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DE LOS INTERRUPTORES DE
SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
2-1 INTRODUCCIN
Las crecientes capacidades de energa, la facilidad de control y los costos reduci
dos de los dispositivos de
semiconductores modernos de potencia, en comparacin con los de hace apenas unos c
uantos aos, han
hecho que los convertidores sean asequibles en un gran nmero de aplicaciones y ha
n abierto una infinidad
de nuevas topologas de convertidores para aplicaciones de la electrnica de potenci
a. A fin de entender
claramente la factibilidad de estas nuevas topologas y aplicaciones es fundamenta
l apreciar en su conjunto
las caractersticas de los dispositivos de potencia disponibles. Para este fin se
presenta en este captulo un
breve resumen de las caractersticas de terminales y las capacidades de tensin, cor
riente y velocidad de
conmutacin de dispositivos de potencia actualmente disponibles.
Si los dispositivos de semiconductores de potencia se consideran interruptores i
deales, el anlisis de
las topologas de convertidores se facilita en gran medida. Este planteamiento tie
ne la ventaja de que los
detalles de la operacin de dispositivos no ocultar la operacin bsica del circuito. P
or tanto, se entienden
mejor las importantes caractersticas de los convertidores. Un resumen de las cara
ctersticas de dispositivos
permitir determinar hasta qu grado es posible idealizar las caractersticas de dispo
sitivos.
Los dispositivos de semiconductores de potencia disponibles se clasifican en tre
s grupos, de acuerdo
con su grado de controlabilidad:
1. Diodos. Estados de conexin y desconexin controlados por el circuito de potenc
ia.
2. Tiristores. Son activados mediante una seal de control, pero pueden ser desa
ctivados por medio
del circuito de potencia (control por fase) o por un circuito de control externo
.
3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante seales de con
trol.
La categora de interruptores controlables abarca varios tipos de dispositivos, co
mo transistores de unin
bipolar (bipolar junction transistors, BJT), transistores de efecto de campo xido
metlico semiconductor
(metal-oxide-semiconductor field effect transistors, MOSFET), tiristores desacti
vables por puerta (GTO) y
transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar transistors, IG
BT). Durante los ltimos aos
se registraron avances importantes en esta categora de dispositivos.
2-2 DIODOS
Las figuras 2-1a y 2-1b muestran el smbolo de circuito para el diodo y su caracte
rstica de estado permanente i-v. Cuando el diodo est polarizado en directa, empiez
a a conducir con slo un pequeo voltaje en
directo a travs de l, que est en el orden de 1 V. Cuando el diodo est en polarizacin
inversa, slo una
corriente de fuga muy insignificante fluye a travs del dispositivo hasta que se a
lcanza la tensin de ruptura
inversa. En la operacin normal, el voltaje de polarizacin inversa no debe alcanzar
el punto de ruptura.
D
y
D
y
D
0 0
Figura 2-1 Diodo: a)
smbolo, b) caracterstica i-v,
c) caracterstica idealizada.
Figura 2-2 Apagado del diodo.
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2-3 Tiristores 17
a)
b)
c)
Tensin
de ruptura
directa
Tensin
de ruptura
inversa
Estado activo
Activo inactivo
Bloqueo
inverso
Bloqueo
directo
Ruptura
inversa
Regin
inversa
de bloqueo
Estado activo
Inactivo a activo
si se aplica
un pulso iG
Estado inactivo
Figura 2-3 Tiristor: a) Smbolo;
b) caractersticas de i-y; c) caractersticas idealizadas.
polaridad directa y no conducir, como se muestra en la figura 2-3b por la parte
inactiva de la caracterstica
de i-v.
El tiristor puede dispararse para entrar en el estado activo por medio de la apl
icacin de un pulso de
corriente de puerta positiva durante un periodo breve, en tanto que el dispositi
vo est en estado de bloqueo
directo. La relacin de i-v resultante se ilustra por la parte activa de las carac
tersticas que se muestran en
la figura 2-3b. La cada de tensin directa en el estado activo slo es de unos cuanto
s voltios (por lo general
1-3 V, segn la magnitud de bloqueo de voltaje del dispositivo).
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se enclava (conduce) y la corrien
te de puerta puede
eliminarse. El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el tiristor conduce c
omo un diodo. Slo cuando la
corriente del nodo intenta volverse negativa (por influencia del circuito en el q
ue el tiristor est conectado)
se apaga el tiristor y la corriente va a cero. Esto permite que la puerta recupe
re el control, a fin de encender
el dispositivo en algn momento controlable despus de que nuevamente haya entrado e