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Chapitre 3

Ralisation pratique de londuleur monophas en pont complet.

Chapitre 3
Ralisation

Pratique

de

lOnduleur

Monophas en Pont Complet

3.1 Introduction

Lessor de notre ralisation pratique est bas sur une connaissance thorique pralable qui permet
de composer les diffrents circuits partir dune exprimentation de test. Daprs les deux chapitres
prcdents on a pu avoir une ide sur le principe de fonctionnement de londuleur monophas en
pont complet.

Dans ce dernier chapitre, on va observer les diffrentes tapes de diffrentes parties de londuleur
avec du multiple essais.

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3.2 Transistor Effet de Champ de Puissance MOSFET


3.2.1 Introduction

Le

transistor MOSFET (Metal-Oxyde Semi-conducteur Field Affect Transistor) est un lment

transconducteur, cest dire un composant actif destin fournir une variation de courant circulant
entre deux bornes Source (S) et Drain (D), partir dune faible variation de tension applique sur un
lectrode de commande Grille(G) figure 3.1 ( a ).

D
MOS

MOS

D'

D'

D1

UDS
UDS
UGS

UGS

D2

(a)

(b)

figure 3.1.
( a ) schma lectrique du MOSFET ; ( b ) schma de llimination du diode interne.

Ce transistors effet de champ possde par construction une diode D en parallle inverse mais
cette dernier, elle a un temps de recouvrement lent.
Notre utilisation de ce semi-conducteur ncessite un temps de recouvrement rapide, pour cela on
branche une diode rapide D1 en antiparallle avec le transistor MOS (voir figure 3.1 (b) ) et
pour empche la conduction de la diode lent intgre D en branchant une diode rapide D2
directe en srie avec le transistor MOS .

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3.2.2 Critre de choix de llment Semi-conducteur


La figure 3.2 illustre la gamme des semi-conducteurs en fonction de la puissance et de la frquence
dutilisation elle, nous aide selon la puissance de notre convertisseur, et dautres paramtres
prendre en compte, choisir le transistor MOSFET de puissance adquat pour notre onduleur.

P (w)
GT
O
BJT

10e+7

IGB
T

10e+6
MOS
10e+4

f (Hz)
10e+3

10e+4

10e+5

figure 3.2 Lchelle des semi-conducteurs (interrupteurs).

3.2.3 Commande dun transistor MOSFET

Lapplication

dune tension UGS nulle ou ngligeable entre la grille et la source provoque le

blocage du transistor MOSFET, par contre une tension UGS positive permet le passage au ltat de
saturation du transistor MOS voir figure 3.3.

ID

tat de conduction
ID

10 v

UGS

U GS = O
U DS

10 v

(a)

(b)

figure 3.3 caractristiques dun transistor MOSFET.


( a ) caractristique de sortie ; ( b ) caractristique de commande.

U GS

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3.2.4 Aire de scurit dun transistor MOSFET

Laire de scurit fixe les limites de la tenue courant tension pour le drain dun transistor MOSFET
qui sont dfinies par la figure 3.4.

ID (log)
IDmax
ID

1
2
3

UDS (log)
Vs

figure 3.4 Aire de scurit dun transistor MOSFET.

1 : La limite du courant maximal ID.

2 : La limite de la puissance de dissipation maximale PMAX.

3 : La limite de la tension UDS maximale VS.

Le courant en trait intrrempue limite laire de scurit pour un fonctionnement en rgime


impulsionnel dune dure de 1s.

3.2.5 Phnomnes de commutation dun transistor MOSFET

Les

temps denclenchement et de dclenchement du transistor MOS sont extrmement courts

(quelque dizaines de ns).


La figure 3.5 (a) reprsente le montage dun transistor MOS sur une charge rsistive pour la
dfinition des temps de commutation , figure 3.5 (b) donns par le constructeur.

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U
RD
U DS
D
RG

U GS

90%
Vaa

G
U DS

V dd

U GS

10%

t
Td(on)

Tr

Td(off)

T on

Tf
Toff

(b)

(a)

figure 3.5 Commutation dun transistor MOSFET.


( a ) Circuit de test ; ( b ) Allures des tension UGS et UDS.

Td(on) : retard lenclenchement ou temps de rponse.

Tr : temps de croissance dune impulsion.

Ton=Td(on) +Tr. : temps total dtablissement.

Td(off) :retard au dclenchement.

Tf :temps de dcroissance dune impulsion.

Toff=Td(off) +Tf. : temps total de coupure.

3.3 Circuits d Alimentations


3.3.1 Alimentation des circuits dattaques

Le montage dun circuit dattaque doit tre aliment par une tension stable de +15 v, pour ceci, on a
choisi le circuit de la figure 3.6 .

Reg

T.R
ac

+15V

P.D
C
V

figure 3.6 Lalimentation du circuit dattaque.

Vdd

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3.3.2 Lalimentation de circuit de commande

Lutilisation des circuits intgr ncessitent une alimentation rgule et stabilis (la famille TTL
exige une tension comprise entre 4.5 et 8v). la figure 3.7 montre le circuit quon va utiliser pour
avoir une tension de +5 v stabilise.

Reg

T.R
ac

+5V

P.D
C

Vcc

figure 3.7 Lalimentation du circuit de commande.

Pour les deux circuits

T.R : transformateur abaisseur.


P.D : pont de Graetz.
Reg : rgulateur de tension.
C : condensateur de filtrage.

Pour le choix des lments dalimentation voir annexe A.


3.4 Circuit dAttaque
+Vaa

+Vdd

R'

T1

C DG
O.P

MO
S

C DS

Uc
C GS
T2

figure 3.8 Schma de principe du circuit dattaque dun transistor MOSFET.

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La figure 3.8 reprsente le montage dun circuit de commande pur un transistor MOS avec isolation
galvanique.

Loptocoupleur OP assure cette isolation entre la partie puissance et la partie commande, en cas de
dfaillance au niveau du circuit puissance (court-circuit, surtension), le circuit de commande ne
risque pas dtre endommag.
Les deux transistors T1 (du type NPN) et son complmentaire T2 (du type PNP) sont utiliss comme
des interrupteurs de commande par loptocoupleur pour la charge et la dcharge de la capacit
dentre CGS du transistor MOS formant ainsi un pont de push-pull.

Le fonctionnement du circuit est le suivant :


Quand le signale logique C est gale O, loptocoupleur OP se bloque et le transistor T 1 conduit
ainsi que la capacit CGS se charge jusqu' la tension +Vdd, puit le transistor MOS devient
conducteur. Lorsque le signale logique C sera gale 1, loptocoupleur samorce le transistor T2
conduit, au moment du blocage du transistor T1, la capacit dentre CGS se dcharge rapidement
ainsi le transistor MOS se bloque.

Daprs son principe de fonctionnement, on constate que loptocoupleur inverse les signaux au
moment de leur transmission au pont de push-pull.

On peut citer quelques avantages de ce montage :

Circuit nettement plus simple.

Consommation pratiquement ngligeable.

Organe dalimentation avec une seul tension auxiliaire positive.

Pour le choix des lments et les calcules voir annexe B.

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3.5 Circuit de Puissance

+ Vs
MOS1

MOS3
D'

D'

A
B
MOS2

MOS4
D'

D'

S 11

S 12

S 21

S 22

MODULATEUR EN LARGEUR D'IMPULSION


ET LES CIRCUITS D'ATTAQUES
figure 3.9 Schma de principe du circuit de puissance du pont complet.

Il se compose dune alimentation continue et de deux bras, chacun contient deux transistors
MOSFET et des diodes D pour bloquer les diodes interne des MOSFET ainsi que les diodes
D remplaant celle qui sont propre au MOSFET
Pour le bon fonctionnement de ce montage, il faut assurer deux fonctions essentielles :

Eviter que les paires des transistors MOS dans le mme bras qui fonctionnent en opposition,

conduisent en mme temps, ce qui provoquerait un court-circuit de lalimentation (Vs) et leurs


propres destructions.

Sparer galvanique ment le circuit de commande de celui de puissance.

Pour le choix des lments voir annexe C.

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3.6 Circuit de Commande

La commande des bras de notre onduleur va tre base sur la programmation dune EPROM pour
avoir des rsultats remarquables.

3.6.1 LEPROM
LEPROM est une composante active qui est base sur sa mmoire RAM, elle est destine
emmagasine des informations prts a servire un systme .La taille dune EPROM et ces adresse
ainsi que ces sortie, caractrise les EPROM.
On va utilise une EPROM M27C64 , qui contient 64Kbit lquivalent de 8Koct*8bit, pour notre
programme de M.L.I on va injecte dans 1Koct pour avoir la sortie les deux signe aux comme
indique la figure 3.10.

S1
0

sortie de l'EPROM

S0
1

S1
0
0
1

S0
0

0
1

1Koct
( 1024bits )

1
0
1
0
0
les adresses de
l'EPROM

figure 3.10 Signal de M.L.I pendant une priode.

Pour

le programme quand va utilise pour linjecte le rsultat dans lEPROM, il est base sur la

gnration des trois signaux, la triangulaire et les deux sinusodales ainsi la comparaison entre eux,
aprs cela il suffit de lire cette dernire une frquence adquate

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Lorganigramme suivant de la figure 3.11 clair, cette programmation.

Dbut

Ftri = 50, Vtri = 1


Fsin p = 50Hz, Vsin p = 0.8
Fsin n = 50Hz, Vsin n = -0.8
N = 1Koctet

t=0

Gnrer les signaux de la triangulaire


et les deux rfrences sinusoidales

Appliquer la comparaison entre les


rferences sinusoidales et la
triangulaire

Faire une concatnation des tats


des interrupteurs S1 et S2
dans un fichier

t = 0.02 s

Enregistrer le fichier rsultat


de S1 et S2

Transformer le fichier
rsultat en format binaire

Tansferer le fichier dans une


EPROM

Fin

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HORLOGE

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COMPTEUR

EPROM

vers MOS1

REMISE A
ZERO

vers MOS 2
INVERSSEUR

vers MOS 3
vers MOS 4
INVERSSEUR

figure 3.12 Schma synoptique du gnrateur de la M.L.I.

Le schma synoptique de gnrateur de la MLI est donn par la figure 3.12.


Le fonctionnement de ce circuit est comme suit :
Lhorloge donne une impulsion au compteur, il a transforme lEPROM est commence compter,
elle fait sortir deux information et laide de linverseur, chacune information, elle a son
complmentaire pour attaquer un bras.
Chaque fois que le compteur termine sa tourne et attaque tout les adresses, le bloc de remise zro
initialise ce dernier.
La frquence de lhorloge est calcule de faon avoir la frquence dsire la sortie et lire la taille
du programme dans lEPROM.

Pour le choix des diffrents lments et le calcules des paramtre voir lannexe D.

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3.7 Circuit de Retard

Le temps totale dtablissement (TON) dun transistor MOSFET est toujours infrieure au temps
totale de coupure (TOFF).
Si on veut amorcer un transistor et bloqu son complmentaire (de mme bras) avec des impulsions
oppos, le premier va samorce pendant que le deuxime ne sest pas encore bloqu, pendant ce
temps lalimentation (Vs) sera court-circuit.
Il faut prs avoir un circuit qui retarde lamorage dun transistor, ce qui donne le temps son
complmentaire dtre bloqu. Pour cela, le temps

de retard doit tre suprieure TOFF du

transistor MOSFET plus le temps de la diode avec ce dernier en srie (voir figure 3.13).

MOS 1

(a)
MOS2

MOS 1

(b)

MOS2

figure 3.13 Chronogramme des signaux de commande.


( a ) Sans circuit de retard ; (b ) Avec circuit de retard.

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On utilise un mono-stable (SN 74123 N) avec un circuit RC pour calculer (voir figure 3.14).
Rt

Vcc

Ct

15

14

16
entre
2

SN 74123 N

sortie
4

figure 3.14 Schma du mono stable plus le circuit RC.

A chaque front montant lentr du mono stable, celui ci dlivre une impulsion de niveau bas de
dure .
Pour avoir le retard dsir, il suffit dajout des portes NAND par considration de linversion des
optocoupleurs, voir figure 3.15.

Imp (EPROM)

S' 1

S' 1

S 11

Q1
SN 74123 N
S' 1

S' 1
Q2
SN 74123 N

figure 3.15 Circuit de retard.

La figure 3.16, clair le fonctionnement de ce dernier.

S 12

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S' 1

S' 1

Q1

Q2

S' 11

S' 12

MOS

MOS

figure 3.16 chronogramme des signaux de retard.

Pour le choix des lments et les calculs des paramtres voir annexe D.
Pour le bronchement complet du circuit de commande avec le circuit de retard voir annexe F.

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3.8 rsultat expire mental


Pour les paramtres choisie de la ralisation on a :

Rsistance de la charge Rch=26,19.

Inductance de la charge L=10,673mH.

La tension dalimentation Vs=42,4264V.

(a)

(b)

figure 3.7. Forme donde de la tension pour ftri=50Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

(a)

(b)

figure 3.8. Forme donde du courant pour ftri=50Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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(a)

(b)

figure 3.9. Forme donde de la tension pour ftri=100Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

(a)

(b)

figure 3.10. Forme donde du courant pour ftri=100Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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(a)

(b)

figure 3.11. Forme donde de la tension pour ftri=250Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

(a)

(b)

figure 3.12. Forme donde du courant pour ftri=250Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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(a)

(b)

figure 3.13. Forme donde de la tension pour ftri=500Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

(a)

(b)

figure 3.14. Forme donde du courant pour ftri=500Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

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(a)

(b)

figure 3.15. Forme donde de la tension pour ftri=1000Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.

(a)

(b)

figure 3.16. Forme donde du courant pour ftri=1000Hz.


( a ) resultat de simulation ; ( b ) resultat de la pratique.
Remarque :

On constate daprs les formes des ondes de la tension et du courant de la charge pour des
diffrents frquences de la triangulaire, que notre prototype nous a donne des rsultats
remarquable.

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3.9 conclusion
Les rsultats pratiques sont les fruits de notre connaissance thorique dans llectronique de
puissance qui affirme la fiabilit de notre onduleur en pont complet.

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