Los condensadores lo que hacer es eliminar el rizado de la posible

componente de alterna que se filtra en la corriente alterna, por lo

tanto te filtran esta seal dejandola mas lisa (viendo en osciloscopio).
Los condensadores electroliticos tambien amortiguan la caida de
tension que se produce al conectar un circuito permitiendo que no se
produzcan inprevistos de arranque en algunos circuitos digitales y
dependiendo de cuales son...
Las antiguas maquinas de "marcianitos" tragaperras, etc... que tenian
precarios circuitos digitales tiraban mucho de condensadore en la
alimentacion por estos motivos y hoy en dia incluso cerca de los
procesadores de los Pc's observaras la cantidad de condensadores
que hacen eso, no solo filtrar sino amortiguar caidas por consumo.
Espero haber sido de ayuda, Saludos

Semiconductor
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Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos
qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla siguiente.

Grupo

Electrones en
la ltima capa

Cd

II B

2 e-

Al, Ga, B, In

III A

3 e-

Si, Ge

IV A

4 e-

P, As, Sb

VA

5 e-

Se, Te, (S)

VI A

6 e-

Elemento

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento

presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI
y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un tiempo a esta
parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos
ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Contenido
[ocultar]
1 Conduccin Electrica
2 Tipos de semiconductores
o 2.1 Semiconductores intrnsecos
o 2.2 Semiconductores extrnsecos
2.2.1 Semiconductor tipo N

2.2.2 Semiconductor tipo P

Conduccin Electrica [editar]

Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones
que no estn ligados a un enlace determinado (banda de valencia), sino que sean
capaces de desplazarse por el cristal (banda de conduccin). La separacin entre la
banda de valencia y la de conduccin se llama banda prohibida, porque en ella no
puede haber portadores de corriente. As podemos considerar tres situaciones:

Los metales, en los que ambas bandas de energa se superponen, son

conductores.
Los aislantes (o dielctricos), en los que la diferencia existente entre las bandas
de energa, del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los
electrones.
Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1
eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero
adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la
energa aportada para que sea menor el nmero de electrones que salte a la
banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la
temperatura.

Tipos de semiconductores [editar]

Semiconductores intrnsecos [editar]

Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante
enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por
simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones
pueden, absorbiendo la energa necesaria, saltar a la banda de conduccin, dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco
en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno, se le denomina
recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin
de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de
electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n"la concentracin de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una
corriente de huecos en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos [editar]

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern
formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

Semiconductor tipo N [editar]

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de
portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en
el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que
se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un
tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla
peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces
covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la
formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos
de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una
carga elctrica neta final de cero....
Semiconductor tipo P [editar]
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido
como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo trivalente (tpicamente del grupo IIIA de la tabla peridica) de los tomos
vecinos se le une completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los
"huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo
que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante,
cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la
posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por
esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero
suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin
trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes
azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Teorema del valor medio

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En clculo diferencial, el teorema de valor medio (de Lagrange), tambin llamado
teorema de los incrementos finitos, o incluso teorema de Bonnet-Lagrange es una
propiedad de las funciones derivables en un intervalo. Algunos matemticos consideran
que este teorema es el ms importante de clculo (ver tambin el teorema fundamental
del clculo integral). El teorema no se usa para resolver problemas matemticos; ms
bien, se usa normalmente para probar otros teoremas. El teorema de valor medio puede
usarse para demostrar el teorema de Taylor ya que es un caso especial.

Contenido
[ocultar]
1 Enunciado para una variable
o 1.1 Demostracin
o 1.2 Forma Integral del Teorema del Valor Medio
2 Enunciado para varias variables
3 Generalizaciones

4 Referencias

Enunciado para una variable [editar]

Para una funcin que cumpla la hiptesis de ser definida y continua [a, b] y derivable en
el intervalo abierto (a, b) entonces existe al menos algn punto c en el intervalo (a, b) en
que la pendiente de la curva es igual que la pendiente media de la curva en el intervalo
cerrado [a, b].

En esencia el teorema dice que dada cualquier funcin f continua en el intervalo [a, b] y
diferenciable en el intervalo abierto (a, b) entonces existe al menos algn punto c en el
intervalo (a, b) tal que la tangente a la curva en c es paralela a la recta secante que une
los puntos (a, f(a)) y (b, f(b)). Es decir:

Este teorema lo formul Lagrange.

El teorema del valor medio de Lagrange de hecho es una generalizacin del teorema de
Rolle que dice que si una funcin es definida y continua [ a , b ], diferenciable en el
intervalo abierto ( a , b ) , y toma valores iguales en los extremos del intervalo --en otras
palabras, f ( a ) = f ( b )-- entonces existe al menos algn punto c en el intervalo ( a , b )
tal que la tangente a la curva en c es horizontal, es decir f '( c)=0.

Demostracin [editar]
El conocimiento del significado de la derivada de una funcin en un punto, y de la
ecuacin punto-pendiente de una recta, permiten deducir que la ecuacin de la recta
tangente en un punto es:

Donde los pares de puntos

y
son una pareja cualquiera de puntos de
la curva. Vamos a demostrar que, una vez conocida una pareja de puntos de una curva
continua y derivable, existe un punto c contenido en el intervalo (a,b) tal que la
pendiente en dicho punto es paralela a la recta que une los puntos (a, f(a)) y (b, f(b)).
Definimos una funcin:

Puesto que f es continua en [a, b] y diferenciable en (a, b), lo mismo se puede decir de
g. Adems g satisface las condiciones del Teorema de Rolle ya que:

Por el Teorema de Rolle, como g es derivable en (a, b) y g(a)=g(b), existe un c

perteneciente (a, b) tal que g '(c) = 0, y por tanto:

como queramos demostrar.

Forma Integral del Teorema del Valor Medio [editar]

Enunciado para varias variables [editar]

Sea
un conjunto abierto y convexo y
diferenciable sobre ese abierto. Entonces se tiene que:1

una funcin real

Donde:
, es la aplicacin lineal que representa el jacobiano (gradiente).

Generalizaciones [editar]
No existe un anlogo estricto del teorema de valor medio para aplicaciones
. En este caso, slo es posible establecer la siguiente desigualdad en
trminos de la norma:

En efecto
teniendo en cuenta que dada una funcin

[1]

se tiene que si
es el segmento formado por
y entonces

(siendo A conexo y abierto), es

de donde se tiene que como

es
para algn

Para ver [1]

basta tener en cuenta que

si

y se tiene que

Mejor respuesta - elegida por los votantes

No se si sea una convencion mundial pero en Mexico se manejan estos valores para pF
1,10,47,100,470,1000,1500,1800,2200,27...
4700,5600,6800,8200,10000,15000,22000,...
47000,56000,68000,82000,100000,150000,...
330000,470000,560000,680000,820000
Y cada uno de estos tiene equivalencia en micros, o nano mira un ejemplo
10000nF = 0.01 microF = 10nF
Espero te sirva de algo

Fuente(s):
Ingeniero en comunicaciones y electronica
Especialidad ELECTRONICA

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by chikhim

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18 julio 2007
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0.001 micros, 0.1 micros, 1 micro, 4.7 micro, 10 micros, 47 micro, 100 micro,
470 micros, 4700 micros, 1 nano, 9 nanofaradios
hay mas valores pero solo recuerdo esos, son los que he trabajado
saludos!
o

hace 1 ao

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o
o
o

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Valor eficaz
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En matemticas, el valor cuadrtico medio, media cuadrtica o RMS (del ingls root
mean square) es una medida estadstica de la magnitud de una cantidad variable. Puede
calcularse para una serie de valores discretos o para una funcin variable continua. El
nombre deriva del hecho de que es la raz cuadrada de la media aritmtica de los
cuadrados de los valores.

Contenido
[ocultar]
1 Definicin
2 Usos
o 2.1 Valor eficaz de una corriente variable
o 2.2 Media cuadrtica de la velocidad de un gas

3 Vase tambin

Definicin [editar]
El RMS para una coleccin de N valores {x1, x2, ... , xN} viene dado por la frmula (1):

Para una funcin variable continua f(t) definida sobre el intervalo T1 t T2 el rms
viene dado por la expresin:

Usos [editar]
Generalmente, el valor eficaz es usado en fsica e ingeniera, aunque tiene otros usos.

Valor eficaz de una corriente variable [editar]

En electricidad y electrnica, en corriente alterna, al valor cuadrtico medio de una

corriente variable se le denomina valor eficaz y se define como el valor de una
corriente rigurosamente constante que al circular por una determinada resistencia
hmica pura produce los mismos efectos calorficos que dicha corriente variable. El
valor eficaz de una corriente sinusoidal se mide por el calor que proporciona una
resistencia cuando pasa la corriente por ella, y es equivalente al mismo calor que
suministrara una fuente de corriente continua sobre dicha resistencia. Al ser la
intensidad de esta corriente variable una funcin continua i(t) se puede calcular de la
frmula (2) anterior:

donde:
T es el periodo de la seal.
Esta expresin es vlida para cualquier forma de onda, sea sta sinusoidal o no, siendo
por tanto aplicable a seales de radiofrecuencia y de audio o vdeo.
En el caso de una corriente alterna sinusoidal (como lo es, con bastante aproximacin, la
de la red elctrica) con una amplitud mxima o de pico Imax, el valor eficaz Ief es:

En el caso de una seal triangular con una amplitud mxima Amax, el valor eficaz Aef es:

Para el clculo de potencias eficaces Pef al ser proporcional con el cuadrado de la

amplitud del voltaje e intensidad, para el caso de seales sinusoidales quede:

Del mismo modo para seales triangulares:

Media cuadrtica de la velocidad de un gas [editar]

Artculo principal: Raz de la velocidad cuadrtica media

En fsica, la media cuadrtica de la velocidad de un gas se define como la raz

cuadrada de la mediade la velocidad al cuadrado de las molculas de un gas. La
velocidad RMS de un gas ideal es calculada usando la siguiente ecuacin:

donde k representa la constante de Boltzmann (en este caso, 1.3806503*10-23J/K)), T es

la temperatura del gas en grados kelvin, y M es la masa del gas, medida en kilogramos
Las resistencias comerciales pueden ser divididas en dos grandes grupos: Fijas y Variables.
1. Las fijas denominadas de composicin utilizan polvo de carbn como material resistivo aglutinado con un
aglomerante formando una barra, la que es encapsulada con una resina fenlica.
2. Las fijas denominadas de carbn depositado utilizan polvo de carbn aglutinado depositado sobre un
cilindro cermico, su resistencia es funcin del espesor de la capa de carbn depositada y en algunos casos
segn el valor resistivo buscado, se deposita el carbn formando un espiral, por lo que su valor resistivo es
funcin del espesor de la capa de carbn y del ancho de las espiras de la helicoide formada. Son protegidas por
una capa de pintura epoxdica.
3. En las fijas denominadas de xido metlico ciertos xidos metlicos son depositados a alta temperatura
sobre un tubo cermico. Son protegidas por una capa de pintura epoxdica o por una cubierta cermica.
4. En las fijas denominadas de alambre un alambre de niquelina, nchrom, etc. es arrollado sobre un cilindro
cermico. Son protegidas por un encapsulado cermico.
Resistencias de composicin (Fig. 1)
Se fabrican para disipaciones mximas de: watt; watt; 1 watt; 2 watt; 3 watt; 4 watt
Resistencias de carbn depositado (Fig. 2)
Se fabrican para disipaciones mximas de: 1/8 watt; 1/4 watt; 1/3 watt; 1/2 watt; 1 watt; 2 watt
Resistencias de xido metlico (Fig. 3)
Se fabrican para disipaciones mximas de: watt a 7 watt
Resistencias de alambre (Fig. 4)
Se
fabrican
para
disipaciones
mximas
de:
1
watt
a
25
watt
Existen comercios especializados en electrnica industrial que pueden proveer hasta potencias de 250 watts o
ms.
Valores de resistencia comerciales ms usuales en resistencias de carbn con tolerancia del 5%
De 0,47 ohm a 22 Megaohm, en pasos de:
10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 100
Resistencias cuyo valor hmico es indicado por bandas de colores pintadas en su cuerpo
Cdigo de 4 bandas (ver fig. 5)
1ra cifra
COLOR

2da cifra
Multiplicador

Tolerancia

-----

----------

10

----------

100

----------

1.000

----------

10.000

----------

100.000

----------

1.000.000

----------

10.000.000

----------

-------------

----------

-------------

----------

Negro
Marrn

Rojo
Naranja
Amarillo
Verde
Azul
Violeta
Gris
Blanco
------------------- -------------------

0,1

+/-

5%

------------------- -------------------

0,01

+/- 10%

------------------- -------------------

-------------

+/- 20%

Dorado
Plateado
Sin color
Cdigo de 5 bandas (ver fig. 6)
Color

1ra cifra

2da cifra

3ra cifra

Multiplicador
NEGRO
-----------MARRON

Tolerancia

-------------

10

+/- 1%

100

+/- 2%

1.000

10.000

-------------

100.000

-------------

1.000.000

-------------

10.000.000

-------------

100.000.000

-------------

1.000.000.000

-------------

1
ROJO
2
NARANJA

-----------

3
AMARILLO
4
VERDE
5
AZUL
6
VIOLETA
7
GRIS
8
BLANCO
9

PLATEADO

-------------- --------------

0,01

-------------

-------------- --------------

0,0001

-------------

------------DORADO
-------------

Resistencias variables (Fig. 7)

Un potencimetro, tal como se ve en la figura, es un componente de tres terminales, entre dos de ellos se
encuentra depositada una resistencia sobre un substrato de material aislante, el tercer terminal est conectado
a un patn deslizante que hace contacto con la superficie de dicha resistencia, de esta forma se logra tener una
resistencia variable si se lo conecta adecuadamente.
El material base o substrato puede ser de resina fenlica o cermica. El material que conforma la resistencia
puede ser:
- Polvo de carbn amalgamado con un aglutinante, (es utilizado en los potencimetros denominados
de carbn )
- Polvo de xido metlico amalgamado con un aglutinante, (es utilizado en los potencimetros
denominados de cermet )
- De alambre de nichrom, niquelina, etc. enrrollado sobre una forma cermica, (es utilizado en los
potencimetros denominados de alambre)
En los potencimetros de ajuste de la posicin del cursor por rotacin, el ajuste puede lograrse por medio de un
eje al cual tiene acceso el usuario, o por medio de algn tipo de herramienta, por ejemplo destornillador.
En los potencimetros de ajuste de la posicin del cursor por deslizamiento longitudinal, el ajuste normalmente
es por medio de un eje al cual tiene acceso directo el usuario.