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UNIVERSITE SULTAN MOULAY SLIMANE

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES


DEPARTEMENT DE GENIE ELECTRIQUE

Cours dlectronique analogique

Pour la formation
Licence sciences et techniques
Ingnierie en Informatique, Electronique et Automatique
LST IIEA

Responsable
Abdellah AOUAJ

CHAPITRE I: LES QUADRIPLES


I/ Dfinition
Un quadriple est un systme quatre bornes (deux l'entre et deux la sortie) dans lequel des courants lectriques
peuvent circuler.
On s'intresse exclusivement aux quadriples linaires, classe de multiples la plus souvent rencontre. Les valeurs des
lments qui le composent sont constantes (lments passifs, sources autonomes, coefficients des sources commandes)
c'est--dire indpendantes des tensions ou courants qui leur sont appliqus. (Pas de saturation)
On distingue deux types de quadriples :
- Quadriple passif : Il ne comporte pas de source d'nergie, il ne contient que des composants passifs (Ex: R, L, C ).
- Quadriple actif : En plus des composants passifs il contient des lments source d'nergie.
Une convention de signe est ncessaire pour normaliser les calculs indpendamment des sens des tensions et courants.
Trois conventions de signe sont rencontres :
Convention Transmetteur

Convention Rcepteur

i2

i1
v1

i2

i1
v2

v1

Le quadriple transmet l'nergie

Convention Gnrateur

i2

i1
Q

v1

v2

L'nergie est rentrante

v2

L'nergie est sortante

On utilisera la convention "rcepteur". C'est la convention la plus gnralement rencontre.


II/ Grandeurs caractristiques
II-1/ Impdances d'entre et de sortie
II-1-a/ Impdance d'entre Ze
C'est l'impdance quivalente l'entre du quadriple, lorsqu'il dbite sur une charge Z L.
i1

Ze =

v1
i1

Ze

v1

ZL

Exemple: Circuit RC
i1
R

v
Ze = 1 = R
// Z L
i1
jC

v1

II-1-b/ Impdance de sortie Zs


C'est l'impdance interne du gnrateur de Thvenin (ou Norton) quivalente la sortie du quadriple lorsqu'il est excit
par un gnrateur eg d'impdance interne Zg.

v
Zs = 2
i2

Exemple: Circuit RC

Zs

R Zg

i2

i1

eg 0 (eg en court -circuit )

Zg

eg

//

eZ0e

Zs

v2

1
jC

Exprimentalement pour dterminer Zs, on peut aussi exciter par la sortie avec un gnrateur externe e d'impdance
interne Zg (eg = 0 : entre en court-circuit).
II-2/ Impdances d'entre et de sortie particulires
- Impdance d'entre sortie ouverte (ZL infinie):

v
Ze = 1
i1 i 2 0

- Impdance d'entre sortie en court-circuit (ZL = 0):

v
Z e cc = 1
i1 v2 0

- Impdance de sortie entre ouverte (excite par une source de courant (idale): Zg infinie):
v
Zs = 2
i2

v
= 2

eg 0, Zg i 2 i1 0
- Impdance de sortie entre en court-circuit (excite par une source de tension (idale): Zg = 0):
v
Zs cc = 2
i 2 eg 0, Zg 0
II-3/ Paramtres
La structure quadriple peut tre mise en quations reliant les courants et les tensions d'entre (I1,V1) et de sortie (I2,V2)
ou sous forme lectrique c'est le schma quivalent.
Exemple avec la matrice impdance [z], on a:
le schma lectrique (quivalent aux quations)
I1

V1 = z11I1 z12 I2

V2 = z 21I1 z 22 I2
z
La matrice impdance : z 11
z21

z12
z22

V1

z11

z12I2

z22

z21I1

I2

V2

Le quadriple est ainsi modlis par deux diples coupls. Ce couplage se traduit par l'intermdiaire des gnrateurs: Les
grandeurs V1, I1, V2 et I2 sont lies par des relations linaires (Quadriple linaire). Il existe 6 possibilits d'exprimer deux
de ces grandeurs en fonction des deux autres:

Paramtres

Impdance

Equations
(notes aussi
matriciellement)
V1 = z11I1 z12 I2

V2 = z 21I1 z 22 I2
En
notation
matricielle:
V1
I1
z
V2
I2

Calcul

Q passif

Q symtrique

V
z11 1
I1 I2 0 (sortie ouverte)

z12 = z21

z11 = z22
et
z12 = z21

V
z 22 2
I2 I1 0 (entre ouverte)
etc

avec [z] : matrice


impdance
z
z
z z11 z12
21 22

Admittance

I1 = y11V1 y12 V2

I2 = y21V1 y22 V2

I
y11 = 1
V1 V2 =0

etc

y12 = y21

y11 = y22
et
y12 = y21
3

Hybride

Hybride
inverse

V1 = h11I1 h12 V2

I2 = h 21I1 h 22 V2

V
h11 = 1
I1 V2 =0

etc

I1 = g11V1 g12 I 2

V2 = g 21V1 g 22 I2

I
'
h11
= 1
V1 I2 =0

etc

h12 = -h21

h11h22 - h12h21
et
h12 = - h21

'
h12

' '
' '
h11
h 22 - h12
h 21
et

= -h '21

'
h12
= - h '21

Transmittance

V1 = t11V2 t12 I2

I1 = t 21V2 t 22 I2

V
1
t11 = 1
=
A v0
V2 I2 =0
Av0 Gain en tension vide
I
1
t 22 = 1
=
Ai
I2 V =0

t11t 22 - t12 t 21 = -1

t11 = - t 22
et
t11t 22 - t12 t 21 = -1

Ai Gain en courant sortie en


court-circuit
etc...
Transmittance
inverse

'
'

V2 = t11V1 t12 I1

'
'

I2 = t 21V1 t 22 I1

V
'
t11
= 2
V1 I1 =0

etc

' '
' '
t11
t 22 - t12
t 21 = -1

'
t11
= - t '22
et
' '
' '
t11
t 22 - t12
t 21 = -1

Remarque:
Le modle paramtrique obtenu avec les impdances d'entre et de sortie n'est pas confondre avec celui fourni par la
matrice impdance (on n'a pas Ze z11):
II-7/ Modles lectriques correspondant aux matrices
- Matrice Impdance:
V
V
V
z11 = 1
Impdance, z12 = 1
Impdance, z 21 = 2
Impdance,
I
I
1 I 2 0
2 I1 0
I1 I 2 0

V
z 22 = 2
Impdance
I2 I1 0

le schma lectrique (quivalent aux quations)


I1

V1 = z11I1 z12 I2

V2 = z 21I1 z 22 I2
z
z
La matrice impdance : z 11 12
z 21 z 22

z11

z12I2

V1

z22

I2

z21I1

V2

- Matrice Hybride:
V
V
h11 = 1
impdance, h12 = 1
Gain en tension -1 ,
I1 V2 0
V2 I1 0

V1 = h11I1

I2 = h 21I1

I
I
h 21 = 2
Gain en courant, h 22 = 2
Admittance
I1 V2 0
V2 I1 0

h12 V2
I1

h 22 V2

h12
h
La matrice hybride : h 11

h
h
22
21

V1

h11

h12I2

I2

h21V1

h22

V2

- Matrice Hybride inverse:


I
I
g11 = 1
Admittance, g12 = 1
Gain en courant -1 , g21 =
V
1 I 2 0
I2 V1 0

V2
V
Gain en tension, g 22 = 2
Impdance

V
1 I 2 0
I2 V1 0

I1 = g11V1 g12 I 2

V2 = g 21V1 g 22 I2

I1

g12
g
La matrice hybride inverse: g 11

g 21 g 22

g22
g12I2

g11

V1

I2

g21V1

V2

- etc
Exemple: Circuit RC
(Quadriple passif)
- Avec les paramtres Impdances
V
1
z11 = 1
=R+
jC
I1 I2 0

V
1
z12 = 1
=
jC
I2 I1 0

V
z21 = 2
I1

1
=

jC
I 2 0

V
z22 = 2
I2

1
=

jC
I1 0

Impdance d'entre sortie


ouverte du Quadriple

Car V1=V2 du fait que I1=0

z21 = z12 du fait que I2=0

Impdance de sortie entre


ouverte du Quadriple

- Avec les paramtres Hybrides:


V
h11 = 1
=R
I1 V2 0

V
h12 = 1
=1
V2 I1 0

I
h 21 = 2
= -1
I1 V2 0

I
h 22 = 2
= jC
V2 I1 0

Impdance d'entre sortie


court-circuite

(Gain en tension)-1
car V1 = V2 si I1=0

Gain en courant = -1
car V2=0

Admittance de sortie
entre ouverte

III/ Association de Quadriples


III-1/ En parallle:
Q' et Q" sont soumis aux mmes tensions d'entre et de sortie utilisation de la matrice admittance [y].
I'1

I1
V1

V'1

I'2
V'2

Q'

V2

I"2

I"1
V"

I2
I1

V1

I2

V2

V"2

Q"

'
'
'
'
'

I = y11V11 + y12 V12


Q' 1
'
'
'
'
'

I2 = y21V21 + y 22 V22

"
" "
"
"

I = y11V11 + y12 V12


Q" 1
"
"
"
"
"

I 2 = y 21V21 + y 22 V22

V1 = V1' = V1"

I1 = I1' + I1"

V2 = V2' = V2"

I 2 = I '2 + I"2

I = y' + y" V + y' + y" V = y V + y V


11
11 1
12
12
2
11 1
12 2
1
d'o:
I2 = y'21 + y"21 V1 + y'22 + y"22 V2 = y 21V1 + y 22 V2

Lorsque deux (n) quadriples sont monts en parallle, leurs matrices admittances s'ajoutent pour reprsenter la matrice
admittance du quadriple quivalent la mise en parallle des deux (n) quadriples.

III-2/ En srie:
Q' et Q" sont traverss par les mmes courants d'entre et de sortie utilisation de la matrice impdance [z]
I'1

I1

I'2

V'1
V1

I"2

'
' '
' '

V = z11I11 + z12I12
Q' 1
'
' '
' '
V2 = z 21I21 + z 22 I22

V"1

Q'

V'2

d'o:

I2
I1
V2

I"2
Q"

V1

V2

V"2

"
" "
" "

V = z11I11 + z12I12
Q" 1
"
" "
" "
V2 = z 21I21 + z 22 I 22

I2

I1 = I1' = I1"

V1 = V1' + V1"

I 2 = I '2 = I"2

V2 = V2' + V2"

V = z' + z" I + z' + z" I = z I + z I


11
11 1
12
12 2
11 1
12 2
1

V2 = z'21 + z"21 I1 + z'22 + z"22 I 2 = z 21I1 + z 22 I 2

Pour deux (n) quadriples monts en srie, les matrices impdances s'ajoutent pour reprsenter la matrice impdance du
quadriple quivalent la mise en srie des deux (n) quadriples.
III-3/ En cascade:
Les grandeurs de sortie de Q' sont les grandeurs d'entre de Q" utilisation de la matrice transmittance [t].

I1=I'1
I'1

V1=V'1

I'2
Q'

V'2

I"1
V"

Q
"

'

I1 = I1

'
V1 = V1

'
"

I2 = -I1
'
"
V2 = V1

V' t '
Q' : 1 = 11
'
I1' t12
V"
1
Q" : =
I1"
V
Q : 1 =
I1

I2= I"2
V1=V"2

I1
V1

I2

V2

"

I2 = I2
"
V2 = V2

' '
t'
V
t12
2 = 11
'
t '22 I'2 t12

' '
V
-t12
2
' '
-t 22 -I2

" "
t"
V
t" V" t" -t12
11 12 2 = 11
2
"
"
t12
t"22 I"2 t12
-t"22 -I"2
t11 t12 V2 t11 -t12 V2
t
=

21 t 22 I2 t 21 -t 22 -I2

V' t '
V1
1 = 11
=

'
I
I1' t12
1

' '
t'
V
-t12
2 = 11
'
t12
-t '22 -I'2

'
-t12 t11
t
D'o: 11
=

'
t 21 -t 22 t12

' "
-t12
t
11
' "
-t 22 t12

' "
t'
V
-t12
1 = 11
'
-t '22 I1" t12

' "
-t12
t
11
"
-t '22 t12

" "
t'
V
-t12
2 = 11
'
-t"22 -I"2 t12

' "
-t12
t
11
"
-t '22 t12

"
-t12
V
2
-t "22 -I2

"
-t12

-t"22

Pour deux (n) quadriples monts en cascade, les matrices transmittances se multiplient pour reprsenter la matrice
transmittance du quadriple quivalent la mise en cascade des deux (n) quadriples.

III-4/ En srie-parallle :
6

Q' et Q" sont traverss par le mme courant d'entre (entre: srie) et sont soumis la mme tension de sortie (sortie:
parallle) utilisation de la matrice hybride [h].

I'2

I'1

I1

V'1
V1

V'2

Q'

V2

I1

I"2

I"1
V"1

I2
I2

V1

V2

V"2

Q"

h = h' + h"
Pour deux quadriples monts en srie-parallle, les matrices hybrides s'ajoutent pour reprsenter la matrice hybride du
quadriple quivalent la mise en srie-parallle des deux quadriples.
III-5/ En parallle-srie :
Q' et Q" sont soumis la mme tension d'entre (entre: parallle) et sont traverss par le mme courant de sortie (sortie:
srie) utilisation de la matrice hybride inverse [h'].

I'1

I1
V1

I"1
Q'

V'1

I2

V"1
V2

I'2
V'2

I1

Q"

V1

I2

V2

V"2

g = g' + g"
Pour deux quadriples monts en parallle-srie, les matrices hybrides inverses s'ajoutent pour reprsenter la matrice
hybride inverse du quadriple quivalent la mise en parallle-srie des deux quadriples.
IV/ Reprsentation des fonctions de transfert Diagramme de Bode
IV-1/ Introduction
La fonction de transfert H( j) dun systme quelconque est un nombre complexe. Trois solutions sont utilises en
pratique pour reprsenter ce nombre complexe graphiquement.
- Partie imaginaire en fonction de la partie relle avec paramtrage en frquence : plan de Nyquist.
- Module en fonction de la phase avec paramtrage en frquence : plan de Black.
- Module en dcibels en fonction de la frquence et phase en fonction de la frquence sur une chelle de frquence
logarithmique : diagrammes de Bode.
Dans cette partie, nous dcrivons la reprsentation par les diagrammes de Bode.
Pour la suite, on notera H, HdB et le module linaire, le module en dcibels et la phase de la fonction de transfert
respectivement.
IV-2/ Diagrammes de Bode - Intrt de lchelle logarithmique
IV-2-1/ Le dcibel
Le dcibel (dB) est une chelle logarithmique dfinie partir des puissances de la faon suivante :
PdB 10 log10 P
o : P est une puissance exprime en Watts sur une chelle linaire.
Pour les tensions, le facteur devant le log est 20 du fait que la puissance est proportionnelle au carr de la tension.
Le module de la fonction de transfert sexprime comme le rapport du module de la tension de sortie sur le module de la
tension dentre du systme considr. En dB, on aura donc :

v
H dB 20log10 H 20log10 s
v
e
Pour la suite, on utilisera "log" pour signifier le logarithme en base 10.
IV-2-2/ Reprsentation en chelle linaire
Prenons lexemple du circuit RC.
On a: H

vs
1

v e 1 j

1
1 j

o = RC et 0 = 1/RC

Soit pour le module : H

vs

1

1
0

En posant x

ve

1
, on obtient : H
0
1 x 2

Si l'on reprsente |H| sur une chelle linaire, on obtient une courbe ne reprsentant pas d'asymptote lorsque x<<1 ou
x>>1. Le trac de H ncessite donc le calcul d'un grand nombre de points.
Le trac en chelle linaire est long est fastidieux. Il ne permet pas de dgager des informations de faon rapide sur le
systme (Frquence de coupure, Bande passante, )
IV-2-3/ Reprsentation en chelles logarithmiques
IV-2-3-a/ Echelle logarithmique
L'chelle des frquences est logarithmique. On fait correspondre x log (x). On peut indiffremment utiliser le log
nprien ou en base 10.
Trois points importants sont retenir lorsque l'on utilise une chelle logarithmique:
- Une multiplication de la frquence par un facteur constant se traduit par un dcalage gomtrique constant sur l'axe des
frquences.
- L'chelle ne peut pas dmarrer du point 0 (frquence nulle) du fait que log (0) = .
- Une octave et une dcade correspond respectivement une multiplication par un facteur 2 et 10 de la frquence.
IV-2-3-b/ Reprsentation du module
Le module est reprsent en dB sur une chelle logarithmique. On peut tracer en premier temps les droites
asymptotiques limitant le diagramme de Bode. En reprenant l'exemple du circuit RC, on a:

1
- 20log 1 x 2
H dB 20log H 20log

1 x
- Lorsque x>>1, on a: lim H dB -20log x 2 -20logx qui reprsente une droite de pente -20dB/dcade (ou x 1

6dB/octave)
- Lorsque x << 1, on a: lim H dB 0 qui reprsente une droite de pente nulle.
x 1

HdB
0dB

x (log)

-20dB/dcade

En chelle logarithmique, le module en dB prsente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les hautes
frquences et les basses frquences. Quelques points suffisent pour reprsenter le module de la fonction de transfert partir
du trac asymptotique.
8

IV-2-3-c/ Bande passante Frquence de coupure


En observant le trac asymptotique, on remarque que le circuit RC laisse passer, sans trop les attnuer, les signaux de basse
frquence et attnue fortement les signaux haute frquence. De faon arbitraire on dfinit une limite entre les basses et les
hautes frquences. Cette limite aboutit aux notions de frquence de coupure et de Bande Passante.
H
Les frquences de coupure du systme sont les frquences pour lesquelles on a: H max . En dB, cela devient:
2

H
H dB 20logH 20log max
2

H dB - 3dB . On parlera dans ce cas de frquences de coupure -3 dB.


max

H
La bande passante est l'intervalle de frquence f pour lequel : max H H max .
2
IV-2-3d/ Reprsentation de la phase
La phase est reprsente en degrs ou en radians sur l'chelle logarithmique.
En reprenant l'exemple du circuit RC, on a: - ArcTan x
- Lorsque x >> 1, on a lim -

qui reprsente une droite de pente nulle.


2
- Lorsque x << 1, on a lim 0 qui reprsente une droite de pente nulle
x 1

x 1

En chelle logarithmique, la phase prsente donc deux asymptotes, pour x >> 1 et x << 1, soit pour les "hautes"
frquences et les "basses" frquences. C'est videmment le cas pour toutes les fonctions de transfert se prsentant sous
forme polynomiale. Quelques points suffisent reprsenter la phase de la fonction de transfert partir du trac
asymptotique.

x (log)

-2

IV-3/ Intrt des diagrammes de Bode pour les systmes en cascade


On considre n systmes de fonctions de transfert H1, H2,, Hn monts en cascade. La fonction de transfert globale H
n

s'crit: H

i 1

Hi

H1

Hn

Le module et la phase de H s'crivent alors: H

H
i 1

et

i 1

n
n
Hi
H dBi
Le module en dB s'crit: H dB 20log

i 1
i 1
Le module en dB et la phase de la fonction de transfert globale H s'obtiennent en additionnant les modules en dB et les
phases des Hi. Il est alors ais de tracer les diagrammes asymptotiques de H partir des diagrammes asymptotiques des H i
en additionnant simplement les asymptotes.

Exemple: Cascade de deux systmes du premier ordre


On considre deux systmes du premier ordre dfinis par leurs fonctions de transfert respectives H 1 et H2:
1
1
et H 2 =
H1 =

1+j
1+j

On reprsente les diagrammes de Bode de H1 et H2 (en considrant 1 > 2 ), puis ceux de H = H1 H2.
Pour le module de H, on a une asymptote HdB = 0 pour << 2, un "palier" de pente -20dB/dcade entre 2 et 1 et une
asymptote de pente -40 dB/dcade pour >> 1.
Pour la phase de H, on a une asymptote = 0 pour << 2, un palier = - /2 entre 2 et 1 et une asymptote = - pour
>> 1. L'allure des courbes relles se dduit ensuite trs simplement partir des tracs asymptotiques
module

phase

(log)

-20dB/dcade

(log)

-/2

H2

H1

H
0

20dB/dcade

(log)

(log)

-/2
40dB/dcade
-

V/ Adaptations d'impdance en tension, en courant et en puissance


Faire de l'lectronique, c'est interconnecter des composants et des montages. On ne peut pas les interconnecter sans
effectuer certaines vrifications:
On considre en premier lieu une source de tension ou de courant (en amont) et une charge (en aval).
- il faut vrifier que les niveaux de tension, de courant et de puissance des deux parties du montage sont compatibles (sans
quoi on risque d'endommager un des deux parties).
- il faut vrifier si les impdances sont compatibles
C'est la problmatique d'adaptation d'impdance.
V-1/ Adaptation d'impdance en tension
Considrons un quadriple amont Q' dlivrant un signal de tension un quadriple aval Q". Chaque quadriple peut tre
reprsent par son schma quivalent (de Thvenin).
La sortie du quadriple Q' est reprsente par une f.e.m. eg et une rsistance interne Zg.
L'entre du quadriple Q" est reprsente par une impdance d'entre Ze.
Q'

Q"
i

eg

Zg

Ze
10

En connectant les deux quadriples, la tension applique Q" est v =


mais elle est attnue d'un facteur

Ze
eg . Cette tension n'est pas gale la f.e.m e g
Ze +Zg

Ze
. Cette attnuation constitue une dgradation du signal.
Ze +Zg

Lorsqu'on transmet un signal de tension entre deux quadriples, il faut une impdance d'entre leve et une impdance de
sortie faible.
V-2/ Adaptation d'impdance en courant
Supposons que le quadriple Q' se comporte davantage comme une source de courant. Sa sortie peut tre reprsente par le
schma quivalent (de Norton).

Q'

Q"
i
v

Zg

ig

Ze

La sortie du quadriple Q' est reprsente par une source de courant i g et une rsistance interne Zg.
En connectant les deux quadriples, le courant i appliqu Q" est galement attnu et donc dgrad.
Zg
i=
ig
Zg + Ze
Pour viter une attnuation du courant transmis entre Q' et Q", il faut une impdance de sortie leve (de Q') et une
impdance d'entre faible (de Q").
V-3/ Adaptation d'impdance en puissance
Supposons qu'on veut transmettre un signal de puissance leve entre Q' et Q".

Q'

Q"
i

eg

Zg

La puissance reue par la charge est P = Ze i 2 =

Ze

Ze + Zg

Ze

eg2 . Cette puissance est maximale pour Ze = Zg.

On obtient un maximum de puissance transmise entre deux quadriples lorsque l'impdance d'entre de Q" et l'impdance
de sortie de Q' sont gales.

11

CHAPITRE II : DIODE ET APPLICATIONS


I/ Diode jonction
I-1/ Dfinition
La diode jonction est un composant lectronique de base. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur
command par une tension Vd qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Cette proprit lui ouvre un champ d'application assez vaste en lectronique dont les plus courants sont:
- Le redressement du courant alternatif issu du secteur
- La rgulation des tensions l'aide de la diode zener, qui ont un comportement de source de tension quasi idale.

Structure
A

Symbole
K

K
VD

VD

L'application d'une tension VD < 0 a pour effet d'empcher tout courant traversant la diode.
L'application d'une tension VD > 0 a pour effet de faire circuler un courant de l'anode la cathode.
I-2/ Caractristique courant tension
VD

L'analyse thorique d'une jonction PN donne l'quation qui lie le courant ID la tension applique VD : ID = IS e VT 1

O :
- IS : courant de saturation inverse de la jonction
- VT : potentiel thermique ( VT

kT
)
q

- : facteur technologique dpendant du type de semi-conducteur.

ID

VD

12

I-3/ Modlisation de la diode


La reprsentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour son utilisation. Plusieurs schmas
quivalents simplifis peuvent tre employs pour faciliter l'tude d'un circuit utilisant la diode. Pour tablir ces schmas
on "linarise" plus au moins grossirement la caractristique lectrique de la diode, puis on cherche quels composants
simples permettent d'obtenir ces caractristiques linaires.
I-3-1/ Modle 1: Diode idale
Elle consiste remplacer la caractristique ID = f(VD) par des segments de droite
ID

VD

Polarise en direct la diode conduit, elle se comporte comme un interrupteur ferm.


Polarise en inverse la diode est bloque, elle se comporte comme un interrupteur ouvert.
I-3-2/ Modle 2 : Diode avec seuil
Dans ce modle on tient compte de la tension seuil V (on ngligera sa rsistance dynamique). La diode ne conduit que si la
tension VD dpasse la tension seuil V.
ID

VD

I-3-3/ Modle 3 : Diode avec seuil et rsistance


13

Dans ce cas on prend en compte la rsistance de la diode. Ceci peut tre utile si on utilise la diode en petits signaux
alternatifs et qu'on a besoin de sa rsistance dynamique.
En polarisation direct la diode est quivalente une rsistance RB (rsistance extrinsque) en srie avec V.
En polarisation inverse la diode est quivalente une rsistance Ri trs grande () en parallle avec une source de courant
Ii trs faible
Pour une diode de Silicium : V = 0.6-0.7 V, RB = 20 et Ri >> M.

I-3-4/ Rsistance de la diode


I-3-4-a/ Rsistance statique
La rsistance statique est dfinie par R D

VD
: c'est un paramtre variable
ID

I-3-4-b/ Rsistance dynamique


La rsistance dynamique est dfinie par rd

vd
: c'est la drive de la caractristique lectrique en un point. On la
id

considre souvent constante si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en continu.
I-3-5/ Droite de charge et point de fonctionnement
On considre le circuit ci-dessous :
La droite de charge : ID

1
1
VD V
R
R

Le point de fonctionnement est dfini par l'intersection de la droite de charge et la caractristique lectrique de la diode

ID

VD

I-4/ Limites de fonctionnement


I-4-1/ Zone de claquage inverse
La tension inverse ne doit pas dpasser Vmax (quelques dizaines de volts).
14

Elle peut conduire la destruction de la diode


I-4-2/ Limitation en puissance
Le domaine de travail ne doit pas dpasser l'hyperbole P max = VD ID
I-4-3/ Influence de la temprature
Diode bloque : le courant inverse Ii double tous les 10C (pour le Si).
Diode passante : la tension VD diminue ( ID constant) de 2 mV/C.

I-5/ Circuits diode


Plusieurs classes de circuits utilisent le comportement des diodes (tat passant tat bloqu) pour modifier sensiblement la
forme des signaux
I-5-1/ Redressement
Dans le montage suivant on suppose que la diode est quivalente au modle 2.
On applique l'entre une tension sinusodale ve = Emax sin(t)
Avec: Emax = 2 V
R = 1k
la tension seuil de la diode est V = 0.6 V

ve

vR

-ve(t) 0.6 V
La diode conduit et est remplace par une source de tension V = 0.6 V
La tension aux bornes de R est vR(t) = ve(t) 0.6
- ve(t) 0.6 V
La diode est bloque et est remplace par un interrupteur ouvert, le courant est donc nul
La tension aux bornes de R est nulle, vR(t) = 0

15

tension de la source ve(t)

tension aux bornes de la diode

tension aux bornes de R


I-5-2/ Redressement et filtrage
On insre une capacit C en parallle R

ve

vR

La courbe en pointill est la tension aux bornes de R sans le condensateur C


La courbe en trait plein pais est la tension aux bornes de R avec C
I-5-3/ Doubleur de tension
Certaines applications ncessitent des tensions continues trs leves (quelques milliers de volts). On pourrait les obtenir
avec un transformateur lvateur et un redressement/filtrage classique. Il existe une solution moins onreuse base de
diodes et condensateurs : c'est le doubleur de tension.
Le montage suivant se dcompose en deux : redressement / filtrage par la cellule D 1/C1, puis dtecteur de crte D2/C2.

16

Aux bornes du C1, si la charge est infinie, la tension VC1 restera constante est gale la tension crte du transformateur.
La diode D1 verra ses bornes la tension Vt+VC1, dont la valeur crte est gale deux fois la tension crte du
transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait translate d'une fois la valeur de la tension crte.
Il suffit de filtrer cette tension sa valeur de crte avec D 2 et C2 : On obtient une tension continue gale deux fois la
tension crte du transformateur.

II/ Diodes spciales


II-1/ Diodes Zener
Elles se comportent comme des diodes classiques quand elles sont polarises en direct (pas d'intrt)
Elles ont un comportement spcial quand elles sont polarises en inverse.
Les diodes zener sont utilises en gnral en polarisation inverse dans la zone de claquage.
Le claquage n'est pas destructif si le courant inverse est limit par le circuit extrieur pour viter un chauffement excessif.
Le courant inverse disparat lorsque la tension inverse redevient infrieure VZ.

VZ

Une premire utilisation de la diode zener est la rgulation de la tension dans les blocs d'alimentation
II-1-2/ Modles de la diode zener
Modle 1 :

VZ

V
V

VZ

VZ

Modle 2 :
I

VZ

RZ

VZ

V
V

VZ
17

II-1-3/ Applications
Les applications des diodes zener sont trs nombreuses; elles se rapportent aux grandes catgories suivantes :
- Effet de rgulation
- Tension constante servant de rfrence
- Effet de seuil et crtage
- Capacit de la jonction
Exemple : Effet de rgulation
Un des plus importants est la ralisation d'alimentations stabilises.
Le schma le plus simple est le suivant :
Lorsque la tension aux bornes d'entre crot et dpasse la tension zener,
le courant dans la diode augmente, mais la tension de sortie reste constante
+
9V
et vaut la tension de zener de la diode choisie. Si la rsistance

en srie est faible, le courant dans la diode devient rapidement important


et ncessite l'emploi d'une diode de puissance coteuse monte sur un radiateur,
c'est pourquoi ce schma est peu utilis.
Si on considre une diode zener avec Vz = 6.2 V,
alimente par une source de 9V et de 0.6 de rsistance interne,
travers une rsistance srie de 10. On obtient en sortie une tension de 6.2V, entre 0 et 200mA.

10

6.2V 200mA

+
1000F

RL

II-2/ Autres diodes


II-2-1/ Diodes de Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension directe
trs bas et un temps de commutation trs court. Ceci permet la dtection
des signaux HF faibles et hyperfrquences, la rendant utile
par exemple en radioastronomie. On utilise aussi pour sa capacit laisser
transiter de relativement fortes intensits pour le redressement de puissance.

II-2-2/ Diodes lectroluminescentes


Une diode lectroluminescente, couramment abrg sous le sigle DEL (en anglais LED)
est un composant lectronique capable d'mettre de la lumire lorsqu'elle est polarise
en direct.
Une DEL produit un rayonnement monochromatique incohrent partir d'une
transformation d'nergie. Elle fait partie des composants optolectronique.

II-2-3/ Photodiodes
Une photodiode est un composant semi-conducteur ayant la capacit de dtecter
un rayonnement du domaine optique et de le transformer en signal lectrique.

II-2-4/ Diode effet tunnel


Une diode effet tunnel est un diple lectrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits o
un temps de commutation trs court devient indispensable (jusqu' 5GHz).
Dans une diode classique ralise avec des semi-conducteurs, la conduction se produit si la jonction est polarise en direct,
et s'arrte ds la polarisation devient ngative. La conduction tant bloque jusqu' la tension de claquage de la diode lors
d'une polarisation ngative (dans cette zone une diode classique est dtruite).
Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est gale zro volt. Cette
diode conduit donc en inverse (polarise en inverse), mais lors de son utilisation en direct (sens positif), l'effet tunnel se
produit donnant la caractristique de cette diode une zone o l'augmentation de la tension aux bornes de la diode entrane
une diminution du courant la traversant. Cela correspondant une rsistance ngative.
La diode tunnel offre de grandes perspectives dans les domaines des oscillateurs HF, c'est--dire dans les gammes de
frquences utilises dans les fours micro-ondes.
18

19

CHAPITRE III : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE


I/ Introduction
Le Transistor bipolaire est llment clef de llectronique. Il peut :
amplifier un signal
tre utiliser comme amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
tre utilis comme une source de courant
agir comme un interrupteur command (= mmoire binaire)
Essentiel pour llectronique numrique
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus complexe, allant de quelques units (ex: AO)
quelques millions de transistors par circuit (ex: microcontrleurs, microprocesseurs,).
II/ Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire
II-1/ Structure est symbole
Le transistor bipolaire, encore appel transistor jonctions, est form par la succession de 3 semi-conducteurs,
respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) laide de 2 jonctions P-N.

Le transistor n'est pas symtrique : les jonctions Base-Emetteur et Base-Collecteur ne sont pas identiques (dopage
diffrent). (Les termes Emetteur et Collecteur sentendent vis vis des lectrons (mission -collection de-)).
La flche sur le symbole indique le sens passant (courant) de la jonction Emetteur-Base; elle repre en outre lmetteur.
Le transistor est bipolaire, cest--dire que 2 types de porteurs de charge (les porteurs majoritaires et les porteurs
minoritaires) participent la conduction.

II-2/ Effet transistor


Conditions de polarisation : Jonction EB : directe - Jonction BC: inverse = MODE ACTIF du transistor.
Les 2 jonctions P-N du transistor ne constituent pas uniquement la juxtaposition de 2 diodes, car avec une tranche
centrale de faible paisseur, lorsque la jonction Emetteur-Base est polarise en direct et la jonction Collecteur-Base
polarise en inverse, les charges libres de lmetteur sont acclres vers la base et, pour la plupart, la traversent
rapidement pour tre captes par le potentiel de Collecteur : (une simple diode ferait que la base capte ces charges).
Cet effet Transistor a pour consquence le fait de pouvoir contrler l'aide du courant de base I B relativement faible, un
courant de collecteur IC beaucoup plus important.
Exemple: Transistor NPN
20

- si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre lmetteur et la base VBE ~ 0.7V, IE >> 0
- VCC > 0, un champ lectrique intense existe linterface Base/Collecteur
- La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ IC ~IE et IB = IE -IC << IE
- La jonction EB est dissymtrique (dopage plus lev ct E) courant port essentiellement par les lectrons (peu de
trous circulent de B vers E).
- Le courant IC est contrl par IE , et non vice versa
Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale...
- Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V
- IB non nul = fraction de IE ne participant pas la commande de IC .
III/ Polarisation du transistor bipolaire
Selon la polarisation du transistor, il se comporte de diffrentes manires. Ceci va donner des rgimes de
fonctionnement.
Rgime direct (normal)

Rgime satur

Rgime bloqu

Rgime inverse

La jonction EB est polarise


en direct.
La jonction CB est polarise
en inverse.

La jonction EB est polarise


en direct.
La jonction CB est polarise
en direct.

La jonction EB est polarise


en inverse.
La jonction CB est polarise
en inverse.

La jonction EB est polarise


en inverse.
La jonction CB est polarise
en direct .

Utilisation en amplification

Utilisation en commutation

Peu utilis

III-1/ Fonctionnement normal du transistor bipolaire


Lorsqu'un transistor (NPN) est utilis en rgime normal, trois montages sont donc possibles.
Base commune

veb<0

Emetteur commun

vcb>0

Collecteur commun

vce>0

vbe>0

vbc>0

vec>0

- Base commune
En rgime normal la caractristique la plus importante d'un transistor est son gain en courant statique s = IC/IE. Il
reprsente le rapport des e- injects dans l'metteur et ceux qui atteignent le collecteur. Comme le courant de base est faible
s ~ 98%.
- Emetteur commun
Pour ce type de montage, on dfinit le gain en courant statique s=IC/IB. Ce gain est trs grand (s ~ 100).
On note parfois le gain en courant par hFE.
- Collecteur commun
Le gain en courant statique est IE/IC.
Quelque soit le type de montage (BC, EC et CC) on a toujours la relation : IE = IB + IC
On obtient donc une relation entre les gains en courant statique s et s :

s =

1+s

ou s =

1-s

21

III-2/ Rseaux de caractristiques du transistor (montage Emetteur commun)


III-2-1/ Types de rseaux
Considrons le montage d'un transistor bipolaire (NPN) mont en metteur commun. Le circuit de polarisation est le
suivant :
VBB et VCC sont des tensions de polarisation
IC
RB et RC sont des rsistances de polarisation.
Il existe quatre types de rseaux de caractristiques du transistor
- Rseau dentre :
IB = f(VBE)VCE=cste
- Rseau de sortie :
IC = f(VCE)IB=cst
- Rseau de transfert de courant :
IC = f(IB)VCE=cste
- Rseau de contre raction en tension :
VBE = f(VCE)IB=cst

RC
IB
VBB

RB
VCE

VCC

VBE

On peut regrouper ces rseaux sur un mme graphe :


Ex: transistor 2N2222

Remarque:
On ne doit pas dpasser la puissance maximale (hyperbole de puissance donne par le constructeur) sinon on risque de
dtruire le transistor.
IV/ Polarisation du transistor
Le but de la polarisation est d'assurer un bon fonctionnement du transistor partir d'une seule alimentation. Pour cela :
- Ne pas dpasser certaines contraintes technologiques V CEmax, ICmax et Pmax.
- Choisir le point de fonctionnement et assurer la stabilit thermique.
- Assurer une meilleure linarit
IV-1/ Point de fonctionnement
Choisir le point de fonctionnement ncessite la connaissance de I C, IB, VBE et VCE.
Prenant l'exemple du circuit de polarisation du transistor bipolaire mont en EC:
Le point de fonctionnement (ou de repos) se trouve l'intersection du rseau de caractristiques et des quations de
polarisation du montage.
Equations de polarisation :
22

- VCC= RC IC + VCE

Cette relation donne l'quation de la droite de charge statique : I C -

- VBB= RB IB + VBE

Cette relation donne l'quation de la droite d'attaque statique : I B -

VCE VCC

RC
RC

VBE VBB

RB
RB

La polarisation fixe les valeurs de IB, IC, VBE et VCE au point de fonctionnement P ( IB0, IC0, VBE0, VCE0) l'aide de
l'alimentation et les rsistances.
VBE0 = 0.65 V pour le Silicium
VBE0 = 0.3 V pour le Germanium
On distingue trois rgimes de fonctionnement directement fixs par le rglage du point de fonctionnement :
- Fonctionnement en amplificateur (ou encore rgime linaire)
le point P est en (A)
- Fonctionnement en commutation de saturation
le point P est en (S)
- Fonctionnement en commutation de blocage
le point P est en (B)

- Remarque : Avec un transistor PNP, on a les mmes relations, mais bien videmment avec :
VBE < 0 (VBE0 = 0.6 V en rgime linaire) et IB < 0.
IV-2/ Fonctionnement en amplification (rgime linaire) : Le point P est en (A)
Le point P est choisi dans la partie horizontale de la caractristique IC = f(VCE). Le transistor est un amplificateur de
courant
(IC = IB) command par le courant IB. Ce rgime est dit linaire et la tension VBE =0.6 V pour le transistor NPN.
IV-3/ Fonctionnement en commutation
Saturation : le point P est en (S)
Le point P est choisi dans la partie verticale des caractristiques IC =f(VCE) : tout accroissement de IB est sans effet sur IC.
Le transistor satur est un interrupteur ferm entre collecteur et metteur.
On a VCE = VCEsat 0.
Condition de saturation IC (=ICsat) < IB.
On a aussi (pour un transistor NPN) VBE > 0.6 V.
Blocage : le point P est en (B)
Le point P est choisi sur l'axe horizontal VCE
Le transistor bloqu est un interrupteur ouvert entre collecteur et metteur.
On a IB 0 et IC 0
Pour un transistor NPN, IB 0 (ou IB < 0). On aussi VBE < 0 ; (VBE = 0.5 V suffit pour bloquer le transistor).
Pour un transistor PNP, le courant IB > 0.
Le tableau suivant regroupe trois montages de polarisation du transistor bipolaire (NPN). L'avantage de ces montages c'est
l'utilisation d'une seule alimentation.
23

Par rsistance de Base

Par le collecteur

Par pont de rsistance

VCC

VCC

VCC
RB

RC

RB

IC

IB

R1

RC

RC
IC

IC
IB
VCE

VBE

VCE
VBE

VCC = RBIB +VBE


VCC = RCIC + VCE
IB =

VCC - VBE
V
CC
RB
RB

VCC=15V et VBE=0.6V VBE <<VCC


IB est trs stable, il ne dpend que des
lments extrieurs. Si RB est trs
grande IB est constant.
L'entre du transistor est polarise par
un gnrateur de courant.

VCE

VCC = RC (IC+IB) + VCE


IB<<IC VCC = RCIC + VCE
VCC = RC(IC+IB) + RB IB + VBE
= (RC+RB) IB + IBE
Sachant que IC = IB

VBE
R2

RE

Le montage de polarisation par pont


peut tre remplac par un schma
quivalent (Thvenin)
On suppose RE faible
RB = R1//R2
VBB

R2
VCC
R1 R 2

VBE = VBB - R BIB

VCE = VCC R C + R E IC ; (IE ~IC)

IV-4/ Stabilisation thermique


IV-4-1/ Influence de la temprature
En ralit le courant collecteur IC n'est pas proportionnel au courant IE mais un autre courant ICB0 vient s'ajouter.
ICB0 est le courant de saturation inverse de la jonction BC polarise en inverse. Il dpend fortement de la temprature et
peut ainsi perturber la polarisation optimale dun montage transistor. Il existe une relation entre I CB0 est ICE0.
IC = IE + ICB0 = (IC + IB)+ ICB0
IC (1) = IB + ICB0
IC = IB + ( +1) ICB0 avec = / (1-)
On trouve alors : ICE0 = ( + 1)ICB0.
Ces relations rigoureuses ne sont utilises que dans ltude du comportement thermique des montages transistor. On peut
sen passer dans un premier temps, lorsquil sagit de polariser par exemple de tels montages.
- Montage Base commune
Le courant ICB0 reste ngligeable devant IC et IE.
- Montage Emetteur commun
Le terme (+1)ICB0 n'est plus ngligeable. Quand T augmente Risque de destruction du transistor.
IV-4-2/ Stabilisation thermique
- Par rsistance de collecteur RC
La puissance dissipe en rgime continu : P = VCE IC + VBE IB VCE IC = (VCC RCIC) IC
Pour IC =

VCC
V
V2
et VCE = CC , le puissance P est maximale: PMax = CC
2
2R C
4R C

La variation de IC (sous l'influence de T), la puissance dissipe dans le transistor ne dpasse pas P Max.
- Par rsistance metteur RE
On ajoute une rsistance RE entre l'metteur et la masse.
VBB = VBE + RBIB + RE IE = VBE + (RB+RE)IB + RE IC
VCC = VCE + RCIC + RE IE
24

IE = I C + IB
IC = IB + (+1)ICB0.
On note IC = S ICB0 + S' VBE
S et S' sont dfinis comme facteurs de stabilisation :

S=

IC
ICB0

et
VBE Cst

S' =

IC
VBE

ICB0 Cst

IC = IB + (+1)ICB0
0 = (RB + RE) IB + RE IC + VBE

+1
IC =
1+ R E
R R
E
B

ICB0 + R B + +1 R E

VBE

Si on considre un montage sans RE, on a : IC = +1 ICB0 + VBE


RB
L'introduction de RE dans le montage rduit les facteurs de stabilisation.

V/ Transistor bipolaire en rgime variable et faibles signaux


Aprs avoir dtermin ltat de fonctionnement du montage transistor bipolaire en rgime continu, on va mettre en
vidence dans cette partie les proprits de ce montage en rgime variable. On parle de lamplification.
V-1/ Mthode danalyse
Dans le montage transistor en rgime variable, on a ajout lentre une source variable (ex : une source de tension
variable e(t) = E sin(t)).
Si on considre lexemple de montage metteur commun, le point de repos est dtermin en mettant e(t)=0.
On obtient donc les coordonnes du point de repos P (I B0, IC0, VBE0, VCE0).
Lanalyse du montage en rgime variable peut tre effectue par deux mthodes :
V-1-1/ Mthode graphique
En rgime dynamique, on prend le point de repos comme nouvelle origine.
On crit les quations de la droite de charge dynamique et de la droite d'attaque dynamique
vce(t) = -RC ic(t)
vbe(t) = e(t) RB ib(t)

vCE(t) = VCC RC iC(t)


vBE(t) = e(t)+VBB RB iB(t)

Le point P se dplace sur la droite de charge dynamique entre P 1 et P2. La droite de charge dynamique est confondue
avec celle en rgime statique.
Le point E de la droite d'attaque dynamique se dplace entre E 1 et E2. La droite d'attaque dynamique se dplace
paralllement elle-mme.
Le point T se dplace entre T 1 et T2 sur la courbe de la fonction de transfert ic=f(ib).

25

V-1-2/ Mthode analytique


Le transistor bipolaire mont en EC, BC ou CC peut tre considr comme un quadriple caractris par la matrice
hybride [h]. Il est reprsent, en rgime variable faibles signaux et basses frquences, par le schma quivalent :
Montage metteur commun
h11e

ib

h12evc
vb

vbe = h11e ib + h12e vce


ic = h21e ib + h22e vce

Montage base commune


(-ie)

ic
h21ei
b

h11b
h12bvcb

h -1
22e

vce

Montage collecteur commun


ic

h21b(-ie)

ve
b

veb = h11b (-ie) + h12b vcb


ic = h21b (-ie) + h22b vcb

h11c

ib

h12cve
h -1
22b

vc
b

vb

(-ie)
h21ei
b

h -1
22c vec

vbc = h11c ib + h12c vec


(-ie) = h21cib + h22c vec

Pour pouvoir analyser un transistor par le modle hybride il faut que :


- Le signal d'entre soit faible
- On dtermine le point de fonctionnement (en statique)
- En rgime dynamique on ne tient compte que des grandeurs variables dans le temps ib, ic, vce et vbe.
Les paramtres hybrides (hije), (hijb) et (hijc) ne sont pas indpendants mais sont lis entre eux par des relations quon
rsume dans le tableau suivant :
NB : hije hijb hijc

26

h11e
h12e
h21e
h22e

EC
h11e
h12e
h21e
h22e

h11b

h11e
h12e 1 h11eh 22e

h12b
h21b

h11b
h12b

h 21e + h11eh 22e

h21b

h12e 1 h11eh 22e

h22b

h 22e

h12e 1 h11eh 22e

h11c
h12c
h21c
h22c

CC

h11e h 22e
h12e 1 h11eh 22e
-

h22b

BC

h11e
1-h12e
-(h21e + 1)
h22e

h11c
h12c
h21c
h22c

On suppose : h12b << 1 et h11bh22b << 1+h21b


VI/ Transistor en amplification
VI-1/ Dfinition
Un amplificateur est un systme qui pour de faibles signaux appliqus l'entre on obtient la sortie des signaux assez
forts.
VI-2/ Caractristiques d'un amplificateur transistor
Les grandeurs qui peuvent caractriser un amplificateur sont:
- Amplification de tension Av
- Amplification de courant Ai
- Impdance d'entre Re
- Impdance de sortie Rs
VI-3/ Exemple :
On considre un tage amplificateur base de transistor bipolaire mont en EC. On applique l'entre une tension variable
(ex: sinusodale) de frquence f et d'amplitude E, ve(t) = E sin (2f t). On insre dans le montage les capacits C1 et C2 dites
de couplage et CE dite de dcouplage. Travaillant avec de faibles signaux et basses frquences, ces capacits sont
considres comme des interrupteurs ouverts (en statique : f = 0) et comme des interrupteurs fermes en dynamique.
Les rsistances R1, R2, RC et RE permettent de fixer le point de fonctionnement.
En statique : C1, C2 et CE sont des circuits ouverts. Elles isolent le montage de l'entre et de la sortie. On dtermine le point
de fonctionnement P (IB0, IC0, VBE0, VCE0).
En dynamique : C1, C2 et CE sont des circuits ferms. Elles permettent de connecter le montage au gnrateur (e g,rg) et la
charge RL. Le transistor est caractris par la matrice hybride [h], on supposera h 12e = 0.
On ne considre que les grandeurs variables autour du point de fonctionnement. On remplace le transistor par son schma
quivalent et on cherche les grandeurs caractristiques de l'tage amplificateur.

VCC
R1

RC

ie

C2
C1

R1//R2
rg

h11e

h21eib

ve

rg
eg

is

ib

RL
R2

RE

eg

h -1
22e

RC

RL

CE

27

vs

- Gain en tension A v =

vs
:
ve

vs = -(RL//h22e-1 h21e)ib

ve = (R1//R2//h11e)ie = h11e ib
Av = -

1
L // h 22e

21e

si h22e-1>> RL : A v = -

h11e

- Gain en courant Ai =

is
ie

R L h 21e
h11e

ie et is sont respectivement courant d'entre et courant de sortie

ve
h
= 1+ 11e i b
R1 // R 2 R1 // R 2
vs
-R L
is = h 21e i b +
= h 21e i b +
is
-1
R C // h 22e
R C // h -1
22e

ie = i b +

is =

h 21e

RL
1+
-1

R
C // h 22e

ib

h 21e

h11e
RL

1+
1
-1
R C // h 22e
R1 // R 2
v
- Impdance d'entre Ze = e = R1//R 2 //h11e
ie

D'o : Ai =

- Impdance de sortie Zs =

vs
is

eg = 0

Pour calculer l'impdance de sortie, on enlve la charge RL et on court-circuite eg tout en gardant la rsistance interne du
GBF.
Le schma lectrique quivalent
On a: h11e ib = - rg //R1//R 2
D'o : Zs =

vs
is

ib = 0

is

ib
R1//R2

= R C //h -1
22e
eg = 0

h11e

h21eib

rg

vs
RC

h -1
22e

VI/ Transistor bipolaire en hautes frquences


VI-1/ Rappel : Effet Miller
On considre un quadriple Q de gain en tension Av. On lui ajoute un lment de raction de la sortie l'entre.
Soit Zr l'impdance de l'lment de raction et Yr son admittance.
On peut reprsenter le schma prcdent par un autre schma quivalent.

Yr
i
v1

i'
Av

v2

RL

i
v1 Ya

i'
Av

Yb

v2

RL

28

A l'entre :

i = Yr v1 - v2

v
Ya = Yr 1 - A v
Av = 2

v1

A la sortie :

i' = Yr v2 - v1

v
Yb = Yr
Av = 2

v1

1
1 - A
v

Exemple :
Yr = C
Av = - Av

et A v >>1

Ya = C 1 A v

C A v

1
Yb = C 1+
C
A
v

La capacit injecte l'entre est multiplie par |Av|, elle devient trs grande Elle risque de court-circuiter le montage.
A la sortie la mme capacit ne change pas.
VI-2/ Schma naturel du transistor en HF
Quand on travaille en HF, les impdances des capacits de jonction ne sont plus ngligeables. Cela entrane une grande
influence sur le gain. Le transistor n'est plus reprsent par son schma lectrique quivalent et ses paramtres hybrides
mais par son schma naturel dit de "Giacoletto".
CC
rBB'
B'

C
rB'C

rB'E

vbe

gmvb'e

rCE

CE

vce

E
rBB' : rsistance due l'existence d'un chemin ohmique dans le semi-conducteur entre B et B'.
gm : facteur de proportionnalit entre les porteurs injects et vB'E.
rB'E : rsistance entre B' et E qui reprsente les effets de recombinaison
rB'C : rsistance due l'effet de raction de la sortie sur l'entre (effet early)
rCE : rsistance de sortie
Les capacits CC et CE sont des capacits des jonctions BC et BE.
Ordre de grandeur: gm = 50 mA/V, rBB' = 100, rB'E = 1 k, rCE = 80 k, rB'C = 4 M, CC = 3F et CE = 100pF
VI-3/ Relation entre les paramtres hybrides et les paramtres du schma naturel
En basses frquences, le transistor bipolaire peut tre reprsent soit par le schma quivalent ou par le schma naturel
en supposant les capacits CE et CC comme des circuits ouverts.

h11e

ib

h12evc
vb

rB'

rBB'

h21ei
b

ib

ic

Schma quivalent

h -1
22e vce

vb

ic
gmvB'E

rB'E

rCE

vce

Schma naturel

vbe = h11e ib + h12e vce


ic = h21e ib + h22e vce
29

On suppose rB'C >> rB'E et rB'C >> rBB'


h11e =

h 21e =

h 21e =

h 21e =

vbe
ib
ic
ib

vce 0

vce 0

v be
vce
ic
vce

ib 0

rB'C est trs grande

v BE = rBB' + rB'E i b

h11e = rBB' + rB'E

v b'e = rB'E i b

ic g m v b'e

h 21e = g m rB'E

v be
rB'E
=
vce
rB'E + rB'C

h12e =

rB'E
rB'C

h 22e =

1
rB'E
1
+ gm
+
rCE
rB'E + rB'C
rB'E + rB'C

ic =
ib 0

vce
vce
rB'E
+ gm
vce +
rCE
rB'E + rB'C
rB'E + rB'C

VI-4/ Etude d'un amplificateur en HF


Dans le montage suivant on tient compte de la charge et la rsistance interne du GBF

Rg

vg

rBB'

B'

CC

ic

gmvB'E

rB'E

RC

CE

vs

E
On suppose
On note

rB'C >> rB'E et rCE >> rB'E


YC = jCC, YE = jCE , gB'E = rB'E-1 et G'g = (rg + rBB')-1

Gain en tension A v =

vs
vg

Au point B' :
ig = i1 + i

vg - vb'e Gg' = vb'e gB'E + YE + vb'e - vs YC

vg G g' = vb'e gB'E + Gg' + YE + YC - YC vs

Au point C :
g m vB'E = i + ic = vB'E - vs YC -

D'o :

1
vs
RC

G 'g g m YC R C
vs
=vg
YE YCR C +YE +YC +YCR C g m +g B'E G g' +G g' +g B'E

On peut crire ce gain sous la forme:

k s s0
vs
=
vg
s s1 s s2

s0 = gm/CC et k = G'g/CE
s1 et s2 sont des racines du dnominateur (des ples de vs/vg).

30

CHAPITRE IV : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (TEC)


FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
I/ Introduction
Le transistor unipolaire ou TEC (FET) est bas sur la modulation ou "variation" par champ lectrique transversal de la
section conductrice du barreau semi-conducteur. On appelle unipolaire car son fonctionnement ne fait intervenir qu'un seul
type de porteurs de charges majoritaires. Contrairement au transistor bipolaire qui est command en courant, le TEC, bien
qugalement gnrateur de courant, est quant lui command en tension, do son nom de Transistor Effet de Champ.
Il existe deux type de FET :
- JFET : transistor ralis base d'une jonction
- MOSFET : transistor ralis base de juxtaposition de Mtal/Oxyde/Semi-conducteur.
II/ Caractristiques du FET
- Son fonctionnement dpend uniquement du flux des majoritaires.
- Il possde une forte impdance d'entre (MW).
- Bruit faible.
- Il n'y a pas de raction de la sortie sur l'entre.
- Il possde une bonne rponse frquentielle.
- Trs facile raliser. Dans sa forme intgre, il occupe moins d'espace.
III/ Transistor JFET
III-1/ Structure du JFET canal N
Dans un barreau de silicium de type N, dont les extrmits constituent le drain (D) et la source (S), on ralise la diffusion
de deux zones de silicium de type P formant ainsi la grille (G). Sous la zone de grille se trouve le canal N du JFET. Le
silicium N du canal est donc pris en "sandwich" par la grille en silicium P.

Comme le montre la figure ci-dessous, les deux zones de charge d'espace des deux diodes PN cathode et anode
communes peuvent moduler l'paisseur du canal sous l'action du champ transversal cre par la tension ngative V GS.

En fonctionnement normal, la tension VDS doit tre positive alors que la grille doit tre absolument polarise ngativement
par rapport la source sous peine de destruction du composant.
Les caractristiques de sortie ID = f(VDS) VGS constante prsentent deux zones:
- Zone ohmique et de coude pour VDS < VDS sat = VGS - VPincement
- Zone de saturation ou de plateau pour VDS > VDS sat

31

III-2/ - Zone ohmique et de coude pour VDS < VDS sat = VGS - VPincement
III-2-1/ Zone ohmique

Lorsque la tension VDS est faible, l'paisseur e = f(VDS) du canal est alors uniforme et d'autant plus faible que la tension
VGS est ngative.
Lorsque la tension VGS = VP tension de pincement, le canal a une paisseur e nulle, le JFET est bloqu, soit I D = 0. La
tension de pincement VP est une donne fondamentale pour le JFET.
III-2-2/ Zone de coude
Lorsque la tension VDS augmente, l'paisseur du canal dpend la fois des tensions :
- VDS qui se rpartit dans le canal.
- VGS par cration d'une zone de charge d'espace
Par exemple, appliquons une tension VDS = 2V, la grille n'tant pas connecte. La tension VDS se rpartie linairement dans
le canal.

32

Appliquons maintenant une tension VGS de -2 V > VP et dcoupons le canal et la grille en n diodes PN. Compte-tenu des
tensions appliques, la figure ci-dessous donne une image lectrique de la tension inverse des diodes considres (n=5).

Les diodes qui sont situes prs du drain sont plus fortement bloques que les diodes situes du ct de la source car
soumises une tension inverse plus importante. Le canal a donc tendance se rtrcir du ct drain. Le canal prend alors la
forme d'un entonnoir. La rsistance du canal n'est plus linaire, on dcrit alors la zone de coude des caractristiques.
Dans la zone ohmique :
0 VDS VDSsat et -VP VGS 0
IDS

VGS

= IDSS 1+

VP

V VDS
- 1 GS

VP

Dans la zone de coude :


VDS VDSsat et -VP VGS <0
V
IDS = IDSS 1+ GS
VP

On dfinit la transconductance gm par :


gm =

ID
VGS

g m = g m0

VDS =Cste

V
1+ GS

Vp

avec g m0

2IDSS
Vp

IV/ Circuits de polarisation


IV-1/ Limite d'utilisation
La puissance dissipe dans le JFET est P = ID VDS. Elle doit tre toujours infrieure P max
Le courant ID et la tension VDS ne doivent pas aussi dpasser respectivement les valeurs maximales IDmax et VDSmax.
Dans le rseau de sortie on peut donc limiter la zone d'utilisation du JFET.

33

VDS

IV-2/ Polarisation de grille

VDD/RD

VDD
RD
RG
VGG

VDS

VGS

ID

VGS
-VGG
ID =

Droite de charge :

VDD

1
V
VDS + DD
RD
RD

Droite d'attaque :
VGS = - VGG
Le courant IG est presque nul
VDS

IV-3/ Polarisation mixte (par un pont diviseur)


VDD
R1

RD

R2

RS

VGS
VDD

Droite de charge :

Droite d'attaque :

ID =

1
V
VDS + DD
RD
RD

ID

1
R 2 VDD
VGS
RS
R1 R 2 R S

ID

VDDR2/(R1+R2)

IV-4/ Polarisation automatique


VDD
Droite de charge : ID

1
1
VDS
VDD
RS R D
R D RS

Droite d'attaque : ID

1
VGS
RS

RD

RG

RS

Le rle de RS est de rgler le point de fonctionnement au milieu de la caractristique I D=f(VDS)

34

V/ Etude dynamique du JFET


V-1/ Modle en basses frquences et faibles signaux
Le JFET peut tre considr comme un quadriple que l'on dfinit par les quatre paramtres conductances g ij (i,j =1,2).
ig g11 g12 vgs


id g 21 g 22 vds

ig = 0 g11 = 0 et g12 = 0
On note g21 = gm
la transconductance
et g22 = rds-1
la conductance du drain (rds la rsistance du drain)
V-2/ Schma quivalent
D

G
vgs

gmvgs

rds

vds

S
V-3/ JFET en amplification
V-3-1/ Exemple 1
On considre le montage suivant
C1 et C2 sont des capacits de couplage
CS est la capacit de dcouplage
- En rgime statique, les capacits sont des circuits ouverts.
On dtermine donc le point de fonctionnement P (VGS0, VDS0, ID0) du JFET.
- En rgime dynamique, les capacits sont des circuits ferms
On remplace le transistor JFET par son schma quivalent

VDD

R1

id

R1//R2

ve

gmvgs

rds

C2

RS

CS

C1

ve

ie

RD

vs
R2

is

RD

vs

ve = vgs
rds // RD RD (rds >> RD)

le gain en tension A v =

vs
= g mR D
ve

vs = - RD id = - RD gm ve
L'impdance d'entre Ze =

ve
= R1 // R 2
ie

L'impdance de sortie Zs =

vs
is

= rds // R D R D
ve 0

35

V-3-2/ Exemple 2
Montage avec rsistance de stabilisation R
VDD
RD

R1

gmvgs
C2

rds

C1
ve

RD
R1//R2

R
ve

vs

R2
RS

vs

CS

V-4/ JFET en rgime variable et hautes frquences


En fonctionnement normal, les jonctions Grille-Canal et Substrat-Canal sont polarises en inverse. Il apparat donc des
effets capacitifs dans le JFET entre Grille-Source, Grille-Drain et Drain-Source.
Le schma lectrique du JFET en HF :

CGD
G

D
rGD

vgs

rGS

gmvgs

rDS

CGS

CDS

vds

Les capacits de faibles valeurs permettent l'utilisation du JFET dans le domaine HF


Quelques ordres de grandeurs :
gm = 0.1 10 mA/V
rDS = 0.1 1 M
rGS > 108
CDS = 0.1 1pF
rGD> 108
CGS, CGD = 1 10 pF

V-5/ Exemple : Amplificateur en source commune


Soit le montage suivant :
VDD
RD

vs

ve

Le gain en tension A v
On pose :
YGS = jCGS

CGD

ve

gmvgs
CGS

id
CDS
rDS

RD
vs

vs vds

ve vgs

YGD = jCGD

YDS = jCDS

gDS = 1/rDS

YD = 1/RD
36

id = -YD vs = vs (gDS + YGD) +gm vgs YGD (vgs vds)


On obtient :
vgs (-gm + YGD) = vs (gGS + YD + YDS + YGD)
D'o le gain en tension :
Av

YGD g m
gGS YD YDS YGD

En basses frquences YDS = YGD =0


Av

r R
gm
g m DS D
g DS YD
rDS +R D

Impdance d'entre

Ze

ve
YGS YGD 1 A v
ie

Impdance de sortie

Zs

vs
is

g DS YDS YGD YD
ve 0

37

CHAPITRE V : LA CONTRE REACTION


I/ Introduction la raction
On trouve le principe de la raction dans plusieurs systmes (mcanique, thermodynamique, lectronique.). Lorsqu'un
systme ragit sur la grandeur d'entre selon la grandeur de sortie on dit qu'il y a raction de la sortie sur l'entre.
Dans notre cas, on s'intresse aux circuits amplificateurs. On dit qu'il y a une raction dans un amplificateur lorsqu'une
fraction de la grandeur de sortie se trouve rinjecte dans le circuit d'entre.
La contre raction est une partie de la raction.
II/ Classification des amplificateurs
Il existe quatre types d'amplificateurs :
- Amplificateur de tension
- Amplificateur de courant
- Amplificateur de transconductance
- Amplificateur de transmittance
II-1/ Amplificateur de tension : A v

ve vg

Re
R e rg

vs A v v e

RC
RC Rs

si R e rg

(entre : tension, sortie : tension)


(entre : courant, sortie : courant)
(entre : tension, sortie : courant)
(entre : courant, sortie : tension)
vs
ve

ve vg

Rs

rg
si R C >> R s

ve

vs A vv e

Re

RC

Avve

eg

vs

Un amplificateur de tension idal possde une rsistance d'entre infinie et une rsistance de sortie nulle.

II-2/ Amplificateur de courant : Ai

is
ie

ie
ie ig

rg
rg R e

i s A ii e

Rs
Rs RC

si rg R e

ie ig

si R s >> R C

i s A ii e

is
Aiie

ig

R
Ree

rg

Rs

RC

Un amplificateur de courant idal possde une rsistance d'entre nulle et une rsistance de sortie infinie.

II-3/ Amplificateur de transconductance : G m

is
ve

is

ie
Gmve

rg
ve
eg

Re

Rs

RC

L'amplificateur de transconductance idal possde une rsistance d'entre infinie et une rsistance de sortie infinie.
II-4/ Amplificateur de transmittance : R m

vs
ie

38

ie

is
Rs

ig

rg

RC

Re

vs

Rmie

L'amplificateur de transmittance idal possde une rsistance d'entre nulle et une rsistance de sortie nulle.
III/ Principe de la raction
Un montage raction comprend trois parties essentielles :
- Chane directe : amplificateur de base
- Chane de raction : quadriple passif
- Comparateur d'entre : il permet la rinjection d'un terme de raction dans le circuit d'entre.
Cette rinjection peut tre :
- Additive
: c'est la raction positive
- Soustractive
: c'est la raction ngative ou la contre raction (CR)
On s'intresse dans cette partie la contre raction.
On note :
Xg : grandeur d'entre
Xr : grandeur de sortie de la chane de retour
Xs : grandeur de sortie
Xe = X g Xr
A : fonction de transfert (gain) de la chane directe (en boucle ouverte) : A =
B : fonction de transfert de la chane de retour : B =

Xr
Xs

Ar : fonction de transfert du circuit en boucle ferme : A r =


Xg = Xe + X r =

1
Xs + B Xs
A

Ar =

Xs
Xe

Xs
Xg

A
1+BA

Deux cas peuvent se prsenter :


- |1+BA| > 1 |Ar| > |A| la raction est positive
- |1+BA| < 1 |Ar| < |A| la raction est ngative

IV/ Types de contre raction


Il existe quatre types de contre raction :
IV-1/ Contre raction tension-tension (srie parallle)
La grandeur d'entre est une tension
La grandeur de sortie est une tension
L'amplification est de tension : Av
La chane de retour : B =

vr
vs

IV-2/ Contre raction courant-courant (parallle srie)


La grandeur d'entre est un courant
La grandeur de sortie est un courant
L'amplification est de courant : Ai
La chane de retour : B =

vg

ir
is

ig

ve

Av

vr

RL

ie

is
Ai

ir

vs

RL

39

is
IV-3/ Contre raction tension-courant (srie srie)
La grandeur d'entre est une tension
La grandeur de sortie est un courant
L'amplification est de transconductance : G m

vg

v
La chane de retour : B = r
is

ve

Gm

vr

ig
IV-4/ Contre raction courant-tension (parallle parallle)
La grandeur d'entre est un courant
La grandeur de sortie est une tension
L'amplification est de transmittance : Rm

ie
Rm
ir

i
La chane de retour : B = r
vs

On dfinit le taux de raction par le rapport


En dB N = 20 log

RL

RL

vs

Ar
1
=
A
1 + BA

Ar
1
= 20 log
A
1 + BA

Si N > 0, la raction est positive


Si N < 0, la raction est ngative
IV-5/ Avantage de la contre raction
Elle permet de rduire certains dfauts (distorsion su signal, bruit) qui peuvent apparatre lors de l'tude de
l'amplificateur en boucle ouverte.
IV-5-a/ CR et distorsion
Lorsqu'on augmente par exemple l'amplitude de la tension d'entre d'un amplificateur, on peut atteindre les rgions de
saturation ou de blocage.
On note la distorsion en boucle ouverte : d=
Avec l'expression A r =

A
A

et en boucle ferme d r =

A r
Ar

A
1
d
, on en dduit : d r =
1+BA
1+BA

La contre raction permet donc la rduction de la distorsion.


IV-5-b/ CR et bruit
Le bruit est dfini comme un signal parasite. Il peut tre de deux origines : externe (metteur, radar) ou interne
(alimentation, dfaut...).
On note l'amplitude du bruit en boucle ouverte : b et en boucle ferme : b r
On obtient donc la relation br =

1
b.
1+BA

IV-5-c/ CR et bande passante


On note fCB et fCH les frquences de coupure respectivement basse et haute d'un amplificateur en boucle ouverte.
En basses frquences on peut crire l'amplification sous la forme A =
En boucle ferme A r =

K
1 j

fCB
f

, K est une constante.

A
1+BA

Si on suppose B rel on obtient donc A r =

Kr
f'
1-j CB
f

'
=
avec Kr une constante et fCB

1
fCB
1+BA

La contre raction diminue la frquence de coupure basse.


En hautes frquences, l'amplification en boucle ouverte peut s'crire sous la forme A =

K
1 j ff

CH

Kr
et en boucle ferme A r =
1 j 'f

'
= 1+BA fCH .
avec fCH

fCH

La contre raction augmente la frquence de coupure haute.


40

V/ Influence de la contre raction sur les impdances d'entre et de sortie


V-1/ Impdance d'entre
Si l'entre est tension (srie), la contre raction augmente l'impdance d'entre.

Zer Ze 1+BA

Si l'entre est courant (parallle), la contre raction diminue l'impdance d'entre.

Zer

Ze

1+BA

V-2/ Impdance de sortie


Si la sortie est tension (parallle), la contre raction diminue l'impdance de sortie.

Zsr

Si la sortie est courant (srie), la contre raction augmente l'impdance de sortie.

Zsr

Zs

1+BA
Zs 1+BA

VI/ Mthode d'analyse des amplificateurs contre raction


a- Dterminer la topologie de la CR
b- Diviser l'amplificateur en deux blocs sparant l'amplificateur de base et la chane de retour
c- Etablir le schma de l'amplificateur en boucle ouverte (la CR rduite zro), pour cela on procde de la faon suivante :
- Circuit d'entre :
Si la sortie est tension (parallle) on met vs =0
Si la sortie est courant (srie) on met is =0
- Circuit de sortie :

Si l'entre est tension (srie) on met ie =0


Si l'entre est courante (parallle) on met ve =0.
d- Dterminer l'amplification en boucle ouverte A
e- Dterminer la fonction de transfert de la chane de retour B
f- Dduire l'amplification en boucle ferme A r =

A
1+BA

VDD
Exemple :
On considre le montage amplificateur drain commun
D'aprs sa topologie la CR est du type tension-tension
On considrera l'amplification en tension Av
A vr =

Av
1 + B Av

Zer Ze 1+BAv

Zsr

vg
Zs

vg

vr
=1
vs

Le gain en tension en boucle ferme : A vr

vs

ve

Le montage de l'amplificateur de base (boucle ouverte)


et son schma quivalent en basses frquences et faibles signaux :

La fonction de transfert : B

vs

1+BA v

Circuit d'entre (sortie tension), on met vs = 0


Circuit de sortie (entre tension), on met ie = 0

Le gain en tension en boucle ouverte : A v =

RS

vr

RS

vs
r R
= g m DS
vgs
rDS R

g m rDS // R
vs
Av
=
=
ve
1+B A v
1 g m rDS // R

L'impdance d'entre en boucle ouverte :


L'impdance d'entre en boucle ferme :
L'impdance de sortie en boucle ouverte :

Ze =
Zer =
Zs = rDS//R

L'impdance de sortie en boucle ferme :

Zsr

Zs
1 BA v

vgs

gmvgs

rds

vs

RS

41

CHAPITRE VI : AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL


I/ Dfinition :
L'amplificateur diffrentiel est un dispositif lectronique deux entres et deux sorties. Il est aliment par deux sources
d'alimentations de tensions opposes : +VCC et VEE (le plus souvent VCC = VEE). Ceci pour viter les circuits de
polarisation habituels (entre base et masse) et les condensateurs de liaisons dans les bases des transistors. Aussi, ce
montage offre la possibilit, sous certaines conditions, d'amplifier la tension diffrentielle d'entre V ED = VE1-VE2.
La prsence des deux sorties VS1 et VS2 offre l'utilisateur deux possibilits d'exploitation :
- Lorsque la diffrence VSD des deux sorties VS1 et VS2 est utilise, le montage est dit symtrique. L'ventuel tage
amplificateur suivant comportant alors deux entres doit tre aussi du type diffrentiel.
- Lorsqu'on utilise uniquement la sortie VS (ou VS) le montage est dit dissymtrique. Ce mode de fonctionnement est celui
des amplificateurs oprationnels qui comportent deux entres (+ et ) et une seule sortie VS.
Le mode diffrentiel a pour fonction principale l'amplification de la tension diffrentielle d'entre VED. Il est caractris par
son gain diffrentiel Ad dfini par : Ad

VSD
V VS2
S1
VED
VE1 VE2

Cependant le montage est aussi sensible la somme des tensions continues d'entres (V E1 + VE2). En effet, les entres VE1
et VE2 peuvent varier tout en conservant une diffrence constante. On parle alors de "mode commun" caractris par le gain
de mode commun Ac dfini par : Ad

VS1 +VS2
VE1 VE2

A l'aide des expressions de Ad et Ac, on peut calculer les tensions VS1 et VS2 :

1
Ad VE1 VE2 A c VE1 VE2
2
1
VS1 Ad VE1 VE2 Ac VE1 VE2
2
VS1

On dfinit aussi le coefficient de qualit du montage (Rapport de Rjection du Mode Commun) par : = RRMC =

Ad
Ac

Un amplificateur diffrentiel de bonne qualit doit avoir un > 80 dB.


II/ Amplificateur diffrentiel en mode continu
La figure ci-dessous reprsente le schma de base d'un amplificateur diffrentiel transistors bipolaires NPN. On suppose
que les transistors sont rigoureusement identiques et soumis la mme temprature soit 25C. Les rsistances RC et R
assurent, la polarisation des transistors. Les tensions d'entre VE1 et VE2 sont des tensions continues de valeurs diffrentes.

IC2

IC1
RC

+VCC

RC
VSD

B1

T1
VBE1

VS1

B2

T2
VBE2

VE1

VS2
VE2

R
I0
-VEE

Pour obtenir le point de repos des deux transistors, on relie les bases B 1 et B2 la masse de telle sorte que la tension
diffrentielle d'entre soit nulle.
VBE

VT

Les transistors T1 et T2 obissent la loi : IC IS exp

Sachant que les deux transistors sont identiques, on a de plus I S1 = IS2 (mme courant inverse de saturation de la jonction
bloque base-collecteur).

II-1/ Analyse du montage en "mode diffrence"


42

En mode diffrence, on applique la base B1 la tension VE1 et la base B2 la tension VE2 = -VE1. Les courants IC1 et IC2
sont donc diffrents. Cependant leur somme est toujours gale I 0. (On suppose =1 donc IC1IE1 et IC2IE2; IE1+IE2=I0)
VBE1

VT

On a : IC1 IS exp

I C2 IS exp BE2
VT

et

Sachant que : VED = VBE1 VBE2 et

V VBE2
IC1
IS exp BE1

IC2
VT

soit

IC1 + IC2 = I0, on obtient les relations :

I0
IC1
V
1+exp ED
VT

et

IC2

I0
V
1+exp ED
VT

L'volution des courants IC1 et IC2 en fonction de la tension VED est de la faon suivante :

Pour des tensions VED comprises entre -25 mV et 25 mV, la figure ci-dessus indique que les courants IC1et IC2 sont
sensiblement proportionnels VED (pour VED =0 on trouve les courants IC0 de repos).
Au voisinage de VED = 0, les courants IC1 et IC2 s'crivent :
IC1

I0
I
VED 0
4VT
2

et IC2

I0
I
VED 0
4VT
2

Recherchons l'expression de la tension diffrentielle de sortie VSD dans la zone de linarit.


On a : VS1 = VCC RCIC et VS2 = VCC RCIC
VS1-VS2 = - RC (IC1-IC2)
VSD VS1 VS2

I0 R C
VED
2VT

Dans la zone de linarit, le gain diffrence de l'amplificateur diffrentiel est tel que : Ad
On dfinit par gm la transconductance ( g m

I0
RC
2VT

I0
), on peut crire donc : Ad = gm RC
2VT

II-2/ Analyse du montage en "mode commun"


En mode commun, on applique la base B 1 la tension VE1 et la base B2 la tension VE2=VE1. Dans ce cas les courants
collecteurs IC1 et IC2 sont gaux I0/2.
I0
I
VS2 VCC R C 0
2
2
On en dduit : VS1 VS2 2VCC R CI0
VS1 VCC R C

Sachant que : I0

VEE

VE1 VE2 V
2
R

BE

, on obtient : VS1 VS2 2VCC

VE1 VE2 V
RC
VEE
BE

R
2

La somme des tensions de sortie est donc proportionnelle la tension commune d'entre. Le coefficient de proportionnalit
reprsente le gain en mode commun Ac

RC
.
2R

II-3/ Tension rsiduelle de sortie : Voffset (en mode continu)


S'il y a une parfaite symtrie, en mettant les entres la masse on doit avoir VS1 = VS2 (VSD = 0). Or en ralit VSD 0.
La tension offset Voffset est la tension VED diffrentielle applique entre les deux entres pour obtenir une tension V SD nulle.

III/ Amplificateur diffrentiel en mode sinusodal petits signaux


43

Le montage AD est excit par deux tensions sinusodales de mme frquence et telles que leur diffrence amplitude soit
comprise dans la zone de linarit :
- l'entre B1 : ve1 = Ve1 sin(t)
- l'entre B2 : ve2 = Ve2 sin(t)
Le schma quivalent du montage en rgime sinusodal faibles signaux :
Les deux transistors sont caractriss par les paramtres hybrides (hij), on supposera h12=0 et h22=0.

ib1

h21ib1

vs1

vs2

h21ib2

h11

ib2
h11

ve1

ve2
RC

RC

III-1/ Analyse du montage en mode diffrence


On suppose ve1= ve2
ved = h11 (ib1 ib2)
vs1 vs2 = h21 RC (ib1 ib2)

vs1 = h21 RC ib1

vs2 = h21 RC ib2

On en dduit Ad

vs1 vs2
R
h 21 C g mR C
ved
h11

Sachant que : g m

IC0
I
, o IC0 = I0/2, il vient alors : Ad 0 R C
VT
2VT

On obtient la mme expression que celle tablie en mode continu


Les courants ib1 et ib2 sont opposs, la rsistance d'entre diffrentielle Red du montage est dfinie par : R ed

ved
2h11
i b1

Pour obtenir une rsistance diffrentielle importante, il faut choisir des transistors gain en courant lev et polariser avec
un courant de repos de collecteur faible.
III-2/ Analyse du montage en mode commun
On suppose ve1 = ve2
Les courants ib1 et ib2 sont gaux ib.
On a encore : vs1 = -h21 RC ib
vs2 = -h21 RC ib

donc vs1 + vs2 = 2 h21 RC ib.

h 21R C
Le gain en mode commun : Ac
h11 2R h 21 1

44

CHAPITERE VII : AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL


I/ Introduction
L'amplificateur oprationnel est un composant actif (il est ralis partir de transistors). Pour fonctionner, il doit tre
polaris l'aide de deux tensions opposes (+VCC et VCC).
L'AO est un circuit intgr monolithique (homogne). Il est constitu de trois parties :
- Un amplificateur diffrentiel : il amplifie la diffrence des tensions d'entres.
- Un amplificateur intermdiaire : c'est un amplificateur de tension dont le gain est assez important.
- Un amplificateur de sortie : c'est un amplificateur de puissance. Le signal amplifi la sortie est sous une faible rsistance
Suivant le montage ralis, il peut fonctionner en amplificateur (zone linaire) ou en comparateur (zone de saturation).
Le composant est symbolis par :

Dans la pratique, l'amplificateur oprationnel utilis comme amplificateur est toujours associ d'autres composants
(rsistances, capacits,).
Remarque : Il arrive que l'AOP polaris en zone linaire, fonctionne en saturation, quand la tension d'entre conduit une
tension de sortie qui doit dpasser la tension de polarisation V CC en valeur absolue.
Un AOP idal possde :
- Un gain A infini
- Une rsistance d'entre Re infinie
- Une rsistance de sortie Rs nulle
- Un facteur de rjection infini
- Une bande passante infinie

Un AOP rel possde :


- Un gain A ~ 105 106
- Re ~ 100 k 1 M
- Rs ~ 10 200
- Une bande passante ~ MHz (en petits signaux)

Exemple : Le A 741 : Il est sous forme d'un circuit intgr 8 pattes.

45

II/ Etude statique


Trois dfauts de l'AOP :
- Tension offset : tension de dcalage
- Courant de polarisation
- Courant offset
On dit qu'un AOP est correctement polaris si la tension de sortie Vs est statiquement nulle.
II-1/ Tension offset : Voffset

VE1
VE2

VS

Si VE1 = VE2
VS = A (VE1 VE2)
En ralit VS = A (VE1 VE2 Voffset)
La tension Voffset est la tension appliquer entre les deux entres pour obtenir une tension nulle la sortie.

46

II-2/ Courant de polarisation IP et courant offset Ioff


On dispose l'tage d'entre de l'AOP de deux transistors donc de deux courants de base IB1 et IB2.
Ces deux courants sont gaux si les deux transistors sont identiques.
IB1 IB2
2

On appelle courant de polarisation la moyenne des deux courants de base tension de sortie nulle,

IP

On appelle courant d'offset la diffrence entre ces deux courants de base tension de sortie nulle,

Ioffset IB1 IB2

Ordres de grandeur :

Voffset
IP
Ioffset

~ 0.5 mV 10 mV
~ 10 nA 10 A
~ 20 nA 500 nA

II-3/ Montage de polarisation


Le montage de base de polarisation d'un amplificateur oprationnel est le suivant :
IP1
+

VS A Voffset

= V + V
V = R2 I1
I2 = (VS V)/R3

V+ = R1 IP1
I1 = IP2 I2

V
V
V R 2 IP2 S

R 3 R 3

VS

A
1 A

R2
R 2 R3

IP2

R1

R2

I2

VS

R3
I1

R 2R 3
R2
IP2
VS
R 2 R3
R 2 R3

R 2R 3

1 R 2R 3
R1 IP
R1 Ioffset Voffset

R 2 R3

2 R 2 R3

Si A est trs grand, VS 1

R 3 R 2R 3
1 R 2R 3
R1 IP
R1 Ioffset Voffset

R 2 R 2 R 3
2
R

R
3

Le dcalage sera minimum en sortie si :


R 2R 3

R1 0

R
3
2

R 2R 3

R R R1 Ioffset 0
3
2

Voffset 0
III/ Etude dynamique
Le montage en rgime dynamique : vs = f (ve1 , ve2)

R3

R1

R2

ve2

vs
ve1

R4

47

III-1/ Montage inverseur


On met ve1 = 0 et on cherche vs = f (0 , ve2)

R3

R1

On suppose que l'AOP est idal


vs

R2
R1

1
1

1
R2
1

A
R1

ve2

ve2

vs
R2

Av

Si A est trs grand

R4

vs
R
2
ve2
R1

III-2/ Montage non inverseur


On met ve2 = 0 et on cherche vs = f (ve1 , 0)
R3
R4
R2
1
vs
ve1
1

R3 R 4
R3
1
R
1 1 2
A
R1

Av

Si A est trs grand

R2

+
vs
R
1 2
ve1
R1

vs

R1

R4

ve1

Pour avoir un quilibre statique on prend R4=R1//R2


Le montage suiveur est un cas particulier du montage non inverseur
Il peut tre utilis comme adaptateur d'impdance
R1 = R4 =
R2 = R3 = 0
Av = 1

+
vs
ve1

III-3/ Rsistance d'entre


III-3-a/ Montage inverseur
R e R1

R2
1 A

si A est grand

Re = R1

III-3-b/ Montage non inverseur


Re = R3 + R4

48

III-4/ Impdance de sortie


III-4-a/ Montage inverseur

R2

R2
R1

is

R1

ve

Rs0

ve

Re0

is0
vs

+
vs

Re0 est la rsistance d'entre de l'AOP


Rs0 est la rsistance de sortie de l'AOP
La rsistance de sortie de l'tage inverseur est dfinie par : R s

vs
is

ve 0

On pose R'1 = R1// Re0

is

R1'
R1' R 2

vs

vs A Rs0is0

1 R s0
R'
1 ' 1 A vs
'
R s0 R1 R 2
R1 R 2

Si Re0>>R1 et Rs0 petite

is = i + is0

R s0

Rs
1 A

Rs

vs
'
R1 R 2

R1'
R1' R 2

R s0
R1' R 2

R s0
R1
1 A
R1 R 2

Pour le LM741 Rs0 = 150 et A = 105 Rs=0.003 .


III-5/ Limitation de L'AOP
III-5-a/ Limitation des tensions d'entre
Si la tension d'entre est forte on aura :
- Un effet de blocage
- Une dtrioration de l'tage diffrentiel d'entre
Les tensions d'entre ne doivent jamais tre suprieures la tension d'alimentation de l'AOP
III-5-b/ Limitation du courant de sortie
Pour limiter les courants forts dans l'AOP, on peut utiliser le circuit suivant :
R2
R1

R est faible et influe peu sur le gain

ve

+
R3

vs

49

IV/ Applications de l'AOP


On suppose que l'AOP est idal A = et = 0.
IV-1/ Additionneur

R1
R2

ve1

R
R
vs
ve1
ve2
ve3
R
R
R
2
3
1

R3
ve2

+
ve3

vs

IV-2/ Intgrateur

C
ve(t) = R i(t)
it C

vs(t) = u(t)

dvs t

dt

vs t

1
RC

v d + v 0
0

ve

+
vs

Le montage effectue l'intgration du signal un facteur d'chelle (1/RC) en fonction du temps avec condition initiale
vs(0).
IV-3/ Drivateur
R
u
u(t) = ve (t)
vs (t) = R i(t)
it C

du t
dt

vs t RC

dve t

C
ve

dt

+
vs

Le montage effectue donc une drivation du signal un facteur d'chelle (RC).

50

CHAPITRE VIII : OSCILLATEURS SINUSOIDAUX


I/ Introduction
Un oscillateur sinusodal est un circuit lectronique qui permet sous une excitation transitoire d'obtenir en sa sortie un
signal sinusodal en permanence. Le principe de ces circuits est bas sur une boucle de raction. Un systme muni d'une
boucle de raction peut devenir instable, on dit qu'il oscille.

II/ Stabilit des amplificateurs raction


Un amplificateur est dit stable si la rponse une perturbation transitoire de dure finie disparat aussitt que la
perturbation disparat.
Un amplificateur est dit instable si une telle perturbation transitoire produit sa sortie un signal qui persiste dfinitivement
ou augmente jusqu' ce que la non linarit du circuit la limite.
Si on considre un circuit muni d'une boucle de raction, on a :

Ar s

A0 s

1 B s A0 s

s = j

Avec : A0(s) : Amplificateur en boucle ouverte


Ar(s) : Amplificateur en boucle ferm
B(s) : Fonction de transfert du rseau de raction
Im[BA]
II-1/ Test de stabilit : diagramme de Nyquist
Il permet de dterminer si un amplificateur raction a un ple
ou des ples dans le demi plan de droite de la reprsentation
en coordonnes polaires de B(s)A0(s).
(1, 0)

Pour une frquence donne, on reprsente la partie relle sur l'axe des abscisses
et la partie imaginaire sur l'axe des ordonnes

Re[BA]
Quand f varie, on obtient une courbe ferme appele lieu de Nyquist
Pour f < 0 : le lieu se dduit par symtrie
Le point critique (-1 , 0) o 1+ B(s)A0(s) = 0 est la limite de stabilit.
II-2/ Critre de stabilit
Un systme est dit instable lorsque le lieu de Nyquist entoure le point critique.
Exemple :
Im[BA]

Im[BA]

(1, 0)

(1, 0)
Re[BA]

Re[BA]

Systme stable : (1, 0) n'est pas encercl

Systme instable : (1, 0) est encercl

Le nombre d'encerclements du point (1, 0) dans le sens horaire est gal la diffrence entre le nombre de zros et le
nombre de ples de 1+ B(s) A0(s) du demi plan de droite.
II-3/ Application
51

Supposons que le gain en boucle ouverte d'un circuit s'crit sous la forme : A s

1 j
c

K
avec = 1/c et s = j
1 s

Si le systme est muni d'une boucle de raction, le gain en boucle ferme est de la forme :
Ar s

A s

1 Bs A s

K
1 B s K s

On suppose que B est rel


BA = X + jY

BK
1 s

BK
1 22

1
1

2
2
X BK Y BK
2
4

1
2

1
2

C'est l'quation d'un cercle de centre BK,0 et de rayon BK .

=
X
c

Si BK > 0

tg Arg BA =

tg Arg BA 0 Arg BA

tg Arg BA 0

=0

X = BK

et

Arg BA
2

Imaginaire

Y=0

<0

La partie imaginaire est nulle


Le point critique est l'extrieur du cercle
Le systme est stable
(-1,0)

Rel
BK

Si 1 < BK < 0
raction positive
Le point critique est toujours l'extrieur du cercle
Le systme est aussi stable
>0
Si BK < 0
raction ngative
Encerclement du point critique (1,0)
Le systme est instable

III/ Oscillateur sinusodal raction


Le critre de Nyquist nous donne seulement si le systme est stable ou instable. Il ne donne aucune information sur
l'amplitude ni la forme ni la frquence d'oscillation.
Pour qu'un systme oscille, il faudrait un rservoir d'nergie qui servirait compenser l'amortissement du signal. Pour les
oscillateurs sinusodaux, ce rservoir d'nergie est en gnral un circuit slectif RLC. Le fait d'introduire le circuit RLC
donne la fonction de transfert complexe d'o une forme sinusodale.
Il existe deux types d'oscillateurs sinusodaux :
- deux bornes : ce sont des oscillateurs qui contiennent des lments pente ngative)
- quatre bornes : ce sont des amplificateurs raction o la chane de retour est un quadriple
On se limite aux oscillateurs quatre bornes : oscillateurs raction

52

Sa structure est base sur deux quadriples Q1 et Q2 monts en (//, //), Q1 est un amplificateur de base et Q2 le chane de
raction.
On dfinit par :
A : la fonction de transfert de l'amplificateur Q1
B : La fonction de transfert du rseau de raction Q2
La tension de sortie croit exponentiellement pendant un certain temps (rgime transitoire)
L'amplitude est limite par les non linarits des lments actifs.

Re([y]) = 0
Im([y]) = 0

i2

i1

On a:
i1 = 0
v1 et v2 non nulles
i2 = 0
Le dterminant de la matrice admittance : [y] = 0

Q1
(A)

v1

cette quation donne la frquence d'oscillation


cette quation donne les conditions
sur les paramtres de l'amplificateur de base Q1
pour le maintien des oscillations

v2

Q2
(B)

III-1/ Critre de Barkhausen :


Ce critre est bas sur les fonction de transfert A(j) et B(j)
Pour un systme boucl, on a : Ar s

A s

1 Bs A s

avec s = j

La condition d'oscillation : 1 B s A s 0
Pour qu'il y ait des oscillations sinusodales :

Re B s A s 1

Im B s A s 0

Deux conditions qu'un circuit doit remplir pour entretenir des oscillations.

Conditions pratiques
La frquence d'oscillation est dtermine partir de l'quation :

Im (B(s)A(s)) = 0

Le gain en tension est calcul de telle faon qu'elle compense l'attnuation due B : A

1
B

En pratique la relation |BA| = 1 n'est pas satisfaite d'une manire rigoureuse.


On posera = |BA|
- si < 1 vs = 0
pas oscillations
- si > 1 vs augmente exponentiellement
L'amplitude de vs est limite par la tension de polarisation du montage.
III-2/ Exemples d'oscillateurs sinusodaux
III-2-a/ Oscillateur dphasage
L'tage amplificateur possde un dphasage de . Le circuit de la boucle de raction est compos de trois cellules RC
monts en cascade et possde un dphasage de pour une frquence particulire f0.
L'amplificateur qu'on utilise est base d'un transistor JFET caractris par gm et rds.
VDD
RD
C

vs
RS

CS

53

On dtermine la fonction de transfert de la chane de retour B


i1
R i1 i 2
jC
i
R i1 i 2 2 R i 2 i3
jC
i
R i 2 i3 3 R i3 i g
jC
v 2 Ri3

v2
v1

On obtient donc :

rds

vs

RD

ig 0

avec

02

1 5 j 6
2

La partie imaginaire est nulle pour 6


Pour la frquence f0

gmvgs

vgs

v1

1
RC

v2

v1

6R 2C2
1
.
B
29

0
, la fonction de transfert
2

A = gm rds // RD.

L'tage amplificateur possde un gain en tension

Pour que les oscillations soient maintenues, il faut que : |BA| > 1

1
B

c..d |A| > 29.

III-2-b/ Oscillateur pont de Wien


Il est constitu d'un tage amplificateur non inverseur et d'une boucle de raction (pont de Wien), figure ci-dessous.

R1

R1

+
ve

R2

ve

vs

R2

C
vs

R
R

La fonction de transfert du rseau "pont de Wien" est :

B j

ve
jRC

(complexe)
vs jRC 1 jRC2

D'autre part le gain en tension de l'amplificateur est :

Av 1

R1
(rel)
R2

La condition pour avoir des oscillations : |BAv| 1


La partie imaginaire de BAv est nulle, ceci donne la frquence d'oscillation f0
Pour la valeur de 0 la fonction de transfert B 0

0
1

2 2RC

1
et Av 3.
3

Pour avoir Av 3 il suffit de choisir R2 2R1.

54

CHAPITRE IX : LES FILTRES ANALOGIQUES

I/ Introduction
Un filtre est un systme linaire invariant dans le temps permettant de diviser le spectre (espace frquentiel) afin de
conserver une ou plusieurs parties (bande) de ce spectre. Le filtre idal permet de transmettre sans distorsion une partie du
spectre (bande passante) et bloque toutes les autres parties (bande coupe), avec un passage abrupt (discontinuit) entre ces
deux parties.
On distingue deux types de filtres :
Les filtres passifs : ce sont des filtres qui utilisent uniquement des diples passifs (R, L, C)
Les filtres actifs : ce sont des filtres qui utilisent en plus des diples passifs au moins un composant actif tel que le
transistor ou l'amplificateur oprationnel qui ncessite une source d'nergie externe (alimentation).
Les filtres sont caractriss par leur fonction de transfert, et ils peuvent tre classs en 5 familles, suivant la bande du
spectre de frquences sur laquelle ils agissent :
- passe-bas
- passe-haut
- passe-bande
- coupe-passe
- passe-tout

La ralisation des filtres peut tre faite base de rsistances, condensateurs et inductances, on parle alors de filtres passifs,
en opposition avec les filtres actifs qui comportent en plus des composants actifs, comme par exemple les transistors ou
amplificateurs oprationnels qui ncessitent une source dnergie (alimentation).
On dfinit un filtre par le gabarit qui limite la fonction de transfert du filtre

Exemple de gabarit d'un filtre passe-bas


II/ Fonctions de transfert des filtres
La fonction de transfert dun filtre scrit avec les notations complexes (j ) ou de Laplace (p), comme le rapport de deux
polynmes : H p

a a1p a 2p 2 a 3p3 a 4p 4 ...... a p


b b1p b2p2 b3p3 b4p4 ..... bp

Pour tout systme rel, le degr du dnominateur () doit tre suprieur ou gal au degr du numrateur () :
Pour quun filtre soit stable, il faut que tous les ples de la fonction de transfert soient parties relles ngatives.
Lordre dun filtre est donn par le degr du polynme du dnominateur () de la fonction de transfert.
Toutes les fonctions de transfert peuvent tre dcomposes comme le produit de fonctions de transfert du premier et du
deuxime ordre.

55

II-1/ Filtre passe-bas


1er ordre : H j

module : H j

1
1 j

2ime ordre : H j

phase : -arctan


1
0
1

1 2m . j

0 0

module : H j

phase : -arctan

1
2

1
2m .

0
0
2m . . 0

02 2

0 est la pulsation pour laquelle le gain H dB diminue de 3dB


m est le coefficient damortissement. Il caractrise la fonction de transfert autour du point 0 (passage de la bande passante
la bande attnue). Plus m est grand, et plus lamortissement est important, ce qui se traduit par un passage trs progressif
de la bande passante la bande attnue. Lorsque m 1, la fonction de transfert est dcomposable en deux fonctions du
premier ordre. Pour les valeurs m < 0.707, il y a une rsonance de la fonction damortissement. Le facteur de qualit est
not Q et dfini par Q = 1/2m.

II-2/ Filtre passe-haut

j
0
1er ordre : H j

1 j
0

2ime ordre : H j



0
1 2m . j

0 0

56

II-3/ Filtre passe-bande

2m . j

2ime ordre : H j

1 2m . j

0 0

II-4/ Filtre coupe-bande


1
0

2ime ordre : H j

1 2m . j

0 0

II-5/ Filtre passe-tout

1 j
0
1er ordre : H j

1 j
0

0 0

1 2m . j

0 0

1 2m . j
2ime ordre : H j

III/ Exemple de filtres


III-1/ Filtre passe-bas (passif) du 1er ordre
Le circuit de base d'un filtre passe-bas passif est compos d'une rsistance R et d'une capacit C.
La fonction de transfert est : H j

1
1 jRC

La pulsation de coupure est solution de l'quation:

H c

H max
2

1
1
et fc
RC
2RC

ve

vs

Les diagrammes de Bode du gain et de Phase

57

III-2/ Filtre passe-bas (actif) du 2ime ordre


Le montage suivant utilise comme composant actif un amplificateur oprationnel
La fonction de transfert d'un filtre passe-bas est :
1

H j K 0
1 2m. j

avec K 0

R4
,
R1

1
R 3R 4C2C5

et

0 0

C5
1 1
1
1

R1R 4
2 R1 R 3 R 4
C2

58

CHAPITRE X : DIODE ET TRANSISTOR EN COMMUTATION

I/ Diode en commutation
I-1/ Rappel
La caractristique statique directe d'une jonction PN est la suivante :
ID

ID

Avec

VD
ID : courant direct
VD : tension directe
Rd : rsistance diffrentielle ou dynamique
V : tension de seuil

VD

On remarque deux zones de fonctionnement :


- VD < V
La diode est bloque, seule la tension aux bornes varie, Il n'y a pratiquement aucun courant. La jonction PN est soumise
un champ lectrique, donc des charges de mme signe sont cumules aux extrmits de la jonction. Par consquent la diode
est quivalente un condensateur dit de transition CT.
- VD > V
La diode est passante, la tension et le courant peuvent varier. La jonction PN est toujours soumise un champ lectrique,
donc des charges de mme signe sont prsentes aux extrmits de la jonction. La diode est quivalente un condensateur
de diffusion Cd en parallle avec une rsistance Rd, image de la difficult que les lectrons ont traverser la jonction PN.
Le schma quivalent complet de la diode l'tat passant est donc le suivant :

I-2/ Diode alimente par une source de tension


R

I-2-1/ Commutation la fermeture


Soit le montage suivant :
La tension e(t) est un crneau suffisamment long devant
le temps de commutation du composant de telle sorte
qu'il soit vu pour cet instant prcis comme un chelon.

ID

e(t)

VD

La mise en conduction se droule en deux temps :


- le temps t1 que la capacit CT met se dcharger.
- le temps t2 que la capacit Cd met se charger.

I-2-1-a/ Calcul de t1
Dans cette phase, la tension VD < V. La diode est bloque.
On remplace la diode par son schma quivalent dans le montage.

e(t)
E1
t

CT

ID

E2

VD

VD

La tension aux bornes de la diode est : VD t E 2 E1 e E1 avec = RC


E E
2
1 (aprs t cette quation nest plus valable).
1
V E1

La tension VD atteint V au bout dun temps t1 tel que : t1 ln


I-2-1-b/ Calcul de t2

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Dans cette phase, la tension VD est au moins gale V. La diode conduit.


Le schma quivalent du montage est le suivant :
R

ID

Rd

Rd

e(t)

Cd

VD

ID

Cd

VD
V

VD
A linstant t1 o ce schma devient vrai
La capacit de diffusion Cd ne possde aucune charge.
Par consquent, elle va se charger jusqu un point de fonctionnement stable
E1-RID-V (si ID et VD sont les valeurs finales du courant et de la tension).
La commutation de la diode est alors termine.
Le calcul de t2 revient celui du temps de charge de Cd.
t

On cherche lexpression de la tension aux bornes de Cd : VCd t E 0 1 e

Rd
avec d = (R//Rd)Cd et E0 E1 V
R Rd

La valeur de t2 peut tre dfinie 90 ou 95% de la valeur finale. t2(90%) = 2.3d et t2(95%) = 3d.
La mise en conduction totale dune diode se fait en tr = t1 + t2. Cette somme est appele temps de recouvrement direct ou
Forward Recovery Time.
I-2-2/ Commutation louverture
Lorsque le crneau de la tension dalimentation passe de E 1 E2 la diode va se bloquer.
Le blocage nest pas immdiat. Dans un premier temps la diode prsente une impdance faible (diode conductrice) jusqu
complte recombinaison des porteurs minoritaires et reconstitution de la barrire de potentiel. En effet le condensateur de
diffusion Cd a emmagasin des charges libres et le condensateur de transition Ct a stock des charges quil faut maintenant
vacuer. Donc le temps de recouvrement inverse dpend de la charge stocke dans la jonction et de la dure de vie des
porteurs c'est--dire de la dimension de la jonction et du dopage du cristal.

I-2-2-a/ Temps de stockage ts des charges libres


Tant que VD V la diode conduit et la tension ses bornes reste pratiquement constante (V). Un courant (constant)
ngatif important traverse la diode, il vaut Is

E 2 VD
.
R

Le courant Is peut tre calcul utilisant le schma de Norton quivalent au montage si VD V.


Is ICd IR d

dQd VD dQd
Qd

dt
Rd
dt
Cd R d

On pose d = RdCd on a alors : Qd d


Q t Q0 d Is e

t
d

dQd
dI s cest une quation diffrentielle du premier ordre.
dt

d Is

Avec : Q0 : la quantit de charge libre stocke (condition initiale)


tdIs : la quantit de charge vers laquelle on tendrait si la processus continuait.
Par consquent, les charges stockes seront vacue quand Q(ts)=0.
E1 V
Is I 0
avec I0
I
R Rd
s

On obtient : t s d ln

A partir de ce temps ts, le condensateur de diffusion Cd est dcharg, la diode nest toujours pas bloque, elle change de
schma quivalent.

I-2-2-b/ Temps de stockage tT des charges stockes


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La tension aux bornes de la diode est V, elle va dcrotre jusqu E2 en suivant la loi : VD t V E 2 e

t
d

E2

E 2 V

0.1E 2

On dfinit le temps tT lorsque VD(tT) = 0.9 E2. Do : t T d ln

Le blocage totale de la diode se fait en ti = ts + tT. Cette somme est appele temps de recouvrement inverse (reverse
recovery time).
II/ Transistor bipolaire en commutation
On dit qu'un transistor bipolaire fonctionne en commutation, lorsqu'il passe de l'tat satur l'tat bloqu ou inversement.
Dans ce cas, le passage d'un tat l'autre, doit se faire trs rapidement, donc transition trs rapide. Dans tous les cas, le
transistor ne peut prendre que 2 tats (0 ou 1), cela sappelle le binaire.
II-1/ Transistor en modes bloqu et satur
Considrons le montage ci-dessous o on polarise le transistor bipolaire par VBB et VCC. Les quations des mailles dentre
et de sortie sont :
VBB = RB IB + VBE
VCC = RC IC + VCE
Dans le plan de sortie IC = f(VCE), on a vu quil existe 3 rgions de fonctionnement du transistor :
- Rgion de saturation : dans cette rgion la tension VCE # VCEsat et le courant ICsat # VCC/RC (point S)
- Rgion de blocage : dans cette rgion le courant IB = 0, IC = 0 et VCE = VCC (point B)
- Rgion damplification : rgion de fonctionnement linaire situe entre les deux rgions prcdentes.

La condition de saturation scrit : IB


IB IBsat

1 VCC VCEsat


RC

comme VCC >> VCEsat

le courant de base scrit :

1 VCC
RC

Cependant le courant de base est donn par : IB

VBB VBsat
IBsat
RB

Le courant IB est fix par le circuit dentre. Cependant pour IB IBsat, le courant IC naugmente quasiment plus. On dit
alors que le transistor fonctionne en rgime de sursaturation. Une augmentation de I B se traduit par une accumulation de
charges constitues par les porteurs minoritaires dans la base. On constate de plus que dans ce type de rgime les deux
jonctions sont polarises en direct. Les charges stockes dans la base proviennent la fois de lmetteur et du collecteur.

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II-2/ Temps de commutation du transistor


On branche lentre du montage un gnrateur impulsionnel e b(t). Les formes observes lentre et la sortie du
transistor sont reprsentes la figure ci-dessous. Le signal dentre eb(t) en (a), la tension vbe(t) en (b), le courant ib(t) en
(c) et le courant ic(t) en (d). On distingue typiquement 4 temps de commutation.

- td (temps de retard = delay) : cest le temps ncessaire charger la capacit de transmission de la jonction Emetteur-base
major du temps ncessaire pour que les lectrons injects dans la base atteignent le collecteur. Le courant collecteur i c(t)
passe de 0 0.1ICsat.
- tr (temps de monte = rise time) : cest le temps que met le courant pour passer de 0.1ICsat 0.9ICsat.
- ts (temps de dstockage = storage time) : cest le temps ncessaire pour vacuer la charge stocke dans la base.
Il se dcompose de deux temps ts1 et ts2.
* ts1 (IB =Cte et IC = Cte) : cest le temps que met le transistor pour passer du rgime de sursaturation au rgime
actif.
* ts2 (IC diminue alors que IB = Cte) : cest le temps ncessaire pour vacuer la charge stocke la limite de la
saturation.
- tf (temps de descente = fall time) : cest le temps mis par le courant IC pour passer de 0.9ICsat 0.1ICsat.
Exemple : pour le 2N2219 (IC = 150 mA et IB = 15 mA)
td = 10 ns
tr = 25 ns
ts = 200 ns
tf = 60 ns

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