Vous êtes sur la page 1sur 40

Electronique

Analogique
Franois MARIE
Matre de Confrences
Universit de Rennes 1
Btiment 12 D
Porte 12
N: 02 23 23 57 99
francois.marie@univ-rennes1.fr

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

Electronique
Analogique

Introduction

La jonction PN

Le transistor bipolaire

Les montages amplificateurs

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

Electronique Analogique Introduction


Amplification dun phnomne physique, identifier
les variables dentres,
lnergie qui va fournir lamplification.
Exemples :
1) Augmentation de la vitesse dun vhicule mobile
Vitesse de rotation moteur,
Energie thermique via le carburant.
2) Augmentation du dbit de leau dans une canalisation
Pression,
Energie potentielle (hauteur du chteau deau).
Pression P1

P2

Vanne hydraulique
Rgulation de la pression P3

P3

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

Electronique Analogique Introduction


Dans le cadre de llectricit, et pour amplifier un signal
lectrique dpendant du temps :
Variables : i(t), v(t)
Energie : alimentation continue (E, Vcc)
Lalimentation continue fournit lnergie aux composants
de lamplificateur
Alimentation continue
+

Amplificateur

Ve

Vs > Ve

Le contrle dune amplification passe par la matrise du flux


dlectrons.
Anode
Tube lectronique
Grille : Contrle du flux
dlectrons

Alimentation continue
1000V
e
Chauffage cathode
20 A sous 6V

cathode
Tubes : obsoltes sauf pour les amplificateurs > 1kW
TDF (broadcast) = 500kW TUBES
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

La jonction PN
P

V
Dans un semi conducteur dop N:
les porteurs majoritaires sont les lectrons,
les porteurs minoritaires sont les trous.
Dans un semi conducteur dop P:
les porteurs majoritaires sont les trous,
les porteurs minoritaires sont les lectrons.

La jonction PN au repos
Porteurs majoritaires
Porteurs minoritaires

+ + +- + + - +
+ -+ + + -+ -+
+- + + + + +
+ + + + + +

e 4
Silicium
e

3
e

- - - - +- - +- - +
+
- - - - +
+
- - - - e

trou

-+
-+
-

e
Bore

e 4 e 5 e
Silicium
Arsenic
e: libre
e
e

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

La jonction PN au repos
Porteurs minoritaires

P
+ -+
- + +
+ +
- + +

+
+
+
+

+
+
+
+

- - ++
- - ++

e
e

4
e

- - +- +- +
+
- - + +
- - -

e
e e

4
e

Ion ngatif

e
e

e: libre
e
Ion positif

Porteurs majoritaires ions fixes

dV
E
dx

V = barrire de potentiel
V = 0.6 V
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

La diode en inverse
Porteurs minoritaires

P
+ -+
- + +
+ +
- + +

+
+
+
+

F = -e.E

- - ++
- - ++

- - +- +- +
+
- - + +
- - -

ET

Is

Ealim

Valim
Le champ total au niveau de la jonction :ET

= E+Ealim

Is = 1nA = 10-9A

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

La diode en directe
Porteurs minoritaires

P
+ -+
- + +
+ +
- + +

N
+
+
+
+

+
+
+
+

+
+
+ F = -e.E +
-

- - +- +- +
+
- - + +
- - -

ET

Id

Ealim

Valim

Il faut que Valim > barrire de potentiel


Le champ total au niveau de la jonction : ET

= Ealim-E > 0

Id > 0

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

La diode
Symbole:
A i

K
u

i = Is.(exp(u/Ut)-1)
Is: Courant inverse ~ 10-9A dpend de T
Ut: KT/q 25mV avec proche de 1
K: Constante de Boltzman
T: temprature en K
q : charge de llectron
i
imax
VBR
Is

Vo umax

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

u
9

Diode polarisation
iD = ID+id

eg

uD = UD + ud

Maille de tension

Etude statique (eg = 0):


ID = Is.(exp(UD/Ut)-1)
E = UD+R.ID
ID

Point de polarisation
Ou
Point de repos

E/R

IDo

Mo
Droite de charge

UDo

UD

ID=(E UD)/R
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

10

Diode polarisation
E

iD = IDo+ id
R

eg

uD = UDo + ud
UDo : tension continue
ud: tension alternative
uD : somme des tensions

Etude dynamique (eg 0):


iD = Is.(exp(uD/Ut)-1)
E+eg = uD+R.iD
iD

zone de fonctionnement
E/R

IDo
eg
UDo

E-eg

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

uD

E+eg

11

Diode et petits signaux


Hypothse de la linarisation:
Les variations dans la zone de fonctionnement sont
faibles par rapport au point de polarisation.
On assimile la zone de variation une droite qui
correspond la tangente au point de repos. La pente
de la droite peut tre obtenue par le calcul de la
drive de la caractristique de la diode au point de
repos.
(d iD/d uD)Mo = 1/Rd ou Rd est la rsistance dynamique
de la diode
u
di D
I s ( UtD )

.e
d u D M o Ut

iD M

I Do I s .( e

Ut 25mV,
Cest une constante
! Ut UD

uD o
Ut

1)

Rd = Ut/IDo

di D
I I
I

Do s Do
Ut
Ut
d uD M o
E

R
eg

Zc = 1/(jC)
Zc = 1/(jC)

id
Rd

ud= Rd.id

Zc 0 (C.C.)
Zc (C.O.)
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

12

Le transistor bipolaire
Un transistor bipolaire est un dispositif semi conducteur comprenant
trois rgions de dopage alternes ralisant ainsi deux jonctions.
Il existe donc deux types de transistors.

Symbole
Type NPN
E

Type PNP
E

C
E

E: metteur fortement dop


B: base peu dope et dpaisseur faible
C: collecteur moins dop que lmetteur
Nota : bien que le transistor soit en apparence symtrique, il nest
pas souhaitable de permuter metteur et collecteur car les jonctions
B-E et B-C ne sont pas identiques.
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

13

Transistor NPN
On impose un sens aux courants IE, IC, IB

Emetteur

Interrupteur K : ouvert

N
- +- ++
- - +
- - + +

IE

EBE

- - -

+ + -

EBC

++
+-+
++
++

- +
- +

- - +- +- +
+
- - + +
- - -

K
V1

Ic

V2

Base

IB

Collecteur

Emetteur

Interrupteur K : ferm

ET = E 1 E BE> 0

- +- ++
- - +
F = -eE
- - + +

IE

- - -

E T = E 2 +E BC

+
++
+

- -F = +
-eE+
-- ++

K
V1

IB

Base

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

N
- - +- +- +
+
- - + +
- - -

Collecteur
e

Ic

V2

14

Transistor NPN
On impose un sens aux courants IE, IC, IB
Emetteur

Interrupteur K : ferm

E T = E 1 EBE> 0

- +- ++
- - +
F = -eE
- - + +

IE

- - -

ET = E 2 +E BC

+
++
+

- -F = +
-eE+
-- ++

N
- - +- +- +
+
- - + +
- - -

e
V1

IC = ICB-IE

IB

Collecteur
e

Ic

V2
Base

Note: ICB : courant inverse de la jonction

Dans la ralit, cette relation est approche car certains des


lectrons au cours de leur transit dans la base en profitent pour
sortir de la base.
IC = ICB- IE
< 1 est symbolise leffet transistor
La loi des nuds impose : IE+IC+IB = 0

I CB

IC

IB
1 1

1
I C (1 ) I CB .I B .I B

0.95< <0.995
20 <<200
volue avec IC et t

I E ( 1) I B

IE est dans le sens oppos celui choisi au dpart


Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

15

Le Transistor bipolaire
Le varie en fonction du courant de collecteur IC et de la
temprature de la jonction du transistor.

Si la temprature est maintenue constante, laisse apparatre


une valeur maximale en fonction du courant Ic.
Si Ic est maintenu constant et que t augmente alors augmente

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

16

Le Transistor bipolaire
Symboles:
C

B
Type NPN

E
C

E: Emetteur
B : Base
C: Collecteur

Type PNP
E
Vrification statique dun transistor:
C
C
B
B
NPN
E
B

C
E

E
C
B

PNP
E

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

17

Le Transistor bipolaire
Effet transistor:
IC
Type NPN

IE = IC + I B

IB

VBE

IC = .IB

VCE
IE
E
C -I
C

-IB
VBE = 0.6 V
B
Type PNP
-VBE

-VCE
-IE

E
Caractristique lectrique du transistor:
IC
IB B
VBE

C
VCE
IE E

Le transistor a trois pattes. Pour avoir un quadriple,


une des pattes doit tre commune entre lentre et la sortie

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

18

Le Transistor bipolaire
Caractristique dentre IB = fct(VBE)
IB
Caractristique dune diode
VCE = constante

IB4
IB3
IB2
IB1

IB = constante

Zone sature

VBE
Caractristique de sortie IC = fct (VCE)
IB5
I

0.2V
VCE
! Aux limites courants et tensions
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

19

Polarisation dun transistor


bipolaire
Il faut choisir E de faon compatible avec les limitations du
transistor (VCB, VCE, VEB, IC) et le cahier de charge (RL).
IC

Icmax
E/RL

IC = Pmax /VCE

ICo

VCEo

VCE

Vce max

La droite de charge doit tre tangente lhyperbole de puissance

Amplificateur en classe A
Pour obtenir le maximum de puissance, il faut que le point de
polarisation se situe au milieu de la droite de charge.
E/RL

Vsmax = E/2

Ismoy

E
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

20

Polarisation dun
Transistor bipolaire
Cest fixer un ensemble de valeurs caractrisant
son tat de fonctionnement (IB, IC, VBE, VCE)
I R2
C

R1
E1

IB B
VBE

E2
VCE

IE E

Le transistor fournit trois quations:


IC = f(VCE,IB),
VBE = g(IB,VCE),
IC = .IB
Le montage comporte deux mailles:
Maille dentre
E1 = R1.IB+VBE (droite dattaque)
Maille de sortie
E2 = R2.IC+VCE (droite de charge)
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

21

Polarisation dun
Transistor bipolaire
Quadrant n 2

IC
E2/R2

VCE= E2 - R2.IC (droite de charge)

Mo

ICo

Mo
IB E1/R1

Quadrant n 1

VVCE
CE

IBo
VCEo

VCE = cte

VBEo
Mo

E2

Droite de charge
Point de polarisation
Mo(IBo,ICo,VBEo,VCEo)

Quadrant n 3

VBE =E1 - R1.IB (droite dattaque)


y = b a.x

Droite dattaque
VBE

E1

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

22

Polarisation dun Transistor bipolaire


Soit, on dispose :
des graphes Ic = fct(VCE), IB = fct(VBE) et ,
rsolution graphique,
des valeurs numriques,
rsolution par les quations.

Il est rare de disposer de deux alimentations.


Montage rsistance de base:
E = VCE+RC.IC

RB

RC
IC

IB
Maille 1

Maille 2

VCE

VBE

E = VBE+RB.IB

Montage rsistance de collecteur:


IC

RB

E
IB
VBE

RC

E = VCE +RC.IC
et VCE = VBE+RB.IB

VCE

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

23

Polarisation dun Transistor bipolaire


Montage deux alimentations
2VEE = RC.IC+VCE+ RE.(1+1/)IC

+VEE
RB

RC

VEE = RB.IB+VBE+ RE.(1+)IB

IC

IB

VCE

VBE

IE = IC+IB

RE

-VEE

Montage pont de base avec une alimentation


E
RB

RC

RC
A

RTH
T
RE

RA

ETH

T
RE

D
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

24

Polarisation dun Transistor bipolaire


Montage pont de base avec une alimentation
RB
E

On impose Ip = 11.IB

RC
IC

Ip

VCE

VBE

RE

RA
D
Exemple de calcul:

Montage rsistance de base:

RB
IB
VBE

RC

E = 15V, RE = 70
RB = 14k, RC = 50
= 200
Dterminer VB, VC, VE,
IC,IB,IE

IC
VCE

RE

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

25

Polarisation dun
Transistor bipolaire
Droite de charge et droite dattaque
Montage rsistance de base:
Droite de charge

RB

RC
T

E = VCE+RC.IC

Droite dattaque
E = VBE+RB.IB

Montage rsistance de collecteur:


Droite de charge
E = VCE +RC.IC

RB

RC
T

Droite dattaque
VCE = VBE+RB.IB

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

26

Polarisation dun Transistor bipolaire


Montage pont de base
Droite de charge

RB

RC

E = VCE+RC.IC+RE.(1+1/)IC
Droite dattaque

ETH = RTH.IB +VBE+RE.(1+).IB

RE

RA

ETH = fct (E,RA,RB)


RTH = fct (RA,RB)

Montage deux alimentations


+VEE
RC
RB

Droite dattaque
IB = (VEE-VBE)/ (RB+ RE.(1+ ))
Droite de charge

2VEE = RC.IC+VCE+ RE.(1+1/)IC

RE
-VEE

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

27

Transistor bipolaire et
rgime dynamique
On ajoute une source de tension alternative au
montage
iC R2
R1 i
B

E1
eg

vBE

C
B

CL

iE E

E2

vCE
RL

Vs

Le thorme de superposition permet dcrire que toute


tension ou tout courant est la somme de deux tensions ou
courants, lune continu(e), lautre alternatif(ive).

Do

iC = ICo+ic
iB = IBo+ib
vCE = VCEo+vce
vBE = VBEo+vbe
E2 = R2.(ICo+ic)+VCEo+vce
eg+E1= R1(IBo+ib)+VBEo+vbe
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

28

Transistor bipolaire et
rgime dynamique
En alternatif les expressions deviennent :
en supposant que la caractristique iC en fonction
de vCE est parfaite. (iC = .iB) et RL =
iC
Mo

vCE
(diC/dvce)Mo= 0
Do ic = -vce/R2
De mme, sur la caractristique iB en fonction de vBE
On a la tangente au point de polarisation Mo une
pente de valeur 1/rb (cf diode).
ib = vbe/rb (cf diode) et ib = (eg -vbe)/R1
On obtient vbe = eg. rb/(rb+R1)
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

29

Transistor bipolaire et
rgime dynamique
Quadrant n 2

iC

Droite de charge statique

Quadrant n 1
Droite de charge dynamique
Si RL RT = R2//RL < R2

ic

iC = .iB
iB

Mo

ICo

Mo

vce
-1/RT
VCEo

IBo

vCE

vce

VCE = cte

temps

ib
1/rb

Mo vbe VBEo

vbe = eg(t).rb/(rb+R1)

Quadrant n 3
vce = -R2.ic
Point de polarisation
ic = .ib
Mo(IBo,ICo,VBEo,VCEo) i = v /r
b
be b
vBE
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

vce = -R2..eg/(rb+R1)

30

Transistor bipolaire et rgime dynamique

Schma quivalent du transistor:


ic+ICo
B ib
C
i = .i
i +I
B
r
v
vce+ VCEo

Bo

vbe+VBEo

vce

E
iC

R2

R1 i
B

eg

be

ie+ IEo

E1

C ic

vBE

CL

iE E

E2

vCE
RL

C i
c

Vs

R2

R1 i
b B

eg

vbe

ie

vce
RL

Vs

E
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

31

Transistor bipolaire et rgime dynamique

Schma quivalent du transistor:


R2

C
ic

R1 i
b B

eg

vce

vbe

RL

rb

Vs

E
R1 i
b B
eg

C ic

vbe

R2

vce

RL

Vs

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

32

Transistor bipolaire et
rgime dynamique
Schma quivalent du transistor:
Le gnrateur de courant nest pas parfait.
icT Mo

iC

Pente

ic

= 1/rc

vce
1/RT

Droite de charge dynamique: -1/RT

Zone linaire

vCE
La pente de la tangente au point de fonctionnement Mo vaut 1/rc
si la source nest pas parfaite.

icT = ic + vce/rc
ib

ic+ICo
ib + IBo
vbe+VBEo

B
E
ie+ IEo

vce+ VCEo

icT
ic = .ib

vbe

rb

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

rc

33

vce

Transistor bipolaire et rgime dynamique


C
C
B
B
NPN
Schma statique
E

Schma dynamique

ic = .ib

ib

rBE = r diode

vbe

ib

icT
ic = .ib

rb

BE

rc
E

rb=.r

rb = vbe/ib= (vbe/iE).(iE/ib) = rbe.

= .UT/IE

BE

Schma quivalent du transistor:


R1
i
i
b

cT

ic = .ib

eg

rb

vbe
Vce = -R2.icT
ic = .ib
icT = ic + vce/rc
ib = eg/(R1+rb)

rc

vce

R2

Vce = -R2..eg/(R1+rb). 1/(1+R2/rc)

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

34

Transistor bipolaire et rgime dynamique


Paramtre du transistor:
i1

i2
Q

v1

v2

Matrice impdance

v1 Z11 Z12 i1


v2 Z 21 Z 22 i2

Matrice hybride

v1 h11 h12 i1


i2 h21 h22 v2
V
h11 = rsistance dynamique de la jonction BE
h11 BE
I B VCE cte
V
h12 BE
VCE

h12 = 0 ;
I B cte

I
h21 C
I B V CE cte
I
h22 C
VCE

h21 = gain en courant du transistor

h22 = conductance de la source de courant

I B cte
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

35

Transistor bipolaire et
rgime dynamique
Schma quivalent du transistor:
ic+ICo
ib + IBo

B
E

vbe+VBEo

vce+ VCEo

ie+ IEo

ib

icT
ic = .ib

rb

rc

vbe

h12.VCE 0

vce

rc=1/h22

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

36

Amplificateurs
Transistors
Les tudes prcdentes taient considres avec lhypothse que
lmetteur du transistor tait reli la masse. En ralit, rien
nempche de choisir comme lectrode de rfrence la base ou
le collecteur.
Dans tous les cas, on sattache dterminer le quadriple quivalent
suivant:

CL

rg
CL

eg

Zs

Ve

Ze

Vs

Av.Ve

1) Montage metteur commun (masse)


Vcc
iC
R1
CL

iB
vBE

Ve

R2 RE

RC

CL

VCE
Vs
CE

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

37

Amplificateurs
Transistors
2) Montage charge rpartie

R1
CL

iC

Vcc

RC

CL

iB

VCE

vBE
Ve

Vs

R2 RE

3) Montage collecteur commun


CE

R1
CL

iB
vBE

Ve

Vcc

iC
RC
VCE

R2 RE
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

CL
Vs
38

Amplificateurs
Transistors
2) Montage base commune

R1

iC

Vcc

RC

CL

iB
CL

vBE

VCE

Vs

R2 RE

CL

Ze

Av

Zs

Emetteur

RB//rb

- .Rc/rb

Rc

Charge
rpartie

RB//(.RE)

-RC/RE

Rc

Rsultats
attendus

collecteur

RB//(.RE)

base

(rb/(+1)) //
RE

Rc/rb

Toutes reproductions interdites sans


l'autorisation de l'auteur

Ve

RE //
( rb / (+1) )

Rc
39

Amplificateurs
Transistors
Rsultats
attendus :

Ze

Av

Zs

utilisation

Emetteur

faible

trs fort

Rc

amplificateur

Charge
rpartie

forte

-RC/RE

Rc

Pas de

collecteur

forte

faible

Adaptation
dimpdance

base

trs faible

Rc/rb

Rc

Ampli RF

Montage Darlington

B
= 1. 2
rb = 1.rb1

C
C1

B1
E1

B2

C2
E2

rc = 2.rc1

On peut associer tous les montages mais il est ncessaire dutiliser


des capacits de liaisons ce qui exclut les signaux TBF.

Amplificateurs structures diffrentielles


Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur

40