DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CARRERA DE ING. EN ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN

CONTROL ELECTRONICO DE POTENCIA
Unidad I

TEMA: Tipos de semiconductores de potencia

Hrs. de la asignatura
4 Hrs
Catedrtico:
Ing. Franklin Silva
Estudiante:
Pogo Rai

Fecha de entrega: 13/05/2016

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE EXTENSIN LATACUNGA

CARRERA DE ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN
Control Electrnico de Potencia
TEMA: Tipos de semiconductores de potencia

Sistemas de Control Ing. Franklin Silva

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RESUMEN:
Existen tres tipos de semiconductores de potencia estos son los no controlados o diodos, los
semicontrolados o tiristores y los controlados o transistores.
DIODOS
Un diodo es un dispositivo unidireccional de dos terminales que permite el flujo de corriente en
un solo sentido. Hay dos tipos principales de diodos semiconductores. Estos son:
Diodo de unin p-n
Este diodo est formado por la unin de dos materiales semiconductores uno de tipo n y otro de
tipo p. Estos dispositivos poseen los denominados huecos y electrones, en la unin de los dos
materiales semiconductores existe una capa de agotamiento que se reduce o se amplia para
permitir o interrumpir el paso de corriente dependiendo de la polarizacin del dispositivo.
Diodo de barrera Schottky.
Este diodo est conformado por una unin metal-semiconductor, lo que le permite tener una
cada de tensin baja en polarizacin directa y una alta velocidad de conmutacin, pero este
diodo tiene una desventaja ya que tiene una corriente de fuga inversa muy alta que aumenta con
la temperatura
TIRISTORES:
Son dispositivos bipolares que poseen cuatro capas semiconductoras. Los dispositivos ms
utilizados pertenecientes a esta categora son el rectificador controlado de silicio (SCR), el trodo
de corriente alterna (TRIAC) este dispositivo es bidireccional, tiristor de conduccin inversa (RCT)
y el gate-turn-off (GTO). Estos tiristores tienen una (gate) que sirve para activarlos, el GTO es
diferente al SCR y al TRIAC ya que puede apagarse mediante su gate.

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SEMICONDUCTORES CONTROLADOS
Estos dispositivos tienen un pin de control que permite activarlos o desactivarlos. Estos
dispositivos son los transistores de unin bipolar (BJT), transistor de efecto de campo metalxido-semiconductor (MOSFET), y transistor bipolar de puerta aislada (IGBT).
BIBLIOGRAFA:

Ioinovici, Adrian, and Chung, Henry. Power Electronics and Energy Conversion
Systems, Fundamentals and Hard-switching Converters (1). Somerset, GB: Wiley, 2013.
ProQuest ebrary. Web. 13 May 2016.
Disponible en: http://site.ebrary.com/lib/espe/reader.action?docID=10683246

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