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16. Beta es muy sensible a la temperatura y VBE se reduce aproximadamente 2.5 mV (0.0025
V) por cada 1 de incremento de temperatura en la escala Celsius. La corriente de saturacin
en inversa por lo general se duplica por cada incremento de 10 de la temperatura Celsius.
17. Tenga en cuenta que las redes ms estables y menos sensibles a los cambios de temperatura
tienen los factores de estabilidad mnimos.
Ecuaciones
IE = 1b + 12IB IC,
VBE = 0.7 V,
Polarizacin fija:
IB =
VCC - VBE
,
RB
IC = bIB
IC = bIB
IB =
Ri = 1b + 12RE
VCC - VBE
,
RB + 1b + 12RE
RTh = R1 7 R2,
ETh - VBE
R2VCC
,
IB =
RTh + 1b + 12RE
R1 + R2
Aproximada: Pruebe la condicin bRE 10R2
Exacta:
VB =
ETh = VR2 =
R2VCC
,
R1 + R2
VE = VB - VBE,
IE =
VE
IC
RE
VCC - VBE
,
RB + b1RC + RE2
IB =
Base comn:
IE =
VEE - VBE
,
RE
IC IC IE
IC IE
VCC
,
RC
ICsat =
IB 7
ICsat
b cd
Rsat =
VCEsat
ICsat
tencendido = tr + td,
tapagado = ts + tf
Factores de estabilidad:
S1ICO2 =
S1ICO2:
IC
,
ICO
Polarizacin fija:
Polarizacin de emisor:
S1VBE2 =
IC
,
VBE
S1ICO2 = b + 1
S 1ICO2 = 1b + 12
S1b2 =
IC
b
1 + RB>RE*
1b + 12 + RB>RE
S1VBE2:
Polarizacin fija:
S1VBE2 = -
Polarizacin de emisor:
S1VBE2 =
RB
- b
RB + 1b + 12RE
S1b2:
Polarizacin fija:
S1b2 =
Polarizacin de emisor:
S1b2 =
IC1
b1
IC111 + RB>RE2
b 111 + b 2 + RB>RE2
RESUMEN
Conclusiones y conceptos importantes
1. Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vaco o
bulbos. Son (1) ms pequeos, (2) ms livianos, (3) ms robustos, y (4) ms eficientes.
Adems, no requieren (1) calentamiento, (2) ni calentador, y conducen (3) voltajes de
operacin mas bajos.
2. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras que tienen una base o capa central mucho ms delgada que las otras dos. Las dos capas externas
son de materiales tipo n o p, con la capa emparedada de tipo opuesto.
3. Una unin p-n de un transistor se polariza en directa, en tanto que la otra se polariza en
inversa.
4. La corriente directa en el emisor siempre es la corriente ms grande de un transistor, en
tanto que la corriente de la base es la ms pequea. La corriente en el emisor siempre es
la suma de las otras dos.
5. La corriente del colector consta de dos componentes: el componente mayoritario y la
corriente minoritaria (tambin llamada corriente de fuga).
6. La flecha en el smbolo del transistor define la direccin del flujo de corriente convencional en el emisor y por lo cual define la direccin de las otras corrientes del dispositivo.
7. Un dispositivo de tres terminales requiere dos conjuntos de caractersticas para definir
por completo sus caractersticas.
8. En la regin activa de un transistor, la unin base-emisor se polariza en directa, en tanto
que la unin colector-base se polariza en inversa.
9. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en inversa.
10. En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.
11. En promedio, como una primera aproximacin, se puede suponer que el voltaje base a emisor de un transistor en operacin es de 0.7 V.
12. La cantidad alfa (a) relaciona las corrientes en el colector y emisor y siempre est cercana
a uno.
13. La impedancia entre las terminales de una unin polarizada en directa siempre es relativamente pequea, en tanto que la impedancia entre las terminales de una unin polarizada
inversa en general es bastante grande.
14. La flecha en el smbolo de un transistor npn apunta hacia fuera del dispositivo (not pointing in, no apunta hacia dentro); en tanto que en el caso de un transistor pnp la flecha apunta hacia el centro del smbolo (pointing in, apunta hacia dentro).
15. Para propsitos de amplificacin lineal, IC ICEO define el corte para la configuracin en
emisor comn.
16. La cantidad beta (b) proporciona una excelente relacin entre las corrientes en la base y el
colector que por lo general oscila entre 50 y 400.
17. La beta de cd definida por una simple relacin de corrientes directas (cd) en un punto
de operacin, en tanto que la beta de ca es sensible a las caractersticas en la regin de
inters. Sin embargo, en la mayora de las aplicaciones las dos se consideran equivalentes
a una primera aproximacin.
18. Para garantizar que un transistor opere dentro de su capacidad de nivel de potencia mximo, determine el producto del voltaje de colector a emisor por la corriente en el colector y comprelo con su valor nominal.
Ecuaciones
IE = IC + IB ,
IC = ICmayoritaria + ICO
,
minoritaria
acd =
IC
,
IE
aca =
b cd =
IC
,
IB
b ca =
IC = bIB ,
IC
`
,
IE VCB = constante
IC
`
,
IB VCE = constante
IE = 1b + 12IB ,
VBE = 0.7 V
ICEO =
a =
ICBO
`
1 - a IB = 0 mA
b
b + 1
PCmx = VCE IC