Vous êtes sur la page 1sur 26

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Chapitre 4
Transistors bipolaires :
Jonction NPN & PNP

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

A. Transistor en rgime statique (courant continu)


I. Principe des transistors bipolaires
Le Transistor bipolaire est constitu de trois couches de semi-conducteurs extrinsques. On
distingue deux types de transistors bipolaires, les transistors NPN et les transistors PNP.
Transistor NPN

Schma quivalent

Symbole

Figure-1
Caractristiques : Le transistor NPN est caractris par :
Une couche N fortement dope constituant lmetteur.
Une couche P trs mince et faiblement dope constituant la base.
Une couche N faiblement dope constituant le collecteur.
Transistor PNP

Schma quivalent

Symbole

Figure-2

Caractristiques : Le transistor PNP est caractris par :


Une couche P fortement dope constituant lmetteur.
Une couche N trs mince et faiblement dope constituant la base.
Une couche P faiblement dope constituant le collecteur.
La flche indique le sens passent de la diode Base Emetteur.

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

II. transistor bipolaire polaris : effet transistor


En labsence de polarisation (Figure-3a), les porteurs majoritaires diffusent de part et dautres des
deux jonctions PN, provoquant la cration de deux zones dpeuples (de dpltion) o rgnent
deux champs Ei qui sopposent la diffusion et engendrent une situation dquilibre.
Si on applique un gnrateur externe entre le collecteur et lmetteur (Figure-3b), la jonction
collecteur-base est polarise en inverse, sa zone dpeuple devient plus large, aucun courant ne
circule entre le collecteur et lmetteur.
C
N

P
Ei

Ei

Ei

Ei

Vcc
P

Figure-3a : NPN non polaris

Figure-3b : alimentation du collecteur

Si on applique un deuxime gnrateur entre la base et lmetteur (Figure-4a), la jonction base metteur se trouve polarise en direct, la zone de dpltion qui lentourait disparat et un courant
directe circule entre la base et lmetteur, on lappelle le courant de base IB
C
N

Ic

Vcc

IB

Ei P

Ei

lectrons

VBB
N

IE

B
Figure-4a : NPN polaris

Figure-4b : effet transistor

Figure-4b : NPN polaris

Puisque lmetteur fortement dop N, la polarisation de la jonction B-E en direct va tre


lorigine de linjection dun grand nombre dlectrons dans la base (diffusion des porteurs
majoritaires), ces lectrons ne vont pas tous tre rcuprs par le circuit extrieur (source VBB), car,
comme la base est trs mince, un grand nombre dentre eux va se trouver au voisinage de la
jonction base - collecteur. Pour cette jonction, les lectrons du ct de la base constituent les
porteurs minoritaires dont le passage ct collecteur est fortement encourag par le champ
important qui rgne autour de cette jonction. Il en rsulte la circulation dun courant important entre
le collecteur et lmetteur travers la base, ce phnomne est appel effet transistor(Figure-4b). Le
courant de lmetteur est not IE , celui de la base est not IB et celui du collecteur est not IC . Ces
trois courants obissent aux relations suivantes :
IE = I B + IC
I C = I E
I C = I B
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

est voisin de lunit (0.95 0.99) ce qui permet souvent de considrer IC IE, par contre, le
rapport entre le courant du collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelques
dizaines quelques centaines, cest le gain en courant du transistor. Dans les ouvrages
anglophones, est souvent not h21 ou hfe
En rsum, le transistor est un composant lectronique gr par la relation IC = IB . Cette relation
traduit la possibilit de contrler un courant important (IC) laide dun courant beaucoup plus
faible (IB) do son utilisation grande chelle en amplification.
En ralit, le fonctionnement du transistor est lgrement plus complexe, il faut tenir compte des
courants inverses des jonctions. Si la base nest pas polarise (Figure-3b), le courant entre le
collecteur et lmetteur nest pas tout fait nul mais il a une faible valeur, on le note ICEO. De la
mme faon si on laisse lmetteur ouvert et on polarise la jonction C-B en inverse, elle est
traverse par un courant inverse qui sera not ICBO. La relation IC = IB devient IC = IB + ICEO ,
avec ICEO = ICBO.
III. Rseaux des caractristiques dun transistor bipolaire
IC
Caractristique de sortie

Caractristique de transfert

IC = f(VCE) IB = cst

IC = f(IB) VCE = cst


IB

VCE
Caractristique dentre

Caractristique de raction

VBE = f(IB) VCE = cst

VBE = f(VCE) IB = cst


VBE

Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la
conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en tension).
1. Les montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune l'entre et la
sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder :

La patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun. L'entre est la base
et la sortie le collecteur.

La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entre est l'metteur et
la sortie le collecteur.

La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun. L'entre est la
base et la sortie l'metteur.

2. Schma de mesure des caractristiques.


Les caractristiques qui suivent sont donnes pour un montage metteur commun. Le schma
le plus simple est le suivant :
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

IC
IB
VC
VB

Figure 5 : Montage de base metteur commun.


Dans ce schma, la base est polarise en direct par la rsistance de base Rb : le potentiel de la
base est alors de 0,7V environ, car l'metteur est la masse et la jonction base metteur est
l'quivalent d'une diode passante.
Le collecteur est lui polaris par la rsistance de collecteur Rc de telle manire que la tension du
collecteur soit suprieure la tension de la base : la jonction base collecteur est alors polarise
en inverse.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux
rsistances. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie est le collecteur.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et
VCE, soit 4 variables.
3. Caractristique d'entre.
La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) VCE = cte.
En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une jonction diode.
Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur-metteur : on la donne en gnral
pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :
IB
Caractristique directe
de la diode (B-E)

0.7V
VBE

Figure 6 : Caractristique d'entre du transistor.


La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de base
infrieur au mA). Cette valeur est donc lgrement suprieure celle d'une jonction de diode.
4. Caractristique de transfert.
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) VCE = cte.
Nous avons dj dit que le courant d'metteur est proportionnel au courant de base par I C = I B .
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Pente

ICE0
Figure-7 : Caractristique de transfert du transistor.
La caractristique de transfert est donc une droite; le transistor est un gnrateur de courant
command par un courant.
Si on considre le courant de fuite ICEO, la caractristique ne passe pas par l'origine, car IC =
ICEO pour IB = 0.
Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des
transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100
500 pour des transistors de signal.
5. Caractristique de sortie.
La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) IB = cte. En
pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.
IB5

IB3
IB2
2

IB1
IB0

Figure 8 : Caractristiques de sortie du transistor.


Sur ces caractristiques (Figure 8.), on distingue deux zones :
Une zone 2 importante o le courant IC dpend trs peu de VCE IB donn : cette caractristique est
celle d'un gnrateur de courant rsistance interne utilis en rcepteur. Dans le cas des transistors
petits signaux, cette rsistance est trs grande : en premire approche, on considrera que la sortie
de ce montage transistor est un gnrateur de courant parfait.
La zone 1 des faibles tensions VCE (0 quelques volts en fonction du transistor) est diffrente. C'est
la zone de saturation. Quand la tension collecteur-metteur diminue pour devenir trs faible, la
jonction collecteur-base cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs
rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarise en direct : on n'a plus un
transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle. On a une caractristique ohmique
dtermine principalement par la rsistivit du silicium du collecteur. Les tensions de saturation
sont toujours dfinies un courant collecteur donn : elles varient de 50mV pour des transistors de
signal des courants d'environ 10mA, 500mV pour les mmes transistors utiliss au maximum de

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

leurs possibilits (100 300 mA), et atteignent 1 3V pour des transistors de puissance des
courants de l'ordre de 10A.

Figure 8 : Rseaux de caractristique dun transistor


6. Limites d'utilisation.
Le transistor pourra fonctionner sans casser l'intrieur d'un domaine d'utilisation bien dtermin.
Ce domaine sera limit par trois paramtres :
Le courant collecteur maxi ICMax. Le dpassement n'est pas immdiatement destructif, mais le
gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intressant dans cette zone.
La tension de claquage VCEMax : au del de cette tension, le courant de collecteur crot trs
rapidement s'il n'est pas limit l'extrieur du transistor.
La puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va tre reprsente par une hyperbole
sur le graphique, car on a la relation :

PTT Max
P
Max
Zone
Active
damplification

VCE Max

Saturation

IC Max

Figure 9 : Limites d'utilisation du transistor.


Toute la zone pointille sur la caractristique de sortie du transistor (Figure 9.) est donc interdite.

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

7. En bref

Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un amplificateur de courant:
c'est un gnrateur de fort courant en sortie pilot par un faible courant en entre.

Le choix d'un transistor au premier ordre, se fera en considrant les paramtres suivants :
Le VCEMax que peut supporter le transistor.
Le courant de collecteur maxi ICMax.
La puissance maxi que le transistor aura dissiper.
Le gain en courant .
Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEmaxsat sera un critre de
choix essentiel.

IV. Polarisation du transistor


Pour fonctionner correctement, le transistor doit avoir sa jonction base-metteur polarise en direct
ce qui engendre un courant IB dans la base et un courant IC = IB dans le collecteur. Ltat du
transistor est caractris par ce quon appelle le point de fonctionnement correspondant au couple
(VCE , IC ) qui sont la tension entre le collecteur et lmetteur ainsi que le courant du collecteur IC.
IV-1. Polarisation par une rsistance de base

IC
IB
VC
E

VB
E

IE
Figure 10 : Montage : polarisation par une rsistance de base
On dtermine le courant IB en crivant la loi dOhm dans la maille dentr :
Vcc = R B I B + 0.7 + R E (I B + I C )
En remplaant IC par IB, on obtient :

VCC
VBE
+
R B + ( + 1)R E R B + ( + 1)R E
cest lquation de la droite dattaque
Le courant du collecteur est I C = I B
La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :
IB =

Vcc = R C I C + VCE + R E (I B + I C )
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

1
VCC = VCE + R C + R E (1 + ) I C

1
1
IC =
VCE +
VCC
soit

1
1
R C + R E (1 + )
R C + R E (1 + )

Cest lquation de la droite de charge


Application numrique :
Vcc=12V,
RB =750K, RE =1K,
=100,
Calculer le point de fonctionnement pour VBE = 0.7.
12 0.7
IB =
= 13.3A
(750 + 101)10 3
I C = 100 13.3A = 1.33mA

RC =4K.

VCE = 12 (4 + 1) 1.33 1 13.3x10 3 = 5.35V


Il arrive que le problme soit pos lenvers, cest dire quon se donne un point de
fonctionnement et quon cherche les valeur des rsistances qui permettent dobtenir ce point de
fonctionnement.
IC (mA)
2.4 PS

T0

Q0

1.33

IB (A)

PB

1.33
E0

VBE

Droite dattaque

5.35

VCE (V)

12

Droite de charge

VBE
Figure 11 : position du point de fonctionnement dans le rseau de caractristique

Exemple : calcul des lments du montage en fixant un point de fonctionnement


Soit un transistor de gain =100, polaris laide dune alimentation Vcc=12V, Calculer RB, RE,
et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
Q {VCE =5V, IC=1mA}
Si on crit la loi dOhm dans les deux mailles dentre et de sortie, on saperoit que nous navons
pas suffisamment de donne pour calculer les trois rsistances. Il faut fixer une donne
supplmentaire, fixons la tension de lmetteur VE = 2V et VBE = 0.7V.

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

IB= IC / = 1mA / 100 = 0.01 mA


VB =VE+0.7 = 2.7V

VCC VB
12 2.7
=
= 930K
IB
0.01x10 3

RB =

RC =

RE =

VE
VE
2
=
=
= 1.98K
IE
I C + I B 1.01x10 3

VCC VCE VE 12 5 2
=
= 5K
IC
10 3

IV-1. Polarisation par pont diviseur


La base est polarise par un "pont diviseur" constitu de deux rsistance RB1 et RB2 (fig 3.8). Pour
faciliter la calcul, on applique le thorme de Thvenin au circuit d'entre et on obtient le schma de
la figure 3.9 ce qui permet de ramener le problme une polarisation par une rsistance de base.

IC

IC
IB

IB

VC

VC
VB
E

VB

IE

IE

Figure 12 : polarisation par pont diviseur

R B2
VCC
R B1 + R B 2
R B1 R B 2
R Th = R B1 // R B 2 =
R B1 + R B 2
Le courant IB est dtermin partir de :
E Th = R Th I B + VBE + R E (I B + I C )
E Th =

En remplaant IC par IB , on obtient :

E Th
VBE
+
R Th + ( + 1)R E R Th + ( + 1)R E
cest lquation de la droite dattaque
Le courant du collecteur est I C = I B
La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :
IB =

Vcc = R C I C + VCE + R E (I B + I C )
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

10

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

1
VCC = VCE + R C + R E (1 + ) I C

IC =

soit

1
R C + R E (1 + )

Cest lquation de la droite de charge

VCE +

1
R C + R E (1 + )

VCC

Application numrique :
Vcc=12V,

=100,

RB1 =56K

RB2 =10K, RE =2K,

RC =10K.

Calculer le point de fonctionnement pour VBE = 0.7 V


On trouve : ETh = 1.82 V, RTh = 8 K d'o
1.82 0.7
IB =
= 5.3A
(8 + 101 2 )10 3
I C = 100 5.3A = 0.53mA
VCE = 12 (10 + 2) 0.53 2 5.3x10 3 = 5.6V
IC (mA)
1

T0

PS

Q0

0.53

IB (A)

PB

5.3
E0

VBE

Droite dattaque

5.6

VCE (V)

12

Droite de charge

VBE
Figure 13 : position du point de fonctionnement dans le rseau de caractristique

Exemple : calcul des lments du montage en fixant un point de fonctionnement


Vcc=12V, =100, Calculer RB1, RB2, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
Q {VCE = 5.5V; IC = 1mA, VE = 1V}.
VE : Tension entre metteur et la masse.

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

11

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Ces donnes ne suffisent pas pour calculer les deux rsistances du pont, elle permettent seulement
de calculer RTh. Pour lever cette indtermination, on se donne une des deux rsistances et on calcule
l'autre. Une deuxime solution consiste se donner le rapport entre le courant du pont IP et le
courant de base IB. Si on note I1 le courant dans RB1 et I2 le courant dans RB2, on a I1 = IB + I2, si I2
est grand devant IB, on peut ngliger IB et on obtient I1 = I2 = IP = courant du pont. Prenons IP =
30 IB.
IB = IC/ = 1 / 100 = 0.01 mA
VB = Ve + 0.7 = 1.7 V
V VB
V
12 1.7
1.7
R B1 = CC
R B2 = B =
=
= 34.3K
5.9K
I1
30 0.01
I2
29 0.01

RE =

VE
VE
1
=
=
1K
IE
I C + I B 1.01

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

RC =

VCC VCE VE 12 5.5 1


=
= 5.5K
IC
1

12

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

B. Transistor en rgime Dynamique (variable)


Amplificateurs petits signaux
I. Introduction
En rgime statique (continu), le point de fonctionnement (position de repos) du montage
transistor est dsign par QO (VCEO, ICO). Tant que les lments du montage (les rsistances,
Vcc,) sont fixe, QO est aussi fixe.
On injecte maintenant dans le montage, un deuxime courant alternatif ib(t) damplitude
IB, le courant IB subit des oscillations autour de IB0 avec une amplitude IB, alors IC subit des
oscillations autour de IC0 (comme indique la flche double sur la figure ci-aprs) avec une
amplitude IC = IB , en effet :
IB = IB0 + IBsin(wt) = IB0 + ib(t)
Ic = IB = IB0 + IBsin(wt)
Ic = IC0 + ICsin(wt) = IC0 + ic(t)

Figure 14 : Caractristiques de sortie dun transistor bipolaire

Pour que le fonctionnement du montage soit dans la zone damplification normale,


lamplitude du courant alternatif inject dans le montage doit tre faible pour avoir des oscillations
du point de repos Qo dans la zone active limiter par les points de saturation S et de blocage B.
II. Transistor en rgime dynamique
On peut reprsenter un transistor comme un quadriple :
ic
ib
vce

vbe
Quadriple

Figure-15 : Transistor bipolaire NPN


v be = h 11i b + h 12 v ce
Le schma quivalent laide des paramtres hybrides est :

i c = h 21 i b + h 22 v ce
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

13

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

iC C

iB

h11

v BE

iB

h12 v CE

v CE

h22

Figure-16 : Schma quivalent en dynamique du transistor


h11 est l'impdance d'entre du transistor : h 11 =

h 21 = =
h 12 =

I C
I B

VBE
VCE

VBE
I B

VCE = 0

est le gain en courant du transistor :


VCE = 0

est un terme de raction interne, il donne la variation de VBE en fonction


I B =0

de celle de VCE, sa valeur est trs faible, il sera le plus souvent


nglig (h12 0).

h 22 =

I C
VCE

est ladmittance de sortie du transistor. C'est la pente de la


IB =0

caractristique IC = fVCE) IB = Cte. La caractristique tant


quasiment horizontale, h22 est faible et sera le plus souvent nglig
(h22 0).
Les termes h12 et h22 tant trs faibles, on les nglige pour obtenir le schma quivalent simplifi
ci-dessous.

iB

vBE

h11
E

iC

iB

vCE
E

Figure-17 : Schma quivalent simplifi du transistor

Grce aux modles linaires du transistor, le calcul complet d'un amplificateur est trs simple et se
dcompose en quatre tapes successives :
1. calcul du point de fonctionnement du circuit : celui-ci ne dpend que des sources
continues (les sources alternatives sont mises zro) ;
2. calcul des paramtres du transistor , h11, = 1/h22 partir du courant de repos Ic ;
3. dessin du schma petits signaux dans lequel on annule toutes les sources continues et
on remplace le transistor par son modle petits signaux;
4. calcul des paramtres de l'amplificateur quivalent reprsent par les rsistances Ze, Zs
et son gain en tension Av ;
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

14

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

III. Montage amplificateur metteur commun


Le montage le plus rpondu tout en tant fonctionnel est le suivant (Figure-18 ) :

Vs

Figure-18 : Montage metteur commun

Rle des condensateurs :


Cle et Cls: capacit de liaison respectivement lentre et la sortie.
Ce : capacit de couplage
III-1. Etude statique (en rgime continu)
En continu, toutes les capacits (Cle, Cls et Ce) sont des circuits ouverts, donc on spare Ru et la
source Ve (on garde que le montage pont diviseur comme indique la Figure-19 :
Le rle de ce schma est de :
dterminer la droite de charge et dattaque ;
fixer le point de fonctionnement statique ;
fixer les lments du montage (les rsistances, lalimentation Vcc)

Figure-19 : Montage metteur commun en rgime statique (continu)

On applique le thorme de Thevenin entre les points B et M :


R2
R1R 2
E Th = E bb =
Vcc
R b = R Th = R 1 // R 2 =
R1 + R 2
R1 + R 2
La maille dentre

E bb = R bb I B + VBE + R e (I C + I B )

IB =

E bb
VBE
+
Cest lquation la droite dattaque
R b + (1 + )R e R b + (1 + )R e

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

15

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

La maille de sortie

Vcc = RcI C + VCE + R e (I C + I B )

1
Vcc = VCE + R e (1 + ) + Rc I C

Vcc = VCE + (R e (1 + ) + Rc )I C

IC =

VCE +
Vcc
(R e (1 + ) + Rc )
(R e (1 + ) + Rc )
Cest lquation de la droite de charge

III-2. Etude dynamique (en rgime variable)


En rgime dynamique, lalimentation Vcc ainsi que toutes les capacits, sont considres comme
des circuits ferms la frquence du travail. Deux cas seront tudis :
III-2-1. Avec capacit de couplage Ce
Avec Ce, la rsistance Re sera court-circuite en rgime dynamique comme indique la Figure-20 :

Figure-20 : Montage metteur commun en rgime dynamique (CE est un court-circuit)


On a :
Re est court-circuit, E est la masse
R1 et R2 sont en parallle
Rc et Ru sont en parallle

Le circuit prcdent est vu comme indique la Figure-21 :

Figure-21 : Montage metteur commun en rgime dynamique (variable)

On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent de la Figure-16 laide des
paramtres hybrides (on pose Rb = R1//R2), on obtient le schma de la Figure-22 :
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

16

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Figure-22 : Schma quivalent du montage EC

Vs
Ve
Daprs le schma de la Figure-22, on peut crire :
Ve = h11i b
RcRu
Vs = (Rc // Ru // ) x i b =
ib
Rc + Ru + RcRu
Do l'expression du gain en tension du montage:
Gain en tension A V =

Av =

Vs
RcRu
=
Ve
(Rc + Ru + RcRu )h11

Si + (h22 = 0) (Montage (a))


ie

Av =

ic

ib
ib

Rb

De plus, si Ru + (montage (b))


ie

is

ic-ib

Av =

ic
ib

Montage (a)
+ (h22 = 0)

Vs

ib
Rb

Vs
RcRu
=
Ve
(Rc + Ru )h11

Vs
Rc
=
Ve
h11
is

ic-ib
Vs

Montage (b)
+ et Ru = +
Sans charge

i
Ai = s
ie
Daprs le schma de la Figure-22, on a aussi :
Gain en en courant

Ve = (R b // h 11 )i e =

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

R b h 11
ie
R b + h 11
17

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Vs = R u i S

i
R b h 11
R b h 11
Vs
Vs
Ai = s =
x
=
ie
Ru (R b + h 11 )Ve Ru(R b + h 11 ) Ve

i
R b h11
Ai = s =
i e Ru(R b + h11 )

RcRu
(Rc + Ru + RcRu )h11

Do l'expression du gain en courant du montage:

Ai =

is
Rb
Rc
=
i e (R b + h 11 ) (Rc + Ru + RcRu )

Si Ru + (sans charge is = 0 et Ai = 0) alors,


Rc
La quantit
0
(Rc + Ru + RcRu )

i
Rb
Rc
Ai = s =
i e (R b + h11 ) (Rc + Ru )

Si +

Impdance dentre

Ai = 0

Ze =

Ve
ie

Dfinition : limpdance dentre cest limpdance vue entre les bornes de lentre de
lamplificateur
V
Par dfinition, on a Z e = e
ie
On a Daprs le schma de la Figure-9, on a:
Ve = (R b // h 11 )i e =

Lexpression de limpdance dentre est :


Impdance de sortie

ZS =

R b h 11
ie
R b + h 11

Ze =

R b h 11
R b + h 11

VS
iS

Dfinition : limpdance de sortie cest limpdance vue entre les bornes de la sortie de
lamplificateur en isolant la charge et en court-circuitant les sources de tension et
ouvrant les sources de courant.
V
Par dfinition, on a Z S = S
iS
Zs nest pas fonction de la charge Ru

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

18

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Pour calculer Zs, on applique la


23

dfinition et on obtient le schma de la Figure-

Figure-23 : Schma de calcul de Zs (Ve court-circuite, la source de courant ib est ouverte)

Daprs ce schma, on a :
Rc
Vs = (//Rc) i S =
i S Lexpression de limpdance de sortie est :
+ Rc
Si + Zs = Rc

Zs =

Rc
+ Rc

III-2-2. Sans capacit de couplage Ce


En absence de Ce, la rsistance Re ne sera pas court-circuite. Par contre, Cle et Cls sont des
circuits ferms comme indique la Figure-24 :

Figure-24 : Montage metteur commun en rgime dynamique (sans CE)

On a :
Re existe entre lmetteur et la masse
R1 et R2 sont en parallle
Rc et Ru sont en parallle

Le schma prcdent est vu ainsi comme indique la Figure-25 :

Figure-25 : Montage metteur commun en rgime dynamique (sans CE)

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

19

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent laide des paramtres hybrides
(on prend (h22 0 ; = +) Figure-17 :

Figure-26 : Schma quivalent en rgime dynamique (sans CE ; Re existe)

Vs
on pose Rcu = (Rc // Ru )
Ve
Daprs le schma de la Figure-13, on peut crire :
Gain en tension A V =

Ve = h 11 i b + R e (i b + i c ) = (h 11 + (1 + )R e )i b
Vs = (Rc // Ru ) i c = - Rcu ic = = - Rcu ib

do l'expression du gain en tension du montage A V =

Vs
Rcu
=
Ve (h11 + (1 + )R e )

Cas particulier pour Re = 0, cest le cas du montage avec Ce


V
Rcu
A V ( R e = 0) = s =
Ve (h 11 + (1 + )0 )

A V ( R e = 0) =

Vs Rcu
=
rsultat dj trouv prcdemment
Ve
h11

Si de plus Ru + (sans charge)

Rcu = Rc//Ru = Rc

V
Rc
A V ( R e = 0, Ru = + ) = s =
Ve
h11

is
ie
Daprs le schma de la Figure-13, on a :
Gain en courant A i =

Ve = R b (i e i b ) = R b i e R b i b
Ve = h 11i b + Re(i c + i b )
= (h 11 i b + R e (i c + i b )
= (h 11 + (1 + )R e )i b

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

R b i e R b i b = (h 11 + (1 + )R e )i b

20

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

1
(R b + h 11 + (1 + )R e )i b
Rb

ie =

(*)

Vs = R u i S
Vs = ( R u // Rc)i C = R cu i C = R cu i b

iS =

R u i S = R cu i b

R cu
ib
Ru

Daprs la relation (*), lexpression du gain en courant est :


R cu R b
i
Ai = s =

i e R u (R b + h 11 + (1 + )R e )

Ve
ie
Daprs le schma de la Figure-13, on a :
Ve = h 11 i b + re(i c + i b )
= (h 11 i b + R e (i c + i b )
Impdance dentre Z e =

= (h 11 + (1 + )R e )i b ib =

Ve
h 11 + (1 + )R e

De plus, on a Ve = R b (i e i b ) = R b i e R b i b
R b Ve
= Rbie
h 11 + (1 + )R e

Rb
1 +
h 11 + (1 + )R e

Ve = R b i e

Do lexpression de limpdance dentre :

Ze =

Ve R b (h 11 + (1 + )R e )
=
ie
h 11 + R b + (1 + )R e

VS
iS
On respecte la mthodologie de calcul de limpdance de sortie (dbrancher la charge Ru et courtcircuiter la source Ve de la Figure-26), le schma de la Figure-26 devient comme indique la
Figure-27 :
Impdance de sortie Z S =

Figure-27 : Schma de calcul de Zs (Ve court-circuite, la source de courant ib est ouverte)


V
On constate que :
Z S = S = Rc
iS
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

21

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

IV. Montage amplificateur Collecteur Commun CC


Dans ce montage, l'entre est sur la base et la sortie sur l'metteur. C'est le collecteur qui est le point
commun entre l'entre et la sortie. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le
gnrateur de polarisation +Vcc est un court circuit pour ce rgime, et donc, le collecteur va se
retrouver la masse alternative : ce sera donc bien la patte commune entre sortie Figure-14a.
On a pour le fonctionnement en rgime variable Figure-14b :
Rc est court-circuit, C est la masse
R1 et R2 sont en parallle
Rb = R1 // R2
Re et Ru sont en parallle
Rcu = Re // Ru

Figure-28a : Montage CC

Figure-28b : Montage CC en dynamique

Le schma prcdent est donc vu comme indique la Figure-29 :

Figure-29 : Montage CC en dynamique

On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent laide des paramtres
hybrides (Rb = R1//R2) Figure-30:

Figure-30 : Schma quivalent en dynamique du montage CC

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

22

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

On montre de la mme manire que le montage metteur commun, les rsultats illustrs ci-dessous :
V
Gain en tension A V = s
Ve
Ve = h 11 i b + Vs et Vs = ( // R e // Ru)(1 + )i b

h 11
Ve =
+ 1 Vs
( // R e // Ru)(1 + )

Si +

AV =

AV =

Vs
( // Re// Ru)(1 + )
=
Ve h11 + ( // Re// Ru)(1 + )

Vs
(Re// Ru)(1 + )
=
Ve h11 + (Re// Ru)(1 + )

Sans charge Ru = +
Gain en courant A i =

AV =

Vs
R e (1 + )
=
Ve h11 + R e (1 + )

is
ie
i
(1 + )R b R e + (1 + )R
Ai = s =
ie
(h11 + R b )(R e + Ru)

Ve
ie
Ze = (h 11 + (1 + )( R E // // R U ) // R b + ( // R e // Ru )(1 + )i b
V
Impdance de sortie Z S = S
iS
Impdance dentre Z e =

Figure-31 : Schma de calcul de Zs (Ve court-circuite, la source de courant ib est ouverte)

ZS =

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

VS
= (h11 // // R e )
iS

23

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

V. Montage amplificateur Base commune BC


Dans ce montage, l'entre est sur lmetteur et la sortie sur le collecteur. C'est la base qui est le point
commun entre l'entre et la sortie. En fait, la base est bien commune en alternatif, car le gnrateur
de polarisation +Vcc est un court-circuit pour ce rgime, et donc, la base va se retrouver la masse
alternative : ce sera donc bien la patte commune entre sortie Figure-32a.
On a pour le fonctionnement en rgime variable Figure-32b :
R1 et R2 sont court-circuites, la base B est la masse
Re et Ru sont en parallle
Rcu = Re // Ru

Figure-32b : Montage BC en dynamique

Figure-32a : : Montage BC

Le schma prcdent devient ainsi figure-33 :

Figure-33 : Montage BC en dynamique

On remplace maintenant le transistor par son schma quivalent laide des paramtres hybrides,
on obtient le schma suivant figure-33 :

Figure-34 : Schma quivalent en dynamique du montage BC

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

24

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

On suit la mme manire que le montage metteur commun, on trouve les rsultats suivants :
Gain en tension A V =

Vs
Ve

Vs Rcu
=
Ve
h11
V
Impdance dentre Z e = e
ie
AV =

Ze =

Impdance de sortie Z S =

avec Rcu =Rc//Ru

Ve
h

= R e // 11
ie
(1 + )

VS
iS

Figure-35 : Schma de calcul de Zs (Ve court-circuite, la source de courant ib est ouverte)

ZS =

VS
= RC
iS

VI. Transistor fonctionnant en rgime petits signaux :


Considrons le montage metteur commun ainsi que le rseau de caractristique ci-aprs :

Figure-36 : : Montage EC
En absence de la source alternative Ve, le montage est aliment par une source continue Vcc. Alors
le point de fonctionnement Q0 est fixe.

En prsence dune source alternative, Ve, le point de fonctionnement subit une fluctuation autour du
point de repos Q0.
Lamplitude des fluctuations dpend de lamplitude dentre (figure 37a et 37b):
Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

25

UNIVERSITE MOHAMMED V-AGDAL

ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE


DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

figure 37a : Cas damplitude dentre faible. Les fluctuations restent dans la zone normale
damplification.

figure 37b : Cas damplitude dentre grande. Les fluctuations peuvent atteindre les points de
saturation S ou de blocage B

Transistor bipolaire jonction NPN & PNP

26