

corriente y tiene que soportar un valor de tensin inversa que puede ser el orden de
Kv en electrnica de potencia).
Y en estado de conduccin se comporta como un interruptor abierto, circula una
corriente (que puede ser de kA) y parece una pequea tensin entre las terminales
(cada directa).
El diodo permite la circulacin de corriente solo cuando se encuentra en polarizacin
directa, que es cuando el terminal tiene polaridad positiva con respecto al terminal
ctodo; el diodo se comporta entonces como un conductor, y permite la circulacin de
la corriente.

En polarizacin inversa, el terminal ctodo tiene polaridad positiva con respecto al

terminal nodo, no permite el paso de la corriente y se comporta como un aislante. Pero
si se supera un cierto valor de tensin, entonces se produce un efecto de conduccin
brusco que puede deteriorar el diodo.

Caractersticas trmicas
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del
dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature
range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se
ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En
caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima
disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta

refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro
medio (como mica aislante, etc).
Proteccin contra sobreintensidades
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito
en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de
corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en
rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que
es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al
estado de cortocircuito (avalancha trmica).
rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo
"ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden
manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente,
sino incluso con su I2t y su tensin.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se
indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible
el que se destruya y no el diodo.
CONCLUSIONES

- Definimos que los diodos de potencia presentan dos estados contrapuestos. En estado
de conduccin deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada
de tensin, mientras que en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte
tensin inversa.
- Concluimos que cuando el diodo se polariza en forma directa aparece una curva que
nos da los valores de intensidad en funcin de la tensin entre nodo y ctodo hasta que
la tensin no llegue a 0,6 o 0,7 V, y no se empieza a apreciar una circulacin de
intensidad notable.
- Se concluye

que las protecciones trmicas que presentan o que necesitan los

dispositivos de potencia generalmente se utilizan un fusible para cuando hay sobre

-voltajes, sobreintensidades, y tambin

cuando se traspasa al voltaje que ha sido

construido el diodo de potencia, y en si para proteger al circuito completo

- Definimos que las aplicaciones ms comunes de los diodos de potencia son en
conmutadores en rectificadores, reguladores conmutados, inversin de carga

de

capacitor y transferencia de energa entre componentes, aislamiento de voltaje, regreso

de energa de la carga a la fuente de alimentacin y recuperacin de la energa
atrapada.
RECOMENDACIONES
- Recomendamos que se haga una investigacin seria y profunda de cada tema
tomando en cuenta las referencias

bibliogrficas , tecnolgicas y videos tutoriales

para tener una comprensin ms satisfactoria de los temas y definir de forma clara
cada uno.
- Se recomienda hacer un anlisis minucioso de los temas diferenciando cada uno de
las cada tipo de diodos de potencia existentes, dependiendo de sus contenidos para
obtener una visin despejada y sin duda de cuan beneficioso y necesario es abordar
estos temas enfocando las aplicaciones que se pueden a los dispositivos dentro del
circuito.
BIBLIOGRAFIA
Muhammad H. Rashid, 2004, Electrnica de Potencia Circuitos, dispositivos y
aplicaciones, Mxico, Tercera Edicin, Grupo Pearson.

Salvador Martnez Guacia, Juan Andrs Gualda Gil, 2006, Electrnica de potencia,
componente, topologas y equipos, Espaa, Thomson Ediciones Paraninfo S.A.
Antonio Hermosa Donate, 2012, Electrnica Aplicada

CF Instalaciones de

Telecomunicaciones, Espaa, Primera Edicin, Ediciones Tcnicas MARCAMBO.