UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS - ESPE

ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN
ASIGNATURA:

CONTROL ELECTRONICO DE POTENCIA

ALUMNO:

BUSTAMANTE CARLOS
ESCUDERO MIGUEL
RUIZ CHRISTIAN

NIVEL: 7MO

PERIODO

ABRIL AGOSTO 2015

1. TEMA
Prdidas estticas y dinmicas en semiconductores de potencia
2. OBJETIVOS
a. GENERAL
i. Investigar sobre las perdidas estticas y dinmicas que se presentan en los
semiconductores de potencia.
b. ESPECIFICOS
i. Entender el comportamiento de los semiconductores de potencia en
cuanto a prdidas se refiere.
ii. Investigar la forma de calcular las perdidas en estado esttico y dinmico
en los semiconductores de potencia.
iii. Diferenciar las causas de las perdidas estticas con respecto a las
dinmicas.
3. MARCO TEORICO
PERDIDAS EN SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
El objetivo comn del diseo de interruptores para semiconductores de potencia de alta tensin (cuyos
tipos ms conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la combinacin de la potencia en estado de
conduccin y las prdidas en corte. En trminos prcticos, esto significa que el semiconductor debe tener
la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin (es decir, debe crearse un plasma denso) sin
que se originen prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.
Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un campo elctrico desde la
unin PN en el lado del ctodo hasta la zona N. La tensin de recuperacin cubre el plasma desde el
ctodo hasta el nodo. Los portadores de carga cerca del ctodo son suprimidos a una baja tensin y, por
tanto, generan bajas prdidas en corte, mientras que los portadores prximos al nodo fluyen fuera del
dispositivo a una tensin alta, originando altas prdidas.
En inversores de fuente de tensin sin limitacin di/dt externa (como los circuitos tpicos IGBT), dicha
limitacin ha de tener lugar mediante control del propio dispositivo de conmutacin, lo que causa prdidas
sustanciales de conexin.
En inversores con altas tensiones, la combinacin de las prdidas de conexin del interruptor y las prdidas
de recuperacin del diodo constituyen entre el 40 y 60 por ciento de las prdidas totales del inversor,
dependiendo de la frecuencia de conmutacin.
Prdidas de conexin notablemente menores tienen lugar en un interruptor de silicio utilizado con un
limitador di/dt pasivo, liberando al dispositivo de carga trmica y, en consecuencia, permitiendo en principio
una mayor potencia de salida para el inversor. Sin embargo, debe sealarse que a pesar de todo se
producen prdidas, dado que se transfieren al circuito de circulacin libre del limitador de di/dt.

PERDIDAS ESTATICAS
En estado ON un dispositivo real se puede modelar por una cada de tensin directa o umbral Ud y una
resistencia directa Rd. Las prdidas para una corriente Id pueden ser considerables y son:
= . + . 2

(1)

En estado OFF se presenta una corriente de fuga Ii (valor que se puede tomar como cero en la mayora
de los casos) y el dispositivo bloque una diferencia de potencial dada Ui, la prdida fundamental es el
producto Ui.Ii si bien en la mayora de los dispositivos es de magnitud muy inferior a la prdida en estado
ON y puede ser despreciada.

PERDIDAS DINAMICAS
Al producirse el paso de ON a OFF y viceversa en tiempo finito se producen situaciones simultaneas donde
se obtiene valores altos de potencia U y corriente I.

Figura 1: Prdidas en dispositivos de conmutacin

En la Figura 1 se representa la evolucin de tensin e intensidad en un dispositivo al conmutar entre OFF
y ON, viceversa y la potencia de prdidas asociada. Las prdidas debidas a la conmutacin son las ms
elevadas en magnitud durante el tiempo de conmutacin, la prdida en conduccin es sustancialmente
mayor que la prdida en bloqueo. Un modelo sencillo que permite estimar las prdidas en un dispositivo
trabajando en conmutacin a frecuencia = 1/, con tiempos de conmutacin = dados,
tiempos de permanencia en On Ton, frecuencia de conmutacin f, tensin de estado off o trabajo U, cada
de potencial interna en estado ON, Uon corriente de conduccin en ON o trabajo I y resistencia en estado
ON, Ron es el dado por:
=

. .
. ( . + . 2 ) +

(2)

El factor a depende de las condiciones de conmutacin y del dispositivo y puede variar entre 2 y 6, siendo
2 un valor adecuado para estimaciones. Como puede observarse para reducir prdidas son deseables
valores reducidos de cada de tensin y resistencia en conduccin, por una parte, y del tiempo de
conmutacin ts por otra.
Las prdidas en bloqueo se consideran despreciables. La frecuencia de trabajo se fija por un compromiso
entre las ventajas que aporta una alta frecuencia en la reduccin de tamao y peso de componentes
pasivos y el aumento de prdidas de conmutacin que provoca.
4. CONCLUSIONES

Los dispositivos semiconductores de potencia debido a la gran cantidad de corriente que manejan
presentan perdidas ya sean estticas o dinmicas segn el comportamiento.
Las prdidas estticas se presentan en el encendido o apagado de un semiconductor de potencia
debido a una cada de tensin directa lo cual afecta a la corriente que fluye por el mismo.
Las prdidas dinmicas dependen de las condiciones de conmutacin del dispositivo aunque
algunas son despreciables se deben tomar muy en cuenta para entender su funcionamiento.

5. BIBLIOGRAFIA

Rashid, H., (1995). Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Mxico:

PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.
http://bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/1/T1571.pdf