Dispositivos e Circuitos Eletrnicos I

Prof. Taciana P. Enderle

Material Prof. Julio Bolacell
Introduo
Miniaturizao crescente.
Sistemas completos so implementados em CIs que so centenas de vezes
menores que um nico componente.
CIs possuem mais de dez milhes de transistores.
O Diodo Ideal
As caractersticas de um
diodo ideal so as de uma
chave que teria a capacidade
de conduzir corrente em um
nico sentido.
O Diodo Ideal
O Diodo Ideal se comporta, como um curto circuito na regio de conduo.
O Diodo Ideal
O Diodo Ideal se comporta, como um circuito ABERTO na regio de NO
conduo.
O Diodo Ideal
At que ponto a resistncia direta de um diodo real equivalente ao valor
desejado de 0 ?
A resistncia de polarizao reversa grande o suficiente para permitir uma
aproximao de circuito aberto?
Materiais Semicondutores
Qualquer elemento da natureza possui inumerveis
propriedades fsicas e qumicas.
A nica que nos interessa a facilidade para permitir a
passagem de eltrons.
Isto, conhecido como corrente eltrica.

Um material que permita facilmente esta passagem se diz

que tem boa condutividade.
Tipos de materiais
Na natureza existem trs tipos de mate- riais conforme o seu
comportamento diante da passagem da corrente eltrica:
Condutor
A passagem de eltrons de um lado para o outro se produz
livremente sem nenhum tipo de impedimento.
Analogia pode ser feita com a gua escoando por um tubo.
Isolante
Em isolante difcil o movimento dos eltrons impedindo, portanto, a
passagem da corrente.
Analogia pode ser feita agora como se fosse colocado uma tampa ao tubo
dgua.
Semicondutor
Em um semicondutor possvel a passagem de eltrons, no to
facilmente como nos condutores.
Analogia pode ser feita como se fosse uma tubagem com uma grelha
de borracha que pudssemos fechar ou abrir conforme as
necessidades.
Resistividade
Resistividade () Inversamente relacionada a condutividade.
Quanto maior a condutividade menor o nvel da resistncia.
Materiais Semicondutores
O Germano e o Silcio so os materiais semicondutores que mais tem
despertado o interesse, isso por vrias razes:
Fabricados com um alto nvel de pureza;
Capacidade de alterao radical das caractersticas do material por meio de
dopagem.
Materiais Semicondutores
Algumas qualidades do Ge e do Si se devem a suas estruturas atmicas.
O tomo composto de trs partculas bsicas: eltron, prton e nutron.

Eltrons de Valncia
Ge tem 32 tomos que orbitam e o Si 14.
4 deles esto na ltima camada (valncia).
Semicondutores
Em semicondutores necessrio alguma interferncia para que os
eltrons de valncia possam produzir uma corrente eltrica.
Isso pode ser feito de duas formas diferentes.
Aquecimento (1a Forma)
A primeira aquecendo-o:
Os eltrons de valncia abandonam o seu lugar e deixam um
buraco que chamamos de lacuna.
Os eltrons possuem carga negativa produz assim uma falta
desta carga.
Dopagem (2a Forma)
A segunda o que se conhece por dopagem:
A tcnica
estrutura
dele uma
elemento

da dopagem consiste simplesmente em alterar a

interna de um semicondutor, acrescentando dentro
pequenssima quantidade de tomos de outro
bastante similar ao original.

Ao dopar um semicondutor se produz um grande aumento da

sua permissividade passagem da corrente.
Assim, podemos criar dois tipos de Semicondutores o chamado tipo
P e o tipo N.
Tipo P
Quando ao dopar introduzimos tomos com trs eltrons de
valncia num elemento com quatro.
Estamos formando um semicondutor tipo P, vindo o seu nome
do excesso de carga positiva que tm estes elementos.
Tipo P
Tipo N
Se os tomos acrescentados tm cinco eltrons na sua ltima
camada o semicondutor se denomina de tipo N, por ser mais
negativo.

Neste tipo de materiais temos um quinto eltron que no se

recombina com os outros e que, portanto, est livre e vaga
pelo elemento produzindo corrente.
Tipo N
Portadores majoritrios e minoritrios
Quando existe corrente dentro de um material vimos que devida
eltrons movendo-se para um lado e a lacunas deslocando-se em
sentido contrrio.
Mas, as quantidades de uns e outros no tm porque serem iguais
nem parecidas, isto depende do material atravs do qual circula a
corrente.
Chamamos portadores majoritrios aqueles que contribuam
passagem da corrente em "maior" medida e, obviamente, os
minoritrios sero aqueles que o faam em menor medida.
Portadores majoritrios e minoritrios
Se temos um material tipo N pelo que circula corrente, os
portadores majoritrios sero os eltrons que "sobram" pela dopagem
junto com os eltrons que "saltam" devido ao calor
Os portadores minoritrios sero as lacunas produzidas ao irem embora
os eltrons do seu lugar.
Pelo contrrio, num semicondutor tipo P os portadores
majoritrios sero os buracos que tem em "excesso" pela dopagem
mais os buracos que se produzem por efeito do calor,
E os portadores minoritrios sero os eltrons que "saltaram" do seu
lugar.
Material tipo n e tipo p
Em um material tipo n o ELETRON chamado de portador majoritario, e
a LACUNA chamado de portador minoritrio.
Material tipo n e tipo p
Em um material tipo p a LACUNA chamada de portador majoritario, e
o ELETRON chamado de portador minoritrio.
Unio P-N
Chegando a este ponto, qualquer pessoa com um pouco de
curiosidade deve ter-se feito a seguinte pergunta: o que
que aconteceria se se juntasse um "pedao" de material tipo
P com um "pedao" de material tipo N?

Isso o que se conhece como juno P-N.

Como eletrnicos que somos, apenas nos interessa algo muito
concreto desta unio, o seu comportamento passagem de
corrente eltrica.
Unio P-N
Acontece que os eltrons que sobram ao material tipo N se
acomodam nos buracos que sobram do material tipo P.
Mas, ateno!
No todos os de um bando se passam ao outro, apenas o
fazem os que esto muito perto da fronteira que os separa;
Barreira de Potencial
Uma vez que j tenham passado certa quantidade de eltrons
comea a haver uma concentrao maior do normal, o que
provoca a repulsa entre eles.
Portanto, se chega a um equilbrio.
Assim, diz-se que se criou uma barreira de potencial.
Barreira de Potencial
Uma barreira de potencial simplesmente uma oposio a
que continuem passando os eltrons e lacunas de um lado
para o outro.

Esta situao permanecer inaltervel enquanto no fizermos

nada externo para modific-la.
Para compensar o efeito dessa barreira de potencial
precisamos de outro potencial fornecido por ns, por exemplo,
uma bateria.
Diodo Semicondutor
O diodo formado pela unio destes materiais.
A aplicao de uma tenso em seus terminais permite trs
possibilidades:
Nenhuma polarizao (VD=0)
Polarizao reversa (VD<0)
Polarizao direta (VD>0)

Diodo Semicondutor
Sem Polarizao
Na falta de uma tenso de polarizao, o fluxo de carga em
qualquer sentido para um diodo semicondutor zero .
Diodo Semicondutor
Polarizao Reversa
A corrente existente sob condies de polarizao reversa
chamada de corrente de saturao reversa e apresentada por IS.
Diodo Semicondutor
Polarizao Reversa
As lacunas livres do tipo P se recombinam com os eltrons
que procedem do polo negativo da bateria, e os eltrons
livres do tipo N so absorvidos por esta, afastando-se tanto
lacunas como eltrons da unio.
Diodo Semicondutor
Polarizao Direta
Um diodo semicondutor polarizado diretamente quando
estabelecida a associao do potencial Positivo ao material do tipo
P e do Negativo ao material tipo N.
Diodo Semicondutor
Ao polarizar diretamente uma unio P-N o polo negativo da
bateria est injetando eltrons ao material N, ao passo que o
polo positivo recebe eltrons do lado P criando-se assim uma
corrente eltrica.
VD > 0 V
Diodo Semicondutor
Fora os eltrons do material do tipo n e as lacunas no material do tipo p a
se recombinarem com os ons prximos da fronteira e a reduzirem a largura
da REGIO DE DEPLEO.
Diodo Semicondutor
A diferena entre um diodo real e um diodo ideal:
O primeiro vai permitir a corrente num sentido - no
livremente - mas que oferece uma pequena resistncia

Ao polarizar-se inversamente, no corta a corrente de uma

maneira categrica, mas, como vimos na unio P-N, h uma
pequena corrente em sentido contrrio.
Se a diferena de potencial existente entre os extremos do
diodo fosse suficientemente grande, esta corrente inversa
comearia a aumentar de maneira considervel.
O Diodo Ideal
O Diodo Real
Corrente de Saturao Reversa
Is Corrente de saturao reversa.
Atinge valor mximo rapidamente e no muda com aumento de V.
ID = Is
VD < 0 V
Diodo semicondutor de Silicio
Regio Zener
A corrente aumenta a uma taxa muito rpida na direo oposta.
O potencial mximo de polarizao reversa que pode ser aplicado antes que
o diodo entre na regio Zener chamado de tenso de pico inversa.
Vz Regio de avalanche
Podem ser conectados em paralelos para aumentar o fluxo de corrente.
Em Serie aumenta o Tenso.
Silcio x Germnio
Efeitos da Temperatura
A corrente de saturao reversa Is, ter sua amplitude praticamente
dobrada para cada aumento de 10oC na temperatura
Is para o Silicio so muitos menores p/ mesmos nveis de corrente e
potncia.
Explica pq o Silicio desfruta um desenvolvimento e utilizao maior
Comparao dos diodos de Si e Ge
Efeitos da Temperatura
A tenso de ruptura cresce com o aumento de temperatura mas observe
aumento indesejavel de Is.

Medida temperatura aumenta as curvas caracteristicas mais ideais tem

efeito prejudicial : Corrente diodo, potncia maxima
Curva Caracteristica do diodo com mudana da temperatura