MATERIA:

Fsica de Semiconductores

TTULO:
Practica transistor unin bipolar

Introduccin

BJT (Bipolar Junction Transistor) Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de
estado slido de tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que
se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con
gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes mviles). Departamento de Ingeniera de la
Informacin y Comunicaciones Universidad de Murcia 3
Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no lineales.
Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en
funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de
regular la corriente que circula por el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor).

Objetivos

Identificar las terminales del transistor

Elaborar un circuito para observar si el transistor esta en corte o saturacin
Hacer conclusiones y reportar los datos, grficas y mediciones llevadas a cabo
durante la realizacin de esta prctica.

Materiales

Resistencia de 1 k
Resistencia de 100
Resistencia de 220
Transistor 2 N2222
1 led
Protoboard
1 fuente 5v

pg. 2

Marco Terico
CONFIGURACIONES DEL BJT
Aunque el transistor posea nicamente tres terminales, se puede realizar su estudio como
un cuadripolar (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es
comn a la entrada y salida: Base Comn. Emisor Comn. Departamento de Ingeniera
de la Informacin y Comunicaciones Universidad de Murcia 7 Emisor Comn. Colector
Comn
Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande. Colector comn (CC): Aicc
elevada; Re muy grande; Rs muy pequea. Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea;
Rs grande. El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.
El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca a una carga de alta
resistencia.
El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga de bajo valor

FUNCIONAMIENTO BSICO BJT npn

En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base Emisor; e
inversamente la unin Base-Colector.
Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarizacin directa), y Vce>Vbe (unin basecolector en inversa).
La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor polarizada en directa y
depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

A
continuacin veremos las maneras de trabajo de un transistor

pg. 3

Desarrollo
Identificar las terminales del transistor bipolar.
Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como "prueba del
amplificador" e identificar las terminales del transistor. Use un multmetro analgico en su
funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colectorbase (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna
del hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deber
medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use
la misma escala del multmetro para la realizacin de estas pruebas). Entre las terminales de
colector-emisor se observar alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad de
las terminales del hmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones
rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la
terminal de colector de la de emisor, ser necesario aplicar la "prueba del amplificador" o
alguna otra que se proponga. Habiendo diferenciado la terminal de base de las otras dos
terminales, y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste en lo
siguiente: Para el caso del NPN, conectar el positivo del hmetro a la terminal que
supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe aparecer en el
hmetro es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la
base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia del orden de M
ohms) y observar la disminucin de la resistencia medida entre colector-emisor, cuando la
terminal que se elige como colector es la correcta esta disminucin en el valor de la
resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de emisor,
al efectuar dicha prueba la disminucin de la resistencia no ser tan importante. Para estar
seguro de cual es cual debern realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas.

Circuito

pg. 4

Primeramente en la fuente pusimos un voltaje de 0.5, en siguiente paso en el generador de

ondas modificamos lo que es la amplitud que esta la pusimos en 1H, modificamos la
ampliud que esta es de 0 a 5 para lograr esto pusimos una amplitud de 2.5 y offset a 2.5
para que automticamente nuestra onda cuadrada apareciera de 0 a 5 ya una ves terminada
esto elaboramos el circuito ya presentado en clase que primeramente conectamos nuestro
transistor y despus nuestras resistencias ya al final conectamos los caimanes de nuestro
generador y fuete, la tirrra es la misma para ambos el generador en la base del transistor y
la fuente des pues de la resistencia que va en el colector

Evidencias
pg. 5

pg. 6

Conclusin
Omar Garca Baeza

elaboracin de la practica
saturacin esto quiere decir que
nuestra Ic y este mantiene
este caso

Pudimos observar en la
que el transistor estaba en
nuestra Ic es ms grande que
una onda senoidal peo en
la elaboramos en
una
onda
cuadrada que
en
pero
ver

fue de 0 a 5 volts para llegar a esto

nuestra amplitud introducimos 2.5
cambiamos offset a 2.5 para poder
solo
el
siclo
positivo
automticamente en la onda
cuadrada observamos de 0 a5 y
observamos de igual manera que a
manera que aumentbamos la
amplitud los pulsos en los leds
aumentaban constantemente y esto debe que en la saturacin la Ic es
aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de las resistencias en la malla del
colector y se comporta como un interruptor abierto.

pg. 7