LABORATORIO NRO 2

ESTADO SLIDO
1.- OBJETIVOS
Conocer e identificar estructuras cristalinas(celdas unitarias) del estado slido.
Construir en el laboratorio celdas unitarias para diferentes sistemas cristalinos.
2.- FUNDAMENTO TEORICO
En estado slido, tanto los compuestos metlicos como los inicos poseen series
ordenadas de tomos o iones y forman materiales cristalinos con estructuras de red. El
estudio de su estructura, puede considerarse de manera adecuada como temas
relacionados ya que en ambos casos se trata del empaquetamiento de tomos o iones
esfricos. Sin embargo las diferencias en el enlace tienen como resultado que las
propiedades de los slidos metlicos y los inicos sean muy distintas. En los metales
el enlace es esencialmente covalente. Los electrones de enlace estn deslocalizados
en todo el cristal dando lugar a la elevada conductividad elctrica caracterstica de los
metales. El enlace inico en estado slido se origina por interacciones electrostticas
entre especies cargadas (iones) por ejm Na+ y Cl- en la sal de roca.
La unidad ms pequea que se repite en una red en estado slido es la Celda Unidad.
3.- MATERIALES Y REACTIVOS
Esferas de colores de distintos tamaos
Conectores de plstico o alambre
Pistola de Silicona
Sujetadores
4.- PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Construya la celda unitaria asignada siguiendo el patrn terico y estudie sus
caractersticas

5.-OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
Establezca si las celdas construidas presentan polimorfismo. Observe los
huecos de naturaleza octadrica, tetradrica, triangulares y escriba las
conclusiones de su trabajo.
De las celdas construidas podemos observar que las cuatro tienen tomos dispuestos
en el espacio y decimos que su estructura es cristalina por lo tanto los llamamos
SOLIDOS CRISTALINOS.
De all concluimos que los slidos cristalinos son aquellos en los que los tomos o
molculas estn dispuestos en el espacio de manera ordenada, siguiendo una
estructura peridica en las tres direcciones del espacio (red o retculo cristalino)
SOLO los slidos amorfos NO TIENEN estructura cristalina (vidrio, plsticos)
6.-CUESTIONARIO
1.- Describir las similitudes y diferencias entre las disposiciones
empaquetamiento de esferas Cbico y hexagonal compacto definiendo:

de

a) Nmeros de coordinacin
b) Huecos intersticiales
c) Celdas unidad

1) ABA: estructura con una celda unitaria hexagonal: estructura hexagonal compacta
(hcp)
2) ABC: estructura con una celda unitaria cbica: estructura cbica compacta (ccp),
especficamente cbica centrada en las caras (fcc)
Los arreglos hcp y ccp son las formas simples ms eficaces para llenar espacio con
esferas idnticas.

El espacio no ocupado (hueco) es importante porque puede ser ocupado por tomos
o iones adicionales.

2.- Establecer el nmero de coordinacin de una esfera en cada una de las

siguientes disposiciones
a) ccp : cubica compacta numero de coordinacin 12

b) hcp: estructura hexagonal compacta con numero de coordinacin 12

c) bcc : estructura cbica centrada en el cuerpo, en la cual hay una esfera en el

centro de un cubo Los metales con esta estructura tienen un nmero de
coordinacin 8.

d) fcc: cbica centrada en las caras con numero de coordinacin 12

e) cbica simple: con nmero de coordinacin 6

3.- Qu se entiende por teora de banda de los metales?

Consideremos el metal litio, cuya configuracin electrnica es:

Vemos que un tomo de litio presenta un orbital 1s lleno (con 2 electrones) y un orbital
2s semilleno (con 1 electrn). Tambin podemos considerar a efectos prcticos los
orbitales 2p, que estarn en la capa de valencia del litio, aunque vacos.

Pues bien, la Teora de bandas considera que los orbitales atmicos de valencia de
los N tomos del litio que estarn formando enlace metlico, se combinan entre s
para dar unos orbitales moleculares, pertenecientes a todo el cristal y con energas
muy semejantes entre s. Tan cercanos se hallan energticamente estos orbitales
moleculares formados, que decimos que dan lugar a una banda. Se obtienen tantos
orbitales moleculares como orbitales atmicos se combinen.

(Nota: estrictamente no es del todo correcto, o al menos no es la terminologa ms

precisa, hablar de orbitales moleculares en compuestos slidos. No obstante, en este
curso lo trataremos de este modo por ser sencillo y ms intuitivo que el solo concepto
de banda de energa).
As, si tenemos N tomos de litio, tendremos N orbitales atmicos 2s que darn lugar a
N orbitales moleculares que podemos llamar tambin 2s por facilidad de comprensin.
Estos orbitales estarn muy prximos en energa y darn una banda 2s. Lo mismo
suceder con los orbitales 3N 2p de los N tomos de litio (cada tomo de litio tendr 3
orbitales 2p, px, py y pz), aunque estn vacos, dando lugar tambin a una banda 2p.
A la banda formada por los orbitales 2s semillenos se le llama banda de valencia.
A la banda vaca formada por los orbitales 2p, se la llama banda de conduccin.

Por tanto, en los metales, hay bandas de valencia, que son bandas en las que se
hallan los electrones de valencia y pueden estar llenas o semillenas, dependiendo de
la configuracin electrnica del metal, y bandas de conduccin, que pueden hallarse
vacas o parcialmente vacas y facilitan la conduccin porque son energticamente
accesibles. De hecho, los metales son conductores porque las bandas de valencia
y de conduccin se superponen, y esto hace que los electrones se muevan
con libertad de una a otra.

En el caso de los semiconductores, las bandas de valencia y de conduccin no se

superponen, pero la diferencia energtica entre ambas es pequea, por lo que una
pequea aportacin energtica har que puedan promocionar electrones a la banda
de conduccin y, por tanto, conducir la corriente elctrica.
En los aislantes, por su parte, las dos bandas estn tan alejadas que la banda de
conduccin es inaccesible, motivo por el cual son incapaces de conducir la corriente

4.- Distinguir entre un semiconductor intrnseco, extrnseco y dar ejemplos de

cada uno
Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en
el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente
algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energas
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el
germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a
un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina
recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de
creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin
global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de
electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se
cumple que:
ni = n = p
Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos, originando

una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo

elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas
debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo
de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10
millones, logrando con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar
el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores
en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese
el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por
lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes.
Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est
lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente
tiene una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero
de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados
de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido

como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn
son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une
un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla
peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que
se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la
excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro, son un ejemplo de
un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.