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Chapitre 3

Réalisation pratique de l’onduleur monophasé en pont complet.

Chapitre 3

Réalisation Pratique de l’Onduleur Monophasé en Pont Complet

3.1 Introduction

L’essor de notre réalisation pratique est basé sur une connaissance théorique préalable qui permet

de composer les différents circuits à partir d’une expérimentation de test. D’après les deux chapitres précédents on a pu avoir une idée sur le principe de fonctionnement de l’onduleur monophasé en pont complet.

Dans ce dernier chapitre, on va observer les différentes étapes de différentes parties de l’onduleur

avec du multiple essais.

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Chapitre 3

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3.2 Transistor à Effet de Champ de Puissance « MOSFET »

3.2.1 Introduction

Le transistor MOSFET (Metal-Oxyde Semi-conducteur Field Affect Transistor) est un élément

transconducteur, c’est à dire un composant actif destiné à fournir une variation de courant circulant entre deux bornes Source (S) et Drain (D), à partir d’une faible variation de tension appliquée sur un électrode de commande Grille(G) figure 3.1 ( a ).

D MOS G D' UDS U GS S
D
MOS
G
D'
UDS
U
GS
S

( a )

D MOS G D' UGS D 2
D
MOS
G
D'
UGS
D 2

S

( b )

D 1

UDS U GS S ( a ) D MOS G D' UGS D 2 S (

UDS

figure 3.1. ( a ) schéma électrique du MOSFET ; ( b ) schéma de l’élimination du diode interne.

Ce transistors à effet de champ possède par construction une diode « D’ » en parallèle inverse mais cette dernier, elle a un temps de recouvrement lent. Notre utilisation de ce semi-conducteur nécessite un temps de recouvrement rapide, pour cela on branche une diode rapide « D1 » en antiparallèle avec le transistor « MOS » (voir figure 3.1 (b) ) et pour empêche la conduction de la diode lent intégrée « D’ » en branchant une diode rapide « D2 » directe en série avec le transistor « MOS ».

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3.2.2 Critère de choix de l’élément Semi-conducteur

La figure 3.2 illustre la gamme des semi-conducteurs en fonction de la puissance et de la fréquence d’utilisation elle, nous aide selon la puissance de notre convertisseur, et d’autres paramètres à prendre en compte, à choisir le transistor MOSFET de puissance adéquat pour notre onduleur.

P (w) GT O BJT 10e+7 IGB T 10e+6 MOS 10e+4 o f (Hz) 10e+3
P (w)
GT
O
BJT
10e+7
IGB
T
10e+6
MOS
10e+4
o
f (Hz)
10e+3
10e+4
10e+5
figure 3.2 L’échelle des semi-conducteurs (interrupteurs).

3.2.3 Commande d’un transistor MOSFET

L’application d’une tension U GS nulle ou négligeable entre la grille et la source provoque le

blocage du transistor MOSFET, par contre une tension U GS positive permet le passage au l’état de saturation du transistor MOS voir figure 3.3.

I D état de conduction 10 v UGS U GS = O O U DS
I D
état de conduction
10 v
UGS
U GS
= O
O
U DS

(a)

ID 10 v O
ID
10 v
O

(b)

U GS

figure 3.3 caractéristiques d’un transistor MOSFET. ( a ) caractéristique de sortie ; ( b ) caractéristique de commande.

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3.2.4 Aire de sécurité d’un transistor MOSFET

L’aire de sécurité fixe les limites de la tenue courant tension pour le drain d’un transistor MOSFET

qui sont définies par la figure 3.4. ID (log) IDmax ID 1 2 3 O
qui sont définies par la figure 3.4.
ID (log)
IDmax
ID
1
2
3
O
Vs

UDS (log)

figure 3.4 Aire de sécurité d’un transistor MOSFET.

1 : La limite du courant maximal I D .

2 : La limite de la puissance de dissipation maximale P MAX .

3 : La limite de la tension U DS maximale V S.

Le courant en trait intérrempue limite l’aire de sécurité pour un fonctionnement en régime impulsionnel d’une durée de 1µs.

3.2.5 Phénomènes de commutation d’un transistor MOSFET

Les temps d’enclenchement et de déclenchement du transistor MOS sont extrêmement courts

(quelque dizaines de ns). La figure 3.5 (a) représente le montage d’un transistor MOS sur une charge résistive pour la définition des temps de commutation , figure 3.5 (b) donnés par le constructeur.

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V dd

R D D Vaa RG G U DS U GS S
R D
D
Vaa
RG
G
U DS
U GS
S

( a )

U U DS U GS 90% 10% o Td(on) Tr Td(off) Tf T on Toff
U
U DS
U GS
90%
10%
o Td(on)
Tr
Td(off)
Tf
T on
Toff

( b )

t

figure 3.5 Commutation d’un transistor MOSFET. ( a ) Circuit de test ; ( b ) Allures des tension UGS et UDS.

r

T d(on) : retard à l’enclenchement ou temps de réponse.

T r : temps de croissance d’une impulsion.

T on= T d(on) +T r. : temps total d’établissement.

T d(off) :retard au déclenchement.

T f :temps de décroissance d’une impulsion.

T off =T d(off) +T f. : temps total de coupure.

3.3 Circuits d’ Alimentations

3.3.1 Alimentation des circuits d’attaques

Le montage d’un circuit d’attaque doit être alimenté par une tension stable de +15 v, pour ceci, on a

choisi le circuit de la figure 3.6 .

T.R ac V n
T.R
ac
V
n
Reg +15V P.D C C Vdd
Reg
+15V
P.D
C
C
Vdd

figure 3.6 L’alimentation du circuit d’attaque.

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3.3.2 L’alimentation de circuit de commande

L’utilisation des circuits intégré nécessitent une alimentation régulée et stabilisé (la famille TTL

exige une tension comprise entre 4.5 et 8v). la figure 3.7 montre le circuit qu’on va utiliser pour avoir une tension de +5 v stabilisée.

T.R ac V n
T.R
ac
V
n

Reg

+5V P.D C C Vcc
+5V
P.D
C
C
Vcc

figure 3.7 L’alimentation du circuit de commande.

Pour les deux circuits :

T.R : transformateur abaisseur. P.D : pont de Graetz. Reg : régulateur de tension. C : condensateur de filtrage.

Pour le choix des éléments d’alimentation voir annexe A.

3.4 Circuit d’Attaque

d’alimentation voir annexe A. 3.4 Circuit d’Attaque +Vaa +Vdd D R' T1 R c C DG

+Vaa

+Vdd D R' T1 R c C DG MO O.P G S C DS Uc
+Vdd
D
R'
T1
R
c
C
DG
MO
O.P
G
S
C DS
Uc
C
GS
T2
S

figure 3.8 Schéma de principe du circuit d’attaque d’un transistor MOSFET.

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La figure 3.8 représente le montage d’un circuit de commande pur un transistor MOS avec isolation

galvanique.

L’optocoupleur OP assure cette isolation entre la partie puissance et la partie commande, en cas de défaillance au niveau du circuit puissance (court-circuit, surtension…), le circuit de commande ne risque pas d’être endommagé. Les deux transistors T 1 (du type NPN) et son complémentaire T 2 (du type PNP) sont utilisés comme des interrupteurs de commande par l’optocoupleur pour la charge et la décharge de la capacité d’entrée C GS du transistor MOS formant ainsi un pont de push-pull.

Le fonctionnement du circuit est le suivant :

Quand le signale logique C est égale à O, l’optocoupleur OP se bloque et le transistor T 1 conduit ainsi que la capacité C GS se charge jusqu'à la tension +V dd , puit le transistor MOS devient conducteur. Lorsque le signale logique C sera égale à 1, l’optocoupleur s’amorce le transistor T 2 conduit, au moment du blocage du transistor T 1 , la capacité d’entrée C GS se décharge rapidement ainsi le transistor MOS se bloque.

D’après son principe de fonctionnement, on constate que l’optocoupleur inverse les signaux au moment de leur transmission au pont de push-pull.

On peut citer quelques avantages de ce montage :

Circuit nettement plus simple.

Consommation pratiquement négligeable.

Organe d’alimentation avec une seul tension auxiliaire positive.

Pour le choix des éléments et les calcules voir annexe B.

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3.5 Circuit de Puissance

+ Vs

MOS1 MOS3 D' D' D D A B MOS2 MOS4 D' D' D D S
MOS1
MOS3
D'
D'
D
D
A
B
MOS2
MOS4
D'
D'
D
D
S 11
S 12
S 21
S 22
MODULATEUR EN LARGEUR D'IMPULSION
ET LES CIRCUITS D'ATTAQUES

figure 3.9 Schéma de principe du circuit de puissance du pont complet.

Il se compose d’une alimentation continue et de deux bras, chacun contient deux transistors

MOSFET et des diodes « D » pour bloquer les diodes interne des MOSFET ainsi que les diodes

« D’ » remplaçant celle qui sont propre au MOSFET

Pour le bon fonctionnement de ce montage, il faut assurer deux fonctions essentielles :

Eviter que les paires des transistors MOS dans le même bras qui fonctionnent en opposition,

conduisent en même temps, ce qui provoquerait un court-circuit de l’alimentation (Vs) et leurs

propres destructions.

Séparer galvanique ment le circuit de commande de celui de puissance.

Pour le choix des éléments voir annexe C.

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3.6 Circuit de Commande

La commande des bras de notre onduleur va être base sur la programmation d’une EPROM pour

avoir des résultats remarquables.

3.6.1 L’EPROM

L’EPROM est une composante active qui est base sur sa mémoire RAM, elle est destine à

emmagasine des informations prêts a servire un système .La taille d’une EPROM et ces adresse

ainsi que ces sortie, caractérise les EPROM.

On va utilise une EPROM « M27C64 », qui contient 64Kbit l’équivalent de 8Koct*8bit, pour notre

programme de M.L.I on va injecte dans 1Koct pour avoir à la sortie les deux signe aux comme

indique la figure 3.10.

0

S1

1

les deux signe aux comme indique la figure 3.10. 0 S 1 1 0 S 0
les deux signe aux comme indique la figure 3.10. 0 S 1 1 0 S 0
les deux signe aux comme indique la figure 3.10. 0 S 1 1 0 S 0

0

S0

1

deux signe aux comme indique la figure 3.10. 0 S 1 1 0 S 0 1
deux signe aux comme indique la figure 3.10. 0 S 1 1 0 S 0 1
deux signe aux comme indique la figure 3.10. 0 S 1 1 0 S 0 1

sortie de l'EPROM

S1

S0

0

0

0

1

 

0

1

1

0

 

1

0

0

les adresses de

l'EPROM

1Koct

( 1024bits )

figure 3.10 Signal de M.L.I pendant une période.

Pour le programme quand va utilise pour l’injecte le résultat dans l’EPROM, il est base sur la

génération des trois signaux, la triangulaire et les deux sinusoïdales ainsi la comparaison entre eux,

après cela il suffit de lire cette dernière à une fréquence adéquate

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L’organigramme suivant de la figure 3.11 éclair, cette programmation.

Début Ftri = 50, Vtri = 1 Fsin p = 50Hz, Vsin p = 0.8
Début
Ftri = 50, Vtri = 1
Fsin p = 50Hz, Vsin p = 0.8
Fsin n = 50Hz, Vsin n = -0.8
N = 1Koctet
t = 0
Générer les signaux de la triangulaire
et les deux rférences sinusoidales
Appliquer la comparaison entre les
réferences sinusoidales et la
triangulaire
Faire une concaténation des états
des interrupteurs S1 et S2
dans un fichier
t = 0.02 s
des interrupteurs S1 et S2 dans un fichier t = 0.02 s Enregistrer le fichier résultat
Enregistrer le fichier résultat de S1 et S2

Enregistrer le fichier résultat de S1 et S2

Enregistrer le fichier résultat de S1 et S2
Enregistrer le fichier résultat de S1 et S2
Transformer le fichier résultat en format binaire

Transformer le fichier résultat en format binaire

Transformer le fichier résultat en format binaire
Transformer le fichier résultat en format binaire
Tansferer le fichier dans une EPROM

Tansferer le fichier dans une EPROM

Tansferer le fichier dans une EPROM
Tansferer le fichier dans une EPROM

Finle fichier résultat de S1 et S2 Transformer le fichier résultat en format binaire Tansferer le

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HORLOGE COMPTEUR EPROM vers MOS1 vers MOS 2 REMISE A INVERSSEUR ZERO vers MOS 3
HORLOGE
COMPTEUR
EPROM
vers MOS1
vers
MOS 2
REMISE A
INVERSSEUR
ZERO
vers MOS 3
vers MOS 4
INVERSSEUR

figure 3.12 Schéma synoptique du générateur de la M.L.I.

Le schéma synoptique de générateur de la MLI est donné par la figure 3.12.

Le fonctionnement de ce circuit est comme suit :

L’horloge donne une impulsion au compteur, il a transforme à l’EPROM est commence à compter, elle fait sortir deux information et à l’aide de l’inverseur, chacune information, elle a son complémentaire pour attaquer un bras. Chaque fois que le compteur termine sa tournée et attaque tout les adresses, le bloc de remise à zéro initialise ce dernier. La fréquence de l’horloge est calculée de façon à avoir la fréquence désirée à la sortie et lire la taille du programme dans l’EPROM.

Pour le choix des différents éléments et le calcules des paramètre voir l’annexe D.

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3.7 Circuit de Retard

Le temps totale d’établissement (T ON ) d’un transistor MOSFET est toujours inférieure au temps

totale de coupure (T OFF ). Si on veut amorcer un transistor et bloqué son complémentaire (de même bras) avec des impulsions opposé, le premier va s’amorce pendant que le deuxième ne s’est pas encore bloqué, pendant ce temps l’alimentation (Vs) sera court-circuité. Il faut prés avoir un circuit qui retarde l’amorçage d’un transistor, ce qui donne le temps à son

complémentaire d’être bloqué. Pour cela, le temps de retard doit être supérieure à T OFF du

transistor MOSFET plus le temps de la diode avec ce dernier en série (voir figure 3.13).

MOS 1 ( a ) MOS2 MOS 1  ( b ) MOS2 
MOS 1
(
a )
MOS2
MOS 1
(
b )
MOS2

figure 3.13 Chronogramme des signaux de commande. ( a ) Sans circuit de retard ; (b ) Avec circuit de retard.

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On utilise un mono-stable (SN 74123 N) avec un circuit RC pour calculer (voir figure 3.14).

R t

Vcc D Ct 15 14 16 entre sortie SN 74123 N 2 4 3 1
Vcc
D
Ct
15
14
16
entre
sortie
SN 74123 N
2
4
3
1
8

figure 3.14 Schéma du mono stable plus le circuit RC.

A chaque front montant à l’entré du mono stable, celui ci délivre une impulsion de niveau bas de

durée .

Pour avoir le retard désiré, il suffit d’ajouté des portes NAND par considération de l’inversion des optocoupleurs, voir figure 3.15.

Imp (EPROM) S' 1 S 11 S' 1 Q1 SN 74123 N S' 1 S'
Imp (EPROM)
S' 1
S 11
S' 1
Q1
SN 74123 N
S' 1
S' 1
S12
Q2
SN 74123 N

figure 3.15 Circuit de retard.

La figure 3.16, éclairé le fonctionnement de ce dernier.

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S'1 S'1 Q1 Q2 S'11 S'12 MOS 1 MOS 2
S'1
S'1
Q1
Q2
S'11
S'12
MOS 1
MOS 2

figure 3.16 chronogramme des signaux de retard.

Pour le choix des éléments et les calculs des paramètres voir annexe D. Pour le bronchement complet du circuit de commande avec le circuit de retard voir annexe F.

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3.8 résultat expire mental

Pour les paramètres choisie de la réalisation on a :

Résistance de la charge Rch=26,19 .

Inductance de la charge L=10,673mH.

La tension d’alimentation Vs=42,4264V.

L=10,673mH.  La tension d’alimentation Vs=42,4264V. ( a ) ( b ) figure 3.7. Forme d’onde

( a )

 La tension d’alimentation Vs=42,4264V. ( a ) ( b ) figure 3.7. Forme d’onde de

( b )

figure 3.7. Forme d’onde de la tension pour ftri=50Hz.

(

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a )
a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a )

(

a )

( b )

figure 3.8. Forme d’onde du courant pour ftri=50Hz.

(

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.9. Forme

( a )

pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.9. Forme

( b )

figure 3.9. Forme d’onde de la tension pour ftri=100Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a )

( a )

de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a ) ( b )

( b )

figure 3.10. Forme d’onde du courant pour ftri=100Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.11. Forme

( a )

pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.11. Forme

( b )

figure 3.11. Forme d’onde de la tension pour ftri=250Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a )

( a )

de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a ) ( b )

( b )

figure 3.12. Forme d’onde du courant pour ftri=250Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.13. Forme

( a )

pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.13. Forme

( b )

figure 3.13. Forme d’onde de la tension pour ftri=500Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a )

( a )

( b )

figure 3.14. Forme d’onde du courant pour ftri=500Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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pratique de l’onduleur monophasé en pont complet. ( a ) ( b ) figure 3.15. Forme

( a )

( b )

figure 3.15. Forme d’onde de la tension pour ftri=1000Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a )

( a )

de simulation ; ( b ) resultat de la pratique. ( a ) ( b )

( b )

figure 3.16. Forme d’onde du courant pour ftri=1000Hz.

( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

Remarque :

On constate d’après les formes des ondes de la tension et du courant de la charge pour des

différents fréquences de la triangulaire, que notre prototype nous a donnée des résultats

remarquable.

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3.9 conclusion

Les résultats pratiques sont les fruits de notre connaissance théorique dans l’électronique de puissance qui affirme la fiabilité de notre onduleur en pont complet.

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