TRANSISTOR JFET

JUNCTION FIELD EFECT TRANSISTOR

Daniel Santiago Bonilla Betancourth Cd: 2548961

Jairo Sebastin Pez Rivera Cd: 2548982

CONTENIDO
1. Historia

2. Construccin
3. Polarizacin
4. Principio de Funcionamiento
5. Corriente en el Drain

6. Voltaje Umbral
7. Voltaje y Corriente de Saturacin en el Drain
8. Curva Caracterstica de un JFET
9. Aplicaciones

10. Ventajas y Desventajas

11. Resumen
12. Bibliografa

HISTORIA

Julius Edgar Lilienfeld

John Bardeen, William Shockley y Walter

Houser Brattain.

CONSTRUCCIN

D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el

terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y
los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal
por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal
mediante el que se controla la corriente de
portadores a travs del canal.

CONSTRUCCIN

POLARIZACIN

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

LINK

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

El JFET bajo polarizacin de compuerta cero de modo que el canal tiene un abertura
grande. Un dispositivo de esta clase se conoce como un dispositivo de modo de
agotamiento

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

El dispositivo con una polarizacin de compuerta negativa muestra reduccin en la

abertura de canal y corriente.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarizacin de compuerta es grande y negativa y el canal se constrie con la

corriente en el canal cero.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarizacin de drenaje es pequea

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarizacin de drenaje se incrementa y el canal se constrie cerca del drenaje.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarizacin de drenaje aumenta a un punto donde el canal se constrie en el lado

del drenaje.

CORRIENTE EN EL DRAIN
Con Vg=0

VOLTAJE UMBRAL

Con Vg<0
Con Vds pequeo

Si

Voltaje Umbral

VOLTAJE UMBRAL
Aplicando un Vg ms grande.
Aplicando Vds ms grande.

VOLTAJE UMBRAL

VOLTAJE Y CORRIENTE DE SATURACIN EN EL DRAIN

CURVA CARACTERSTICA DE UN JFET

EJEMPLO

APLICACIONES

Multiplexor
Amplificadores de bajo ruido

Resistencia controlada por voltaje

Aislador desacoplador
Muestreador

APLICACIONES

APLICACIONES

APLICACIONES

APLICACIONES

VENTAJAS Y DESVENTAJAS
Poco ruido
Impedancia elevada
Facilidad en fabricacin

Respuesta en frecuencia pobre

Linealidad pobre

RESUMEN

RESUMEN

Corriente debido a portadores mayoritarios.

Uniones p+n en inverso. Corriente inversa
Diferencia de potencial de saturacin
Resistencia controlada por la diferencia de potencial

BIBLIOGRAFA

Malvino, A.. (2000). Principios de electrnica. Buenos Aires: Mc Graw Hill.

Singh, J. (1997). Dispositivos semiconductores. Buenos Aires: Mc Graw Hill.

Colinge, J. (2005). Physics of semiconductor devices. New York: Kluwer Academic Publishers.