parmetro intrnseco del transistor que es comnmente

CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BJT.

Resumen En el desarrollo de esta sesin de laboratorio, se
realizar el diseo y la implementacin de un circuito

llamado .
Zona de corte: La juntura base-emisor se encuentra sin

Jessica Lorena Forero, Ana Milena Alvarado Sierra, Ronald Alexander Montenegro
utilizando un transistor de juntura bipolar, teniendo en cuenta
que se le harn los clculos de sus parmetros hbridos en
tres diferentes combinaciones, tales como emisor comn,
colector comn y base comn .Adems de esto se
determinaran algunas de las caractersticas elctricas de la
configuracin de Darlington.
Abstract In the development of this laboratory session, the
design and implementation of a circuit using a bipolar transistor
junction will be made, taking into account that will make
calculations of their hybrids parameters in three different
combinations , such as common emitter , collector common and
common base .In addition to this determined some of the electrical
characteristics of the Darlington configuration .
n this paper presents different semiconductor devices mounted in
different topologies, too presents theoretical data, experimental data
and simulation data.

Palabras clave juntura bipolar, transistor bjt, beta,

parmetros hbridos.
Keywords
parameters.

bipolar junction,

BJT

transistor, beta,

polarizar ( V BE 0.7 ), en cuyo caso no existen

corrientes en el transistor. La resistencia equivalente entre
el colector y el emisor tiende a un valor muy grande
haciendo que prcticamente se presente un circuito
abierto en la trayectoria de colector a emisor.
Zona de saturacin: La juntura base-emisor se encuentra

V BE 0.7 ), lo que permite que

exista una corriente de base I B , que puede llegar a
polarizada en directo (

tomar un valor tan alto que el transistor intentara

conducir tambin una corriente de colector muy grande,
sin exceder la corriente mxima del dispositivo gracias a

RC . La resistencia equivalente entre el colector y el

emisor aparece con un valor pequeo haciendo que
prcticamente se presente un corto circuito en la
trayectoria de colector a emisor.

hybrid

I. INTRODUCCIN
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres
terminales donde la seal de uno de los terminales controla las
otras dos. Los transistores se utilizan para amplificacin,
regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de
unin bipolar (BJT) est formado por la unin de dos
semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n.
Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es
producida tanto por electrones como por huecos.

II. CARACTERSTICAS DEL

TRANSISTOR BJT
El transistor de juntura bipolar (BJT) tiene diferentes zonas
operativas, las cuales varan dependiendo principalmente por
la forma como son polarizados:

Zona activa: La juntura base-emisor debe estar polarizada

en directo

V BE 0.7 V ) y la juntura base-colector

debe estar polarizada en inverso. En esta zona la relacin

entre las corrientes

IC

I B va a depender de un

Figura 1. Regiones usuales de operacin del BJT.

Cuando el transistor opera en la zona activa es posible obtener
aplicaciones de amplificacin y oscilacin, lo que permite que
a partir de seales de poca amplitud se obtengan seales de
mayor amplitud acordes con la seal de entrada. Debido a la
complejidad asociada a los circuitos de amplificacin se hace
necesario modelar el transistor a partir de una red de dos
puertos, para ello se selecciona el modelo hibrido h gracias a
que ofrece las siguientes ventajas; es el adecuado para el
anlisis del transistor en baja y media frecuencia, el fabricante
entrega los parmetros h en las hojas de especificaciones y por
ultimo al hacer simplificaciones, el modelo se vuelve simple
para su anlisis.
Los parmetros hbridos se miden de acuerdo a pequeas
variaciones de voltajes y corrientes, menores al 5% y con
respecto al punto de operacin del transistor que se encuentra

operando dentro de la regin activa. Es importante tener en

cuenta que existen 3 principales redes de polarizacin del
transistor BJT que se diferencian entre s por la terminal
comn a la entrada y la salida del amplificador, estas son:
Emisor Comn: Los parmetros hbridos de esta red pueden
ser medidos mediante las siguientes ecuaciones:

hie
h fe

VBE
I B
I C
I B

hoe
VCEQ kte

hre
VCEQ kte

I C
VCE
VBE
VCE

IBQ kte

IBQ kte

Figura 2. Ecuaciones de medicin de parmetros hbridos

para la configuracin de Emisor Comn.
Base Comn: Los parmetros hbridos de esta red pueden ser
medidos mediante las siguientes ecuaciones:

hib
h fb

VBE
I E
I C
I E

hob
VCBQ kte

hrb
VCBQ kte

I C
VCB
VBE
VCB

1
Marca:
Ref:
Marca:
Ref:
Marca:
Ref:
Tabla 1. Valores de

medidos con multmetro.

Taller
1. Qu puede observar de los datos obtenidos?
2. El beta es el mismo para los diferentes transistores?
3. Qu valor tpico da el fabricante?
Implemente el circuito de la figura 5, escoja uno de los
transistores trabajados en el literal anterior y con el
osciloscopio, mida en formato XY, el voltaje entre emisor colector y entre emisor el otro terminal de Re (La tierra del
osciloscopio se ubica en el emisor). Recuerde que IC (VRe /
Re) [mA]. Vare V1 y observe los resultados.

IEQ kte

IEQ kte

Figura 3. Ecuaciones de medicin de parmetros hbridos

para la configuracin de Emisor Comn.
Colector Comn: Los parmetros hbridos de esta red pueden
ser medidos mediante las siguientes ecuaciones:

h fc
hic

I E
I B

hrc
VCEQ kte

VBC
I B

hoc
VCEQ kte

VBC
VCE
I E
VCE

Fig.5 (Simulacin circuito de pruebas para un BJT)

IBQ kte

IBQ kte

Figura 4. Ecuaciones de medicin de parmetros hbridos

para la configuracin de Emisor Comn.

III. IMPLEMENTACIN.
Elija un transistor a utilizar y mrquelo para que sea el mismo
durante toda la prueba. Utilice por lo menos tres multmetros
diferentes y mida el beta del transistor escogido. Repita las
mediciones para otros dos transistores de la misma referencia
y reporte las mediciones en la siguiente tabla:

MULTMETRO

REF. TRANSISTOR:
BETA HOJA TCNICA:

Fig.6 (curvas de simulacin al medir voltaje entre colector

y emisor)

Taller:
Explique de manera concreta el funcionamiento del
circuito.
5. Por qu es posible obtener la caracterstica de salida del
transistor sin medir la corriente de colector?
4.

6.

Para cada delta de corriente dentro de la regin activa el

sigue igual?

Para el informe:
Grafique y haga una interpolacin para obtener la recta de
carga DC del circuito de la figura 5. Segn los datos
obtenidos, establezca los valores de I Csat , V CEcorte .
I C vs I B . Segn la
Graficar posteriormente
grfica obtenida, determine el Beta ( ) del transistor
utilizado. Recuerde que

Para el informe:
Incluya en el informe las curvas obtenidas para mnimo 3
valores diferentes de V1 (fotografas) y concluya.
Cambiando la fuente V2 por una fuente DC de 10.7V,
realice el barrido de voltaje de la fuente V1 hasta el valor de
V2 (utilizar multmetros). Apunte los valores de V CE ,

I B y de I C en la siguiente tabla:
IB

IC

I C
hFE
I B

Obtenga la curva de potencia del transistor utilizado.

VCE

7.

Taller
Qu cambios se realizaran al circuito de la figura 5 para
utilizar un transistor PNP y realizar las mismas
mediciones?

1.1 Determinacin de parmetros hbridos:

Para el desarrollo de este apartado es indispensable
marcar los transistores para cada configuracin para no
confundirlos ni cambiaros durante las pruebas. Las
sustentaciones se deben llevar a cabo indispensablemente con
estos transistores por lo que resulta indispensable
conservarlos.

Tabla 2. Valores medidos para el circuito de la figura 5

reemplazando V2 por una fuente DC.

Recomendaciones de seguridad:
Recuerde que los incrementos para cada uno de los casos
no deben ser superiores a 5% respecto al punto de trabajo.

Configuracin emisor comn

Fig.7 (Simulacin de la figura 5 reemplazando V2 por una

fuente DC.)
Fig. 9 (Simulacin Transistor NPN configurado en emisor
comn.)
i.

Fig.8 (Curvas de la figura 5 reemplazando V2 por una fuente

DC.)

Para el circuito de la figura 6 (transistor NPN), disee

para un punto de operacin en la recta de carga en DC de
0.7 anexando al informe los clculos y consideraciones
realizadas. Diligencie para el caso la siguiente tabla:

TRANSISTOR
VCC
ICQ
VCEQ
IBQ
VBEQ

TERICO
2N2222
21V
800mA
30V
2.3667mA
0.723V
300

PRACTICO

Tabla 3. Datos del diseo EC realizado para npn.

ii.

Teniendo en cuenta las ecuaciones de la figura 2,

determine los parmetros hbridos para el transistor para
la configuracin emisor comn. Consigne los valores y
clculos en la siguientes tablas:
Con VCE constante (VCEQ)

I B 1=I BQ + I BQ5
I B 2=I BQ I BQ5
I B1
V BE 1

IC 1

I B2

V BE 2

IC 2

V BE

IC

IB

hie

h fe

Tabla 4.

Obtencin de parmetros prcticos

V CE1 =V CEQ +V CEQ5

V CE2 =V CEQV CEQ5
V CE1
V BE 1

IC 1

V CE2

V BE 2

IC 2

V BE

IC

V CE

hoe

V BE

IC

IB

hie

h fe

hie

V CE1 =V CEQ +V CEQ5

V CE2 =V CEQV CEQ5
V CE1
V BE 1

IC 1

V CE2

V BE 2

IC 2

V BE

IC

V CE

hoe

iv.
v.

IC 1

Utilizando Orcad, encuentre los parmetros hbridos de

cada uno de los transistores utilizados. Anexe las
simulaciones al informe.
Incluya en la siguiente tabla, para cada transistor
utilizado, los parmetros encontrados mediante
simulacin y experimentalmente.
Parmet

ro

Simulaci
n

hie
hoe
h fe
h
hie
hoe
h fe
h

Cambie el transistor por un pnp y repita el procedimiento

anterior ajustando el circuito a dicho caso. Consigne los
valores y clculos en la siguientes tablas:

Con VCE constante (VCEQ)

Obtencin de parmetros prcticos

hoe para un transistor pnp.

hoe para un transistor npn.

TRANSISTOR
VCC
ICQ
VCEQ
IBQ
VBEQ

Tabla 6. Datos del diseo EC realizado para pnp.

hie

Obtencin de parmetros prcticos

Con IB constante (IBQ)

Tabla 8.

Obtencin de parmetros prcticos

I B 1=I BQ + I BQ5
I B 2=I BQ I BQ5
I B1
V BE 1

IC 2

y hfe para un transistor pnp.

Con IB constante (IBQ)

iii.

V BE 2

Tabla 7.

y hfe para un transistor npn.

Tabla 5.

I B2

Practi
co

Transist
or

NPN

PNP

Tabla 9. Comparacin de los parmetros de simulacin y

prcticos.
vi.

Dibuje el modelo hibrido H e incluya los parmetros

obtenidos para el transistor npn y el pnp utilizado.
Taller:
1. Qu puede decirse de los resultados obtenidos?
2. Los parmetros hbridos EC del transistor BTJ
varan segn el punto de operacin en DC?. Explique

3.

Explique qu es hie, hfe, hre y hoe..

Configuracin colector comn

V BC

IE

hoC

hrC

V CE

Tabla 12. Obtencin de parmetros prcticos

hoC para un transistor npn.

iii.

i.

ii.

Fig.10 (Transistor NPN configurado en colector comn.)

Para el circuito de la figura 7 (transistor NPN), disee un
punto de operacin en la recta de carga en DC de 0.4
anexando al informe los clculos y consideraciones
realizadas. (Utilice los mismos transistores que se
usaron para EC). Diligencie para el caso la siguiente
tabla:
TERICO
PRACTICO
TRANSISTOR
2N2222
VCC
75V
ICQ
800mA
VCEQ
30v
IBQ
4Ma
VBEQ
0.723

200
Tabla 10. Datos del diseo CC realizado para npn.

I B2

V BC 2

I E2

V BC

IE

IB

hiC

h fC

Tabla 11.

I B 1=I BQ + I BQ5
I B 2=I BQ I BQ5
I B1
V BC 1

I E1

I B2

V BC 2

I E2

V BC

IE

IB

hiC

h fC
Obtencin de parmetros prcticos

y hfC para un transistor pnp.

Obtencin de parmetros prcticos

y hfC para un transistor npn.

hiC

V CE1 =V CEQ +V CEQ5

V CE2 =V CEQV CEQ5
V CE1
V BC 1

I E1

V CE2

V BC 2

I E2

V BC

IE

V CE

hoC

hrC

Tabla 15. Obtencin de parmetros prcticos

V CE1 =V CEQ +V CEQ5

V CE2 =V CEQV CEQ5
V CE1
V BC 1

I E1

V CE2

I E2

hiC

Con IB constante (IBQ)

Con IB constante (IBQ)

V BC 2

Cambie el transistor por un pnp y repita el procedimiento

anterior ajustando el circuito a dicho caso. Consigne los
valores y clculos en las siguientes tablas:

Tabla 14.

Con VCE constante (VCEQ)

I E1

TRANSISTOR
VCC
ICQ
VCEQ
IBQ
VBEQ

Tabla 13. Datos del diseo CC realizado para pnp.

Con VCE constante (VCEQ)

Teniendo en cuenta las ecuaciones de la figura 4,

determine los parmetros hbridos para el transistor para
la configuracin colector comn. Consigne los valores y
clculos en las siguientes tablas:

I B 1=I BQ + I BQ5
I B 2=I BQ I BQ5
I B1
V BC 1

hrC

hoC para un transistor pnp.

iv.

hrC

Utilizando Orcad, encuentre los parmetros hbridos de

cada uno de los transistores utilizados. Anexe las
simulaciones al informe.

v.

Incluya en la siguiente tabla, para cada transistor

utilizado, los parmetros encontrados mediante
simulacin y experimentalmente. Concluya acerca de los
resultados.
Parmet

ro

Simulaci
n

hiC
hoC
h fC
hrC
hiC
hoC
h fC
hrC

Practi
co

Transist
or

NPN

PNP

Tabla 17. Comparacin de los parmetros CC hallados

directamente y a travs de ecuaciones de conversin.
Taller:
4. Qu anlisis puede realizarse de los resultados
obtenidos?
5. Explique qu es hic, hfc, hrc y hoc.
6. Resultan vlidas las ecuaciones s de transformacin?
Justifique.

PNP

Referencias

Tabla 16. Comparacin de los parmetros de simulacin y

prcticos.
vi.
Dibuje el modelo hibrido H e incluya los parmetros
obtenidos para el transistor npn y el pnp utilizado.
vii.
Utilizando las ecuaciones de transformacin convierta los
parmetros hbridos experimentales de emisor comn a
parmetros de colector comn. Verifique las coincidencias
entre hacer la conversin por las ecuaciones y los que se
hallaron directamente en colector comn.
Obtenidos
Obtenid por
Parmet os
ecuaciones
Transist
ro
directamen de
or
te
transformaci
n EC a CC

hiC
hoC
h fC
hrC

hiC
hoC
h fC
hrC

NPN

[1]http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccion.p
df
[2]http://www.mupiel.es/elect/ley/semi.html
[3]http://www.areatecnologia.com/electronica/diodo-zener.html
[4]http://electronicaradical.blogspot.com.co/2011/02/diodozener.html
[5]https://www.google.com.co/search?
q=dinosaurio+google+chrome&hl=es&biw=997&bih=932&site=img
hp&tbm=isch&source=lnms&sa=X&ved=0ahUKEwinmL2DrtPLAh
VGGh4KHfUB_kQ_AUIBigB&dpr=0.67#hl=es&tbm=isch&q=foto
diodo+&imgrc=tkd1UlpylEIMJM%3A
[6]http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.html
[7]http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Diodos_especiales.pdf
[8]http://es.slideshare.net/joselin33/fotodiodos
[9]https://www.google.com.co/search?
q=como+funciona+una+celda+fotovoltaica&espv=2&biw=531&bih
=497&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=0ahUKEwj_84y3yNPL
AhVH0h4KHfXGC1g4ChD8BQgGKAE&dpr=1.25#imgrc=pYTrm7
AOEtbtxM%3A
[10]http://celdasfotovoltaicas.blogspot.com.co/
[11]http://www2.udearroba.co/bancorecursos/sites/default/files/132_i
dt501_optoelectronica_solares.pdf
[12]http://es.slideshare.net/erikromo54/fotodiodo