Diodos Semiconductores

Definicin:
El diodo
semiconductor es
el
dispositivo
semiconductor ms sencillo y se puede encontrar,
prcticamente
en
cualquier circuito electrnico.
Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio, el ms comn en la
actualidad;
consta
de
una
pieza
de
cristal
semiconductor conectada a dos terminales elctricos.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,
separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de
0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en
el diodo de silicio.

Principio de operacin de un diodo:

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y
el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones).
Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N,
los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a
travs del material P ms all de los lmites del semiconductor. De igual
manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al
lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N.

Semiconductor tipo N:

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a

cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto
tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de cargas
libres
(en este caso, negativas). Cuando el material
dopante es aadido, ste aporta sus electrones
ms
dbilmente vinculados a los tomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin
conocido como material donante ya que da
algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo N es el de producir
abundancia de electrones portadores en el material.

Semiconductor tipo P:

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a

cabo un proceso de dopado, aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivo). Cuando el
material dopante es aadido, ste libera los
electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor.
Este agente dopante es tambin conocido
como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.

La unin PN:
Para dar una utilidad al semiconductor es necesario poner a interactuar entre si
diversos materiales, la estructura ms sencilla es el diodo de unin la cual no
es ms que la unin de dos semiconductores de distinto tipo, uno tipo N y otro
tipo P. Tenemos un material semiconductor (silicio o germanio) dopado tipo N
con exceso de electrones y un material dopado tipo P con exceso de huecos,
los cuales cuando se encuentran aislados estn en equilibrio inico.

Ruptura de la unin.La caracterstica inversa pone en evidencia una zona de ruptura del diodo, es
decir, una zona donde la corriente inversa se hace sumamente importante,
dentro de los principales efectos que provocan la ruptura se encuentran: El
efecto trmico, el efecto de campo, el efecto de avalancha y el efecto zener.

Efecto trmico:
Un aumento de temperatura provoca una mayor energa en los electrones y
por tanto una mayor corriente inversa. La potencia que se disipa en la unin es
igual al producto del voltaje en sus extremos y la corriente que lo atraviesa. Por
tanto la potencia que se disipe en la unin aumenta hasta llegar a la ruptura
del diodo. Este efecto no ser destructivo a condicin que se limite la
temperatura que puede alcanzar la unin.
Efecto de campo:
El aumento del voltaje inverso provoca un crecimiento del campo elctrico en
la unin. Para un valor elevado de este campo se produce el fenmeno
disrupcin o arranque de los electrones de enlace. Por tanto la corriente
inversa aumenta en proporciones y solo est limitada por el propio diodo.

Efecto de avalancha:
Las cargas elctricas que atraviesan la unin reciben energa proporcional al
voltaje aplicado entre sus extremos. A todo aumento del voltaje inverso
corresponde un incremento en la energa almacenada por las cargas de
desplazamiento; cuando esta energa alcanza cierto umbral se produce el
efecto de ionizacin por choque. Este fenmeno se puede hacer acumulativo a
su vez; las cargas elctricas provocan esta ionizacin, producindose un efecto
de avalancha de electrones. En este caso la corriente inversa se limita por
medio de los elementos del circuito exterior al diodo.
Ruptura Zener:
Si el voltaje aumenta lo suficiente, es posible que el campo elctrico en la
unin se vuelva lo bastante fuerte como para que se rompan bruscamente los
enlaces covalentes cuando se llega al voltaje de ruptura este fenmeno se le
llama ruptura Zener. Generalmente los diodos que utilizan este fenmeno para
su funcionamiento se llaman Zener y son fabricados de Silicio (Si).

El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras diferentes:

Polarizacin directa
Polarizacin inversa

Polarizacin directa.Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha ( la del
diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo
con mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.

Caractersticas:

El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a

0,7V.

El valor de la resistencia interna sera muy bajo.

Se comporta como un interruptor cerrado

Polarizacin inversa.Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha
(la flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo. En este caso la corriente no
atraviesa el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.

Caractersticas:

El diodo no conduce y toda la tensin de la pila

cae sobre l.
Puede existir una corriente de fuga del orden de
A.
El valor de la resistencia interna sera muy alto

Se comporta como un interruptor abierto.

Polarizacin

Polarizacin

Vlvula antirretorno con el

paso abierto para que el fluido
hidrulico pueda as circular.
(Polarizacin directa)

Curva caracterstica del diodo

Vlvula hidrulica
antirretorno cerrada.
(Polarizacin inversa)

Vy = tensin umbral
Lmax = corriente mxima
Is = corriente inversa
Vs= tensin de ruptura

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial
se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 %
de la nominal.
Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se
producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente mxima (Imax).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse
por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por
la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose
que se duplica por cada incremento de 10 C en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensin de ruptura (Vr ).

Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al
polarizar inversamente el diodo, este conducir la
corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de
un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o
de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha;
no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en
los que la ruptura puede deberse a dos efectos

Efecto avalancha (diodos poco dopados).

En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la
corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones

se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con

electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande.
Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados).

Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga.
Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin
V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea
pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de
valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones
de 4 V o menores.

Modelos

matemticos:

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William

Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayora de las aplicaciones. La ecuacin que relaciona la intensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:

Dnde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo

VD es la diferencia de tensin entre sus extremos.

IS es la corriente de saturacin (aproximadamente

n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin

del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
El Voltaje trmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura
cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de

simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida

definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la

unin PN, y q es la magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental).

Tipos de diodos semiconductores

Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico,

impurezas, uso de electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares
usados para una aplicacin especial en un circuito. El funcionamiento de estos
diodos es fundamentado por principios de la mecnica cuntica y teora de
bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen
generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos
diodos rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja
eficiencia le dio una cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7 V) y requeran
de una gran disipacin de calor mucho ms grande que un diodo de silicio. La
gran mayora de los diodos PN se encuentran en circuitos integrados CMOS,
que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos internos.

Simbologa:

Diodo avalancha (TVS): Diodos que conducen en direccin contraria cuando el

voltaje en inverso supera el voltaje de ruptura, tambin se conocen como

diodos TVS. Elctricamente son similares a los

diodos Zener, pero funciona bajo otro fenmeno,
el efecto avalancha. Esto sucede cuando el
campo elctrico inverso que atraviesa la unin pn produce una onda de ionizacin, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los diodos
avalancha estn diseados para operar en un
voltaje inverso definido sin que se destruya.
Este tipo de diodos se emplean para eliminar voltajes y corrientes transitorios
que pudieran provocar un mal funcionamiento de un bus de datos que conecte
dos dispositivos sensibles a voltajes transitorios.

Diodo

de

Silicio:

Suelen tener un tamao

milimtrico y, alineados, constituyen detectores
multicanal que permiten obtener espectros en
milisegundos. Son menos sensibles que los
fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p
(con huecos) en contacto con un semiconductor de
tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa
para liberar los electrones que se desplazan hacia
los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia
radiante.

Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de

contacto. El diodo cristal consiste de un cable
de metal afilado presionado contra un cristal
semiconductor, generalmente galena o de una
parte de carbn. El cable forma el nodo y el
cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal
tienen una gran aplicacin en los radio a
galena. Los diodos de cristal estn obsoletos,
pero puede conseguirse todava de algunos fabricantes.

Diodo de corriente constante: Realmente es

un JFET, con su compuerta conectada a la
fuente, y funciona como un limitador de
corriente de dos terminales anlogo al diodo
Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una
corriente a travs de ellos para alcanzar un valor
adecuado y as estabilizarse en un valor
especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus
siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.

Diodos

especiales:

Dentro

del

grupo

de

diodos

especiales

estn

comprendidos los diodos varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se
construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin

P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la

polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la
tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de
condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su
empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y
TV

Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de

operacin que produce una resistencia negativa
debido al efecto tnel, permitiendo amplificar
seales y circuitos muy simples que poseen dos
estados. Debido a la alta concentracin de carga,
los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse
en temperaturas muy bajas, campos magnticos de gran magnitud y en
entornos con radiacin alta. Por estas propiedades, suelen usarse en viajes
espaciales.

Diodo

Gunn: Similar

al

diodo

tnel

son

construidos de materiales como GaAs o InP que

produce una resistencia negativa. Bajo condiciones
apropiadas, las formas de dominio del dipolo y
propagacin

osciladores

de

travs
ondas

del

diodo,

permitiendo

microondas

de

alta

frecuencia.

Diodo emisor de luz o LED: del acrnimo ingls,

light-emitting diode: Es un diodo formado por un
semiconductor con huecos en su banda de energa,
tal como arseniuro de galio, los portadores de
carga que cruzan la unin emiten fotones cuando
se recombinan con los portadores mayoritarios en
el otro lado. Los ledes tambin pueden usarse
como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones
de seales. Un led puede usarse con un fotodiodo o
fototransistor para formar un optoacoplador.
Diodo lser: Cuando
la estructura de un led se introduce en una
cavidad resonante formada al pulir las caras de los
extremos, se puede formar un lser. Los diodos
lser se usan frecuentemente en dispositivos de
almacenamiento pticos y para la comunicacin
ptica de alta velocidad.

Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para

los
diodos
convencionales
usados
para
monitorear la temperatura a la variacin de
voltaje con la temperatura, y para refrigeradores
termoelctricos
para
la refrigeracin
termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos
se hacen de semiconductores, aunque ellos no
tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan
el comportamiento distinto de portadores de
carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

Fotodiodos:

Todos los semiconductores estn

sujetos
a
portadores
de
carga
pticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que
muchos de los semiconductores estn empacados
en materiales que bloquean el paso de la luz. Los
fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz
(fotocelda), por lo que estn empacados en
materiales que permiten el paso de la luz y son por
lo general PIN (tipo de diodo ms sensible a la luz).
Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o en comunicacin
ptica..
Diodo con puntas de contacto: Funcionan
igual que los diodos semiconductores de
unin mencionados anteriormente aunque su
construccin es ms simple. Se fabrica una
seccin de semiconductor tipo n, y se hace
un conductor de punta aguda con un metal
del grupo 3 de manera que haga contacto
con el semiconductor. El muy usado 1N34 (de
fabricacin alemana) an se usa en
receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos
analgicos especializados.

Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central

sin doparse o en otras palabras una capa intrnseca
formando una estructura p-intrnseca-n. Son usados
como interruptores de alta frecuencia y atenuadores.
Tambin son usados como detectores de radiacin
ionizante de gran volumen y como fotodetectores.
Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de
potencia y su capa central puede soportar altos
voltajes.

Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un

contacto de semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los
diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de

0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en

aplicaciones de fijacin y prevencin de
saturacin en un transistor. Tambin se pueden
usar como rectificadores con bajas prdidas
aunque su corriente de fuga es mucho ms alta
que la de otros diodos. Los diodos Schottky son
portadores de carga se usan para circuitos de
alta
velocidad
como fuentes
conmutadas, mezclador
de
frecuencias y
detectores.

Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de

Referencia en Directa) es un tipo especial de
diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en
directa son extremadamente estables. Estos
dispositivos estn diseados especialmente para
aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones
donde se requiera mantener la tensin muy
estable dentro de un amplio rango de corriente y
temperatura.

Diodo

Varicap: El diodo Varicap

conocido como
diodo de capacidad variable
o varactor, es
un diodo que aprovecha
determinadas
tcnicas constructivas para
comportarse,
ante variaciones de la
tensin
aplicada,
como
un condensador
variable.
Polarizado
en
inversa,
este
dispositivo
electrnico
presenta
caractersticas que son de
suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios
de capacidad.
Diodos de conmutacin: Los diodos de
conmutacin o rpidos se caracterizan por ser
capaces de trabajar con seales de tipo digital o
<<lgico>> que presenten unos tiempos de
subida y bajada de sus flancos muy breves. El
factor o parmetro que caracteriza a estos diodos
es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que
expresa el tiempo que tarda la unin P-N en
desalojar la carga elctrica que acumula, cuando
se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de
carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la
polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos
con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para
los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

Diodos de alta frecuencia: Los diodos de alta

frecuencia se emplean en aquellas partes de un
circuito que deben de funcionar con frecuencias
superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por
segundo). Se caracterizan por presentar una baja
capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas
semiconductoras que forman la unin P-N, cuando
stas estn polarizadas en sentido directo.

Diodos zener: Los diodos estabilizadores de

tensin se emplean, como su nombre indica, para
producir una tensin entre sus extremos constante
y relativamente independiente de la corriente que
los
atraviesa.
Aprovechan,
para
su
funcionamiento, una propiedad muy interesante
que presenta la unin semiconductora cuando se
polariza inversamente por encima de un
determinado nivel.

Diodos backward: Son diodos de germanio

que presentan en polarizacin inversa una zona
de resistencia negativa similar a la de los diodos
tnel. Este diodo presenta una relacin de
corriente pico a corriente valle mucho menor,
que los dems, pero tiene su punto de ruptura
en cero volts. Es muy til cuando se necesita una accin rectificadora en
combinacin con ondas de pequea amplitud, pues el rendimiento mejora
grandemente.

Diodos rpidos: Existen dos tipos caractersticos;

los diodos rpidos de potencia y los diodos rpidos
de seal. Los de potencia: Se utilizan en las
modernas fuentes de switching que trabajan a
frecuencias de hasta 500 Khz y pueden manejar
corrientes de varios amperes y tensiones de varios
cientos de volts.

Diodos ultrarrpidos: Son aquellos que van de 35 y 60 nanosegundos, tienen

alta capacidad de tensin, pueden funcionar a unos 175c de temperatura y
pueden manejar corriente de varios amperes como 16 y de 100 a 600 voltios.

Diodos varistores: Es uno de los dispositivos

empleados para estabilizar, tambin conocido
como supresor de transistores. Este dispositivo
equivale a dos diodos zener conectados en
paralelo, pero con sus polaridades invertidas y
con un valor de tensin muy alto, son
construidos para diferentes valores de tensin
de ruptura

Rectificador:

En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la

corriente alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos
rectificadores, ya sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o
vlvulas gaseosas como las de vapor de mercurio. Dependiendo de las
caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean, se les
clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la red
elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al tipo de
rectificacin, pueden ser de media onda, cuando solo se utiliza uno de los
semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son
aprovechados.

El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda,

constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la
carga.

Caractersticas del rectificador:

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que

solo conducen en polarizacin directa (arriba del 0.7 v) y en polarizacin
inversa no conducen.

Estas caractersticas son las que permiten a este diodo rectificar una
seal

Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el

voltaje en inverso que se pueda soportar.

Aplicaciones del diodo.-

Rectificador de media onda: El rectificador de media onda es un circuito

empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente
alterna de lleno conducen cuando se polarizan inversamente. Adems su
voltaje es positivo.

Rectificador de onda completa: Un rectificador de onda completa es un

circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi)
en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de
media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en
positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se
necesite una seal positiva o negativa de corriente continua.
Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro

Rectificador en paralelo: El diodo se opone al paso de la corriente durante el

primer semiciclo positivo, por tanto, la corriente es igual a cero, pero el voltaje
de salida V0 es igual al de entrada V1.
Doblador de tensin: Un Multiplicador de tensin es un circuito elctrico que
convierte tensin desde una fuente de corriente alterna a otra de corriente
continua de mayor voltaje mediante etapas de diodos y condensadores

Estabilizador

Zener:

El diodo

Zener es

un diodo de silicio fuertemente dopado que se ha construido para que funcione

en las zonas de rupturas,

El diodo Zener es la parte esencial de

los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se

presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga
y temperatura.

Led:

es

un componente

optoelectrnico pasivo y,

ms

concretamente,

un diodo que emite luz.

Limitador: Un limitador o recortador es un circuito que, mediante el uso

de resistencias y diodos, permite eliminar tensiones que no nos interesa que
lleguen a un determinado punto de un circuito. Mediante un limitador podemos
conseguir que a un determinado circuito le lleguen nicamente tensiones
positivas o solamente negativas,

Circuito fijador: Estos circuitos basan su funcionamiento en la accin del

diodo, pero al contrario que los limitadores no modificarn la forma de onda de
la entrada, es decir su voltaje o tipo de corriente elctrica, sino que le aaden
a sta un determinado nivel de corriente continua

Multiplicador de tensin: Un Multiplicador de tensin es un circuito

elctrico que convierte tensin desde una fuente de corriente alterna a otra
de corriente

continua de

mayor

voltaje

mediante

etapas

de diodos y condensadores.

Divisor de tensin: Un divisor de tensin es una configuracin de circuito

elctrico

que

reparte

la tensin de

ms impedancias conectadas en serie.

una

fuente

entre

una

Ejemplos:

1) Circuito con diodo de silicio en polarizacin directa

2) Circuito con diodo de silicio en polarizacin inversa

1) Diodo de Silicio en polarizacin Directa

2) d
3) 0,17
4) 0,1
5) 0,2
6) 0,4
7) 0,6

8) 0,7
9) 0,75
10) Vr
11) 0
12) 0
13) 0
14) 14 mv
15) 1,192 V
16) 10,07 V
17) 31 V
18) E
19) 17 mv
20) 100 mv
21) 200 mv
22) 413 mv
23) 1,680 V
24) 10,55v
25) 31,9 v
26) Id
27) 0
28) 0
29) 0
30) 14 &A
31) 1,192 mA

32) 10,07mA
33) 31 mA
34)
Leer

ms: http://www.monografias.com/trabajos100/diodo-semiconductor/diodo-

semiconductor.shtml#ixzz45TqiTUtX

2) Diodo de Silicio en polarizacin Inversa

Vd

-1

-2

-3

-4

-6

-8

-10

Vr

-1

-2

-3

-4

-6

-8

-10

Id

3) Circuito con diodo de germanio en polarizacin directa

3) Diodo de Germanio en polarizacin Directa

Vd

0,008

0,1

0,2

0,4

0,52

Vr

28,2 mV

300 mv

5,8 V

28,8 V

0,008

100 mv

510 mv

6,37 v

29,4 V

Id

28,2 &A

300 &A

5,8 mA

28,8 mA

4) Circuito

con

diodo

de

germanio

en

polarizacin

inversa

4) Diodo de Germanio en polarizacin Inversa

Vd

-1

-2

-3

-4

-6

-8

-10

Vr

-1

-2

-3

-4

-6

-8

-10

Id