Electrnica 2

Practica #2

Polarizacin en c.c. de un fet canal N

Presentado por:

Ronald torres
Albeiro bautista
Eduardo Pinedo

Presentado a

Carlos arturo vides

Universidad de pamplona
2/11/2015
RESUMEN

En la presente prctica de laboratorio se estar llevando acabo el

estudio o la demostracin del funcionamiento de los transistores de
efecto de campo, segn los criterios vistos tericamente como son el
denotar el comportamiento de la corriente del drenado cuando hacemos
variar intencionalmente el voltaje presente entre la compuerta y la
fuente o surtidor del mis transistor, en este caso estaremos centrados en
el bsico transistor TO-92

INTRODUCCIN

El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores

que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de
un canal en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta, drenador y fuente. El
transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de
efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p,
dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta
pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extenssimamente en electrnica digital, y son el componente
fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
Simbolos de los JFET

JFET de canal N

JFET de canal P

Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi
100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador
(interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo
(FET)

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta

como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un

parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta

el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor

amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada
por VGS

CURVAS DE TRANSFERENCIAS DEL FET.

Ecuacion de shockley.
I D =I DSS

V
1 GS
VP

Estructura basica.
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material
tipo N ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos en
ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se
encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo P con sendos
contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta.

Seleccion del FET

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de
encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales.
Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de
tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el
transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura,
siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta
refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los
fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.

PROCEDIMIENTO
Monte el circuito y tome los datos de funcionamiento que se solicitan en
la prctica. El resto de datos que pueda necesitar, los obtendr de los
anexos n 1 y 5 Compruebe la zona de trabajo del FET. Dibuje la curva
de drenador en estas circunstancias.
Obtenga los valores de IDSS y VP de las hojas de caractersticas.

Anlisis de Procedimiento

Lvk
MI

en

I G =0 A
V RS +V GS +V RS=0
V GS + RS I S =0
I D =I S
V GS=I D R S
IDSS= 3mA, Vp= -2.5
Reemplazando en la ecuacin de shockley
V GS 2
I D =310 (1
)
2.5
3

VGS (V)
ID
(mA)

-2.5
0

-2
0.12

-1.5
0.48

-1
1.08

-0.5
1.92

0
3

Para la recta de carga

si I D =0 V GS =0
si V GS=0 I D =0
Punto 1 (0.0)
si I D =2 mA V GS=( 2 mA ) ( 390 )=0.78 V
Punto 2 (-0.78,2)
IDQ= 1.5mA

VGSQ= -0.6V

LVK M II
18 V + I D ( 4.7 K )+ V DS + I D ( 390 ) =0
18 V +1.5 mA ( 4.7 K ) +V DS +1.5 mA ( 390 )=0
V DS =10.35V
V S =1.5 mA (390 )=0.585 v
V D =V DS +V S =9.78V

Curva de transferencia
3.5
3
2.5
2

ID (mA)

1.5
1
0.5
-3

-2.5

-2

-1.5

-1

-0.5

VGS (V)

Recta de carga
3.5
3
2.5
2

ID(mA)

1.5
1
0.5
-1.4

-1.2

-1

-0.8

-0.6

VGS (V)

-0.4

-0.2

RESULTADOS
V DD (V )

V GD (V )

TOMA DE DATOS
V S (V )
V DS ( V )
V D (V )

ID

I G (mA )

(A )
1.3
2,02
2,5
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
6,5
7
7,5
8
8,5
9
9,5
10
10,5
11

-0.05
-0.07
-0.09
-0.10
-0.12
-0.14
-0.162
-0.194
-0.196
-0.211
-0.226
-0.240
-0.25
-0.267
-0.262
-0.266
-0.269
-0.270
-0.272
-0.273

0.09
0.15
0.18
0.21
0.24
0.28
0.314
0.345
0.362
0.375
0.382
0.388
0.391
0.384
0.397
0.399
0.401
0.402
0.404
0.405

0.08
0.13
0.18
0.22
0.28
0.35
0.452
0.598
0.826
1.134
1.552
2.02
2.44
2.94
3.35
3.88
4.39
4.79
5.20
5.77

0.18
0.28
0.35
0.44
0.52
0.63
0.769
0.94
1.186
1.525
1.926
2.40
2.81
3.31
3.73
4.27
4.74
5.18
5.67
6.16

216
371
463
551
629
707.4
792
812
921
958
979
994
1000
1011
1017
1024
1024
1034
1035
1040

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

GRAFICAS DE REULTADOS.
VOLTAJE COMPUERTA SURTIDOR vs CORRIENTE DE DRENADOR
1200
1000
f(x) = - 3250.86x + 190.45
R = 0.95
800

CORRIENTE DE DRENADOR (uA)

600
400
200
-0.3 -0.25 -0.2 -0.15 -0.1 -0.05

VOLTAJE COMPUERTA SURTIDOR (V)

VOLTAJE COMPUERTA-SURTIDOR vs VOLTAJE DRENADOR-SURTIDOR

7
6
5
4
f(x) = 0.03 exp( -17.95 x )
3
R = 0.98

VOLTAJE DRENADOR-SURTIDOR(V)

2
1
-0.3 -0.25 -0.2 -0.15 -0.1 -0.05

VOLTAJE COMPUERTA-SURTIDOR (V)

VOLTAJE COMPUERTA-SURTIDOR vs VOLTAJE DRENADOR

7
6
5
4

f(x) = 0.09 exp( -14.46 x )

R = 0.98

VOLTAJE DRENADOR (V)

3
2
1

-0.3

-0.25

-0.2

-0.15

-0.1

-0.05

VOLTAJE COMPUERTA-SURTIDOR (V)

VOLTAJE COMPUERTA-SURTIDOR vs VOLTAJE DE SURTIDOR

f(x) = - 1.25x + 0.08

R = 0.94

VOLTAJE DE SURTIDOR (V)

-0.3

-0.25

-0.2

-0.15

-0.1

0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
-0.05
0

VOLTAJE COMPUERTA-SURTIDOR (V)

ANALISIS DE LOS RESULTADOS.

Como se puede apreciar de forma numerica y de forma grafica, al

hacerse mas y cada ves mas negativo el voltaje compuerta drenador,
tanto el voltaje drenador como el voltaje surtidor se hacen cada ves
mayor, pero con la diferencia de que este ultimo lo realiza este cambio
de forma algo lineal, mientras que el pimero mensionado lo hace de una
forma exponencial.
En cuanto a la corriente de drenador esta se hace cada vez mas alta al
aumentar de forma negativa el voltaje compuerta surtidor, esta razon se
puede apreciar de forma matematica en la parte de los calculos donde
se determina que este crecimiento se dara de forma exponencial.

PREGUNTAS

En cul zona se encuentra trabajando el FET?. Justifique su

respuesta.
Como podemos notar en gran parte, segun los resultados que nos
arroja la grafica y con los datos obtenidos teoricamente, el
transistor entra en saturacion cuando se encuentra
aproximadamente 1mA por lo tanto nuestra transistor operaba en
esta region cuando se superaron los 8V en la compuerta-surtidor

A partir de cul valor el FET entra en saturacin en este circuito?.

Justifique su respuesta.
Como se mensiono anteriormente, el transistor entra en saturacion
cuando se superaron los 8V en la compuerta-surtidor

Porqu la corriente de puerta es tan pequea en el JFET?. Le

afecta algo que la resistencia de puerta sea de 1M?. Justifique
sus respuestas.
El hecho de que la corriente de la compuerta sea pequea se debe
principalmente a la construccion fisica del transistor, este hecho

se da por el material que actua como dielectrico (Dioxido de

Silicio) entre el canal y la compuerta del transistor, el cual me
ofrece una alta impedancia de entrada y por la ley de ohm la
corriente tendera a ser cero.
Por otra parte, el hecho de que la resistencia de drenador sea de 1
M no tiene casi importancia en comparcion con la alta resistencia
de entrada de dicho amplificador, por lo que podemos decir que no
afecta tanto en esta.

ANEXOS

CONCLUSIONES
Despues
de
llevar a
cabo la

practica de
laboratorio acerca del comportamiento del FET frente a variaciones del
voltaje puerta-surtidor cm nos lo indicaba el procedimiento presente en
la guia, pudo determinarse que:

 Al aumentar de forma intensional el voltaje presente entre la

puerta y el drenador, se puede apreciar de forma clara que la
corriente del drenador ( I D aumenta de forma lineal conforme
cambia este voltaje.

Tantos los voltajes de drenador y surtidor aumentan de forma en que lo

hace el aumento de forma negativa de la tension compuerta- surtidor,
con la diferencia de que este ultimo lo hace de una manera lineal y el
primero de un forma exponecial, esto se puede ver claramente al
comparar los datos obtenidos practicamente con los hallados
teoricamente.

Una de las grandes causas de las discrepancia entre los valores

obtenidos y los calculados se deben en gran parte a la presicion de el
uso de las resistencias ya q cabe destacar que siempre presentan
variaciones como lo indica la tolerancia de cada una de estas. Por otra
parte fue de gran importancia utilizar o tener presente parametros que
sin duda alguna nuestro transistor no puede ser llevado ya que nos
podria habr causado probremas potenciales como pudo haber sido la
destruccion de este, tales parametros fueron maximo potencial de
alimentacion, potencia maxima de disipacion, etc.

BIBLIOGRAFIA

Sedra, K. Smith, Circuitos Microelectrnicos, Cap. 5, Transistores de

efecto de campo, 4 Edicin, McGraw Hill, 1998, pp. 369-465
R. Boylestad, L. Nashelsky, Electrnica: Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos, Cap. 8 Amplificadores con FET, 10
Edicin, Pearson Educacin, 2009, pp.472-528
INFOGRAFA

http://delegacion.etsiae.upm.es
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
https://es.wikiversity.org
http://unicrom.com/Tut_Fet.asp