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S 2x =S 2 y
1) Planteamiento de la Hiptesis H0
H 0 : Rexp x = R expY
H 1 : Rexp x R exp y
t cal=
| R expx Rexp y |
S p
1
1
+
Nx N y
S p=
( N x 1 )S 2x + ( N y 1 )S2 y
N x + N y 2
t cal >t
( , )
2
b
; rechaza la H 0
a t cal< t
(N x + N y 2, )
2
; aceptala H 0
b
t cal >t
(N x +N y 2,
)
2
; rechaza la H 0
3.0 Marco Experimental.3.0.1 Introduccin.Se emplea el mismo instrumental con una misma
variable fsica tal como un trio de multmetros un trio
de mini ampermetros un trio de fuentes de voltaje,
cables elctricos, tablero de circuitos elctricos
resistencia elctrica conocida tal como se muestra en
la figura 3.0.1.1.
S 2x S2 y
Caso b):
1) Planteamiento de la Hiptesis H0
H 0 : Rexp x = R expY
H 1 : Rexp x R exp y
2) Calculo de un factor crtico tcal
t cal=
| R expx Rexp y |
Sx S y
+
Nx Ny
Sx S y
+
Nx N y
2
( ) ( )
Sx
Nx
N x +1
S y
Ny
N y +1
a t cal< t
( ,
)
2
; acepta la H 0
1
2
3
4
5
6
V[v]
I[A]
1.2
8
1.3
8
1.4
9
1.5
9
1.7
0
1.8
1
0.2
2
0.2
4
0.2
6
0.2
8
0.3
0
0.3
2
1
2
3
4
5
6
V[v]
I[A]
1.4
5
1.5
4
1.6
7
1.7
9
1.9
3
2.0
4
0.2
0
0.2
2
0.2
4
0.2
6
0.2
8
0.3
0
R1
R2
datos
V[v]
Ix
1
1.28
2
1.38
3
1.49
4
1.59
5
1.70
6
1.81
0.22
0.24
0.26
0.28
0.30
0.32
103
[A]
Tabla 4.0.1 Se muestra en la tabla las resistencias
obtenidas mediante medicin indirecta para el
primer grupo de trabajo.
N
V[v]
Ix
1
1.45
2
1.54
3
1.67
4
1.79
5
1.93
6
2.04
0.20
0.22
0.24
0.26
0.28
0.30
5716.74
3844.03878
6
6964.30
24276.9918
9
I .
)
2
3.365
85.17
1.49
t cal=
S 2x S2 y
|5716.746964.30|
3844.03882 24276.33739
+
6
6
[ ]
t cal=18.223 [ ]
10
(u ,
3.365 214.04
3.07
[]
Tabla 4.0. 3 Se observa en la tabla los resultados de
dos grupos de trabajo con errores relativos
porcentuales aceptables.
[A]
[]
3844.03882 24276.33738
+
6
6
2
3844.03882
24276.33738
6
6
+
6 +1
6+1
) (
7
3) Nivel de decisin
es.wikipedia.org
Medidas y errores, Alvarez-Huayta 3 Ed.
Imprenta Catacora, 2008, L.P.
www.ditutor.com/inferencia_estadistica/nivel_c
onfia nza.html
es.wikipedia.org/wiki/Prueba_t_de_St
udent