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DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

COURS 1

I LA DIODE DE PUISSANCE
I.1 REPRESENTATION. DESCRIPTION ET FONCTIONNEMENT
La diode est un composant qui permet le passage unidirectionnel du courant, ses deux lectrodes
sont lanode et la cathode.
Sa reprsentation est donne figure 1.1,

Figure 1.1. Symbole de la diode


Si on applique entre ses lectrodes une tension vAK >0 (+ sur A, - sur B) suprieure une valeur VT 0
, appele tension de seuil, la diode devient conductrice, le sens du courant tant AK.
Si la tension vAK est ngative, la diode se bloque, et nest parcourue que par un courant inverse IR de
valeur trs faible.
Ce fonctionnement sexplique par la prsence de la jonction P-N cre sur un monocristal de silicium
encapsul dans la diode.

I.1.1 La jonction P-N.


La jonction P-N est obtenue dans un monocristal pur de silicium par dopage dimpurets :
Impurets receveurs (aluminium, bore) prsentant 3 lectrons priphriques crant ainsi
une couche de type P.
Impurets donneurs (antimoine, phosphore) ayant 5 lectrons priphriques crant une
zone N.
Latome de silicium est ttravalent. Par dopage avec des impurets receveurs , lune des liaisons
covalentes reste non satisfait entre chaque atome de semi-conducteurs et dimpuret.
A la temprature ordinaire, les lectrons priphriques ont suffisamment dnergie pour se mouvoir
et satisfaire les liaisons covalents (figure 1.2)
Dans le rseau semi-conducteur vont apparatre des trous, en nombre gal la concentration des
atomes dimpurets, trous qui peuvent assurer la conduction du courant.
On trouve donc la zone P, des trous porteurs majoritaires et des ions ngatifs fixes. Dans la
couche de type N, le cinquime lectron priphrique de chaque atome dimpuret ne participera pas
la satisfaction dune liaison covalente. Il deviendra donc lectron libre (figure 1.3). Dans ce cas,
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Figure 1.2. Zone P.


un ion positif dimpuret restera fixe dans le rseau semi-conducteur. Finalement dans la zone N, il
y a des lectrons libres porteurs majoritaires.
Dans chaque zone, il y a aussi des porteurs minoritaires, des trous en zone N, des lectrons en zone
P qui ont pour origine lagitation thermique ou la diffusion des porteurs majoritaires dune couche
voisine.
Une jonction P-N va apparatre quand la concentration dimpurets se modifie sur une largeur
suffisamment petite, passant dune majorit dimpurets receveurs une majorit dimpurets
donneurs .

Figure 1.3. Zone N.


Pour le silicium cette largeur est de lordre de 10-5 cm.
Les mthodes
utilises pour obtenir une jonction P-N sont : lalliage, la diffusion, la croissance
pitaxiale.
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Dans notre tude, on considrera la jonction plan parallle avec des couches P-N dune paisseur
trs grande devant la largeur de diffusion des porteurs minoritaires (figure 1.4).
Les propriets et les caractristiques de la diode sont dtermines par la jonction P-n. Celle-ci peut
tre dans trois situations :
Non polarise ;
Polarise en direct ;
Polarise en inverse ;

Figure 1.4. Jonction P-N.


a) Jonction non polarise
La concentration des porteurs de charges, diffrente dans les deux zones voisines dtermine
aussi la temprature ambiante un processus de diffusion dune zone lautre. Les lectrons et
les trous se recombinant, de sorte que, au voisinage de la jonction seuls restent lquilibre des
ions ngatifs du ct P et des ions positifs du ct n. Un champ lectrique propre E 0 va
apparatre, dterminant une barrire de potentiel V0 , qui empchera les dplacement des
lectrons de la zone N vers la zone P et des trous de la zone P vers la zone N (figure 1.5)

Figure 1.5. Jonction P-N non polarise


On peut conclure que, lquilibre thermique, une barrire de potentiel interne V0 est apparue
dans une zone voisine de la jonction, zone appele de transition ou de charge despace, (space
charge region ; depletion region) qui se comporte comme une couche lectrique double.
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La zone de charge despace pauvre en porteurs, a une rsistivit et une rsistance lectrique
leves. Son paisseur l0 et ses caractristiques lectriques sont dtermines pat le pourcentage
de dopage en impurets. Sil croit, l0 diminue, la valeur maximale E 0 max du champ E 0 et la
barrire de potentiel V0 vont slever, l0 diminue aussi, lorsque la temprature augmente. La
tension correspondant la barrire de potentiel est appele tension de seuil ou de diffusion. Pour
une diode de puissance, elle est note VT0 et sa valeur est indique sur les catalogues de
composants.
b) Jonction polarise en direct
Une polarisation directe sous la tension VF entrane lapparition dun champ
lectrique E F ,champ de sens contraire E 0 , dans la zone de charge despace (figure 1.6).La
barrire de potentiel voit alors sa valeurs rduite de V0 V0 -VF. Si V0 -VF>0, le champ rsultant
garde le mme sens, mais lpaisseur de la zone de charge despace diminue, permettant un
certain nombre de porteurs majoritaires, dnergie suffisante, de traverser la jonction. Ce faible
courant ainsi apparu augmente avec la tension extrieure de polarisation VF. Quand V0 =VF, la
zone de charge despace disparat, les porteurs majoritaires passent par la jonction sans aucun
opposition. On dit que la jonction est devenue passante.

Figure 1.6. Jonction polarise en direct


c) Jonction polarise en inverse. (figure 1.7)
Lapplication dune tension extrieure inverse inverse VR entrane lapparition dans la rgion de
charge despace dun champ lectrique E R de mme sens que E 0 . Le champ rsultant
dtermine dlevation de lpaisseur de la zone de transition et de la barrire de potentiel, de la
valeur V0 V0 +VR. En ce cas seulement, un petit nombre de porteurs minoritaires va passer par
la jonction sous linfluence du champ lectrique rsultant.
Cela dtermine le courant inverse IR trs faible, circulant de la zone N vers la zone P. Si VR
crot, IR reste relativement constant jusqu la valeur VBR, appele tension davalanche.

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Figure 1.7. Jonction polarise en inverse


Le courant inverse prend alors brusquement une valeur trs grande cause des ionisations par
choc et de la rupture des liaisons covalentes existant dans le cristal. Il y a destruction de la
jonction P-N.

I.1.2 La structure P-S-N.


Les diodes de puissance doiventsupporter en conduction de fortes densits de courant (60 100
A/cm2 ), tout en ayant une faible chute de tension. Dans le mme temps, les tensions inverses
admises dans ltat de polarisation inverse peuvent tre leves. Pour assurer les deux premires
condition, un fort dopage en impurets est ncessaire, entranant en champ propre E 0 la jonction
de valeur importante, donc une tension inverse extrieure VR maximale admissible de faible valeur.
Pour pallier cet inconvnient, on a dvelopp la structure P-S-N (figure 1.8). Entre les deux
couches N et P fortement dopes en impurets, on a introduit une couche Sp faiblement dope, par
exemple avec des atomes receveurs. Lpaisseur de cette couche ne doit pas dpasser la longeur de
diffusion des porteurs, car en polarisation directe, les porteurs majoritaires doivent passer dune
zone lautre en se recombinant peu.

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Figure 1.8. Structure P-S-N


En ce cas, la structure P-S-N polarise en direct se comporte comme une jonction P-N. En
polarisation inverse (- A, + K, figure 1.8), la charge despace slargit dans la zone Sp (figure
1.8.b), rpartissant la plus grande partie de la tension inverse extrieure entre les couches Sp et N. Le
champ lectrique, cette jonction, ayant une faible valeur, la structure P-S-N pourra bloquer des
tensions inverses de valeur suprieure celle que bloquerait la structure P-N.
Les

diodes

de

puissance

sont

construites

autour

de

cette

structure

de

base.

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I.2. La caracteristique statique courant tension


Cette caractstique reprsente levolution du courant passant dans la diode en fonction de la chute de
tension ses bornes en courant continu (figure I.9).
Le premier quadrant donne la caracteristique directe IF(VF) pour la diode polarise en direct et le
second quadrant donne la caractristique inverse IR(VR) correspondant la polarisation inverse.

Figure I.9. Caractristique statique courant tension


La caractristique de la diode peut tre dcrite thoriquement par l quation :
mvAKU

I D = I S e T 1

avec : ID : courant dans la diode ;


VAK : tension aux bornes de la diode ;
IS : courant de saturation (thoriquement, le courant inverse) ;
kT
UT =
: tension thermique ;
e0

(I.1)

k : 1,38 10 23 J / K , constante de Boltzman ;


T : temperature absolue en Kelvin ;
e 0 : 1,6 10 19 C , charge dlectron ;
m : facteur de correction, qui tient compte de lcart de la thorie simplifie
dveloppe par Schottky ;
A la temprature ambiante,
k T 1.38 10 23 J / K 296K
UT =
=
e0
1 .6 10 19 C
Lquation (I.1) peut tre applique :
a) Dans le cas de polarisation directe :

(I.2)

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I D I F ; VAK VF et e

VF
mUT

>> 1 donc : I F = I S e

VF
mUT

(I.3)

b) Dans le cas de polarisation inverse :

I D I R ; VAK VR et e

VF
mUT

<< 1 donc : I R = I S

(I.4)

Cette relation (I.4) montre la signification du courant IS.


La valeur de la tension davalanche VBR, entranant la destruction de la diode dpend de la
temprature et du dopage du semi-conducteur. Cette valeur augmente avec la temprature car la
dure de vie moyenne des porteurs diminue en ce cas.
La figure I.10 illustre diverses remarques.

Fig. I.10. Modification de la caractristique avec la temperature


En examinant la figure I.9, on peut voir la signification de quelques donns du catalogue : VT 0,
VFM, VRRM , VRSM, IRM :
VFM est la chute maximale de tension dans la diode pour le courant nominal IF, elle
est comprise entre 1.1 et 1.5 V ;
VRRM est la tension inverse de pointe rptitive, valeur de crte maximale admissible
en inverse en rgime rptitif ;
IRM est le courant inverse la diode ayant ses bornes VRRM ;
VRSM est la tension inverse de pointe non rptitive, valeur de crte maximale
admissible de la tension inverse pouvant tre applique accidentellement sans
dtruire la diode.
En labsence de cette information, on prend VRSM=VRRM .
Dans le calcul des circuits diodes, cest la caractristique statique qui prise en considration.
Dune facon idale, on suppose la chute de tension directe nulle et le courant inverse nul. La
caractristique idale est reprsente sur la figure I.11.

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Fig. I.11. Caractristique statique idale de la diode.

Pour un calcul plus exact , on approxime la caractristique par des segments de droite
(figure I.12.a) dquations:
pour v F VT 0
i F = 0
(I.5)

v F = VT 0 + rT 0 i F pour v F > VT 0
que lon peut modliser par le circuit reprsent sur la figure (I.12.b) prsentant une
diode idale DI en srie avec la source de tension continue VT 0 et la rsistance
v F
dynamique rT =
ctg .
i F

Fig.I.12. Approximation de la caractristique statique par des segments

I.3. LE REGIME DYNAMIQUE (de commutation).


Le pasage de la diode de ltat passant ltat bloque, ou inversement, nest pas
instantan. Les temps de commutation caractrisent le regime dynamique.
A chaque commutation ,on perd une quantit dnergie dpendant de la diode et du
circuit extrieur. Il faut minimiser ces pertes et protger la diode contre les dures
contraintes extrieures.

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I.3.1. Commutation la fermeture.
A lapplication dune tension continue directe, le rgime transitoire correspondant au
passage de la diode de ltat non polaris ltat passant est assez court. Sa dure tfr
est dtermine par le temps ncessaire aux porteurs majoritaires pour envahir la couche centrale
faiblement dope et annuler ainsi la zone de charge despace .
La figure 2.14 reprsente les volutions de la chute de tension vf et du courant if.

Fig.I.13. Oscillogrammmes correspondant la commutation la fermeture.


Lintervalle tfr est compt entre le moment dapplication de la tension directe et le moment ou la
chute de tension atteint nouveau la valeur 1.1Vf (Vf : chute de tension
en conduction). Il est dordinaire compris entre 1 et 20 ns, dpend de la diode et du
circuit extrieur, et croit avec le courant IF et la temprature de la jonction.
Lvolution de vF est fonction du gradient de courant (di/dt) et de la valeur IF.
VF, valeur maximale, croit avec IF et dpend de lpaisseur et de la surface de la
couche centrale. Une petite paisseur diminue VF mais en mme temps la tension
maximale applicable.
Les pertes dnergie la fermeture peuvent tre estimes en considrant des allures
simplifies pour les volutions des courants et de la tension (figure I.14).

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Fig. I.14. Allures simplifies correspondant la fermeture.


Lnergie dissipe la fermeture sera :
t fr
V F 1.1VF
I V F t fr
1
Win = I F ( V F
t ) dt = F
+ 0.55I F VF t fr I F t fr ( V F + VF ) (I.6)
t fr
2
2
0
Les pertes par commutation la frquence f seront donc:
Pin =Win f
(I.7)
Habituellement, ces pertes la fermeture sont ngligeables devant celles louverture.
I.3.2. Commutation la louverture.
Dans les convertisseurs statiques les circuits sont surtout inductifs. Soit le circuit
prsent sur la figure I.15.a. Le blocage de la diode intervient par application de la
tension inverse VR au moment t1 . Les variations du courant (iF ou iR) et de la tension
(vF ou vR) sont donnes sur la figure I.5.b.
La diode ne peut bloquer instantanment la tension inverse applique car les porteurs
majoritaires, prsents en grande quantit dans la jonction conductrice doivent tre
repousss dans les deux zones du semi-conducteur.
Par la tension inverse VR, la diode nest polarise en inverse que pour les porteurs
majoritaires , elle reste polarise en direct pour les porteurs minoritaires constituant
une charge stocke qui sera limine par le courant inverse.
A linstant t1 , le courant diminue avec la pente dif/dt=VR/L. En t2 , le courant sinverse, la
diode rcupre son pouvoir de blocage par limination des charges libres de la zone despace.
Ce phnomne dure jusque t3 , la tension gardant la valeur VF de ltat passant.
En t3 cest la diode et non le circuit qui impose la vitesse de dcroissance du courant.
Le courant de champ des porteurs majoritaires charge la capacit de barrire de la
diode, et comme la rsistance de la jonction croit fortement, le courant dans la diode
diminue exponentiellement avec le temps.

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Fig. I.15. Oscillogrammes correspondant la commutation louverture


Selon lallure de la dcroissance vers zro, on distingue les diodes recouvrement
progressif (soft recovery) et les diodes recouvrement rapide (fast recovery).
Les performances de la diode sont donnes par:
ts: temps de stockage (storage time);
Cest lintervalle de temps entre le passage par zro du courant et le moment o il
atteint la valeur maximale ngative IRM=IRRM , appel courant inverse de crte;
tf: temps de chute (fall time), valu selon les recommandations de la CEI: on trace
une droite passant par les points 0.9IRM et 0.25IRM et on pointe son intersection avec
laxe des temps (figure 2.15.b)
trr:temps de recouvrement inverse (reverse recovery time)
trr=ts+tf
(I.8)

I.4. Les pertes dans la diode


Une diode monte dasn un convertisseur a son rgime permanent de fonctonnemment dini par
la succesion dintervalles de conduction, de commutation et de blocage.
Les pertes dans la diode, P, sont donc donnes par :
P=PF+PR+PC
avec :
PF : pertes ltat passant ;
PR : pertes ltat bloqu ;
PC : pertes en commutation.
a. Les pertes ltat passant PF.
Sur une priode T, ellles valent :
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(I.9)

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1T
PF = v F i F dt = PFAV
T0

(I.10)

En approximant la caractistique directe par des segments de droite (q.I.5), cela done:
1T
1T
1T
PF = PFAV = (VT0 + rT i F )i F dt = VT 0 i F dt + rT i 2F dt
(I.11)
T0
T0
T0
ce qui peut encore s`crire:
PF = PFAV = VT0 IFAV +rTI2 FRMS = IFAV(VT0 +rTkf2 IFAV)
(I.12)
en remarquant que:
1T
i dt = I FAV
:valeur moyenne du courant direct;
T 0 F

1T 2
i F dt = I 2FRMS
:carr de la valeur efficace du courant direct;

T0
avec kf: facteur de forme du courant direct, kf=IFRMS/IFAV .
Les pertes ltat conducteur dpendentent donc de la diode par ses caractrisques VT 0 et rT et
de la forme donde du courant par IFAV et kf.
Dans les catalogues, on donne pour une diode les courbes PFAV { IFAV } pour diverses formes
donde(figure I.16).
b. Les pertes ltat bloque PR.
La valeur maximale de ces pertes est:
PRM=VRRM IRM
VRRM et IRM tant donns sur les catalogues pour la temprature 1500 C.
En ralit, la diode fonctionne une tension VR<VRRM , do:
1T
PR = PRAV = I RM v R dt = I RM VRAV
(I.13)
T0
avec VRAV: valeur moyenne de la temprature, ou peut crire les pertes aux deux tempratures
T2 et T1 (T1>T2):
PRT 2 = PRT 1 e ( T 2T1)
(I.14)
0 -1
tant un coefficient de valeur comprise entre 0.03 et 0.07 C . Ces pertes augmentent avec la
temprature mais sont en gnral ngligeables devant celles rencontres ltat passant.
c. Les pertes par commutation Pc.
Elles comprennent les pertes la fermeture Pin et celles l`ouverture Prq:
Pc=Pin +PRQ

(I.15)

La relation (I.7) prcdemment indique, permet le calcul des pertes Pin ,


gnralement faibles devant PF et PRQ.
On peut crire:
PRQ =WRQ *f
avec: WRQ: nergie dissipe l`ouverture;
f:: frquence de commutation.

(I.16)

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Fig.I.16. Caractristique PFAV(IFAV) pour la diode D800N refroidissement unilatral


La relation qui caractrise les pertes par commutation est :
PRQ =VRQS f

(I.17)

Pour les diodes rapides , on dispose de diagrammes (figure I.17) qui permettent de
dterminer directement PRQ.
Pour les diodes de puissance, qui fonctionnement dans les convertisseurs 50 Hz, les pertes PF
sont prpondrantes et on peut donc retenir :
P=PF
(I.18)

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I.5. Les diodes speciales


I.5.1. La diode a avalanche controle
La diode de redressement normale est sensible aux surtensions inverses et elle se dtruit quand la
tension inverse dasse la tension davalanche VBR (phnomne de claquage).
La diode avalanche contrle, dont la structure est reprsente sur la figure I.17 est ralise sur la
base dune technologie complexe qui assure une uniformit gomtrique et chimique.

Figure I.17. Symbole et structure de la diode avalanche contrle.


La jonction apparat entre les couches P- et N- faiblement dopes ; la tension inverse sera supporte
par celle-ci.
La structure uniforme permet la diode, sollicite en inverse, dvacuer une puissance presque gale
celle rencontre en polarisation directe. En effet, au moment de lapparition du phnomne
davalanche, le courant est uniformment distribu la surface de la jonction empchant lapparition
de points chauds.
La diode est utilise sur sa caractristique inverse prsente sur la figure I.18.
La tension davalanche VRA a une valeur bien prcise et elle augmente avec la temprature.

Figure I.18. Caractristique statique inverse de la diode avalanche contrle


VRA(t)=VRA(T0 )[1+ (T-T0 )]
avec VRA(T), VRA(T0 ) sont les tension davalanche aux tempratures T et T0
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(I.18)

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- coefficient de proportionnalit, dpendant de la diode, de valeur comprise entre 1,1 10-3 et
1,3 10-3 0 C-1
Dans ltat polaris en direct , les porteurs majoritaires des zones N+ et P+ fortement dopes
envahisent la jonction ralise entre les couches N- et P- faiblement dopes, le phnomne tant
analogue celui rencontr dans la structure P-S-N.
Pour une diode avalanche contrle, on dispose des caractristiques supplmentaires suivantes :
u VRA tension davalanche laquelle apparat le claquage.
u PRSM puissance inverse maximale de surcharge non rptitive (donne pour une
impulsion de courant sinusoidale monoalternance de dure 10s)
u IRM courant inverse davalanche
u PRAV
- puissance moyenne au fonctionnement dans la zone davalanche dans des
conditions bien prcises de refroidissement.
I.5.2.La diode double a avalanche controle
Cette diode peut tre considre comme forme de deux diodes avalanche contrle monte en
opposition.
Sa reprsentation et sa structure sont donnes sur la figure I.19.
La partie active est faite dune pastille de monocristal de silicium sur laquelle a t cre par
diffusion une structure P-N-P, ayant dans sa partie centrale une couche N de rsistance leve et aux
extrmits des couches P de faible rsistance.
La polarit de la tension appliquer nimporte pas; chaque instant, une diode est polarise en
direct, lautre en inverse. La figure I.20 donne les caractristiques statiques courant-tension pour
deux tempratures de jonction.

Figure I.19. Symbole et structure de la diode double avalanche contrle

Figure I.20. Caractristique statique courant-tension de la diode avalanche contrle


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Les caractristiques lectriques sont dfinies de la mme faon que pour la diode avalanche
contrle. La tension davalanche a la mme loi de variation selon la temprature (I.18)
Les diodes doubles sont utilises pour la protection des composants semi-conducteurs contre les
surtensions.

I.5.3. La diode Schottky


Elle utilise les proprits de redressement du contact mtal-semi-conducteur de type N ou P.
La figure I.21 prsente une structure Aluminium-Silicium N et les phnomne qui apparaissent ce
contact.
Les lectrons de grande nergie, qui sont dans le semi-conducteurs passent sur les niveaux de basse
nergie du mtal. La zone mtallique, voisine de la surface du contact va tre charge ngativement.

Figure I.21. Phnomnes au contact mtal-semi-conducteur non-polaris

La rgion du semi-conducteur, prs du contact devient positive, des ions positifs apparaissant vu les
places laisses libres par les lectrons.
A lquilibre thermique, il se constitue au contact mtal-semi-conducteur, une couche lectrique
double, donc un champ lectrique, qui dtermine une barrire de potentiel pouvant tre modifie par
lapplication dune tension extrieure de polarisation. Le contact se comporte donc comme une
jonction P-N.
La proprit de redressement est base sur la zone de charge despace dpeuple apparue la
surface du semi-conducteur (analogue la rgion de charge despace de la jonction P-N) et sur la
barrire de potentiel qui lui est associe.
La polarisation directe se fait en mettant le (+) sur le mtal, le (-) sur le semi-conducteur. Dans ce
cas, le nombre dlectrons passant du semi-conducteur au mtal crot, la conduction du courant nest
pas de porteurs minoritaires et la capacit de diffusion est nulle; la vitesse de rponse est donc trs
leve.
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Les diodes Schttky ont des temps de recouvrement inverse trs courts (trr de 0,15 0.35 s). La
chute de tension ltat passant nest que de 0.3 0.4 V, mais la rsistance dynamique est plus
grande.
En polarisation inverse, le courant est dtermin par les lectrons passant du mtal au
semi0conducteur; il y a une valeur tr faible. Vu la trs grande valeur du champ lectrique propre
la limite de la zone dpeuple, la tension inverse maximale tolrable est habituellement de 45 v; on
trouve des diodes construites avec des technologies spciales ayant une valeur VRRM de 100 V.
Les diodes Schottky sont utilises en base tension dans les circuits ncessitant une grande vitesse de
commutation, par exemple dans les montages redresseurs haute frquence que lon rencontre dans
les alimentations dcoupage.

II. LE TRANSISTOR DE PUISSANCE


Le transistor de puissance est un composant semi-conducteur ralis avec des technologies
spciales, car utilis en rgime de commutation dans les convertisseurs statiques, il joue le rle
dinterrupteur.
Le tableau II.1 donne une classification des divers transistors que lon peut rencontrer actuellement.

Tableau II.1. Classification des transistors

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II.1. Le transistor bipolaire


II.1.1 Structure. Principe et equation de fonctionnement
Le transistor est constitu de trois couches semi-conductrices ralises sur le mme cristal semiconducteur. Deux succesions sont possibles P-N-P (figure II.1).
En lectronique de puissance les transistors sont gnralement de type N-P-N, moins chers et de
fabrication plus aise pour de fort courant de collecteur.
La zone centrale, trs troite en comparaison avec la longueur de diffusion des porteurs est la base
B, les zones extrmes sont lmetteur E et le collecteur C. Le transistor bipolaire a donc deux
jonctions P-N la jonction metteur base et la jonction collecteur-base.

Figure II.1. Les types de transistors bipolaires :a) P-N-P ; b) N-P-N


Lmetteur et le collecteur sont fortement dops tandis que la base est faiblement dope. Ltroitesse
de la base permet lapparition de leffet transistor, cest--dire que la plus grande partie des porteurs
injects de lmetteur vers la base arrive dans le collecteur.
La jonction de lmetteur se comporte comme une diode, elle est polarise en direct en
fonctionnement normal.
Lmetteur est une source de porteurs mobiles injects dans la base, ces porteurs tant des lectrons
pour le transistor NPN et des trous pour le transistor PNP.
On ne dcrira le fonctionnement dtaill du transistor que sur la structure NPN (figure II.2). Elle est
quivalente deux diodes D1 et D2. Linterrupteur K ouvert, la diode D2 tant polarise en inverse,
un courant rsiduel collecteur-base, metteur non connect, note I CB 0 va circuler, cest le courant
inverse de saturation de la diode base-collecteur. K ferm, la jonction dmetteur (diode D1) est
polarise en direct. Les porteurs majoritaires (lectrons) passent par diffusion dans la base et, celleci tant troite et faiblement dope, la plupart dentre eux n I E arrivent dans le collecteur. Le
coefficient n , de valeur comprise entre 0,95 et 0.99 est appel gain en courant metteur-collecteur
(base commune)

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Figure II.2. La structure dun transistor NPN polaris en direct


Un courant de trous I BE passe aussi par diffusion de la base dans lmetteur, mais il peut tre
nglig vu le faible dopage de la base.
Il en rsulte les quations fondamentales du fonctionnement du transistor:
I C = n I E + I CB 0
I B = (1 n )I E I CB 0

(II.1 et II.2)

quations valables en rgime stationnaire.


Le courant de collecteur I C est infrieur au courant I E :
IB = IE IC IE = IB + IC
De la relation (4.1) on dduit:

I C I CB 0
qui introduit dans (II.2) donne:
n
I I CB 0
I B = (1 n ) C
I CB 0 , donc
n
n
1
IC =
IB +
I
1n
1 n CB 0

(II.3)

IE =

(II.4.a)

Comme I B >> I CB 0 , on obtient:

IC =

n
I = hFE I B
1 n B

(II.4.b)

20

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Le terme h FE , not aussi est le gain statique en courant base-collecteur et est une indication
importante du transistor.

h FE = =

IC
n
=
I B 1 n

(II.5)

Pour n compris entre 0.95 et 0.99, est compris entre 19 et 99.


Les relations (II.5) et (II.4.a) donnent lquation du transistor:
I C = I B + (1 + )I CB 0

(II.6)

Le fonctionnement du transistor PNP est similaire, les sens des courant et des sources sont inverss,
les trous remplacement les lectrons ( n devient p ).
Pour minimiser la chute de tension en conduction, les pertes et la rsistance thermique des
transistors de puissance, on prfre la structure verticale qui optimise la surface de la section offerte
au passage du courant. (figure II.3).

Figure II.3. Transistor bipolaire de puissance NPN


Lpaisseur de la base doit tre rduite pour obtenir une bonne amplification, mais une base trop
troite compromet la valeur de tension de claquage, dtermine de grands temps douverture et une
aire de scurit plus petite. Lobtention dun lev ncessite trois conditions pour la base:
Dopage massif;
Grande dure de vie des porteurs minoritaires;
Petite paisseur.
Ces conditions tant en contradiction avec dautres impratifs pour le transistor de puissance, on se
contentera de valeur modre de .
La zone N du collecteur dtermine surtout la tension de claquage (davalanche) du transistor.
Laugmentation de son paisseur et de sa rsistance entranent une croissance de la tension de
claquage collecteur-metteur.
Lpaisseur de cette zone influence aussi le comportement dynamique et lamplification du
transistor courant de collecteur elev.
21

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Par ailleurs, un surdimensionnement du point de vue de la tension de claquage entranera de fortes
pertes en commutation et une svre diminution de forts courants de collecteur.

II.1.2. Caracteristiques statiques


Le transistor peut tre mont selon lun des trois montages fondamentaux (figure II.4):
Base commune, BC;
metteur commun EC;
Collecteur commun, CC.

Dans tous les montages, on distingue le circuit dentre et le circuit de sortie. Les caractristiques
statiques reprsentent les volutions courant-tension en continu dans ces circuits.
On distingue donc les caractristiques dentre, de transfert et de sortie.
Dans les convertisseurs, le transistor fonctionnant en rgime de commutation (succession dtats de
conduction saturs et dtats bloqus) est utilis en interrupteur.

Dans ces conditions, le montage metteur commun est retenu, puisquil permet de contrler les
fortes intensits du courant de collecteurs par lintermdiaire du faible courant de base. Les gains en
courant et en puissance sont donc levs.
La figure II.5 prsente le montage EC, avec polarisation directe, les sens positifs des tensions et
courants tant ceux admis dans la thorie gnrale des quadriples.

22

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Figure II.5. Le montage EC pour un transistor NPN(a), et PNP(b).


La conduction impose la polarisation directe de la jonction metteur-base et la polarisation inverse
de la jonction collecteur-base (figure II.5).

VBE et VCE sont positifs pour les transistors NPN et ngatifs pour les PNP. Il faut noter que le
transistor ne peut supporter de tension inverse entre collecteur et metteur.
Les catalogues donnent les caractristiques des transistors monts en EC, savoir:
a) Caractristique dentre: I B (VBE ) VCE constante (figure II.6).
Ces caracteristiques concernent la diode D1 (figure II.1)
La partie gauche illustre le blocage (jonction metteur polaris en inverse). Il y a destruction du
transistor pour VBE V( BR) BE (tension davalanche).
La partie droite correspond la polarisation directe de la jonction de lmetteur. Le transistor au
point de fonctionnement M est dans ltat conducteur.

Figure II.6. Caractristique dentre

23

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On peut dfinir:

VBE
= ctg 1 ;
IB
V BE
La resistance dynamique dentre: r1 =
= ctg 2
I B
La resistance statique dntre R1 =

A I B donn, VBE augmente lgrement avec I C .

b) Caractristiques de transfert I C (VBE ) VCE constante, I C (I B ) VCE constante.

Figure II.7. Caractristique de transfert


Au point M de fonctionnement, on peut dfinir : sur I C (VBE ) :

La transconductance (pente statique): S =

La pente dynamique : s =

I C
= tg 2
VBE

IC
= tg1 ;
VBE

Et sur I C (I B ) :
Le gain statique en courant, base-collecteur:

IC
n
=
;
I B 1 n
Le facteur dynamique damplification en courant base-collecteur:
I
= C
I B
h FE = =

Les transistors de puissance ont dordinaire pour h FE une valeur de lordre de quelques dizaines, e
restant infrieure 100.

24

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Le gain h FE dpende du courant de collecteur et de la temperature . La figure II.7 donne un exemple
de caracteristique de transfert.
c) Caracteristiques de sortie I C (VCE ) I B constante
Le transistors peut avoir trois regimes de fonctionnemnet, correspondant aux trois zones prsentes
sur la figure II.8:

Le rgime de saturation (zone 1);


Le rgime actif (zone2);
Le rgime de blocage (zone 3)

Figure II.8. Caractristique de sortie


Dans la zone 1, R2 est trs faible comme la tension collecteur metteur VCE , appele tension de
saturation et note VCEsat .

La rsistance R2 ayant une faible valeur, le courant de collecteur I C peut crotre fortement. Il ne
sera limit que par les lments du circuit extrieur (Rc dans la figure II.5) qui doivent tre
dimensionns en consquence.
Dans la zone 1, on peut aussi distinguer trois fonctionnement possibles:
tat quasi-satur;
tat sature;
25

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tat sursatur

On dfinit, en un point M de fonctionnement:


V
La rsistance statique de sortie R2 = CE
IC
La resistance de la couche N diminue, et
prise dans la zone 2 de conduction (figure II.8)

I C constant, VCE diminue, vis vis de la valeur

I B continuant crotre, le transistor passe ltat satur, toute la couche N se transforme du


point de vue lectrique en une couche P+, ne prsentant plus aucune rsistance lectrique.
VCE diminue et atteint la valeur VCEsat .
En rgime de commutation, la saturation a un incovnient vident : pour bloquer de nouveau le
transistor, il faut vacuer une grande quantit de porteurs et le temps dextinction du courant
augmente considrablement. Ltat de sursaturation est obtenu en continuant augmenter IB ou en
diminuant IC IB constant.
Dans ce cas, la diode base-collecteur devient passant dans le sens direct VBE VCE 0.5 , la
quantit de porteurs est beaucoup plus grande et VCE cesse de diminuer.
Lhomognisation du courant de collecteur par la rsistance N- disparat et laire de sret au
blocage se rtrcit. La sursaturation na aucun avantage et elle doit tre vite pour les transistors de
puissance.
Les points M1 et M2 correspondent respectivement des tats de saturation et de quasisaturation (figure II.8).
La zone 3 est la zone de blocage (figure II.8). A I B = 0 , I C est trs faible; il est alors appel
courant rsiduel de collecteur avec base non connecte et note I CE 0 .
Dans cette zone, la rsistance de sortie R2 du transistor est leve. En consquence, elle impose
la valeur du courant dans le circuit extrieur metteur-collecteur, linfluence de la rsistance RC
(figure II.2) tant insignifiante pratiquement.
La chute de tension aux bornes de RC tant faible, on retrouve presque toute la tension VCC de la
source entre le collecteur et lmetteur du transistor (point de fonctionnement M3, figure II.8)
Dans la zone 2 de fonctionnement linaire, les caractristiques sont presque linaires, on peut
rgler la valeur de la rsistance de sortie R2 par la valeur du courant de base I B . R2 diminue si I B
augmente.
Le courant I C est donn par la relation:

IC =

VCC VCE
RC

(II.7)

26

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cest lquation de la droite de charge (figure II.8), lieu gometrique des divers points de
fonctionnement possibles du transistor en commutation sur circuit de charge purement resistif
(figure II.5)
Pour un courant de base donn (I B sur la figure II.8), dans ltat passant satur, on peut ngliger
V
VCE ( VCE << VCC ); I C prends alors la valeur CC . Cest le point de fonctionnement M1.
RC
Par contre, a ltat bloqu , on retrouve la tension de la source entre le collecteur et metteur,
do VCE VCC cest le point M3. La droite passant par M1 et M3 est la droite de charge.
En lectronique de traitement du signal, le transistor fonctionne en amplificateur dans la zone
linaire (point M).
Dans un convertisseur de puissance, le transistor doit commuter entre M2 et M3, correspondante
aux tats de quasi-saturation et blocage.
Si, tant en M2, I B croit (I B > I B 3 ), le transistor passe au point M1, en saturation. I C est alors
V
indpendant de I B et limit la valeur I Csat = CC .
RC
En saturation, toutes les caractristiques sont confondues.
La chute de tension collecteur-metteur VCEsat est minime. Le courant de base correspondant,
vaut alors:

I Csat
(II.8)
hFE
En continuant augmenter I B ( I B > I Bsat ), on atteint la sursaturation et le gain forc en courant,
gnralement infrieur h FE vaut:
I
F = Csat
(II.9)
IB
I Bsat =

On doit souligner le fait que, en sursaturation ( VBE > VCE ) les deux jonctions du transistor sont
polaris en direct.

27

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Suite de cours 3
II.1.3. Mthodes de blocage. Tension de claquage (davalanche).

COURS 4

Gnralement, le claquage dune jonction du transistor apparat si la tension inverse qui lui est
applique crot jusqu une valeur entranant un courant pouvant disloquer des porteurs
supplmentaires et amorcer le phnomne davalanche.
Cette tension, pour la jonction meteur, est note V(BR)EB0 et vaut entre 5 et 7 V.
Une limitation importante pour le fonctionnement du transistor tant en condunction quau blocage
est valeur maximale de la tension applicable la jonction collecteur VCB polarise en inverse.
On a VCE = VBE + VCB VCB car VBE << VCB
On admet donc lgalit des tensions collecteur-metteur et collecteur-base.
Si la jonction collecteur-base est polarise en inverse, metteur non connect (IE=0), un faible
courant residuel ICB0 circule avant que la tension de claquage V(BR)CB0 ne soit atteint (figure II.10).
V(BR)CB0 , note aussi VCB0 ou cette grandeur est une valeur limite absolue ne dpasser en aucun
cas.
Pour le montage EC (figure II.5) 4 mthodes de blocage sont possibles :
o Base non connecte (figure II.9.a) ;
o Rsistance R entre base et metteur (figure II.9.b) ;
o Court-circuit base-metteur (figure II.9.c) ;
o Polarisation inverse de la jonction metteur-base (figure II.9.d) ;

Figure II.9. Possibilits de blocage pour le transistor bipolaire connect en montage EC


Dans tous ces cas de blocage, si on augmente progressivement VCC , on observe que pour une certain
valeur de la tension collecteur-metteur note V(BR)CEK ou VCEK (tension davalanche ou de
claquage) le courant IC se met crotre, la tension VCE restant constant (figure II.10). Lindice K
dsigne alors le mode de blocage :
K=0, figure II.9.a ;
K=R, figure II.9.b ;
K=S, figure II.9.c ;
K=X, figure II.9.d ;
Dans ce cas, la limitation de IC doit tre faite par RC .
Ce phnomne est caus par lapparition de la multiplication par avalanche des porteurs de charge,
due la forte valeur de VCE et correspond au premier claquage, rversible, non destructif si IC est
limit par RC une valeur infrieure IC1K correspondant la valeur maximale de la tension de
claquage VCEK(SUS) .
Le courant rsiduel collecteur-metteur ICEK correspond la tension de claquage V(BR)CEK (ou une
tension proche de cette valeur).
28

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COURS 4
Si le courant IC nest pas limit par le circuit extrieur, le deuxime claquage, irrversible apparat
pour les valeurs suprieures IC1K.

Figure II.10. Comportement du transistor bipolaire dans ltat ouvert (IB=0)pour des hautes
tensions
VCE diminue brusquement, tendant vers des valeurs proches de celles de ltat satur, et IC crot
jusqu la valeur permise par la charge. Le point de fonctionnement passe par la rgion III (figure
II.10) rsistance dynamique ngative.
Le phnomne de claquage secondaire est d lapparition de points chauds dans la structure du
cristal semi-conducteur, consquence de la distribution non uniforme de la densit de courant. Un
grand nombre de porteurs apparat par effet thermique, IC augmente, VCE diminue. Des
chauffements locaux dterminent des modifications de structure irrversibles, les valeurs V(BR)CEK ,
IC1K, hFE diminuent mme si ce phnomne nest que de courte dure sans destruction du transistor.

Le claquage secondaire peut se manifester en rgime de commutation et la probabilit dapparition


crot avec le dplacement des caractristiques d laugmentation de temprature. Il peut apparatre
louverture, des valeurs leves de VCE, quand le transistor est encore parcouru par un courant
important.
La figure II.10 concerne un blocage de type 0.
V(BR)CE0 ( IB =0) est infrieur V(BR)CB0 ( IE=0) car dans ce cas ICB0 se ferme par la jonction basemetteur et dtermine un courant collecteur hFEICB0 . Le courant rsiduel total de collecteur est :
ICE0 =ICB0 (1+hFE) avec (1+hFE)>>1 => ICE0 >>ICB0
(II.10)
On peut conclure que la limite de puissance de la jonction est maintenant atteinte pour une tension
V(BR)CE0 infrieure V (BR)CB0 .
La rduction de laction du courant ICB0 , par montage, permet la croissance des tensions de claquage
collecteur-metteur comme indique sur la figure II.11.
Les tensions V(BR)CEK notes aussi VCEK, VCEK(SUS) et les courants ICEK sont des donnes
importantes du transistor.
La valeur de la tension V(BR)CER diminue avec la croissance de RBE et pour cette raison, elle est
donne avec la valeur de RBE. Pour bon nombre de transistors, VCEK(SUS)=VCEK.
29

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COURS 4
En conclusion :
VCEX>VCES >VCER >VCE0 ;
(II.11)
ICEX<ICES <ICER <ICE0 ;
(II.12)
Ces ingalits montrent que le blocage optimal est celui de type X (figure II.9). Le courant rsiduel
de collecteur est minimal et la tension collecteur-metteur est maximale. Des plus, de bonnes
performances dynamiques font aussi choisir ce mode de blocage pour les transistors utiliss dans les
convertisseurs.

Figure II.11. Tensions de claquage V(BR)CEK , tensions maximales de claquage VCEK(SUS) et courants
rsiduels ICEK pour diverses mthodes de blocage (K=0 ; R ; S ; X)
II.1.4. Les aires de scurit
Les aires de scurit donnent, dans le plan IC(VCE) le domaine dans lequel doit voluer le point de
fonctionnement. Les catalogues des constructeurs fournissent les aires de scurit.
II.1.4.1. Aire de scurit en rgime continu (Safe Operating Area - SOA)
Cette aire, dans le plan IC(VCE) est trace en chelles logarithmiques(figure II.12).
Elle est dlimite par:
le segment 1; C'est le courant maximal admissible Ic en rgime continuu, obtenu par mthode
statistique ralise sur un grand nombre d'essais de fiabilit;
le segment 2; C'est la puissance maximale dissipable Pdmax, impose pour ne pas dpasser la
temprature maximale de la jonction collecteur Tmax:
Tjmax =TC +RthJC Pdmax
(II.13)
avec:
Pd=vCEiC
Tc: temprature du botier;
RthJC: rsistance thermique du contact collecteur-botier

30

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COURS4

Figure II.12. Aire de scurit en rgime continu.

Figure II.13. Aires de scurit pour le fonctionnement en commutation


Cette puissance maximale dpend de la temprature de fonctionnement du transistor TC; l'aire SOA
sera donc dfinie pour une Tc bien prcise (en gnral TC=25C);
le segment 3; C'est le second claquage. Il peut interevnir pour des valeurs fortes du produit vCEiC,
mais infrieures Pdmax,
le segment 4; C'est la tension de claquage maximale collecteur - metteur, base non connecte
(VCE0(SUS) )
Le fonctionnement en rgime d'impulsions permet d'augmenter l'aire de scurit. La figure II.12
montre ces nouvelles limites en traits interrompus.
31

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COURS4
II.1.4.2. Aires de scurit en rgime de commutation.
Ces aires sont traces en chelles linaires dans le plan IC(VCE) pour une temprature TJ infrieure
125C. Elles sont de deux types (figure II.13):
l'aire en polarisation directe (Forward Based Safe Operating Area - FBSOA);
l'aire en polarisation inverse (Reverse Based Safe Operating Area - RBSOA).
L'aire RBSOA est utilise dans le cas de blocage de type X. Sa surface peut s'tendre la rgion
hachure si le transistor est en rgime quasi satur. En utilisant l'aire RBSOA, on dtermine la
tension VCEW, correspondant ICsat
La puissance commutable du transistor est:
Pcom=VCEWICsat
II.1.5. LE REGIME DE COMMUTATION (REGIME DYNAMIQUE).
Le transistor passe successivement d'un tat conducteur un tat bloqu et inversement. Ce rgime
s'accompagne de pointes de puissances dpendant de la nature de la charge et des performances du
transistor.
Ce rgime dynamique doit tre tudi pour viter la destruction du transistor, minimiser ces pertes.
Le schma de la commande de base doit aussi tre pris en compte.
Les temps, de commutation caractrisent ce rgime dynamique, ils sont donns dans deux cas:

Figure II.14.Circuit de charge resistif-inductif (Rc, Lc) avec diode de roue libre (DRL)
a) le circuit de charge est purement rsistif ;
b) le circuit de charge est inductif avec une diode de roue libre DRL(figure II.14).
II.1.5.1. Commutation sur charge rsistive.
Les formes d'ondes pour les commutations la fermeture sont prsentes sur la figure II.15.

32

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En t0 , instant de l'apparition du signal de commande de base (vBE, iB) le courant de collecteur se met
crotre , mais non immdiatement, vu le temps ncessaire pour la charge des capacits de barrire
de jonction et l'arrive dans le collecteur des porteurs de charge injects dans la base.

Figure II.14 Formes dondes pour les commutation avec charge rsistive

33

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COURS4
On appelle temps de retard td (delay time) le temps mis par le courant Ci pour atteindre 10% de la
valeur permanente IC.
td augmente avec la rsistance srie RB et les capacits de barrire des jonctions du collecteur et de
l'metteur; il dpend aussi de la diffrence VBE1- VBE2 et de la tension de seuil de la jonction
metteur.
L'augmentation du courant iC continue selon une pente dtermine par le temps ncessaire pour la
formation dans la rgion de la base de la nouvelle distribution des porteurs minoritaires
correspondant au rgime satur.
On appelle temps de monte tr (rise time) le temps mis par iC pour passer de 10 90% de sa valeur
IC.
tr, dpend de la capacit de barrire de la jonction collecteur, du courant IB1 , du courant
I
I Bsat = Csat , de RC et de la frquence fT de transition du transistor
h FE
Le temps total d'tablissement de courant, ton (turn-on time) vaut:
ton = td + t,
(II.14)
tr, et donc ton augmente si IB1 crot, vu l'tat de plus en plus satur.
Si on applique en t1 la commande de blocage par polarisation inverse de la jonction BE (figure
II.14), le courant de collecteur ne s'annule pas brusquement; il faut d'abord que la charge positive en
excs dans la base s'vacue. On appelle temps de stockage ts (storage time) le temps mis par iC pour
atteindre 90% de sa valeur Ic en conduction.
ts, dpend de IBsat , de (IB1 IB2 ) et de fT .
Le temps de descente tf (fall time) correspond au passage de iC de la valeur 0.9IC 0.l Ic. C'est le
temps ncessaire la disparition des porteurs minoritaires.
Le temps total de dcroissance (turn-off time)
toff = ts + tf
(II.15)
Les temps de commutation sur charge rsistive sont spcifiss dans les catalogues pour des
conditions bien prcises.
On voit que ts est prpondrant dans toff . Li au processus de recombinaison des porteurs dans la
base, ts peut tre rduit si la charge stocke est minimise en gardant le point de fonctionnement du
transistor dans la rgion quas-sature (M2, figure II.8.-cours antrieur). Il faut donc surveiller VCE
et rgler automatiquement iB en fonction de iC.
La solution est l'instaliation d'une diode antisaturation DS monte comme indiqu sur la figure
II.15.a. Le fonctionnement est dcrit sur la figure II.15.b.

DS doit devenir passante ds que le courant de base dpasse IB = IBsat . Le fonctionnement normal
est reprsent par le point A (rsistance de charge RC1 ); sans DS, si la rsistance de charge rot
(Rc2), le point de fonctionnement passe en B, le transistor est satur. En ralit, avec DS,
l'augmentation de Rc entrane la diminution du potentiel du collecteur et la croissance du courant par
DS.
Le courant de base devient IB3 , le transistor reste quasi-satur et fonctionne en C.
La valeur de RB peut tre calcule en utilisant les quations:
34

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COURS4

Figure II.15. Effet de la diode anti-saturation


VBEsat min + RB IBsat min = VDS +V CEsat min
V CEsat min = VBEsat min +VCB sat minCE
VDS = VT 0 (tension de seuil de la diode)

(II.16)
(II.17)
(II.18)

En substituant (II.17) et (II.18) dans (II.16), il rsulte:


RBIB sat min =VT 0+VCB sat min , donc :
V + VCBsatmin
R B = T0
I Bsat min

(II.19)

En gnral, il faut que le point de fonctionnement ne se dplace que dans les aires FBSOA, RBSOA,
FBAOA et RBAOA pour viter toute destruction en commutation.
II.1.5.2. Commutation sur charge R-L avec diode de roue libre (figure II.14).
Caractriser un transistor par sa commutation sur charge purement rsistive se rvle insuffisant au
point de vue de ses performances dynamiques lorsqu'il est insr dans un convertisseur.
Dans le circuit de la figure II.14, on considre 1'inductance L suffisamment grande pour pouvoir
admettre que le courant dans la charge RC, LC est constant (iC +iD = Is). La constante de temps de la
charge est beaucoup plus grande que la priode de commutation T du transistor T1 .
Lp est une inductance parasite (conducteurs de liaison, etc.). A cause de la prsence de la diode de
roue libre DRL, les pertes en commutation sont plus grandes avec la charge inductive qu'avec la
charge rsistive. Les caractristiques dynamiques de la diode jouent un rle important dans le
droulement du phnomne transitoire.

a) Commutation la fermeture du transistor.


La figure II.16 montre 1'evolution des diverses grandeurs lectriques indiques sur le schma de la
figure II.14 dans le cas de la fermeture du transistor T1 .

35

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COURS4

Figure II.16. Formes dondes pour la commutation la fermeture sous charge R-L avec diode de
roue libre

Le signal de base est envoye 1'instant ti. Le transfert du courant se fait entre la diode de roue libre
DRL et le transistor. Au commencement, la diode se comporte comme un court-circuit, elle transmet
di C
le potentiel (+) de la source au collecteur. Le courant de collecteur crot avec la pente
. La
dt
tension collecteur-emetteur reste presque constante dans I'intervalle t0 t1 et se calcule par la relation:

v CE = VCC L p

di C
dt

(II.20)

Simultanment, le courant iD dcrot avec une pente

di F
dt

36

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COURS4

di F
puisque iC +iD = Is =constante
(II.21)
dt
Le courant iC atteint la valeur Is = IC sat , en t1 . Ensuite la diode est parcourue par un courant inverse
qui au maximum vaut IRM = IRRM en t2. Le courant iC atteint donc la valeur IS +IRRM . Les pertes dans
le transistor sont augmentes.
L'intervalle de temps (t1, t2) se calcule par:
I
t 2 t 1 = RRM
(II.22)
di C
dt
diC/dt=

Dans I'intervalle (t2, t3) vCE dcrot rapidement. Aprs une phase de saturation dynamique (tension
note vCE sat dyn) pendant 1'intervalle (t3,t6) ou il y a extension progressive de la zone P de base dans
Ia zone N du collecteur, vCE atteint la valeur statique vCE sat, en t6.
di
La valeur IRRM est dtermine par le type de diode, la pente F , la valeur de Is et la temprature
dt
de jonction .
b) commutation l'ouverture du transistor.
La figure II.16bis donne lvolution des diverses grandeurs lectriques relatives cette
commutation.
Au blocage, le courant iC = IS qui parcourait le transistor est pris en charge par la diode DRL. La
tension vCE crot rapidement vers VCC, mais lentre en conduction de la diode dtermine une
surtension qui se retrouve sur vCE.
La vitesse de croissance du courant diF/dt dans la diode est la mme que celle de dcroissance pour
le transistor:
diF/dt=-diC /dt car iC +iD=IS
(II.22bis1)
On dfinit comme prcdemment les temps de stockage tsi et tfi (nots aussi ts et tf) (figure II.16bis).
De plus, pour les transistors de puissance haute tension commutation rapide, on
introduit aussi:
tti : intervalle pour lequel le courant iC passe de la valeur 0.1IC 0.02IC ;
tc: intervalle de temps compris entre le moment o vCE atteint la valeur 0.1VCC et l'instant o iC
atteint 0.1 IC.

37

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II.1.6. LES PERTES PAR COMMUTATION

cours6

Le calcul approximatif des pertes par commutation peut se faire en supposant la variation linaire de
vCE et de iC.
Lnergie dissipe dans le transistor dans lintervalle de temps t vaut :
t

W = v CE i C dt

(II.23)

et les pertes sont donnes par :


P = Wf
f tant la frquence de commutation.

(II.24)

II.1.6.1. Pertes la fermeture


Les allures simplifies de lvolution de iC et vCE la fermeture sont reprsentes sur la figure II.17
( comparer aux tracs de la figure II.16)

Figure II.17. Formes dondes linarises correspondant la fermeture


Pour un calcul simplifi on utilise la relation :
Wen = VCC (I S + I RRM ) t r

(II.25)

II.1.6.2. Pertes louverture


En considrant vCE=VCC et en supposant la variation linaire de iC dans lintervalle tC (figure II.16)
on a :

t
i C = I S 1 et v CE = VCC
(II.26)
tC
Donc, on peut crire la suivante quation :
tC

t
V I t
Wbl 1 = VCC I S 1 dt = CC S C
(II.27)
2
tC
0
En supposant que iC a aussi variation linaire sur lintervalle tti, on trouve :
V I t
Wbl 2 = CC S ri
(II.28)
5
Lnergie dissipe au blocage du transistor sera :
38

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Wbl = Wbl 1 + Wbl 2

(II.29)

II.1.6.3. Pertes a ltat conducteur


Dans cet tat, la puissance dissipe est donne par la relation :
t
PC = (VCEsat I C + VBE I B ) cond
T
avec :
tcond : dure de conduction
T : priode de commutation

(II.30)

II.2. LA COMMANDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE.


C'est la commande qui conditionne le bon fonctionnement du transistor. La complexit du schma
est lie la frquence de travail et la valeur du courant de collecteur.
La commande doit satisfaire aux exigences suivantes:
1. injecter rapidement (habituellement en moins d'une s) la mise en conduction une quantit
suffisante de porteurs pour rduire l'interfrence courant - tension; vCE doit dcrotre rapidement et
iB doit prsenter une pointe de 3IBsat environ (figure II.18).
Un tel courant de commande peut tre obtenu avec un transistor auxiliaire T, associ un circuit R2
C2 ou avec un condensateur d'acclration CA connect en parallle sur la rsistance de limitation RB
(figure II.19).

Figure II.18. Forme donde pour le courant de base la fermeture

Figure II.19. Mthodes pour acclrer la fermeture


39

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RB se calcule pour limiter le courant de base sa valeur IBsat :
VB VBEsat
RB =
(II.31)
I B sat
Lgalit de la charge lectrique stocke dans CA entre les moments de commutation et de la charge
lectrique injecter ou extraire de la base donne :
B ef
R B I B C A = B ef I B CA =
(II.32)
RB
avec -Bef : dure effective de vie des porteurs majoritaires dans la base ;
-Bef=C=/2fT
-C : dure effective de vie des porteurs minoritaires dans la base
fT : frquence de transition.
Il convient d'viter dans la ralisation du montage la raction des inductances parasites pour
permettre une croissance franche de iB.
2. rduire au maximum le temps de stockage ts l'ouverture par contrle de la charge stocke
pendant la conduction.
VCE doit donc tre proche de VCEsat et le transistor doit fonctionner en rgime quasisatur.
La solution consiste utiliser un rseau antisaturation.
3. rduire le temps de descente tf du courant de collecteur l'ouverture par contrle de la vitesse
d'extraction de la charge stocke.
Cette extraction est faite par polarisation inverse de la jonction metteur, donc par un courant ngatif
de base IB: (figures II.14 et II.16). Ce courant ngatif doit tre maintenu pendant tout l'intervalle de
blocage pour viter l'apparition d'un courant inverse dans le transistor en cas d'une tension vCE
ngative.
* Si la charge stocke est vacue trop vite par un courant de base IB2 lev, la jonction basemetteur risque de se vider la premire des porteurs de type P et de se bloquer.
Le temps ts, sera rduit, la diminution de iC apparaissant plus tt, mais la jonction base-collecteur
polarise en inverse se comporte comme une diode lente, amenant un tranage du courant collecteur
en prsence des valeurs leves de vCE d'o des pertes en forte augmentation (figure II.20.a).
* Si la charge stocke est vacue trop lentement, la jonction collecteur base est vide la premire.
Le tranage de iC est plus court, mais vu les valeurs plus grandes, les pertes sont importantes (figure
II.20.b).

Figure II.20. Formes de tranage pour le courant de collecteur

40

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La vitesse dextraction de la charge doit tre modre pour permettre aux jonctions de se bloquer
presque simultanment. Le montage est donn sur la figure II.21.
La rsistance RB1 dtermine IB2
LB contrle diB2 /dt donc la vitesse dextraction. D1 empche la diminution de la croissance de iB au
blocage, oscillations pouvant occasionner des conductions parasites du transistor.
4. assurer la protection du transistor contre les surcharges prvisibles ou accidentelles.
Le contrle de Ci ou de vCesat amne la commande bloquer le transistor sil y a dpassement des
valeurs de cosigne.

Figure II.21. Rglage de la vitesse dextraction de la charge stocke


Dans le premier cas, iC est surveill. Dans le second cas, on surveille vCE pour dtecter son
dpassement vis vis du vCEsat impos, ce qui rvle une augmentation anormale de iC .
Pour le calcul du schma de protection, il faut tenir compte de ts qui amne un retard au blocage, le
point de fonctionnement ne devant pas quitter l'aire RBSOA ,jusqu' l'interruption de iC.
Une inductance srie dans le circuit collecteur-metteur limitant la rapidit l'augmentation du
courant de dfaut est souvent ncessaire.
Dans les convertisseurs statiques, la protection des transistors de puissance est habituellement
organise sous forme d'une protection active dcentralise: chaque transistor gre sa propre
protection de manire autonome; on trouve des circuits intgrs intelligents qui assurent la
commande et la protection des transistors de puissance.

II.3. TRANSISTOR DARLINGTON


Les transistors bipolaires de puissance, et plus particulirement ceux en haute tension, ont un gain
statique en courant base-collecteur hFE (ou ) assez modeste (d'ordinaire compris entre 5 et 10). Il
est donc ncessaire de construire des commandes capables de fournir des courants de base levs,
montages complexes et chers.
Pour augmenter le gain, on peut connecter les transistors en montage Darlington ou triple Darlington
(figures II.22 a et b).
Le montage Darlington peut tre ralis par l'intermdiaire de deux transistors spars ou sous forme
intgre (MD: Monolithique Darlington). Son utilisation en lectronique de puissance offre la
possibilit d'augmenter la puissance commute et simultanment de dvelopper des commandes de
faible puissance, peu onreuses.
La chute de tension en conduction est suprieure celle dun transistor bipolaire classique.
41

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Le comportement en conduction
a. gain en courant (hFE ou )
Pour le schma thorique de la figure II.22.a, on peut crire les relations :
I C = I C1 + I C2

(II.33)

I B 2 = I B1 + I C1

(II.34)

I C1 = 1 I B 1

(II.35)

I C2 = 2 I B 2

(II.36)

avec 1 et 2 les gains statiques en courant base-collecteur des transistors T1 et T2 .


Il en rsulte :
IC = 1 IB1 + 2 (IB1 + 1 IB1 )
IC =IB1 ( 1 + 2 + 1 2 )
Do le gain en courant du montage Darlington :
I
= h FE = C = 1 + 2 + 1 2
(II.37)
IB1
Cette expression ne tient compte des courants de fuite des 2 transistors, courants lis a la
temprature.

a)
b)
Figure II.22. Montage Darlington

Pratiquement, on doit connecter des rsistances pour stabiliser les courants de fuite et rduire leur
effets (figure II.23)
42

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Figure II.23.Montage Darlington avec rsistances pour stabiliser les courants de fuite
Les relations peuvent alors scrire:
I C = I C1 + I C2

(II.38)

VBE1 + VBE2

I C1 = 1 I B1 + I CE 01 = 1 I B
+ I CE 01
R
1

VBE2

I C2 = 2 I B 2 + I CE02 = 2 I C1 + I B1
+I
R 2 CE 02

ICE01 et ICE02 dsignant les courants de fuite.

La relation (II.40) peut encore scrire :



VBE2
V + V BE2
+ I CE01 + I B1
I C2 = 2 1 I B BE1
+ I CE02
R
R

do :

VBE2 + VBE2
I C = I B (1 + 2 + 1 2 ) + (1 + 2 ) I CE 01 1
R1

I CE 02 2 BE2
R2

V + VBE2

2 BE2
R1

(II.39)
(II.40)

(II.41)

(II.42)

On peut noter : = 1 + 2 + 1 2 et f=IC /IB


Lexpression (II.42) montre la possibilit de compenser la contribution des courants de fuite: en
choisissant judicieusement les valeurs R1 et R2 , on peut rendre ngligeables les termes correctifs.
On saperoit que le gain est un peu diminu par rapport au cas idal.
b.

Caractristique de transfert IB1 (IC)

1 et 2 dpendent de IC. La relation (II.42) est donc dun emploi difficile en rgime satur. Il est
prfrable pour calculer le gain global de construire la caractristique de transfert IB1 (IC).
43

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Connaissant IB1 (IC1 ) du transistor T1 , on construit IB2 (IC1 ) car IB2 =IB1 +IC1 .
Cette construction graphique est prsente en suite :

Figure II.24.Caracteristique IB2 =IB1 +IC1 =f(IC1 )


Le trac cte cte de IB2 (IC1 ) et IB2 (IC2 ) permet de calculer et tracer IB2 (IC) car IC=IC1 +IC2 .
Cette construction et la caractristique de transfert sont donnes sur les figures II.25 et II.26.

Figure II.25. Calcul de la caractristique IB1 =f(IC)

Figure II.26. Caractristique de transfert IB1 =f(IC)


c.

La tension de saturation

Pour le montage Darlington, VCE=VCE1+VBE2


(II.43)
VCE dpend de .
En effet, VCE1 dpend beaucoup de IB1 IC constant, alors que VBE2 est pratiquement constante :
44

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La figure II.27 illustre cette variation.


Le Darlington se sature IC constant si IB1 augmente. Alors 1 =IC1 /IB1 et diminuent. A une
certaine valeur IB1 , T1 est satur, mais T2 continue fonctionner avec son gain, car T1 se comporte
comme un dispositif danti-saturation pour T2 . Ds lors, VCE ne se modifie pas si IB1 continue a
crotre.

Figure II.27. Tension collecteur-metteur et ses composants pour ltat


conducteur du Darlington
Donc le Darlington satur signifie : T1 satur, T2 quasi-satur. VBE2 est la contribution al plus
importante dans la valeur de la tension de saturation VCesat et constitue pratiquement sa limite
infrieure.
VCesat dpend aussi de IC. A donn VCesat (IC) est semblable celle du transistor bipolaire.

45

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Cours6
II.2. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP.
Le transistor effet de champ, en anglo-saxon FET (field effect transistor), peut fonctionner en
interrupteur, comme le transistor bipolaire. Le principe de fonctionnement tant trs diffrent, ce
composant prsente des avantages et des inconvnients par rapport au transistor bipolaire pour la
ralisation de convertisseurs de puissance peu leve. '
Il existe deux types de transistors effet de champ:
les transistors jonction ou JFET;
les transistors grille isole ou MOSFET.
II.2.1. Description et fonctionnement.
II.2.1.1. Le MOSFET de faible puissance

Figure II.28 Structure d'une cellule de


MOSFET de faible puissance

Figure

II.29. Reprsentation symbolique


notation pour le MOSFET canal N

et

Dans un semi-conducteur dop de type P (figure II.28.), on a diffus deux zones de type N sur
lesquelles sont souds les deux contacts de source S et de drain D. Une couche d'oxyde recouvre la
zone P situe entre la source et le drain; sur cette couche est soud le contact de grille (gate) G. C'est
la succession Mtal-Oxyde-Semiconducteur qui donne le prfixe MOS utilis pour caractriser ce
type de transistor.
La figure II.29. a donne la reprsentation symbolique usuelle. La connexion partant de la borne
relie au substrat (bulk) B se termine par une flche indiquant le sens passant des deux jonctions
substrat - source et substrat - drain.
D'ordinaire le substrat et la source sont relis. Le figure II.29.b indique les notations utilises.
II.2.1.2. Principe du fonctionnement.
Si on applique une tension v GS positive entre grille et source, le champ lectrique qui, travers la
couche d'oxyde apparat la surface de la couche P entre drain et source, loigne de cette zone les
porteurs majoritaires (charges positives) et y attire les porteurs minoritaires.

46

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A partir d'une certaine valeur v GS , appele tension de seuil V GS(th ) (threshold voltage), au voisinage
immdiat de la couche d'oxyde il y a plus de charges ngatives que de charges positives. Cette zone
du type N ainsi forme constitue un canal reliant la source et le drain.
Si on applique alors une tension v DS positive entre le drain et la source, un courant de drain i D peut
passer par ce canal dont la section, et donc la rsistance, dpend de l'cart entre v GS et la tension de
seuil.
II.2.1.3. Les MOSFET "de puissance".
Le configuration prcdente n'offre, au courant de drain, qu'un chemin "horizontal", c'est--dire
parallle la surface de la pastille. L'inversion de la polarit du dopage ne s'effectuant que sur une'
paisseur de quelques microns, l'obtention d'un courant relativement important ncessiterait une
augmentation prohibitive de la surface de la pastille.
L'apparition des MOSFET de puissance est due aux nouvelles technologies qui ont permis d'offrir su
courant un chemin vertical, c'est--dire perpendiculaire la surface, comme dans le transistor
bipolaire. On a d'abord ralis des transistors type VMOS, le V caractrisant la fois le trajet
vertical du courant et la forme en V de l'entaille ralise la surface de la pastille. Actuellement, les
composants de puissance les plus usits sont du type D MOS, le D indiquant le procd de double
diffusion utilis pour leur fabrication.
Comme le collecteur des transistors de puissance bipolaires, le substrat est form de deux couches
de type N (figure II.30). La couche N donne au composant ses caractristiques de tension. Dans
cette couche on introduit, par une premire diffusion, des lots de type P; par une seconde diffusion,
on introduit dans ces lots P des lots de type N.

Fig.II.30.Structure dune cellule DMOS


Une tension v GS positive attire les charges minoritaires des zones P contre la couche d'oxyde, en
repousse les charges positives. Quand v GS devient suprieur V GS(th ) ,il apparat des canaux de type
N par lesquels le courant peut circuler du drain vers la source.
Une petite partie des filets de courant reste horizontale, mais on peut obtenir un courant de drain
important car le transistor est form d'un trs grand nombre de cellules lmentaires, identiques
celle de la figure II.30, mises en parallle.
47

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II.2.2. Caractristiques statiques.


II.2.2.1. Caractristiques de sortie.
Les caractristiques donnant le courant de drain i D en fonction de la tension drain -source v DS , pour
diverses valeurs de la tension grille - source v GS , ont l'allure reprsentes sur la figure II.31.b. La
figure II.31.a dilate leurs parties initiales.

Figure II.31.a et b. Caractristiques de sortie.

Le courant i D ne peut passer que si la tension v GS , suprieure la tension de seuil V GS(th ) , cre des
canaux de type N. La section de ces canaux est alors fonction , de lcart v GS - V GS(th ) .
Pour les faibles valeurs de v DS , infrieures quelques volts, le courant i D est faible, son passage
dans les canaux n'en modifie pas la rsistivit, le courant i D crot proportionnellement v DS .

Lorsque i D est assez grand pour que les flux d'lectrons saturent les canaux, i D reste pratiquement
constant lorsque v DS augmente; les caractristiques sont horizontales. La valeur de v DS
correspondant la saturation des canaux est appele tension de "pincement" VP .
En lectronique linaire (amplification), on travaille dans la zone o les caractristiques
i D = f (v DS ) sont horizontales. En lectronique de puissance, on demande au transistor de fonctionner
en interrupteur:
L'interrupteur sera ouvert pour v GS infrieur V GS(th ) ; en fait, on ralisera l'ouverture en faisant
v GS = 0 . La rsistance R DS OFF entre drain et source est alors pratiquement infinie.

L'interrupteur sera ferm lorsque v GS sera suffisant pour qu' i D donn la chute de tension v DS
soit minimale. L'augmentation de v GS rduit v DS , comme le montre la figure II.31.a; toutefois,
48

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au-del d'une tension de l'ordre de la dizaine de volts, la rduction de v DS i D donn n'est plus
sensible.
II.2.2.2. Caractristique d'entre.
La grille tant isole, il n'y a thoriquement pas de courant circulant entre grille et source en rgime
statique. En fait, il y a un petit courant de fuite trs infrieur au micro-ampre. L'impdance d'entre
trs leve, suprieure au megohm, constitue le principal avantage du transistor MOSFET sur le
transistor bipolaire. On verra que l'impdance d'entre est essentiellement capacitive.
On peut tracer des caractristiques de transfert donnant i D en fonction de v GS v DS constant. Elles
montrent comment, ds que v GS a dpass la tension de seuil V GS(th ) , gnralement comprise entre 2
et 4 volts, le courant i D crot rapidement. La pente des caractristiques de transfert est appele
transconductance drecte g FS .
L'augmentation de la temprature accrot le nombre de porteurs minoritaires dans les zones P, mais
elle diminue la mobilit des porteurs majoritaires. Quand la temprature crot, la tension de seuil
diminue, mais i D crot ensuite moins vite en fonction de v GS .
II.2.2.3. Rsistance apparente l'tat passant.
Au lieu de tracer les caractristiques donnant la (chute de) tension v DS en fonction de i D l'tat
passant, on a conserv l'habitude de donner, en fonction de ce courant, les variations de la rsistance
apparente R DS ON pour diverses valeurs de v GS . Puisque:

v DS
iD
les courbes correspondantes se dduisent de celle de la figure II.31.a.
R DS ON =

(II.44)

Si on compare (figure II.32) les caractristiques d'un MOSFET et d'un bipolaire aptes couler le
mme courant et bloquer la mme tension, on voit qu' l'tat passant le bipolaire a une chute de
tension nettement plus faible que le MOSFET; c'est un des principaux inconvnients de ce dernier.

Figure II.32. Comparaison des caractristiques de sortie


49

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Pour pouvoir bloquer des tensions leves, les deux types de transistors ont besoin d'une couche N
faiblement dope d'autant plus paisse que la tension supporter est plus grande. En conduction,
cette zone N du bipolaire est envahie par les porteurs minoritaires de la base et sa rsistivit
diminue, alors que la zone N du MOSFET ne varie pratiquement pas.
La structure multicellulaire adopte permet de mettre en parallle les rsistances R DS ON de toutes
les cellules et d'viter une valeur prohibitive de v DS . On obtient, pour R DS ON des valeurs allant de
quelques centimes d'ohm (grandes pastilles, faible tension) une dizaine d'ohms (petites pastilles,
quelques centaines de volts).
II.2.2.4. Aire de scurit.
Dans le plan des caractristiques de sortie, o les axes sont d'ordinaire gradus en coordonnes
logarithmiques, l'aire de scurit en rgime continu du MOSFET est limite (figure II.33) par:
le courant maximal de drain en rgime continu i D (segment BC);
le tension drain - source maximale V (B R)DSS correspondant au claquage (segment DE);
la puissance maximale dissipable (segment CD);
la limite impose par R DS ON ; pour les faibles valeurs de v DS , il est impossible d'obtenir des
valeurs plus leves de i D (segment AB).
Contrairement au transistor bipolaire, le MOSFET n'est pas sensible au phnomne d'emballement
thermique. En effet, le coefficient de temprature positif de la rsistance RDSON rduit le courant qui
suit les trajets o, la temprature ayant une valeur plus forte, la rsistivit est accrue.
Pour les impulsions brves, de l'ordre de la microseconde, l'aire de scurit est tendue jusqu'au
contour en traits interrompus A B C E. Le courant maximal admissible devient I DM ; la limite
correspondant la puissance maximum dissipable a disparu. Pour des impulsions plus longues, les
limites de l'aire de scurit se trouvent entre les deux tracs de la figure II.33; ces limites doivent
indiquer la dure maximale des impulsions.

Figure II.33. Aire de scurit en rgime continu


50

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II.2.3. LES COMMUTATIONS
II.2.3.1. Les capacits parasites et leur charge.

Dans un transistor MOSFET ce sont les capacits parasites qui, par le te ncessaire pour les
charger ou les dcharger, limitent la rapidit des commutations.
On peut distinguer (figure II.34.a):
- la capacit grille-source CGS . Son dilectrique est la couche d'oxyde isolant la grille. Cette capacit
est peu sensible aux variations de la tension v DS ;
- la capacit grille-drain CGD . Elle rend compte de la zone de charge d'espace qui se forme dans la
rgion P au-dessous de la grille. Elle varie beaucoup avec la tension v DS , passant d'une valeur
comparable CGS , quand le transistor est passant (v DS faible), une valeur ngligeable quand il est
bloqu ( v DS fort), comme le montre la figure II.34b;
- la capacit drain-source CDS . Son importance est moindre car ses effet sont masqus par ceux de
CGD .

Figure II.34. Capacits parasites du MOSFET a et b


Ces capacits doivent tre regardes comme des grandeurs interconnectes, qui ne peuvent tre
mesures individuellement. Les constructeurs donnent:
- la capacit d'entre (input, common source, output short-circuited) Ciss :
Ciss = CGS +CGD; Ciss Ccs (pour ltat OFF)
(II.45)
- la capacit de raction entre drain et grille (Reverse Transfer Capacitance) Crss:
Crss = CGD
(II.46)
- la capacit de sortie (output, common source, input short-circuited) Coss:
Coss = CGD +CDS
(II.47)
La figure II.35.a montre la croissance de la tension vGS en fonction de la charge QG, apporte la
gchette par le courant iC lors d'un amorage. On part de l'tat bloqu: vGS nul, vDS ayant la valeur
Vcc impose par la source alimentant le transistor.
On peut distinguer schmatiquement trois tronons sur cette courbe:

51

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- Le tronon OA correspond la charge de la capacit d'entre sous la pleine tension vDS . Ciss est
alors peu diffrent de CGS . La charge fournir pour qu'un courant de drain ID puisse traverser le
canal dpend de lintensit de ce courant.
- Le tronon AB correspond la dcroissance de vDS depuis Vcc jusqu' vDSON. La tension vGS ne
varie pas. La charge fournie sert faire varier la tension aux bornes de CGD; elle est d'autant plus
forte que la valeur initiale Vcc de vDS l'tait elle-mme.
- Le tronon BC correspond la fin de la charge de la capacit d'entre, le transistor tant
conducteur. Cette capacit est alors gale CGS +CGDON, elle est indpendante de ID et de Vcc.
La quantit d'lectricit QG2 permet de calculer le temps de fermeture, partir de la valeur du
courant de grille iG, du courant de drain iD = I et de la tension initiale Vcc. Le trac en traits
interrompus OA'B'C' correspond un courant I suprieur I; le trac en traits mixtes OABC,
une tension Vcc' suprieure Vcc.

Figure II.35.a) Evolutions vGS(Q G) ; la fermeture.

Figure II.35. b) Evolutions vGS(Q G) : louverture.


52

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Pour lextinction d'un transistor (figure II.53b), on trouvera, de la mme faon, lvacuation de la
charge excdentaire (segment CF), la dcharge de CGD pendant la remonte de la tension (segment
FH) et la dcharge de la capacit CGS pendant la descente du courant (segment HJ).
La quantit d'lectricit QG3 doit tre vacue par la grille pendant le temps d'extinction.
Remarque. En diminuant lpaisseur de la couche d'oxyde entourant la grille, on obtient des
transistors dont la tension de seuil est assez faible pour qu'ils puissent tre commands directement
par des circuits logiques aliments en 5 V. Ce sont les L2 FET (I,ogic Level Gate FET).
Leur capacit grille-drain est plus leve.

53

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Suite de cours 6 MOSFET- Commutations

cours7

II.2.3.2. Commutation la fermeture.


Nous envisageons le cas usuel o le transistor est en srie avec une charge inductive, shunte par
une diode de roue libre D, sous la tension Vcc (figure II.36). On suppose le courant I constant
pendant les commutations.
Phase 1. CDS n'intervient pas puisque la tension ses bornes ne varie pas (figures: II.35.a, II.37.a,
II.38.a, II.39.a).
- Phase lA. Dbut de charge de Ciss ; 0 < vGS < VGS(th).
Pour t=0, la tension de commande vG passe de 0 Vcc (figure II.37.a). La capacit d'entre du
transistor bloqu se charge travers la rsistance RG.

Figure II.36. Circuit de charge inductive shunte par une diode de rou libre
dv
VGG = R G i G + v GS = R G CGS GS + v GS
dt
du :
t
t

VGG R G CGS
RG CGS

v GS = VGG 1 e
iG =
e

R
G

Q
avec CGS = G 1 C issOFF
(car C GDOFF = C rssOFF << C GSOFF figure II.34b
VGS1

(II.48)

(II.49)

- Phase 1B: Ciss continue se charger; VGS(th) < vGS < VGS1 .
A partir de t = t0 , une fois la valeur VGS(th) de la tension de seuil atteinte, le courant iD crot. Tant
qu'il n'a pas atteint la valeur I, la diode D continue conduire et la tension vDS reste gale Vcc. Le
courant dans la diode s'annule pour t = t1 ; vGS atteint vGS1 en t1 tel que:
t1

RG CGS

v GS1 = VGG 1 e
(II.50)

Il rsulte:

t 1 = R G C GS ln

VGG
Q
VGG
= R G G 1 ln
VGG VGS1
VGS1 VGG VGS1

54

(II.51)

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Phase 2. Dcharge de CGD et CDS (chute de vDS) (figures: II.35.a, II.37.a, II.38.b, II.39.a).
A partir de t = t1 , la diode de roue libre D se bloque. vGS ne varie pas et reste la valeur VGS1 . Donc:
V VGS1
d( v DS v GS )
dv
i G = GG
= const = C GD
= Crss DS
(II.52)
RG
dt
dt

Figure II.37.Evolution des courants et tensions lors de la commutation :


a) la fermeture ; b) louverture
Cest--dire :
dv
i
i
DS = G = G
dt
C GD Crss

(II.53)

55

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


dv DS
est lev et
dt
vDS dcrot vite. A la fin de la phase 2, CGDON est leve, donc la dcroissance sera plus lente.
La tension vDS dcrot avec la pente dvDS/dt . Au dpart, CGDOFF est faible, alors

Figure II.38.Phases lors de la commutation la fermeture :


a) phase 1 ; b) phase 2: c) phase 3

Lorsque le courant de dcharge de CGD devient ngligeable, la charge QG2 est alors telle que:
QG2 QG1=iG(t2 -t1 )
(II.54)
d'o: en utilisant aussi (II.52)
Q QG 1
t 2 t1 = G2
R
(II.55)
VGG VGS1 G
-Phase 3. Fin de charge de Ciss et descente de vDS jusqu' VDSON= RDS ON I (figures: II.35.a, II.37.a,
II.38.c, II.40.a).
La valeur VGG de la tension de commande doit tre au moins gale au palier de VGS entre t1 et t2.
Mais, par scurit, on la prend suprieure et, aprs l'instant t2, la capacit d'entre du transistor
conducteur continue se charger et vGS augmente jusqu' VGG . L'quation diffrentielle du circuit
est comme dans la phase 1:
dv
VGG = R G C iss GS + v GS
dt
Q Q G2
mais: Ciss = G 3
= CissON ; v GS = VGG pour t = t 3
(II.56)
VGG VGS1

et vGS part de VGS1.


Donc :
v GS = VGG + (VGS1 VGG ) e

t
R GC issON

(II.57.a)
56

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


et :
t

VGS1 + VGG R GCissON


iG =
e
RG
vGS atteint VGG pour t3, tel que :
t3-t2 3RGCissON

(II.57.b)
(II.58)

Le temps de commutation est donc la somme du temps de retard d la tension de seuil, du temps
de monte du courant et du temps de descente de la tension (pour le cas de la diode idale). Pour le
rduire, avec un transistor donn, il faut diminuer la rsistance RG du circuit de commande et
utiliser une diode rapide ayant un temps de recouvrement t trs court.
La puissance de commande se calcule par:
1 t3

1 t3
P = VGG i G dt = VGG i G dt
T 0
T 0

Il en rsulte:
P = VGGfQ G3 et lnergie W = VGG QG3

(II.59)

Sur la figure II.35.a. on peut dduire le partage de lnergie de commande: lnergie WRG disipe
dans la rsistance RG (surface au dessus OABC) et dans le MOS: WcomMOS (surface hachure au
dessous OABC):
WRG = W WcomMOS

(II.60)

II.2.3.3. Commutation l'ouverture.


On suppose le transistor insr dans le mme circuit (figure II.36) que prcdemment. La figure
II.37.b donne les formes d'ondes des tensions vGS, vDS et des courants iD, iG partir de l'instant t=0
o la tension de commande vG passe de VGG zro. La capacit d'entre se dcharge travers RG; le
courant iG est ngatif.
De t=0 t= t 1' la grille vacue la charge excdentaire du transistor conducteur. De t= t 1' t=t2 , la
tension vDS croit, mais le courant iD reste gal I puisque la tension aux bornes de la diode est
encore ngative. De t= t '2 t=t3 , le courant I est transfr du transistor la diode D. Le transistor est
bloqu pour t=t3 ; la dcharge de la capacit d'entre se poursuit ensuite pour amener vGS zro.
En rduisant la rsistance RG, on diminue les constantes de temps du circuit de dcharge de la
capacit d'entre, on rduit le temps d'extinction toff .

57

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Figure II.39a et b Dplacement du point de fonctionnement du transistor MOSFET lors de la


commutation : a) la fermeture ; b) louverture
o Remarques
- Les capacits parasites ont des valeurs de l'ordre de quelques centaines de pF; on peut donc obtenir
des temps de commutation extrmement courts et des frquences limites de fonctionnement de
plusieurs centaines de kilohertz.
- Le dplacement du point de fonctionnement du transistor dans le plan des caractristiques de sortie
lors de la commutation est donn sur la figure II.39.

- La rapidit des variations du courant iD pendant les commutations est telle que, s'il y a une
inductance parasite dans le circuit de ce courant, elle produit de fortes variations de la tension vDS.
Elle la diminue pendant l'intervalle t1 , t2 ; elle l'accrot pendant l'intervalle t '2 , t '3 . Il peut tre
ncessaire de protger le transistor contre cette surtension l'extinction.
- Sur la figure II.40. est donn un schma de principe pour la commande de MOSFET.

Figure II.40. Commande du MOSFET

II.2.4. Associations transistor MOS ~ transistor bipolaire .


Plusieurs montages permettent de raliser un lment interrupteur associant les avantages des deux
types de transistors, MOS et bipolaire.
II.2.4.1. Montage en cascade (ou BIPMOS).
Ce schma (figure II.41.a) se dduit du montage Darlington en remplaant le transistor bipolaire
d'entre par un MOSFET.
La chute de tension l'tat passant du BIPMOS vaut:
58

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V CE = VBE + I C1

R ON

(II.61)

Figure II.41. Montage en cascade (ou BIPMOS)


avec RON: rsistance en conduction du MOS;
: gain du bipolaire.
La configuration BIPMOS permet d'utiliser un transistor MOS avec une rsistance RON , suprieure
celle rencontre pour un MOS individuel, donc moins onreux.
La rsistance admissible pour le MOS d'entre est donne par la relation
V VBE
I
R ON = CE
avec I DS I B 2 = C1
(II.62)
i DS

Dans le mme temps la capacit d'entre du montage est plus faible que celle du MOSFET
quivalent (avec les mmes caractristiques nominales).
Donc on associe la grande impdance d'entre du MOSFET, qui permet de simplifier la commande,
la chute de tension directe plus faible du transistor bipolaire.
L'ensemble peut tre intgr ou ralis partir d'lments discrets. La figure II.41.b montre les
lments qui peuvent tre introduits, dans ce cas, pour optimiser certains paramtres;
- La rsistance RDC permet de rgler ltat de quasi-saturation du bipolaire. Plus elle est leve, plus
la chute de tension ltat passant est forte, mais plus le temps d'extinction est faible.
- La rsistance RBE offre au courant de base ngatif un chemin pendant l'extinction du bipolaire. Plus
elle est faible, plus cette extinction est rapide. Mas en rduisant le courant de base pendant la
conduction, elle augmente la chute de tension.
- La diode D acclre aussi la disparition du courant de base ngatif pendant l'extinction du
bipolaire, condition que le circuit de commande de grille puisse laisser passer un tel courant. .
II.2.4.2. Montage en srie ou cascade .
La mise en srie des deux composants (figure II.42) permet de profiter de l'extinction rapide du
MOSFET pour acclrer celle du bipolaire.
La mise en srie n'amliore pas la commutation la fermeture, au contraire, chaque transistor
retardant la monte en courant de l'autre. Mais cet inconvnient est mineur dans la mesure o les
pertes la fermeture sont beaucoup plus faibles que les pertes lextinction.
L'autre inconvnient est que la chute de tension vCS en conduction est suprieure celle vCEsat du
bipolaire, puisqu'on lui ajoute la chute vDS du MOSFET. Mais, l'tat bloqu, la tension aux bornes
du MOSFET est faible: on peut utiliser un composant basse tension RDS ON trs rduit.
59

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure II.42. Montage en srie

Figure II.43. Montage en parallele

L'avantage de ce groupement est la rduction de son temps d'extinction. Quand on supprime la


tension sur la grille du MOSFET, celui-ci se bloque trs rapidement et oblige le courant collecteur
du bipolaire sortir entirement par le courant ngatif de grille. Les charges excdentaires du
bipolaire sont ainsi vacues plus rapidement.

II.2.4.3. Montage en parallele


Dans le groupement en parallle d'un MOSFET et d'un transistor bipolaire (figure II.43), on confie
au premier les commutations, au second la rduction de la chute de tension pendant la majeure partie
de l'intervalle de conduction.
A la fermeture, on alimente dabord la grille du MOSFET qui commute rapidement. Puis, on
alimente la base du transistor qui se sature et vCE tombe vCesat
Pour prparer louverture, on cesse dalimenter la base du bipolaire qui se bloque. Louverture
correspond celle du MOSFET qui commute trs rapidement ds quon annule la tension de grille.

60

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Cours8
II.4 LE TANSISTOR IGBT(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR).
II.4.1 La place de lIGBT.
Le transistor bipolaire grille isole ( I.G.B.T.) est un noveau composant semiconducteur de
puissance, qui est n dans les annes 1985, suite la recherche des
lectroniciens de puissance pour dvelopper sur la mme structure un composant qui rassemble
les avantages du transistor bipolaire (chute de tension faible en conduction, tension blocable
leve, rapport cot / puissance commute convenable) et ceux du transistor MOSFET
(commande en tension et vitesse leve de commutation). Il en a rsult un transistor
commandable en tension, avec une chute de tension en conduction infrieure celle du
MOSFET mais suprieure celle du bipolaire et une vitesse de commutation mois leve que
pour le MOSFET, mais plus leve que pour le bipolaire.
Lamlioration des performances (calibres, chute de tension, vitesse de commutation) de
IIGBT a t spectaculaire. Nous sommes dj la troisime gnration des IGBT. Par
exemple si la premire gneration dIGBT lance sur la march par TOSHIBA Electronics en
1985 a eu les caractristique VCES=1000V, VCE sat=3V et tf =0,45s, les gnrations suivantes
reprsentent un progrs vident.
La deuxime gnration est structure sur deux types dIGBT: les uns vitesse leve de
commutation et tension de saturation plus grande et les autres basse tension de saturation
mais plus lents. Gnralement les IGBT individuels ou les modules IGBT vitesse leve de
commutation sont construits pour les calibres:
V CES =600V ou 1200V; IC dans lintervalle( 15800) A
et ceux basse tension de saturation pour:
V CES =600 V ou 1200V; IC dans lintervalle (25500) A
On saperoit que la troisime gnration, grce aux nouvelles technologies (NPT-non punth
trough tehnologie dit homogne) a russi donner des IGBT qui ont les deux qualits en
mme temps.

On doit souligner quactuellement les tendances du dveloppement des IGBT sont dans les
directions de:
laugmentation de la puissance commute;
la rduction de la tension de saturation V CE sat;
la croissance de la vitesse de commutation;
la cration des commandes intelligentes intgres;

Avec laugmentation de sa tenue en tension et de la puissance commute, lIGBT commence


remplacer le thyistor et le GTO. Les avantages de tels convertisseurs sont la frquence plus
leve de fonctionnement, donc de dimensions plus rduites et la possibilit de commande en
tension. Il en rsulte le schma lectrique plus simple et plus fiable et cot total du
convertisseur moindre.

61

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure II.44. Place actuelle de l'IGBT


Toshiba a sorti sur le march la fin de lanne 1993 un composant nouveau sous les formes
dIGBT
individuel
et
module
IGBT
(bras
de
pont)
avec
des
caractristiques: VCES = 1700 ; I C = 360 A ; VCEsat = 3.2 V ; t f = 0.5s , qui montrent clairemant le
dveloppement de lIGBT dans les directions mentionnes.
Pour conclure on peut affirmer que la place de lIGBT saffirme dune anne sur lautre parmi
les autres composants semi-conducteurs de puissance. La figure II.45 illustre lhistoire de
lvolution des composants semi-conducteurs de puissance et montre que vers les anne 2000 le
domaine dutilisation de lIGBT sera trs large.

62

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Figure II.45 Evolution des composants semi-conducteurs de puissance


II.4.2. Symbole. Structure. Techologie.
La dsignation des transistors grille isole a t longtemps fluctuante (I.G.T., COMFET,
GEMFET), comme les symboles utiliss (figure II.46).

Figure II.46 Symbole pour IGBT ( canal N)


Actuellement il parat que le symbolele plus souvent utilis est celui montr sur la figure I .46.a.
Les lectrodes sont: le collecteur, lmetteur et la grille.

En fait, lIGBT est un composant multicellulaire dans lequel chaque cellule est compose dun
transistor MOS commandant un bipolaire de puissance, donc dun montage de type Darlington.
La figure II.47 illustre une section transversale pour une cellule dIGBT canal N.

63

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Une telle structure est semblable celle dun DMOS, dans laquelle la couche N + a t remplace
par une cauche P+. Souvent lmetteur et la grille ont une construction interdigite. Le schma
lectrique quivalent de la structure de la figure II.47 est indiqu sur la figure II.48 a et le schma
simplifi sur la figure II.48 b.

Figure II.47 Section transversale pour une cellule IGBT canal N (IGBT symtrique)

Figure II.48 Schmas lectriques pour une cellule d'IGBT:


a) complte; b)simplifie

Le transistor NPN est inhrent la disposition des couches et le transistor PNP apparat dans la
succession des trois zone trouves en allant du collecteur C lmetteur E. la rsistance Rb

64

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correspond la zone P encadre par des lots, de type N, en contact avec une mme mtallisation
dmetteur.
Vu lorganisation de la structure, les transistors T 1 et T2 forment un thyristor parasite, qui ne doit
pas fonctionner, mme pour des courants multiples du courant nominal de
lIGBT pout que lensemble ne soit perturb. En ce sens la base et lmetteur du transistor T 2
(NPN) sont shunts, par exemple par un fil daluminium. De plus, pour rduire la rsistance Rb et
le gain en courant a n du transistor T2, on joue sur la forme gomtrique, les dimensions et la
densit dintgration des cellule de lmetteur et on introduite dans ces cellules, par diffusion des
plots P + (figure II.47) trs forement dops pour rduire le rsistivit de la rgion de base P.
Pratiquement, on obtient alors le schma simplifi donn sur la figure II.48 b. Un montage
Darlington BIPMOS appart, dans lequel le MOS canal N rgime denrichissement, comme
transistor dentre, commande un bipolaire de puissance PNP avec une paisse et faiblement
dope, comme transistor de sortie.
En premire approximation on peut dire que le fonctionnement est celui dun Darlington
BIPMOS. Si on applique une tension VGE entre la grille et lmetteur, le canal N se forme dans le
MOS et le transistor PNP est aliment par un courant de base.
Le PNP devient conducteur, ainsi que lensemble IGBT. Pour le blocage il suffit dannuler la
tension VGE (=0). Le canal sera interrompu et le PNP va se bloquer, restant sans alimentation sur
la base. Pour conclure, lIGBT est command de la mme faon que le MOSFET et il a tous les
avantages lies son impdance dentre leve. En ralit, le functionnement de lIGBT est plus
complexe que celui montr par le schma lectrique simplifidonn sur la figure II.48 b, cause
de linteraction entre les deux transistors. Lorsque vGE<V GE(th) (tension de seuil de lIGBT), il ny
a pas de couche dinversion pour faire la liaison entre drain et source. LIGBT est bloqu. Si la
tension collecteur-metteur ce est >0, elle est tenue par la jonction J2 et si ce est <0 la
jonction J 1 sera cella qui le bloque. Les caractristique de la couche N -, concentracion
dimpurets et paisseur, sont celles qui dterminent les performances au blocage dans les deux
directions. La tension blocable en direct ou en inverse correspond la tension maximale qui peut
tre supporte par le transistor PNP. Pour ce>0 il faut viter le claquage de la zone P entre les
jonctions J2
et J3, ce qui impose une longueur minimale du canal en fonction du profil de la
distribution des impurets P, au dbut de la surface du cristal. Si GE>VGE(th), la couche
dinversion se forme. Le canal apparat. De plus les trous (porteurs minoritaires) injects par le
substrat P+ dans la couche N- dterminent un effet de modulation de la conductivit de la rgion
N- ,qui rduit la rsistance de drain du MOSFET. LIGBT devient conducteur. La modulation fait
que la rsistance apparente en conduction de lIGBT est infrieure celle dun VDMOS avec la
mme surface du cristal et la mme tension blocable. Donc lIGBT peut fonctionner avec une
densit de courant beaucoup plus leve. Par exemple pour le mme calibre et la mme tension
de dchet la densit de courant dans lIGBT peut atteindre 200 A/cm2 , alors que pour le MOS
elle ne dpasserait pas 10A /cm2 . LIGBT de 1000V; 50A fabriqu par la Socit TOSHIBA a
une puce de 12 mm sur 12mm, qui est seulement 60% de la surface dun Darlington bipolaire de
mme calibre. Autrement dit, cet IGBT a une densit de courant 1,6 fois plus grande que le
composant classique.
La tension collecteur- metteur de saturation VCE sat ,tenant compte du schma II.48 b
se calcule par:
VCE sat = VB E + I DMOS (R N (mod ) + R C )
avec: V BE : tension base-metteur de T1;

65

(II.63)

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VCE

IDMOS :courant de drain de T 3 ;


R N- (mod) :rsistance de la couche N- modul en conductivit;
RC :rsistance du canal de MOSFET;
sat est plus leve que celle dun bipolaire, mais infrieure celle dun MOSFET.

et le courant de lIGBT est donn par:


I C = I DMOS + I CPNP
avec: ICPNP : courant de collecteur de T 1
I
I DMOS = CPNP
h FE PNP
h FE PNP : le gain statique en courant de T1.
Les relations (II.64) et (II.65) donnent :
I C = I DMOS + h FE PNP I DMOS I DMOS (1 + h FE PNP )

(II.64)
(II.65)

(II.66)

Dans les IGBT modernes, la plus grande partie du courant passe dans le MOSFET. Si on
suppose hFE PNP=0.3 (cas usuel) il rsulte Ic=1.3IDMOS ,70% du courant passera dans le
MOSFET.
La valeur h FE P N P a une grande influence sur la chute de tension en conduction et est lie aux
performances en commutation. Pour avoir le plus faible VCEsat , on aurait intrt diminuer
autant que possible IDMOS et donc augmenter h FE P N P , mais la possibilit de verrouillage (latch)
du thyristor parasite crot aussi.
Une structure comme celle prsente sur la figure II.47 a presque la mme tenue en tension pour
les tensions collecteurmetteur directes et inverses , donc reprsente un IGBT symetrique.
On peut gagner en performances(augmenter la vitesse de comutation et diminuer la chute de
tension) si on ajoute une couche tampon N+ entre la couche injectrice P + et la zone de drain N(figure II.49). La tenue en tension directe louverture est accrue, mais en revanche la tenue en
tension inverse diminue fortement,fait qui rend lIGBT asymtrique (unidirectionnel en tension).
La couche N + est mince (par exemple environ 10m).Elle diminue galement le gain du
transistor bipolaire PNP donc augmente le VCE ON ; cependant fort courant le rendement
dinjection reste bon et le VCE varie trs peu. En revanche cette couche permet aussi dviter le
verrouillage et amliore la vitesse de commutation louverture, ceci dautant plus quelle est
fortement dope.
Il est clair que pour acclrer lIGBT il faut diminuer au maximum le temps de recombinaison
des porteurs minoritaires (trous) et pour cela il y a plusieurs techniques, outre la couche tampon
N+ , comme par exemple:
* linjection de mtaux lourds (or ou platine) dans la zone N - ;
* lirradiation du silicium afin de crer des dislocations.

66

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure II.49. I.G.B.T. asymtrique


Le but est de crer des centres de recombinaison pour ces porteurs excdentaires. La rsistance
apparente ltat conducteur va augmenter , mais un compromis est toujours possible pour
gagner en vitesse sans trop augmenter la tension de dchet, comme le dmontre la croissance de
la dose dirradition lectrons qu a une signifiante influence sur le temps de descente t f et la
tension de saturationV CE sat .

67

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


SUITE DE COURS 8
cours9
Les caractristiques de sortie IC (VCE) de lIGBT sont indiques sur la figure II.50.
Pour ltat conducteur, les caractristiques sont identiques celles dun bipolaire, lexception que
le paramtre est la tension VGE et non le courant IB. A tension de commande VGE> VGE(th), mais
constante, et tension VCE croissante, le courant de collecteur IC sature une valeur (hFE
PNP +1)IDMOSsat o IDMOSsat est le courant drain de saturation du transistor MOS.
Ces caractristiques prsentent deux diffrences par rapport celles du MOSFET :
Le courant iC ne scarte de zro que lorsque vCE a dpass la tension de seuil de la jonction
P+N- ;
La rsistance apparente ltat satur est plus faible.
Ic

VGE augmente
VGE
VGE
VGE
VGE1
Vc

VRM

Figure II.50. Caractristique de sortie de lIGBT canal N


La caractristique de transfert IC (VGE) est donn sur la figure II.51.

Figure II.51. Caractristique de transfert


La caractristique a la mme allure que celle dun MOSFET. Elle est linaire pour des valeurs
leves du courant IC et non linaire seulement pour les faibles valeurs, quand la tension VGE est
proche de la valeur de seuil VGE(th).
II.4.3. Le verrouillage (latch)
La particularit de lIGBT consiste dans le fait que pour vGE>vGE(th) la zone N- recoit des lectrons
de lmetteur et des trous du collecteur et en consquence a une forte diminution de sa rsistivit. La
plus grande partie du courant des trous se ferme directement vers la mtallisation de lmetteur,
68

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


mais il y a aussi des trous qui sont attirs dans la rgion voisine du substrat dinversion, cause de la
charge ngative des lectrons de ce substrat. Ces trous forment un courant qui passe par la rsistance
Rb.
Pour un IGBT donn il y a une valeur maximale du courant ICM, appel courant de verrouillage, qui
si elle est dpasse, rend le courant de trous se fermant par Rb suffisant pour rendre le transistor T2
conducteur, ainsi que le thyristor parasite form par T1 et T2 . Dans ce cas apparat un verrouillage,
car lIGBT entre dans un tat conducteur dasn lequel la tension vGE est inoprante. La seule solution
de blocage est commutation force du courant comme pour un thyristor conventionnel. Si lIGBT
reste longtemps dans ltat de verrouillage il sera dtruit cause de la dissipation excessive de
puissance ncessaire. Le verrouillage dcrit est un verrouillage statique. En ralit la valeur donn
dasn le catalogue pour ICM est plus petite, car elle correspond au verrouillage dynamique, qui peut
apparatre au blocage dun courant de collecteur plus moins lev que la valeur ICM statique. Il
passera dautant plus de trous dans Rb, que lIGBT est rapide.
Il y a plusieurs mthodes pour augmenter la valeur I CM dynamique du courant de collecteur o
apparatra le verrouillage. Des astuces gomtriques sont la disposition des constructeurs pour
diminuer R b (figure II.52):
Zone P au dessous de N+ trs courte et trs large;
Surdopage de P+;
Distance entre cellules trs faible;
Systme interdigits (plutt que cellulaires) pour rendre la largeur de la grille minimale et
uniforme (pour viter des verrouillages localiss).

Figure II.52 Structure voie prfrentielle pour les trous


Actuellement, pour les IGBT modernes le problme du verrouillage est compltement rsolu par
des moyens technologiques. Ce phnomne n'apparatra qu'aprs la valeur du courant limite indiqu,
si on ne dpasse pas la tension maximale v GE admise.

69

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II.4.4. Le rgime de commutation (dynamique).
Le rgime de commutation sera tudi sur un circuit de charge inductive, shunte par une diode de
roue libre D, comme pour le MOSFET, sont celles qui par leurs charge et dcharges imposent les
formes d'ondes lors de la fermeture et de l'ouverture. Le schma quivalent de l'IGBT est indiqu sur
la figure II.53.

Figure II.53 Capacits parasites de l'IGBT


La signification des capacit a t donne dans un paragraphe antrieur. Elles se calculent de la
mme faon celles donnes par les relations du MOSFET. On s'aperoit que le schma est identique
a celui du MOSFET. L'volution des valeurs de ces capacits avec la tension VCE (la correspondante
de VDS ) est la mme, que celle de la figure II.34.
Les phases lors de la commutation la fermeture et les formes d'ondes seront identiques a celles
indiques sur les figures II.37. La figure II. 54 montre ces formes d'ondes, en considrant la diode de
roue libre D idale. La dfinition des temps de commutation a la fermeture est illustre sur le
diagramme i C (t ) .

L'IGBT se comporte comme le MOS, sauf le fait que la coupure du courant de collecteur i C se
droule en deux phases:
La coupure du courant par la partie MOS, qui est rapide et reprsente de l'ordre de 80% du
courant initial;
La coupure du courant par la partie BIPOLAIRE qui prsente une trane, car l'vacuation des
porteurs minoritaires ne se fait que par recombinaison. Le temps de trane t tail varie en fonction
de la charge stocke et de la dure de vie des porteurs, donc de la technologie. La dure de vie
peut tre diminue par irradiation lectronique ou protonique, ou par l'utilisation de court-circuit
d'anode.

70

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure II.54 volution des courants et des tension lors de la commutation a la fermeture de l'IGBT

La charge stocke se rduit en diminuant le courant qui se ferme par le BIPOLAIRE.


Malheureusement, ces techniques provoquent une croissance de la tension VCE sat , donc il faut
chercher un compromis entre les pertes dans l'tat conducteur et la rduction du temps t f .
Les temps de commutation a l'ouverture: le temps total de croissance t off , le temps de retard a
l'ouverture t d( off ) et le temps de descente t f .

71

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure II.55 Evolution des courants et des tensions lors de l'ouverture de l'IGBT
Les temps de commutation a l'ouverture: le temps total de croissance t off , le temps de retard a
l'ouverture t d( off ) et le temps de descente t f sont dfinis sur la figure II.55 en considrant des formes
d'ondes idales. La figure II.56 montre la dfinition des temps de commutation utilis par les
constructeurs. Le temps de retard t d( off ) est inversement proportionnel la pente de la tension reapplique dv CE dt et il est beaucoup plus faible que le temps de stockage des composants bipolaires.
Par la commande de grille on peut modifier le temps de retard en changeant la pente de la tension
re-applique, mais en aucun cas on ne peut par cette action modifier le phnomne de tranage. Le
courant de queue augmente avec la temprature et la densit de courant.

72

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure II.56 Dfinition des temps de commutation


Les IGBT ralis selon la technologie NPT sont plus rapides que ceux bases sur la technologie PT.

II.4.5. La commande
Une fois le composant choisi, la commande doit tre ralise en vue de minimiser ses pertes par
conduction et par commutation et de garantir son fonctionnement sans destruction dans les rgimes
normaux et d'avaries du convertisseurs.
II.4.5.1 Les aires de scurit en rgime normal.
L'aire de scurit TOSOA au blocage caractrise le maximum du produit courant-tension au moment
du blocage. Comme on l'a dj mentionn, ce moment les charge minoritaires (les trous qui ont
une vitesse moindre) sont les derniers vacuer la couche N et peuvent affecter le transistor
bipolaire NPN parasite, phnomne qui peut conduire au verrouillage. TOSOA est indique de
manire que le verrouillage soit exclu.
Il y a des cas dans lesquelles les rseaux d'aide a la commutation sont indispensables. Leur rle,
tenant compte de la forme carre de la TOSOA, est d'abord de diminuer la pente de la croissance de
la tension v CE , pour les forts courants, comme pour le BIPOLAIRE.
La figure II.57 montre quatre types de snubber pouvant tre utiliss pour un module IGBT. Le
schma II.57.a s'utilise en faible puissance (50 A et risque de rsonance). Le schma II.57.c, avec
des condensateurs de valeurs leves est adapt aux fortes puissances. Le rseau II.57.d avec de trs
faibles condensateurs peut servir comme complment de celui de la figure II.57.c, pour rduire les
dv CE
dt et les oscillations, mais ce rseau est dissipatif. Il est trs important de soigner le cblage de
73

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


ces rseaux pour avoir un minimum de surtension. L'obtention des valeurs faibles pour le lments
parasites peut tre russi par un cblage lamin l'aide de feuillards de cuivre associs a des
isolants.

Figure II.57 Types de circuits d'aide a la commutation

74

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Cours 10

III.LE THYRISTOR
III.1. SYMBOLE. FONCTIONNEMENT. EQUATION DE FONCTIONNEMENT.
Le thyristor ( S.C.R. Silicon Controlled Rectifier) est un composant semi-conducteur constitu
de quatre couches semi-conductrices mises en srie P.N.P.N.( figure III.1 a).Elles forment trois
jonctions J1, J2 et J3, quivalentes trois diodes montes en srie (figure III.1 c).

Figure III.1. Structure du thyristor (a); Symboles(b); Schma quivalent avec diodes en srie(c);
Etats du thyristor(d).
Les couche N et P du milieu sont faiblement dopes, les couches extrmes sont plus fortement
P>>N et N>>P.
Le thyristor a trois lectrodes (figure III.1 a et b):
- lanode A sur la couche extrme P;
- la cathode K sur la couche extrme N;
- llectrode de commande, ou gchette, G sur la couche P faiblement dope;
Si on polarise directement le thyristor en fermant linterrupteur S1, S2 tant ouvert, les jonctions
J1 et J3 (diodes D1 et D3) sont polarises en direct, la jonction J2 (diode D2) est polarise en
inverse. Pratiquement, toute la tension est applique sur J2. Le courant IT est trs faible, le
thyristor est bloqu et ce courant est not ID, courant danode ltat bloqu direct.
La tension directe bloque par le thyristor est note V D. La couche N (jonction J2) doit tre
paisse, dope uniformment et faiblement pour que le thyristor puisse supporter des valeurs
leves de V D.

75

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Si on inverse la polarit de la tension applique entre anode et cathode, D1 et D3 sont polarises


en inverse, D2 est polarise en direct (fig. III.1.c). Le thyristor est bloqu en inverse. Le courant
qui circule, courant danode ltat bloqu inverse, not IR, est plus faible que ID . La majeure
partie de la tension inverse VR se retrouve sur la jonction J1 qui doit possder les mmes
caractristiques que J2 pour bloquer des tensions de valeurs leves.
Sil ny a aucun courant dans le circuit gchette cathode, le thyristor est donc bloqu dans les
deux sens.
Le schma quivalent du thyristor peut tre assimil une combinaison de deux transistor
bipolaires complmentaires, lun not T1 de structure N.P.N (D2 et D3 ), lautre T2 de structure
P.N.P(D1 et D2 ) connects comme sur la figure III.2.
Lamorage du thyristor sexplique sur ce modle.
Soit linterrupteur S 1 ferm. A la fermeture de S2 , la jonction metteur de T1 est polarise en
direct, T1 est donc conducteur. Les lectrons, en grand nombre, arrivent de lmetteur E1 vers le
collecteur C1 donc dans la base B2 et T2 . Le potentiel ngatif de cathode est transmis par T1 en
conduction vers la base B2 et T2 .La jonction metteur de T2 est aussi polarise en direct, T2
devient conducteur, les trous passent de E2 vers C2 donc dans B1 polarisant aussi la jonction
metteur de T1 .
Le potentiel positif danode se transmet par T2 conducteur la base B1 de T1 . Un phnomne
dautopolarisation de B1 apparat, maintenant T1 en conduction sans polarisation externe, donc
mme S 2 ouvert.
Le courant de gchette I G dclenche une raction interne maintenant la conduction du thyristor
daprs sa disparition.
On dit que le thyristor a t amor.
On obtient lquation de fonctionnement du thyristor daprs le schma 5.2.b. donnant le modle
unidimensionnel quasi-statique de la structure PNPN.
Pour T2 : I C 2 = p I T + I CB0

I B1 + I CB0 I C 2 + I G + I CB0
=
comme : IT=IK-IG (loi des noeuds)
1 n
1 n
On met en vidence lquation fondamentale du fonctionnement du thyristor :
p I T + I C B0 + I G + I C B0
I + I C B0
IT =
IG = n G
(III.1)
1 n
1 ( n + p )

Pour T1 : I K =

Lamorage du thyristor a lieu si le courant I T atteint une valeur suffisante pour dclencher le
phnomne d'autopolarisation des bases des deux transistors quivalents. Aprs l'amorage, le
thyristor reste en conduction, la gchette perdant le contrle du fonctionnement du dispositif.

76

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure III.2. Modle pour expliquer lamorage


En pratique, n I G >> I CB0 ; la relation (III.1) simplifie donne le gain en courant l'amorage
G on :

G on =

IT
n
=
I G 1 ( n + p )

(III.2)

Si dans (III.1), on donne I G la valeur nulle, on trouve l'quation de fonctionnement l'tat


bloqu et en polarisation directe:

I C B0
1 ( n + n )
La valeur I T = I D est faible puisque I CB0 est faible.
IT =

(III.3)

Si n + p a une valeur proche de l'unit, I T prend une valeur importante, rvlant une mise en
conduction. C'est un amorage parasite, en absence de courant de commande I G .
Cela peut se produire:
a) par croissance de la tension directe anode-cathode, note VD au del d'une limite pour
laquelle un phnomne d'avalanche apparat la jonction centrale du thyristor.
Dans ce cas :
MI C B O
1 M( n + p )
avec M: facteur de multiplication caractristique du phnomne d'avalanche.
IT =

77

(III.4)

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Cette valeur limite pour laquelle M ( n + p ) 1est appele tension de retournement VBO .
b) par augmentation de la temprature

I CBO double tous les 6C , n et p augmente galement. Par l'action conjugue de ces facteurs,
pour une temprature dite d'amorage, I T atteint une valeur suffisante pour dclencher
l'autopolarisation.
L'amorage parasite peut aussi intervenir si la tension directe VD = VT crot avec une pente
dv T
leve.
dt
Dans ce cas, la capacit de barrire C b de la jonction centrale J 2 (figure III.1 a) dtermine un

dv T
important. Des porteurs sont injects dans les rgions
dt
B1 et B 2 (figure III.2 a et b). Le phnomne est pareil au cas d'une polarisation directe par
commande du circuit gchette-cathode, amorant le thyristor.
courant de dplacement i depl = C b

Dans les convertisseurs, il convient de prendre toute mesure ncessaire pour viter les amorages
parasites.
Le blocage du thyristor (son extinction) se fait par rduction de la concentration des porteurs qui
se trouvent dans les bases des deux transistors jusqu larrt de la raction dautopolarisation.
L'extinction a lieu si I T diminue sous la valeur I H , dite courant de maintien, condition que la
dcroissance de I T soit lente, permettant la disparition des porteurs par recombinaison et
diffusion.
Dans le cas dune dcroissance rapide de IT, ( cas des convertisseurs fonctionnant 50 Hz ), le
blocage du thyristor a lieu au passage par zro du courant IT .

III.2 CARACTERISTIQUE STATIQUE COURANT-TENSION


Les divers tats possibles du thyristor sont:
-conducteur
-bloqu, polaris en direct
-bloqu, polaris en inverse
La caractristique statique IT (VT) en courant continu illustre ces trois possibilits. (fig.III.3).
On distingue trois parties:
1. la caractristique de blocage, en polarisation directe;
2. la caractristique directe, de conduction;
3. la caractristique de blocage, en polarisation inverse.
La rgion 4 est instable.

78

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure III.3 Caractristique statique courant tension du thyristor


*La courbe 1 est obtenue IG =0; cest la caractristique de blocage en polarisation directe du
thyristor non command.
Les caractristiques IG non nul mais infrieur IGD (courant maximal de gchette non
amorage) sont reprsentes sur la figure III.4.b.
Le courant IT = ID reste faible tant que vT natteint pas la tension de retournement VB0 .
Il augmente ensuite brusquement vu le phnomne davalanche. Le thyristor devient conducteur,
le point de fonctionnement se plaant alors sur la caractristique 2.
Le thyristor reste passant pour IT > IL,, courant daccrochage sinon, il se bloque et le point de
fonctionnement retourne sur la partie 1 (comme n + p <<1, le courant ID est faible, peine
suprieur ICB0 pendant la croissance de VT).
Pour VT >VB0 , il y a amorage par avalanche. Cet amorage est non destructif si d iT /d t est
infrieur la valeur maximale admissible.
Le constructeur prcise les valeurs de:
VDSM : tension de pointe non rptitive ltat bloqu, polaris en direct;
VDRM : tension de pointe rptitive ltat bloqu, polaris en direct.
IDM :valeur maximale du courant IT = ID pour VT = VD = VDRM ;
VB0 et IDM , valeur du courant IT pour VT = VDRM dpendent beaucoup de la temprature de la
jonction TJ .
Ces valeurs VDSM ,VDRM , IDM sont donc donnes pour la temprature maximale T J
jonction.

79

max

de la

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

VB0 crot dabord avec la temprature, passe par un maximum, puis diminue fortement.
Le courant de gchette a aussi une influence importante (figure III.4).
VB0 diminue fortement si IG crot .
On peut conclure :
IG < IG1 < IG2 <... < IGD => VBO > VBO1 > VBO2 >...> VBOn

(III.5)

*La courbe 2 (figure III.3) est la caractristique de conduction IT ( VT) du thyristor passant.
Celui-ci reste conducteur si IT > IL . IT crot linairement avec VT et nest pratiquement limit
que par la rsistance de charge du circuit anode-cathode. Si VT dcrot lentement, le thyristor
reste en conduction jusque la valeur IH du courant de maintien.

Figure III.4. Evolution de la tension VBO et du courant ID , avec le courant de commande IG


VT0 , tension de seuil est une indication sans signification sans physique relle. Cette valeur
donne par le constructeur permet de dterminer les quations linaires des caractristiques de
conduction . On peut aussi dfinir la rsistance apparente rT :
VT
rT =
I T
v T = VTO + rT i T

Les catalogues donnent les caractristiques de conduction ( valeurs typiques et valeurs limites )
pour deux tempratures de jonction TJ (valeur dambiance et valeur maximale admissible) .
Le phnomne davalanche apparat quand la tension inverse atteint la valeur VBR ,
tension inverse de claquage; le courant inverse prend alors une valeur leve, amenant la
destruction de la jonction.
Pour viter cela, on donne:
VRSM : tension inverse de pointe non rptitive ( T J MAX )
VRRM: tension inverse de pointe rptitive ( T J MAX )
IR dpend aussi de la valeur du courant IG , augmentant sensiblement avec IG;

80

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Le courant de gchette doit donc tre nul pour un thyristor bloqu polaris en inverse afin de
limiter les pertes.

Le courant inverse correspondant la valeur V RRM est not I RM . Cette valeur est donn par le
constructeur.
*La zone 4 (figure III.3 ) illustre un fonctionnement instable rsistance apparente ngative .

III.3. CARACTERISTIQUE STATIQUE COURANT - TENSION DE GACHETTE .


(CARACTERISTIQUE DE COMMANDE )
Le circuit gchette cathode a pour caractristique statique celle de la diode D3 ( figure III.1.c ).
On y distingue (figure.III.5 ):
- la caractristique directe IG ( V G ) (+ sur G, -sur K );
- la caractristique inverse IRG (VRG ) ( -sur G, +sur K ).
Vu le faible dopage de la couche P, la jonction gchette cathode a un faible caractre de diode :
- chute de tension plus grande ltat passant ;
- courant inverse plus grand tension inverse donne ltat bloqu.
Sa capacit de blocage en inverse est trs rduite (5 10 V).
La dispersion des caractristiques due la fabrication est trs grande. Pour cette raison, on donne
deux courbes limites L1 et L2.

Figure III.5 Caractristique statique courant-tension de la gchette


Sur la surface ainsi dlimite par L 1et L 2 ,on peut distinguer trois zones:

81

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-la zone 1 de non amorage certain, dlimite par IGD, VGD, L1 et L2.
IGD et VGD sont les plus fortes valeurs du courant et de la tension de gchette pour lesquelles
aucun thyristor ne samorce. Ces valeurs sont donnes pour 125o C et sappellent courant et
tension de gchette de non amorage.
-la zone 2 damorage possible, dlimite par IGD, VGD, L1, L 2 , IGT et V GT .
IGT et V GT sont les grandeurs minimales pour lesquelles tous les thyristors du mme type
samorcent. Elles sont donnes 25o c.
-la zone 3 damorage certain, dlimite par IGT , VGT , L 1 , L 2 et lhyperbole de puissance
constante 4 .
Le circuit de commande doit tre calcul pour que le point de fonctionnement M, situ sur la
droite de charge soit dans zone 3.

III.4 LES REGIMES DYNAMIQUES OU DE COMMUTATION


L'amorage et le blocage du thyristor ne sont pas instantans. Les performances dynamique du
composant sont lies a sa construction, aux caractristiques du signal de commande, du circuit de
charge et a la temprature de fonctionnement.
Les limites d'utilisation en rgime de commutation doivent tre connues pour une utilisation
correcte du thyristor.

di T
.
dt
Le thyristor bloque une tension directe VD et reoit un signal de commande i G l'instant t 1
( temps de monte t r et amplitude I GM ).
III.4.1. Commutation la fermeture. Limite en

Sur la figure III.6 on voit l'volution des diverses grandeurs i G , i T , v T correspondant cet
amorage.

Figure III.6 Amorage du thyristor

82

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La puissance p TT est la puissance active disippe pendant la commutation


Pendant l'tablissemnet du signal, la densit de courant la surface de cathode n'est pas uniforme
cause de la zone P faiblement dope et de la prsence de l'lectrode de commande. Au
voisinage de la gchette, la densit est beaucoup plus grande; au dbut de l'amorage, le courant
ne circule que dans une section rduite du semi-conducteur.
Vu la diffrence de densit des porteurs de charge, ceux-ci diffusent dans toute la structure, avec
une vitesse d'largissement de section d'environ 0.1mm . La figure III.7 schmatise
s
l'extension de l'aire de conduction dans la pastille de silicium pour un thyristor gchette
centrale
G

Temps apres la
commande

0 s

50 s

10 s

Fin du temps du
propagation

Figure III.7. Extension de la surface de conduction.

L'amorage est caractris par le temps total de croissance t gt .

t gt = t gd + t gr
avec: t gt : temps de retard; les lectrons sont attires de la couche N de cathode (N>>P) vers la
couche P et deviennent suffisamment nombreux pour provoquer l'avalanche de la jonction J 3 ;
t gd est dfini par l'intervalle entre l'instant de commande t 1 et l'instant o v T atteint 0.9VD (fig.
III.6).
t gr : temps de croissance; c'est l'intervalle pendant lequel v T passe de 0 .9 VD 0 .1VD .

Ceci corresponde a l'extension du phnomne d'avalanche.


Le temps t sp correspond au passage de vT de la valeur 0.1VD la valeur de conduction VT . A
la fin de cet intervalle, c'est dire l'instant t 1 + t gr + t gd + t sp la conduction est uniforme sur
tout la surface de cathode. t sp dpend de courant anodique pendant l'intervalle t gr .
Le temps de retard t gd dpend des caractristiques (amplitude, vitesse de croissance ) du courant
de gchette i G .
t gd diminue fortement si I G M ou

di G
augmente .
dt

83

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On peut remarquer que, au del d'une certaine valeur, la croissance de I GM n'influence plus t gd .

t gd diminue aussi si la temprature de jonction crot et si VD , tension susceptible d'tre


bloqu en direct augmente.
t gd est d'habitude compris entre 0.5 et 300 s .

Pendant l'intervalle t gd , la puissance dissipe dans le thyristor est rduite vu la faible valeur de
iT.
t gr dpend de la gomtrie verticale du thyristor (paisseur et dopage des bases des
transistors quivalents) et est presque indpendante des paramtres du signal de gchette.

di T
dt
donne, l'chauffement de la jonction dans les premire s qui suivent l'amorage est d'autant
plus important que I T est plus grand.
Le calcul de l'chauffement doit

tenir compte du courant I T en rgime tabli. A pente

84

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III.4.2. Commutation l'ouverture. Blocage.

Cours 11

III.4.2.1 Mthodes de blocage.


Un thyristor se bloque si le nombre de porteurs de charge existant dans les diffrent couches
diminue, faisant cesser la raction interne de courant.
La rduction progressive du courant sous la valeur I H dtermine ce phnomne,
Dans les circuits courant alternatif la variation du courant est suffisamment rapide; le blocage
intervient au passage par zro du courant (commutation naturelle libre).
Dans les circuits courant continu, le blocage se fait selon deux principes:

interruption du courant anodique par ouverture d'un interrupteur srie K 1 (fig. III.6). Aprs le
temps ncessaire au blocage, la fermeture de K 1 le courant de faible valeur I D , correspondant
l'tat bloqu direct circulera dans le circuit.
Circuits spcialiss d'extinction permettant:
- la dviation du courant anodique I T dans la voie parallle, le courant dans le thyristor
devenant infrieur I H , puis s'annulant (fig. III.7);
- la commutation force, par application d'une tension inverse entre l'anode et la cathode
(d'ordinaire, on utilise un condensateur C pralablement charg sous cette tension)

Sur la figure III.8, le circuit principal est form par la source U, dbitant sur la charge R par
l'intermdiaire du thyristor T.

Figure III.6. Blocage par interruption du courant anodique

Figure III.7. Blocage par diminution du courant anodique I T sous la valeur I H


85

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Figure III.7 Blocage par application d'une tension inverse


Le condensateur C et le thyristor auxiliaire Ta constituent le circuit auxiliaire d'extinction.
Pendant la conduction de T, C se charge par T et R l , rsistance de limitation, sous la tension
U C selon la polarit indique.
La mise en conduction de Ta applique U C en inverse sur T et le bloque. On considre le blocage
dfinitif s'il ne rentre pas nouveau en conduction la nouvelle polarisation directe.
III.4.2.2. Etude du blocage
Dans les convertisseurs usuels, les thyristor sont bloqus par application d'une tension inverse VR et
doivent supporter ensuite une tension directe VD sans se reamorcr intempestivement.
Les formes d'onde correspondant ce rgime dynamique sont rassembles sur la figure III.8.
Le thyristor en conduction (courant I TM , chute de tension ses bornes VTM ) se voit appliquer une
tension inverse l'instant t 1 .
Le blocage n'intervient pas au passage du courant i T valeur I H . Il y a des charges stockes en
excs dans la base B 2 de T2 9fig. 5.2) vu la grande paisseur de la couche N et son faible dopage.
La dure de vie p des trous de la base B 2 est la cause principale du retard au blocage.
Le courant i T diminue jusque la valeur I RRM (pointe de courant inverse), v T gardant la valeur
VTM .
Ensuite les porteurs accumuls dans les bases des transistors quivalents sont limins par le courant
inverse, la conduction est plus difficile, le courant s'annule:
i T = I TM e

t
p

(III.6)

p , dure de vie des trous dans B 2 , est rduit pour obtenir des thyristors rapides par introduction
dans la structure de centres de recombinaison, comme l'or ou le platine ou par irradiation du
dispositif avec des lectrons ou des neutrons.

86

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Figure III.8 Rgime dynamique l'ouverture du thyristor par l'application d'une tension inverse.
En t 2 les jonctions anode et cathode sont alors bloques et le processus de retour de la jonction
centrale commence, la tension v T est pratiquement nulle.
Vu l'inductance de charge, une surtension aux bornes du thyristor apparat (valeur crte VRM ) alors
que le courant i T passe de I RRM I R .
On dfinit:
t s - temps de stockage (storage time), intervalle sparant les passage du courant par les valeurs 0
et I RRM ;
t f - temps de dcroissance du courant inverse (fall time), intervalle sparant le passage du
courant par la valeur I RRM et l'instant dfini par l'intersection de la droite passant par les points
0.9I RRM et 0.25I RRM avec l'axe des temps.
87

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


t rr = t s + t f , temps de recouvrement inverse (reverse recovery time).
On remarque que t s , t f , t rr sont dfinis comme pour la diode, les phnomnes tant similaires.
Pendant l'intervalle t rr , les jonction anode et cathode retrouvent leur pouvoir de blocage.
t q - temps de blocage ou de dsamorage (circuit commutated turn-off time), intervalle sparant

le passage par zro de i T et l'instant t 3 o le thyristor peut bloquer nouveau une tension
directe sans risque de ramorage intempestif.
t fr - temps de tecouvremnet direct (forward recovery time) - intervalle entre l'instant de
l'application de la tension inverse VR et l'instant o le thyristor retrouve la totalit de la tension
VD .

On peut crire:
t fr =

I TM
V
+ tq + D
dv T
di
T
dt
dt

(III.7)

Q s , charge stock (lag charge)


ts

Q s = i R dt

(III.8)

di
On trouve dans les catalogues des diagrammes Q s T paramtres avec I TM (fig III.9)
dt

Figure III.9 Charge stockee Q s , en fonction de la vitesse de dcroissance


anodique Tvj = 125C pour le thyristor T 600F

Q f - charge rsiduelle recouvre (residual recovered charge)


88

di T
du courant
dt

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Q rr - charge recouvre (recovered charge)


I
t
Q rr = Qs + Qf = RRM rr
2

(III.9)

Avec les mthodes vues au chapitre 2, cela donne:


ts =

2Q s
di
T
dt

I RRM =

Q rr =

(III.10)

di T
2Q s
dt

(III.11)

I 2RRM (1 + S )
di
2 T
dt

(III.12)

di T
dt
1+S

2Q rr
I RRM =

(III.13)

I RRM dpend de la temprature de jonction Tj et de I TM (figure III.10).

di
Figure III.10 I RRM = f T pour diverses valeurs de I TM et Tj
dt
D'aprs les valeurs de t q et de S, on distingue plusieurs types de thyristors:
-

thyristors normaux: t q de 30s 300s ;

thyristors rapides: t q de 3s 300s ;


thyristors recouvrement lent: s>0.5;
89

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


-

thyristors recouvrement rapide: s<0.5.

t q est principalement influenc par les six paramtres Tj , I TM ,

di T
dv T
, VD ,
et VR .
dt
dt

III.5. LES PERTES DANS LE THYRISTOR.


Vu les divers tats possibles du composant, la puissance dissipe sur un cycle de fonctionnement
vaut:
P = PT + PTT + PRQ + PD + PR + PG
(III.14)
avec PT = puissance dissipe en conduction;
PTT = puissance dissipe l'amorage;
PRQ = puissance dissipe au blocage;
PD= puissance dissipe l'tat bloqu direct;
PR = puissance dissipe l'tat bloqu inverse;
PG = puissance dissipe dans le circuit de commande.
Si la frquence de commutation est dans la gamme 40Hz - 60Hz, les pertes en conduction sont
prpondrantes et on prend:
P PT
(III.15)

III.5.1. Les pertes en conduction.


Sur une priode T de fonctionnement, la puissance active dissipe en conduction vaut:

PT = PTAV

1T
= v T i T dt
T0

Avec les approximations linaires vues lors de l'tude de la diode, on obtient d'aprs la figure III.8.

PT = PTAV = VT 0 I TAV + rT I 2TRMS = I TAV VT 0 + rT k f2I TAV

(III.16)

avec I TAV : courant direct moyen;


I TAV : courant direct efficace;

k f : facteur de forme du courant.


Habituellement, dans les convertisseurs thyristors, le courant se prsente sous forme d'impulsions
rectangulaires ou de demi ondes sinusodales avec divers angles de conduction.
III.5.2. Pertes lamorcage
Elles deviennet importantes pour les valeurs leves de la frquence de commutation.
PTT

1
=
t gt

tgt

i dt

(III.16a)

T T

90

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Ce calcul est difficile. Pour les thyristors rapides, on trouve dans les catalogues deux diagrammes
qui permettent lvaluation rapide de la somme des pertes lamorcage et dans les premires
microsecondes de conduction : PTT+PT, notes globalement PTT.
III.5.3. Pertes au blocage.
Les pertes au blocage ont leur valeur maximale dans l'intervalle t f (fig. III.8). Elles peuvent alors
atteindre quelques kW.
Ces pertes se calculent par:
t
1 f
PRQ = v R i R dt
tf 0

(III.17)

Elles sont ngligeables 50 Hz mais deviennent importantes si la frquence de commutation crot.


Le calcul exact ncessitant la connaissance analytique de v R et i R , est difficile.
Dans la majorit des cas un calcul simplifi supposant la linarit de v R et i R est suffisant.
Il faut connatre I TM ,

di T dv T
,
et VRM (figure III.8).
dt
dt

I RRM se calcule par la relation III.11 et le diagramme de la figure III.8. On en dduit t 0 par:
t0 =

VRM
dv R
dt

et t f correspondant la valeur

dv R
sur des courbes telles que celles des catalogues.
dt

III.5.4. Pertes ltat bloqu


Dans ltat bloqu, direct ou inverse, le thyristor est parcouru par un courant faible. Les valeurs
maximales IDM et IRM sont donnes dans les catalogues.
Les puissances dissipes sont donnes par les expressions :
1T
1T
PR = v R i R dt I RM v Rdt = I RM VRAV
(III.18)
T0
T0
avec VRAV : valeur moyenne de la tension inverse.
1T
1T
PD = v D i D dt I DM v D dt = I DM VDAV
(III.19)
T0
T0
avec VDAV : valeur moyenne de la tension inverse.
III.5.6. Pertes dans le circuit de commande
Cette puissance est faible vis vis de la puissance totale dissipe.
On peut dfinir une puissance de crte, produit des valeurs de crte du courant et de la tension de
commande.
91

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Pour la puissance moyenne, on retient la valeur usuelle de 5 watts.

III.6. ETUDE DE LA COMMANDE DU THYRISTOR.


III.6.1. L'amorage.
Le circuit de commande doit injecter dans la gchette un courant i G ayant l'amplitude comprise
entre les valeurs I GT et I G M (fig. III.5) pendant une dure suffisamment longue pour que le courant
d'anode i T dpasse I L ,courant d'accrochage.
Comme on l'a vu au paragraphe III.3, les caractristiques du courant de commande ont une grande
di T
influence sur le temps t gd et sur les performances en
du thyristor.
dt
L'lectronique de commande est impose par la forme, l'amplitude et dure du signal i G .
La commande de gchette peut tre faite en courant continu ou par impulsions de courant.
Dans tous les cas, le point de fonctionnement M (fig. III.5) doit se trouver dans la zone 3 d'amorage
certain.
Il faut d'ailleurs tenir compte de l'influence de la temprature sur cette zone
L'impulsion de commande doit avoir une dure t g suprieure t gt , et correspondre la vitesse
d'tablissement de i T pour que celui-ci puisse dpasser I L (fig. III.11).

Figure III.11. Corrlation entre la dure de l'impulsion de commande et la vitesse de croissance du


courant de charge.

92

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Pour deux valeurs d'inductance de charge L s1 et L s2 ( L s1 < L s2 ), t g1 et t g 2 ncessaires sont
diffrents.
Le courant d'accrochage I L , tout comme le courant de maintien I H diminue si la temprature de
jonction crot (fig. III.12).

Figure III.12. Dpendance des courants d'accrochage et de maintien avec la temprature de la


jonction.
Il dpend aussi de l'amplitude I G M et de la dure t g de l'impulsion de commande comme le montre
la figure III.13.

Figure III.13 Influence des caractristiques de l'impulsion de commande sur les valeurs du courrant
d'accrochage.

La vraie valeur de I L est donc impose par la valeur de Tj et les caractristiques du signal de
commande.
93

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

di T
important, comme pour ceux monts en srie ou
dt
en parallle, l'impulsion de commande doit tre "forte" (fig. III.14). Ses caractristiques typiques
sont:
Pour les thyristors utiliss dans des circuits

I G M 3 5I GT plus rapide que 1A / s ; t,~0.1 1 s

(III.20)

Dans les circuits courant alternatif industriel (50 Hz), les thyristors peuvent tre commands avec
des impulsions "faibles" (fig. III.15).

Figure III.14. Impulsion de commande 'forte".

Figure III.15. Impulsion de commande "faible ".

94

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Suite de cours 11

cours12

Les schma de commande, comme les signaux fournis sont trs varis et dpendent du type de
convertisseurs. Ils sont classs suivant:
- la forme du courant: commande en courant continu ou par impulsion;
- le couplage de l'tage final: couplage direct ou avec isolation galvanique;
- le mode de ralisation: avec composants discrets ou avec circuits intgrs spcialiss.
La figure 5.54 prsente un schma avec couplage direct.

Figure III.16. Schma de principe avec couplage direct.


Lorsque T1 est bloqu, le condensateur C se charge par R 1 la valeur U1 . Quand T1 conduit, se
dcharge dans la gchette, R 2 limite ce courant.
La figure III.17 prsente deux schmas types avec isolation galvanique, par transformateur
d'impulsion (a) ou par optocoupleur (b).

Figure III.17 Commande avec isolation galvanique:


a) par l'intermdiaire d'un transformateur d'impulsion T.L; b) par l'intermdiaire d'un optocoupleur.
85

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Quand T1 , entre en conduction par commande de sa base, le primaire du transformateur d'impulsion


T.I. parcouru par un courant transmet au secondaire le courant de commande i G .

T1 doit tre satur ( i c (t ) < sati B ).


Le circuit magntique du T.I. ne doit pas tre satur sous l'action de i c (t ) et doit fournir un courant
suprieur I GT sous une tension de l'ordre de VI GT .

D 2 redresse la tension secondaire du T.I. pour ne conserver que les impulsions positives de courant.
R G limite i G et R 1 , C1 , amliorent l'immunit aux parasites.
R 1 (valeur comprise entre 0.2 et 5 k ) diminue l'effet du courant de dplacement sur la jonction
dv T
est inversement proportionnelle R 1 , mais une valeur trop
dt
faible de R 1 , conduirait une forte augmentation de la puissance de commande.
La valeur maximale admise de

C1 (valeur comprise entre 2 et 10nF ) diminue l'influence de la capacit de barrire C b .


Simultanment, si la commande se fait avec une impulsion hache, C1 , a un effet cumulatif du train
d'impulsions, pour que le courant d'anode ne s'teint pas pendant les phases amorage de T1 (si la
charge est fort inductive).
Pour le schma avec optocoupleur, la fermeture de l'interrupteur la diode D1 devient conductrice
ainsi que T1 . Un courant i G est inject dans la gchette de T.

Dans le convertisseur, le thyristor doit se fermer un moment bien tabli.


En commutation naturelle (redresseurs commands, gradateurs), le contrle de la puissance
transmise s'effectue par le rglage du dbut de conduction du thyristor.
Les deux mthodes utilises sont le contrle de phase et le contrle du nombre de demi - ondes de
conduction pour les gradateurs.
La figure III.18 illustre le principe du contrle de phase sur une charge rsistive. En changeant
l'angle de commande on modifie les valeurs moyenne et fficace de i s , donc la puissance
consomme dans la charge. Le schma lectronique de rglage de peut tre obtenu par des
lments discrets ou par un circuit intgr spcialis.
La figure III.19 donne une commande simple avec pont dphaseur et le principe de fonctionnement.
86

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Figure III.18. Principe du contrle de phase.


Si R varie, le potentiel du point C se dplace sur le demi - cercle de diamtre U AB , faisant varier le
dphasage entre U AB en phase avec U s et la tension UCD applique la gchette.

Figure III.19. Commande par l'intermdiaire d'un pont dphaseur.


87

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Le schma le plus simple pour les dclencheurs lments discrets met en oeuvre le transistor
unijonction (TUJ). C est aliment par une tension trapzoidale, obtenue par un redresseur et une
diode Zener (fig. III.20). u z synchrone avec u s charge C exponentiellement par l'intermdiaire de
R3 jusqu la valeur UP laquelle, le TUJ polaris en direct entre en conduction.
La dcharge du condensateur se retrouve dans la gchette du thyristor par l'intermdiaire du T.I.
Quand u c atteint la valeur U V , le transistor se bloque, C se charge et le phnomne se reproduit.
La modification de se fait par rglage de R 3 . L'augmentation du rapport

Us
tend la
UZ

gamme de rglage de mais aussi la puissance consomme dans R 2

III.9. LIMITATION DE LA SURTENSION DE COMMUTATION.


Au blocage, comme pour la diode, une surtension inverse VRM est provoque par l'inductance du
circuit du courant teindre.
La limitation de cette surtension se fait par un circuit R 1 - C1 mont en parallle aux bornes du
thyristor (fig. III.21).

88

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure III.20 commande avec contrle de phase en utilisant un TUJ

89

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure III.21. Circuit R 1 - C1 pour limiter la surtension de commutation.


Le condensateur C1 se charge travers L(R L ) et R 1 .

U i = (R 1 + R L )i C1 + L
Avec i C1 = C1

di C1
+ u C1
dt

du C1
et en posant R e = R 1 + R L
dt

il vaut:
d 2u C1
du
LC1
+ R e C1 C1 + u C1 = U i
dt
dt
La rsolution classique de cette quation donne:
= R 2e C 12 4LC 1

a) > 0 , rgime apriodique amorti R e > 2

L
;
C1

b) = 0 , rgime apriodique critique R e = 2

L
C1

L
.
C1
Gnralement, on choisit R 1 et C1 pour avoir un rgime oscillant (cas c).
c) < 0 , rgime oscillante amorti R e < 2

Des rseaux de courbes tels que sur la figure 5.68 permettent le calcul des lments R e et C1 .
Les valeurs du rseau parallle se calculent avec les relations:

C1

1 2Q s
k 2M VR
90

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

R 1 < 2x M

L
RL
C1

avec k M et x M valeurs extrmes tires de la figure 5.68 de la manire suivante:


connaissant VRRM et VR , on calcule

VRRM
, valeur maximale acceptable du rapport de
VR

surtension inverse;
on lit la valeur maximale k M de k respectant cette contrainte et la valeur x M de
V
minimum de RM (pour k = k M ).
VR
on lit Q s , sur un diagramme tel que celui de la figure III.8.

associe au

Le circuit R 1 - C1 se dtermine pour la valeur maximale du courant direct interrompre.


Ces relations sont galement valables pour le calcul des lments associs ncessaires limiter la
surtension inverse VRM une diode.

91

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IV.COMPOSANTS DERIVES DU THYRISTOR

cours13

IV.1. LE TRIAC.
IV.1.1. Symbole. Description.
Certains convertisseurs assurent le rglage de la puissance dans les circuits courant altematif
(gradateurs, interrupteurs statiques).
Leurs composants doivent tre bidirectionnels en courant.
Le triac est un composant bidirectionnel command une seule lectrode G. Son symbole est
reprsent sur la figure IV.1.a et il peut tre considr comme une association de deux thyristors
monts tte - bche (figure IV. l.b).

Figure IV.1. Symbole et schma quivalent du triac


LA figure IV.2 donne la structure de principe du triac. Une zone N1 est diffuse dans la couche P1 et
deux zones N3 et NG le sont dans la couche P2 . Les mtallisations ralises sur N1 , N3, NG et les
zones P adjacentes forment les lectrodes E1 , E2 et la gchette G.
L'ensemble P1N 2P2 N3 constitue le premier thyristor T1 , (figure IV.l.b) pour v T positif (+ sur E1 , sur E2 ), tandis que l'ensemble N1P1N 2P2 forment le thyristor T2 pour v T ngatif (- sur E1 , + sur
E2 ). Le triac se comporte donc en thyristor pour chacune des alternances de la tension applique.
Il peut supporter des tensions leves l'tat bloqu, en direct ou en inverse, avec des courants de
fuites d'intensit ngligeable devant celle des courants nominaux.
Le triac est mis en conduction par un courant de gchette positif ou ngatif quelle que soit la tension
applique. Sa chute de tension est ngligeable et il retrouve son pouvoir de blocage si la valeur de i T
baisse au-dessous de celle du courant de maintien I H . Vu la dissymtrie de la structure, I H (+ )

v T > 0 est suprieur I H ( ) v T < 0 .


Les caractristiques statiques du triac drivent de celles du thyristor, les notations tant identiques
pour les deux composants.

92

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Figure IV.2. Construction de principe du triac.

IV.1.2. Caractristique statique courant - tension


Reprsente sur la figure IV.3, elle est compose des caractristiques des deux thyristors
quivalents.
La caractristique de conduction 1 et celle de blocage 2 (polarisation directe) du thyristor se trouvent
dans le quadrant I.
On trouve dans le quadrant III les mmes caractristiques respectivement notes 3 et 4 pour le
thyristor T2 .
Quelle que soit la polarit applique, l'un des deux thyristors est polaris en direct. Les deux
tensions de claquage ( VBO et - VBO ) ont pratiquement la mme valeur, les dopages des zones P1 , et
P2 tant semblables, et les tensions inverses tant supportes par les jonction P2 N 2 ou
P1 N 2 selon le cas.
IV.1.3. Caractristique de commande (ou de gchette).
Cette caractristique statique est l'association des deux caractristiques de mme type des deux
thyristors T1 et T2 . Elle est illustre par la figure IV.4.
IV.1.4. Conclusions
Le triac est un composant monolithique, cr pour la commande de charges de puissancews
modres sur le rseau alternatif. Commode, peu onreux, il prsente linconvnient davoir un
dv/dt faible

93

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Figure IV.3. Caractristique statique courant - tension du triac.

Figure IV.4. Caractristique de gchette du triac


IV.2. THYRISTOR A OUVERTURE PAR LA GACHETTE (TOG OU THYRISTOR GTO).
IV.2.1. Symbole. Description.
Le GTO (Gate Turn - Off Thyristor) est une structure quatre couches P.N.P.N. de type spcial, se
comportant l'amorage comme un thyristor (fermeture suite un courant de gchette positif) mais
qui, de plus, peut tre bloqu par polarisation inverse du circuit gchette - cathode ("-"~G, "+"-~K),
c'est dire par extraction d'un courant de gchette.
Il cumule les avantages du thyristor (calibres levs en courant et tension) et ceux du transistor
(blocage par la commande).
Cette possibilit est la consquence de la construction interdigite, le contact de gchette est trs
ramifi pour agir directement sur la quasi - totalit de la surface de la puce.
La figure IV.5 donne le symbole du GTO et le principe de sa structure verticale.
94

DISPOSITIVES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE

Les couches P1 , P2 , N 2 sont fortement dopes alors que N1 est trs peu. La jonction J 2 est la
jonction de blocage. La valeur de la tension directe blocable dpend de l'paisseur de la couche N1 .
La cathode N 2 est constitue de cathodes lmentaires (btonnets), relis entre eux et entours par
une gchette. Du fait de cette forte interdigitation, le GTO peut tre considr comme constitu de
nombreuses cellules (GTO lmentaires) mises en parallle. La consquence immdiate est que les
courants I GT , I L , I H sont jusque dix fois suprieurs ceux du thyristor conventionnel de mme
calibre.

Figure IV.5. Le GTO. a) Symbole; b) Principe de structure.


IV.2.2. Fonctionnement.
Les schmas quivalents trois diodes et deux transistors sont les mmes pour le GTO et le thyristor
ordinaire (paragraphe antrieur). L'amorage se droule de la mme faon, l'quation du courant
d'anode est:
I +I
I T = n G CB 0
(IV.1)
1 ( n + p )
Pour annuler ce courant, il faut:
n I G + I CB 0 = 0
(IV.2)
et donc, extraire un courant ngatif de gchette:
I CB0
(IV.3)
n
Si on considre l'apport du courant de gchette ngligeable pendant la conduction, la relation (6.4)
devient:
I CB 0
IT =
d'o
1 ( n + p )
IG =

I CB 0 = [1 ( n + n )]I T

(IV.4)
95

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En reportant (IV.3) dans (IV.4), il rsulte:


IG =

1 ( n + p )
IT
n

En conclusion, il faut, pour teindre le GTO, extraire de la gchette un courant ngatif I G = I GR ,


I GR

1 ( n + p )
IT
n

1
1
I T et I T selon le composant et un taux de
5
3
croissance trs lev (plusieurs ampres par microseconde) pour rduire les pertes l'ouverture.
Cette extraction doit durer tant que le courant d'anode n'est pas nul.

Ce courant a d'ordinaire une pointe comprise entre

Le gain en courant louverture G off vaut:

G off =

IT
n

I Gr 1 ( n + p )

Sa valeur vaut de 2 8.
La relation montre que l'obtention d'une valeur importante de G off impose n proche de 1 et
p << 1 En pratique, les GTO sont construits avec des gains n compris entre 0.6 et 0.9 et p entre
0.1 et 0.2.
Revenons sur la figure III.2.b. En extrayant le courant I GR de la gchette, le courant de collecteur
I C1 ( I C1 = I B 2 ) baisse cause de la diminution des porteurs de charge, I C 2 diminue aussi, puis I B1
et I B 2 ; cette raction conduit au blocage de T2 puis de T1 .
Les caractristiques statiques courant - tension du GTO et du thyristor conventionnel sont identiques
(fig. III.4) mais les valeurs I H et I L sont plus leves pour le GTO.

IV.2.3. Caractristique de commande I G (VG ) .


A l'amorage, dans le quadrant 1, la caractristique est identique celle du thyristor (fig. III.3). La
caractristique du quadrant 3, correspondant au blocage, est diffrente (fig. IV.6).

96

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Figure IV.6. Caractristique de commande.


IV.2.3.1. L'amorage.
Le GTO se ferme comme le thyristor. Pendant l'amorage, le courant d'anode i T doit avoir le temps
ncessaire pour dpasser la valeur du courant d'accrochage I L . Le circuit de commande doit fournir
un courant de gchette suffisant et se calcule comme pour le thyristor. Le point de fonctionnement
doit tre dans les rgions A lamorage et B au blocage.

Si les valeurs de VGT sont du mme ordre pour le GTO et le thyristor conventionnel rapide, la valeur
de I GT du GTO peut tre dix fois plus grande.
Pour tre sr d'amorcer tous les thyristors lmentaires, il faut injecter un courant de gchette forte
di
valeur de crte (jusque 5I GT ) et trs fort taux de croissance ( G 10 A / s ).
dt
L'alimentation doit se comporter comme une source de courant, avec des inductances parasites de
liaison trs faibles.
Si une partie seulement des cellules s'amorce, les autres mises en court-circuit ne peuvent plus
s'amorcer, entranant la destruction du GTO par surcharge des seules cellules conductrices.
L'originalit du GTO est la ncessit de maintenir l'alimentation de la gchette par un courant direct
i G suffisant (d'habitude I GT ) pour garder l'ensemble des cellules en conduction. L'interruption de ce
courant entranerait l'extinction de certaines cellules et la destruction des autres alors surcharges.
Cette prsence de i G a un effet bnfique en rduisant la chute de tension directe VT aux bornes du
GTO (dans son tat passant, la rgion centrale du cristal est emplie d'un plasma lectron - trous,
permettant le passage d'un courant important avec une faible chute directe de tension).

97

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IV.2.3.3. Le blocage.
Pour bloquer le GTO, ce plasma doit tre interrompu par une polarisation ngative de la gchette. Le
circuit de commande doit se comporter comme une source de tension ngative de faible impdance
interne pouvant supporter un courant lev.
La valeur ngative de la tension de source ne doit pas dpasser VGRM (fig. IV.6), valeur maximale
admissible prcise en tenant compte de la tension de claquage de la jonction J3 gchette-cathode
(fig. IV.5).
La structure de gchette est telle qu'elle puisse supporter un rgime d'avalanche inverse pendant
environ 20s .
Une tension ngative suprieure la tension de claquage ne favorise pas le blocage. La croissance
dv D
de VGR augmente la valeur admissible de la pente
. La pointe du courant inverse de gchette
dt
ncessaire dpend du courant d'anode couper.
On donne pour chaque GTO le courant dsamorable admissible maximal I TGQM (not aussi I TG ou
I TQM ) pour Tj = 125 C et VD = 2 VDRM .
3

Cette valeur est lie la valeur maximale du courant inverse de gchette par le gain:
I
G off = TGQM
I GRM
Connaissant G off et le courant interrompre, il est facile de calculer I GRM . Pour le GTO de
puissance leve, ce courant ngatif de gchette peut atteindre plusieurs centaines d'ampres; i GR
doit s'tablir rapidement, l'inductance de gchette doit tre donc trs faible (infrieure au H ).

IV.2.5. Les circuits de commande.


Le GTO se dtruit facilement, les contraintes imposes aux amplitudes et pentes de i G doivent tre
soigneusement respectes.
La figure IV.7 montre un montage direct utilisant un signal unique de commande pour lamorage et
le blocage du GTO. T2 est bloqu quand le signal de commande est + VB . T1 est conducteur. Le
GTO reoit l'impulsion d'amorage dont la valeur de crte est dtermine par la rsistance R, car le
condensateur C qui se comporte comme un court - circuit au dbut du processus. C se charge ensuite
la valeur de la tension Zener Vz de la diode DZ avec la polarit indique. Pour la valeur VB du
signal de commande, T2 est conducteur et T1 , se bloque. C se dcharge en inverse par T2 dans le
circuit gchette cathode bloquant le GTO.
DZ est choisie telle que Vz est infrieure VGRM ; C est choisi tel qu'il assure la valeur ncessaire
I GRM .
98

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Figure IV.7. Montage pour commande unique de GTO.

Figure IV.8. Schma avec isolation galvanique et deux sources d'nergie pour le blocage.

di G
est limite
dt
des valeurs trop faibles pour le GTO. Les schmas avec isolement galvanique doivent tre conus
pour viter ce dsavantage. La figure IV.8. indique le principe. La commande est destine au
blocage et a deux sources d'nergie.

Gnralement, cause de l'inductance du transformateur d'impulsion, la vitesse

Quand le GTO est passant, D1 , D 2 et T sont bloques, le condensateur C est charg avec la polarit
indique. La commande d'ouverture du GTO se fait par la mise en conduction simultane du
transistor TB et du thyristor auxiliaire T. Le diodes D1 et D 2 sont passantes et le courant ngatif de
commande du GTO vaut:
i GR = i C + i p 2

avec i C : courant de dcharge du condensateur;


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i p 2 : courant dans le secondaire du transformateur.

La figure IV.8.b donne les allures de ces courants. Le courant i C augmente la pente et le maximum
de i GR , la dure tant tablie par i p 2
.
Un schma de commande complet avec isolement galvanique est reprsent sur la figure IV.9.

Figure IV.9. Schma avec isolement galvanique pour la commande du GTO.

T1 conducteur cause de la polarisation directe de la jonction base - metteur par VON dtermine le
passage d'un courant par le primaire du T.I. Le courant secondaire induit, passe par le condensateur
C, le charge la valeur de la tension Zner crant le courant d'amorage du GTO. La diode D3 en
conduction bloque le transistor T2 par sa faible chute de tension.
Une impulsion ngative VOFF bloque T1 , interrompant le courant du primaire du T.L.. T2 entre en
conduction, C se dcharge en inverse dans le circuit de gchette et bloque le GTO.
T1 et T2 fonctionnent de manire complmentaire 100 kHz. Il y a une alimentation dcoupage.

100