Analogique Franois MARIE Matre de Confrences Universit de Rennes 1 Btiment 12 D Porte 12 N: 02 23 23 57 99 francois.marie@univ-rennes1.fr
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
Electronique Analogique
Introduction
La jonction PN
Le transistor bipolaire
Les montages amplificateurs
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
Electronique Analogique Introduction
Amplification dun phnomne physique, identifier les variables dentres, lnergie qui va fournir lamplification. Exemples : 1) Augmentation de la vitesse dun vhicule mobile Vitesse de rotation moteur, Energie thermique via le carburant. 2) Augmentation du dbit de leau dans une canalisation Pression, Energie potentielle (hauteur du chteau deau). Pression P1
P2
Vanne hydraulique Rgulation de la pression P3
P3
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
Electronique Analogique Introduction
Dans le cadre de llectricit, et pour amplifier un signal lectrique dpendant du temps : Variables : i(t), v(t) Energie : alimentation continue (E, Vcc) Lalimentation continue fournit lnergie aux composants de lamplificateur Alimentation continue +
Amplificateur
Ve
Vs > Ve
Le contrle dune amplification passe par la matrise du flux
dlectrons. Anode Tube lectronique Grille : Contrle du flux dlectrons
Alimentation continue 1000V e Chauffage cathode 20 A sous 6V
cathode Tubes : obsoltes sauf pour les amplificateurs > 1kW TDF (broadcast) = 500kW TUBES Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
La jonction PN P
V Dans un semi conducteur dop N: les porteurs majoritaires sont les lectrons, les porteurs minoritaires sont les trous. Dans un semi conducteur dop P: les porteurs majoritaires sont les trous, les porteurs minoritaires sont les lectrons.
La jonction PN au repos Porteurs majoritaires Porteurs minoritaires
V = barrire de potentiel V = 0.6 V Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
La diode en inverse Porteurs minoritaires
P + -+ - + + + + - + +
+ + + +
F = -e.E
- - ++ - - ++
- - +- +- + + - - + + - - -
ET
Is
Ealim
Valim Le champ total au niveau de la jonction :ET
= E+Ealim
Is = 1nA = 10-9A
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
La diode en directe Porteurs minoritaires
P + -+ - + + + + - + +
N + + + +
+ + + +
+ + + F = -e.E + -
- - +- +- + + - - + + - - -
ET
Id
Ealim
Valim
Il faut que Valim > barrire de potentiel
Le champ total au niveau de la jonction : ET
= Ealim-E > 0
Id > 0
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
La diode Symbole: A i
K u
i = Is.(exp(u/Ut)-1) Is: Courant inverse ~ 10-9A dpend de T Ut: KT/q 25mV avec proche de 1 K: Constante de Boltzman T: temprature en K q : charge de llectron i imax VBR Is
Vo umax
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
u 9
Diode polarisation iD = ID+id
eg
uD = UD + ud
Maille de tension
Etude statique (eg = 0):
ID = Is.(exp(UD/Ut)-1) E = UD+R.ID ID
Point de polarisation Ou Point de repos
E/R
IDo
Mo Droite de charge
UDo
UD
ID=(E UD)/R Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
10
Diode polarisation E
iD = IDo+ id R
eg
uD = UDo + ud UDo : tension continue ud: tension alternative uD : somme des tensions
Etude dynamique (eg 0):
iD = Is.(exp(uD/Ut)-1) E+eg = uD+R.iD iD
zone de fonctionnement E/R
IDo eg UDo
E-eg
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
uD
E+eg
11
Diode et petits signaux
Hypothse de la linarisation: Les variations dans la zone de fonctionnement sont faibles par rapport au point de polarisation. On assimile la zone de variation une droite qui correspond la tangente au point de repos. La pente de la droite peut tre obtenue par le calcul de la drive de la caractristique de la diode au point de repos. (d iD/d uD)Mo = 1/Rd ou Rd est la rsistance dynamique de la diode u di D I s ( UtD )
.e d u D M o Ut
iD M
I Do I s .( e
Ut 25mV, Cest une constante ! Ut UD
uD o Ut
1)
Rd = Ut/IDo
di D I I I
Do s Do Ut Ut d uD M o E
R eg
Zc = 1/(jC) Zc = 1/(jC)
id Rd
ud= Rd.id
Zc 0 (C.C.) Zc (C.O.) Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
12
Le transistor bipolaire Un transistor bipolaire est un dispositif semi conducteur comprenant trois rgions de dopage alternes ralisant ainsi deux jonctions. Il existe donc deux types de transistors.
Symbole Type NPN E
Type PNP E
C E
E: metteur fortement dop
B: base peu dope et dpaisseur faible C: collecteur moins dop que lmetteur Nota : bien que le transistor soit en apparence symtrique, il nest pas souhaitable de permuter metteur et collecteur car les jonctions B-E et B-C ne sont pas identiques. Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
13
Transistor NPN On impose un sens aux courants IE, IC, IB
Emetteur
Interrupteur K : ouvert
N - +- ++ - - + - - + +
IE
EBE
- - -
+ + -
EBC
++ +-+ ++ ++
- + - +
- - +- +- + + - - + + - - -
K V1
Ic
V2
Base
IB
Collecteur
Emetteur
Interrupteur K : ferm
ET = E 1 E BE> 0
- +- ++ - - + F = -eE - - + +
IE
- - -
E T = E 2 +E BC
+ ++ +
- -F = + -eE+ -- ++
K V1
IB
Base
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
N - - +- +- + + - - + + - - -
Collecteur e
Ic
V2
14
Transistor NPN On impose un sens aux courants IE, IC, IB Emetteur
Interrupteur K : ferm
E T = E 1 EBE> 0
- +- ++ - - + F = -eE - - + +
IE
- - -
ET = E 2 +E BC
+ ++ +
- -F = + -eE+ -- ++
N - - +- +- + + - - + + - - -
e V1
IC = ICB-IE
IB
Collecteur e
Ic
V2 Base
Note: ICB : courant inverse de la jonction
Dans la ralit, cette relation est approche car certains des
lectrons au cours de leur transit dans la base en profitent pour sortir de la base. IC = ICB- IE < 1 est symbolise leffet transistor La loi des nuds impose : IE+IC+IB = 0
I CB
IC
IB 1 1
1 I C (1 ) I CB .I B .I B
0.95< <0.995 20 <<200 volue avec IC et t
I E ( 1) I B
IE est dans le sens oppos celui choisi au dpart
Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
15
Le Transistor bipolaire Le varie en fonction du courant de collecteur IC et de la temprature de la jonction du transistor.
Si la temprature est maintenue constante, laisse apparatre
une valeur maximale en fonction du courant Ic. Si Ic est maintenu constant et que t augmente alors augmente
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
16
Le Transistor bipolaire Symboles: C
B Type NPN
E C
E: Emetteur B : Base C: Collecteur
Type PNP E Vrification statique dun transistor: C C B B NPN E B
C E
E C B
PNP E
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
17
Le Transistor bipolaire Effet transistor: IC Type NPN
IE = IC + I B
IB
VBE
IC = .IB
VCE IE E C -I C
-IB VBE = 0.6 V B Type PNP -VBE
-VCE -IE
E Caractristique lectrique du transistor: IC IB B VBE
C VCE IE E
Le transistor a trois pattes. Pour avoir un quadriple,
une des pattes doit tre commune entre lentre et la sortie
0.2V VCE ! Aux limites courants et tensions Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
19
Polarisation dun transistor
bipolaire Il faut choisir E de faon compatible avec les limitations du transistor (VCB, VCE, VEB, IC) et le cahier de charge (RL). IC
Icmax E/RL
IC = Pmax /VCE
ICo
VCEo
VCE
Vce max
La droite de charge doit tre tangente lhyperbole de puissance
Amplificateur en classe A Pour obtenir le maximum de puissance, il faut que le point de polarisation se situe au milieu de la droite de charge. E/RL
Vsmax = E/2
Ismoy
E Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
20
Polarisation dun Transistor bipolaire Cest fixer un ensemble de valeurs caractrisant son tat de fonctionnement (IB, IC, VBE, VCE) I R2 C
R1 E1
IB B VBE
E2 VCE
IE E
Le transistor fournit trois quations:
IC = f(VCE,IB), VBE = g(IB,VCE), IC = .IB Le montage comporte deux mailles: Maille dentre E1 = R1.IB+VBE (droite dattaque) Maille de sortie E2 = R2.IC+VCE (droite de charge) Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
21
Polarisation dun Transistor bipolaire Quadrant n 2
IC E2/R2
VCE= E2 - R2.IC (droite de charge)
Mo
ICo
Mo IB E1/R1
Quadrant n 1
VVCE CE
IBo VCEo
VCE = cte
VBEo Mo
E2
Droite de charge Point de polarisation Mo(IBo,ICo,VBEo,VCEo)
Quadrant n 3
VBE =E1 - R1.IB (droite dattaque)
y = b a.x
Droite dattaque VBE
E1
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
22
Polarisation dun Transistor bipolaire
Soit, on dispose : des graphes Ic = fct(VCE), IB = fct(VBE) et , rsolution graphique, des valeurs numriques, rsolution par les quations.
Il est rare de disposer de deux alimentations.
Montage rsistance de base: E = VCE+RC.IC
RB
RC IC
IB Maille 1
Maille 2
VCE
VBE
E = VBE+RB.IB
Montage rsistance de collecteur:
IC
RB
E IB VBE
RC
E = VCE +RC.IC et VCE = VBE+RB.IB
VCE
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
23
Polarisation dun Transistor bipolaire
Montage deux alimentations 2VEE = RC.IC+VCE+ RE.(1+1/)IC
+VEE RB
RC
VEE = RB.IB+VBE+ RE.(1+)IB
IC
IB
VCE
VBE
IE = IC+IB
RE
-VEE
Montage pont de base avec une alimentation
E RB
RC
RC A
RTH T RE
RA
ETH
T RE
D Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
24
Polarisation dun Transistor bipolaire
Montage pont de base avec une alimentation RB E
On impose Ip = 11.IB
RC IC
Ip
VCE
VBE
RE
RA D Exemple de calcul:
Montage rsistance de base:
RB IB VBE
RC
E = 15V, RE = 70 RB = 14k, RC = 50 = 200 Dterminer VB, VC, VE, IC,IB,IE
IC VCE
RE
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
25
Polarisation dun Transistor bipolaire Droite de charge et droite dattaque Montage rsistance de base: Droite de charge
Transistor bipolaire et rgime dynamique On ajoute une source de tension alternative au montage iC R2 R1 i B
E1 eg
vBE
C B
CL
iE E
E2
vCE RL
Vs
Le thorme de superposition permet dcrire que toute
tension ou tout courant est la somme de deux tensions ou courants, lune continu(e), lautre alternatif(ive).
Do
iC = ICo+ic iB = IBo+ib vCE = VCEo+vce vBE = VBEo+vbe E2 = R2.(ICo+ic)+VCEo+vce eg+E1= R1(IBo+ib)+VBEo+vbe Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
28
Transistor bipolaire et rgime dynamique En alternatif les expressions deviennent : en supposant que la caractristique iC en fonction de vCE est parfaite. (iC = .iB) et RL = iC Mo
vCE (diC/dvce)Mo= 0 Do ic = -vce/R2 De mme, sur la caractristique iB en fonction de vBE On a la tangente au point de polarisation Mo une pente de valeur 1/rb (cf diode). ib = vbe/rb (cf diode) et ib = (eg -vbe)/R1 On obtient vbe = eg. rb/(rb+R1) Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
29
Transistor bipolaire et rgime dynamique Quadrant n 2
iC
Droite de charge statique
Quadrant n 1 Droite de charge dynamique Si RL RT = R2//RL < R2
ic
iC = .iB iB
Mo
ICo
Mo
vce -1/RT VCEo
IBo
vCE
vce
VCE = cte
temps
ib 1/rb
Mo vbe VBEo
vbe = eg(t).rb/(rb+R1)
Quadrant n 3 vce = -R2.ic Point de polarisation ic = .ib Mo(IBo,ICo,VBEo,VCEo) i = v /r b be b vBE Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
vce = -R2..eg/(rb+R1)
30
Transistor bipolaire et rgime dynamique
Schma quivalent du transistor:
ic+ICo B ib C i = .i i +I B r v vce+ VCEo
Bo
vbe+VBEo
vce
E iC
R2
R1 i B
eg
be
ie+ IEo
E1
C ic
vBE
CL
iE E
E2
vCE RL
C i c
Vs
R2
R1 i b B
eg
vbe
ie
vce RL
Vs
E Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
31
Transistor bipolaire et rgime dynamique
Schma quivalent du transistor:
R2
C ic
R1 i b B
eg
vce
vbe
RL
rb
Vs
E R1 i b B eg
C ic
vbe
R2
vce
RL
Vs
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
32
Transistor bipolaire et rgime dynamique Schma quivalent du transistor: Le gnrateur de courant nest pas parfait. icT Mo
iC
Pente
ic
= 1/rc
vce 1/RT
Droite de charge dynamique: -1/RT
Zone linaire
vCE La pente de la tangente au point de fonctionnement Mo vaut 1/rc si la source nest pas parfaite.
icT = ic + vce/rc ib
ic+ICo ib + IBo vbe+VBEo
B E ie+ IEo
vce+ VCEo
icT ic = .ib
vbe
rb
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
rc
33
vce
Transistor bipolaire et rgime dynamique
C C B B NPN Schma statique E
Schma dynamique
ic = .ib
ib
rBE = r diode
vbe
ib
icT ic = .ib
rb
BE
rc E
rb=.r
rb = vbe/ib= (vbe/iE).(iE/ib) = rbe.
= .UT/IE
BE
Schma quivalent du transistor:
R1 i i b
cT
ic = .ib
eg
rb
vbe Vce = -R2.icT ic = .ib icT = ic + vce/rc ib = eg/(R1+rb)
rc
vce
R2
Vce = -R2..eg/(R1+rb). 1/(1+R2/rc)
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
34
Transistor bipolaire et rgime dynamique
Paramtre du transistor: i1
i2 Q
v1
v2
Matrice impdance
v1 Z11 Z12 i1
v2 Z 21 Z 22 i2
Matrice hybride
v1 h11 h12 i1
i2 h21 h22 v2 V h11 = rsistance dynamique de la jonction BE h11 BE I B VCE cte V h12 BE VCE
h12 = 0 ; I B cte
I h21 C I B V CE cte I h22 C VCE
h21 = gain en courant du transistor
h22 = conductance de la source de courant
I B cte Toutes reproductions interdites sans l'autorisation de l'auteur
35
Transistor bipolaire et rgime dynamique Schma quivalent du transistor: ic+ICo ib + IBo
B E
vbe+VBEo
vce+ VCEo
ie+ IEo
ib
icT ic = .ib
rb
rc
vbe
h12.VCE 0
vce
rc=1/h22
Toutes reproductions interdites sans
l'autorisation de l'auteur
36
Amplificateurs Transistors Les tudes prcdentes taient considres avec lhypothse que lmetteur du transistor tait reli la masse. En ralit, rien nempche de choisir comme lectrode de rfrence la base ou le collecteur. Dans tous les cas, on sattache dterminer le quadriple quivalent suivant:
