UNIVERSIDAD VERACRUZANA

Dispositivos electrnicos
Ing. Jess Jimnez Rivera
Alumno: Ojeda Herbert Hnery Crispin

Transist
or de
efecto
de
campo (
FET)

canal n y
canal p

MOSFET
JFET
MESFET
HEMT
MODFET
IGBT
FREDFET
DNAFET

11/Mayo /2016
Ing. Elctrica

Los Transistores de Efecto de

Campo son dispositivos en los
que la corriente se controla
mediante tensin. Cuando
funcionan como amplificador
suministran una corriente de
salida que es proporcional a la
tensin aplicada a la entrada.
Caractersticas generales:
Por el terminal de control no se
absorbe corriente.
Una seal muy dbil puede
controlar el componente
La tensin de control se emplea
para crear un campo elctrico.

Como aislador
o separador
( buffer ),
amplificador
de RF,
mezclador,
amplificador
con CAG,
amplificador
cascodo,
troceador,
resistor de
variable por
voltaje,
amplificador
de baja
frecuencia,
oscilador,
circuito MOS
digital.

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Transist
or
mosfet

Tipo nMOS:
Sustrato de
tipo
p
y
difusiones de
tipo n.
Tipo pMOS:
Sustrato de
tipo
n
y
difusiones de
tipo p.

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El rea segura de operacin del
MOSFET est limitada por tres
variables que forman los lmites
de una operacin aceptable.
Estos lmites son:
1. Corriente mxima pulsante de
drenaje
2. Voltaje mximo drenaje-fuente
3. Temperatura mxima de
unin. Tanto en el MOSFET de
canal N o el de canal P, cuando
no se aplica tensin en la
compuerta no hay flujo de
corriente entre en drenaje (Drain)
y la fuente (Source)Para que
circule corriente en un MOSFET
de canal N una tensin positiva
se debe aplicar en la compuerta.
As los electrones del canal N de
la fuente (source) y el drenaje
(Drain) son atrados a la
compuerta (Gate) y pasan por el
canal P entre ellos.
El movimiento de estos
electrones, crea las condiciones
para que aparezca un puente
para los electrones entre el
drenaje y la fuente. La amplitud o
anchura de este puente (y la
cantidad de corriente) depende o
es controlada por la tensin
aplicada a la compuerta.

El MOSFET es
frecuentement
e usado como
amplificador
de potencia ya
que ofrecen
dos ventajas
sobre los
MESFETs y los
JFETs . Se
emplea en
circuitos de
tipo CMOS,
consistentes
de transistores
pMOS y nMOS.
En resistencias
controlada por
tensin,
circuitos de
conmutacin
de potencia
( HEXFET,
FREDFET)
mezcladores
de frecuencia,
con mosfet de
doble puerta.

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Transist
or
mesfet

La estructura se
completa
con
otros
dos
electrodos
metlicos
depositados
sobre
la
superficie
del
semiconductor,
en sus extremos
formando
un
contacto hmico
con
el
semiconductor.
Uno
de
los
electrodos acta
de
fuente
o
surtidor (S) y el
otro de drenado
o sumidero (D)

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EsconceptualmenteSimilar al JFET
discutido ms arriba, desde un
punto de vista prctico puede
operar a frecuenciaBastantes
altas, en la regin de las
microondas. A diferencia del JFET,
el electrodo de puerta e::Formado por una unin metalsemiconductor (de ah el nombre
de MESFET)El funcionamiento del
MESFET es muy similar al del JFET
estudiado en los apartados
anteriores. De hecho, la capa
epitaxial semiconductora acta
como canal efectivo para los
portadores ya que est limitado
en su parte inferior por el
substrato semiaislante. Si el canal
es de tipo 1, el electrodo de
Puerta se polariza negativamente
con lo cual se forma una regin
de carga espacial en el
semiconductor vaca de
portadores que controla la
anchura efectiva del canal.
Asimismo, en el modo normal
De operacin, la fuente se
conecta la tierra y el dren ador a
un potencial positivo. De esta
forma, la
Fuente inyecta electrones hacia el
sumidero a travs del canal
formado por el semiconductor.

Se utiliza
principalmente
en circuitos
lineales que
funcionan a
frecuencias de
microondas, y
en circuitos
digitales de
altsima
velocidad.
Su
funcionamient
o se asemeja
al Mosfet de
deplexin.

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