HIBRIDACIONES DEL CARBONO

La hibridacin consiste en una mezcla de orbitales puros en un estado excitado

para formar orbitales hibridos equivalentes con orientaciones determinadas en
el espacio.

Hibridacin sp3 o tetradrica

Para los compuestos en los cuales el carbono presenta enlaces simples,
hidrocarburos saturados o alcanos, se ha podido comprobar que los cuatro
enlaces son iguales y que estn dispuestos de forma que el ncleo del tomo
de carbono ocupa el centro de un tetraedro regular y los enlaces forman
ngulos iguales de 109 28' dirigidos hacia los vrtices de un tetraedro. Esta
configuracin se explica si se considera que los tres orbitales 2p y el orbital 2s
se hibridan para formar cuatro orbitales hbridos sp 3.

metano CH4

etano CH3-CH3

Hibridacin sp2
En la hibridacin trigonal se hibridan los orbitales 2s, 2p x y 2 py, resultando tres
orbitales idnticos sp2 y un electrn en un orbital puro 2pz .

Un tomo de carbono hibridizado sp2

El carbono hibridado sp2 da lugar a la serie de los alquenos.

La molcula de eteno o etileno presenta un doble enlace:
a.

un enlace de tipo por solapamiento de los orbitales hibridos sp 2

b.

un enlace de tipo por solapamiento del orbital 2 p z

El enlace es ms dbil que el enlace lo cual explica la mayor reactividad de

los alquenos, debido al grado de insaturacin que presentan los dobles
enlaces.
El doble enlace impide la libre rotacin de la molcula.

Modelo de enlaces de orbitales moleculares del etileno formado a partir de dos

tomos de carbono hibridizados sp2 y cuatro tomos de hidrgeno.

Hibridacin sp
Los tomos que se hibridan ponen en juego un orbital s y uno p, para dar dos
orbitales hbridos sp, colineales formando un ngulo de 180. Los otros dos
orbitales p no experimentan ningn tipo de perturbacin en su configuracin.

Un tomo de carbono hibridizado sp

El ejemplo ms sencillo de hibridacin sp lo presenta el etino . La molcula de
acetileno presenta un triple enlace:
a.

un enlace de tipo por solapamiento de los orbitales hibridos sp

b. dos enlaces de tipo por solapamiento de los orbitales 2 p.

Formacin de orbitales de enlaces moleculares del etino a partir de dos tomos

de carbono hibridizados sp y dos tomos de hidrgeno.
Angulo de enlace

Es el formado por las lneas internucleares H - C - H o H - C - C. El ngulo de

enlace determina la geometra que tiene la molcula, y sta a su vez determina
el grado de estabilidad y las propiedades qumicas y fsicas de una sustancia.

Hibridacin sp3
Si los tomos que enlazan con el carbono central son iguales, los ngulos que
se forman son aproximadamente de 109 28' , valor que corresponde a los
ngulos de un tetraedro regular.
Cuando los tomos son diferentes, por ejemplo CHCl 3, los cuatro enlaces no
son equivalentes. Se formarn orbitales hbridos no equivalentes que darn
lugar a un tetraedro irregular. Esta irregularidad proviene de los diferentes
ngulos de enlace del carbono central, ya que la proximidad de un tomo
voluminoso produce una repulsin que modifica el ngulo de enlace de los
tomos ms pequeos. As, el ngulo de enlace del Br - C - Br es mayor que el
tetradrico por la repulsin que originan los dos tomos voluminosos de bromo.

Hibridacin sp2
La molcula tiene geometra trigonal plana en la que los ngulos de enlace H C - C son de 120.

Hibridacin sp
La molcula tiene geometra lineal y el ngulo H - C - C es de 180.
Tipos de hibridacin del carbono
Tipo de
hibridacin

Orbitales

Geometra

sp3

4 sp3

Tetradrica

sp2

3 sp2
1p

sp

2 sp2 p

ngulos

Enlace

109 28

Sencillo

Trigonal plana

120

Doble

Lineal

180

Triple

Longitud de enlace
Es la distancia entre los ncleos de los tomos que forman el enlace.

Radio covalente
Es la mitad de la longitud de un enlace covalente entre dos tomos iguales.
Radios covalentes atmicos en unidades ngstrom ()
Enlaces

Cl

Br

Simple

0.30

0.77

0.70

0.66

0.64

0.99

1.04

1.33

Doble

0.67

0.61

0.55

Triple

0.60

0.55

Enlaces

Distancia C

Energa
Kj/mol

CC

1'54

347

C=C

1'34

598

CC

1'20

811

GEOMETRIA MOLECULAR
Nuestro inters es conocer la manera en que los tomos en las molculas se
ubican para entregarnos una visin tridimensional de la estructura geomtrica
molecular. Hoy da existen muchos mtodos tericos y experimentales para
describir la geometra final de las molculas, sin embargo para nuestros fines
basta
con
ocupar
uno
de
ellos,
elegiremos
el
mtodo VSEPR (Valence Shell ElectronPair Repulsion ) :
La geometra alrededor de un tomo central dado de una molcula, es
aquella que hace mnima la repulsin de los pares de electrones, los
usados para formar enlaces y los no usados que quedan como pares
libres alrededor de cada tomo en la molcula .
Para comprender cabalmente este principio, recordemos que la estrucura
electrnica de molculas en base a la configuracin de octetos,
necesariamente deja en libertad pares de electrones. Obviamente,
estos pares, ubicados alrededor de un tomo que se considere central, deben
situarse de manera que la repulsin electrosttica entre dos pares, sea mnima.
As, lo primero es hacer un balance electrnico de la molcula en base a
octetos, luego decidir cual tomo se considera central para luego analizar que
pasa con los pares de electrones alrededor de ste. Los ejemplos de molculas
que se presentan a continuacin, cubren prcticamente todas las posibilidades
geomtricas posibles de alcanzar.
BeCl2 La idea aqu es que los pares de electrones en los enlaces y los pares
solitarios de un tomo, se posicionen lo ms alejados posibles. Como ejemplos
comencemos con la molcula BeCl2 que tiene la estructura de Lewis sealada.
Ntese que hay dos pares de electrones alrededor de Be, de modo que para
que estos se encuentren lo ms alejados posibles, formarn un ngulo de 180
entre s, generando as la mxima separacin entre los pares de electrones.
Esto nos genera la estructura lineal para BeCl2
BeH2 Este caso es similar al anterior, es lineal, no quedan elibres, todos en los enlaces y produce una conformacin lineal
CO2 Recordar que C (1s22s2 2p2) , contiene 4 e- en la capa de
valencia que corresponden los seleccionados en la figura,
todos se comparten para formar los octetos alrededor de cada
tomo, no permanecen pares de cargas libres y la molcula
es
lineal.
BF3La estructura de Lewis para esta molcula, es la que se presenta a la
izquierda. Aqu el B no presenta pares solitarios sin ocupar y solo est rodeado
por tres pares de electrones que forman enlaces. Es una molcula deficiente en
electrones.

La agrupacin de los F a su alrededor a 120 hace mnima la

repulsin, por lo que la geometra molecular es la que se
muestra, plana formando 120 , un tringulo equiltero
NH3 Vamos a predecir la estructura del NH3 mediante pasos a
seguir durante el procedimiento referidos a la figura de la
izquierda
PASO
Obsrvese que
geometra.

1 Escribir la estructura de Lewis (octeto).

nada se ha establecido an sobre la verdadera

PASO 2 Contar
minimizar
la
electrones y lo
tetradrica

los pares electrnicos y reagruparlos para

repulsin. Esta molcula presenta 4 pares de
mejor que se puede lograr es una redistribucin

PASO 3 Ubique los tomos H en sus posiciones, los tres compartiendo pares
de electrones como se muestra a continuacin
PASO 4 Nombre la estructura de la molcula,
bsese en la posicin de los tomos. Recuerde
que colocar los pares electrnicos determina la
estructura y que la geometra se basa en los
tomos. Es incorrecto afirmar que NH3 es
tetradrico. Realmente, posee una agrupacin
tetradrica de sus pares electrnicos, pero su
geometra,
es
una
pirmide
trigonal.
Hasta el momento hemos tomado casos en que 2, 3 y 4 pares de electrones se
ubican alrededor de un tomo del centro. Sin embargo, esto puede ocurrir con
5 y 6 pares de electrones tambin de modo que conviene mostrar la forma que
todos se agrupan alrededor de un tomo, con el fin de lograr la mnima
repulsin entre ellos. La Tabla a continuacin muestra todos estos casos.

Este esquema lo ocuparemos ahora para deducir la geometra de algunas

molculas tpicas.
XeF4 Debido a que los gases nobles presentan una estructura de capas de
valencia s p completamente ocupadas, siempre se pens que eran
qumicamente inactivos. As, por muchos aos se le consider gases
inertes hasta que en 1960 varios compuestos de Kr, de Xe y de Rn fueron
sintetizados. Un ejemplo es el compuesto XeF 4 cuya estructura de Lewis se
muetra a la derecha.
Ntese que el tomo Xe se encuentra rodeado por
seis pares de electrones, en total 12 electrones que
exige que la forma adquirida por estos sea
octadrica, como se ve en la figura que acompaa.
La estructura geomtrica depender de cmo se
estos pares solitarios y los enlaces se ubiquen. Las
posibilidades son como las que se seala para los
casos a , b a la derecha y, obviamente, debemos
decidir cul de estas dos formas geomtricas es la
correcta.

En el caso a, estos pares

solitarios se encuentran a 90
entre s en cambio, en b estn
separados por 180 y esta es la
geometra ms correcta para
evitar la repulsin de los pares de
electrones solitarios.
La
geometra
experimental
coincide
con
este
anlisis,
muestra los 4 F ocupando el
plano ecuatorial. As, XeF4es
cuadrado plano con el Xe en el
centro
molecular

ESTRUCTURAS GEOMTRICAS DE H2O, NH3 , CH4

Vamos a comparar ahora lo que se logra con las molculas sealadas, puesto
que todas poseen un tomo central con 4 pares electrnicos de los cuales, el
metano los ocupa totalmente y las otras en forma parcial. Lo que se logra es

y se ve claramente que la existencia de pares electrnicos libres disminuyen el

ngulo de la estructura pseudo-tetradrica en estas molculas.

ENLACES MLTIPLES EN VSEPR

Hasta el momento nuestro tratamiento considera slo molculas con enlaces
simples. Para saber como manejar la situacin en molculas con enlaces
dobles, triples etc, tomemos la estructura del ion NO3- para el que se requiere
escribir tres estructuras resonantes

Adems, el ion NO3- se sabe que es planar con ngulos de enlace de

120 y esta estructura planar es la que se espera para tres pares de
electrones solitarios alrededor del tomo central. Esto significa que un doble
enlace debe contarse como un par solitario efectivo en la descripcin de la
geometra molecular. En realidad, esta bien que sea as porque disponer " dos
pares solitarios " en un enlace doble, " los obliga a no ser independientes ".
En VSEPR, enlaces mltiples cuentan como un par
solitario efectivo

MOLCULAS QUE NO CONTIENEN UN TOMO CENTRAL

Para ilustrar estos casos, usemos la molcula METANOL, la estructura de
Lewis se muestra a la derecha y donde se observa que no hay un tomo
central, definido sino que el C y el O forman parte del
centro molecular.
La geometra se puede predecir investigando
previamente como se ordenan los pares solitarios
alrededor de cada uno de los tomos participantes,
que no son de los extremos, esto es, C y O
Ntese que hay 4 pares solitarios de electrones
alrededor del carbono, que lo obligan a adoptar una
forma tetradrico. Alrededor de ste, se ubican 3
tomos H y el tomo O que proviene del grupo OH.
Ahora bien, recordemos que el tomo O en el H 2O
dispone de 2 pares solitarios sin compartir, que hacen
que adopten una geometra angular. En la molcula
metanol, una posicin del agua est ocupada por el
tomo C del CH3 pero preservando la forma angular,
como lo muestra la figura a la derecha.
La geometra final se logra conocer juntando ambas
formas desarrolladas para cada fragmento y se
observa claramente que el H del grupo OH no es lineal
respecto a la lnea de unin C-O sino que forma un
ngulo muy parecido al que corresponde al agua. La
ltima la figura a la izquierda nos entrega la forma final que debe adoptar el
Metanol, con un entorno tetradrico alrededor del tomo C y una forma angular
alrededor
del
tomo
O.
I-3 : ion azida. La estructura electrnica de Lewis para este ion es la que
aparece en la figura a la izquierda. All podemos observar que, si bien no
existen enlaces mltiples, el tomo central acomoda en total 10 e 's ocupando

orbitales atmicos d superiores. en todo caso, como tomo central maneja 5

pares de electrones de los cuales, 2 forman los enlaces y los otros tres deben
agruparse de modo que la repulsin electrnica sea mnima.
La estructura a describe el caso en que dos de los pares
solitarios salen perpendicular al plano formado por los
tomos y formando un ngulo de 90 con el tercer par
solitario (en el plano de los tres tomos de Iodo).
La estructura b produce otra agrupacin de los pares
solitarios, que tambin forman 90 entre s y finalmente, la
figura c ubica los tres pares solitarios formando 120 entre s
logrando la mnima repulsin.
La geometra c es la que corresponde al resultado
experimental
y
la
molcula
I-3 es
lineal.

REDES DE BRAVAIS
Editar 0 5

Las Redes de Bravais o celdas unitarias, son paraleleppedos que constituyen

la menor subdivisin de una red cristalina que conserva las caractersticas
generales de toda la reticula, de modo que por simple traslacin del mismo,
puede reconstruirse el slido cristalino completo.
En funcin de los parmetros de la celda unitaria, longitudes de sus lados y
angulos que forman, se distinguen 7 sistemas cristalinos.
Ahora bien, para determinar completamente la estructura cristalina elemental
de un slido, adems de definir la forma geomtrica de la red, es necesario
establecer las posiciones en la celda de los tomos o molculas que forman el
slido cristalino; lo que se denominan puntos reticulares.

El automiun, smbolo de la capital de Europa, Bruselas. Representa uno de los

poliedros cristalogrficos del hierro, un cubo con un tomo en el centro y otro

en cada uno de los vrtices. Tiene 103 m de altura, y puedes ver que el cubo
est girado hacia nosotros.
Combinando los 7 sistemas cristalinos con las disposiciones de los puntos de
red mencionados, se obtendran 28 redes cristalinas posibles. En realidad,
como puede demostrarse, slo existen 14 configuraciones bsicas, pudindose
el resto obtener a partir de ellas. Estas estructuras se denominan redes de
Bravais:

NDICES DE MILLER
Los tomos en un slido estn empaquetados, con lo que existe un cierto
grado
de
orden:
- de corto alcance (slidos moleculares, con enlaces fuertes- covalentes- entre
tomos y ms dbiles van der Waals- entre molculas ).
de
largo
alcance
(slidos
cristalinos)
En el interior de un slido cristalino existe una estructura cristalina formada por

una red espacial, en cada punto de la cual se sitan grupos de tomos

idnticos
en
composicin
y
orientacin
(base).
La geometra de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de
tomos sin dejar huecos, caracterstica que hace que slo existan 14 tipos de
redes posibles (redes de Bravais), caracterizadas por una celda unitaria cada
una, que, a su vez viene definida por una serie de parmetros (a,b,c y , , ).
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los
ndices de Miller (para planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir
considerando como el plano corta a los ejes cristalogrficos principales del
slido. La aplicacin de un conjunto de reglas conduce a la asignacin de los
ndices de Miller (hkl); un conjunto de nmeros que cuantifican los cortes y que
slo puede usarse para identificar un plano o una superficie.
El siguiente procedimiento que permite asignar ndices de Miller est
simplificado y slo sirve para el sistema cbico (con celda unitaria de
dimensiones
a
x
a
x
a
).

Para ilustrar el procedimiento, consideremos la siguiente superficie /plano:

Paso 1: identificar las intersecciones con los ejes x, y,z.

En este caso la interseccin con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es
paralela a los ejes y, z (consideramos que los corta en ). Los cortes son a, ,
.
Paso
2:
especificar
los
cortes
en
coordenadas
fraccionarias.
Las coordenadas se convierten en fraccionarias dividindolas por la dimensin
de la celda unidad. Por ejemplo un punto (x,y,z) en una celda unidad de
dimensiones a x b x c, tiene las coordenadas fraccionarias (x/a, y/b, z/c).

En nuestro caso ( celda cbica), las coordenadas fraccionarias sern: a/a,

/a,
/a,
es
decir
1,,
.
Paso 3: obtener los reciprocos de las coordenadas fraccionarias
Este paso final genera los ndices de Miller que, por convencin, han de
especificarse sin estar separados por comas. Los ndices se encierran entre
parntesis () cuando se especifica una nica superficie como en este ejemplo.
Los recprocos de 1 y , son 1 y 0, respectivamente, lo que nos conduce a
(100). Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cbico.
Otros
1-

La

superficie

ejemplos:
(110)

cortes: a,a, ; cortes fraccionarios: 1,1, ; ndices de Miller: (1,1,0)

2-

La

superficie

(111)

cortes: a,a,a ; cortes fraccionarios: 1,1,1 ; ndices de Miller: (1,1,1)

Las superficies consideradas hasta ahora (100), (110) y (111) son las
llamadas superfcies de ndice bajo de un cristal cbico (el termino bajo hace
referencia a que los ndices son 0 o 1). Estas superficies tienen especial
importancia, pero hay un nmero infinito de otros planos que pueden definirse
usando
los
ndices
de
Miller.
3-

Las

superficies

(210)

cortes: a/2, a,; cortes fraccionarios: 1/2, 1, ; ndices de Miller: (210)

Notas
adicionales:
(i) en algunos casos los ndices de Miller se multiplican o dividen por algn
factor comn para simplificarlos. Esta operacin simplemente genera un plano
paralelo que est a distancia diferente del origen de la celda particular
considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al dividir por dos)
(ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes, el signo negativo
debe aparecer en el ndice de Miller (ejemplo (00-1) se escribe (001)
(iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes pricipales, por tanto
deben
usarse
cuatro
ndices
de
Miller
(ejemplo
(0001))

En el dibujo las tres superficies estn relacionadas por los elementos de

simetra del cristal cbico y son totalmente equivalentes. De hecho hay un total
de 6 caras relacionadas por elementos de simetra y equivalentes a la
superficie (100), cualquier superficie que pertenezca a este conjunto de
superficies de simetra equivalente puede ser descrita por la notacin {100}, en
la que los ndices de Miller de una de las superficies estn representados entre
llaves.
En el sistema cbico el plano (hkl) y el vector [hkl], definido con respecto al
origen, son perpendiculares. Esta caracterstica es nica del sistema cbico y
no
se
puede
aplicar
a
sistemas
de
simetra
inferior.

La

distancia

entre

planos

en

el

sistema

cbico

viene

dada

por:

Ejemplo
MIL1
Determinar los valores de la interseccin con los ejes x, y, z de un plano cuyos
ndices de Miller son (362). Suponiendo que dicho plano pertenezca a una
estructura cristalina cbica de parmetro de red igual a 3.5 A, calcular la
distancia
interplanar.

A partir de los ndices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3,
1/6, 1/2 y se reducen a fracciones equivalentes con los nmeros enteros
menores posibles (aplicando el mcm= 6), obtenindose 1/2,1,1/3. Los cortes
con
los
ejes
sern,
por
tanto
x=2,
y=1,
z=3.
La

distancia

entre

estos

planos

se

obtiene

partir

de:

MATERIALES AISLANTES CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES

AISLANTES:
Se denomina aislante elctrico al material con escasa conductividad elctrica.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se
establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia
de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material, el
aislante es el que posee ms de 4 electrones en su ltima capa de valencia.
TIPOS Y CARACTERISTICAS:
Aislantes Slidos: Un buen aislante entre vueltas de las bobinas de
transformadores es el cartn prensado, el cual da forma a estructuras de
aislamiento rgidas. En los sistemas de aislamiento de transformadores
destacan las cintas sintticas, que se utilizan para envolver los conductores
magnticos de los bobinados.
Aislantes Lquidos: Los fluidos o lquidos dielctricos cumplen la doble funcin
de aislar los bobinados en los transformadores y disipar el calor al interior de
estos equipos. El lquido dielctrico ms empleado es el aceite mineral. El
problema es que es altamente inflamable. Fluidos dielctricos sintticos,
(hidrocarburos) con alto punto de inflamacin.
Aislantes Gaseosos: Los gases aislantes ms utilizados en los transformadores
son el aire y el nitrgeno, este ltimo a presiones de 1 atmsfera. Estos
transformadores son generalmente de construccin sellada. El aire y otros

gases tienen elevadsima resistividad y estn prcticamente exentos de

prdidas dielctricas.
El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se
establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia
de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material
(para ms detalles ver semiconductor).
Los materiales aislantes son mejor conocidos como aquellos que tiene sus
electrones de valencia relativamente fijos formando enlaces no conductores
elctricos.
Ejemplos: Oxigeno, azufre, diamante.
El aislante perfecto para las aplicaciones elctricas sera un material
absolutamente no conductor, pero ese material no existe. Los materiales
empleados como aislantes siempre conducen algo la electricidad, pero
presentan una resistencia al paso de corriente elctrica hasta 2,5 1024 veces
mayor que la de los buenos conductores elctricos como la plata o el cobre.
Estos materiales conductores tienen un gran nmero de electrones libres
(electrones no estrechamente ligados a los ncleos) que pueden transportar la
corriente; los buenos aislantes apenas poseen estos electrones. Algunos
materiales, como el silicio o el germanio, que tienen un nmero limitado de
electrones libres, se comportan como semiconductores, y son la materia bsica
de
los
transistores.
En los circuitos elctricos normales suelen usarse plsticos como revestimiento
aislante para los cables. Los cables muy finos, como los empleados en las
bobinas (por ejemplo, en un transformador), pueden aislarse con una capa
delgada de barniz. El aislamiento interno de los equipos elctricos puede
efectuarse con mica o mediante fibras de vidrio con un aglutinador plstico. En
los equipos electrnicos y transformadores se emplea en ocasiones un papel
especial para aplicaciones elctricas. Las lneas de alta tensin se aslan con
vidrio,
porcelana
u
otro
material
cermico.
La eleccin del material aislante suele venir determinada por la aplicacin. El
polietileno y polietileno se emplean en instalaciones de alta frecuencia, y el
millar se emplea en condensadores elctricos. Tambin hay que seleccionar los
aislantes segn la temperatura mxima que deban resistir. El tefln se emplea
para temperaturas altas, entre 175 y 230 C. Las condiciones mecnicas o
qumicas adversas pueden exigir otros materiales. El nylon tiene una excelente
resistencia a la abrasin, y el neopreno, la goma de silicona, los polisteres de
epoxi y los poliuretanos pueden proteger contra los productos qumicos y la
humedad.
Cul es la diferencia existente entre conductor, semiconductor y aislante?
Es sencillo, los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4
electrones en la capa de valencia, el semiconductor es aquel que posee 4
electrones en la capa de valencia y el aislante es el que posee ms de 4
electrones en la capa de valencia.
Algunos aislantes mas usados:

 Vinilo: tienen como funcin principal aislar y empalmar cables de baja

tensin (usualmente mximo hasta 600 Volts). Tambin son usados como
respaldo y proteccin contra UV (instalaciones tipo exterior) en las chaquetas
de
cables
de
media
tensin.

Caucho: asla conductores elctricos y permiten empalmes con la

particularidad de que se pueden consolidar como una sola pieza de caucho
despus del enrollado, lo que adicional mente protege contra la humedad.
Tela de vidrio: asla elctricamente cables en baja tensin pero con una
aplicacin para temperaturas altas, usualmente superiores a los 150C e
inferiores a 300C. Por otro lado, una aplicacin comn de estas cintas es el
amarre mecnico, ya que su tensin de ruptura puede ser hasta 10 veces
superior
a
la
de
las
cintas
de
vinilo.

CONDUCTORES
Un conductor es un material a travs del cual puede fluir la corriente elctrica.
Para ser un conductor, un material debe contener cargas elctricas libres. Hay

muchos tipos de conductores, y difieren en el tipo de cargas libres disponibles y

en cmo son creadas.

En materiales como los metales, algunos electrones no se hallan ligados a sus

tomos individuales, sino que son libres de moverse a travs del material: en
efecto son compartidos por todos los tomos.

Esas partculas sueltas reciben el nombre de electrones de conduccin. En un

metal como el cobre, aproximadamente un electrn por tomo es de ese tipo.
Los metales son los conductores ms comnmente usados.

Para que un material que transporte electricidad sea asequible, debe

ser barato y buen conductor elctrico, por lo cual el cobre es ideal ya que
rene esas dos caractersticas. Por ello es el conductor ms usado, como por
ejemplo en los cables elctricos de las casas.

El aluminio es tambin usado ocasionalmente con esa finalidad, pero no es tan

buen conductor como el cobre. En situaciones en las que el coste no es una
objecin, como en los satlites espaciales, en los circuitos elctricos se usa el
oro y la plata porque son ligeramente mejores conductores que el cobre,
aunque son mucho ms caros.
Conductores: En los conductores slidos la corriente elctrica es
transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases, lo
hace por los iones.
Conductores slidos: Metales
Caractersticas fsicas:

estado slido a temperatura normal, excepto el mercurio que es

lquido.

opacidad, excepto en capas muy finas.

buenos conductores elctricos y trmicos.

brillantes, una vez pulidos, y estructura cristalina en estado slido.

dureza o resistencia a ser rayados;

resistencia longitudinal o resistencia a la rotura;

elasticidad o capacidad de volver a su forma original despus de

sufrir deformacin;
maleabilidad o posibilidad de cambiar de forma por la accin del
martillo; (puede batirse o extenderse en planchas o laminas)
resistencia a la fatiga o capacidad de soportar una fuerza o
presin continuadas
ductilidad: permite su deformacin forzada, en hilos, sin que se
rompa o astille.
Caractersticas qumicas:
Valencias positivas: Tienden a ceder electrones a los tomos con
los que se enlazan.
Tienden a formar xidos bsicos.
Energa de ionizacin baja: reaccionan con facilidad perdiendo
electrones para formar iones positivos o cationes
Caractersticas elctricas:
mucha resistencia al flujo de electricidad.
todo tomo de metal tiene nicamente un nmero limitado de
electrones de valencia con los que unirse a los tomos vecinos.
superposicin de orbitales atmicos de energa equivalente con
los tomos adyacentes
La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se
explica as por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones,
provocado por la absorcin de energa trmica.

Ejemplos de metales conductores: Cobre. Este material es un

excelente conductor de las seales elctricas y soporta los problemas de
corrosin causados por la exposicin a la intemperie, por eso se usa para los
cables. Tambin el aluminio es un buen conductor. La ms baja conductividad
elctrica la tiene el bismuto, y la ms alta (a temperatura ordinaria) la plata.
Conductores lquidos:
El agua, con sales como cloruros, sulfuros y carbonatos que actan
como agentes reductores (donantes de electrones), conduce la electricidad.
Algunos otros lquidos pueden tener falta o exceso de electrones que se
desplacen en el medio. Son iones, que pueden ser cationes, (+) o aniones (-).
Conductores gaseosos:
Valencias negativas (se ioniza negativamente)
En los gases la condicin que implica el paso de una corriente se
conoce como el fenmeno de descarga o "ruptura" elctrica del gas: paso de
un comportamiento no conductor (baja corriente) a conductor.
Tienden a adquirir electrones

Tienden a formar xidos cidos.

Ejemplos: Nitrgeno, cloro, Nen (ionizados)

Semiconductores
Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante,
pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de
conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es
una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el
cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos
aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A
temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como
aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en
presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de
forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales.

Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado

slido.
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar
a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa
necesaria
para
saltar
a
la banda
de
conduccindejando
el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y
el germaniorespectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los
electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda
de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este
fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece invariable. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas
negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (25c):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.5 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se
producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern
a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4
capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado
aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.
Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso

de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce
el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen
una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con
cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones
de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina
en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son
losportadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn
extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn
libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y
el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de
cero.
Semiconductor tipo p
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han
perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso
del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla
peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los
del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se
ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva.
Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que

contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P

que se produce de manera natural.

La caracterstica comn que presentan los semiconductores, como el silicio o el

germanio, es la de poseer cuatro electrones en su capa de valencia. Esta
estructura electrnica permite la agrupacin de los tomos, formando una
estructura reticular en la que cada uno de ellos queda rodeado por otros cuatro.
Entre dichos tomos se establece un enlace covalente, por comparticin de un
par de electrones.
A bajas temperaturas, la estructura del semiconductor se establece y se
comporta como un aislante. No obstante, al aumentar la temperatura y debido a
la proximidad de la banda de conduccin, algunos electrones abandonan la
capa de valencia y pasan a la de conduccin. Estos electrones contribuyen a
establecer una corriente elctrica cuando se aplica un campo elctrico exterior.
Al mismo tiempo, su paso a la banda de conduccin origina un hueco en la
banda de valencia. Ese hueco permite que los electrones de la capa de
valencia adquieran cierta movilidad al desplazarse para rellenarlo,
producindose as nuevos huecos.
Existe, por tanto, una conduccin por huecos. Dado que el hueco representa
la falta de un electrn, su movimiento puede considerarse equivalente al de una
carga +e positiva.
Se establece, por tanto, una doble conduccin en el semiconductor: por un
lado, la correspondiente a los electrones que han saltado a la banda de
conduccin, y por otro, la que corresponde al movimiento de los huecos en la
banda de valencia.
A esta conductividad de los semiconductores se le denomina conductividad
intrnseca, por ser propia del semiconductor. Como ya hemos dicho, la
conductividad intrnseca depender de la temperatura, aumentando a medida
que lo haga sta.

Para evitar el efecto de la temperatura se modifica la conductividad de los

semiconductores de una forma ms estable, aadiendo pequeas cantidades
de otro elemento, denominadas impurezas, mediante un proceso denominado
dopado del semiconductor.

PORTAFOLIO DE EVIDENCIA

ESTRUCTURA Y PROPIEDAD
DE LOS MATERIALES