Bomba de Carga

R. Abad, J. Pino, F. Sisa, D. Gusqui

Rickardoas93@gmail.com, J7jeff.pino@gmail.com, flavi12fs@gmail.com, Daniel_edinsong@gmail.com
Escuela de Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones

Abstract- In this paper we review the genesis

of charge pump circuits, their evolution and
improvement in design and their importance in
nonvolatile memory circuits, low-voltage
analog building blocks and other applications.

S1

S4

V DD

C
S2

V out
Cout

RL

S3

Fig. 2. doblador de tensin Prctico

Palabras Clave: Bomba de carga

En este caso, la tensin de salida ideal se da por

I.

INTRODUCCIN

Bombas de carga son circuitos que generan una tensin ms

grande que la tensin de alimentacin de las que operan.
Para ver cmo es esto posible, considere el circuito simple
que consiste de un nico condensador y tres interruptores se
muestra en la Fig. 1.

Fig1.doblador de tensin simple

Durante la fase del reloj, los conmutadores S1 y S3 estn
cerrados y el condensador se carga a la tensin de
alimentacin, VDD. Siguiente interruptor S2 est cerrado y
la placa inferior del condensador asume un potencial VDD,
mientras que el condensador mantiene su cargo de VDDC
de la fase anterior. Esto significa que durante
(V V) C = V C (1) out DD DD

O
V=2V

(2) out

DD

Por lo tanto, en ausencia de un motor de c.c. de carga, una

tensin de salida se ha generado que es dos veces la
tensin de alimentacin. Con el fin de acomodar una carga
en la salida, el circuito se modific mediante la adicin de
una capacidad de salida como se muestra en la Fig. 2.

Fig.Frmula para la tensin de salida ideal

Si una carga RL est presente, entonces una tensin de
ondulacin, VR, se genera en la salida. La tensin de rizado
se puede reducir Cout haciendo lo suficientemente grande
como para que VW es insignificante en comparacin con
Vout.
Multiplicacin de voltaje mayor que el doble de la tensin
de alimentacin se puede lograr poniendo en cascada ms
de un condensador en serie. Esta tcnica multiplicador de
tensin parece primero han sido propuestos por Cockcroft y
Walton y se utiliz para generar los potenciales constantes
cerca de 800.000 voltios en relacin con el estudio de la
estructura atmica de la materia. El circuito multiplicador
de Cockcroft-Walton se muestra en la Fig. 3. Tres
condensadores, CA, CB y CC, cada uno de capacidad C,
estn conectados en serie y el condensador CA est
conectado a la tensin de alimentacin VDD. Durante la
fase condensador C1 est conectado a CA y se carga al
voltaje VDD. Cuando los interruptores cambian de posicin
durante

Fig. 3. Multiplicador de Voltaje Cockcroft-

El siguiente ciclo,, el condensador C1 compartir su cargo

con el condensador CB y ambos se le cobrar a VDD / 2 si
tienen la misma capacidad. En el siguiente ciclo, C2 y CB
estarn conectados y comparten un potencial de VDD / 4,
mientras que C1 se carga una vez ms a VDD. Por tanto, es
obvio que si este proceso contina durante unos pocos
ciclos, la carga se transferir a todos los condensadores
hasta un potencial de 3VDD se desarrolla a travs de la
salida Vout.
El principio es fcilmente capaz de extensin, y mediante la
adicin de ms condensadores, cualquier mltiplo de la
tensin de alimentacin, VDD, se puede obtener. Sin
embargo, en la prctica, el multiplicador de CockcroftWalton se convierte en algo ineficaz si se aplica en forma
integrado monoltico debido a la relativamente grande
capacitancia parsita en el chip. Adems, la impedancia de
salida del multiplicador aumenta rpidamente con el
nmero de etapas multiplicadores.
Con el fin de superar estas limitaciones, un nuevo circuito
multiplicador de voltaje fue ideado por Dickson que es
adecuado para la integracin en forma monoltica. Es
similar al multiplicador Cockcroft-Walton excepto que esta
nueva configuracin logra multiplicacin ms eficiente,
incluso en presencia de la capacitancia parsita y de su
capacidad de impulsin es independiente del nmero de
etapas de multiplicadores. Dado que muchas bombas de
carga CMOS se basan en el circuito propuesto por Dickson,
un anlisis exhaustivo de este multiplicador clsica se
presenta a continuacin.
II.

DESARROLLO DEL TEMA

BOMBA DE CARGA DICKSON

La bomba de carga Dickson se muestra en la Fig. 4. El

circuito consta de dos relojes de bombeo, y , que son
anti-fase y tienen una tensin de pico de V. Los diodos
funcionan como interruptores auto-programado que se
caracterizan por una tensin de polarizacin directa, Vd. la
capacidad parsita, Cs, se incluye en cada nodo para la
integridad.

Fig. 4. bomba de carga Dickson

El multiplicador funciona mediante el bombeo de carga a lo

largo de la cadena de diodos como los condensadores se
cargan y descargan durante cada ciclo de reloj,
sucesivamente. Cuando fase de reloj pasa a nivel bajo, el
diodo D1 llev a cabo hasta que la tensin en el nodo 1 se
convierte en V-VD. Cuando se conmuta a V, el voltaje
en el nodo 1 se convierte ahora en Vin + (V - Vd). Esto
hace que el diodo D2 conduzca hasta que el voltaje en el
nodo 2 se hace igual a Vin + (V - Vd) - Vd. Cuando pasa
a nivel bajo de nuevo, el voltaje en el nodo 2 se convierte en
Vin + 2 (V - Vd). Despus
N etapas, es fcil ver que la tensin de salida es

Vout = Vin + N (V Vd) Vd

La capacitancia parsita, Cs, puede tenerse en cuenta al
notar que reduce la tensin de reloj transferido, V, por un

factor + Por lo tanto, la tensin de salida real se convierte

Fig. Frmula para la tensin de salida

Hasta ahora se ha supuesto que no hay carga se conecta a la
salida de la bomba de carga. En presencia de una carga, que
extrae una corriente, hacia fuera, la tensin de salida es

reducir en un importe (+) donde fosc es la

frecuencia de funcionamiento de la bomba de carga. La
tensin de salida se convierte ahora
De esta ecuacin se hace evidente que la multiplicacin de

Fig. Frmula para el voltaje de salida

Tensin se producir slo si

Fig. Para reducir tensiones

Tras Dickson, eq. (6) puede escribirse como

Vout = VO Iout RS
Dnde

Y
Fig. voltaje de salida
La ecuacin (6) conduce a un circuito equivalente de la
bomba de carga como se muestra en la Fig. 5.
RS

Vo

V out

Cout

Donde en este caso particular N = 4. Definimos ahora una

cantidad til llamado la fluctuacin de la tensin en cada
nodo de bombeo? V. Este es el cambio de voltaje que se
produce en cada nodo de una bomba de carga de un ciclo de
reloj a la siguiente. Esto se ilustra para el de cuatro etapas
de bomba de carga Dickson en la Fig. 7.

RL

Fig. 5. Circuito equivalente de la bomba de carga Dickson

Cabe sealar que no habr una pequea tensin de rizado,
VR, en la salida debido a la resistencia de carga, RL. Esta
tensin de rizado est dada por

Fig. 7. fluctuacin de voltaje

Para la bomba de carga Dickson, la fluctuacin de la tensin
se puede expresar como

Fig. formula de VR
El voltaje de ondulacin puede reducirse sustancialmente
mediante el aumento de la frecuencia de los relojes o usando
una capacitancia de salida grande. En este ltimo caso, se
necesitara la bomba de carga significativamente ms
tiempo en alcanzar el estado estacionario.
Una implementacin de circuito prctico de la bomba de
carga Dickson en la tecnologa CMOS se muestra en la Fig.
6. La cadena multiplicador se implementa utilizando
transistores NMOS conectado a diodo. Aqu el diodo de
tensin directa, Vd, se sustituye por el voltaje de umbral
MOS, Vtn,

Fig. 6. Una de cuatro etapas de bomba de carga Dickson

Y la tensin de salida est dada por

Fig.-formula de ganancia
Tambin podemos definir la ganancia de tensin de
bombeo, GV, de una bomba de carga como

GV = VN VN 1
Para la bomba de carga Dickson tenemos

GV = V Vtn
De eq. (14) y eq. (15) vemos que la condicin necesaria para
la multiplicacin de tensin viene dada por

( V = V tn) > 0
Desafortunadamente, como la tensin de alimentacin
disminuye, disminuye V y de acuerdo con eq. (13) lo hace?
V. En consecuencia, la ganancia de bombeo (ec. (15))
tambin se reduce. Por tanto, es evidente que la bomba de
carga Dickson no es en absoluto adecuado para el
funcionamiento de bajo voltaje. Si el trmino tensin
umbral, Vtn, de alguna manera podra ser eliminado de la
ecuacin.
(15), la bomba de carga Dickson sera utilizable a bajas
tensiones, ofrecer una mejor ganancia de bombeo de voltaje
y un voltaje de salida ms alto. Esto puede lograrse
mediante la modificacin de la bomba de carga Dickson
para que utiliza interruptores de transferencia de carga
esttica (CTS de). Los detalles se presentan a continuacin.

III. ESTTICO CTS BOMBAS DE CARGA

Bombas de carga esttica CTS son nuevas bombas de carga
empleando conmutadores dinmicos para aumentar la
ganancia de tensin de bombeo. La idea bsica detrs de
estos multiplicadores es utilizar interruptores MOS con
precisin las caractersticas de encendido / apagado para el
flujo de carga directa durante el bombeo en lugar de utilizar
diodos, transistores o diodos conectados que,
inevitablemente, introducen una cada de tensin en cada
nodo. Una de las primeras bombas de carga a base de bajo
voltaje con control de CTS hacia atrs esttica se present
en Wu . Los detalles del circuito de esta nueva bomba de
carga (NCP-1) se muestran en la Fig. 8.
Fig. 8. bomba de carga basado cuatro etapas CTS

Fig. 10. doblador de tensin Moderno

Una novela, estado del arte, doblador de tensin alta
eficiencia adecuado para aplicaciones de baja tensin / baja
potencia ha sido desarrollado por Phang y se presenta en la
Fig. 10. Con el fin de comprender el funcionamiento de este
multiplicador, es til considerar la celda de bomba de carga
bsica se muestra en la Fig. 11.
V
S

out

C
V

Despreciando por el momento el CTS transistores MS1MS5, el funcionamiento de esta nueva bomba de carga es
idntico al funcionamiento de la bomba de carga Dickson y
las mismas tensiones iniciales se establecern en cada nodo
de bombeo. La idea detrs de los interruptores CTS es
utilizar los altos voltajes ya establecidos en los diferentes
nodos para controlar el CTS de la etapa anterior. Esto
funcionar si los interruptores se pueden activar / desactivar
a las horas designadas de forma que permitan la carga a ser
transferida en una sola direccin. Cuando este es el caso
para cada etapa de bombeo, la tensin superior de entrada
de cada nodo es igual a la salida de voltaje inferior, como
puede verse en la Fig. 9.
V 3+V
V 2+ V
V3
V 1+ V
V2
V1

Fig. 9. CTS cargo basado fluctuacin del voltaje de la

bomba
III.

TCNICAS DE CARGA AVANZADA DE

LA BOMBA
Otra clase de diseos de la bomba de carga adecuada para
un alto rendimiento, un funcionamiento de bajo voltaje son
los basados en tcnicas de condensador conmutado [4]. Un
duplicador de tensin CMOS de alta eficiencia con una
buena precisin se presenta en [5]. Este diseo es simple y
eficiente de la energa, y con algunas modificaciones
representa la corriente, estado de la tcnica en el diseo de
la bomba de carga.

W1
out

W2

in

Fig. 11. bsico celular bomba de carga

La clula utiliza dos que no se solapan, relojes oposicin de
fase de amplitud VDD. Transistores M1 y M2 se conmutan
sucesivamente dentro y fuera con el fin de cargar los
condensadores C1 y C2 a la tensin Vin. Despus de unos
pocos ciclos de reloj, las seales de reloj en la parte superior
de las placas de los condensadores asumirn una amplitud
de Vin + VDD. Los interruptores S W1 y SW2 se miden el
tiempo para que Vout slo ve esta tensin. Si Vin = VDD a
continuacin,
Vout = 2 VDD
Y la salida es el doble de la tensin de alimentacin.
Haciendo referencia a la Fig. 10, vemos que el multiplicador
de tensin se compone de tres clulas de la bomba de carga
acoplada estrechamente. La clula de medio compuesto de
M1 y M2 se utiliza para generar una seal de reloj de nivel
desplazado como se describe en la Fig. 11. Este nivel de
seal de reloj desplazada se utiliza para activar la bomba de
carga externa que consiste en dispositivos M3 y M4 y pasar
el voltaje de entrada, Vin, a las placas superiores de los
condensadores C3 y C4. Las seales de reloj de conduccin
condensadores C3 y C4, a saber 1Vin y 2Vin tienen una
oscilacin de tensin reducida que es igual a la tensin de
entrada, Vin. Por lo tanto, despus de unos pocos ciclos de
reloj, la tensin en las placas superiores de C3 y C4 flucta

entre Vin y 2 Vin. La bomba de la ltima carga utiliza

dispositivos M5 y M6 para conducir la salida conmuta
PMOS M7 y M8. Vale la pena notar que el diseo incluye
una innovacin deseable, a saber, el swing de reloj baja el
nivel se ha desplazado a VSWL que ha sido optimizado para
la conduccin de los interruptores de salida PMOS. Esto
mejora la resistencia de salida de los interruptores. El reloj
swing completo seales 1 y 2 se generaron a partir de un
generador integrado, no se solapan dos fases de reloj que se
muestra en la Fig. 12.

1
2

Fig. 12. No se superponen generador de reloj

El rendimiento del circuito multiplicador de voltaje de
Phang fue simulado y se muestra en la Fig. 13. La
simulacin utiliz una tensin de entrada de 1,5 V y una
pequea capacitancia de carga de salida de 1,0 pF para
acelerar la respuesta transitoria. El circuito exhibi apenas
undershoot y alcanz el estado de equilibrio rpidamente
debido a la reducida resistencia del interruptor
proporcionado por la bomba de carga dedicada
accionamiento de los interruptores de salida.

durante el parpadeo dispositivo y requiere una fuente de

alimentacin dedicada, no estndar. Un mtodo alternativo
de memorias EPROM de programacin se basa en un tnel
por emisin de campo Fowler-Nordheim. Para la
programacin, una gran tensin (alrededor de 1015V) se
aplica a la puerta de control del dispositivo y la carga se
transfiere a la puerta flotante. La ventaja con el uso de este
mtodo reside en el hecho de que no se requiere ninguna
corriente de drenaje para la programacin. Por lo tanto, en
el chip de bombas de carga se pueden utilizar para generar
los voltajes superiores a normal requerido para escribir o
borrar informacin en los circuitos de memoria no voltil .
Recientemente, bombas de carga y multiplicador de tensin
han sido aplicados a los circuitos integrados analgicos de
baja tensin / baja potencia con cierto xito. Una tcnica
conocida como "Puerta de polarizacin dinmica" ha sido
promovida por Phang y otros en una amplia gama de
aplicaciones. En dinmica de puerta de desviacin (DGB),
circuitos de bomba de carga controlables se utilizan para la
polarizacin estable de puertas MOSFET. Estos transistores
estn sesgados en la regin trodo y actan como
resistencias variables. En el chip DGB ha demostrado ser
factible en el diseo de un bajo voltaje, CMOS front-end
preamplificador ptico y en baja tensin, en tiempo
continuo, aplicaciones de filtro biquadratico.
En el futuro, ya que los diseadores analgicos buscan
nuevas maneras de afrontar el reto de la reduccin de las
tensiones de alimentacin, en el chip de bombas de carga y
multiplicador de tensin estn destinados a convertirse en
una parte integral de analgico de baja tensin y diseos de
circuitos digitales.
CONCLUCIONES

Charge Pump Transient Response

3

2.5

1.5

0.5

4
Time in seconds

6
x 10

Fig. 13. Simulacin de la respuesta a un escaln arriba

de duplicador de voltaje

V. APLICACIONES Y RETOS FUTUROS

La aplicacin ms obvia de circuitos de bomba de carga es
en la programacin de circuitos EPROM. Hasta hace poco,
la mayora de las EPROM utilizan inyeccin de electrones
calientes para programar estos dispositivos requeridos y
tensiones de alimentacin fuera del chip. Este mtodo de
programacin requiere grandes corrientes de drenaje

La bomba de carga gracias a sus frecuencias de

oscilacin nos dan un voltaje fluctuante el cual
carga al condensador final este voltaje fluctuante
puede cambiar modificando el condensador o
cambiando las frecuencias de oscilacin y as
podremos adecuar el voltaje de salida al q
deseemos
Una bomba de carga es un tipo de convertidor DC
a DC que utiliza condensadores como elementos
de almacenamiento de energa para crear ya sea un
mayor o menor tensin de fuente de alimentacin
dependiendo de los condensadores si con
electrolticos o cermicos.
En el experimento pudimos observar que existen
muchas configuraciones que nos brindan
resultados similares como por ejemplo
configuraciones hechas a partir de diodos o
integrados.
en esta configuracin echa a partir de FETs
pudimos observar que la ganancia total del voltaje
est directamente relacionada con el nmero de
etapas que se tengan y que estas no son dan el

voltaje total real sino que este est determinado por

la ecuacin de voltaje de salida de la configuracin
de Dickson.
BIOGRAFIA DE LOS AUTORES

Ricardo Abad naci en San Carlos en la

provincia de Zamora Chinchipe, el 7 de enero de
1993. Se gradu de la secundaria en el Instituto
Tecnolgico 12 de Febrero de la cuidad de
Zamora.
Actualmente reside en la ciudad de
Riobamba cursando el quinto semestre en la
escuela de Electrnica y Telecomunicaciones de
la Universidad Nacional de Chimborazo. Sus
campos de inters de especializacin incluyen la
comunicacin satelital, la robtica y automatizacin.
Sus padres son Agustn Abad Jimnez y Luz Mara Samaniego es el
ltimo de 10 hermanos.

Edison Gusqui estudiante de cuarto

semestre de la escuela de Ingeniera en
Electrnica y Telecomunicaciones de la
Universidad Nacional de Chimborazo.

Jeffesson Pino, Naci en Riobamba el 8 de

diciembre de 1993, llevo trmino sus estudios
primarios en la escuela Simn Bolvar de esa
misma ciudad y contino sus estudios bsicos y
bachillerato en el Instituto Tecnolgico superior
Carlos Cisneros y actualmente est cursando
su formacin superior de Ingeniera Electrnica
y telecomunicaciones, en la Universidad
Nacional de Chimborazo
Flavio Sisa. Naci en Riobamba, el 4 de Enero
de 1990. Se gradu en el Instituto Tecnolgico
Superior Carlos Cisneros y actualmente
estudia en la Universidad Nacional de
Chimborazo. Obtuvo su ttulo en Electrnica en
el colegio Carlos Cisneros y actualmente se
encuentra cursando quinto semestre de
Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones
en la UNACH.