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N dordre : 2011telb0205

Sous le sceau de lUniversit europenne de Bretagne

Tlcom Bretagne
En habilitation conjointe avec lUniversit de Bretagne Occidentale
Ecole Doctorale sicma

Antennes pour Liaisons Millimtriques Adaptatives dans un


contexte de systmes embarqus

Thse de Doctorat
Mention : Sciences et Technologies de linformation et de la Communication
Prsente par Amar Adane
Dpartement : Micro-ondes
Laboratoire : Lab-STICC Ple : Micro-Ondes et Matriaux (MOM)

Directeur de thse : Christian Person

Soutenue le 21 Dcembre 2011

Jury :
Rapporteurs
Mohamed Himdi Professeur, Universit de Rennes 1, IETR
Cyril Luxey - Professeur, Universit de Nice Sophia Antipolis, LEAT
Examinateurs
Cedric Quendo Professeur, Universit de Bretagne Occidentale, LabSTICC
Daniela Dragomirescu Matre de confrences, LAAS-CNRS - Groupe MINC
Christian Person - Professeur, Telecom Bretagne, Lab-STICC
Franois Galle - Matre de confrences, Telecom Bretagne, Lab-STICC
Invit
Florent Christophe - Ingnieur R&D, ONERA DEMR, Toulouse

REMERCIEMENTS
Ce travail de thse a t ralis au sein du Laboratoire Microondes de Tlcom-bretagne et
a contribu au projet LIMA effectu en collaboration avec LAAS (Toulouse) et financ par la
Fondation de Recherche en Aronautique et Spatiale (FRAE).
Je tiens tout dabord remercier Monsieur Christian Person, mon directeur de thse, pour
de multiples raisons, et en particulier, pour m'avoir offert l'opportunit de travailler sur un
sujet de thse passionnant. Jai surtout apprci la confiance quil a plac en moi durant mes
annes de recherche o j'tais sous sa direction.
Je remercie trs chaleureusement Monsieur Franois Galle qui grce la qualit de son
encadrement, son esprit critique et le niveau de son raisonnement scientifique ont fait que jai
progress dans mes travaux de recherches.
J'exprime toute ma gratitude au Chef de Dpartement Monsieur Patrice Pajusco qui m'a
chaleureusement accueilli au sein du Laboratoire Microondes Tlcom-bretagne
Je remercie vivement les deux rapporteurs de ma thse, MM. Cyril Luxey et Mohamed
Himdi, pour la grande qualit de leur rapport et la pertinence de leurs observations, ainsi que
les autres membres du jury, MM. Cedric Quendo, Prsident de Jury, et Florent Christophe,
Invit, qui m'ont honor de leur prsence lors de la soutenance ma thse. En les ctoyant, j'ai
pu apprcier la richesse de leurs interventions, leur humilit et leur extrme gentillesse.
Mes plus vifs remerciements vont nos collaborateurs du LAAS, Mme Daniela
Dragomirescu, examinatrice, Mr Vincent. Puyal, Mme Christina Villeneuve, et Mr Gatan
Prigent, pour la pertinence de leurs remarques et leur aide non ngligeable. Ils s'adressent
aussi aux techniciens du Lab-STICC, MM. Raymond Jzquel, Serge Pinel, Guy Chuiton et
Pascal Coant, pour leur efficacit et leur grande disponibilit lorsque je les avais sollicits.
J'exprime mes profonds remerciements et ma sincre amiti mes collgues Faicel Ouasli,
Walid El Hajj, Chafik Merkak, Mohamed Rabie Oularbi, Jean Michel Denoual, Nicolas
Picard, Sylvain Chenu, Ling Yan Zhang, Nolwenn Caillet, Arij Farhat, Christophe Calvez,
Julien Boucher, et Gaton Guevel.
Pour finir, je voudrais remercier tous ceux qui ont t l pour moi durant ces annes de
thse, et surtout toute ma famille pour m'avoir apport tout le temps un soutien sans faille,

dont mon pre qui m'a clair par ses prcieux conseils, ainsi que ma mre et ma femme qui
en plus de leur rconfort permanent, m'ont aid dans la prparation du pot.

Table des matires


Introduction.1
CHAPITRE I: Les rseaux de communications dans les aronefs....5
I.1. Les rseaux de communications dans les moyens de transport6
I.2. Rseaux de communications dans les avions.....6
1.2.1. Rseaux de communications internet IEEE. 802. 11b dans les avions...6
1.2.2. Amlioration du dbit binaire pour les rseaux de tlcommunication 60 GHz (IEEE.
802. 15c) dans les avions..10
1.2.2.1. Problmatique..10
1.2.2.2. Rseaux de tlcommunication 60 GHz (IEEE. 802. 15c) dans les avions..11
I.3. Caractristiques de la bande des 60 GHz.13
I.4. Communication trs haut dbit 60 GHz par rseaux WPAN (Wireless Personal Area
Network)16
I.5. Analyse systme des rseaux de communications 60 GHz20
I.5.1. Analyse systme pour lmetteur et le rcepteur20
I.5.2. Les dispositifs RF 60 GHz..23
I.5.2.1. Motorola..23
I.5.2.2. NICT..24
I.5.2.3. IBM27
I.5.3. Analyse des caractristiques des dispositifs WPAN 60 GHz...29
I.6. Conception dun rseau WLAN 60 GHz pour un avion de ligne30
I.6.1. Les liaisons en ondes millimtriques pour la couverture dun Airbus A380..32
I.6.2. Dfinition du gain des liaisons.33
1.7. Bilan de l'tude et suggestions..36

CHAPITRE II: Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de


formation de faisceau..41
II.1. Principe d'une transmission RF base sur la formation de faisceau (beamforming)42
II. 2. Les diffrentes techniques de beamforming en bande millimtrique43
II.2.1. Beamforming par commande optique..43
II.2.2. Beamforming commande digitale...45
II.2.3. Beamforming par commande dphaseurs RF.47
II.2. 4. Comparaison des commandes des liaisons par beamforming49
II.3. Co-intgration des antennes au front-end d'un dispositif RF en bande V.51
II.4. Aspects physiques des antennes sur substrat en Silicium...54
II.4.1. Antennes sur Silicium...54
II.4.2. Les antennes multicouches avec hybridation de substrats dilectriques.58
II.4.3. Antennes sur membrane en Silicium61

II.4.4. Synthse de l'tude des antennes sur Silicium.69


II.4.5. Choix de la topologie dantennes et problmatique.71
II.5. Techniques d'largissement de la bande passante dantennes intgres sur un mme
support dilectrique...72
II.5.1. Patch coupl des lments parasites72
II.5.2. Fentes imprimes dans le patch.73
II.5.3. Elargissement de la bande passante dune antenne patch rectangulaire..75
II.6. Bilan et suggestions.76

CHAPITRE III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz..81


III.1. Choix et description des outils de simulation lectromagntique (E-M) pour modliser des
antennes patch sur membrane dilectrique82
III.2. Problmatique de la conception en bande millimtrique.85
III.2.1. Problmes de conception des lignes micro-rubans en bande millimtrique86
III.2.1.1. Influence des modes parasites et validation exprimentale des lignes microrubans en
bande millimtrique.89
III.2.2. Problmes de conception des lignes CPW en bande millimtrique..97
III. 2. 2. 1. Validation exprimentale des lignes CPW en bande millimtrique..99
III.3. Rgles de modlisation E-M des lignes microrubans et CPW en bande millimtrique..101
III.4. Caractrisation des antennes en bande millimtrique.101
III.4.1. Modlisation E-M de lantenne sur membrane dilectrique102
III.4.2. Validation exprimentale des outils de simulation pour la caractrisation des
antennes..105
III.4.2.1. Mesure des diagrammes de rayonnement107
III.4. Analyse des rsultats113

CHAPITRE IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz


et mise en rseau.117
IV.1. Topologie antennaire large bande pour patch sur membrane en Silicium118
IV.2. Antenne patch 60 GHz couple avec des lments parasites dans le plan H118
IV.2.1. Optimisation de lAPMEP 60 GHz122
IV.2.1.1. Influence des patchs parasites122
IV.2.1.2. Influence du patch central.125
IV.2.2. Topologie finale de l'APMEP...126
IV.2.3. Etude de la mise en rseau de lAPMEP dans le plan H..128
IV.2.4. Etude de la mise en rseau de lAPMEP dans le plan E...133
IV.2.5. Analyse des rsultats de la mise en rseau de l'APMEP.137
IV.3. Antenne patch munie dlments parasites disposs dans le plan E.138
IV.3.1. Couplage lectromagntique d'un patch avec un feeder en T (T-microruban).140

IV.3.2. Adaptation de lantenne patch excite par un T microruban..144


IV.3.3. Adaptation de la topologie 1145
IV.3.3.1. Adaptation avec une ligne microruban de 50 ..145
IV.3.3.2. Adaptation avec une ligne microruban demi-onde146
IV.3.4. Adaptation de la topologie 2149
IV.3.4.1. Adaptation avec un double tronon g / 4149
IV.3.4.2. Adaptation avec un transformateur bi-frquentiel.150
IV.3.5. Choix de la topologie dantenne pour la mise en rseau.152
IV.3.5.1. Antenne patch excite par un U-microruban...153
IV.3.5.2. Validation exprimentale de lantenne patch excite par un microruban en U..154
IV.4. Etude de la mise en rseau de lantenne patch excite par un U-microruban..155
IV.4.1. Mise en rseau de 2x 1 lments dantennes.156
IV.4.2. Mise en rseau de 4x1 lments dantennes..158
IV.5. Synthse de l'tude des topologies de patchs large bande..160

CHAPITRE V : Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Silicium:


Applications au beamforming 60 GHz.163
V.1. Problmatique et hypothses.164
V.2. Les dphaseurs 60 GHz sur Silicium..166
V.2.1. Les dphaseurs passifs base de commutateurs MEMS-RF.167
V.2.2. Evaluation des pertes dans un dphaseur 1-bit lignes commutes..168
V.3. Impact des pertes des dphaseurs sur le choix de la configuration du rseau
dantenne171
V.4. Ralisation de lantenne sur Si / BCB pour le front-end radio175
V.4.1. Technologie de construction des antennes sur Si / BCB.176
V.4.2. Elaboration de llment dantenne sur membrane Si / BCB, et influence des bords de la
membrane sur le rayonnement de lantenne.177
V.5. Fabrication des circuits sur wafer en Si / BCB182
V.5.1. Conception dune transition CPW-microruban sur Si/BCB..183
V.5.2. Validation de lantenne patch couple un U-microruban sur membrane Si / BCB.185
V.5.3. Mise au point sur membrane Si/BCB, d'un rseau quiphase de 2x1 patchs excits par
des microrubans en U.187
V.6. Conception sur Si/BCB, du rseau dantennes quip de ses dphaseurs MEMS-RF pour
des applications au beamforming188

V.6.1 Dtermination du dphasage inter-lment..189


V.6.2. Caractristiques du rseau de 2x1 antennes patch excites par des microrubans en U et
associes des dphaseurs MEMS-RF 1-bit, pour = 90..190
V.6.3. Mise au point sur membrane Si/BCB, d'un rseau de 2x1 antennes patch excites par des
microrubans en U et dphases de = 90...191

V. 6.4. Amliorations pour la conception des rseaux dantennes dphases..194


V.7. Synthse des rsultats..195

Conclusion gnrale et Prospectives..201


Annexes207
Annexe A..209
Annexe B..215
Annexe C..217
Annexe D..221
Annexe E...225
Annexe F...229
Annexe G..233
Annexe H..235
Annexe I237
Annexe J...239
Liste des publications......247

Glossaire
TVHD: TlVision Haute Dfinition
GPS: Global Positioning System
LIMA: LIaison Millimtrique Adaptative
UMTS: Universal Mobile Telecommunications System
VOIP: Voice Over Internet Protocol)
MPEG: Moving Picture Experts Group
WLAN: Wireless Local Area Network
BER: Bit error ratio
OLOS: Obscur Line Of Sight
LOS: Line Of Sight
NLOS: No Line Of Sight
RF: Radio Frquence
QAM: Quadrature amplitude modulation
MIMO: Multiple-Input Multiple-Output
OFDM: Orthogonal Frequency Division Modulation
U.I.T: Union Internationale des Tlcommunications
PIRE: Puissance Isotrope Rayonne Equivalente
FCC: Federal Communication Commission
WPAN: Wireless Personal Area Network
IBM: International Business Machines
NEC: Nippon Electric Company
NICT: National Institution of Information and Communication Technology
SC: Single Carier
HSI: High-speed interface
AV: Audio / vido
BPSK: Binary Phase-shift Keying
QPSK: Quadrature Phase-shift Keying
PSK: Phase-shift Keying
MSK: Minimum-shift keying
DAMI: Dual Alternate Mark Inversion
HRP: High Rate PHY

LRP: Low rate PHY


FI: Frquence Intermdiaire
PA: Power Amplifier
LNA: Low Noise Amplifier
SNR: Signal to Noise Ratio
NF: Noise Figure
ASK: Amplitude Shift Keying
VCO: Voltage Controlled Oscillator
MPA: Amplificateur de moyenne puissance
OOK: On-Off Keying
SC-FDE: Single-Carrier-Based Frequency Domain Equalization
PER: Packet Error Rate
DQPSK: Differential Quadrature Phase-shift Keying
AP: Access Point
OBFN: Optical Beam-Forming Network
OMC: Optic/Millimeter-wave Converters
DSP: Digital Signal Processor
MEMS: Micro Electro Mechanical Systems
SP2T: Single Pole Double Throw
LR: low Resisitvity
HR: High Risistivity
CPW: CoPlanar Waveguide
CPS: CoPlanar Strip
VELO: communication inter VEhicules et LOcalisation relative prcise en gamme millimtrique

LTSA: Linearly Tapered Slot Antenna


UWB: Ultra Wide Band
CAO: Conception Assiste par Ordinateur
APMEP: Antenne Patch Muni dElments Parasites
SPDT: Single Pole Double Throw

Introduction
Cette thse sinscrit dans un contexte de communications RF haut dbit pour des
applications aronautiques. Nos travaux scientifiques reports dans celle-ci, ont t
dvelopps au laboratoire LabSTICC UMR3192-Brest dans le cadre dun projet de recherche
en collaboration avec le laboratoire LAAS CNRS Toulouse, intitul LIMA (Liaisons
MIllimtriques Adaptatives). Ce projet et par consquent, le sujet de thse portent un intrt
particulier, dune part, aux liaisons radiofrquences (RF) dans la gamme des ondes
millimtriques, et dautre part, aux liaisons antennaires dites adaptatives ou reconfigurables
bases sur la formation de faisceau (ou beamforming). Notre principale proccupation s'est
focalise sur la conception de fonctions antennaires qui vont quiper un dispositif RF complet
en bande millimtrique dans le cas de transmissions sans fil l'intrieur d'un avion.
Pour identifier les caractristiques dsires de nos antennes, nos travaux se sont
attachs, tout dabord, tudier et dvelopper une solution de rseau de tlcommunications
en bande millimtrique pour des applications trs haut dbit bord davions de ligne,
utilisables par le personnel et les passagers. Les applications vises sont illustres par la figure
ci-aprs:

Ce sont des applications sans fil essentiellement destines au grand public, comme la
tlphonie mobile, lInternet haut dbit, voire des applications trs haut dbit telles que la
TVHD (Tlvision Haute Dfinition). Elles ont l'intrt de rendre plus confortables et plus
agrables les vols de longue dure. Avec ce type de liaison, les challenges auxquels nous
sommes confronts sont:


Dassurer la couverture RF ncessaire tous les passagers de l'avion et de connecter


simultanment le maximum de ces passagers au rseau de tlcommunications interne
laronef.

De rduire autant que possible lencombrement de llectronique embarque et en


loccurrence, viter limplantation du rseau filaire embarquer dans les avions.

La bande de frquences millimtriques autour de 60 GHz a t rapidement adopte


compte tenu de la bande passante disponible et de la flexibilit dutilisation du spectre et de
contrle des interfrences. En effet, cette bande de frquence est intressante pour notre
application car dune part, elle a un large spectre s'tendant sur prs de 7GHz, permettant
ainsi desprer la mise en place de rseaux trs haut dbit, et dautre part, les ondes
millimtriques subissent de fortes attnuations dans l'atmosphre essentiellement dues
l'absorption molculaire, faisant que des liaisons RF courte porte peuvent tre ralises
indpendamment les unes des autres dans un avion de ligne et coexister avec les rseaux RF
propres l'avion, avec le minimum d'interfrences.
Dans le cadre de nos travaux de thse, notre objectif principal est de raliser la partie
antennaire dun systme front-end radio pour une liaison sans fil 60 GHz avec beamforming
(ou formation de faisceau) qui quipera les diffrentes stations de base du rseau de
communication RF d'un avion aussi important que l'Airbus A380. Dune part, ce type de
liaison doit permettre doptimiser, en permanence, le bilan de la liaison RF de manire
surmonter les phnomnes dattnuation en espace libre dont souffre gnralement la bande
millimtrique. Dautre part, grce au balayage par formation de faisceau, le rle des antennes
de cette liaison est d'assurer lclairement radiolectrique dun grand nombre de passagers par
station de base, de faon rduire llectronique embarquer dans lavion.
Par ailleurs, pour viter les pertes causes dans le dispositif RF, par les
interconnexions entre les composants lectroniques, lun des aspects considrer lors de la
conception de la partie antennaire dun systme front-end radio est son intgration sur un
mme support regroupant galement les composants lectroniques actifs de ce systme (tels
que les amplificateurs, les dphaseurs, les oscillateurs,). Or, les nouvelles technologies de
l'lectronique ncessaires la ralisation dun front-end radio dans le domaine des
microondes exploitent actuellement la filire base sur la technologie du Silicium, pour des
raisons de performances, de faible consommation dnergie, de compacit et de cot. Par
consquent, la technologie du Silicium constitue un atout majeur pour nos travaux. Aussi,
notre tude va essentiellement sarticuler tout au long de cette thse autour de la mise au point
de la partie antennaire 60 GHz sur un support en Silicium. Au cours de cette tude, les
difficults de conception et de fabrication seront mises en vidence dans le cas d'lments
rayonnants ayant des caractristiques satisfaisantes pour des applications 60 GHz, en termes
de bande passante et de caractristiques de rayonnement. Ensuite, des solutions seront
apportes pour amliorer les caractristiques antennaires et permettre une meilleure
exploitation de ces antennes dans la bande millimtrique.

Pour rpondre toutes ces exigences, notre manuscrit de thse a t structur en cinq
chapitres.
Dans le Chapitre I, un tat de lart et une analyse prliminaire sont effectus sur les
rseaux de communication dans les moyens de transport et en particulier lintrieur des
avions. Ensuite, des possibilits de liaisons point point et point-multipoint haut dbit sont
identifies en sappuyant sur les solutions technologiques connues dans la bande
millimtrique. Finalement, un scnario complet est adopt et un cahier des charges est fix
pour la mise en place d'un rseau sans fil dans la bande des 60 GHz, capable dtablir des
communications haut dbit au profit des passagers d'un avion.
Le Chapitre II dcrit larchitecture du front-end radio retenu pour la mise en uvre de
notre scnario. La liaison se faisant par formation de faisceau, la partie antennaire de ce frontend est un rseau dantennes commandes par des dphaseurs lectroniques. C'est une
architecture dantenne reconfigurable, choisie suivant les spcificits de la norme
IEEE 802.15.3c 60 GHz. Aprs un tat de l'art, la commande lectronique est identifie en
recherchant les meilleures performances et la simplicit de ralisation. Pour limiter les
problmes dinterconnexion, tous les composants du front-end radio doivent tre intgrs sur
Silicium. Dans ces conditions, les antennes planaires implantes sur un substrat en Silicium et
fonctionnant en bande millimtrique, ainsi que les techniques d'intgration sur Silicium, ont
aussi fait l'objet d'un tat de l'art. Lantenne patch ralise suivant la technologie de la
membrane sur Silicium, est alors choisie, car offrant le meilleur compromis en termes de
caractristiques de rayonnement, de bande passante, de simplicit de mise en uvre, de
compacit et de facilit de mise en rseau.
Dans le Chapitre III, sont prsents les outils de modlisation et de mesure en bande
millimtrique, ncessaires la mise au point de modules lmentaires comme les antennes et
les lignes de transmission 60 GHz. Ce chapitre met surtout laccent sur les contraintes
physiques imposes par le support en Silicium et les risques de perturbations dues
l'apparition de modes dordre suprieur dans cette gamme de frquence. Des solutions sont
alors proposes pour rduire l'influence de tels modes ou pour les liminer.
Le chapitre IV est consacr la conception dune antenne planaire dpose sur une
membrane dilectrique, possdant des caractristiques de rayonnement quivalentes celles
d'une antenne patch et tant tout aussi compacte pour faciliter sa mise en rseau. Pour
accrotre la bande passante, ce type d'antenne associ des lments parasites, est considr.
Puis, le patch aliment par une ligne microruban avec terminaison en T ou en U via une fente
dilectrique, est tudi. Ces configurations particulires ont l'intrt de former des antennes
couvrant les 7 GHz de la bande alloue 60 GHz, avec le mme encombrement que celui de
l'antenne patch.

Le chapitre V porte sur la mise en rseau d'antennes patchs excites par des
alimentations microrubans en forme de U et sur leur association des dphaseurs de type
MEMS-RF, appropris la ralisation de la commande par beamforming. Ces antennes sont
graves sur une membrane en Silicium et leurs dphaseurs RF, implants sur le Silicium
massif. Ce chapitre met ainsi en vidence limpact rel quant lexploitation des dphaseurs
lectroniques dans un dispositif RF exploitant des rseaux dantennes planaires dphases, et
donne les orientations considrer pour raliser le systme antennaire complet ncessaire
notre application.
Dans la conclusion de cette thse, les principaux rsultats de nos activits scientifiques
sont rsums et des perspectives sont offertes, notamment concernant le dveloppement de
rseaux de communication WPAN dans un environnement indoor, suivant la future norme des
60 GHz, savoir IEEE.802.15.3c.

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

CHAPITRE I
Les rseaux de communications dans les aronefs

Rsum:
L'tude prsente dans ce chapitre, porte essentiellement sur les rseaux de
communications 60 GHz, destins aux transmissions trs haut dbit pour le personnel et
les passagers d'un avion de ligne. A travers cette tude, lobjectif est de dfinir un cahier des
charges du systme antennaire qui permettra de raliser une transmission haut dbit. A cet
effet, nous dbutons par un tat de lart sur les rseaux de communication quipant les
moyens de transport et en particulier, lintrieur des avions. Ensuite, en se rfrant des
travaux publis dans la littrature, nous mettons en vidence les avantages quoffre
lexploitation de la bande des 60 GHz. Pour apprcier les performances dune liaison sans fil
exploitant cette bande de frquence, une revue des dispositifs de communications 60 GHz
existant actuellement un peu partout dans le monde, est galement effectue. Cette tude va
permettre, par la suite, de dterminer les grandeurs considrer pour la ralisation d'un
dispositif RF oprant dans cette gamme de frquence. Puis, elle doit aboutir la dfinition
dun scnario complet pour la mise en place de lapplication vise, c'est--dire rendre
disponible la connexion par Internet, la transmission de donnes TV et les communications
par tlphone mobile dans les avions de ligne. Ainsi, en montrant lapport des rseaux de
communications 60 GHz, on peut alors dfinir une liaison sans fil qui soit capable de
produire de hauts dbits d'information dans la gamme millimtrique. En particulier, nous
avons constat que la technique du beamforming pouvait contribuer accrotre notablement
de tels dbits. Finalement, cette liaison tant adapte aux applications multimdia dans les
avions, nous pouvons dfinir les antennes utiliser et fixer leurs principales caractristiques
en fonction des exigences d'une telle transmission.

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

CHAPITRE I: Les rseaux de communications dans les aronefs

I.1. Les rseaux de communications dans les moyens de transport


Durant ces deux dernires dcennies, les moyens de communication RF, du fait de leur
gnralisation travers le monde, sont devenus indispensables aux utilisateurs dans leur vie
quotidienne, aussi bien dans les domaines professionnels que personnels. Par exemple, la
profusion des antennes relais et des satellites a rendu plus aise lutilisation de la tlphonie
mobile et du GPS, ceci o que les usagers se trouvent [1]. LInternet est devenu galement
indispensable en tant quoutil de travail et de loisir. Ainsi, devant le succs de ces systmes de
communication et de leur gnralisation, de nouveaux ples de recherche essayent de mettre
en place des rseaux de communication dans les transports personnels et publics (tels que les
trains, les voitures, les avions,...), afin de faciliter leur accession aux consommateurs. En effet,
on trouve, par exemple, des tudes ralises dans [2-4], qui permettent d'utiliser lInternet
dans les trains grande vitesse. Dans le domaine de laronautique, il existe, galement
diverses tudes qui ont t effectues pour raliser un rseau de communication sans fil bord
des avions de ligne [5-16]. Dans le cadre du projet intitul LIMA (LIaison Millimtrique
Adaptative), nous voulons contribuer la mise en place dun rseau de communication dans
les avions de ligne pour fournir aux passagers une transmission multimdia trs haut dbit.

I.2. Rseaux de communications dans les avions


Parmi les travaux scientifiques sur la mise en place de rseaux de communication sans
fil dans un avion, on distingue essentiellement deux principaux projets qui ont t initis
depuis les annes 2000, puis dvelopps jusquen 2006 [11-12]. Ce sont les projets
WirelessCabin [5-10] et Connexion by Boeing [11], Ces deux projets ont permis de
mener diverses tudes sur la ralisation de rseaux de communication sans fil bord des
avions de ligne. Ces rseaux sont principalement dimensionns pour des applications
exploitant la norme IEEE 802 .11b. Mais plus tard, vers les annes 2008, lutilisation de la
norme 60 GHz, IEEE 802. 15c pour ce type de rseau a t explore [13-16].

1.2.1. Rseaux de communications internet IEEE. 802. 11b dans les avions
Comme nous lavons spcifi prcdemment, deux grands projets ont permis la mise
en place de ce type de rseaux dans les avions :

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


 Le projet WirelessCabin, qui cherche mettre en place dans un Airbus A380, un
rseau en considrant les normes IEEE 802.11b, UMTS et Bluetooth [5-10].
 Le projet 'Connexion by Boeing' qui en dfinissant une application de la norme IEEE
802.11b, permet de fournir de lInternet haut dbit et dassurer la communication
VOIP (Voice Over Internet Protocol) dans un Boeing 747 [11].
Le Tableau. I.1 donne les principales caractristiques des diffrentes normes
exploites dans ces deux projets et larchitecture de ce type de rseau est illustre sur la
figure 1.1. Brivement, le systme install bord de l'avion, se compose d'une antenne fixe
sur la carlingue. Cette antenne est, la fois, destine transmettre et recevoir les donnes
transitant entre les satellites et l'appareil. Pour que chacun des passagers puisse se connecter
Internet et communiquer grce leur tlphone portable l'intrieur de l'avion, un routeur et
un serveur y sont installs. Les points d'accs fixes (AP: Access Point) permettent alors la
liaison avec les passagers (voir figure 1.2).
Tableau I.1. Caractristiques des normes, UMTS, Bluetooth, IEEE 802. 11b [7].
Normes

UMTS

Dbit
Max

Typique

(Mb/s)

(kb/s)

144

Bande
passante

Gamme de
frquence

(MHz)

(GHz)

5, 10, 20

Puissante
Tx (dBm)

Modulation

20

QPSK (dl)

(Application
mobile)

BPSK (ul)

Bluetooth

728

2,4

IEEE 802.

11

6500

26

2,4

20

11b

Figure 1.1. Architecture simplifie du rseau WirelessCabin [8-9].

GFSK
Dpend du
dbit

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Figure 1.2. Rpartition des points daccs Wi-Fi dans un Boeing 747 [11].

Le Tableau. I.2 donne les caractristiques des diffrents rseaux tudis. Il indique
aussi les principaux services assurs par les deux sortes de projets ( savoir lInternet et la
tlphonie mobile) suivant leur norme respective. Notons que le projet WirelessCabin dfinit
dautres applications [8-9]. Cependant, pour des besoins de comparaison entre les deux
projets, nous nous sommes limits celles cites dans ce Tableau.
La capacit de ces rseaux est dtermine en fonction du:

Nombre maximum de passagers que le rseau peut simultanment connecter pour une
application donne.

Dbit / application

Dbit / passagers.

Tableau I.2. tude comparative entre les rseaux de tlcommunication dans les avions.
Rseaux

WirelessCabin

Connexion by
Boeing

Avion

A380

Boeing 747

Bande L
(UL) : 144 kb/s
(DL) : 432 kb/s
Tlphonie mobile,
Internet

Bande Ku
(UL) : 1 Mb/s
(DL) : 40 Mb/s

Liaison Satellitaire
Caractristique
du rseau

Capacit
du rseau

Applications vises

Internet, VOIP

Norme de lapplication

UMTS

IEEE
802.11b

IEEE 802.11b

Nombre de passagers
connects
simultanment

23

80

Capacit du rseau /
application

57,6 kb/s

37 kb/s

25 Mb/s

Dbit / passagers

9,6 kb/s

1,6 kb/s

312 kb/s

Anne

2000-2006

2000-2006

Rfrences

[9]

[11]

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Notons que le nombre de passager connects simultanment, la capacit du rseau et le
dbit / passagers sont extraits des donnes numriques figurant dans [9] pour le projet
WirelessCabin et dans [11], pour le projet Connexion by Boeing.
Ainsi, le projet WirelessCabin nous informe du dbit / passager et du nombre
maximum de passagers que le rseau peut simultanment connecter pour une application
donne [9]. Le rapport dbit / application qui lui est allou est ensuite dduit de ces donnes.
Dans le cas du projet Connexion by Boeing, le rapport dbit / passager est valu en
considrant le nombre de passagers et le rapport dbit / application [11].
L'analyse de ces deux projets en se basant sur les donnes du Tableau I.2, a montr
que le rseau Connexion by Boeing, offre un meilleur dbit d'information que le rseau
WirelessCabin.
En ralit, mme si les rseaux de WirelessCabin et Connexion by Boeing exploitent
globalement les mmes normes de communication, on ne peut pas comparer entre elles, leurs
capacits respectives, car cest la capacit propre de la liaison satellitaire entre lavion et le
sol terrestre qui va dfinir la capacit binaire relle de ces rseaux.
Ainsi, le rseau WirelessCabin est couvert par des satellites bidirectionnels de
moindre capacit binaire, appels Inmarsat, oprant dans la bande L, avec une capacit
typique de 432 kb/s en DL : down-link (vers lavion) et de 144 kb/s en UL : up-link (vers la
station de base). Par contre, le systme Connexion by Boeing est un rseau tabli par le biais
de satellites large bande de la gamme Ku, tels que Estrela do Sol, AMC, Intelsat SESAT,
AsiaSat, Yamal ou Superbird, atteignant 5 40 Mb/s en down-link (vers lavion) et 1 Mb/s en
up-link (vers la station de base) pour chaque plate-forme mobile (avion), lui assurant par
consquent une meilleure connectivit [11-12].
Comme l'indique le Tableau I.1, en associant les capacits de ces liaisons satellitaires
et les dbits imposes par les normes relatives chacun des projets, lintrieur de la
carlingue, on voit clairement que la liaison satellitaire du projet Connexion by Boeing est
celle qui est la mieux dimensionne. En effet, Connexion by Boeing se fait avec un satellite
dont la capacit de liaison peut atteindre un maximum de 40 Mb/s. Cette liaison satellitaire
permet dassurer par station de base place dans lavion, un dbit proche de celui typiquement
rgi par la norme IEEE.802.11b, savoir 6,5Mb/s. En ralit, Connexion by Boeing n'utilise
que 25 Mb/s de la capacit totale de son satellite et ce rseau comporte lintrieur de lavion,
6 bornes Wifi (IEEE 802. 11b) ayant chacune une capacit binaire gale 5 Mb/s [11]. En
revanche, le rseau du projet WirelessCabin est surdimensionn comparativement sa
liaison air - sol. En effet, il fournit des applications suivant les normes IEEE 802.11b,
Bluetooth, et UMTS ayant des dbits typiques valant respectivement 6,5 Mb/s, 728 Mb/s et
144 kb/s, mais en assurant une liaison satellitaire de faible capacit, savoir entre 432 kb/s et
2 Mb/s. Remarquons que le projet WirelessCabin a surtout t labor pour montrer la
faisabilit dun systme de communication RF lintrieur dun avion de ligne. Aussi, ce

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


projet sest finalis en 2004, aprs que la viabilit du systme WirelessCabin ft prouve
avec le succs d'une communication tlphonique pendant un vol test [10].
Au cours de la mme anne, Connexion by Boeing a commercialis auprs de
diverses compagnies ariennes dont Lufthansa, All Nippon Airways et Japan Airlines, un
quipement permettant aux voyageurs de se connecter sur une liaison haut dbit [17]. Mais
en 2006, un tel projet a t abandonn [18]. Puis, durant ces dernires annes, la socit
Aircell a dvelopp un systme de communication air-sol en tant que partenaire d'American
Airlines et de Virgin America. Vers le dbut de lanne 2007, elle avait prvu dquiper un
premier Boeing 767 d'American Airlines pour mettre ce type de transmission la disposition
des passagers avant la fin 2008 [17]. De mme, la socit Row 44, partenaire d'Alaska
Airlines, a conu un systme de communication air-sol par satellite test en 2008 et
fonctionnant dans les vols internationaux, notamment lors de longs trajets au-dessus des
ocans [17]. En plus de lInternet, cette socit assure aussi la tlphonie mobile et la
tlvision dans les avions [19].
1.2.2. Amlioration du dbit binaire pour les rseaux de tlcommunication 60 GHz
(IEEE. 802. 15c) dans les avions
1.2.2.1. Problmatique
Dans le cadre de nos travaux pour la mise en place dun rseau de communication
dans les avions, nous cherchons amliorer la capacit binaire d'une liaison RF interne un
avion de ligne, comme celle tablie par WirelessCabin et Connexion by Boeing. L'impact vis
est de fournir chaque passager de hauts dbits d'information. Comme nous lavons vu au
paragraphe prcdent, ces rseaux sont limits par les contraintes imposes par la liaison
satellitaire. Aussi, la solution que nous envisageons pour notre rseau est de saffranchir de
ces contraintes en embarquant un provider dans la cabine de lavion pour fournir, la
demande, des films haute dfinition, compresss suivant la norme MPEG2. Le Tableau I.3
donne le dbit typique de la norme MPEG2 en fonction du nombre de pixels [20].
Tableau I.3. Dbits de la TVHD compresse suivant la norme MPEG 2 [20].
Paramtres

TVHD compresse (MPEG2)

Rsolution (pixel)

352x288

720x576

1440x1152

1920x1152

Dbit max

4 Mb/s

15 Mb/s

60 Mb/s

80 Mb/s

Etant donns les dbits indiqus dans le Tableau I.3, il faudrait assurer, au maximum,
un dbit de 80 Mb/s chaque passager. Compte tenu d'un tel dbit, il est clair que le rseau
doit tre convenablement dimensionn pour assurer la capacit dsire.

10

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


On peut voir, par exemple, que les dbits proposs selon la norme IEEE.802.11b, via
le projet Connexion by Boeing, ne sont pas suffisamment levs et ne permettent pas de
raliser notre application avec 80 Mb/s par passager. Donc, l'utilisation de cette norme nest
pas intressante. Par contre, on sait que depuis la mise en uvre de ces projets de
communication dans les avions, la norme IEEE.802.11 a volu positivement et que mme de
nouvelles normes de communication, ont vu le jour, afin dassurer justement des dbits
toujours plus levs aux utilisateurs de ce type de rseaux de communication.
Le Tableau I.4 donne les dbits typiques de normes bien connues, permettant d'tablir
des rseaux de communication haut dbit. Ce sont essentiellement les normes
IEEE.802.11g, IEEE.802.11n et IEEE.802.15.3c, principalement caractrises par la
frquence de travail et la bande passante alloue pour raliser les canaux de communication.
Tableau I.4. Dbit typique des normes, IEEE.802.11g, IEEE.802.11n, et IEEE.802.15.3C.
Normes

Gamme de
frquence

Bande passante

Dbit

Rfrence

IEEE.802.11g

2,4 GHz

20 MHz

20 Mb/s

[21]

IEEE.802.11n

5 GHz

40 MHz

100 Mb/s

[21]

IEEE 802. 15.3c

60 GHz

7 GHz

2 Gb/s

[22]

Typique

Si comme dans notre cas, on doit assurer un dbit de plusieurs dizaines de Mb/s par
passagers dans un avion de ligne et si on considre les dbits typiques du Tableau I.4, il parait
vident que la norme de la bande des 60 GHz (IEEE.802.15.3c) est la plus intressante et la
mieux adapte notre besoin. Aussi, nous avons choisi de travailler dans cette gamme des
ondes millimtriques pour raliser notre rseau de communication dans les avions.
Dans ce contexte, depuis 2008 ce jour, des tudes comme celles menes par Peter et
al. Fraunhofer-Institut fr Nachrichtentechnik et Heinrich-Hertz-Institut, ont consist voir
comment exploiter la gamme des ondes millimtriques vers 60 GHz [13-16]. Entre autres,
limpact vis par ces tudes, est la mise en uvre lintrieur dun avion, dun systme de
communication WLAN fonctionnant dans cette bande de frquence et capable de fournir de
hauts dbits d'information aux passagers.
1.2.2.2. Rseaux de tlcommunication 60 GHz (IEEE. 802. 15c) dans les avions
Les travaux raliss par Peter et al., ont le double objectif de montrer, d'une part, la
faisabilit dune couverture RF tablie suivant la norme de la bande 60 GHz (57 64 GHz)
dans un espace confin tel que lintrieur dun avion et, d'autre part, lintrt dexploiter cette
11

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


gamme de frquence pour raliser une communication RF haut dbit pour un grand nombre
de passagers connects simultanment au rseau. Aussi, notre tude des rseaux de la gamme
millimtrique s'est articule autour des travaux publis dans [13-16].
La figure 1.3 illustre lorganisation du rseau WLAN lintrieur dun Airbus 380 et
le Tableau I.5 regroupe les caractristiques du rseau dfini dans [16] o le bilan de liaison a
t tabli pour une qualit de transmission value avec un BER (taux derreur binaire) = 10-3
en zone obscure (OLOS: Obscur Line Of Sight), c'est--dire, dans le cas o la liaison RF est
tablie en prsence d'obstacles, tels que les passagers ou les siges.
La liaison RF conue dans [15-16], est dote d'antennes dont le gain est de 10 dBi en
mission et omnidirectionnelle en rception. Le systme de communication utilis, comporte
une modulation de type 16QAM. Afin de pallier les problmes des effets multi - trajets lors de
la restitution du signal, un systme MIMO pour les antennes et la technique OFDM
(Orthogonal Frequency Division Modulation) pour la modulation ont t employs.
La couverture RF est divise en plusieurs cellules avec un canal ayant 1 GHz de bande
passante (voir figure 1.3). Pour le systme MIMO, il est allou chaque antenne, la moiti de
la bande passante du canal dfinie pour chaque cellule ( savoir 500 MHz de bande passante).
Ltude dcrite dans [16], montre quune puissance mise de 9,5 dBm pour la liaison OLOS
et de 1,5 dBm pour la liaison LOS (Line Of Sight), permet davoir une capacit totale gale
1 Gb/s pour un BER = 10-3. Dans ces conditions, ce systme peut connecter 100 passagers au
rseau pour des applications 60 GHz, avec un dbit minimum de 10 Mb/s / passagers.

Figure 1.3. Couverture RF 60 GHz lintrieur dun Airbus A380 [15-16].

En comparant les capacits respectives de ce rseau de communication avec celui de


Connexion by Boeing (voir Tableaux I.2 et I.5), on trouve que lexploitation de la bande des
60 GHz permet d'amliorer sensiblement la capacit du rseau, en termes de dbit binaire
lintrieur dun avion. En effet, lorsquau maximum, 100 passagers sont simultanment
connects au rseau 60 GHz, ce dernier assure un dbit minimum de 10 Mb/s / passagers,
tandis que le rseau de Connexion by Boeing permet une connexion de 80 passagers pour un
dbit de 312 kb/s / passagers.
Comme on le verra dans les paragraphes suivants, limportante amlioration ainsi
apporte par le rseau WLAN 60 GHz, rsulte principalement, de lexploitation dun spectre
trs large quoffre la bande des 60 GHz (typiquement de 7 GHz).

12

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Aussi, nous nous sommes inspirs des travaux de Peter et al. pour tablir un premier
scnario consistant appliquer les nouvelles technologies de communication 60 GHz au
domaine de laronautique et offrir un rseau de communication haut dbit pour un grand
nombre de passagers d'un avion de ligne. C'est ce scnario qui permettra de dfinir, par la
suite, un cahier des charges complet de la liaison RF et des antennes requises par ce type
dapplication.
Tableau I. 5. Caractristiques du rseau 60 GHz de Peter et al [13-16].

Caractristique
Du rseau

Capacit
Du rseau

bre

Paramtres

Valeurs

Application

Tlchargement de donnes

Bande de frquences

57-64 GHz

Gain dantenne

Tx : 10 dBi, Rx : 0 dBi

Modulation

OFDM-16QAM

Puissance Tx

9,5 dBm

dutilisateurs connects au
rseau

100

Bande du canal / (Cell)

2 x 500 MHz (1GHz)

Utilisateurs / (Cell)

32

Dbit / utilisateur

Vers lutilisateur (DL) = 10 Mb/s

Liaison

OLOS

BER (pour une modulation non


code)

10

Rfrences

[16]

-3

Avant dappliquer ce scnario, les caractristiques de la bande des 60 GHz, sont


analyses, ci-aprs, en vue de l'laboration de transmissions sans fil haut dbit. Puis, cette
analyse est assortie dune tude qui porte sur des dispositifs de transmission oprant dans la
gamme des 60 GHz. Notre scnario va alors permettre d'valuer plus rigoureusement les
avantages et les inconvnients de l'exploitation de cette bande de frquence, mais surtout, de
dterminer des donnes pratiques utiles la ralisation des dispositifs RF et des antennes du
rseau de communication 60 GHz.

I.3. Caractristiques de la bande des 60 GHz


L'utilisation de la bande millimtrique vers 60 GHz prsente depuis peu un intrt
grandissant l'chelle mondiale, dans le domaine des liaisons sans fil. Lune des raisons de
cet intrt rside dans le fait quune largeur de spectre de prs de 7 GHz est disponible dans
cette bande de frquence et permet donc desprer la ralisation de communications trs

13

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


haut dbit [23-24]. En thorie de l'information, le thorme de Shannon stipule que la limite
suprieure de la capacit dun canal de transmission est donne par [23-26] :
Q = B log 2 [1 + C / N]

(I-1)

Cette relation fait intervenir la capacit Q du canal en Bits/s en fonction de la largeur


de la bande passante B du canal exprime en Hz et le rapport signal sur bruit C/N. Ainsi, avec
la condition impose par lquation (I-1), on voit le bnfice tirer en exploitant un spectre
aussi large que la bande des 60 GHz pour la ralisation dun rseau trs haut dbit.
La bande de frquence des 60 GHz est en cours de normalisation par lU.I.T. et elle est
employe diffremment dun continent lautre (voir figure 1.4). Ainsi, l'Europe a attribu les
bandes 62-63 GHz et 65-66 GHz pour les systmes large bande mobile (MBS) et 5962 GHz, pour les rseaux locaux sans fil (WLAN). Les Etats-Unis prvoient de dvelopper
des applications dans la bande 59-64 GHz, tandis que le Japon a allou 59-66 GHz pour la
communication trs hauts dbits.

Figure 1.4. Bandes de frquences alloues 60GHz [27].

Le Tableau I.6 donne la puissance rayonne et le gain caractrisant lantenne


lmission pour chacun de ces continents.
Tableau I.6. Puissances lmission alloues par continents [27-28]
Rgions

Bande de
frquence
(GHz)

Puissance
lmission Tx
(dBm)

PIRE (dBm)

Gain max des


antennes (dBi)

Europe

9 (57-66)

13

57

30

USA et Canada

7 (57-64)

27

43

33
(si Tx = 10 dBm)

Australie

3.5 (59,4-62,9)

10

51,7

41,8

Japon

7 (59-66)

10

58

47

Core

7 (59-66)

10

27

17

En comparant les diffrents critres figurant dans ce Tableau, on voit que lEurope
englobe lensemble des bandes de frquences alloues chaque continent et que lEurope et
le Japon imposent la plus grande PIRE (puissance isotrope rayonne quivalente), savoir
14

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


57 dBm [27-28]. Notons que la PIRE est calcule en faisant : PIRE [dBm] = Puissance
lectrique applique l'antenne (Tx) [dBm] + Gain de l'antenne [dBi]. Si lon considre la
puissance (Tx) et la PIRE impose par chaque continent, lantenne doit avoir un gain
maximum allant de 17 41,8 dBi.
Un autre paramtre considrer, est celui des pertes en espace libre. La courbe de la
figure 1.5 dcrit les variations des pertes en espace libre 60 GHz en fonction de la distance
d sparant lmetteur du rcepteur. Ces pertes se calculent grce la relation suivante:
A t (dB) = 20 log10 (

4d
)

(I-2)

La figure 1.5 met ainsi en vidence les fortes pertes en espace libre lorsquon travaille
60 GHz. Un autre aspect important est labsorption des ondes de la bande des 60 GHz par
loxygne de latmosphre. La figure 1.6 donne les courbes de lattnuation exprime en
dB/km, due labsorption par les molcules doxygne et deau dans la gamme millimtrique.
Elle montre aussi que lattnuation atmosphrique dcrot avec laltitude. D'aprs cette figure,
la bande des 60 GHz est pratiquement centre sur le pic d'absorption de loxygne et
contribue une attnuation denviron 15 dB / km, en plus des pertes en espace libre [29].
En conjuguant les phnomnes lis l'attnuation atmosphrique, savoir les pertes
en espace libre et labsorption par loxygne, on voit que les ondes millimtriques se prtent
plutt bien la ralisation de liaisons courte porte et des applications indoor et large
bande. Ces phnomnes conduisent aussi un bon isolement des metteurs car ils permettent
de minimiser les problmes dinterfrences avec des rseaux voisins et de rflexions parasites
par les obstacles de lenvironnement, ce qui est dun avantage certain pour les rseaux de
communications scuriss [30]. Cependant, on constate que comparativement aux pertes en
espace libre, les pertes lies labsorption par loxygne sont, en ralit, ngligeables.

Figure 1.5. Attnuation en espace libre

Figure 1.6. Courbes dabsorption

en fonction de la distance 60 GHz.

dans la gamme des ondes millimtrique [29].

15

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Dans ces conditions, le FCC (Federal Communication Commission) a allou en 2001,
les 7 GHz de la bande 57-64 GHz des applications RF non encore homologues. Puis,
partir de 2005, le groupe IEEE 802.15.3c a t cr afin de normaliser la bande des 60 GHz
pour les applications indoor. Ce groupe sest fix comme objectif dtablir un standard pour
un rseau sans fil WPAN (Wireless Personal Area Network) qui permettrait aux futurs
utilisateurs de bnficier dun dbit avoisinant 2 Gb/s, avec un systme de
radiocommunications 60 GHz [31]. Depuis lan 2000 ce jour, plusieurs organismes tels
quIBM, NEC, Sibeam, NICT, Motorola, Proxim Wireless, France Tlcom et tant dautres,
participent la mise en place de cette norme et ont ralis de nombreux travaux dans la
gamme des ondes millimtriques en vue de dvelopper des applications WPAN.

I.4. Communication trs haut dbit 60 GHz par rseaux WPAN


(Wireless Personal Area Network)
Comme son nom lindique, le WPAN (Wireless Personal Area Network) est un rseau
sans fil usage personnel. Il permet de mettre en uvre des applications indoor. Il vise
principalement mettre la disposition de lutilisateur, la tlvision haute dfinition,
lInternet trs haut dbit et le transfert de gros paquets de donnes par transmission sans fil.
La figure 1.7 donne un exemple dapplication du rseau WPAN. Comme l'illustrent la
figure 1.8 et le Tableau I.7 pour le systme RF 60 GHz, ce standard a prvu de diviser la
bande allant de 57 GHz 66 GHz en quatre principaux canaux de 2,16 GHz, dont 1,76 GHz
du spectre est effectif [32]. Ensuite, cette bande est exploite diffremment dune rgion
une autre, selon les applications vises.

Figure 1.7. Exemple de liaison pour des rseaux WPAN et WLAN 60 GHz.

La norme IEEE 802.15.3c a dfini trois modes pour les applications WPAN 60 GHz :

16

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Le mode Porteuse unique (SC : Single Carier), optimis pour une faible puissance et
pour des architectures de moindre complexit.

Le mode Interface haute vitesse (HSI), optimis pour de faibles temps de rponse
et pour le transfert bidirectionnel de donnes.

Le mode Audio / vido (AV), optimis pour le transfert de donnes non compresses,
pour la vido haute dfinition.

Figure 1.8. Canaux dfinis par la norme IEEE 802.15c pour les applications WPAN [26].
Tableau I.7. Division de la bande 57-65GHz en canaux HRP [32].
Canal

Bande de frquence
f (GHz)

Frquence centrale
(GHz)

Occupation
spectrale(GHz)

Capacit du canal
(Gsymboles/s)

59,40 - 57,24

58,320

1,76

2,538

61,56 - 59,40

60,480

1,76

2,538

63,72 - 61,56

62,640

1,76

2,538

65,88-63,72

64,800

1,76

2,538

Le mode SC est une liaison qui transmet linformation grce une porteuse unique et
prend en charge un large panel de modulations, tels que /2 BPSK (Binary Phase-shift
Keying), /2 QPSK (Quadrature Phase-shift Keying), /2 8-PSK (PSK : Phase-shift Keying),
/2 16-QAM (QAM : Quadrature amplitude modulation), MSK (Minimum-shift keying),
GMSK, OOK (On-off keying) et DAMI (Dual Alternate Mark Inversion). Ce mode est prvu
pour des applications courte porte et trs haut dbit, de prs de 5 Gb/s. Ainsi, parmi les
applications envisages, citons le modle Kiosque qui a t conu pour couvrir une distance
de 1 m avec un dbit de 1,5 Gb/s [32]. Cependant, selon le type de modulation utilise, la
liaison peut tre plus ou moins sensible aux trajets multiples et la prsence dobstacles. Dans
ce cas, pour limiter linfluence des rflexions multiples, il est possible demployer la
technique du beamforming car cette dernire permet doptimiser en permanence le faisceau
17

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


lantenne en fonction de la direction du lobe principal et par consquent, damliorer le bilan
de liaison dun systme de transmission donn.
Pour les mmes raisons et pour des applications ncessitant une liaison plus robuste, la
norme IEEE 802.15.3c a dfini les modes HSI et A/V pour des liaisons en NLOS (No Line Of
Sight), c'est--dire, qui ne sont pas en visibilit directe [32]. Pour se soustraire aux effets de
propagation multi-trajets, ces liaisons sont dotes dune modulation avec OFDM (Orthogonal
Frequency Division Modulation).
LOFDM permet des liaisons plus robustes car elle a la particularit de rpartir un
train binaire haut dbit en une multitude de trains, sous forme de sous-canaux. Le principe
de cette modulation est donc de rpartir l'information sur un grand nombre de porteuses.
Chacun des sous-canaux est modul par une frquence diffrente avec un espacement entre
chaque frquence qui reste constant. Ces frquences constituent une base orthogonale et le
spectre du signal OFDM prsente une occupation optimale de la bande alloue.
Les avantages de LOFDM sont:
 lutilisation optimale de la bande de frquence alloue par orthogonalisation des
porteuses.
 la possibilit de s'affranchir des effets multi-trajets en liant les lments
statistiquement indpendants,
 un codage et un entrelacement adapt qui permet d'amliorer de faon importante le
taux d'erreur.
Cependant, l'inconvnient majeur de lOFDM est la complexit de mise en uvre de son
architecture lectronique dans un systme de communication.
Le mode A/V (Audio / Vido) est conu pour fournir un dbit lev et exclusivement
destin la diffusion de donnes vido compresses et non compresses (TVHD). Le mode
A/V utilise la division des canaux de la bande des 60 GHz telle que dfinie dans le
Tableau I.7 pour des applications haut dbit HRP (High Rate PHY). Chacun de ces canaux a
donc une bande effective de 1,76 GHz qui permet datteindre une capacit de
2,538 Gsymbole/s par canal. Pour la transmission de faibles dbits, lexploitation de souscanaux LRP (Low rate PHY) a t prvue. Ainsi, chaque canal HRP est divis en trois canaux
LRP dont chacun occupe une bande de 98 MHz o seuls 92 MHz sont utiliss, et possde une
capacit de 317,25 Msymbole/s. Les Tableaux I.7 et I.8 indiquent les bandes de frquence
utilises respectivement par les canaux HRP et LRP, ainsi que la capacit du canal exprime
en symbole/s [32]. Elle peut plus ou moins augmenter suivant la modulation employe, ce
qui se traduira par une quantification en dbit/s. Dans le cas des applications du mode A/V,
les modulations OFDM-QPSK et OFDM-16QAM sont employes pour la transmission de
hauts dbits HRP tandis que les modulations OFDM-BPSK sont utilises pour la transmission
de faibles dbits LRP [32].

18

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Tableau I.8. Division des canaux HRP en sous-canaux LRP [32].


Occupation
spectrale

Canal

Bande de frquence (f)

Frquence centrale

[fc(HRP) 109,625 MHz]


- [fc(HRP) 207,625 MHz]

[fc(HRP) 158,625 MHz]

92 MHz

[fc(HRP) + 49 MHz]
- [fc(HRP) - 49 MHz]

fc(HRP)

92 MHz

[fc(HRP) + 207,625 MHz]


- [fc(HRP) + 109,625 MHz]

[fc(HRP) + 158,625 MHz]

92 MHz

Capacit du canal

317,25 Msymbole/s

317,25 Msymbole/s

317,25 Msymbole/s

Le mode HSI est dfini dans le WPAN pour tous les dispositifs bidirectionnels trs
hauts dbits utiliss dans des applications comme lInternet, la vido confrence ou, de
manire gnrale, pour le transfert de donnes. Il permet dexploiter la bande des 60 GHz
suivant la division des canaux dfinie au Tableau. I.7 et la figure 1.8. Pour ses applications,
ce mode slectionne les modulations OFDM-QPSK, OFDM-16QAM, ou OFDM-64QAM ,
selon les dbits dsirs [32].
En rsum, le Tableau I.9 regroupe les principales caractristiques des trois modes de
fonctionnement dfinis par la norme IEEE.802.15c.
Tableau I.9. Principales spcifications techniques de la norme IEEE.802.15c [32]
SC

HSI

AV

Modulation

BPSK, (G)MSK,
QPSK, 8PSK, 16QAM,
OOK, DAMI.

QPSK, 16QAM, 64QAM

QPSK, 16QAM
BPSK (LRP)

Dbit

25,3 Mb/s 5,1 Gb/s

31,5 Mb/s 5,67 Gb/s

0,95 Gb/s 3,8 Gb/s (HRP)


2,5 Mb/s 10,2 Mb/s (LRP)

BP par canal

1,76 GHz (HRP)

1,76 GHz (HRP)

1,76 GHz (HRP)


98 MHz (LRP)

OFDM

Non

Oui

Oui

Beamforming

Oui

Oui

Oui

Rfrences

[32]

Notons que pour les applications de notre liaison 60 GHz dans les avions, le mode
HSI est celui qui nous intresse car il est spcialement dfini pour des applications multiutilisateurs.
Cependant, afin dapprcier la capacit relle dune liaison RF exploitant la bande des
60 GHz, nous ralisons, ci-aprs, une tude systme portant sur les performances de

19

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


dispositifs RF travaillant dans la gamme millimtrique et dvelopps par diffrents
organismes. Ces dispositifs sont raliss afin de transmettre lun ou lautre des modes de
communication dfinis par la norme IEEE 802. 15. 3c (voir Tableau I.9). Cette tude est une
synthse des caractristiques de ces dispositifs. Elle revient valuer les performances que
ces derniers ont pu atteindre en pratique, en termes de dbit de transmission, et tirer les
enseignements ncessaires pour tablir ce genre de communication.

I.5. Analyse systme des rseaux de communications 60 GHz


Un rseau de communication se compose dun certain nombre de dispositifs
lectroniques qui permettent aux utilisateurs daccder un rseau donn. Aussi, avant de
passer lanalyse proprement dite des dispositifs de transmission 60 GHz, il est ncessaire
davoir, au pralable, une ide de la constitution de lmetteur et du rcepteur de ce type de
liaison RF, puis de dterminer les diffrents paramtres considrer pour obtenir une
communication RF de bonne qualit. A noter quen pratique, la qualit de la transmission par
un dispositif RF, est value en termes de BER (Bit Error Ratio). L'analyse 'systme' permet
essentiellement d'valuer le bilan de la liaison RF et didentifier les principaux paramtres
requis lors de ce calcul. Grce cette analyse, lobjectif final est de dterminer les
caractristiques que doivent possder nos antennes pour assurer une capacit de transmission
adapte notre application.
I.5.1. Analyse systme pour lmetteur et le rcepteur
La figure 1.9 donne le schma synoptique dun dispositif RF classique o sont
reproduits sommairement les diffrents lments qui le composent et o figurent les
principaux paramtres prendre en compte pour assurer une bonne qualit de transmission.

Figure 1.9. Schma synoptique dun dispositif RF.

20

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Brivement, lmission, le signal utile est achemin via une frquence porteuse, en
passant par un modulateur. Le signal modul est mlang avec le signal de frquence (fos)
dlivr par un oscillateur local. Il est, ensuite, transpos une frquence plus leve qui
deviendra la nouvelle porteuse du signal. Aprs amplification par ltage de puissance (PA :
Power Amplifier), ce signal est transmis vers lespace libre via lantenne dmission (Tx). Les
ondes hertziennes qui en rsultent, sont ensuite captes par lantenne de rception (Rx) qui
transmet le signal reu lamplificateur dentre (LNA :Low Noise Amplifier). Aprs
amplification, ce signal effectue le chemin inverse de celui suivi dans la chane dmission de
faon restituer le signal utile.
La qualit de ce type de transmission est lie laptitude de la liaison RF restituer
fidlement le signal transmis. Elle est value suivant la valeur du rapport signal sur bruit
(C/N). Ce dernier est donc lvaluation de la puissance reue C (en prenant en compte les
pertes en espace libre (At), les pertes dinsertion,) par rapport au bruit introduit par la
chane de transmission (bruits des antennes, des filtres, des amplis). A noter que la
meilleure qualit de transmission est obtenue pour le C/N le plus lev possible.
Soit SNR (Signal to Noise Ratio), le rapport signal sur bruit dun dispositif RF de
transmission numrique, R, le dbit dinformation numrique, BT, la bande passante du
systme, Eb, l'nergie requise par bits et N0, la densit spectrale de bruit ou puissance de bruit
thermique pour une bande passante de bruit de 1 Hz. Le rapport signal sur bruit qui intervient
dans lquation (I-1), scrit pour le dispositif RF:

SNR =

C Eb R
=
N N 0 BT

(I-3)

C = Pr est le signal reu prs lantenne de rception. Dans le cas dun canal parfait, il
se calcule grce lquation suivante [5]:


C = Ptr 0 G R G e
4d
2

(I-4)

o Ptr est la puissance transmise par rayonnement dans lespace libre, GR , le gain de lantenne
de rception , Ge , le gain de lantenne dmission, 0 la longueur donde dans le vide, et d , la
distance sparant ces deux antennes Dans notre cas, on peut considrer qu 60 GHz, le canal
est parfait car les seules pertes prdominantes restent celles des pertes en espace libre.
Le bruit (N) dans un systme de communication est une fonction de la bande passante
et de la temprature de ses lments constitutifs, de ce fait, on a :

N = k TB

(I-5)

21

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Dans cette quation, k = 1,380650 10-23 J/K est la constante de Boltzman, B la bande
passante du canal, T, la temprature du systme exprime en Kelvins. En gnral, pour un
systme travaillant dans un environnement naturel, la temprature du systme T est proche
de la temprature ambiante et vaut 300 K.
Un rcepteur rel dpend galement du bruit de ses composants lectroniques et des
pertes dinterconnexion. Ce bruit se dduit du facteur de bruit (NF) caractrisant ces
composants. De ce fait, le plancher de bruit exprim en dB, se calcule comme suit :
NdB = 10 log (kTB) + (NF)dB

(I-6)

La quantit Eb/N0 est une mesure de l'nergie requise par bits par rapport la
puissance de bruit. Ce rapport est li au type de modulation employ pour le systme RF et au
taux derreur binaire (BER). Les courbes de la figure 1.10 illustrent les variations du taux
derreur binaire BER (Bit Error Ratio) en fonction de Eb/N0 pour diffrents types de
modulation. Ainsi, pour une modulation donne, on voit daprs la figure 1.10, quil est
prfrable que Eb/N0 soit le plus lev possible pour amliorer le BER et donc, la qualit de
transmission.

Figure 1.10. Variations du BER avec Eb/N0 pour diffrents types de modulation [25].

La valeur du rapport Eb/N0 est galement lie au type de modulation. En effet, comme
le montre la figure 1.10, pour une mme valeur de BER, on obtient un rapport Eb/N0 plus
lev avec la modulation OOK quavec la MSK. Ainsi, en considrant lquation (I-3),
suivant le type de modulation utilis par un systme RF, soit on rduit, soit on augmente la
contrainte que doit avoir la valeur du rapport signal bruit (C/N) pour assurer une qualit de
transmission donne. Par exemple, si on veut rduire la contrainte sur la valeur C/N, d'aprs
les courbes de la figure 1.10, lutilisation dune modulation MSK serait plus judicieuse.

22

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Par contre, si lon veut amliorer le dbit, une modulation de type DQPSK doit tre
privilgie par rapport celle base sur la MSK ou le OOK.

I.5.2. Les dispositifs RF 60 GHz


Ci-aprs, les caractristiques des dispositifs RF conu par diffrents organismes, sont
recenses afin de voir ce que peut apporter, en pratique, lexploitation du large spectre offert
par la bande des 60 GHz (soit, 57-64 GHz). Pour cela, nous avons considr les travaux des
principaux organismes qui contribuent de manire significative la mise en place de la norme
IEEE.802.15.3c rgissant la planification des rseaux de communication WPAN ou WLAN
60 GHz. Ces organismes sont essentiellement le NICT, Motorola, et IBM.

I.5.2.1. Motorola
Motorola a conu un systme metteur / rcepteur 60 GHz bas sur la modulation
ASK (Amplitude Shift Keying). Ce systme est dcrit par le schma bloc de la figure 1.11. Il
a t test aussi bien avec une antenne directive quavec une antenne omnidirectionnelle.
Seuls les rsultats obtenus avec lantenne directive, sont donns par la figure 1.12 [30].
Comme le montre la figure 1.11, l'metteur se compose d'un VCO de 15 GHz, dun
multiplicateur coefficient 4, dun mlangeur, d'un amplificateur pilote et d'un amplificateur
de moyenne puissance (MPA). Un mlangeur en bande V est choisi pour assurer une
modulation ASK / OOK (Amplitude-shift keying / On-off keying). La puissance mise par
lantenne, est de 10 dBm. Cette dernire est un cornet rayonnant dont la directivit est forte et
vaut 23,5 dBi.

Figure 1.11. Schma bloc du dispositif RF [30].

Figure 1.12. Variations du BER en fonction


de la distance [30].

Le rcepteur utilise deux amplificateurs faible bruit (LNA), suivi dun filtre passebande, dun dtecteur, dun amplificateur gain tampon, et dun comparateur. Lantenne de

23

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


rception est identique celle de lmission. Le facteur de bruit de ce rcepteur est
NF = 6,5 dB et sa bande passante vaut 5 GHz.
Les mesures ont t effectues en visibilit directe (LoS : line of - sight) entre
lmetteur et le rcepteur pour des distances allant de 1 50 m. Les tests raliss sur ce
systme, ont essentiellement consist mesurer le BER en fonction de la distance pour des
dbits allant de 1 3,5 Gb/s [30]. Comme le montrent les courbes de la figure 1.12, le
dispositif RF de Motorola peut atteindre un dbit maximum de 3 Gb/s 10 m pour un BER de
10-12 et de 3,5 Gb/s 3 m avec un BER de 10-8. Daprs ces courbes, on peut obtenir de trs
hauts dbits avec un bon BER sur de plus grandes distances. Ainsi, un dbit minimum de
1 Gb/s est observ 35 m pour un BER de 10-12 [30].
Notons que dans le cadre dapplications WPAN, Motorola prvoit doccuper la bande
59-62 GHz en quipant les terminaux mobiles et les stations de base par des antennes
omnidirectionnelles et les stations fixes, par des antennes directives.
I.5.2.2. NICT
Les chercheurs du NICT ont ralis une tude systme pour valuer les performances
de la bande des 60 GHz en considrant diffrents types de modulation. Pendant leurs travaux,
ils ont considr galement lapplication de lOFDM et de la SC-FDE (Single-Carrier-Based
Frequency Domain Equalization) au WPAN et fait une tude comparative entre ces deux
techniques de modulation, tout en pensant amliorer le dbit et la PER (Packet Error Rate)
avec une SC-FDE [22]. Comme le BER, l'erreur du paquet binaire (PER) permet dexprimer
lerreur introduite par le canal de transmission. Aussi, le BER est li au PER par la relation
suivante :
PER = 1 (1 BER)PL

(I-7)

o PL est la longueur du paquet de donnes, exprime en bits.


Comme indiqu dans [22], le SC-FDE est un procd similaire lOFDM puisque les
deux sortes de modulation procdent par galisation du canal dans le domaine frquentiel.
Leur diffrence rside dans la position o est ralise lopration dIFTT (ou transforme de
Fourier inverse). Pour lOFDM, lIFTT est place au niveau du transmetteur alors que la SCFDE se trouve la rception.
Compare lOFDM, la SC-FDE prsente plusieurs avantages. Ce sont :
 Une plus grande robustesse aux effets de fading.
 Une dpendance moindre vis--vis du codage du canal.
 Une transmission sur de plus grandes distances.
Brivement, ltude comparative effectue par le NICT, consiste considrer le bilan
de la liaison figurant dans le Tableau I.10, puis simuler les deux types de modulation et
dterminer le PER correspondant. Les rsultats obtenus montrent une amlioration du dbit

24

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


binaire quand on passe de lOFDM la SC-FDE. En effet, ce dbit avoisine 4 Gb/s avec la
SC-FDE, alors quil est denviron 3 Gb/s en OFDM [22].
Tableau I.10. Bilan de liaison du dispositif RF 60 GHz de NICT [22]

D'aprs le Tableau I.10, le gain des antennes de la liaison RF de NICT est de 10 dBi
pour une puissance mise de 10 dBm, le dbit typique par canal est de 2 Gb/s sur des
distances allant de 1 5 m. Ce tableau indique aussi les pertes en espace libre 60 GHz
associes ces distances.
Pour exploiter toute la bande 59-66 GHz, le NICT a divis celle-ci en plusieurs canaux
en utilisant soit lOFDM, soit la SC-FDE. De ce fait, cette bande de frquence est partage en
trois canaux de faon que chaque canal possde une largeur de bande de 2,33 GHz et une
capacit de 1,6 Gsymbole/s [16]. De plus, ce type de modulation peut offrir un trs haut dbit
chaque canal et ce dbit peut tre encore amlior, en choisissant judicieusement le type de
codage binaire. Ce rsultat est illustr dans le Tableau I.11 o nous avons report les valeurs
obtenues du codage de chaque canal par modulation QPSK et 16QAM.
Tableau I.11. Augmentation du dbit en fonction du type de modulation [22].
Modulation

QPSK

16QAM

Niveau de
modulation

2 bits/symbole

4 bits/symbole

Codage des
donnes

3/4

4/5

5/6

1/2

3/4

4/5

Dbit (Gb/s)

2,2588

2,4094

2,5098

3,0118

4,0157

4,5176

Les courbes des figures 1.13 et 1.14 donnent le PER en fonction de Eb/N0 pour
diffrents types de modulation. Grce ces graphes, on peut, ensuite, dterminer le meilleur

25

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


PER pour avoir la rsolution dsire. Le PER requis est de 8 10-2 [22,32]. D'aprs la relation
(I-7), cette valeur correspond un BER = 5 10-6, avec PL = 16384 bits [22]. On voit que
compare lOFDM, la SC-FDE prsente de meilleures performances. En effet, pour le
mme type de codage, le PER est plus important avec lOFDM quavec la SC-FDE et pour
une mme valeur de PER, le rapport Eb/N0 est plus faible avec le SC-FDE quavec lOFDM.
Les graphes des figures 1.15 et 1.16 donnent le dbit en fonction de Eb/N0 pour
plusieurs types de modulation. Ainsi, daprs la figure 1.15, lorsquon associe la technique de
modulation SC-FDE la modulation QPSK, on obtient un dbit > 2 Gb/s pour Eb/N0 > 9,1dB,
soit une amlioration de 2 dB par rapport lOFDM. De mme, sur la figure 1.16, on observe
un maximum de 20 dB pour Eb/N0 et un dbit maximum de 4,468 Gb/s pour la SC-FDE, c'est
dire 0,673 Gb/s de mieux quavec lOFDM [22].

Figure 1.13. PER en fonction de Eb/N0 :


SC-FDE et OFDM associes QPSK [22]

Figure 1.14. PER en fonction de Eb/N0 :


SC-FDE et OFDM associes 16QAM [22]

Figure 1.15. Dbit en fonction de Eb/No :

Figure 1.16. Dbit en fonction de Eb/No

SC-FDE et OFDM associes QPSK [22]

SC-FDE et OFDM associes 16QAM [22].

26

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


I.5.2.3. IBM
Depuis 2006 ce jour, IBM a ralis un certain nombre de dmonstrateurs 60 GHz,
pour la transmission de donnes de la TVHD trs hauts dbits [28, 33-37]. Chacun de ces
dmonstrateurs est form de deux metteurs et deux rcepteurs. Le premier dmonstrateur et
le second exploitent le dispositif des 1re et 2me gnrations dIBM. La photo du dispositif
utilis est donne par la figure 1.17.

(a) Photo du dispositif de rception [34].


re

Figure 1.17. Dispositif RF des 1

(b) Photo du front-end radio [35].


me

et 2

gnrations dIBM.

La figure 1.17b reprsente lantenne et la puce de transmission quipant ce type de


liaison RF. Cette antenne dont le gain est de 7 dBi, est utilise aussi bien en mission qu'en
rception. De plus, elle est capable de couvrir toute la bande des 60 GHz, soit: 57-64 GHz.
Le premier dmonstrateur exploite la technique de multiplexage OFDM avec une
modulation QPSK (Quadrature phase-shift keying) [33-35]. La figure 1.18 dcrit lexprience
ralise en LoS sur ce dmonstrateur. Durant cette exprience, le dmonstrateur produit un
dbit de 630 Mb/s et lmetteur est spar du rcepteur dune distance de 10 m. Le deuxime
dmonstrateur est une liaison RF 2 Gb/s sur une distance de 5 m en LoS. Il exploite une
modulation DQPSK (Differential Quadrature Phase-shift Keying) [36].
La figure 1.19 reprsente le systme metteur / rcepteur de la 3me gnration dIBM.
Ce dispositif met en jeu un rseau dantenne de 14 dBi et une modulation MSK. Les tests sur
ce 3me dmonstrateur, ont t raliss pour des distances suprieures 3,5 m. Un dbit
denviron 2 Gb/s est alors obtenu [28]. Le 4me dmonstrateur est une liaison RF de 5 Gb/s
teste sur une distance de 4,5 m. Cette liaison comporte un rseau dantennes 16 lments.
Pour viter leffet dattnuation du signal lors de transmissions en NLoS, la technique du
beamforming et lOFDM sont appliques au systme metteur / rcepteur. En fait, la
modulation utilise est lOFDM-16QAM [37]. Le Tableau I.12 donne les principales
caractristiques des liaisons RF obtenues avec les diffrents dmonstrateurs raliss par IBM
entre 2006 et 2010.

27

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Figure 1.18. Test du dispositif RF 60 GHz ralis en LoS par IBM [35].

me

Figure 1.19. Dispositif RF de 3

28

gnration dIBM [28]

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Tableau I.12. Caractristiques des dmonstrateurs raliss par IBM 60GHz.

Dmonstrateur
(1) : 1er/ 2nd
gnration
(2): 1er/ 2nd
gnration

Antenne

NF
(dB)

Modulation

BP du
Canal
(GHz)

Distance
(m)

Dbit
(Gb/s)

Anne

Rf

6,7

OFDM- QPSK

0,5

10

0,63

2006

[35]

6,7

DQPSK

1,7

2007

[36]

Diple
Gain = 7 dBi

(3) : 3me
gnration

Rseau
dantenne
Gain = 14 dBi

6,7

MSK

1,8

> 3,5

2009

[28]

(4) : 3me
gnration

Rseau de 16
lments
dantennes
Gain = N/A

7,6

OFDM-16QAM

1,7

4,5

>5

2010

[37]

I.5.3. Analyse des caractristiques des dispositifs WPAN 60 GHz


Les principaux rsultats des travaux prsents dans les paragraphes prcdents, sont
rsums dans le Tableau I.13.
Daprs ltude que nous venons de mener, les dispositifs RF hauts dbits sont bien
adapts aux liaisons petites distances, car la distance maximum pour avoir une bonne qualit
de transmission, est typiquement infrieure 10 m.
Tableau I.13. Caractristiques des rseaux NEC, Motorola, Sibeam, IBM et NICT.
Motorola

IBM

NICT

Dbit (Gb/s)

0,63

Distance (m)

30

10

10

OFDMQPSK

DQPSK

4
5

OFDM16QAM

SC-FDE16QAM

Modulation

ASK

Gain (dBi)

23,5

Type de liaison

LoS

Puissance mise
(dBm)

10

10

10

NF (dB)

4,5

6,7

10

Bande de
frquence
(GHz)

0,5

1,7

BER

10-12

N/A

N/A

5 10-6

Rfrence

[30]

[35]

[36]

[22]

7
LoS

10
LoS

29

LoS

1,6

1,6

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Les autres points communs aux dispositifs RF tudis, sont la puissance dmission
qui est typiquement de 10 dBm et le gain de lantenne qui varie de 7 23,5 dBi. De telles
caractristiques sont lies la spcificit des applications envisages par les diffrents
organismes. Ainsi, Motorola privilgie des liaisons point point pour le transfert de donnes
vido et donc, choisit un gain dantenne plus lev et plus directif. Les chercheurs de NICT
visent des applications entre un seul point et plusieurs points pour tablir un rseau WPAN
avec lequel seraient connects simultanment plusieurs utilisateurs sur un rayon de 5 10 m.
Pour assurer une telle liaison, le NICT estime quun gain dantenne de 10 dBi est amplement
suffisant. Ils utilisent une modulation telle que lOFDM car elle cre des systmes RF peu
influencs par les multi-trajets et le fading. En particulier, un signal modul en OFDM a plus
de chance dtre restitu quun signal transmis en ASK vu la sensibilit de cette dernire la
prsence de multi-trajets.
Certains organismes considrs dans le Tableau I.13, dfinissent une valeur du BER
qui permet de dterminer les caractristiques de leur systme et sa capacit restituer une
bonne partie de linformation avec une bonne rsolution. Jusqu' prsent, le dbit
dinformation atteint 60 GHz, est suprieur 4 Gb/s.
Les informations ainsi tires de notre tude, forment une bonne base pour le
dimensionnement dune liaison RF stable 60 GHz et trs hauts dbits. De plus, elles
mettent en vidence les points essentiels prendre en compte pour concevoir une telle liaison.
Par exemple, daprs le Tableau I.13, les travaux de Motorola montrent linfluence de la
distance sur le taux du dbit binaire. Notre tude nous renseigne aussi sur les limitations
physiques de la transmission large bande 60 GHz et sur certaines orientations techniques
prendre pour surmonter de telles difficults. De faon gnrale, il est prfrable demployer,
d'une part, des antennes fort gain pour s'affranchir des effets de lattnuation de cette bande
et, d'autre part, lOFDM pour raliser une meilleure restitution du signal RF. Toutes ces
conditions font que la capacit de transmission et la qualit du dbit binaire doivent tre
optimiss pour assurer le transfert de gros paquet de donnes, comme nous le cherchons
faire pour notre application.

I.6. Conception dun rseau WLAN 60 GHz pour un avion de ligne


Etant donn lintrt dans le monde scientifique pour la ralisation de rseau de
communication dans les avions, lune de nos proccupations lors de nos travaux de recherche
et de la mise en uvre du projet LIMA, a t de dfinir un premier scnario permettant
dappliquer les nouvelles technologies de communications aux domaines de laronautique et
damliorer la capacit de ce type de rseau. Dans ce contexte, ltude que nous venons de
faire, montre quil existe maintenant des rseaux RF trs hauts dbits, capables de mettre en
uvre une telle application. En effet, nous venons de voir que les caractristiques des
dispositifs RF 60 GHz et des rseaux WLAN produits par diffrents organismes de

30

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


recherche, rendent maintenant possible l'quipement d'un avion par un rseau semblable au
WPAN, assurant des transmissions de donnes avec un dbit de lordre du Gb/s.
Aussi, le challenge relever dans ce qui suit, est dtablir la couverture RF ncessaire
pour un rseau sans fil obissant aux spcifications dfinie par la norme 60 GHz (IEEE.
802. 15c) dans un espace confin tel que celui dune carlingue dun avion de ligne.
Lapplication vise est de fournir des donnes vido haute dfinition un grand
nombre dutilisateurs de faon simultane et suivant la norme MPEG2, (voir Tableau I.3).
Aussi, nous avons considr le modle dfini par la norme HSI (voir Tableau I.9).
Le Tableau I.14 indique les caractristiques prendre en compte pour tablir notre
rseau. Celles-ci sont conformes aux caractristiques dfinies dans les modles HSI et
ltude des dispositifs RF 60 GHz raliss par NICT pour les applications de ce type de
modle. La bande passante et la division des canaux de transmission sont dfinies suivant la
norme IEEE 802.15.3c. Les modles HSI prconisent le procd OFDM pour la modulation et
la technique de la formation de faisceau (beamforming) pour la liaison RF afin de surmonter
lattnuation de lnergie dans le cas des liaisons en NLOS (prsence de multi-trajet,
dobstacles,...).
Tableau I.14. Caractristiques du rseau LIMA.

Caractristique
du rseau
LIMA

Paramtres

Valeurs

Rfrences

Bande de frquences

57-64 GHz

[32]

Modulation

OFDM-16QAM (Rc = )

[22, 32]

Puissance Tx

10 dBm

[22, 32]

Temprature du systme (T) 25 C

300 K

[22]

NF (facteur de bruit)

10 dB

[22]

Bande utile du canal de transmission

1,76 GHz

[32]

BER (pour un Eb/N0 = 13 dB)

5 10-6

[22]

Liaison

LoS
NLoS (beamforming)

[22, 32]

Comme dans le cas du rseau 60 GHz conu lintrieur dun avion par Peter et al.,
nous avons adopt la modulation OFDM-16QAM pour laborer notre systme. L'utilisation
de cette modulation permet aussi de nous baser sur des tudes ralises par le NICT dans [22]
o les valeurs du BER et du dbit binaire sont exprimes en fonction de Eb/N0 pour une
modulation OFDM-16QAM et o les trains binaires sont envoys sur un canal de propagation
de 1,76 GHz. Ces donnes sont indispensables au calcul du bilan de la liaison dans le cas de
notre systme RF 60 GHz. Comme pour le NICT, nous nous sommes fixs une qualit de
transmission estime avec un BER = 5 10-6 (ou PER = 8 10-2). Remarquons que cette valeur
est galement prconise par les spcifications de la norme 60 GHz [22]. Ainsi, d'aprs la

31

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


figure 1.14, lorsque lOFDM est employ, le rapport Eb/N0 le moins contraignant est assur
avec une modulation 16QAM ayant un codage de donnes Rc = 1/2. Donc, avec cette
modulation, on obtient BER = 5 10-6 pour Eb/N0 = 13dB.
I.6.1. Les liaisons en ondes millimtriques pour la couverture dun Airbus A380
Comme dans les diffrents projets tudis, ce type dapplication est destin aux vols
de grandes lignes qui prvoient lexploitation de gros appareils tels que lA380 ou
Boeing 747. La figure 1.20 qui dcrit la constitution dun Airbus A380, mentionne aussi les
liaisons de la bande millimtrique que nous souhaitons appliquer lintrieur de cet avion.
Cette couverture illustre par la figure 1.20, est inspire de celle dfinie par Peter et al. dans
[15-16].
Lavion devra tre muni dun nombre suffisant de points daccs fixes (AP) pour
distribuer la puissance RF ncessaire tous les rcepteurs mis la disposition des passagers
dans la cabine. Rappelons que pour rduire lencombrement filaire embarquer dans lavion,
les liaisons devront tre exclusivement RF. Dans ces conditions, deux types de liaison sont
envisags pour assurer la connectivit des passagers au rseau (voir figures 1.20 et 1.21) :

Une liaison L1 : point point entre les points daccs fixes.

Une liaison L2 : point - multipoint entre les utilisateurs et les points daccs fixes.

Figure 1.20. Couverture RF du rseau LIMA 60 GHz dans un Airbus A380.

32

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Figure 1.21. Liaisons antennaires pour les dispositifs RF.

I.6.2. Dfinition du gain des liaisons


Dans ce paragraphe, sont calculs les gains que doivent avoir les antennes des liaisons
L1 et L2 pour assurer un dbit / passagers suffisant, tout en respectant les dbits requis pour
transmettre des donnes MPEG2.
Pour la liaison L2, les gains sont valus en calculant le bilan de cette liaison quand
on considre le scnario suivant :
1. Un canal de propagation (HRP) de 1,76 GHz de bande passante. Ces canaux sont dfinis
dans le modle HSI dfini au paragraphe I.4.
2. Comme le montre la figure 1.20, nous avons divis la couverture RF vers les passagers en
trois principales zones :

Une zone en Rouge - 20 - 20 qui couvre 4 passagers.

Une zone en Orange - 40 - 20 20 40 avec 12 passagers.

Une zone en Brun - 60 - 40 40 60 englobant 16 passagers.

Les dbits typiques que nous avons choisis pour ltude, sont extraits des donnes du
Tableau I.3. Le calcul a t effectu en prenant comme exemple, des dbits de 15 Mb/s /
passagers, de 60 Mb/s / passagers et de 80 Mb/s / passagers. La figure 1.22 donne les valeurs
numriques du gain calcule en prenant en compte les diffrentes valeurs de dbit / passagers
et la zone couverte (). Ce gain exprim en dB, est la somme du gain de lantenne dmission
et du gain de lantenne de rception (Ge + Gr). Le gain (Ge + Gr) est calcul grce aux
relations allant de (I-3) (I-6) et en considrant les critres tablis au pralable dans le
Tableau I.15. Les dtails du calcul du bilan de la liaison sont dvelopps dans lannexe A.
Considrons le cas o la rception est omnidirectionnelle. Le gain de l'antenne de
rception vaut alors: Gr = 0 dBi. Si le gain Ge de l'antenne dmission vaut respectivement
-3 dBi, de 3 dBi et de 4,3 dBi dans les trois zones rouge, orange et brun, la couverture RF
totale 60 + 60 sera aisment assure pour 32 passagers, avec des dbits respectifs de
15 Mb/s / passagers, 60 Mb/s / passagers et 80 Mb/s / passagers.

33

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

Figure 1.22. Calcul du gain (Ge + Gr) ncessaire pour couvrir une zone de 60 et assurer les
dbits requis pour la transmission de donne MPEG2.

Avec notre application, nous voulons mettre la disposition de chaque passager de


lavion, une communication RF haut dbit. Pour cela, le dbit / passagers que nous avons
choisi de fournir, ne dpasse pas 80 Mb/s. Dans ce cas, nous venons de voir que le gain
maximum de l'antenne d'mission doit tre de 4,3 dBi pour couvrir les zones les plus
loignes du rcepteur. La figure 1.23 donne le gabarit du diagramme de rayonnement que
doit avoir cette antenne pour couvrir une zone de 32 passagers (soit 60 + 60 ) avec
un dbit de 80 Mb/s / passager. Cette figure met en vidence la problmatique des variations
spatiales du gain (Ge) et la ncessit de raliser une liaison adaptative de type beamforming.

Figure 1. 23. Variations du gain de l'antenne dmission (Ge) de lantenne pour assurer un dbit
/ passager de 80 Mb/s, avec Gr = 0 dBi, sur une zone 60 + 60.

34

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


Pour la liaison L1, le gain des antennes est dtermin suivant le dbit par passager,
dfini pour la liaison L2 (c'est--dire 80 Mb/s). Si un AP assure la liaison RF pour 32
passagers, il doit pouvoir acheminer, au minimum, un dbit de 2,5 Gb/s (soit 32 x 80 Mb/s).
tant donn que cette liaison doit assurer de forts dbits, un canal HRP de 1,76 GHz est
considr. Pour cette liaison, nous prvoyons lutilisation de deux antennes identiques (Ge =
Gr). Le bilan de la liaison est alors tabli suivant les paramtres du Tableau 1.14 et une
distance d = 4,5 m entre lmetteur et le rcepteur (voir figures 1.20 et 1.21). Le calcul est
effectu grce aux quations allant de (I-3) (I-6). La figure 1.30 reprsente la courbe du gain
(Ge = Gr) en fonction du dbit (R). Le calcul montre qu'un gain 7,1 dBi est ncessaire pour
qu'une liaison RF puisse fournir un dbit de 2,5 Gb/s Les caractristiques que doit avoir le
rseau LIMA 60 GHz pour assurer les liaisons L1 et L2 avec un dbit / passager de 80 Mb/s,
sont rsumes dans le Tableau I.15.

Figure.1.24. Gain (Ge = Gr) en fonction de dbit R pour la liaison L1.


Tableau I.15. Caractristiques du rseau LIMA 60 GHz.
Paramtres

Liaison L1

Liaison L2

Type de liaison

LoS

NLoS
(Rx : omni + Tx : beamforming)

Bande de frquence

57-64 GHz

57-64 GHz

Canal exploit

4 x1,7 GHz (HRP)

4 x 1,7 GHz (HRP)

Puissance Tx

10 dBm

Distance (d)

d = 4,5 m

d = h / Cos ()
Avec: h = 1m et -60 +60

Gain (Ge) de lantenne dmission (Tx)

7,1 dBi

Voir gabarit sur figure 1.23

Gain (Gr) de lantenne de rception (Rx)

7,1 dBi

0 dBi

35

10 dBm

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

1.7. Bilan de l'tude et suggestions


L'tude prsente dans ce chapitre, a permis de dcrire les rseaux de communications
devant quiper lintrieur des avions pour fournir aux passagers, des applications telles que
lInternet, la tlphonie mobile et la tlvision. En analysant les rfrences bibliographiques
dans ce domaine, nous avons fait le point sur les recherches en cours, montr limportance de
ce type dapplications dans le secteur de laronautique et mis en vidence lintrt
dexploiter la bande des 60 GHz pour amliorer la capacit des rseaux de communication.
Devant la croissance de la tendance mondiale exploiter la bande des 60 GHz, un
descriptif des diffrents dispositifs actuellement utiliss dans cette gamme de frquences, a
galement t ralis afin de dfinir leurs spcificits et d'entrevoir des applications au rseau
WPAN. Ensuite, leurs performances ont t values en termes de dbit et de qualit de
transmission, exprims en valeurs de BER.
A partir de notre tude du rseau WPAN, nous avons alors vu que les transmissions
dans la bande de frquence des 60 GHz, sont de porte limite cause de l'influence du milieu
de propagation, mais que le dbit obtenu pour ce type de rseau, peut atteindre 5 Gb/s sur des
distances infrieures 10 m. Nous avons aussi constat que le dbit dpendait essentiellement
de la technique de modulation et du rapport signal sur bruit la rception. Ainsi, en utilisant
une modulation OFDM-16QAM, un dbit de 3 Gbit/s est atteint 5 m. Avec une modulation
DQPSK, 2 Gbit/s sont obtenus la mme distance.
Les donnes recueillies par le biais de notre tude, sur les rseaux de communication
dans les avions et les rseaux de transmission 60 GHz, ont permis dlaborer le scnario
dune communication RF dans un avion, avec un dbit de 80 Mb/s / passagers pour une
application au transfert de donnes TVHD compresses, de type MPEG2. A partir de ce
scnario, nous avons dress un bilan de la liaison et dfini nos besoins antennaires en termes
de gain et de bande passante. Ainsi, pour couvrir toute la bande des 60 GHz, nos antennes
devront tre dotes d'une bande passante 7GHz (soit: 57-64GHz).
Deux types de liaison ont t dfinis pour la couverture RF dans lavion. L'une est une
liaison (L1) point point avec des antennes identiques, ayant chacune un gain minimum de
7,1 dBi et l'autre, une liaison (L2) point - multipoint avec un gain de 4,3 dBi l'mission et de
0 dBi la rception . Le nombre de passagers couverts par l'antenne d'mission, serait alors de
32. La liaison L2 peut tre assujettie des perturbations cause de la prsence dobstacles tels
que les passagers et les siges. Dans ce cas, pour amliorer la liaison entre lmetteur et le
rcepteur et la rendre plus robuste, nous avons pens utiliser la technique du beamforming
pour rorienter continuellement le faisceau de lantenne et amliorer le bilan de transmission.

36

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs


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39

Chapitre I Les rseaux de communications dans les aronefs

40

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

CHAPITRE II
Les antennes de la bande millimtrique et les techniques
de formation de faisceau

Rsum:
Notre objectif est de dfinir la partie antennaire d'une transmission 60 GHz par
formation de faisceau (ou beamforming). Aussi, le prsent chapitre dbute par un tat de
lart sur les dispositifs RF qui oprent par formation de faisceau 60 GHz et dont l'ossature
lectronique est conforme la norme IEEE. 802. 15c. Le but poursuivi est de s'imprgner du
principe de ce type de liaison et de recenser les diffrentes techniques de commande
automatique existant actuellement. Mais, il s'agit aussi de dterminer larchitecture
lectronique qui soit la mieux adapte au beamforming 60 GHz, la moins complexe et la
moins encombrante possible. En particulier, diffrentes architectures de front-end radio 60
GHz sont dcrites pour montrer lintrt de raliser les composants antennaires sur Silicium.
L'tude bibliographique mene ci-aprs, concerne galement l'intgration des antennes sur
Silicium. Elle permet de choisir la technologie adopter pour raliser nos fonctionnalits
antennaires. On trouve que la technologie du patch sur membrane est celle qui doit tre
applique ce type de fonctionnalits car elle donne un bon compromis entre la complexit
de ralisation et les performances de l'antenne. Enfin, cette tude a t tendue aux
techniques d'largissement de la bande passante d'une antenne patch, afin de dterminer
celles qui permettraient au patch sur membrane en Silicium, de couvrir la bande des 60 GHz.

41

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

CHAPITRE II: Les antennes de la bande millimtrique et les


techniques de formation de faisceau

II.1. Principe d'une transmission RF base sur la formation de faisceau


(beamforming)
Historiquement, la liaison avec formation de faisceau (ou beamforming)

a t

initialement conue dans le domaine de la sonorisation pour orienter la trajectoire d'ondes


acoustiques vers une direction donne ou en dterminer la provenance [1]. Plus tard,
l'utilisation de cette technique a t gnralise aux ondes radiolectriques dans des rseaux
de communication pour assurer une liaison optimale entre lmission et la rception, lorsque
celle-ci est perturbe par les bruits et les rflexions parasites dans le canal de transmission. La
Figure 2.1 illustre le principe de cette technique. Brivement, elle consiste modifier la
position ou la forme du lobe principal du diagramme de rayonnement dune antenne de faon
que le signal transmis, comme dans cet exemple, soit le plus fort. En effet, grce sa capacit
dajuster en permanence la directivit des antennes en fonction de lenvironnement, la
formation de faisceau permet daccrotre la sensibilit du rcepteur, donc, de dtecter le signal
le plus intense dans une direction donne et de rduire le bruit caus par les interfrences avec
les signaux provenant dautres directions. Dans ces conditions, la norme IEEE.802.15.3c en
vigueur pour les applications 60 GHz, prvoit lexploitation des liaisons RF beamforming.
Comme l'indique la figure 2.2, cette norme a dfini pour le front-end millimtrique, un
modle darchitecture, tout en lectronique, qui se compose de rseaux dantennes associs
des dphaseurs RF [2-3].

Figure 2.1. Principe d'une liaison RF par formation de faisceau (beamforming).

42

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Le diagramme de rayonnement de ce rseau va pointer vers une direction donne avec
un angle ajust en alimentant chaque lment dantenne avec une phase diffrente. Le
procd de formation de faisceau ainsi dcrit, se traduit alors par diffrents cas de dpointage
du faisceau rayonn.
Notons que larchitecture dfinie dans la figure 2.2 a l'avantage dorienter
automatiquement le lobe principal des antennes, sans avoir dplacer mcaniquement les
antennes. De ce fait, ce procd permet de rduire considrablement lencombrement et la
complexit de conception dun front - end millimtrique.

Figure 2.2. Modle de rfrence dfini pour un systme WPAN, dans le cas de liaisons par
beamforming [3].

II. 2. Les diffrentes techniques de beamforming en bande millimtrique


Dans la littrature, on trouve divers travaux portant sur les liaisons par beamforming,
ralises dans la bande des 60 GHz. Parmi ces travaux, on distingue trois types de commande
lectronique qui permettent d'orienter le faisceau dun rseau dantennes. Ce sont les
commandes optiques, les commandes digitales et les commandes dphaseurs RF. Ci-aprs,
nous allons, tout dabord, expliquer leur principe de fonctionnement. Ensuite, une tude
comparative sera ralise pour montrer les avantages et les inconvnients de chacune de ces
commandes, puis dcider de celle qu'il faudrait adopter.
II.2.1. Beamforming par commande optique
La figure 2.3a montre le schma de principe dun systme de communication qui
exploite la technique hybride dite radio sur fibre , pour des applications ncessitant une
liaison par beamforming 60 GHz. Le systme comporte un rseau dantennes aliment par

43

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


des composants optiques tels que la fibre optique, les photodiodes, et les photodtecteurs
haute vitesse, utiliss pour gnrer des signaux en ondes millimtriques [4]. LOBFN (Optical
Beam-Forming Network) dcrit par la figure 2.3b, est un systme optique qui permet de
contrler individuellement lalimentation dantennes patch composant un rseau dantenne. Il
gre l'amplitude et la phase des antennes de faon contrler le faisceau de ce rseau. Notons
que le signal optique est converti en onde millimtrique au niveau de lOMC et que lOBFN
lui seul, induit prs de 6 dB de pertes. La figure 2.4 donne la photo du dispositif optique /
radio compos dun rseau de 1 x 4 antennes patchs. La figure 2.5 illustre trois cas de
dpointage pour lesquels ce systme a respectivement dirig le lobe principal du rseau
dantenne vers - 30, 0 et + 45.

(a) schma 'radio sur fibre' .

(b) systme optique OBFN.

Figure 2.3. Systme hybride optique / radio pour des applications au beamforming.[4]

Figure 2.4. Photos du dispositif optique / radio avec 1 x 4 lments dantennes [4].

44

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

= -30

= 0

= 45

Figure 2.5. Diffrents cas de dpointage raliss grce au systme optique / radio 60 GHz [4].

II.2.2. Beamforming commande digitale


Comme l'illustre le schma synoptique de la figure 2.6a, les plates-formes exploitant le
beamforming commande digitale, se composent gnralement dun module RF incluant le
rseau d'antennes, dun module FI (Frquence Intermdiaire) et dun module de traitement du
signal numrique. Avec la formation de faisceau commande digitale, le contrle du
dphasage et de l'amplitude pour chaque lment d'antenne, est effectu numriquement. Pour
cela, le contrle du faisceau, la modulation et la dmodulation sont gres par DSP (Digital
Signal Processor).
Notons que ce genre de dispositif RF est uniquement employ en rception. Dans [5],
il a permis de dvelopper des applications 60 GHz bases sur larchitecture dcrite par la
figure 2.6a. Un tel dispositif et ses antennes sont illustrs par la photo de la figure 2.6b.
Brivement, le module antennaire reprsent par cette photo, se compose dun rseau de 4
antennes patchs espaces entre elles de 0,6 0 (avec 0 = 5 mm) et ralises sur un support en
alumine (h = 127 m, r = 9,6). La bande passante de ce rseau pour S11 < -10 dB, est de
3 GHz. Chaque antenne est interconnecte un mlangeur I/Q ralis sur un substrat
RT/Duroid 5880 (h = 254 m, r = 10,2). Ce mlangeur permet de sparer les composantes IQ
par sous - chantillonnage et de translater le signal RF vers les basses frquences. Le module
FI se compose d'une cascade damplificateurs faible bruit et de filtres passe-bande. Le signal
FI est alors transmis au module traitement du signal o se trouve un convertisseur
analogique/digital dont le rle est de numriser ce signal en vue de son post - traitement par le
DSP. Les pertes de conversion introduites par le systme complet, sont trs leves et valent
environ 10,6 dB. La figure 2.7 met en vidence les dpointages du lobe principal - 25, 0,
+ 25, obtenus 60 GHz avec ce systme, par formation de faisceau commande digitale.
Lalgorithme implant dans le DSP permet de dterminer la direction o la puissance
reue est maximale, en fonction de la dtection des angles darrive (DoA). Il commande
aussi lorientation du lobe principal du rseau dantennes dans la bonne direction, en jouant
sur lamplitude et la phase des lments dantennes de manire maximiser le rapport signal
sur bruit de la chane de transmission.

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Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

(a) schma synoptique.

(b) photos du dispositif et de ses antennes.


Figure 2 6. Dispositif RF 60 GHz ralisant le beamforming commande digitale [5].

Figure 2.7. Balayage RF 60 GHz par commande digitale [5].

46

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


II.2.3. Beamforming par commande dphaseurs RF
A titre d'exemple, les commandes dphaseurs RF dveloppes ici, sont formes de
dphaseurs passifs mis en circuit par commutation lectronique. D'une manire gnrale, ces
dphaseurs sont bass sur lemploi d'une ligne retard o les points dalimentation sont pris
diffrentes longueurs sur cette ligne pour crer le dphasage requis entre les signaux
dantennes. Ensuite, la variation de phase est gre automatiquement par des commutateurs
reconfigurables qui permettent de choisir le chemin dalimentation adquat menant la phase
dsire.
Dans [6], le principe de la ligne retard a t appliqu un rseau de 6 lments
dantennes disposs en cercle. Comme l'indique la figure 2.8, les antennes sont ralises en
technologie multicouche. Les dphasages rsultant des retards de propagation dans la ligne et
respectivement appliqus chaque lment dantenne, permettent d'avoir le dpointage dsir
pour le faisceau du rseau dantennes. En particulier, la figure 2.9 illustre les cas de
dpointage vers 0, 30 et 40 respectivement.

Figure 2.8. Rseau dantennes 6 lments disposs en cercle [6].

= 0

= 30

= 40

Figure 2.9. Diffrents cas de dpointage dun rseau circulaire de 6 antennes patch
60 GHz [6].

47

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Il est vident que lemploi de la ligne retard seule nest pas adquat. En effet, les
dphasages engendrs en diffrents points dune ligne constantes rparties, ne sont pas
rglables puisque la position de ces points est gnralement fixe une fois pour toutes. Aussi,
des commutateurs appropris sont insrs dans le systme complet, pour grer et faire varier
les tats de phase.
Dans ces conditions, on trouve les travaux de Joerg Schoebel et al. dans [7] o des
commutateurs MEMS-RF (Micro Electro Mechanical Systems) sont utiliss pour contrler
leurs dphaseurs et raliser la formation de faisceau dans le cas d'applications au radar routier
77 GHz. Les circuits dmonstrateurs prsents dans la figure 2.10, se composent
principalement d'un rseau dantennes patch o les colonnes sont espaces entre elles de 0/2.
Pour obtenir le dphasage ncessaire pour le dmonstrateur de droite, les antennes sont
alimentes par dphaseurs base de MEMS-RF raliss sur Silicium et monts sur puce o il
y a autant de dphaseurs que de sous - antennes. Le dphaseur considr est un SP2T (Single
Pole Double Throw), cest un dphaseur qui ralise le dphasage en jouant sur les proprits
lectriques des lignes de transmission le composant (principe des lignes retard) et dont la
valeur de phase est contrle par la fonction On ou Off du commutateur MEMS-RF [7]
Un dphaseur 1-bit form de ce dphaseur MEMS-RF induit des pertes dinsertion
valant 1,8 dB (prcisons que la mise en srie de n dphaseurs forme un dphaseur n-bits).
Grce au contrle par les dphaseurs MEMS-RF 3-bits, un rseau de 8 colonnes dantennes
permet de gnrer 5 faisceaux d'antennes entre 30 [7]. Par contre, comme les dphaseurs
MEMS-RF sont 3bits, ils engendrent environs 5,4 dB de pertes par dphaseur.

Figure 2. 10. Rseau dantennes patch exploitant des dphaseurs MEMS pour des applications
au beamforming [7].

Le dmonstrateur de gauche comporte une lentille de Rotman qui jouant le rle de


rpartiteur, permet de faire varier le dphasage entre lments dantennes. Comme l'illustre la
figure 2.10, un interrupteur MEMS-RF est charg de commuter les diffrents canaux qui

48

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


relient ces antennes la lentille de Rotman. Ce procd appel une entre multiples
sorties , a pour but de raliser le dphasage entre lments dantennes avec un seul
commutateur MEMS-RF, ceci afin de rduire la complexit de mise uvre du rseau
d'antennes [7]. La Figure 2.11 donne les rsultats du dpointage du lobe principal dun rseau
de 12 colonnes dlments dantennes suivant un dphasage ralis avec une lentille de
Rotman 5 ports [7]. Ce dmonstrateur permet aussi la formation de 5 faisceaux d'antenne
30, avec une structure plus simple que celle du dmonstrateur de droite. Par contre, les
pertes induites par la lentille et par son interconnexion avec les antennes, sont tout aussi
leves, car elles sont comprises entre 5 dB et 5,4 dB.

Figure 2.11. Dpointage dun rseau de 12 colonnes dlments dantennes 77 GHz,


muni d'une lentille de Rotman [7].

II.2. 4. Comparaison des commandes des liaisons par beamforming


Les dispositifs lectroniques assurant le balayage dun faisceau d'antenne en bande
millimtrique, sont compars dans le Tableau II.1. Ainsi, le dispositif commutation optique
permet d'obtenir une solution hybride base sur une transmission optique / radio et de rendre
plus simple lalimentation de la partie RF ralisant le beamforming. Cette solution est dun
intrt certain pour des systmes ncessitant une connectique filaire avec des fibres optiques.
Cependant, la commande optique induit de fortes pertes variant autour de 6 dB 1 dB et
dues linterconnexion des diffrents tages composant le systme optique / radio.
La commande digitale de la formation de faisceau tant gre par DSP, ses avantages
sont lis au fait quelle a une architecture lectronique bien connue et qu'elle est large bande.
Son inconvnient majeur est que selon le degr de complexit du systme RF, ce systme peut
trs vite devenir trs encombrant et tre d'un cot lev. En effet, son encombrement
augmente avec le nombre de voies traites par le DSP. Ainsi, contrairement dautres
systmes RF, le dispositif commande digitale doit avoir autant damplificateurs, de filtres,
de sparateurs de signaux QI et de convertisseurs analogiques / numriques que de voies
connectes au DSP (voir figure 2.6a).

49

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Tableau II.1. Les diffrents types de commande de liaisons par formation de faisceau.

Formation de
faisceau

Par commande
optique

Par commande
digitale

Par commande
analogique

Pertes induites
par le type de
commande

Avantages

Inconvnients

Rf

++

Solution hybride
Large bande
Circuit dalimentation
plus simple

Encombrement
filaire
Pertes dans la fibre
Pertes dinsertion

[5]

++

Robuste
Simplicit
analogique
Technique large
bande

[6]

++

Solution simple
concevoir
Facilit dintgration

Encombrant
Fortes pertes
Bruit
Utilisable en
rception seulement
Pertes dinsertion
Complexit
augmentant avec le
nombre dlments

[7]

La commande analogique (comme celle ralise par des commutateurs reconfigurables


MEMS-RF) a lavantage de mettre en uvre le beamforming moindre cot, de faon plus
simple et avec un faible encombrement que dautres solutions. Dans [7], des dphaseurs
base de commutateurs MEMS-RF sont interconnects chaque lment d'un rseau
d'antennes patch. Dans ce cas, larchitecture de cette commande devient assez vite
encombrante pour des rseaux forms d'un grand nombre d'antennes, car il faudrait mettre
autant de dphaseurs MEMS-RF que dantennes. Mais, il existe des configurations qui
rendent plus simple la ralisation du systme RF. C'est le cas d'une autre solution prsente
dans [7], consistant utiliser une lentille de Rotman avec un seul commutateur MEMS-RF.
D'aprs l'tude comparative qui vient d'tre faite, la meilleure faon de raliser la
formation de faisceau 60 GHz est d'employer la solution commande analogique comme
celle des dphaseurs passifs commands par des commutateurs reconfigurables MEMS-RF.
En effet, nous venons de voir que cette commande est plus efficace et plus facile mettre en
uvre, surtout pour des systmes ncessitant un minimum dlectronique embarquer. D'o,
notre intrt pour les dphaseurs lectroniques commande par analogique.
Il existe deux grandes familles de cette catgorie de dphaseurs:

Les dphaseurs passifs constitus principalement de lignes retard comme le


dphaseur MEMS-RF dcrit dans [7].

Les dphaseurs actifs gnralement fabriqus en associant des diodes ou des


transistors capacit variable, comme les varactors [8-9]. Etant habituellement
conus comme amplificateurs RF, ces composants sont intgrs sur du Silicium.

Remarquons que la technologie actuelle permet de raliser ce type de dphaseur sur un


mme substrat en Silicium et donc, d'atteindre de meilleures performances, faible cot [10].

50

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Lors de la mise en uvre du front - end radio, cette possibilit soulve alors le problme de la
technologie employer pour faciliter la co-intgration de ses composants RF (tels que les
amplificateurs, les dphaseurs, les antennes ou les filtres) et pour optimiser ses performances.
Dans la littrature, de plus en plus de travaux portant notamment sur l'exploitation de la bande
millimtrique, font rfrence la ralisation de dphaseurs passifs sur Silicium, tels que des
dphaseurs MEMS-RF ou des coupleurs, et leur insertion dans des dispositifs RF
entirement raliss avec du Silicium [7, 11-12],
Afin de choisir la technologie utiliser lors de la ralisation de notre front-end radio
formation de faisceau, cette problmatique est aborde dans le prochain paragraphe. A cet
effet, les diffrents types de co-intgration existant en bande millimtrique, y sont exposs, en
mettant en vidence leurs avantages et leurs inconvnients.
II.3. Co-intgration des antennes au front-end d'un dispositif RF en bande V
Comme nous venons de le noter, lun des objectifs de nos travaux est de raliser la
partie antennaire de manire faciliter linterconnexion avec la partie active des composants
d'un front-end radio (avec les amplificateurs, les oscillateurs, voire dans certains cas, les
dphaseurs) et de limiter les pertes lors de leur co-intgration dans un mme support. Les
composants solides tels que les transistors et les diodes sont intgrs sur Silicium car la
technologie base sur ce dilectrique, permet de fabriquer, moindre consommation et
faible cot, des composants actifs prsentant les meilleures performances [10].
Des tudes sont actuellement menes en bande millimtrique, pour augmenter
conjointement le niveau dintgration entre la partie numrique et la partie RF dune chane
de transmission. L'objectif de ces tudes est aussi d'intgrer compltement tout ce systme sur
une mme puce faible cot et avec une bonne fiabilit. Dans la littrature, diffrents niveaux
dintgration sont dcrits pour les dispositifs RF oprant en bande millimtrique. Nous les
avons classifis comme suit :

Faible niveau dintgration : Tous les composants RF sont implants sur une mme
plaque imprime (voir figure 2.12). Le dispositif RF ainsi obtenu, a t ralis par les
chercheurs de Terahertz Communications Lab, Institute for High Frequency
Technology, dAllemagne dans le cadre dun projet Europen QSTREAM pour des
applications au WLAN 60 GHz. Il constitue un exemple o les composants actifs
(VCO, amplificateurs, oscillateurs, diodes,) ont t insrs sur le support du rseau
dantennes. Lantenne utilise est dcrite dans [13]. Ce type dintgration a lavantage
dtre simple mettre en uvre et de supprimer toutes les contraintes de matriaux
lies la ralisation des diffrents composants. En effet, chaque composant est ralis
sur le support qui lui permet individuellement davoir les meilleures performances.
Cependant, les interconnexions entre les composants millimtriques sont nombreuses

51

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


et peuvent induire de fortes pertes. Ce genre d'inconvnient font que cette solution
nest pas retenir, car peu intressante pour notre application.

Figure 2.12. Dispositif RF 60 GHz, suivant un faible niveau dintgration (projet QSTREAM).

Haut niveau dintgration: Les circuits actifs sont intgrs sur Silicium en une seule
puce tandis que la partie antennaire est ralise part (voir figure 2.13). Comme nous
l'avons expliqu au paragraphe I.5.2.3, IBM a mis en uvre ce genre de dispositif pour
des applications 60 GHz [14-15]. Brivement, le dispositif allie une puce Rx / Tx en
Silicium qui est interconnecte avec une antenne ralise sparment sur un substrat
en Silice. Cette antenne qui sera dcrite au paragraphe II.4.2, est une solution hybride.
Elle a l'intrt d'offrir la possibilit de maximiser le rendement du dispositif RF en
considrant les meilleures caractristiques de chacune de ses parties constitutives.
Ainsi, en ralisant toute la partie active sur Silicium, on obtient des amplificateurs
possdant les meilleures performances et on amliore le gain des antennes en les
intgrant sur une couche de Silice sous laquelle une cavit dair a t amnage.
Cependant, les caractristiques de lantenne (encombrement, rayonnement,), la
technologie utilise pour fabriquer cette antenne et le type de dispositif RF
(interconnexion, compatibilit des diffrents matriaux employs, limitation de la
technologie) font que la ralisation du front-end radio peut devenir trs vite complexe,
induire beaucoup de pertes et rendre lintgration fortement coteuse. A cause de
toutes ces exigences, cette solution est alors inintressante en pratique.

52

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

Figure 2.13. Dispositif RF 60 GHz suivant un haut niveau dintgration [14].

Intgration totale sur un mme support: Tous les composants RF sont compltement
intgrs sur Silicium. La figure 2.14 illustre le cas d'un metteur 60 GHz compos
dun tage VCO, dun mlangeur, dun amplificateur de puissance et dune antenne
diple. Tous ces composants sont entirement raliss sur un mme support en
Silicium, suivant la technologie BiCMOS. Lintrt de cette solution est qu'elle permet
de rduire dune part, la complexit de ralisation dun metteur / rcepteur et dautre
part, les pertes dinterconnexions de faon significative [16].

Pour rcapituler, nous avons donc intrt intgrer sur du Silicium, les antennes avec
tous les autres composants lectroniques si lon veut limiter les problmes lis leur
interconnexion car presque tous ces composants sont aujourd'hui couramment fabriqus avec
ce matriau. D'o, nos investigations se sont orientes vers la ralisation d'antennes en bande
V en utilisant des procds technologiques bass sur le Silicium, capables de limiter les pertes
lors de lintgration des antennes sur puce et de rduire la complexit de ralisation dun
front-end radio.

Figure 2.14. Dispositif RF 60 GHz avec intgration totale sur un mme support [16].

53

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

II.4. Aspects physiques des antennes sur substrat en Silicium


Diverses antennes ralises sur un substrat en Silicium et oprant dans la bande
millimtrique, ont t dcrites dans la littrature. Le Silicium employ pour fabriquer ces
antennes est soit de basse rsistivit (LR : low Resisitvity), mettant en uvre des technologies
CMOS et BiCMOS pour rduire le cot de fabrication, soit de haute rsistivit (HR : High
Risistivity) pour amliorer le rendement des antennes.
Pour rduire les contraintes imposes par les proprits physiques du Silicium et
principalement, par sa forte permittivit dilectrique, il existe des solutions hybrides qui
consistent allier le Silicium dautres matriaux possdant des caractristiques adquates.
De telles solutions sont employes pour fabriquer des antennes en technologie multicouche.
La technologie de la membrane permet aussi damliorer les caractristiques de rayonnement
d'une antenne. Dautres solutions sont obtenues en combinant entre elles, celles qui viennent
d'tre dcrites. Elles permettent notamment damliorer la bande passante des antennes, leurs
caractristiques de rayonnement et leur rendement.
Pour choisir parmi toutes ces solutions, celles qui se prtent le mieux la ralisation
de la partie antennaire ncessaire notre dispositif RF, nous avons procd, ci aprs, un tat
de lart sur les antennes intgres sur Silicium et oprant dans la bande millimtrique.
II.4.1. Antennes sur Silicium
Les antennes que nous cherchons raliser, doivent tre mises en rseau pour qu'elles
puissent assurer une liaison formation de faisceau. Aussi, les antennes que nous avons
tudies ici, sont essentiellement des structures compactes bien connues du type patch, diple
et structures multicouches.

Antenne patch

Lantenne patch agit comme une cavit rsonante dlimite par sa largeur W et sa
longueur L (voir figure 2.15).

Figure 2.15. Antenne patch imprime sur un dilectrique.

54

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


De manire gnrale, la largeur W agit sur limpdance de lantenne tandis que la
longueur L permet d'ajuster sa frquence de rsonance. D'aprs la figure 2.15, lantenne patch
est imprime sur une seule couche dilectrique. Elle est gnralement excite par une ligne
micro-ruban ou par un cble coaxial. Le plus souvent, cest l'alimentation par une ligne microruban qui est privilgie cause de sa facilit de ralisation.
Dans [17], une tude a t dveloppe sur les antennes patch 60 GHz ralises sur du
Silicium, avec r = 11,8, h = 200 m et une conductivit 0 -1. Les dimensions de
lantenne tudie sont W = 880 m et L = 618 m, sa bande passante est de 2 %, son
rendement, de 54 % et son gain, de 4,7 dBi. Comme l'illustre la figure 2.16, ses diagrammes
de rayonnement ont la forme classique proche dune demi - sphre [1].

Figure 2.16. Diagramme de rayonnement dune antenne patch dans les plans E et H [1].

La bande passante d'une antenne patch est de faible valeur et la forte permittivit
dilectrique du Silicium la rend encore plus troite. En effet, les courbes de la figure 2.17
montrent que plus cette permittivit diminue, plus la bande passante et le rendement
augmentent. Donc, la largeur de bande dune antenne patch dpend directement du type de
substrat sur lequel elle a t implante.
Le rendement de l'antenne patch considre diminue avec laugmentation de la
permittivit de son support. Ceci prouve quune partie de lnergie est dissipe autrement que
par rayonnement. Dans [20], cette chute du rendement est explique par labsorption dune
partie de lnergie par le substrat lorsque sa permittivit dilectrique est forte.

55

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

(a)

(b)

Figure 2.17. Variations du rendement et de la bande passante en fonction de la permittivit


dilectrique du substrat (dont l'paisseur est fixe 200 m) [17].

Antenne diple

Les antennes diple imprimes sur un dilectrique, sont gnralement ralises au


moyen de lignes CPW (CoPlanar Waveguide) ou CPS (CoPlanar Strip). Dans le cadre du
projet ANR intitul VELO concernant des applications radar automotive 79 GHz, ce type
d'antenne a t tudi dans notre Laboratoire et les rsultats de ces travaux ont t publis
dans [18]. La figure 2.18 reprsente le diple ainsi tudi, avec ses dimensions. Cette antenne
tant ralise avec une ligne CPS, a t implante sur un substrat en Silicium (avec r = 11,7,
h = 500 m) revtu d'une couche mince doxyde de silicium SiO2 (avec r = 4, h = 8,3 m).
Le Silicium utilis est de type HR, avec une rsistivit = 1 k.cm ou de type LR, avec
= 12 .cm. La largeur Wa et lespacement S permettent d'ajuster limpdance du diple
tandis que la longueur Ld sert rgler sa frquence de rsonance.

Figure 2.18. Antenne diple sur silicium fonctionnant 79 GHz [18].

Les caractristiques obtenues avec les deux sortes de Silicium, ont t compares.
Dans les deux cas, la bande passante de lantenne est de 12 % relativement 79 GHz, avec un
TOS < 2. Avec du Silicium LR, le gain du diple est de - 6,8 dBi et son rendement vaut

56

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


8,9 %. Mais, avec du Silicium HR, le gain est gal - 3,7 dBi et le rendement atteint 17 %.
D'aprs ces rsultats, le rendement est donc faible lorsque le diple est intgr sur un substrat
en Silicium. Aussi, il est prfrable dutiliser du Silicium HR puisque ce dernier offre un
meilleur rendement que le Silicium LR. Les diagrammes de la figure 2.19 montrent que le
rayonnement issu du diple sur Silicium est surtout dirig vers le substrat. Cette antenne a un
rendement trs faible car comme dans le cas du patch sur Silicium, une partie de lnergie est
stocke par le substrat. Par consquent, le rayonnement mis en espace libre, est faible.

Figure 2.19. Diagramme de rayonnement de lantenne diple ralise sur silicium avec une
ligne CPS et fonctionnant 79 GHz [18].

Antenne multicouche

Dans [19], un exemple dantenne forme d'une superposition de deux couches de


Silicium, est dcrit. Cette antenne se compose dune antenne patch alimente avec une fente
par couplage lectromagntique (voir figure 2.20). Trs sommairement, une ligne micro-ruban
vient exciter une fente rectangulaire de dimensions Lf et Wf via un dilectrique, par couplage
dominance magntique. Cette fente est, son tour, couple une antenne patch se trouvant
sur la couche suprieure. Le couplage entre ces lments qui est alors suffisamment fort,
favorise l'largissement de la bande passante de toute l'antenne.

Figure 2.20. Antenne multicouche forme d'une antenne patch couple une fente.

57

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


La longueur Lp permet d'ajuster la frquence de rsonance de lantenne tandis que
Lsub, Wf, Lf, et Wp contribuent essentiellement au rglage de limpdance de lantenne et du
couplage entre la ligne microruban, la fente et le patch.
Lantenne ralise dans [19], travaille 94 GHz. Les deux couches de dilectrique qui
la constituent, sont faites de Silicium HR avec les caractristiques suivantes: r = 11,9 et
h1 = h2 = 100 m. Cette antenne a une bande passante de 3 % et un rendement de 28 %.
Rappelons que l'troitesse de la bande passante est due la forte permittivit du substrat
utilis. Cette configuration dantennes est intressante car elle se prte bien son intgration
sur puce et permet dans certains cas de limiter les problmes d'interconnexion. Cependant,
lorsque le couplage est mal agenc cause dun mauvais alignement ou dune faible paisseur
de substrat, une partie de lnergie lectromagntique est perdue par rayonnement arrire.
Dans les prochains paragraphes, nous verrons qu'il est possible d'amliorer les caractristiques
de cette antenne soit en alliant le Silicium avec d'autres dilectriques dans une structure
multicouche, soit en rduisant la permittivit de la couche suprieure de substrat grce la
technologie de la membrane.
II.4.2. Les antennes multicouches avec hybridation de substrats dilectriques
Dans [18], une antenne multicouche 79 GHz a t ralise avec diffrents matriaux
dilectriques pour former les couches constitutives de lantenne. Cette antenne est compose
dun diple CPW ralis sur Silicium LR de 500 m dpaisseur, recouvert d'une couche
mince doxyde de Silicium SiO2. Ce diple alimente par couplage lectromagntique, une
antenne patch dpose sur la couche suprieure qui est un film en BCB (BenzoCycloButene)
de 30 m dpaisseur (voir figure 2.21a).
Cette solution permet damliorer la directivit de lantenne en lvation, faisant que
le rayonnement est dirig vers le patch. Par consquent, les caractristiques de rayonnement et
le rendement de lantenne sont amliors (voir figure 2.21b). En effet, le couplage du patch
avec le diple permet de rcuprer une partie de lnergie qui schappe dans le substrat en
Silicium. Dans ce cas, le rendement de lantenne sur Silicium s'est notablement accru. Pour le
diple oprant seul, le rendement est de 8,9 % et le gain, de - 6 dBi. Lorsque le diple est
coupl lantenne patch, le rendement passe 37,2 %, et le gain devient meilleur et vaut
2,65 dBi [18]. De plus, la bande passante de cette antenne demeure faible car elle est de 2,5 %
relativement 79 GHz, avec un TOS < 2.

58

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

(a) Description de l'antenne.

(b) Diagramme de rayonnement dans les plans E et H.


Figure 2.21. Antenne multicouche hydride (Silicium + BCB) 79 GHz, forme d'un diple CPW
coupl une antenne patch [18].

Dans le cadre du projet Europen QSTREAM portant sur les applications WLAN
60 GHz, une autre solution a t considre [20]. Elle consiste remplacer la couche
suprieure en BCB de l'antenne de la figure 2.21, par une lame d'air. Comme le montre la
figure 2.22, lantenne se compose dun diple CPW ralis sur Silicium LR avec une couche
de SiO2. Ce diple alimente un patch se superposant une hauteur h = 70 m et laissant une
cavit dair entre le patch et le diple. Pour raliser cette superposition, lantenne patch est,
tout dabord, dpose sur un substrat en verre (h = 300 m, r = 4,6, tg = 0,0037). Ce
support est pos sur des billes mtalliques appeles '-bump', qui vont assurer la superposition
et la fixation du patch au dessus du diple (voir figure 2.22a). Avec du Silicium LR, le
rendement de lantenne qui en rsulte, est de 53 %. Avec du silicium HR, ce rendement atteint
90 %. La bande passante de cette antenne est de 8 % 60 GHz. La figure 2.22b indique que
les diagrammes de rayonnement de lantenne obtenus dans les plans E et H, sont symtriques
et que le lobe arrire est de faible amplitude. Ceci prouve qu'un bon niveau de couplage est
atteint entre le diple et lantenne patch. Ltude ralise dans [20], a pour but d'utiliser
l'antenne de la figure 2.22 pour couvrir la bande des 60 GHz (soit 11 %). Elle montre
galement que la bande passante de lantenne augmente avec la hauteur de cavit. D'aprs
cette tude, lantenne doit tre dote dune cavit de 250 m de hauteur pour qu'elle puisse
59

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


couvrir une bande de 14 % 60 GHz. Mais, le principal inconvnient de la technologie bump est son caractre fig, car elle limite la hauteur de cavit 70 m.

(a) Description de lantenne.

(b) diagramme de rayonnement.

Figure 2.22. Antenne multicouche hybride (Silicium + air + verre) 60 GHz, forme d'un diple
coupl une antenne patch.

Dans [21], la solution qui a t adopte, est diffrente car le support infrieur est du
Silicium HR, recouvert par un substrat en verre obtenu avec de la Silice. L'antenne ralise
selon ce principe, est illustre par la figure 2.23. Celle-ci est un diple grav sur le support en
Silice dont les caractristiques sont : r = 3,8, tg = 0,001 et h = 300 m. Cette antenne a t
conue pour tre utilise dans le dispositif RF de IBM dcrit au paragraphe I.5.2.3, pour des
applications WPAN. D'aprs les figures 2.23a et 2.23b, le diple est suspendu une hauteur
H = 500 m au dessus dune cavit creuse dans le Silicium. Cette cavit est mtallise afin
de crer un rflecteur sous le diple et de supprimer le lobe arrire du rayonnement mis.
Deux autres rflecteurs mtalliques de longueur Lb = 3 mm sont places sur le substrat en
Silice, en parallle avec le diple et espacs dune largeur Sb = 3,6 mm, de faon minimiser
les radiations indsirables qui se propagent paralllement au substrat [21-22].
Les diagrammes de la figure 2.23c montrent que cette antenne possde de bonnes
caractristiques de rayonnement. Son gain est de 7 dBi, son efficacit, de 80 % et sa bande
passante, de 11% 60 GHz, soit de 59 GHz 64 GHz.

(a) Vues dans le plan horizontal et le plan vertical [21].

60

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

(b) Vue en 3D.

(c) Diagrammes de rayonnement

dans les plans E et H.


Figure 2.23. Antenne hybride (Silicium + Silice) 60 GHz, forme d'un diple CPS
avec rflecteur.

En comparant les diffrentes solutions dantennes prsentes dans ce paragraphe, on


voit que lhybridation du substrat dilectrique permet de continuer exploiter le Silicium en
tant que support, tout en assurant aux antennes de meilleures caractristiques en termes de
rayonnement et de rendement que dans le cas d'une utilisation simple de ce dilectrique. Par
contre, cette technique dhybridation peut compliquer la fabrication de lantenne et rendre
coteuse sa mise uvre. Ainsi, pendant la phase de conception, il faudrait contrler
lalignement des diffrentes couches dilectriques, puis assurer une fiabilit et une
reproductibilit de la technologie employe pour fabriquer les antennes. Toutes ces
contraintes font que cette solution nest pas intressante pour notre ralisation.
II.4.3. Antennes sur membrane en Silicium
Le principe de la technologie de la membrane en Silicium est de crer une cavit dair
dans le substrat en Silicium de faon ramener localement la permittivit effective du substrat
de 11,9 une valeur proche de lunit. Cette cavit est place sous llment rayonnant (voir
figure 2.24). Lemploi de cette technologie permet lexploitation dun support en Silicium
tout en amliorant les caractristiques de rayonnement et de rendement de l'antenne [23]. Les
travaux qu'on trouve dans la littrature, exploitent diffremment cette technologie selon
lapplication envisage. Les antennes munies d'une membrane que dcrivent ces travaux, sont
respectivement le patch, le diple, l'antenne LTSA, l'antenne multicouche et le cornet.

61

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

Figure 2.24. Principe de la technologie de la membrane sur Silicium.

Antenne patch sur membrane en Silicium


Dans [23], lintrt de la technologie de la membrane est mis en vidence en
comparant une antenne patch dpose sur une couche simple de Silicium, celle implante
sur un substrat en Silicium muni d'une membrane. Ces antennes travaillent autour de 13 GHz.
Le Silicium sur lequel elles ont t intgres, est de 635 m dpaisseur et de constante
dilectrique eff = 10,8. La figure 2.25 est une illustration de lantenne patch comportant une
membrane en dessous. La cavit d'air cre sous le patch, est de 476 m, avec une membrane
en Si de 159 m dpaisseur, soit 75 % dair par rapport au volume global du substrat.
D'aprs [23], la bande passante de lantenne patch sans membrane est, en valeur
relative, de 1,4 % par rapport 13 GHz et son rendement vaut 66 %. La bande passante
relative de l'antenne patch avec membrane est de 2,3 %, soit une augmentation de 64 % et son
rendement passe 85 %, soit une amlioration de 28 % par rapport au cas prcdent.

Figure 2.25. Antenne patch avec membrane en silicium, fonctionnant 13 GHz.

Dans [17], l'antenne patch 60 GHz sur Silicium (r = 11,8, h = 200 m, tg = 0)


dcrite au paragraphe II.4.1, a aussi t compare une antenne patch du mme type, mais
dpose sur une membrane dont la cavit d'air occupe 81 % du volume total du substrat. Il en
rsulte alors que lantenne sur membrane atteint un rendement thorique de 100% (avec
un gain de 9 dBi) et une bande passante de 4,75 %, soit respectivement 54,4 % et 42 % de
plus par rapport au rendement et la bande passante de l'antenne patch sans membrane.
Dans [24], une tude comparative a t effectue entre deux antennes patch sur
membrane, travaillant 20 GHz. Ces deux antennes et leur membrane sont de forme et de

62

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


dimensions identiques, mais le substrat sur lequel elles ont t implantes, est diffrent. Le
substrat de l'une des antennes, est en Silicium LR et celui de l'autre, en Silicium HR. Ces
substrats sont de 787,4 m d'paisseur et la cavit d'air qui est 635 m de hauteur, occupe
80 % du volume total (voir figure 2.26). L'antenne sur Silicium LR a une bande passante de
9,6 % et un rendement de 39 % tandis que la bande passante de l'antenne sur Silicium HR est
de 3,8 % et son rendement, de 97,8 %. Ces rsultats montrent que lutilisation du Silicium HR
permet d'atteindre un meilleur rendement qu'avec du Silicium LR. L'largissement de la bande
passante observ pour la premire antenne, est d aux pertes dans le Silicium LR.

Figure 2.26. Antenne patch sur membrane 20 GHz, avec substrat en silicium LR ou HR. [24]

En rsum, les tudes faites dans [17], [23] et [24], montrent que la hauteur de la
cavit joue un rle prpondrant sur la bande passante et le rendement de lantenne patch.
Dans [17], le rendement dune antenne patch a t tudi en fonction de lpaisseur (Hsub) et
de la permittivit du dilectrique (r) caractrisant son substrat. Les rsultats de cette tude
sont donns par le diagramme bidimensionnel de la figure 2.27. En comparant ces rsultats
ceux dduits de la courbe de la figure 2.17a, on voit que la faiblesse du rendement est lie :

Une forte permittivit.

Un substrat pais (essentiellement quand la permittivit du substrat est forte)

De plus, la courbe sur la figure 2.17b montre que plus la permittivit dilectrique du
substrat est faible, plus la bande passante de lantenne patch est large. Finalement, d'aprs les
travaux raliss dans [24], on voit que la rsistivit () du substrat joue un rle significatif sur
le rendement de lantenne patch et que par consquent, il vaut mieux utiliser un substrat ayant
une forte rsistivit pour raliser nos antennes.

63

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

Figure 2.27. Variations du rendement (en %) dune antenne patch 60 GHz en fonction de la
hauteur (Hsub) et de la permittivit (r) de son support [17].

Antenne diple sur membrane en Silicium


La figure 2.28 reprsente une antenne diple fente torsade en crneaux. Cette
antenne est dpose sur une membrane Si/BCB, telle que dfinie dans [25]. Le Silicium
employ est de basse rsistivit, soit 20 .cm, et de 400 m de hauteur. La hauteur du film en
BCB est de 10 m. Lablation du Silicium sous lantenne est totale pour ne laisser quune
membrane en BCB, occupant une surface de dimensions: Wtr = 760 m et Ltr = 3300 m. Les
dimensions du diple sont: Ldip = 3000 m et Wdip = 500 m. Cette antenne doit quiper un
metteur /rcepteur, le tout tant totalement intgr sur le mme support en Silicium (voir
figure 2.28b).

(a) lantenne.

(b) Dispositif RF intgr sur silicium.

Figure 2.28. Dispositif RF 24GHz, ralis entirement sur silicium LR [25].

64

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Le rendement de l'antenne est de 50 % et son gain vaut 0,7 dBi 24 GHz. Par contre,
comme le reprsentent les diagrammes de rayonnement de la figure 2.29, cette antenne
produit un lobe arrire de forte amplitude dans les plans de polarisation E et H, Aussi, lorsque
l'antenne est insre dans un dispositif RF, ce rayonnement arrire peut y crer de fortes
perturbations et dtriorer la rponse de ce dispositif. .

(a) plan E

(b) plan H

Figure 2.29. Diagrammes de rayonnement de lantenne diple torsad, sur membrane en


silicium, 24GHz.

Antenne LTSA sur membrane en Silicium


En trouve dans la littrature dautres sortes d'antenne conues avec la technologie de la
membrane. Ce sont, par exemple, les antennes LTSA (Linearly Tapered Slot Antenna). Les
LTSA sont idales pour des applications UWB (Ultra Wide Band), car elles sont typiquement
trs large bande passante. Celle illustre par la figure 2.30, est destine des applications en
ondes submillimtriques. Elle a t ralise sur du Silicium de 385 m de hauteur. Sa
membrane est de 1,7 m d'paisseur. Grce la technologie de la membrane, cette antenne
peut alors couvrir la gamme allant de 270 GHz 802 GHz [26]. Par consquent, sa bande
passante relative est de 100 % par rapport la frquence centrale.

Figure 2.30. Antenne LTSA sur membrane en silicium, fonctionnant de 270 GHz 802 GHz [26].

65

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Etant donne la taille typique de la LTSA en fonction la longueur donde, son gain est
lev. Sa directivit (D) qui varie de 11 dBi 13 dBi, s'crit en fonction de sa longueur (L) et
de la longueur donde (0) dans l'air assimil au vide:
D = 10log (10 L/ 0)

(II - 1)

Avec ce type dantenne, les diagrammes de rayonnement dans les plans E et H se


dforment lorsque le substrat sur lequel elles se trouvent, est trop pais. Aussi, pour viter de
telles distorsions, le substrat utilis doit tre suffisamment fin. Soit h, la hauteur du substrat et
r, sa permittivit relative. La condition pour les diagrammes de rayonnement ne soient pas
altrs est de choisir une paisseur de substrat qui satisfait la relation suivante:

avec:

0,03 0

(II - 2)

r -1

0,005 0 < h < 0,03 0

Comme cette antenne est ralise sur membrane, elle remplit parfaitement la condition
(II-2). La figure 2.31 donne les diagrammes de rayonnement de cette antenne obtenus dans
les plans E et H, 348 GHz et 802 GHz respectivement. Ces diagrammes qui sont
symtriques, caractrisent un rayonnement homogne et directif. Notons que le rayonnement
se propage suivant le plan de lantenne. Le principal inconvnient de la LTSA est son
encombrement, rendant difficile sa mise en rseau.

(a) 348 GHz.

(b) 802 GHz

Figure 2.31. Diagrammes de rayonnement de lantenne LTSA sur membrane en silicium, dans
les plans E et H [26].

66

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

Antenne multicouche avec membrane en Silicium


Lantenne dcrite par la Figure 2.32, est de type multicouche. Elle est identique celle
prsente dans le paragraphe II.4.1, sauf que la technologie de la membrane a t applique au
Silicium de la couche suprieure qui porte lantenne patch, de faon que la valeur effective de
sa permittivit relative devienne proche de celle de l'air. Notons que le principe de
fonctionnement reste le mme. La figure 2.33 donne les diagrammes de rayonnement obtenus
dans les plans E et H pour une antenne multicouche sur membrane, travaillant 13 GHz [27].

Figure 2.32. Antenne multicouche exploitant la technologie de la membrane en silicium [27].

Figure 2.33. Diagrammes de rayonnement dune antenne multicouche sur membrane en


silicium, obtenus dans les plans E et H 13 GHz [27].

D'aprs [19], [27] et [28], de telles antennes ralises en bande millimtrique, ont leur
bande passante et leur rendement qui varient en fonction de la hauteur lectrique du substrat
(hdilectrique / 0) et de celle de la cavit (hcavit / 0) se trouvant sous lantenne patch.
Dans [28], lantenne multicouche est ralise avec du Silicium HR. Elle est excite par
une ligne microruban porte par une couche de Silicium de 100 m dpaisseur tandis que le
patch est dpos sur une couche de Silicium de 250 m d'paisseur, o une cavit d'air de

67

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


200 m de hauteur a t amnage. La bande passante de cette antenne est value 10 %
relativement 60 GHz et son rendement vaut, aprs simulation, 77 %.
Dans [19], une comparaison a t faite entre deux antennes multicouches fonctionnant
94 GHz, avec ou sans membrane. Lune des antennes comporte, donc, une membrane en
Silicium de 200 m dans la couche dilectrique de la partie suprieure alors que pour l'autre
antenne, cette couche de Silicium est reste inchange avec une paisseur de 100 m, comme
cela avait t dcrit au paragraphe II.4.1. Ltude comparative a montr que l'antenne
multicouche sans membrane a une bande passante de 3 % et un rendement 28 % tandis que
l'antenne avec membrane possde une bande passante de 10 % et un rendement de 58 %.
Donc, quand on passe d'une structure multicouche sans membrane celle avec membrane, on
obtient une amlioration de 70 % pour la bande passante et de 20 % pour le rendement de
lantenne. Par contre, comme cette antenne devient beaucoup plus complique mettre en
uvre, elle ne peut pas tre retenue pour notre application.

Antenne cornet avec membrane en Silicium


La figure 2.34 reprsente une antenne cornet comportant son sommet, une antenne
diple CPS sur membrane en Silicium. Le cornet est ralis en usinant, par paliers successifs,
le substrat en Silicium qui est, ensuite, mtallis de faon former un cornet pyramidal.
Comme le montre la figure 2.34, le plan arrire de ce cornet qui est aussi mtallique, agit
comme un rflecteur larrire du diple et permet de supprimer le rayonnement arrire
induit par cette antenne. La figure 2.35 donne une vue en coupe de lantenne. Elle montre que
cette dernire est une superposition de couches dilectriques en Silicium ayant diffrentes
hauteurs dont la somme quivaut une hauteur globale de 3 mm [29]. Cette antenne
fonctionne 95 GHz [26-27]. Sa bande passante peut atteindre 20 %, son rendement est
compris entre 75 % et 80 % et son gain varie de 11 dBi 13 dBi [30].

Figure 2.34. Antenne cornet + diple ralise sur Silicium et fonctionnant 95 GHz.

68

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau

Figure 2. 35. Vue en coupe de l'antenne cornet + diple 95 GHz.

La figure 2.36 montre que les diagrammes de rayonnement obtenus dans les plans E
et H, sont symtriques et que cette antenne est directive. L'antenne cornet prsente de bonnes
performances en termes de rayonnement et de bande passante, mais elle est
technologiquement trs complexe mettre en oeuvre.

Figure 2.36. Diagrammes de rayonnement de lantenne cornet + diple obtenus 95 GHz dans
les plans E et H.

II.4.4. Synthse de l'tude des antennes sur Silicium


Le Tableau II.2 synthtise ltude effectue dans les paragraphes prcdents sur les
antennes sur Silicium en bande millimtrique. Il indique la technologie et les matriaux
employs pour chaque antenne. Il rpertorie aussi les antennes tudies et leurs principales
caractristiques. Dans ce tableau, les faibles valeurs de la bande passante, du rendement et de
la complexit de fabrication sont dsigns par le signe (-) et leurs fortes valeurs, par le signe
(+). La possibilit de mise en rseau est galement considre pour chaque antenne.

69

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


Tableau II.2. Comparaison des caractristiques des diffrentes antennes sur silicium en bande
millimtrique.
Technologie

Antennes

Support

Largeur de
bande

Rendement

Complexit
de mise en
uvre

Mise en
rseau

Sur Si HR
(Figure 2.15)

(-) (-) (-)

(+) (-) (-)

(+) (+) (+)

OK

1) Patch

Sur membrane
en Si HR
(Figure 2.24)

(+) (+/-) (-)

(+) (+) (+)

(+) (+/-) (-)

OK

Sur Si LR
(Figure 2.18)

(+) (+) (-)

(-) (-) (-)

(+) (+) (+)

OK

Sur membrane
en Si LR
(Figure 2.28)

(+) (+) (-)

(+) (+) (+)

(+) (+/-) (-)

OK

Sur membrane
en Si HR
(Figure 2.30)

(+) (+) (+)

(+) (+) (+)

(+) (-) (-)

NON

(+) (-) (-)

(+) (-) (-)

(+) (+/-) (-)

OK

(+) (+) (-)

(+) (+) (-)

(+) (-) (-)

OK

(+) (+) (+)

(+) (+) (-)

(-) (-) (-)

OK

(+) (+) (-)

(+) (+) (-)

(+) (-) (-)

OK

(+) (+) (-)

(+) (+) (-)

(+) (-) (-)

OK

Simple
couche
2) Diple

3) LTSA

Multicouche
Silicium

Multicouche
Solution
Hybride

4) Patch
coupl
une fente

Antenne et
excitation sur
Si HR
(Figure 2.20)
Excitation sur
Si HR
Antenne sur
membrane
(Figure 2.32)

5) Cornet
coupl
un diple

Excitation sur
Si HR
Antenne sur
membrane
(Figure. 2.34)

6) Patch
coupl
un dipole

Excitation sur
Si LR
Antenne sur
Verre
(Figure 2.22)

7) Diple
avec
rflecteur

Rflecteur sur
Si HR
Antenne sur
Verre
(Figure 2.23)

Ltude de toutes ces antennes a montr, de manire gnrale, que lexploitation dun
substrat tel que le Silicium impose un certain nombre de contraintes pour la partie antennaire,
cause de la forte permittivit du Silicium. Notamment, lorsque ces antennes sont construites
uniquement avec ce matriau, on trouve que celles-ci sont faible rendement et pour certaines
catgories dantennes telles que les antennes patch, leur bande passante est faible. Aussi, pour

70

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


pallier ce type de problme, certains travaux publis dans la littrature, font appel
diffrentes techniques telles que:

La technologie de la membrane qui permet d'amliorer la bande passante et le


rendement dune antenne, comme c'est le cas pour le patch et le diple (c'est--dire, les
antennes (1) et (2) du Tableau II.2). Cependant, cette solution augmente le cot et la
complexit de ralisation de ces antennes.

La technologie multicouche qui se subdivise en deux catgories:


o La solution hybride consistant associer le support en Silicium avec un
substrat de matriau diffrent, comme dans le cas de lantenne (6) du
Tableau II.2: Comparativement au diple sur Silicium (antenne (2)), cette
solution permet, notamment daccrotre le rendement et de limiter le
rayonnement arrire. Ces amliorations dpendent du degr de couplage entre
les lments rayonnants composant lantenne. Ce couplage qui est li, son
tour, la hauteur de la couche suprieure du substrat, dpend surtout de la
technologie disponible et de ses limites (voir paragraphe II.4.2). La difficult
rside galement dans lalignement des diffrentes couches.
o La solution base sur l'association de la technologie multicouche celle de la
membrane: Cette solution qui a t applique aux antennes (4), (5) et (7) du
Tableau II.2 permet de raliser des antennes fort rendement avec une bande
passante large. Cependant, les contraintes technologiques quand elles
s'accumulent, peuvent rendre trs complexe et coteuse la ralisation de ces
antennes.

D'aprs ltude dveloppe ci-dessus, le procd bas sur une simple couche de
dilectrique pour fabriquer une antenne sur membrane en Silicium, parait tre un bon
compromis entre les performances de lantenne (dont la largeur de bande et le rendement),
une exploitation adquate du Silicium, la rduction de la complexit de la fabrication et celle
de son cot. Les antennes choisies sont repres par des cases blanches dans le Tableau. II.2.
Compte tenu de lapplication vise, savoir la formation de faisceau, et de la ncessit de
mettre en rseau ce type dantenne, il parait judicieux de s'orienter vers des solutions
consistant utiliser des antennes compactes telles que le diple ou lantenne patch. En effet,
ces dernires sont plus faciles intgrer dans un rseau dantennes alors que la LTSA ne fait
pas laffaire car elle est trop encombrante. Ainsi, pour que la LTSA soit efficacement utilise,
sa surface doit tre de 3,5 x 6,6 , soit 17,5 mm x 33 mm 60 GHz [26].
II.4.5. Choix de la topologie dantennes et problmatique
Rappelons que l'antenne que nous voulons fabriquer, doit tre suffisamment large
bande pour couvrir la bande des 60 GHz (soit au minimum 11 % de bande). Comme le montre
l'tude faite dans les paragraphes prcdents, la bande passante des antennes patch sur

71

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


membrane n'est pas suffisamment large pour satisfaire ce critre. Par contre, lantenne diple
est large bande [18]. Mais, elle a un rayonnement arrire important, ce qui peut altrer le
fonctionnement de la partie active dun dispositif RF. Aussi, pour supprimer ces effets
indsirables de lantenne diple, un rflecteur peut tre ajout cette dernire, comme pour
les antennes (5) et (7) du Tableau II.2. Cependant, ce type de solution complique davantage la
ralisation de lantenne. A noter que le rflecteur doit tre plac une distance de g/4 du
diple pour quil soit efficace 100 %, ce qui correspond une distance g/4 = 1,25 mm
60 GHz si le diple se trouve sur une membrane (r 1). Or, cette distance est difficile
dterminer, car elle est suprieure la hauteur typique d'un support en Silicium. En effet, les
paisseurs de substrat en Silicium existant sur le march, varient gnralement entre 400 m
et 600 m.
Aussi, devant ces contraintes, notre choix s'est port sur lutilisation du patch sur
membrane, avec le souci de dterminer sur le mme support dilectrique que lantenne, une
solution menant laugmentation de la bande passante. La configuration recherche est donc,
celle qui soit capable dassurer llargissement de la bande passante de lantenne patch, tout
en vitant dalourdir davantage la complexit de sa mise en uvre.

II.5. Techniques d'largissement de la bande passante dantennes intgres


sur un mme support dilectrique
II.5.1. Patch coupl des lments parasites.
Certains travaux publis dans la littrature, ont montr que l'adjonction d'lments
parasites une antenne patch et leur intgration sur le mme support, peut accrotre la bande
passante de lantenne de manire significative [32-34]. La figure 2.37 illustre les diffrentes
topologies dantennes patch avec lments parasites.
Llment central de toutes ces topologies est un patch qui excite des lments
parasites latraux par couplage lectromagntique. Ces lments sont disposs dans le sens de
la longueur (L) du patch, ou de sa largeur (W) ou bien des deux la fois. Ils contribuent tous
au rayonnement et sont rgls des frquences daccord assez proches, de manire crer de
multiples rsonances dans le systme antennaire. Dans ce cas, la bande passante s'largit par
accords dcals. En particulier, cest la diffrence de longueur (L) entre les diffrents patchs
qui permettent dlargir la bande passante. Lespacement (S) et la largeur (W) permettent de
raliser ladaptation de limpdance de lantenne. Ceci implique que les dimensions de
lantenne soient soigneusement choisies pour que lantenne puisse tre adapte sur une large
bande.
Les antennes tudies dans [31] et [32], se composent dlments parasites disposs
paralllement la largeur W du patch et lis ce dernier par couplage lectromagntique (voir
figures 2.37a et 2.37b). Pour TOS 2, la bande passante de lantenne de la figure 2.37a est

72

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


trois fois plus grande que celle du patch seul et avec lantenne de la figure 2.38b, elle sest
largie de 2,5 fois. Mais, ce type de configuration dantennes est peu intressant en pratique.
En effet, lorsque lantenne patch est alimente par une ligne microruban suivant la topologie
de la figure 2.38b, son diagramme de rayonnement subit une dformation cause du caractre
dissymtrique de lantenne dans le plan o est ajout l'lment parasite [32]. Une autre
configuration est celle dcrite par la figure 2.37c dans laquelle lantenne comporte des
lments parasites disposs paralllement la longueur (L) du patch. A cause du couplage
mutuel qui existe entre le patch et les lments parasites, cette antenne prsente galement une
bande passante trois fois plus large que celle du patch seul [33]. De plus, elle peut aisment
tre alimente par une ligne microruban sans que le diagramme de rayonnement ne soit
dform.

Figure 2.37. Diffrentes topologies dantenne formes d'un patch coupl des lments
parasites sur un mme support dilectrique.

II.5.2. Fentes imprimes dans le patch


D'aprs la littrature, il existe des topologies dantennes qui permettent dlargir la
bande passante dune antenne patch en gravant des fentes rayonnantes dans celle-ci. En effet,
on y distingue deux grandes catgories dantennes fentes imprimes. Ce sont des antennes
avec des fentes imprimes en forme de U (voir figure 2.38) et des antennes en forme de E
ayant deux fentes parallles graves dans le patch (voir figure 2.39). Les antennes prsentes
sur la figure 2.38a, ont t dcrites, pour la premire fois, par Huynh et Lee dans [34-38]. Ce
sont des antennes patchs dont l'excitation et la fente imprime en forme de U sont implantes
au centre. De telles antennes se comportent comme deux cavits couples et accordes. L'une
des cavits rsonnantes est dlimite par la fente dans le patch et la seconde, par le patch luimme qui est de forme rectangulaire. Ce type de structure permet daccrotre la bande
passante de deux trois fois celle dun patch isol [39]. Il existe aussi des configurations o
73

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


sont imprimes plusieurs fentes en U dans le patch. Celles-ci sont disposes, soit de manire
successive, soit en tte bche (voir figures 2.38b et 2.38c). Par rapport la structure simple en
U, ces configurations permettent dlargir davantage la bande passante. Cependant, ces trois
sortes d'antennes sont caractrises par des diagrammes de rayonnement dont la forme varie
sensiblement avec la frquence. Cette variation rsulte du couplage d'lments rayonnants qui
sont imprims sur le mme support et rsonnent des frquences diffrentes [38].

Figure 2.38. Antennes patch fentes imprimes en forme de U.

La figure 2.39 reprsente une autre disposition des fentes dans le patch, qui permet
d'largir la bande passante. Les fentes tant imprimes paralllement la longueur (W) du
patch, lantenne est alors en forme de E. Cette antenne est excite par une ligne coaxiale au
centre du patch. Les travaux raliss par Fan Yang et al., montrent que la bande passante de ce
type dantenne est jusqu trois fois suprieure celle de l'antenne patch isole [39].

Figure 2.39. Antenne patch en forme de E doubles fentes parallles, imprimes dans un patch
carr.

74

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


La longueur Ls des fentes permet de rgler la frquence basse de lantenne tandis que
la longueur (W) du patch dtermine la frquence de rsonance haute de lantenne qui est, en
fait, la frquence d'accord de la cavit rsonante propre au patch et les fentes rajoutent une
composante selfique au circuit bouchon caractrisant cette cavit [39]. Les positions des
fentes Ps et la largeur Ws contribuent ajuster ladaptation de lantenne. Le diagramme de
rayonnement de cette antenne est celui dun patch classique. Cependant, les fentes contribuent
fortement laugmentation du rayonnement parasite dans le plan H [39]. En effet, le niveau
de polarisation croise du patch en forme de E prsent dans [39], est de -7 dB, alors que pour
le patch seul, ce niveau est proche de -30 dB.
II.5.3. Elargissement de la bande passante dune antenne patch rectangulaire
Le Tableau II.3 regroupe les principaux paramtres que nous avons considrs pour
comparer les diffrentes techniques cites prcdemment, afin d'augmenter, sur le mme
support dilectrique, la bande passante dune antenne patch de forme rectangulaire. Ces
paramtres sont lindice dlargissement de la bande passante (IEB) relativement la bande
passante dun patch simple, les types dexcitation possibles, propres chaque solution et les
caractristiques particulires des diagrammes de rayonnement

Tableau II. 3. Bilan sur les techniques dlargissement de la bande passante dantennes patch
sur la mme couche dilectrique.
Antennes
Patch lments parasites

I.E.B

Type
dexcitation

Diagramme de
Rayonnement

Rfrences

Patch avec fentes imprimes

Plan E

Plan H

En forme de U

En forme de E

2,5 3 fois

3 fois

3 fois

3 fois

Coaxial

Coaxial

Coaxial
Microruban
Symtrique
(alimentation
Coaxiale)
Dissymtrique
(alimentation
microruban)
[32-33]

Coaxial
Microruban

Symtrique (quel
que soit le type
dalimentation)

- Fort niveau de
cross polarisation
- Difforme dans le
cas de plusieurs
fentes

[33]

[38]

75

Fort niveau de
cross polarisation

[39]

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


On constate, daprs notre tude, que toutes ces techniques permettent un
largissement jusqu trois fois la bande passante dun patch. La diffrence rside dans leurs
caractristiques de rayonnement et leur complexit de mise en uvre. Par exemple,
l'introduction d'lments parasites rend lantenne plus encombrante car sa taille peut, selon les
cas, atteindre deux trois fois celle dun patch oprant seul. Les structures fentes imprimes
sont plus compactes. Cependant, leur principale difficult est la mise en place de leur
excitation qui doit se faire au milieu du patch, ncessitant dans ce cas une alimentation par
cble coaxial. Or, cette alimentation est difficile mettre en uvre en bande millimtrique et
peut multiplier les contraintes technologiques. Dans ce cas, la structure lments parasites
est plus intressante car grce sa forme planaire, elle peut tre aisment alimente par une
ligne microruban. Par contre, lantenne de la figure 2.37b nest pas intressante, car sa
configuration et ses diagrammes de rayonnement sont dissymtriques. En effet, cette antenne
dont les lments sont disposs le long du plan E, comporte un seul lment parasite et elle est
alimente par une ligne microruban se trouvant la place du second patch parasite qui
symtrisait le systme et ses caractristiques de rayonnement. Aussi, pour que l'antenne soit
large bande et que son diagramme de rayonnement soit symtrique, il vaut mieux que les
lments parasites soient disposs dans le plan H. Notons galement que dans le cas des
fentes imprimes, ces dernires ont pour effet d'augmenter les rayonnements parasites,
savoir la polarisation croise. Par suite, les antennes large bande telles que celles bases sur
des fentes imprimes en forme de U, en tte bche ou U successifs, sont caractrises par des
diagrammes de rayonnement qui varient sensiblement avec la frquence.
Suivant les diffrents cas dantennes tudis dans ce paragraphe, il parait plus
intressant dadopter la solution de lantenne patch couple des lments parasites disposs
dans le plan H et aliments par une ligne microruban. En effet, cette structure permet d'obtenir
un bon compromis en termes dlargissement de bande, de proprits de rayonnement et de
complexit de ralisation. Aussi avons-nous choisi dexploiter une telle solution. Cependant,
le challenge rside dans loptimisation des dimensions de l'antenne pour rduire sa taille et
faciliter son exploitation dans un rseau dantennes en vue d'applications au beamfomring.

II.6. Bilan et suggestions


L'analyse dveloppe prcdemment, s'articule autour d'un tat de l'art qui nous a
permis de fixer les orientations prendre pour concevoir nos antennes 60 GHz, les mettre en
rseau et les appliquer la transmission par formation de faisceau. Compte tenu des avances
actuelles de la technologie du Silicium et de ses applications la construction de composants
lectroniques, ces orientations sont principalement:


L'intgration de la partie antennaire de notre systme de communication RF et de ses


organes priphriques sur le mme support en Silicium que celui du front-end radio de
ce systme, afin de rduire surtout les pertes d'interconnexion.

76

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau




L'implantation d'un patch sur une membrane en Silicium pour rduire la forte
permittivit du substrat et accrotre le rendement de cette antenne.

L'adjonction d'lments parasites ce patch pour former une antenne large bande
pouvant couvrir la bande des 60 GHz. Comparativement aux autres solutions, cette
faon de procder ne complique pas davantage la conception des antennes et amliore
sensiblement leur bande passante car cette dernire est deux trois fois plus large que
celle dun patch isol. Cependant, la mise en rseau de ce type d'antenne est rendue
difficile par le fait qu'elle peut vite devenir assez encombrante.
La rduction de la taille de notre antenne large bande sur membrane en Silicium pour
faciliter sa mise en rseau et mettre au point un rseau d'antennes large bande
60 GHz.

L'association de ce rseau d'antennes une commande analogique reconfigurable en


vue d'applications au beamforming.

En nous basant sur ces orientations, nos travaux vont se poursuivre vers la recherche
de solutions qui puissent rduire lencombrement des antennes avec lments parasites et
faciliter leur mise en rseau, tout en assurant une bande passante suffisante pour couvrir la
bande des 60 GHz. Mais, avant de voir comment satisfaire de telles exigences, nous allons
tout dabord dcrire, dans le chapitre suivant, les outils de caractrisation des circuits RF
60 GHz, recenser les problmes rencontrs pour leur ralisation dans cette gamme de
frquence et dvelopper des solutions pour y remdier.

77

Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


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Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


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Chapitre II : Les antennes de la bande millimtrique et les techniques de formation de faisceau


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80

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

CHAPITRE III
Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

Rsum :
Dans ce chapitre, les logiciels de modlisation et les moyens de mesure disponibles au
Laboratoire, sont mis en pratique pour concevoir, simuler et caractriser des structures
planaires 60 GHz. Ces structures sont essentiellement des lignes de transmission et des
antennes comme celles prsentes dans les deux premiers chapitres. Les logiciels utiliss sont
HFSS et IE3D. HFSS permet de raliser des simulations du champ lectromagntique (E-M)
dans un environnement 3D tandis que IE3D est un logiciel 2.5D spcialement conu pour
modliser les lments rayonnants. Dans notre cas, nous dsirons raliser des lignes
microrubans, des lignes CPW et des antennes patch sur membrane dilectrique. Ces lignes et
ces antennes sont conues pour fonctionner au voisinage de 60 GHz, des frquences o les
dimensions des structures planaires, la permittivit dilectrique des substrats et leur
paisseur peuvent devenir problmatiques. En effet, ces frquences, de tels paramtres
doivent tre convenablement choisis, car autrement, des modes parasites risqueraient
d'apparatre et de se propager en engendrant des pertes non ngligeables. Afin de mettre en
vidence les conditions de propagation de modes parasites dans nos structures planaires
autour de 60 GHz et de cibler les difficults de conception des composants RF en bande
millimtrique, les performances des outils de simulation et de mesure ont t analyses.
Lobjectif principal de cette tude est alors didentifier les fonctions cls qui permettent
d'liminer ces modes parasites et dassurer notamment dans cette gamme de frquence, une
conception et une caractrisation rigoureuse de nos antennes. Aussi, ces antennes ont t
caractrises en adaptation, en gain et en diagramme de rayonnement grce aux moyens
exprimentaux existant au Laboratoire pour la mesure dans la bande des 60 GHz. Ces
moyens sont essentiellement un analyseur de rseau, une cellule de mesure des paramtres
[S] 60 GHz, une station sous pointes employe pour les mesures en espace libre et un banc
de caractrisation d'antennes en chambre anchode. Plus gnralement, les rsultats
exprimentaux obtenus sur les lignes et les antennes tudies ont t confronts, chaque
fois, ceux issus de la simulation et permettent de valider les mthodes de conception que
nous avons labores dans la bande millimtrique en se basant sur ces deux logiciels.

81

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

CHAPITRE III: Modlisation et mesure des structures


planaires 60 GHz

III.1. Choix et description des outils de simulation lectromagntique (E-M)


pour modliser des antennes patch sur membrane dilectrique
La conception de circuits micro-ondes comme ceux faisant l'objet de notre tude
(antennes, lignes de transmissions, dphaseurs, connectique,.), ncessite le passage par une
phase danalyse fonctionnelle reposant sur lemploi doutils de simulation lectromagntique.
Loutil de simulation est choisi en fonction des applications envisages et des
caractristiques gomtriques des structures tudier. Dans notre cas, il sagit de prendre les
outils de CAO (Conception Assiste par Ordinateur) qui permettent la caractrisation de
structures planaires 60 GHz. Ces structures sont principalement des antennes imprimes du
type patch ou diple et des lignes de transmission telles que les lignes microruban, CPW et
CPS (Coplanar single strip : ligne fente).
Les grandeurs que nous cherchons identifier lors de la caractrisation de ces circuits,
sont essentiellement les paramtres [S] et les champs lectromagntiques qu'ils rayonnent. Les
paramtres [S] permettent de dterminer les impdances, la bande passante des antennes et les
pertes dans les lignes de transmission. La connaissance des champs et de leur distribution le
long de la structure tudie, nous aide caractriser le rayonnement produit par celle-ci et en
particulier, tracer les diagrammes de rayonnement des antennes, puis valuer leur gain,
leur rendement et leur directivit en zone de champ lointain. Aussi, pour caractriser nos
antennes, deux sortes de logiciels de CAO ont t utilises. Ce sont HFSS [1] et IE3D [2].
Nous avons employ HFSS car c'est un logiciel 3D dont l'avantage est son aptitude
modliser des structures formes de diffrents milieux dilectriques et ayant des dimensions
finies. Notamment, il permet de reproduire des conditions ralistes lors de la simulation,
comme dans le cas de la membrane ralise dans un substrat en Silicium. A cet effet, HFSS
s'appuie sur la mthode des lments finis (FEM : Finite Element Method), pour rsoudre les
quations de Maxwell en fonction de la frquence.
IE3D quant lui, est un logiciel 2,5D bien adapt l'tude des structures ralises en
technologie planaire dont en particulier, celles implantes sur des substrats simples ou des
structures multicouches dtendue infinie dans le sens transversal. Il est spcialement conu
pour la modlisation des antennes planaires et il est notamment dot doutils spcifiques pour
leur caractrisation, tel que le calcul du facteur de rseau [2]. Cet outil met en oeuvre une
mthode de traitement frquentiel, base sur la rsolution des quations de Maxwell sous leur

82

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


forme intgrale. Notamment, il permet d'exprimer les potentiels par des fonctions de Green en
utilisant la mthode des moments.
Il existe un autre logiciel de CAO bien connu, appel CST [3], qui peut aussi trs bien
raliser la modlisation E-M de nos structures. Cependant, comme il utilise une mthode
temporelle (FDTD : Finite Division Time Domain), il est mieux adapt pour la simulation des
structures ultra large bande. Dans notre cas, nous cherchons modliser des structures dont la
bande passante est, en moyenne, de 11 % relativement 60 GHz. Aussi, des outils bass sur le
traitement frquentiel des champs, tels que HFSS et IE3D, sont amplement suffisants.
Le Tableau III.1 illustre le cas dune antenne patch 60 GHz implante sur une
membrane dilectrique, que nous avons simule respectivement sous HFSS et IE3D. Il
rsume aussi les caractristiques et les conditions d'emploi de ces deux logiciels. Le
calculateur PC mis notre disposition pour effectuer cette modlisation, comporte un
microprocesseur Intel Xeon dont la vitesse d'excution est de 2 GHz, et une RAM de 8 Gb/s.
Pour modliser leffet de discontinuit entre les dilectriques dil1 et dil2, HFSS
reproduit la membrane dil1 en procdant une ablation dans le dilectrique dil2 .
HFSS ralise un maillage ttradrique de toute la structure tudie (voir premire figure du
Tableau III.1). A cet effet, la taille de chaque maille est dimensionne en fonction de la
frquence haute de la frquence de travail et le maillage est automatiquement affin l o le
champ devient maximum. Cependant, le degr de discrtisation et la forte taille de certaines
structures font que le temps de simulation peut devenir trs long et avoisiner lheure.
La modlisation suivant IE3D comporte des tapes plus simples que HFSS, car ce
logiciel nimpose pas la mise en place dun environnement de simulation. Comme le montre
la seconde figure du Tableau III.1, IE3D excute la modlisation de la structure en procdant
un maillage par dfaut. Ce maillage est form d'lments carrs dont la taille est galement
rgle en fonction de la frquence haute de la plage de variations en frquence. Ces mailles
servent dcouper la structure tudie et la discrtiser de manire dtecter le plus
fidlement possible le champ qui se propage dans celle-ci. De manire gnrale, le maillage
gnr par IE3D est homogne sur toute la structure. Contrairement HFSS, il est ralis
uniquement sur les surfaces mtalliques. Cependant, IE3D ne permet pas d'agir sur le support
de lantenne puisque celui-ci est dfini, une fois pour toutes, comme tant homogne. Dans le
cas de la ralisation de lantenne sur une membrane en dilectrique, on se contente alors de
simuler son substrat avec des caractristiques proches de celles de lair.
Comme le montrent les figures du Tableau.III.1, la diffrence entre IE3D et HFSS
rside galement dans leur mthode dexcitation des structures. En effet, les ports de HFSS
permettent de calculer le mode prdominant dans la structure alors que IE3D utilise des ports
discrets qui permettent uniquement le calcul du mode fondamental.
Remarquons quIE3D met en jeu une seule mthode de calcul pour dterminer
limpdance des structures, alors que HFSS en possde trois, savoir Zpi, Zpv, Zvi. Ces trois
mthodes sont dcrites dans lannexe B.
83

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Tableau III.1. Description des outils de simulation : IE3D et HFSS.

Simulateur

Caractristiques

Reprsentation physique

Dimension : 3D (Support fini)


Mthode : FEM
Construction de la
structure :
Structures planaire et
HFSS

volumique
Maillage : Volumique
Caractristiques du PC:
microprocesseur 2 GHz, RAM
8 GHz
Temps de simulation : 25 mn

Dimension : 2,5D (Support


infini)
Mthode : des moments
Construction de la
structure :
Structure planaire simple ou
IE3D

multicouche
Maillage : dans la surface
mtallique
Caractristiques du PC:
microprocesseur 2 GHz, RAM
8 GHz
Temps de simulation : 60 s

Malgr les diffrences existant entre ces deux logiciels, les mthodes qui en dcoulent,
sont complmentaires vis--vis de notre tude pour la conception de nos structures
hyperfrquences.
En effet, la modlisation sous IE3D est plus simple mettre en uvre et le temps de
simulation qu'elle requiert, est trs court. De tels avantages peuvent nous faire gagner du
temps de manire significative lorsquon tudie un circuit donn pour comprendre son
fonctionnement.

84

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


HFSS est capable de dterminer les composantes du champ lectromagntique qui se
propage dans une structure planaire et de simuler des structures plus complexes. A la
diffrence de IE3D, ce logiciel prend en considration toutes les discontinuits du milieu
dilectrique et rend mieux compte des conditions relles dexprimentation.

III.2. Problmatique de la conception en bande millimtrique


Lorsque nous avons exploit ces deux logiciels dans la bande des ondes
millimtriques, nous nous sommes heurts des problmes de conception lis des
limitations physiques qui apparaissent dans cette bande de frquence, lorsque les substrats
employs sont pais, surtout dans le cas de substrat forte permittivit tel que le Silicium. Ces
difficults dont l'importance dpend du rapport entre la longueur donde et les dimensions de
la structure tudie, se traduisent par lapparition de modes parasites qui viennent perturber,
voire fausser la modlisation et la mesure, et donc, la conception de nos circuits 60 GHz.
Aussi, une tude est effectue dans ce paragraphe, pour identifier les causes de
formation des modes parasites. Puis, aprs avoir dtermin les facteurs qui favorisent
l'apparition de ces modes et leur impact dans des conditions relles d'exprimentation, des
solutions pratiques sont exposes pour surmonter les difficults de modlisation qui en
dcoulent. Compte tenu des applications envisages au cours de nos travaux, nous allons, tout
dabord, voir comment interviennent ces limitations lors de la modlisation des lignes de
transmission planaires avec les logiciels IE3D et HFSS. Plus particulirement, nous
approfondirons cette tude dans le cas des lignes CPW (Coplanar Waveguide) et microruban,
pour deux principales raisons :
1. La technologie utilise pour raliser nos composants, savoir 'microruban' pour les
antennes et 'CPW' pour les dphaseurs RF associs ces antennes (comme on le verra
au chapitre V).
2. Le type doutils de mesure disponible au laboratoire en bande millimtrique. Comme
nous l'expliquerons dans les prochains sous - paragraphes, les mesures ne sont
possibles quavec des structures planaires de type microruban ou CPW.
En complment de cette tude, les rgles dexcitation des lignes microruban et CPW
imposes par les deux logiciels, sont dtailles respectivement dans les annexes C et D.
Jusqu' prsent, en travaillant avec les logiciels HFSS et IE3D, nous avons rencontr
certains problmes de conception des lignes CPW et microruban, pendant leur modlisation
E-M en bande millimtrique. En rsum, ces problmes sont :

Dans le cas des lignes microrubans:

IE3D donne des rsultats incohrents si le substrat est pais et de forte


permittivit.

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Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

IE3D nous prvient rapidement dun risque de propagation de modes d'ordre


suprieur lorsque le substrat est de forte paisseur.

Dans le cas des lignes CPW et microrubans :


o HFSS offre trois possibilits pour dterminer l'impdance caractristique des
lignes de transmission, savoir Zpi, Zpv et Zvi, mais avec des rsultats
divergents.

III.2.1. Problmes de conception des lignes micro-rubans en bande millimtrique


Au cours de nos investigations, nous avons rencontr un certain nombre de
difficults en voulant simuler des lignes microrubans sur des substrats pais et de forte
permittivit. Ces difficults sont mises en vidence avec les courbes des figures 3.1 et 3.2,
donnant les variations de l'impdance caractristique (Zc) en fonction de la frquence. Ces
courbes ont t obtenues en modlisant diverses lignes microrubans l'aide des logiciels
HFSS et IE3D. Ces lignes diffrent les unes des autres par l'paisseur et la permittivit
dilectrique de leur substrat. Notons que l'impdance caractristique de la ligne microruban a
t initialement fixe 50 , en dimensionnant les lignes microrubans suivant la mthode de
Wheeler [4].
Avec les lignes microrubans, les problmes rencontrs sont:

Des rsultats incohrents avec IE3D: Avec ce logiciel, il est impossible de modliser
des lignes microrubans formes d'un substrat pais et de forte permittivit, comme le
cas du Silicium pour lequel hsub 400 m et r = 11,9 (courbe bleue de la figure 3.1a).

De fortes divergences entre les diffrentes mthodes de simulation, dans certains cas
(voir figures 3.1a, 3.1b et 3.2a).

Lorsquon modlise des lignes microrubans vers 60 GHz avec le logiciel IE3D et que
l'paisseur du substrat (hsub) est suprieure une hauteur limite (hsub)limite , ce logiciel nous
prvient automatiquement dun risque dexcitation de modes dordre suprieur dans le plan
associ au port dexcitation et ce, quelle que soit la valeur de la permittivit dilectrique (r).
Par consquent, un port associ une distribution de champs donne, peut exciter tous les
modes compatibles dans la structure associe ce port et rend difficile la dtermination de
limpdance caractristique (voir courbes bleues des figures 3.1a et 3.2a).
Les travaux raliss dans [5], mettent galement en vidence que lapparition des
modes dordre suprieur au mode TEM cause des erreurs d'valuation de limpdance
caractristique, mais que la principale limitation du champ dapplication des lignes
microrubans n'est pas uniquement due ces modes. En effet, comme nous l'explicitons dans
l'annexe E, le mode quasi-TEM peut coupler des modes du substrat. La propagation de tous
ces modes peut alors entraner des pertes d'nergie trs importantes [5].

86

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

(a) Support pais (hsub = 400 m, r = 11,9).

(b) Support fin (hsub = 100 m, r = 11,9).

Figure 3.1. Impdance dune ligne microruban 50 (ayant un substrat de forte permittivit)
simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.

(a) Support pais (hsub = 400 m, r = 3,5)

(b) Support fin (hsub = 100 m, r = 3,5)

Figure 3.2. Impdance dune ligne microruban 50 (ayant un substrat de faible permittivit)
simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.

Dans l'annexe E, la figure E.1 reprsente la cartographie des champs des modes
dordre suprieur. Dans cette annexe, les quations (E - 1), (E2) et (E 3) donnent les
frquences de coupure des modes parasites pouvant apparatre dans une structure microruban
et permettent d'en dduire les conditions relles de propagation de ces modes.
Soit hsub, la hauteur du substrat, r, sa constante dilectrique relative, co, la vitesse de
la lumire dans le vide et Zc, limpdance caractristique. Ces quations r - crites ici, sont:

Pour la frquence de coupure du mode suprieur d'ordre (n):

Fgn =

nc o Z c
240h sub

(III-1)

87

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

Pour la frquence de coupure du mode de substrat TM0:


Fc _ TM 0 =

c o arctg( r )

(III-2)

.h sub 2( r 1)

Pour la frquence de coupure du mode de substrat TE0:


Fc _ TE 0 =

3c o

(III-3)

4h sub 2( r 1)

Daprs ces quations, lorsque le substrat est de 400 m d'paisseur, le mode suprieur
du premier ordre (n = 1) est celui qui risque de se propager lorsque Zc = 50 . Dans ce cas, on
dduit de lquation (III-1) que la frquence de coupure de ce mode vaut 52 GHz.
En procdant par analogie avec les courbes des figures 3.1a et 3.2a, on remarque que
les divergences entre les trois mthodes de HFSS et les fortes fluctuations observes avec
IE3D apparaissent effectivement partir de cette frquence de coupure pour des lignes
microrubans ralises sur un substrat de 400 m d'paisseur ou plus.
De plus, en comparant parmi ces courbes, celles obtenues avec IE3D, on voit que
l'impdance caractristique des lignes tudies s'carte sensiblement de 50 lorsque la
frquence crot. Dans le cas d'une ligne microruban sur substrat pais et forte permittivit,
les fluctuations d'impdance sont beaucoup plus importantes que quand cette ligne est place
sur un substrat pais et de faible permittivit (voir figure 3.2a).
Cette incohrence des rsultats de la simulation sous IE3D obtenue surtout dans le cas
de substrats de forte permittivit, sexplique par lexistence probable dun mode
supplmentaire qui perturbe la modlisation avec ce logiciel. De manire gnrale, en
analysant les quations (III-2) et (III-3), on trouve que le mode suivant risquant de se
propager aprs le mode du premier ordre, est le mode de substrat TM0. Pour la ligne sur
substrat de forte permittivit, la frquence de coupure de ce mode intervient 76 GHz, ce qui
est peu prs la frquence o a lieu le second point d'inflexion de la courbe de limpdance
caractristique de cette ligne (voir courbe bleue de la figure 3.1a). Pour la ligne sur substrat
pais et de faible permittivit (hsub = 400 m, r = 3), le mode TM0 ne risque de se propager
que seulement, une frquence proche de 137 GHz. Comparativement au cas prcdent, ceci
explique labsence de variations subites de l'impdance caractristique (voir figure 3.2a).
Remarquons que notre frquence de travail se situe autour de 60 GHz et que les substrats
employs ont des caractristiques typiques, faisant que d'aprs la relation (III-3), le mode TE0
ne risque gure de se propager.
Pour liminer l'ensemble des modes parasites, il suffit donc de se mettre dans des
conditions empchant la propagation du premier mode dordre suprieur dans la bande des
60 GHz, puisque ce mode est celui qui risque d'apparatre en premier. Ces conditions
reviennent trouver un substrat dont la constante dilectrique et l'paisseur permettent
d'loigner les modes d'ordre suprieur de la frquence de travail de la structure tudie et de

88

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


les rejeter vers des frquences plus leves. Dans ce cas, il faudrait que l'paisseur du substrat
ne dpasse pas une hauteur limite du substrat (hsub)limite, dduite de lquation (III-1). Soit:
(h sub ) limite

n co Zc
240 Fgn

(III-4)

Dornavant, c'est l'ingalit (III-4) qui sera employe pour fixer la hauteur limite
(hsub)limite pour laquelle on a aucun risque de propagation de mode parasites dans la bande de
frquences considre. Notons que daprs cette ingalit, il est toujours possible, si besoin
est, daugmenter la hauteur (hsub)limite condition de disposer de valeurs plus fortes de
limpdance caractristique Zc.
Contrairement IE3D, HFSS modlise la ligne microruban sans aucune restriction et
les rsultats obtenus sont acceptables quelles que soient les caractristiques du substrat.
Cependant, les diffrentes mthodes pour dterminer limpdance caractristique dune ligne
sur HFSS, savoir Zpi, Zpv, Zvi, ne convergent vraiment que pour une ligne ralise sur un
substrat fin et de faible permittivit (voir figure 3.2b). En fait, les rsultats divergent surtout
dans le cas de substrats pais (voir figures 3.1a et 3.2a). Cette divergence sexplique par la
nature des champs quasi-TEM appliqus une telle structure. Ainsi, plus la hauteur du
substrat est grande par rapport la longueur donde guide (g), plus les champs caractre
hybride du mode quasi-TEM situs sur les cots de la ligne microruban, se densifient. Comme
le prcise lannexe B, chacune des trois mthodes de HFSS, Zpi, Zpv ou Zvi, calcule
l'impdance caractristique de la ligne en considrant diffremment la densit des champs qui
rgnent dans le port dexcitation de celle-ci. Pour un substrat fin et de faible permittivit, ces
trois mthodes convergent car les champs appliqus la structure sont plus proches du
caractre TEM. Dans ce cas, les courbes de la figure 3.2b indiquent que les carts entre les
impdances obtenues par simulation, ne dpassent gure 1 . D'aprs la notice technique de
HFSS, la mthode Zpi ralise la meilleure approche lorsque le mode de transmission est de
type quasi-TEM [1,5]. Aussi, quelle que soit la nature du substrat, nous avons choisi de
calculer, dornavant, limpdance caractristique dune ligne microruban partir de la
puissance et du courant, savoir Zpi.

III.2.1.1. Influence des modes parasites et validation exprimentale des lignes


microrubans en bande millimtrique
Notre tude sur la modlisation E-M avec les outils de simulation IE3D et HFSS a mis
en vidence des contraintes propres lexploitation des lignes microrubans en bande
millimtrique, se traduisant par lapparition de modes suprieurs et de substrats.
Aussi, on se propose dans ce paragraphe de visualiser limpact de ces modes lorsquils
se propagent dans des conditions relles dexprimentation, et d'identifier concrtement les
lments qui accentuent le risque dapparition de ces modes parasites ou qui favorisent leur
propagation. Dans ces conditions, nous avons ralis diverses lignes microrubans et mesur

89

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


leurs paramtres [S] 60 GHz grce la cellule de mesure 60 GHz Wiltron dcrite par
la figure 3.3 [6]. La mesure au moyen de cette cellule se fait en reliant chaque extrmit de la
ligne microruban un connecteur coaxial en bande V. Pour dterminer les diffrents cas
pouvant apparatre en pratique, les mesures sont effectues sur diverses lignes microrubans
qui diffrent par leur substrat selon que ce dernier soit de permittivit faible ou forte et qu'il
soit pais (de hauteur hsub > (hsub)limite) ou fin (de hauteur hsub < (hsub)limite). Remarquons que la
hauteur limite est (hsub)limite = 300 m pour une ligne microruban ayant une impdance
caractristique de 50 , et travaillant jusqu 65 GHz.

Figure 3.3. Cellule de mesure Wiltron des paramtres [S] 60 GHz [6]

Le Tableau III.2 donne les caractristiques des substrats sur lesquelles ces lignes ont
t dposes. Les dimensions des lignes indiques par ce tableau, ont t ajustes de faon
que leur impdance caractristique soit gale 50 .
Tableau III.2. Caractristiques des substrats utiliss et dimensions de lignes microrubans.

Substrat

Forte
permittivit

9,9

tg

0,0012z)

Faible
3,38

hsub (
m)

( 10 GHz)

Alumine
permittivit
RO 4003

Hauteur:

Largeur
de la
ligne: Ws
(mm)

Longueur de
la ligne:
Ls (mm)

635 > (hsub)limite

20

254 < (hsub)limite

0,22

20

508 > (hsub)limite

1,245

20

127 < (hsub)limite

0,3

20

0,0023

Les rsultats de mesure sur chaque ligne microruban ont t ensuite compars avec
ceux de la modlisation avec HFSS. Pour cette comparaison, nous avons prfr HFSS
IE3D pour les raisons suivantes :

90

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz




Comme nous l'avons expliqu au paragraphe III.2.1, IE3D donne des rsultats
incohrents dans le cas des lignes ralises sur des substrats pais et forte
permittivit (voir figure 3.1a).

HFSS permet de concevoir un prototype (design) qui tient compte des conditions de
mesure, c'est--dire, qui ralise linterconnexion entre la ligne mesurer et loutil de
mesure (voir figure 3.4b).

Pour les besoins de notre analyse, la mesure est compare aux deux cas de
modlisation de la ligne microruban, respectivement obtenus avec et sans alimentation
coaxiale (voir figure 3.4). La figure 3.4b montre que dans le premier cas, chacune des
extrmits de la ligne microruban est interconnecte une liaison coaxiale par le biais d'une
transition coaxial-microruban conue selon des conditions ralistes de mesure. Remarquons
que lors de la simulation des configurations de la figure 3.4, la solution Zpi a t adopte pour
dterminer limpdance caractristique et normaliser les rsultats de la modlisation 50 .

(a) sans interconnexion.

(b) avec interconnexion.

Figure 3.4. Conditions de modlisation sous HFSS pour une ligne microruban avec et sans
prise en compte de linterconnexion avec le connecteur coaxial.

Les courbes des figures allant de 3.5 3.8 donnent les rsultats de mesure des lignes
microrubans obtenus avec la station Wiltron et ceux issus de la simulation sous HFSS, quand
la ligne microruban est interconnecte avec les connecteurs coaxiaux de la cellule 60 GHz et
lorsqu'elle ne l'est pas.

91

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

Figure 3.5. Mesure et simulation sous HFSS, pour une ligne microruban ayant un substrat
pais et forte permittivit (hsub = 635 m > (hsub)limite, r = 9,9).

Figure 3.6. Mesure et simulation sous HFSS, pour une ligne microruban ayant un substrat fin et
forte permittivit (hsub = 254 m < (hsub)limite, r = 9,9).

92

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

Figure 3.7. Mesure et simulation sous HFSS pour une ligne microruban ayant un substrat pais
et faible permittivit (hsub = 508 m > (hsub)limite, r = 3,38).

Figure 3.8. Mesure et simulation sous HFSS pour une ligne microruban ayant un substrat fin et
faible permittivit (hsub = 125 m < (hsub)limite, r = 3,38).

Le Tableau III.3 donne globalement les valeurs numriques des paramtres


dadaptation (S11) et de pertes (S12) obtenues en simulation pour les diffrentes lignes
tudies, avec et sans interconnexion. Notons que chaque valeur du coefficient de pertes (S12)
est compare sa valeur thorique (appel S12 thorique, dans le Tableau III.3) dduite de
chaque valeur du coefficient S11 par application des relations entre paramtres [S] d'une ligne
de transmission.

93

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Tableau III.3. Paramtres S11 et S12 pour diffrentes lignes microrubans, avec et sans
interconnexion aux cbles coaxiaux de la cellule 60 GHz.
Permittivit
Substrats

Forte permittivit

Faible permittivit

(r = 9,9 et tg = 0,0012)

(r = 3,38 et tg = 0,0023)

Epais

Fin

Epais

Fin

(635 m)

(254 m)

(508 m)

(125 m)

S11 (dB)

- 19

- 31

- 31

- 36

sans

S12 thorique (dB)

- 0,054

- 0,004

- 0,004

- 0,001

interconnexion

S12 moyen simul ou


mesur (dB)

-1

-1

- 0,5

- 0,5

S12 (dB)

- 0,946

- 0,996

- 0,496

- 0,499

S11 (dB)

< - 10

< - 20

< - 12

< - 19

S12 thorique (dB)

- 0,45

- 0,043

- 0,29

- 0,054

S12 moyen simul ou


mesur (dB)

- 5,5

- 1,5

- 4,5

- 1,5

S12 (dB)

- 5,05

1,457

- 4,21

- 1,446

Hauteur

Ligne

Ligne
avec
interconnexion

Pour les lignes microrubans avec interconnexion, leur simulation effectue avec
HFSS, donne des rsultats qui concordent avec ceux issus par la mesure. En effet, d'aprs les
figures 3.5 3.8, les variations des paramtres S11 et S12 en fonction de la frquence, se
traduisent par des courbes en vert et en rouge, obtenues respectivement par la mesure et par la
simulation sous HFSS. Ces deux sortes de courbes sont proches l'une de l'autre. Par
consquent, ces rsultats permettent de valider la mthode de simulation base sur l'utilisation
de HFSS et l'insertion de la transition microruban coaxial.
En comparant ces rsultats ceux obtenus sans interconnexion (courbes en bleu) et en
analysant les donnes du Tableau III.3, on constate:
o Un accroissement de la dsadaptation (S11) cre par la transition entre la ligne
microruban et le cble coaxial.
o Une augmentation des pertes qui nest pas seulement explique par la dsadaptation de
la ligne de transmission. En effet, les valeurs ralistes (simules ou mesures) de S12
figurant dans le Tableau III.3 sont toujours plus leves que les valeurs thoriques (S12
thorique).
Dans le cas simple des lignes sans interconnexion, le Tableau III.3 indique que les
pertes observes sont, la fois, lies la forte permittivit et aux pertes dilectriques (tg ) de
chaque substrat. Cependant, celles-ci sont ngligeables devant les fortes pertes observes dans
le cas des lignes sur substrat pais et avec interconnexion. Notamment, la diffrence des
autres cas, la courbe du coefficient de transmission (S12) de la figure 3.5, montre que les
pertes dans la ligne sur un substrat pais et forte permittivit sont trs importantes et
94

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


avoisinent mme - 10 dB pour certains points de la frquence. De plus, la rptition des
maximums et des minimums du coefficient de rflexion (S11) avec la frquence n'est pas
parfaitement cyclique, ce qui implique la prsence au minimum, d'un autre mode se
propageant simultanment avec le mode quasi-TEM. Le Tableau III.4 regroupe les valeurs
des frquences de coupure caractrisant les modes de substrat et les modes d'ordre suprieur
qui peuvent se propager dans les lignes microrubans tudies prcdemment.
Ces frquences de coupure ont t calcules grce aux relations exprimes par les
quations allant de (III-1) (III-3). Elles montrent que le risque de propagation de modes
d'ordre suprieur apparat dans la bande des 60 GHz, surtout pour des substrats d'paisseur
suprieure 300 m et ce, quelles que soient les valeurs de leur permittivit, alors qu'avec des
substrats fins, le risque est moindre. Ceci permet galement de comprendre pourquoi les
rsultats de mesure des lignes microrubans sur substrat fin sont trs peu perturbs.
De plus, d'aprs le Tableau III.4, quand le substrat est pais et que sa permittivit est
forte, il y une multiplication des risques de propagation des modes parasites dans notre
gamme de frquence. En effet, en plus de lexcitation du premier mode dordre suprieur, la
ligne microruban sur alumine (r = 9,9, hsub = 635 m) peut potentiellement favoriser la
propagation du second mode dordre suprieur, ainsi qu'un mode de substrat dans la gamme
50 GHz 65 GHz, ce qui explique les fortes perturbations et les pertes observes sur les
courbes verte et rouge de la figure 3.5.
Cette figure montre aussi que la ligne microruban modlise seule c'est--dire sans
interconnexion (courbe en bleu) donne une rponse plus nette en transmission. Un tel rsultat
signifie que si les modes parasites ne sont pas excits, ils ne se propageront pas dans la cavit
que forment la ligne microruban, le plan de masse et le substrat.
Tableau III. 4. Frquence de coupure (Fc) des modes d'ordre (n) et des modes de substrat pour
diffrentes lignes microrubans.
Permittivit r
Substrats

d'ordre (n)
Modes de
substrat

3,38 (Faible)

Epais
(635 m)

Fin
(254 m)

Epais
(508 m)

Fin
(127 m)

31,3

90

40

156

62,6

156

78

313

Fc : TM0 (GHz)

52

131

110

442

Fc : TE0 (GHz)

83

209

203

812

Hauteur hsub
Modes

9,9 (Forte)

er

Fc: 1 mode (GHz)


nd

Fc: 2

mode (GHz)

Les figures 3.9a et 3.9b reprsentent les distributions spatiales de l'amplitude du


champ lectrique dans le prototype de ligne microruban pour les cas o les substrats tant de
forte permittivit (r = 9,9), sont respectivement pais (hsub = 635 m > (hsub)limite) ou fin (hsub
= 254 m < (hsub)limite). De mme, les courbes des figures 3.9c et 3.9d illustrent les cas o les
95

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


substrats sont de faible permittivit (r = 3,38) avec respectivement une paisseur forte (hsub =
508 m > (hsub)limite) ou fine (hsub = 127 m < (hsub)limite).

(a) cas dune ligne sur substrat pais et de


forte permittivit (hsub = 635 m r = 9,9).

(c) cas dune ligne sur substrat pais et de

(b) cas dune ligne sur substrat fin et de


forte permittivit (hsub = 254 m r = 9,9).

(d) cas dune ligne sur substrat fin et de

faible permittivit (hsub = 508 m, r = 3,38).

faible permittivit (hsub = 127 m, r = 3,38).

Figure 3.9. Distribution 60 GHz de l'amplitude du champ lectrique dans le prototype de ligne
microruban alimente par cble coaxial.

Ces distributions de champ montrent clairement l'existence d'un mode parasite,


accompagnant le mode quasi-TEM de la ligne microruban lorsque les substrats employs sont
pais (voir figures 3.9a et 3.9c). Considrons, maintenant, les frquences de coupure
caractrisant le mode du premier ordre, le mode du second ordre et le mode de substrat,
calcules dans le Tableau III.4, pour chacun des quatre cas de lignes microrubans de la figure
3.9. Puisque notre frquence de travail est centre sur 60 GHz, on peut en dduire que les
distributions parasites observes autour des lignes, dans les figures 3.9a et 3.9c, rsultent
essentiellement de la propagation du premier mode dordre suprieur dans ces lignes. Mais,

96

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


d'aprs les donnes du Tableau III.4, le prototype pour lequel hsub = 635 m et r = 9,9, est
aussi parcouru par le mode de substrat TM0, cause de sa forte permittivit.
D'aprs les figures 3.9a et 3.9c, les modes parasites occupent tout le substrat, la face
arrire du plan de masse et l'embase mtallique du connecteur coaxial reli la cellule de
mesure 60 GHz. En fait, c'est la prsence de cette embase qui accentue la propagation des
modes parasites. Ensuite, ces derniers se trouvent confins dans la cavit forme du substrat
de forte paisseur et des surfaces mtalliques qui l'entourent (chssis, masse et embase).
En revanche, les figures 3.9b et 3.9d dcrivent une distribution de champ entirement
concentre le long de la ligne microruban. Elles mettent en vidence le fait qu'un substrat
d'paisseur plus fine, permet la transmission du mode quasi-TEM en supprimant tout risque
dexcitation et de propagation de modes indsirables.
Aprs l'analyse des distributions de champ de la figure 3.9, on voit que deux solutions
existent, en pratique, pour ne pas exciter des modes dordre suprieur et de substrat dans les
lignes microrubans et par consquent, pour que ceux-ci ne causent pas d'importantes pertes.
Ce sont:

L'emploi dun substrat suffisamment fin (dont hsub (hsub)limite, dduite de


linquation (III-4).

L'utilisation de transitions qui vitent de produire des distributions de champ


pouvant exciter des modes parasites dans les lignes microrubans sur substrat pais
et de forte permittivit.

Grce nos tests raliss en Laboratoire, on peut conclure que la restriction impose
par lingalit (III-4) fixe aussi la limite de hauteur de substrat laquelle une mesure fiable
peut tre faite sur une ligne microruban avec la cellule Wiltron dans la bande des 60 GHz.

III.2.2. Problmes de conception des lignes CPW en bande millimtrique


La principale difficult rencontre lors de la modlisation des lignes CPW avec HFSS
et IE3D, est la diffrence des rsultats obtenus avec les diffrentes mthodes de calcul pour
dterminer limpdance caractristique de cette ligne.
Aussi, cette divergence est tudie, ci-aprs, pour voir si elle est lie ou non aux
proprits physiques des substrats employs. Pour cela nous avons modlis diverses lignes
CPW de 50 avec ces deux logiciels. Ces lignes ont t imprimes sur des supports
dilectriques qui diffrent les uns des autres par leur paisseur et leur permittivit. Les
substrats considrs dans cette tude sont pais (hsub = 400 m) ou fin (hsub = 100 m) et leur
permittivit est soit faible (r = 3,5), soit forte (r = 11,9).
Dans les figures 3.10 et 3.11, les rsultats de la modlisation donnant limpdance
caractristique (Zc) pour ces lignes suivant les diffrentes mthodes de calcul avec HFSS
(Zpi, Zpv, Zvi), sont compars ceux issus de la simulation sous IE3D. En modlisant ainsi la

97

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


ligne CPW, on se trouve confront la difficult dvaluer son impdance caractristique, car
les rsultats obtenus l'aide des quatre mthodes de simulation sont divergents. On constate
aussi que les caractristiques du substrat ne sont pas la cause de cette divergence car elle ne
dpend ni de la hauteur du substrat, ni de sa permittivit dilectrique. Par contre, comme le
montrent les courbes des figures 3.10 et 3.11, l'cart entre les rsultats obtenus est
relativement faible puisquil ne dpasse pas 10 . Cependant, d'aprs la notice technique de
HFSS, le problme de la cohrence des rsultats est rsolu en ne considrant que la mthode
(Zpv) car sa dfinition est plus compatible avec celle des caractristiques de la ligne
coplanaire et plus gnralement, des lignes fente [7].

(a) Support pais (hsub= 400 m, r = 11.9).

(b) Support fin (hsub= 100 m, r = 11,9).

Figure 3.10. Impdance caractristique dune ligne CPW de 50 (ayant un substrat de forte
permittivit) simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.

(a) Support pais (hsub= 400 m, r = 3,5).

(b) Support fin (hsub= 100 m, r = 3,5).

Figure 3.11. Impdance caractristique dune ligne CPW de 50 , (ayant un substrat de faible
permittivit) simule avec HFSS et IE3D en fonction de la frquence.

98

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


III. 2. 2. 1. Validation exprimentale des lignes CPW en bande millimtrique
Comme dans le cas des lignes microrubans (voir paragraphe III.2.1.1), il se pose, ici,
la question de la validit des outils utiliss, savoir IE3D et HFSS pour simuler la ligne CPW
en ondes millimtriques. Aussi, dans ce qui va suivre, nous allons comparer les donnes
mesures et les rsultats de la simulation avec ces deux logiciels afin de conclure sur les
mthodes employes pour la simulation des lignes CPW. Rappelons que pour HFSS notre but
essentiel est de valider la mthode (Zpv) utilise pour calculer limpdance caractristique
d'une ligne CPW. Pour ce faire, des lignes CPW ont t simules, puis compares ceux
ralises au Laboratoire en employant deux sortes de substrats pais. L'un fait en Alumine, est
de forte permittivit (r = 9,9, hsub = 635 m, tg = 0,0012) et l'autre constitu du matriau
RO 4003, est de faible permittivit (r = 3,38, hsub = 508 m, tg = 0,0023). L'outil de mesure
mis notre disposition pour caractriser les lignes CPW, est une station sous pointes Karl
Suss [8]. Cette station dcrite par la figure 3.12, permet la mesure des circuits accs CPW
en les connectant uniquement par contact avec des pointes RF.

Figure 3.12. Mesure des paramtres [S] 60 GHz avec la station sous pointes Karl Suss [8].

Les figures 3.13 et 3.14 illustrent la comparaison faite entre les rsultats de la
simulation sous HFSS et IE3D avec ceux issus de la mesure des paramtres [S] des lignes
CPW implantes respectivement sur un support en Alumine et sur un substrat en RO 4003.
Les courbes des figures 3.13 et 3.14 montrent globalement une bonne concordance
entre la mesure et la simulation pour le paramtre S11. Dans le cas du paramtre S12, on trouve
que HFSS permet une caractrisation plus fidle quIE3D. En effet, les rsultats obtenus avec
IE3D diffrent faiblement des donnes exprimentales. Au final, ces rsultats sinterprtent
par le dcalage denviron 10 observ sur les figures 3.10 et 3.11, lors de lanalyse en
modlisation des lignes CPW. Cette diffrence sexplique par la mthode de discrtisation de

99

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


la structure lors de la simulation sous IE3D. En effet, comme le spcifie le paragraphe III.1 et
l'illustre la seconde figure du Tableau III.1, IE3D procde une discrtisation homogne de la
partie mtallique de la structure simule alors que HFSS leffectue sur toute la structure, en
augmentant le nombre de mailles surtout l o le champ est maximum.

Figure 3.13. Mesure et simulation sous HFSS et IE3D dune ligne CPW 50 sur un substrat
pais et forte permittivit (h = 635 m, r = 9,9).

Figure 3.14. Mesure et simulation sous HFSS et IE3D dune ligne CPW 50 sur un substrat
pais et faible permittivit (h = 508 m, r = 3,38).

Par contre, malgr toutes ces diffrences, IE3D ralise rapidement une assez bonne
caractrisation. Le bon accord obtenu entre la mesure et la simulation des paramtres [S]
l'aide de HFSS, permet de valider la mthode Zpv utilise pour estimer limpdance
caractristique. Les rsultats de mesure mettent galement en vidence quun substrat de
faible permittivit engendre moins de pertes dans la ligne quun substrat de forte permittivit
et ce, malgr que ce dernier ait une tangente de pertes (tg) de valeur plus faible.

100

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

III.3. Rgles de modlisation E-M des lignes microrubans et CPW en bande


millimtrique
En rsum, les rgles de conception des lignes microrubans et CPW que nous avons
tablies et valides exprimentalement, sont:

Dans le cas de la ligne microruban


o Zpi de HFSS est la meilleure approche pour calculer l'impdance
caractristique.
o On limine tout risque de propagation de modes parasites si lon respecte la
restriction sur la hauteur du substrat (hsub)limite impose par linquation (III-4):
(h sub ) limite

n co Zc
240 Fgn

o IE3D ralise une modlisation correcte condition de respecter cette


restriction.
o Mme si on utilise un substrat favorisant lapparition de modes parasites,
comme un substrat pais et de forte permittivit, il est possible dexploiter, en
pratique, ce type de substrat tant que les conditions d'excitation de tels modes,
ne sont pas runies. Par exemple, il suffirait d'viter dalimenter la ligne
microruban substrat pais avec une ligne coaxiale.

Dans le cas de la ligne CPW

o IE3D et HFSS ralise une bonne caractrisation des lignes CPW. Par contre,
une modlisation effectue sous HFSS en considrant la solution Zpv, est la
meilleure approche pour calculer l'impdance caractristique de la ligne.

III.4. Caractrisation des antennes en bande millimtrique


Ltude dveloppe dans les prcdents paragraphes, peut tre tendue la
modlisation des antennes pour confirmer la validit de nos outils de simulation et pour
valuer convenablement les caractristiques de rayonnement de ces antennes.
De faon gnrale, les rgles nonces au paragraphe III.3 vont nous servir
concevoir des antennes de la bande millimtrique, durant le reste de nos travaux de thse.
Aprs l'tude mene au chapitre II, nous avons opt pour des configurations bases sur
l'antenne patch implante sur une membrane dilectrique et rayonnant dans la gamme des
60 GHz. Aussi, ce type d'antenne est modlis, ci-aprs, dans cette partie de la gamme
millimtrique en utilisant les logiciels HFSS et IE3D. Puis, ses paramtres [S], son gain et ses
diagrammes de rayonnement sont mesurs grce aux moyens exprimentaux du Laboratoire.

101

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Ensuite, il s'agira de comparer les rsultats obtenus ceux issus de la mesure, afin de
valider la caractrisation du rayonnement des antennes avec ces deux logiciels.
III.4.1. Modlisation E-M de lantenne sur membrane dilectrique
L'antenne patch ainsi tudie, est implante sur une membrane en Silicium recouverte
d'un film en BCB (voir figure 3.15). Comme nous le verrons au chapitre V, les matriaux en
Silicium et en BCB ont t choisis de faon former un substrat commun cette antenne et
aux dphaseurs RF requis pour la formation de faisceau et faciliter leur interconnexion. Soit
r, la constante dilectrique relative de ces substrats, hsi et hBCB, leurs hauteurs respectives, ,
la conductivit lectrique et tg , les pertes dilectriques. Pour ces matriaux, on a donc:

Silicium : r = 11,9, hsi = 400 m, = 0,033 -1m-1.

BCB : r = 2,6, hBCB = 20 m, tg = 0,002.

La membrane dilectrique a t ralise en creusant dans le Silicium, une cavit dair de


398,6 m de hauteur pour laisser sous l'antenne, une fine couche de dilectrique de 1,4 m de
Silicium et de 20 m de BCB. Lantenne tant suppose travailler 62 GHz, ses dimensions
ont t calcules suivant l'approche dveloppe dans [9]. Lantenne patch ayant une
impdance de 160 , elle est adapte au port 50 grce un transformateur quart donde
d'impdance caractristique de 90 . Comme la hauteur du substrat (hsi + hBCB) de lantenne
patch est suprieure (hsub)limite = 300 m, pour que la modlisation sous IE3D soit cohrente
entre 50 GHz et 65 GHz, suivant lquation III-4, la ligne microruban devant alimenter
lantenne patch doit avoir au minimum, Zc = 68 . En effet, dans notre cas, lantenne patch
est adapte sur membrane au port dexcitation de 50 grce ligne microruban quart donde
dont Zc = 90 . Donc, la modlisation sous IE3D ne pose aucun problme.

Figure 3. 15 Antenne patch sur membrane Si / BCB, ralise suivant la technologie employe
au LAAS-CNRS.

Rappelons quIE3D ne peut s'appliquer que sur des structures appartenant un plan de
surface infinie et par consquent, rend impossible toute action sur l'tendue du substrat et de
102

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


son plan de masse. Par contre, HFSS n'est pas assujetti une telle contrainte car le plan de
masse quil cre, est fini et permet la ralisation de discontinuits dans le substrat. Afin de
comparer les deux outils de simulation, la modlisation sous HFSS a t ralise sans tenir
compte de l'effet des bords dilectriques en Silicium qui entourent la membrane. Puis,
lantenne patch a t modlise avec cet outil, en considrant un support form uniquement de
la membrane dilectrique et de la cavit dair. Aprs leur simulation suivant HFSS et IE3D,
on obtient les courbes du paramtre S11 et du gain en fonction de la frquence, puis les
diagrammes de rayonnement de cette antenne, respectivement donns par les figures 3.16a,
3.16b et 3.17.

(a) Adaptation

(b) Gain

Figure 3. 16. Gain et paramtre S11 simuls avec IE3D et HFSS pour lantenne patch sur
membrane Si / BCB.

La figure 3.16 indique quil y a un dcalage frquentiel entre les rsultats de la


modlisation donns par HFSS et IE3D. D'aprs le Tableau III.5, la frquence de rsonance
de l'antenne simule avec HFSS, est de 62 GHz et avec IE3D, de 63 GHz. Le dcalage en
frquence est donc de 1 GHz, soit 1,6 % relativement 60 GHz. Par contre, ces deux logiciels
donnent globalement la mme rponse en rflexion et en gain. Notamment, la bande passante
obtenue pour S11 < - 10 dB dans les deux cas, vaut 4 GHz (soit 6,6 % de bande), avec un gain
gal ou suprieur 8 dBi. Le dcalage en frquence observ entre HFSS et IE3D, peut
sexpliquer par la diffrence des mthodes utilises par chacun de ces logiciels pour rsoudre
les quations de Maxwell, savoir, la mthode des lments finis pour HFSS et la mthode
des moments pour IE3D (voir paragraphe III.1).

103

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

(a) Plan H

(b) Plan E

Figure 3.17. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch sur membrane Si /BCB,


obtenus par simulation avec HFSS et IE3D.
Tableau III.5. Frquence de rsonance, bande passante et gain de lantenne patch sur
membrane Si /BCB, obtenus par simulation avec HFSS et IE3D.
Paramtres
Frquence de rsonance F0
(GHz)
Bande passante pour
S11 < 10 dB (GHz)
Gain dans la bande
passante (dBi)

HFSS

IE3D

62

63

La figure 3.17 met aussi en vidence des diffrences significatives entre les
diagrammes de rayonnement obtenus respectivement avec HFSS et IE3D. Ces diffrences se
traduisent par l'apparition d'un lobe arrire avec HFSS, dont l'amplitude vaut - 10 dB dans le
plan E et - 20 dB dans le plan H, alors que le rayonnement arrire est nul pour IE3D. De plus,
avec HFSS, une polarisation croise (Cross) supplmentaire 90 est observe dans le
plan H alors qu'avec IE3D, elle est inexistante. De telles diffrences s'expliquent par le fait
que le plan de masse et le substrat traits par HFSS, sont de surface finie alors que celles
dIE3D sont infinies. Cependant, malgr ces diffrences, lallure des diagrammes de
rayonnement et les niveaux de gain obtenus dans les plans E et H l'aide de ces deux
logiciels, sont similaires.

104

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


III.4.2. Validation exprimentale des outils de simulation pour la caractrisation des
antennes
Dans le cadre de lexprimentation de nos antennes, nous avons ralis une antenne
patch sur membrane dilectrique. En attendant de disposer d'chantillons produits par le
LAAS, nous avons adopt un procd de fabrication plus rapide et moins cher. Pour ce faire,
nos antennes ont t construites au Laboratoire Lab-STICC, avec un matriau dilectrique de
caractristiques quivalentes la cavit dair + la membrane Si / BCB (voir figure 3.18).

(a) Antenne patch sur membrane.

(b) Technologie.

Figure 3.18. Antenne patch sur membrane suivant la technologie dveloppe au Lab-STICC.

Ce matriau est une feuille de DICLAD LTF-250, fabriqu par Arlon en vue
d'applications en microondes. Ses caractristiques sont: r = 2,33, hsub = 50 m, tg = 0,0013.
La ralisation des antennes est base sur la technologie TFMS (Thin Film MicroStrip). Elle a consist, tout d'abord, intercaler ce matriau, sous forme d'un film de 50 m
d'paisseur, entre deux lames de cuivre, respectivement paisses de 300 m et 20 m. Ensuite,
ces lames de cuivre ont t colles au DICLAD LTF-250 par fusion thermique. Lantenne
patch mesurer a t imprime sur la feuille de cuivre de 20 m d'paisseur en procdant par
attaque chimique. Finalement, une cavit d'air a t amnage sous lantenne patch en
effectuant une gravure chimique de la semelle en cuivre de 300 m d'paisseur, avec une
inclinaison de 55, jusqu laisser apparatre le substrat en DICLAD LTF-250. La figure 3.18
donne une description dtaille de l'antenne ainsi ralise au Lab-STICC.
Comme nous l'avons expliqu aux sous - paragraphes III.2.1.1 et III.2.2.1, les
paramtres [S] de cette antenne peuvent tre mesurs, soit avec un accs microruban via la
cellule Wiltron 60 GHz, soit avec un accs CPW via la station sous pointes Karl Suss.

105

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Les dimensions de lantenne de la figure 3.18 ont t ajustes de faon que celle-ci
rsonne 62 GHz. Un tronon g/4 permet de ramener limpdance de lantenne 50 au
niveau de l'intervalle de rfrence B-B et de connecter celle-ci une ligne microruban
dimpdance caractristique gale 50 . Cette ligne est dpose sur le substrat form du
film DICLAD LTF-250 et de la semelle en cuivre grce la technologie TFMS dcrite cidessus. Elle est ensuite connecte une ligne CPW sur ce substrat. La figure 3.19 donne la
photographie du banc de mesure du gain et des paramtres [S] de l'antenne tudie, ainsi que
son dessin en coupe.

(a) Photo de lexprimentation.

(b) Illustration des conditions de mesure.

Figure 3.19. Mesure du gain et du paramtre [S] de lantenne avec la station sous pointes.

Brivement, le banc de mesure se compose principalement de l'antenne patch ralise


en technologie TFMS et travaillant l'mission, de la station sous pointe qui alimente et
mesure cette antenne, d'une transition microruban CPW et d'une antenne cornet travaillant
la rception. La mesure du gain de lantenne est explique dans lannexe F. Comme le
montrent cette figure et cette annexe, la transition microruban CPW assure l'interconnexion
de lantenne patch avec la station pointes Karl Suss et facilite les mesures faites avec cette
station.
Les courbes des figures 3.20a et 3.20b reprsentent respectivement le paramtre S11 et
le gain mesurs et simuls sous HFSS et IE3D. Elles montrent globalement une assez bonne
concordance entre la modlisation et la mesure. Cependant, un dcalage assez important est
constat entre les rsultats obtenus par simulation sous IE3D et les mesures correspondantes.
En effet, ce dcalage est d'environ 1,35 GHz, soit 2,25 % relativement 60 GHz. En
revanche, les donnes issues de la simulation sous HFSS, diffrent des mesures d' peine
0,5 % (voir figure 3.20a). De plus, l'cart entre les rsultats donns par les deux logiciels
IE3D et HFSS, demeure le mme que celui observ pour lantenne patch sur membrane

106

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Si / BCB (voir figure 3.16a). En effet, cet cart vaut 1,6 %. Comme le montre la figure 3.20a,
pour S11 < -10 dB, on trouve que la bande passante mesure pour l'antenne de la figure 3.18,
est pratiquement de 3 GHz, alors quelle atteint 4 GHz lors de sa simulation sous HFSS, soit
une diffrence des bandes passantes gale 1,6 %.

(a) Adaptation

(b) Gain

Figure 3. 20. Rsultats de la mesure et de la simulation de lantenne patch sur membrane.

D'aprs la figure 3.20b, le gain selon qu'il soit simul ou mesur, demeure quasiment
inchang dans la bande passante o il vaut 8 dBi. Cependant, cette figure met aussi en
vidence des fluctuations qui viennent se greffer la courbe du gain obtenue
exprimentalement. Ces perturbations sont probablement dues la prsence des objets se
trouvant proximit de l'antenne, comme le montre la figure 3.19. En arrivant sur ces
obstacles, les ondes mises par l'antenne, produisent des rflexions parasites et peuvent
fausser les mesures. Malgr toutes ces diffrences, un bon accord a t obtenu entre les
rsultats de la modlisation et de la mesure. En particulier, aprs lvaluation prcise du gain
de notre antenne et de son coefficient de rflexion, la mthodologie employe pour la
modlisation et la technique de mesure ont t mutuellement valids pour la bande
millimtrique.
III.4.2.1. Mesure des diagrammes de rayonnement
Lors de la prsentation des outils de mesure des diagrammes de rayonnement
60 GHz, nous nous limiterons dornavant lexploitation de HFSS, pour comparer les
rsultats de mesure ceux issus de la simulation et pour valider ces outils, car les conditions
imposes par IE3D, c'est--dire une tendue infinie du substrat et du plan de masse, ne
refltent pas la ralit de l'exprimentation.
Au Lab-STICC, deux sortes de mthode sont dveloppes pour mesurer et tracer les
diagrammes de rayonnement. Les moyens exprimentaux requis par ces mthodes, sont:

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Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz




Un banc de mesure permettant d'utiliser la station sous pointes Karl Suss avec
lanalyseur de rseau Wiltron.

Un banc de mesure exploitant un analyseur de rseau de type ABmm spcialement


conu pour raliser des expriences en chambre anchode o un bras articul et
command lectroniquement, porte l'antenne tudie et une connectique coaxiale.

La figure 3.21 reprsente le banc de mesure utilisant la station sous pointes Karl Suss
pour tracer des diagrammes de rayonnement. La mesure est effectue avec une antenne cornet
de 8 dBi accorde en bande W et collectant le rayonnement lectromagntique mis par les
antennes caractriser. Les diagrammes de rayonnement ont t mesurs suivant leurs plans
respectifs E et H (voir figures 3.21a et 3.21b).

(a) Mesure dans le Plan E

(b) Mesure dans le Plan H

Figure 3. 21. Mesure du diagramme de rayonnement avec la station sous pointes Karl Suss.

Ce type de mesure ncessite une arche en mousse pose sur le wafer et sur laquelle est
fixe l'antenne cornet de rception. Cette dernire est rgle manuellement en position par
bonds de 10 et collecte donc la puissance mise par lantenne tudie en fonction de l'angle.
En pratique, des contraintes mcaniques lies lemploi des diffrents lments du dispositif
de mesure tels que larche, les connecteurs V, la pointe CPW, l'antenne cornet ou la station
Karl Suss, limitent le trac des diagrammes de rayonnement aux angles allant de - 70 + 70
dans le plan H et de - 30 + 70 dans le plan E.
La figure 3.22 reprsente ces diagrammes dans lesquels l'amplitude du champ est
exprime en valeurs relatives. On retrouve une bonne concordance entre les rsultats de la
modlisation et de la mesure donnant le diagramme de rayonnement de lantenne dans le plan
H en co-polarisation (Co). Cependant, le niveau de la polarisation croise (Cross) obtenu
exprimentalement dans ce plan, est suprieur celui issu de la simulation. Dans le plan E, le
niveau de la Cross est ngligeable car il est infrieur - 25 dB. De plus, la portion de

108

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


diagramme de rayonnement mesure entre - 30 et + 70, suit globalement le mme contour
que celui du diagramme simul sous HFSS. Mais, sa forme diffre lgrement cause de la
prsence de la pointe de mesure RF.
Afin de tenir compte de leffet de cette pointe, nous avons reproduit sous HFSS, la
structure compose de lantenne caractriser et de la pointe RF. Cette structure est illustre
par la figure 3.23. Les diagrammes de rayonnement simuls en se basant sur cette structure,
ont t compars ceux obtenus par la mesure. Comme le montre la figure 3.24, la prsence
de la pointe perturbe effectivement la forme du diagramme de rayonnement en co-polarisation
dans le plan E, car ce diagramme est diffrent de celui reprsent par la figure 3.22.
Cependant, elle n'a aucun effet sur le niveau de cross-polarisation dans le plan H.

(a) Plan H

(b) Plan E

Figure 3.22. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch sur membrane, modliss sous
HFSS et mesurs grce la station sous pointes Karl Suss.

Figure 3.23. Reprsentation du prototype conu sous HFSS pour modliser lantenne en
prsence de la pointe RF.

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Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

(a) Plan H

(b) plan E

Figure 3.24. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch sur membrane, modliss sous
HFSS en prsence de pointes RF et mesurs grce la station sous pointes Karl Suss.

Les mesures de diagrammes de rayonnement tant entirement manuelles, il se produit


ncessairement un certain nombre derreurs dues l'oprateur. De plus, ces mesures tant
effectue en espace libre, elles sont altres par les rflexions parasites dans lenvironnement
de l'antenne. D'o, les diffrences observes au niveau de certains points de mesure et les
difficults interprter les rsultats, surtout dans le cas des niveaux proches du plancher de
bruit, comme pour la mesure de la cross polarisation.
Afin de supprimer les rflexions parasites et de raliser des mesures plus fiables,
l'antenne tudie a t teste en chambre anchode, grce au banc de mesure quip de
l'analyseur de rseau ABmm. Le bras articul sur lequel est fixe l'antenne, est quip d'un
connecteur V alimentant celle-ci par l'intermdiaire d'un dispositif assurant la transition de ce
connecteur vers la ligne microruban de cette antenne.
Comme l'illustre la figure 3.25, le substrat de lantenne est viss sur une embase en
laiton et le connecteur V, est fix sur un support mtallique pour alimenter lantenne
mesurer.
La figure 3.26 montre que lors du trac du diagramme de rayonnement, l'antenne
cornet 60 GHz utilise en rception, est porte par un bras fixe tandis que lantenne
mesurer varie en position grce au bras amovible. Cette figure indique aussi l'emplacement de
la transition connecteur V - microruban dans le banc de mesure. Le bras mobile tant
command par ordinateur, il varie en position avec un angle allant de + 90 90 par pas
de 1. La figure 3.27 reprsente l'intrieur de la chambre anchode o les antennes ont t
places.

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Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

Figure 3.25. Vues du dispositif assurant la transition connecteur V - microruban.

Figure 3.26. Photographie du dispositif de mesure des diagrammes de rayonnement.

Figure 3.27. Mesure de lantenne en chambre anchode.

111

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Cette chambre est conue pour mesurer le diagramme de rayonnement dune antenne
des frquences F 40 GHz. Sa longueur est de 2 m et sa largeur, de 1,2 m. La position de
lantenne est choisie en fonction du plan o doit tre ralise la mesure (voir figure 3.27).
Ainsi, en co-polarisation, le cornet est positionn suivant le plan de lantenne tudie.
Autrement, cest la polarisation croise (ou cross polarisation) de lantenne qui est mesure.
Les mesures en chambre anchode ont t effectues en visibilit directe (LOS).
Pendant l'exprience, il faudrait viter toute variation subite du centre de phase de lantenne
qui par consquent, pourrait fausser le trac du diagramme de rayonnement. Aussi, cette
antenne a t place au centre de rotation du rotor du bras amovible.
La figure 3.28 donne les diagrammes de rayonnement rsultant des mesures et de la
simulation sous HFSS dans les plans H et E. Ces diagrammes ont t obtenus en co - et cross
- polarisation pour lantenne de la figure 3.18 monte sur le dispositif de la figure 3.25. Les
courbes de cette figure mettent en vidence un bon accord entre les mesures et les rsultats de
la simulation sous HFSS.
On trouve aussi que lantenne de la figure 3.25 met un rayonnement semblable celui
dune antenne patch. En particulier, la polarisation croise est globalement infrieure
20 dB. Cependant, des perturbations apparaissent en co-polarisation dans le plan E. En
procdant par rtro-simulation, on constate que ces perturbations sont particulirement dues
la prsence du connecteur V dans ce plan.

(a) Plan H

(b) Plan E

Figure 3.28. Mesure et simulation des diagrammes de rayonnement en co - et cross polarisation de lantenne patch sur membrane.

Les deux bancs exprimentaux que nous avons dcrits, donnent des rsultats
comparables. Cependant, la mthode base sur la station de mesure sous pointes est plus
artisanale. En effet, elle se fait en espace libre, mais avec des obstacles autour de l'antenne, la
position de l'antenne est rgle manuellement et la prsence des pointes perturbe la mesure.
112

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Par contre, la mthode de mesure mise en uvre en chambre anchode, est plus systmatique
car l'alimentation de l'antenne tant base sur la transition connecteur V microruban, ne se
fait plus sous pointes, le centre de phase de l'antenne est bien dtermin, le champ mesur
n'est plus accompagn de rflexions parasites et la position angulaire de l'antenne est
automatiquement contrle par ordinateur. Dans les deux cas, la mthodologie employe au
laboratoire, pour mesurer les paramtres [S], le gain et les diagrammes de rayonnement des
antennes tudies, a t valide par rtro-simulation sous HFSS, en reprenant les conditions
de mesure dans la bande millimtrique. Elle a notamment permis de valider la topologie
dantenne patch sur membrane pour cette gamme de frquences et de la caractriser en se
basant sur les mesures de bande passante, de gain et de diagrammes de rayonnement.

III.4. Analyse des rsultats


L'tude faite dans ce chapitre, nous a permis d'laborer une mthodologie de
conception des lignes et des antennes en technologie planaire dans la bande millimtrique.
Cette mthodologie comporte globalement les oprations suivantes:
 appliquer les logiciels IE3D et HFSS la conception, la simulation et la
caractrisation des structures planaires faisant l'objet de nos investigations, savoir les
lignes microrubans, les lignes CPW et les antennes patch sur membrane travaillant
dans la gamme millimtrique.
 valuer les performances de ces logiciels et des moyens exprimentaux du Laboratoire
en bande millimtrique




identifier les problmes rencontrs lors de la modlisation, traiter notamment la


question des modes parasites et trouver des solutions pour y remdier.
tablir des rgles de conception de nos structures planaires.
valider les outils de modlisation et les moyens de mesure dans la bande

millimtrique.
L'efficacit des logiciels IE3D et HFSS est dj prouve dans des applications trs
hautes frquences. En bande millimtrique, la modlisation sous IE3D qui est base sur des
conditions idales, s'effectue de faon simple et rapide. Mais, des carts non ngligeables sont
observs lors de la simulation de l'impdance caractristique des structures planaires tudies.
Par contre, HFSS donne de meilleurs rsultats, surtout avec Zpi pour les lignes microrubans et
Zpv pour les lignes CPW.
En voulant expliquer les difficults d'valuation de l'impdance caractristique, nous
avons mis en vidence l'existence de modes dordre suprieur et de substrat, dans le cas de
lignes planaires dont le substrat est pais et de forte permittivit (comme par exemple, un
support en Silicium de plusieurs centaines de m d'paisseur). Nous avons alors pu montrer
que ces modes induisent de fortes pertes lors de leur propagation dans ce type de lignes. Entre
autres, nous avons trouv qu'il n'y avait plus aucun risque de propagation de ces modes

113

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


parasites lorsque l'paisseur du substrat tait infrieure une hauteur limite (hsub)limite, valant
300 m lorsquon travaille, comme dans notre cas, dans la bande des 60 GHz.
Pour adapter la connectique des bancs de mesure 60 GHz disponibles au Laboratoire,
nous avons ralis des transitions microruban CPW et coaxial - microruban. De tels
accessoires ont t spcialement conus pour exprimenter des antennes accs microruban
ou CPW et par suite, les caractriser en gain et en diagramme de rayonnement.
En attendant de disposer des antennes patch ralises au L.A.A.S. sur membrane en
Si/BCB, une topologie possdant des caractristiques quivalentes a t considre. Cette
topologie est base sur la technologie dveloppe au Lab-STICC. Elle a consist raliser la
membrane de l'antenne patch avec un film de DICLAD LTF-250 maintenu par une semelle en
cuivre sous laquelle une cavit d'air a t amnage. Une telle antenne a t valide
exprimentalement grce aux moyens de mesure du Laboratoire. Puis, lantenne patch a t
modlise sous HFSS en considrant les deux sortes de membranes. Dans les deux cas, on
obtient des rsultats quivalents, dont une bande passante valant 6,6 % relativement 60 GHz
et un gain situ autour de 8 dBi. Ces rsultats sont conformes ceux issus de la mesure de
l'antenne patch sur membrane DICLAD LTF-250, soit une bande passante de 5 % par rapport
60 GHz et un gain valant pratiquement 8 dBi. Comme il est plus facile de fabriquer ce type
d'antenne, c'est cette dernire que nous aurons utiliser pour dvelopper et valider les
diffrentes tudes que nous aurons mener dans le chapitre IV.
De faon gnrale, les rsultats obtenus exprimentalement concordent globalement
avec ceux issus de la simulation sous IE3D et HFSS. En procdant par rtro-simulation, nous
avons pu valider en bande millimtrique, les mthodes de mesure employes et loutil de
modlisation sous HFSS, ainsi que nos hypothses et nos tudes sur la propagation de modes
d'ordre suprieur.
Pour la suite de nos travaux, des analyses paramtriques seront pralablement
effectues en utilisant IE3D pour avoir une bauche rapide de nos antennes et de leurs
caractristiques. Mais, comme HFSS est bien plus apte reproduire les conditions relles
d'exprimentation, ce sont surtout ce logiciel et les outils de mesure du Laboratoire qui
serviront raliser des tudes prcises sur la conception et la ralisation d'antennes pour nos
applications 60 GHz, puis sur leur caractrisation et leur validation dans la bande
millimtrique.

114

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz


Rfrences
[1] HFSS Version 11.1, Ansoft Corporation, Inc, 1984 -2008.
http://www.ansoft.com/products/hf/hfss/
[2] [5] IE3D Version 14.1, Zeland Software, Inc., Fermont, CA, 1993 -2008.
http://www.zeland.com/
[3] [2] CST, http://www.cst.com/
[4] H.A. Wheeler. Transmission-line properties of parallel wide strips by a conformal- mapping
approximation. IEEE trans. Microwave theory, MT-12, 280-269,1964

[5] Descharles C. "Contribution la conception et la ralisation de dtecteurs intgrs usage dans


la bande millimtrique pour des applications de radio-astronomie", Thse de Doctorat, Universit
Pierre et Marie Curie, Laboratoire des Instruments et Systmes dIle de France, Ecole Doctorale
E.D.I.T.E., 06 Octobre 2004.
[6]Wiltron, http://www.rfmw.com/data/11410-00024%20UTF.pdf
[7] Tutorial HFSS "Port Tutorial Series: Coplanar Waveguide (CPW)"
[8] Karl Suss, http://www.ptbsales.com/manuals/karlsuss/pm8.pdf
[9] Balanis. C.A. "Antenna Theory analysis and design", J. Wiley & Sons (3rd Ed.), Hoboken, New
Jersey, 2005.

115

Chapitre III : Modlisation et mesure des structures planaires 60 GHz

116

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

CHAPITRE IV
Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz
et mise en rseau

Rsum:
L'tude faite dans ce chapitre concerne la recherche de configurations compactes
permettant dlargir la bande passante dune antenne patch fonctionnant 60 GHz. Pour
cel, nous avons considr un patch imprim sur un support en Silicium de 410 m
dpaisseur totale. Ce substrat comporte une membrane en Silicium / BCB de 1,4 m
dpaisseur, superpose une cavit dair de 398,6 m. Deux techniques ont t utilises
pour accrotre la bande passante. L'une de ces techniques repose sur l'association du patch
deux lments parasites sur le mme support dilectrique. Aprs optimisation des dimensions,
on obtient un prototype d'antenne peine plus grand qu'un simple patch et donc, plus
compact que des antennes de mme type dcrites dans la littrature. De plus, sa bande
passante est denviron 1,8 fois suprieure celle de ce patch oprant seul. L'autre technique
revient exciter le patch avec une alimentation microruban en T ou en U par couplage
lectromagntique sur le mme substrat. On trouve que lantenne couple une ligne
microruban avec terminaison en T, possde une meilleure bande passante, car elle peut tre
trois fois plus large que celle du patch isol. Cette caractristique est comparable celle des
antennes large bande prsentes dans le chapitre II, mais elle a t obtenue avec de moindres
dimensions et avec de meilleures proprits de rayonnement en fonction de la frquence. Le
patch aliment par une ligne microruban avec terminaison en U, donne des rsultats
quivalents ceux de la configuration en T. Cependant, elle est moins encombrante car elle
est pratiquement de mme taille que celle du simple patch. Parmi toutes ces solutions, les
caractristiques de lantenne patch alimente par un microruban en forme de U font quelles
permettent une insertion plus aise dans un rseau conu pour fonctionner par formation de
faisceau (beamforming) dans une bande allant de 57 GHz 64 GHz.

117

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

CHAPITRE IV : Conception dantennes patch compactes, large


bande 60 GHz et mise en rseau

IV.1. Topologie antennaire large bande pour patch sur membrane en


Silicium
Dans les chapitres II et III, nous avons expliqu que les antennes patch sur membrane
en Silicium ne permettaient pas, elles seules, de couvrir toute la bande des 60 GHz. Ainsi,
d'aprs l'tude faite au chapitre III, lantenne patch implante sur une membrane en Si (h =
400 m) / BCB (h = 10 m), possde une bande passante de 6,6 % pour TOS < 2, c'est--dire
la moiti de la bande utile devant tre couverte lors d'applications 60 GHz. L'tude
bibliographique du chapitre II a mis en avant un certain nombre de solutions pour largir la
bande passante dune antenne. La solution que nous avons initialement retenue, est celle que
Kumar et al. avaient conue pour raliser une antenne patch large bande fonctionnant dans la
bande S (2-4 GHz) [1]. Comme nous l'avons expliqu au paragraphe II.5.1, elle consiste
ajouter des lments parasites sur la mme couche dilectrique que lantenne patch.
Pour TOS < 2, lantenne de Kumar et al. possde une bande passante trois fois plus
large que celle du patch isol. Cette topologie que nous avons cherch adapter la bande
des 60 GHz, est intressante dans notre cas. En effet, elle permet de raliser un bon
compromis entre la simplicit de mise en uvre, llargissement de la bande passante et la
possibilit de l'alimenter avec une structure microruban dans cette gamme de frquences.
LAntenne Patch Munie dElments Parasites que nous avons dveloppe, appele
APMEP dans ce chapitre, est constitue dun patch central et de patchs parasites disposs le
long du plan H, sur une membrane en Si/BCB. Au paragraphe II.5.1, nous avons vu qu'il
existait aussi des configurations o les antennes parasites sont places dans le plan E. Mais, la
disposition des patchs parasites suivant le plan H a t choisie pour faciliter lalimentation de
lAPMEP avec une ligne microruban, tout en prservant le caractre symtrique des
diagrammes de rayonnement. Lors de la conception de lantenne large bande 60 GHz, se
pose le problme de son encombrement qui est non ngligeable. Aussi, il a fallu trouver, par
la suite, une solution qui puisse rendre l'APMEP plus compacte et permette sa mise en rseau,
tout en la dotant d'une bande passante capable de couvrir la bande des 60 GHz.

IV.2. Antenne patch 60 GHz couple avec des lments parasites dans le
plan H
Les rgles de conception utilises pour mettre au point l'APMEP 60 GHz, sont les
mmes que celles tablies par Kumar et al. dans [1] pour ce type d'antenne. Ces rgles sont
exposes au chapitre II. La figure 4.1 reprsente les vues de dessus et de ct de cette antenne.

118

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(a) Vue de dessus (antenne).

(b) Vue en coupe (support).

Figure 4.1. Antenne patch 60 GHz munie dlments parasites (APMEP), ralise sur
membrane en Si / BCB.

Comme dans [1], lAPMEP se compose d'un patch central qui excite sur le mme
support, deux patchs parasites latraux par couplage lectromagntique (voir figure 4.1a).
Daprs la figure 4.1b, l'antenne ainsi tudie, est implante sur une membrane en
Silicium HR de 1,4 m dpaisseur recouverte dun film de 10 m de BCB et comportant
dans sa partie infrieure, une cavit dair de hauteur gale 396,4 m. Le substrat quivalent
au support de lantenne est alors de hauteur totale : htotale = hBCB + hair + hm = 410 m et de
permittivit dilectrique quivalente (r)eq = f(bcb, air, si) 1,1. Cette valeur de (r)eq a t
calcule partir de lquation (G-1) de lannexe G, qui permet d'valuer la permittivit
relative quivalente (r)eq dun support compos de plusieurs dilectriques. Le patch, les
lments parasites et la ligne dalimentation sont gravs sur ce substrat avec 3 m dpaisseur
dOr.
La figure 4.1a donne les dimensions que nous avons obtenues pour l'APMEP, en
appliquant les rgles de conception de Kumar et al. Elle indique aussi que chacun des deux
lments parasites est spar du patch central par un espacement (ou gap) g. Etant placs
dans le sens de la largeur (W), ils sont tous les trois aligns le long du plan H. Tous ces patchs
contribuent au rayonnement et sont rgls des frquences daccord assez proches, de
manire crer de multiples rsonances dans le systme antennaire.
Le paramtre g permet, dune part, dassurer lexcitation des patchs parasites et,
d'autre part, d'ajuster limpdance de lAPMEP de manire que le maximum de frquence
converge vers une mme valeur d'impdance. Il est alors rgl de sorte que les diffrents
lments rayonnants soient suffisamment proches les uns des autres et que leur couplage
mutuel soit suffisamment fort pour produire un largissement adquat de la bande passante
[1]. Un bon couplage entre ces antennes et une augmentation de la bande passante sont alors
assurs si l'espacement entre le patch central et les patchs parasites est le plus faible possible

119

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

[1]. Dans notre cas, le gap g pouvant tre ralis avec les moyens exprimentaux de notre
laboratoire et ceux de nos partenaires, est limit 10 m.
Le patch central et les patchs parasites formant cette antenne sont rgls des
frquences diffrentes, mais suffisamment proches, grce un ajustement adquat de leurs
longueurs respectives (L) et (Lp). Ainsi, pour L = 2 mm et W = 2,2 mm, la frquence de
rsonance du patch principal vaut pratiquement f1 = 59 GHz, tandis que pour Lp = 1,8 mm et
Wp = 2,2 mm, celle des patchs parasites est f2 = 63 GHz.
La modlisation lectromagntique (E-M) de notre antenne a t effectue sous
IE3D [2]. La figure 4.2 donne les courbes du coefficient de rflexion (S11) et du rendement de
cette antenne (A) (c'est--dire, avec prise en compte de ladaptation). Ces courbes sont
compares celles obtenues pour une antenne patch oprant seule et rsonnant 62 GHz (les
dimensions du patch seul ont dj t fixes au paragraphe III.4.1).
Les rsultats ainsi obtenus, sont rsums dans le Tableau IV.1. Ils montrent qu'en
ajoutant des patchs parasites, la bande passante (Bp) de lantenne considre s'largit
effectivement, mais modrment. En effet, d'aprs ce Tableau, la bande passante du patch seul
est de 6,6 % pour S11 -10 dB, tandis que celle de lantenne patch couple des lments
parasites, est 1,7 fois plus grande car elle vaut 11 %. Cette largeur de bande est suffisante
pour couvrir celle dfinie par la norme des 60 GHz.

Figure 4.2. Rendement (A) et paramtre S11 simuls sous IE3D pour lantenne patch 60 GHz
sur membrane Si / BCB, avec et sans lments parasites.
Tableau IV.1. Caractristiques de lantenne patch avec et sans lments parasites.
Antennes

Zin

Bp (S11 < -10dB)

BP (A 90%)

BP (A 80%)

Patch seul

160

6,6 %

6,6 %

9.6 %

APMEP

200

11 %

9%

15 %

120

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Notons, cependant que pour S11 < - 10 dB, le rendement (A) du patch coupl des
lments parasites est plus faible au dbut de sa bande passante. Cette chute de rendement
apparat aux frquences proches de celle du patch central
Comme le montre la figure 4.3, ce dernier a, en plus de sa fonction dlment
rayonnant, le rle d'exciter par couplage les deux autres lments rayonnants qui lui sont
adjacents. Ceci implique quune partie de son nergie est dissipe au niveau de ce couplage
lorsque lantenne centrale excite les lments parasites, et provoque, par consquent, la
rduction du rendement de lAPMEP en dbut de bande passante.

Figure 4. 3. Distributions du champ lectrique dans lAPMEP, caractrisant le couplage entre le


patch central et les patchs parasites, vers 59 GHz.

La figure 4.4 reprsente les diagrammes de rayonnement de lAPMEP, obtenus sous


IE3D dans les plans E et H en co - polarisation (Co) et en polarisation croise (Cross), aux
limites de sa bande passante, c'est--dire, 58 GHz et 65 GHz respectivement.

(a) 58 GHz

(b) 65 GHz

Figure 4.4. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch lments parasites.

Elle montre que ces diagrammes ne diffrent pas dans le plan E, mais qu'ils varient
sensiblement en fonction de la frquence dans le plan H. Une telle variation est due la

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

disposition des lments parasites le long de ce plan (voir figure 4.1a). En particulier, la
courbe obtenue en co-polarisation dans le plan H 58 GHz, caractrise le rayonnement du
patch principal tandis que le diagramme 65 GHz traduit l'effet de lassociation des deux
patchs latraux de longueur Lp. D'aprs les courbes de la figure 4.3, lAPMEP possde un fort
niveau de polarisation croise dans le plan H comparativement au patch seul. On trouve que
ce niveau est de - 15 dB pour notre antenne alors qu'il est pratiquement de - 30 dB pour un
simple patch (voir paragraphe III.4.1). Cette lvation du niveau de polarisation croise est
induite par le couplage entre les diffrents lments dantennes via le gap dilectrique.
D'aprs la figure 4.1, lAPMEP est encombrante quand elle est conue en technologie
classique telle que dfinie dans [1]. En effet, elle s'tend sur trois fois la largeur dun patch
classique et ne se prte, donc, pas sa mise en rseau sous une forme compacte. Or, nous
cherchons utiliser cette antenne lors d'applications bases sur le Beamforming. Ces
applications font que les dimensions de l'antenne doivent imprativement tre rduites de
faon que sa mise en rseau soit possible. Aussi, nous allons dtailler, ci-aprs, une tude
paramtrique de lantenne patch munie dlments parasites de manire quelle soit, la fois,
large bande pour couvrir la bande des 60 GHz et compacte pour sa mise en rseau.
IV.2.1. Optimisation de lAPMEP 60 GHz
L'tude paramtrique que nous avons faite sur l'APMEP, est base sur lemploi de
loutil IE3D. Elle consiste analyser les diffrents paramtres caractrisant lantenne
(APMEP) en fonction de la frquence et en particulier, apprcier les variations du paramtre
S11 pour ensuite, valuer l'tendue de la bande passante. Cette tude va nous permettre de
dfinir limpact de chaque lment rayonnant de lAPMEP et doptimiser ses dimensions de
faon que cette antenne couvre aisment la bande des 60 GHz, avec un encombrement aussi
rduit que celui dune antenne patch classique. Notons que les rsultats obtenus sous IE3D,
ont t normaliss limpdance propre de lAPMEP.
IV.2.1.1. Influence des patchs parasites
Pour valuer limpact des lments parasites, les dimensions du patch central ont t
fixs en faisant: W = 1,6 mm et L = 2,1 mm. Ces dimensions lui confrent alors une
frquence de rsonance situe autour de 59 GHz. Ensuite, on fait varier les paramtres propres
chaque lment parasite, savoir g, Wp et Lp.
Variation de Wp: Les courbes de la figure 4.5 ont t tablies en fixant le gap g et
la longueur Lp , puis en considrant diffrentes largeurs Wp . En pratique, les valeurs
que nous avons considres, sont: g = 100 m, Lp = 2,05 mm, Wp = 0,1 mm, 0,2 mm et
0,3 mm. Dans ce cas, on constate que la largeur des lments parasites a un effet direct sur la
rsonance haute de lantenne. Ainsi, d'aprs les courbes de la figure 4.5a, plus Wp diminue,
plus la frquence caractrisant cette rsonance, augmente. La diminution de cette largeur a
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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

pour effet d'largir la boucle de rsonance de la courbe de S11 sur labaque de Smith (voir
figure 4.5b). Ces rsultats montrent que Wp contribue bien au rglage de la frquence de
rsonance des lments parasites et de ladaptation de lAPMEP. De plus, en comparant la
rponse en S11 de cette antenne lantenne APMEP prcdente (voir figure.4.2), on constate
que le fait de rduire la largeur de Wp permet de voir clairement llargissement de la bande
passante et la contribution frquentielle de chaque lment rayonnant, ceci prouve que la
rduction de la largeur Wp amliore le couplage entre les diffrents patchs.

(a) Coefficient de rflexion.

(b) Abaque de Smith.

Figure 4.5. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec
g = 100 m, Lp = 2,05 mm, L = 2,1 mm, W = 1,6 mm et diverses valeurs de Wp.

Variation de Lp: Les courbes de la figure 4.6 mettent aussi en vidence linfluence de
la longueur des lments parasites sur la rsonance haute de lantenne. Elles ont t traces en
faisant varier la longueur Lp et en fixant les deux autres paramtres. Ainsi, plus Lp diminue,
plus cette frquence augmente et plus la boucle de la courbe de S11 trace sur labaque de
Smith, se rtrcit (voir figures 4.6a et 4.6b).

(a) Coefficient de rflexion.

(b) Abaque de Smith.

Figure 4.6. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec g = 100
m, Wp = 200 m, L = 2.1 mm, W = 1,6 mm et diverses valeurs de Lp.

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Ces rsultats impliquent quun bon accord entre la frquence de rsonance des diffrents
lments rayonnants composant lAPMEP, doit tre trouv pour assurer une bonne adaptation
de lantenne sur une large bande. En effet, il faudrait que les frquences de rsonance des
lments parasites soit suffisamment proches de celle du patch central pour obtenir un
largissement de la bande passante lorsque S11 < -10 dB.
Variation de g: Le rglage du gap g est dune importance capitale car ce paramtre
permet, dune part, dassurer le couplage entre les lments parasites et le patch, et dautre
part, dadapter lAPMEP sur une large bande de frquence. Les rsultats de la simulation du
paramtre S11 sont donns par la figure 4.7, pour diffrentes valeurs du gap g, soit 20 m,
100 m et 180 m, tout en maintenant constantes les dimensions Lp et Wp.

(a) Coefficient de rflexion.

(b) Abaque de Smith.

Figure 4.7. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec Wp = 200
m, Lp = 2.05 mm, L = 2.1 mm, W = 1,6 mm et diverses valeurs de g.

Ainsi, plus on augmente g, plus la boucle du coefficient S11 sur labaque de Smith et la
largeur de la bande passante diminuent. Ceci prouve que si on augmente trop le gap,
linfluence des lments parasites disparat, car le couplage devient insignifiant. Dans ce cas,
la bande passante de lAPEMP sera gale celle du patch central.
La figure 4.8 illustre la rpartition spatiale du champ lectrique sur la nouvelle
topologie d'APMEP. Cette distribution a t simule sous HFSS [4]. Elle a t obtenue en
considrant les dimensions de cette antenne qui ont donn le meilleur largissement de sa
bande passante (courbe en rouge de la figure 4.7).
Elle met en vidence les deux frquences de rsonance de l'APMEP. En effet, la
distribution de champ de la figure 4.8a est maximum sur le patch central la frquence basse
de rsonance. Mais, d'aprs la figure 4.8b, le maximum de rayonnement la frquence haute
de rsonance sopre au niveau des lments parasites. Ceci prouve que le patch principal est
accord basse frquence et que les lments parasites rayonnent haute frquence [3].

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(a) 59 GHz,

(b) 64 GHz

Figure 4.8. Rpartition des champs lectriques sur lantenne.

IV.2.1.2. Influence du patch central


Leffet du patch central est observ en faisant varier les paramtres L et W, aprs avoir
fix les dimensions des lments parasites, soit: Lp = 2,05 mm, Wp = 200 m et g = 100 m.
Comme nous lavons vu au paragraphe prcdent, ces valeurs fixent la rsonance des
lments parasites 64 GHz.
Variation de W: Les courbes donnant S11 pour diffrentes valeurs de W sont
reprsentes sur la figure 4.9. Comme le montrent ces courbes, la largeur W agit
essentiellement sur limpdance de lantenne (APMEP). Elle permet galement d'ajuster la
largeur de bande de lantenne car plus W diminue, plus celle-ci se rduit.

(a) Coefficient de rflexion.

(b) Abaque de Smith.

Figure 4.9. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec Wp = 200
m, Lp = 2,05 mm, g = 100 m, L = 2,1 mm et diverses valeurs de W.

Variation de L: Les courbes dcrites sur la figure 4.10 sont obtenues en faisant varier
uniquement la longueur L du patch central. Comme l'illustrent ces courbes, la longueur L
permet surtout de rgler la frquence de rsonance basse de lAPMEP. Ainsi, plus L
augmente, plus cette frquence diminue et plus la largeur de la boucle caractrisant la courbe
de S11 sur l'abaque de Smith, se rduit. Comme dans le cas de la variation de Lp, cette tude
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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

montre que la bande passante de lAPMEP ne s'largit que si la frquence de rsonance du


patch et celle des lments parasites sont suffisamment proches.

(a) Coefficient de rflexion.

(b) Abaque de Smith.

Figure 4.10. Courbes de S11 obtenues pour l'APMEP en fonction de la frquence, avec Wp = 200
m, Lp = 2,05 mm, g = 100 m, et W = 1,6 mm et diverses valeurs de L.

IV. 2. 2. Topologie finale de l'APMEP


En sappuyant sur nos tests effectus avec IE3D, nous avons montr que tous les
paramtres gomtriques tudis prcdemment contribuent lamlioration de ladaptation
de lantenne sur une gamme de frquence plus large. Aussi, dans notre cas, un choix judicieux
de ces paramtres permettrait dlargir suffisamment la bande passante dune antenne patch
de faon qu'elle puisse couvrir la bande des 60 GHz et que sa taille soit aussi proche que
possible de celle d'un simple patch. La nouvelle topologie d'antenne est dcrite par la
figure 4.11 qui donne la forme et les dimensions finales de lAPMEP optimises sous IE3D
[3]. Elle se compose du patch principal et de deux lments parasites placs de part et d'autre
de ce patch, paralllement sa longueur. Chaque lment parasite est un ruban mtallique de
2,05 mm de longueur et de 0,2 mm de largeur. L'impdance de cette antenne est adapte 50
grce un tronon quart donde. A 60 GHz, cet adaptateur est suffisamment large bande
pour englober la bande passante de lAPMEP quand S11 -10 dB.

Figure 4.11. Antenne (APMEP) compacte sur membrane Si / BCB, avec: Lp = 2,05 mm,
WP = 200 m, g = 100 m, WS = 600 m, W = 1,6 mm, L = 2,1 mm et hCAV = 398,6 m.

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

La figure 4.12 donne les courbes dadaptation (S11) et de rendement (A) en fonction
de la frquence, pour lAPMEP et pour un simple patch de taille similaire, savoir
L = 2,05 mm et W = 2,2 mm. Les caractristiques des deux antennes sont galement
compares dans le Tableau IV. 2.

Figure 4.12. Simulation sous IE3D de ladaptation et du rendement pour la nouvelle topologie
dantenne patch avec lments parasites et pour un simple patch.
Tableau IV.2. Caractristiques de la nouvelle APMEP et d'un simple patch
Antennes

BP (S11 < -10dB)

BP (A 90%)

BP (A 80%)

Patch isol

6%

6%

8,8 %

Patch lments parasites

11 %

10,8 %

12,8 %

Daprs tous ces rsultats, les lments parasites dont la taille et le couplage ont ainsi
t optimiss, assurent lantenne APMEP un encombrement plus faible comparativement
la solution initiale et contribuent amliorer le rendement de lantenne patch sur une bande
passante plus grande que celle d'un patch oprant seul. En effet, pour S11 < 10 dB, la bande
passante de cette seconde version d'APMEP devient 1,8 fois plus grande que celle du simple
patch [3]. Comme nous pouvons le constater, avec un rendement de 90 % ou plus, la bande
passante de lAPMEP de la figure 4.11 englobe presque toute la bande des 60 GHz.
Cependant, quand A 80 %, cette antenne la couvre parfaitement, avec des performances
suprieures celle dun patch seul. En effet, dans ce cas, la bande passante de la version
compacte d'APMEP est de 12,8 % alors que celle du patch seul vaut 8 %. Cette topologie
d'antenne a l'avantage d'avoir des dimensions presque aussi grandes que celles du simple
patch, et beaucoup plus petites que la version initiale d'APMEP, compose de trois patchs de
mme taille (voir figure 4.1a).
La figure 4.13 donne les diagrammes de rayonnement de la nouvelle APMEP obtenus
en Co et Cross polarisation dans les plans E et H. En Co-polarisation, on trouve que le gain
maximum est de 8 dBi tandis qu'en polarisation croise sur le plan E et H, le gain est infrieur
30 dBi. Comme le montre cette figure, la frquence de rsonance des lments parasites,
127

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

soit 64 GHz, le diagramme de rayonnement est plus directif car cette frquence, lAPMEP
se comporte comme un rseau dantennes. Notons qu'un lger dpointage li la prsence de
la ligne dalimentation microruban est observ sur la co-polarisation du plan E.

(a) 59GHz.

(b) 64GHz.

Figure 4. 13. Diagrammes de rayonnement de la nouvelle topologie d'APMEP.

Lorsquon compare les performances des deux sortes d'APMEP, on constate que la
configuration de la figure 4.11 prsente de meilleures caractristiques que celle de la figure
4.1 (voir Tableaux IV.1 et IV.2). De plus, contrairement la premire version d'APMEP, les
diagrammes de rayonnement obtenus pour la seconde topologie, varient peu avec la frquence
et sont dots d'un niveau de cross-polarisation plus faible, quivalent celui d'un simple
patch. Par consquent, c'est la seconde configuration que nous allons tudier car tant
beaucoup plus compacte, elle est mieux adapte une mise en rseau applicable au
beamforming. Aussi, dans les deux prochains paragraphes, nous allons analyser la possibilit
de mettre en rseau cette antenne dans les deux plans de polarisation E et H. Pour l'instant,
l'tude est limite un rseau linaire deux lments, car le but poursuivi est didentifier les
paramtres considrer et de mettre en vidence les contraintes imposes lors de la mise en
rseau de d'APMEP.
IV.2.3. Etude de la mise en rseau de lAPMEP dans le plan H
La mise en rseau de deux lments dantennes disposes linairement le long du
plan H, est illustre par la figure 4.14. Celle-ci est tudie grce IE3D. La modlisation
lectromagntique permet dvaluer linfluence mutuelle des lments dantennes, limpact
li leur couplage dans la bande passante et le diagramme de rayonnement du rseau
dantenne. Le couplage entre les antennes est estim en considrant le paramtre de
transmission (S12) (voir figure 4.14). Ce paramtre caractrise la quantit dnergie
lectromagntique que s'changent mutuellement les antennes du rseau. En particulier, plus
S12 - , meilleur est lisolement entre les antennes.

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Figure 4.14. Mise en rseau de deux lments dAPMEP dans le plan H.

Notre tude a t labore pour des distances entre les lments dantennes qui se
situent dans l'intervalle 0 / 2 d < 0 ( 60GHz, au centre de la bande utile). Pour les besoins
de ltude, le rseau dantenne est considr comme tant qui - amplitude (A1 = A2 = 1) et
qui - phase (1 = 2 = 0). Les courbes des paramtres S11 et S12 pour diffrentes valeurs de
la distance d sont donnes respectivement par les figures 4.15a et 4.15b.

(a) Coefficient de rflexion (S11)

(b) Coefficient de transmission (S12)

Figure 4.15. Modlisation E-M sous IE3D du couplage entre deux lments dAPMEP en
fonction de la distance inter - lments.

Comme le montre la figure 4.15a, le couplage inter - lment perturbe sensiblement la


rponse en S11 de lantenne lorsque les lments dantennes sont trop proches, surtout quand
d 0,6 0. Mais, cette perturbation tend disparaitre lorsqu'on a d 0,8 0. D'aprs les
courbes de la figure 4.15b, les perturbations observes sur le coefficient S11 de lAPMEP, se
traduisent aussi par une augmentation du paramtre S12 et donc, du couplage. Par contre,
lorsque S12 - 15 dB, les conditions dadaptation de lAPMEP sont pratiquement ralises.
Remarquons que les lments parasites contribuent notablement au couplage puisque quelle
que soit la valeur de d, le niveau de couplage est toujours le plus fort au voisinage de la
frquence de rsonance des lments parasites (c'est--dire 64 GHz).
Pour valuer limpact rel du couplage entre les lments dAPMEP sur leur mise en
rseau, deux mthodes ont t mises en uvre. Puis, les diagrammes de rayonnement du
129

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

rseau de la figure 4.14 ont t simuls et leur forme tudie pour diffrentes distances interlments. C'est ainsi que nous avons labor, d'une part, une modlisation lectromagntique
(E-M) sous IE3D et, d'autre part, un calcul analytique bas sur la multiplication du diagramme
de rayonnement de llment dAPMEP par un facteur de rseau. Pour raliser le calcul du
facteur de rseau, un outil de ce mme logiciel a t mis notre disposition et appliqu la
relation gnrale [2, 5]:
ER (,) = FR (N,d,A,) * EA (,)

(IV-1)

Dans cette expression, ER (,) est la fonction caractristique de rayonnement du


rseau d'antennes, obtenue en multipliant la fonction caractristique de rayonnement EA(,)
dun seul lment dAPMEP par le facteur de rseau FR (N,d,A,). Ce facteur est dtermin
en fonction du nombre dlment dantennes (N), de la distance inter-lment (d), de
lamplitude (A) et la phase () du signal applique chaque antenne.
Les figures 4.16 et 4.17 reprsentent les diagrammes de rayonnement de la Copolarisation simuls dans les plans E et H, l'aide des deux approches.
Ces diagrammes ont t obtenus la frquence de rsonance du patch central
(59 GHz) et celle des lments parasites (64 GHz) de lAPMEP, pour diffrentes distances
inter - lments, en considrant que le rseau est qui - amplitude (A = 1) et qui - phase
( = 0).
En comparant les rsultats des deux mthodes, on voudrait surtout diffrencier si les
effets observs sur les diagrammes de rayonnement du rseau via la modlisation E-M sont
dus des phnomnes lis aux couplages ou bien des phnomnes propres la mise en
rseau des antennes. Elle devrait aussi faire apparatre la contribution de chaque lment
rayonnant du rseau d'APMEP sur la forme des diagrammes de rayonnement de ce rseau.
D'aprs les courbes des figures 4.16a et 4.16b, ce rseau fonctionne normalement dans
les deux plans de polarisation 59 GHz, quelle que soit la distance inter - lments et donc, le
niveau de couplage. Ce rsultat prouve que le rayonnement du patch central de lAPMEP
nest pas affect par le couplage inter - lments quelle que soit d 0/2 , car S12 -15 dB.
Mais, 64 GHz, la modlisation E-M ne donne pas les mmes rsultats que l'approche
analytique base sur le calcul du facteur de rseau, car les courbes des figures 4.17a et 4.17b
accusent d'importantes diffrences. Ainsi, la modlisation E-M met en vidence un fort
couplage entre les lments parasites leur frquence de rsonance. En effet, pour d 0,7 0,
on observe une distorsion significative des diagrammes de rayonnement dans les deux plans
de polarisation. Dans ce cas, la forme du diagramme de rayonnement est altre dans le
plan E tandis que le lobe principal s'amincit et le niveau des lobes secondaires devient lev
dans le plan H. Pour d = 0,8 0, on retrouve le comportement relativement normal d'une
structure en rseau. En effet, si lon compare les diagrammes des figures 4.17a et 4.17b pour
cette valeur de la distance d, on constate une bonne concordance entre les gains, les angles
d'ouverture et les niveaux de lobes secondaires, obtenus avec les deux mthodes de

130

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

caractrisation du rseau, ce qui indique une rduction significative du couplage pour cette
distance. En faisant lanalogie entre ces rsultats et les valeurs de S12 extraites des courbes de
la figure 4.15b pour d = 0,8 0, on peut considrer que le niveau de couplage entre lments
dantenne devient faible lorsque S12 est infrieur - 15 dB.

Plan H

Plan E

(a) Avec calcul du facteur de rseau.

Plan H

Plan E
(b) Avec modlisation E-M.

Figure 4.16. Diagrammes de rayonnement 59 GHz dun rseau deux APMEP pour
diffrentes distances inter lments.

131

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Plan H

Plan E

(a) Avec calcul du facteur de rseau.

Plan H

Plan E
(b) Avec modlisation E-M.

Figure 4.17. Diagrammes de rayonnement 64 GHz dun rseau deux APMEP pour
diffrentes distances inter lments.

Sur la figure 4.18, nous avons reprsent lintensit du champ lectrique obtenue avec
un rseau form de 2x1 APMEP 64 GHz. Cette distribution de champ a t respectivement
simule sous HFSS, pour des distances inter - lments d = 0 / 2 et d = 0,8 0, en considrant
que lantenne de droite est active et que celle de gauche est passive. Elle confirme que le
couplage apparait effectivement au niveau des lments parasites et que celui-ci diminue en
loignant les lments lun de lautre. En effet, les distributions de la figure 4.18 mettent en
vidence une rduction de l'intensit du champ pour d = 0,8 0. Cependant, d'aprs les
diagrammes de rayonnement du rseau de APMEP reprsents sur les figures 4.16 et 4.17,
une distance d = 0,8 0 induit un fort niveau de lobes secondaires (typiquement de 10 dB),
cause dun espacement trop important entre les lments dantennes, ce qui est dun handicap
certain pour des applications qui ncessitent, comme dans notre cas, le dpointage du lobe
principal de lantenne.

132

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Figure 4.18. Distributions de champ caractrisant le couplage entre lments dantennes pour
d = 0 / 2 et d = 0,8 0.

Toutes ces contraintes font que la mise en rseau de lantenne APMEP le long du
plan H est peu intressante.

IV.2.4. Etude de la mise en rseau de lAPMEP dans le plan E


La figure 4.19 donne les deux configurations d'antennes (APMEP) susceptibles de
former un rseau linaire le long du plan E. Comme l'APMEP est alimente par une ligne
microruban, sa mise en rseau dans le plan E impose une configuration en tte bche, car plus
aise mettre en uvre. En effet, contrairement la configuration de la figure 4.19a, celle en
tte bche de la figure 4.19b permet plus de degrs de libert quant au choix de la distance
inter - lments.

(a) Dans le sens de la polarisation.

(b) En tte bche.

Figure 4.19. Mise en rseau de deux lments dAPMEP dans le plan E.

133

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Cependant, lorsque le rseau en tte bche est qui - phase ( = 0), le diagramme de
rayonnement obtenu dans le plan E, se compose de deux lobes symtriques, dirigs
respectivement vers = 35 et donnant un rayonnement nul dans le plan H (voir figure
4.20a). Ce rsultat est d au dphasage naturel de 180 des champs lectriques existant au
niveau des deux fentes rayonnantes sparant les patchs de lAPMEP et la position inverse
d'une antenne par rapport l'autre dans la configuration en tte bche. Pour remettre en phase
ces champs et obtenir des diagrammes de rayonnement au centre de la polarisation de
lantenne ( = 0), il suffit dintroduire un dphasage = 180 entre les voies dexcitation de
ces deux antennes (voir figure 4.20b). C'est cette dernire configuration que nous avons
considr pour mettre en rseau des antennes de type APMEP dans le plan E.
La figure 4.21 donne les courbes de S11 et S12 issues de la simulation E-M sous IE3D
du rseau dantennes de la figure 4.20b, dans les cas o 0 / 2 d 0,8 0.

(a) ( = 0 avec = 35)

(b) = 180, avec = 0.

Figure 4.20. Diagrammes de rayonnement d'un rseau d'APMEP en tte bche dans le plan E.

(a) Coefficient de rflexion (S11)

(b) Coefficient de transmission (S12)

Figure 4.21. Rsultats de la modlisation E-M sous IE3D du couplage entre deux lments
dantennes pour diffrentes distances inter - lments.

134

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Daprs les courbes de la figure 4.21b, le niveau de couplage entre les lments du
rseau intervient essentiellement au niveau des frquences proches de la frquence de
rsonance du patch central, soit 59 GHz. De plus, quand on augmente la distance interlments, le niveau de couplage diminue. Lorsque d 0,7 0 , il devient suffisamment faible
pour que la bande passante du rseau obtenue en faisant S11 -10 dB, soit quivalente celle
de l'APMEP oprant seule (voir figure 4.21a). Etant donn de tels rsultats, on peut considrer
que le couplage est suffisament faible lorsque S12 est proche de - 15 dB, comme dans le cas
du rseau align le long du plan H.
Les figures 4.22 et 4.23 reprsentent les diagrammes de rayonnement du rseau
dantennes de la figure 4.20b, obtenus respectivement 59 GHz et 64 GHz suivant la
mthodologie dcrite au paragraphe IV.2.3. Ceux des figures 4.22a et 4.23a ont t tablis en
incluant le facteur de rseau.

Plan H

Plan E
(a) Avec calcul du facteur de rseau.

Plan H

Plan E
(b) Avec modlisation E-M

Figure 4.22. Diagrammes de rayonnement 59 GHz dun rseau de deux APMEP en tte bche
pour diffrentes distances inter - lments.

135

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Plan H

Plan E
(a) Avec calcul du facteur de rseau.

Plan H

Plan E

(b) Avec modlisation E-M


Figure 4.23. Diagrammes de rayonnement 64 GHz dun rseau de deux APMEP en tte bche
pour diffrentes distances inter - lments.

Lorsque dans un cas idal, on considre les diagrammes de rayonnement avec calcul
du facteur rseau, on trouve que la meilleure configuration d'une mise en rseau est celle pour
laquelle d = 0/2 (voir figures 4.22a et 4.23a). A cette distance, les lobes secondaires sont de
faible amplitude tandis que le gain et l'ouverture angulaire sont identiques ceux dtermins
pour des distances inter - lments plus grandes.
Par contre, dans le cas raliste dcrit avec la modlisation E-M, d = 0/2, on observe
d'importantes dformations subies par les diagrammes de rayonnement du rseau, cause du
couplage inter-lments (voir figures 4.22b et 4.23b). Daprs ces diagrammes, le meilleur
compromis entre les caractristiques de rayonnement, notamment entre l'aspect gnral du
lobe principal et le niveau des lobes secondaires, est ralis pour les deux frquences de
rsonance d = 0,6 0. Mais, cette distance, la bande passante devient moins large (voir

136

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

courbe en rouge de la figure 4.21a). Aussi, le meilleur compromis est plutt obtenu pour
d = 0,7 0. En effet, le couplage est suffisamment faible pour que la bande passante soit
reproduite comme celle de lantenne seule (voir figure 4.21a). De plus, grce cet
loignement, les diagrammes de rayonnement des figures 4.22 et 4.23 sont plus reprsentatifs
des conditions normales de fonctionnement d'un rseau d'antennes.
La figure 4.24 reprsente la distribution des champs lectriques appliqus au rseau
form de deux APMEP mises en tte bche le long du plan E, pour d = 0 / 2 et d = 0,7 0.

(a) d = 0 / 2 = 2,5 mm.

(b) d = 0,7 0 = 3,5 mm.

Figure 4.24. Reprsentation du couplage entre les lments dAPMEP en tte bche, 59 GHz.

Le but de cette reprsentation est de voir comment les antennes sont couples entre
elles et de mettre en vidence la rduction de ce couplage avec laugmentation de la distance
inter - lments. Cette simulation a t effectue sous HFSS, en considrant que lantenne de
droite est active et que celle de gauche est passive. Grce cette reprsentation, on observe
clairement la transmission dnergie sous forme d'un champ lectromagntique pour d = 0 / 2
alors que celle-ci est inexistante pour d = 0,7 0. D'o, une rduction du couplage.
IV.2.5. Analyse des rsultats de la mise en rseau de l'APMEP
Le patch central et ses deux lments parasites de l'antenne que nous avons conue par
simulation sous IE3D, ont t implants sur la mme membrane en Si / BCB. Cette antenne
permet de couvrir la bande passante des 11 %, compatible avec la future norme 802.15.3c
60 GHz. Elle a l'avantage d'avoir des dimensions plus compactes que celles obtenues par
Kumar et al. [1] et de prsenter un diagramme de rayonnement variant peu avec la frquence.
Son gain dans la bande passante, se situe autour de 8 dBi et son rendement varie entre 60 % et
96 %. Cependant, lors de ltude de la mise en rseau de cette antenne dans les deux plans de
polarisation principaux, diverses contraintes sont apparues.

137

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Ainsi, quand les lments parasites de lAPMEP sont disposs le long du plan H, le
couplage entre les lments de l'antenne est fort. Ce couplage a alors pour effet de modifier
limpdance dentre de lantenne, d'lever le niveau des lobes secondaires en fin de bande et
de faire varier la directivit avec la frquence. Aussi, nous avons trouv quil fallait sparer
les lments dantenne du rseau avec des distances leves pour rduire ce couplage. Par
contre, lorsque la distance inter-lments est grande, l'amplitude des lobes secondaires
s'accroit et le rseau dantennes devient encombrant, ce qui rend dans ce cas, peu intressante
une mise en rseau des antennes APMEP lorsqu'on veut les disposer le long du plan H.
Dans le cas d'une mise en rseau de l'APMEP le long du plan E, le couplage le plus
important est essentiellement caus par le patch central. Celui-ci a pu tre rduit en
augmentant la distance inter-lments, comme pour le cas de la mise en rseau dans le plan H.
Les caractristiques de cette topologie sont globalement meilleures que celles issues d'une
mise en rseau dans le plan H. Elles se traduisent par des diagrammes de rayonnement ne
dpendant pas de la frquence et un faible niveau des lobes secondaires dans toute la bande
passante. Par contre, l'inconvnient majeur dune mise rseau de lAPMEP dans le plan E est
son encombrement non ngligeable dans ce plan de polarisation, d principalement son
alimentation par des lignes microrubans. De plus, cause de la disposition des antennes en
tte bche, on doit, en pratique, assurer constamment une alimentation avec un dphaseur
large bande 180 sur lun des accs de ce rseau. Toutes ces contraintes font que cette
topologie de mise en rseau ne convient pas et ne rentre pas dans nos critres de
simplification de la complexit de ralisation de nos antennes.
Finalement, la mise en rseau dans le plan H offre de meilleures possibilits de
concevoir plus simplement des rseaux d'antenne bien que la disposition des lments
parasites le long du plan H impose de fortes contraintes sur le rayonnement et sur la taille de
ces antennes.
Dans ces conditions, il est plus intressant dexploiter les avantages d'une mise en
rseau suivant le plan H, mais condition dliminer les effets indsirables causs par la
prsence des lments parasites dans ce plan. Pour cela, nous avons dvelopp, ci-aprs, une
topologie d'antenne base sur la seconde version d'APMEP dans laquelle les patchs parasites
demeurent compacts, mais sont disposs paralllement la largeur W du patch central, le long
du plan E, afin qu'ils n'influencent plus les conditions de mise en rseau.

IV. 3. Antenne patch munie dlments parasites disposs dans le plan E


Les figures 4.25a et 4.25b dcrivent deux sortes de topologies d'antennes o les
lments parasites sont placs dans le plan E, paralllement la largeur W du patch principal.
L'une d'elles comporte deux lments parasites et l'autre, un seul. L'un de ces lments sert
exciter le patch principal par couplage lectromagntique. Pour cela, il est reli directement
la ligne microruban avec laquelle il constitue une alimentation en forme de T.

138

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Figure 4.25. Modlisation d'un patch avec ou sans lments parasites dans le plan E:
(a) Patch muni de deux lments parasites.
(b) Patch excit par une ligne microruban en T.
(c) Paramtre S11 des trois topologies d'antenne.

La figure 4.25c donne les rsultats de la simulation du paramtre S11 obtenus avec un
simple patch, avec lantenne patch munie de deux lments parasites disposs dans le plan E
dont l'un joue le rle dalimentation en T, et avec l'antenne patch uniquement excite par une
ligne microruban en forme de T. Lintrt de cette comparaison est de voir dans quel cas la
bande passante s'largit et didentifier les lments qui y contribuent rellement. Les
dimensions du patch central sont choisies de manire que la largeur W soit la mme que la
largeur totale de lAPMEP de la figure 4.9 et que la longueur L soit ajuste la frquence de
rsonance de 62 GHz. D'o: W = 2,2 mm et L = 1,85 mm.
Dans un premier temps, les dimensions des lments parasites ont t choisies
arbitrairement. Ensuite, les dimensions de lantenne sont dtermines ultrieurement grce
une tude paramtrique. Pour l'instant, les dimensions que nous avons retenues, sont:
Ld = W = 2,2 mm, Wd = 100 m et g = 50 m (voir Figure 4.25). Notons que la modlisation
est ralise sous IE3D en considrant un support form d'une membrane Si / BCB telle que
dfinie sur la figure 4.1. Lors de la simulation, les courbes de la figure 4.25c ont t
normalises limpdance dentre de chaque antenne et les caractristiques des diffrentes
antennes sont rsumes dans le Tableau IV.3. Comme le montrent nos rsultats, laddition
dlments parasites le long du plan E permettent dlargir effectivement la bande passante
dune antenne patch, car celle-ci passe de 6,6 % 12 % et devient alors 1,8 fois plus grande,
ce qui est suffisant pour couvrir la bande des 60 GHz. Remarquons aussi que cette technique
rduit limpdance dentre de lantenne qui passe de 165 50 .

139

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Tableau IV.3. Caractristiques des nouvelles APMEP dans le plan E et d'un simple patch.
Antennes

Patch

Patch + 1 parasite

Patch + 2 parasites

impdance dentre (Zin)

160

50

50

Bande passante (BP)

6,6 %

12 %

12 %

La figure 4.25c indique aussi que llargissement de la bande passante est d


exclusivement au couplage lectromagntique entre le feeder microruban en forme de T
(T-microruban) et lantenne patch et non au couplage de cette antenne avec des patchs
parasites, ni leur rsonance.
IV.3.1. Couplage lectromagntique d'un patch avec un feeder en T (T-microruban)
Cette technique d'alimentation illustre sur la figure 4.25b, a dj t expose dans [6],
o un patch est excit par couplage E-M par un microruban en forme de T via un gap
dilectrique. Au dpart, cette alimentation avait surtout t utilise en bande X, dans une
antenne active o une antenne patch tait couple avec son amplificateur RF de faon
l'isoler des signaux continus. Cependant, dans ce qui va suivre nous allons montrer quavec ce
type dalimentation, il est possible daugmenter de manire significative la bande passante de
l'antenne patch. Le principal paramtre permettant d'ajuster le couplage entre lantenne patch
et lalimentation microruban en T est le gap g . Aussi, pour apprcier leffet de ses
variations sur les caractristiques de lantenne, nous avons ralis une tude paramtrique
60 GHz, consistant fixer les diffrents paramtres de lantenne, puis faire varier le gap
g [7].
Influence du gap g : Les rsultats de notre tude sous IE3D sont dcrits par les
courbes de la figure 4.26 obtenues pour diffrentes valeurs du gap g ( savoir 50 m,
100 m et 150 m). Dans un premier temps, les dimensions du T-microruban ont t fixes
Ld = W = 2.2 mm et Wd = 50 m. Notons que les rsultats de cette simulation sont compars
au cas du patch aliment par une ligne microruban classique.
Les figures 4.26a et 4.26b reprsentent respectivement les courbes du coefficient de
rflexion (S11) et du rendement de lantenne avec prise en compte de ladaptation (A) en
fonction de la frquence pour les diffrentes valeurs du gap. Les rsultats de ces simulations
sont respectivement normaliss l'impdance d'entre (Zin) de chaque antenne. Notons que
cette valeur dimpdance est dfinie la frquence de rfrence de 62 GHz, c'est dire la
frquence de rsonance de lantenne patch de forme rectangulaire servant d'lment de base
dans notre tude. Cette faon de procder doit nous permettre de suivre lvolution de cette
impdance en fonction de chaque valeur du gap g.

140

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(b) Rendement de lantenne (


A)

(a) Coefficient de rflexion (S11)


normalis Zin.

(c) Abaque de Smith

normalis Zin.

(d) Variations de Bp et Re(Zin) en fonction de (g).

Figure 4.26. Rsultats de la simulation dun simple patch et de lantenne patch alimente par
un T-microruban pour diffrentes valeurs du gap (g),

Comme l'indiquent les courbes de la figure.4.26a, plus le gap g augmente, plus la


bande passante du patch slargit (pour S11 -10 dB). D'aprs les courbes de la figure 4.26b,
cet largissement se traduit par une amlioration du rendement de lantenne (A) puisque pour
S11 = - 10 dB, on obtient un rendement de 90 %.
Les figures 4.26c et 4.26d montrent que lexcitation avec une ligne microruban en T
rduit fortement limpdance dentre de lantenne qui devient de plus en plus faible quand le
gap g augmente. La figure 4.26c donne les courbes du paramtre S11 traces sur labaque
de Smith pour diverses valeurs du gap g . Ces courbes mettent en vidence un effet
capacitif introduit par le gap dans la bande des 60 GHz. Compte tenu de toutes ces
observations, le Tableau IV.4 rsume les valeurs numriques des principaux paramtres
caractrisant la topologie d'antenne avec une alimentation microruban en T. Il indique que ce
type dexcitation permet d'accrotre sensiblement la bande passante de cette antenne par
rapport celle dun simple patch aux faibles valeurs du gap.

141

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Ainsi, cette bande passante a pratiquement doubl quand g1 = 50 m, voire tripler


lorsque g3 = 150 m. Ces rsultats sexpliquent par le fait que l'antenne patch couple un Tmicroruban, se comporte comme une paire d'antennes patch rsonnant respectivement deux
frquences diffrentes (F1) et (F2).
Tableau IV.4. Bande passante (BW-10dB), rendement de lantenne (
A), impdance dantenne (Zin)
et gap (g).
Gap

BW-10dB (%)

A (%)

Zin 62 GHz ()

g0 (patch seul)

6,6

90

160

g1 = 50 m

12

90

(50 j 19)

g2 = 100 m

15

90

(38 j 16)

g3 = 150 m

20

90

(22 j 14)

L'augmentation de la bande passante de lantenne ainsi observe, permet de couvrir


largement la bande des 60 GHz. En particulier, pour g3 = 150 m, la premire frquence de
rsonance est F1 = 57 GHz et correspond celle dun patch de longueur L1 = 2,05 mm.
Lautre rsonance ayant lieu F2 = 62 GHz, est typique dun patch de longueur L2 =
1,85 mm (voir figure 4.27).

(b) Rendement de lantenne (


A)

(a) Coefficient de rflexion (S11).

Figure 4.27. Rsultats de la simulation de lantenne patch couple un T-microruban avec g =


150 m et de simples patchs de longueurs respectives L1 = 2,05 mm et L2 = 1,85mm.

En effet, la figure 4.28 reprsente la distribution du champ sur la structure forme de


lantenne patch et de son T-microruban.
Cette distribution obtenue pour g3 = 150 m, montre qu 57 GHz, le maximum de
champ se trouve aux extrmits dune cavit rsonante de longueur L1 = W + g + Wd =
2,05 mm et qu 62 GHz, le champ est maximum aux extrmits d'une cavit rsonante de
longueur L2 = L = 1,85 mm [7].

142

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Comme nous lavons fait remarquer prcdemment, le gap entre le patch et le T-microruban
induit un effet capacitif qui peut aisment tre compens, comme nous allons le montrer,
grce un ajustement judicieux de la longueur Ld ou de la largeur Wd.

(a) 57 GHz

(b) 62 GHz

Figure 4.28. Distributions du champ lectrique sur lantenne patch couple un T-microruban
avec g = 150 m.

Afin d'apprcier linfluence de la longueur Ld et de la largeur Wd du T-microruban,


nous avons pralablement fix les paramtres du patch, en faisant W = 2,2 mm, L = 1,85mm
et g = 150 m. Dans une premire tape, on prend Wd = 50 m et on fait varier Ld, afin
d'valuer leffet de la longueur Ld. Dans une seconde tape, on fait Ld = W = 2,2 mm. Puis, on
fait varier Wd pour apprcier linfluence de la largeur Wd du T-microruban.
Les courbes du paramtre S11 ont t traces en fonction de la frquence sur l'abaque
de Smith pour diverses valeurs de Ld et Wd respectivement (voir figures 4.29a et 4.29b).
Elles montrent que les paramtres Ld et Wd du T-microruban permettent essentiellement d'agir
sur la partie imaginaire de limpdance dantenne, c'est--dire de faon plus explicite:
 Variations de Ld : Ld varie de 2 2,4 mm, par pas de 0,2 mm. Ltude des
variations de Ld montre que le T-microruban se comporte comme un stub qui en
ajustant sa longueur, permet de minimiser leffet capacitif introduit par le gap
g et de ramener limpdance d'antenne une valeur relle (voir figure 4.29a).
 Variations de Wd: On attribue Wd les valeurs suivantes: 50 m, 200 m et
400 m. Les courbes de S11 figurant sur labaque de Smith, mettent en vidence
que comme la longueur Ld, la largeur Wd permet de compenser leffet capacitif du
gap g . En effet, lexcitation de lantenne se fait avant le T-microruban. Donc,
le stub vu par cette excitation considre la largeur Wd du T-microruban comme
une longueur lectrique supplmentaire qui vient sajouter la longueur physique
Ld de ce stub, savoir: LStub = Ld + Wd. Ainsi, en faisant varier Wd, on voit que
limpdance de lantenne peut tre modifie de manire que sa partie imaginaire
soit plus faible (voir figure 4.29b).

143

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(a) Variations de Ld avec Wd = 50 m.

(b) Variations de Wd avec Ld = W = 2,2 mm.

Figure 4.29. Courbes de S11 en fonction de la frquence, traces sur l'abaque de Smith pour
diverses valeurs de Ld et Wd.

Pour la suite de nos travaux, nous avons choisi de rgler l'impdance de notre antenne
une valeur relle en faisant varier la longueur Ld pour des raisons dencombrement. De plus,
une augmentation trop importante de Wd pourrait crer une dformation des diagrammes de
rayonnement de lantenne.
IV.3.2. Adaptation de lantenne patch excite par un T - microruban
Lun des aspects considrer lors de la mise en rseau de nos antennes ou de leur
insertion dans des systmes front-end radio, est la question de leur interconnexion. De
manire gnrale, un dispositif antennaire est accompagn de son tronon de ligne qui lui
permet essentiellement d'tre connect avec les autres dispositifs du circuit de transmission du
signal RF. Ainsi, pour que lnergie du signal soit transmise avec le moins de pertes possibles,
il est ncessaire que les diffrents composants cbls soient adapts une impdance
commune qui est gnralement fixe 50 . Rappelons que notre systme front-end radio
doit tre ralis entirement sur Silicium, ce qui implique que lantenne doit tre
interconnecte des composants RF intgrs sur ce mme support. L'antenne tudie tant
implante sur membrane en Silicium, elle doit tre alimente partir du bord de cette
membrane de faon l'adapter une impdance de 50 et faciliter son interconnexion avec
le front-end radio. Pour rsoudre les problmes d'adaptation 50 au bord de la membrane
de l'antenne patch excite par un T-microruban, nous avons dvelopp deux topologies
capables de couvrir la bande des 60 GHz. Celles-ci sont dfinies comme suit:

Topologie 1: avec g1 = 50 m, Bp = 12 % ( A = 90 %) ayant une impdance


moyenne de Zin = 50 .

Topologie 2: avec g3 = 150 m, Bp = 20 % (A = 90 %) avec une impdance


moyenne de Zin = 22 .
144

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Ces deux topologies dveloppes ci aprs, runissent toutes les contraintes quon
risque de rencontrer lors de ladaptation de ce type d'antenne.
IV.3.3. Adaptation de la topologie 1
La topologie dantenne 1 a une impdance dentre Zin = 50 qui est purement
rsistive pour g = 50 m et Ld = 2,42 mm. Avec cette topologie, il s'agit de lui trouver des
solutions appropries pour satisfaire l'adaptation 50 , tout en lui assurant un loignement
suffisant du bord de la membrane en Silicium, ceci pour viter le risque dinteraction de ce
dernier avec le rayonnement de lantenne.
IV.3.3.1. Adaptation avec une ligne microruban de 50
La figure 4.30 reprsente lantenne patch excite par un T-microruban caractrisant la
topologie 1 (soit g1 = 50 m et Zin = 50 ) sur membrane en Si / BCB (r 1,1, h = 410 m).
Cette antenne est alimente sur la mme membrane par une ligne microruban de 50 en
forme de T qui, son tour, est connecte au bord de la membrane avec une ligne microruban
de 50 dpose sur un support en Si / BCB massif (r 11, h = 410 m).

(a) Reprsentation de lantenne

(b) Diagrammes de rayonnement 60 GHz.

Figure 4.30. Antenne patch excite par un T-microruban sur membrane en Silicium et
interconnecte avec une ligne microruban de 50 .

Cette figure met en vidence l'inconvnient d'utiliser une ligne microruban sur
membrane avec de faibles valeurs dimpdance caractristique o au final, la ligne
microruban est aussi large que lantenne (largeur de la ligne W2 = 1,9 mm et largeur du patch
W = 2,2 mm). En effet, quand on passe du Silicium avec cavit d'air au Silicium massif, la
constante dilectrique du substrat subit une forte discontinuit et il en est de mme, pour
l'impdance caractristique et la taille de la structure planaire place au dessus de celui-ci.
Dans ce cas, cette ligne produit un rayonnement qui perturbe le champ issu du patch et cre
145

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

une distorsion de son diagramme de rayonnement (voir figure 4.30). Pour surmonter cette
difficult, la taille de l'alimentation microruban doit tre fortement rduite.
IV.3.3.2. Adaptation avec une ligne microruban demi-onde
La solution que nous avons adopte, est illustre par figure 4.31a [7]. Elle repose sur
l'ajustement lantenne, dune ligne demi-onde (g / 2 avec g = 0/r) ayant une faible
largeur. En effet, un tronon g / 2 permet dadapter une impdance de 50 une charge de
mme valeur sans se soucier de limpdance caractristique de la ligne microruban et donc, de
la largeur de cette dernire. La modlisation sous IE3D a permis de dfinir une ligne
microruban demi-onde avec WS = 150 m (Zc = 175 ), qui ralise un bon compromis entre
la bande passante (14,5 % pour S11 -10dB) et la rduction de la largeur WS de la ligne
microruban (voir figure 31b).

(a) Design de lantenne

(b) Adaptation dune impdance Z = 50 vers une


charge Za = 50 via un tronon g /2 (Ws = 150 m).

Figure 4.31. Antenne patch (W = 2,2 mm, L = 1,85 mm) excite par un T-microruban (Wd =
50 m, Ld = 2,42 mm, g = 50 m) et adapte 50 par une ligne demi-onde (g /2 = 2,4 mm).

La figure 4.32 donne les courbes du paramtre S11 de lantenne et sa reprsentation sur
l'abaque de Smith, ainsi que la courbe du rendement de lantenne (A) en fonction de la
frquence, avec et sans transformateur demi-onde.

146

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(a) Coefficient de rflexion (S11) et rendement (A).

(b) Abaque de Smith (S11).

Figure 4.32. Rsultats de la simulation de lantenne patch excite par un T-microruban avec et
sans transformateur demi-onde.

Sur le Tableau IV.5, sont reportes les valeurs numriques de limpdance dentre
avec la technique dadaptation employe pour lantenne, ainsi que la bande passante
respective chaque cas. Dans ce tableau, le symbole exprime la transformation via le
tronon dalimentation. La bande passante est dtermine en considrant que S11 - 10 dB
(Bp-10dB) et A 90 % (Bp90%). Rappelons que lorsque lantenne est un patch ralis sur
membrane en Si/BCB, son rendement vaut A = 90 %, compte tenu de son adaptation,
savoir pour S11 = -10 dB.
Tableau IV.5. Bande passante (Bp-10dB pour S11 < -10 dB et Bp90% pour A > 90 % ) et impdance
(Z) de la topologie 1 avec et sans tronon g/2.
Gap

g1 = 50 m

Bp-10dB

Z ()

Bp90%

50

12 % (A 90 %)

12 %

50 50 : avec un tronon

16 % (A 80 %)

13,3 %

g/2

Les rsultats de cette modlisation montrent que la technique base sur l'insertion
d'une ligne demi-onde d'impdance caractristique plus leve, permet dadapter lantenne
50 sur une plus large bande que le cas n'incluant pas de tronon g / 2. En effet, lorsque
S11 < - 10 dB, la bande passante passe de 12 % 16 %. Comme le montre la figure 32b,
lantenne sans tronon demi-onde est caractrise par une boucle dimpdance dont la partie
imaginaire est de grande valeur en certains points de la frquence, ce qui limite son adaptation
sur une large bande. En ajoutant la ligne g / 2, les caractristiques dimpdance de cette
dernire permettent de compenser la partie imaginaire de l'impdance d'antenne. Au final,

147

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

cette impdance est alors ramene une impdance partie imaginaire plus faible et valeur
constante sur une bande de frquence plus large, o son adaptation est ainsi assure.
Cependant, le Tableau IV.5 indique que cette augmentation de largeur de bande
n'amliore pas le rendement de lantenne (A). En effet, lorsque l'antenne est sans tronon
g/2, puis quand elle est dote de celui-ci et que A 90 %, la bande passante passe de 12 %
13,3 %, ce qui est quasiment similaire. Dans le cas o S11 = -10 dB, lantenne avec le tronon
g/2 atteint un rendement A = 80 %. Comme le montre la figure 4.31b, les pertes dans la
ligne demi-onde ne sont pas suffisamment importantes pour entraner une chute du
rendement. Cela signifie quen ralit, le rayonnement propre de lantenne excite par une
alimentation T-microruban via un gap g de 50 m est transmis sur une bande passante de
13,3 %, ce qui est suffisant pour couvrir la bande des 60 GHz.
La figure 4.33 reprsente les diagrammes de rayonnement de la topologie dantenne 1
obtenus en Co-polarisation (Co) et polarisation croise (Cross) dans les plans E et H,
57 GHz et 64 GHz. D'aprs cette figure, le diagramme de rayonnement reprsent dans le
plan E, est perturb 64 GHz. Ce phnomne apparat surtout aux frquences hautes de la
bande passante de lantenne, partir de 62 GHz, c'est dire la frquence de rsonance du
second patch, obtenue en faisant L2 = L = 1,85 mm. En fait, lorsque lantenne rayonne cette
frquence, elle est perturbe par lexcitation microruban en forme de T. Les diagrammes de la
figure 4.33 indiquent aussi que le niveau de cross polarisation augmente avec la frquence.
Afin de vrifier si cette augmentation est propre lantenne patch ou lajout de
lalimentation microruban en forme de T, nous avons trac les courbes de la figure 4.34, puis,
compar les valeurs du gain et du niveau de cross polarisation obtenues respectivement pour
une antenne patch alimente avec soit une ligne microruban classique, soit un T-microruban.

(a) 57 GHz

(b) 64 GHz

Figure 4.33. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch excite par un T-microruban


(g = 50 m).

148

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Figure 4.34. Gain et niveau de cross polarisation pour une antenne patch excite avec et sans
T-microruban.

On trouve que lalimentation avec un T- microruban permet d'obtenir un gain moyen


de 8,5 dBi sur une bande passante plus large qu'avec le patch classique. Cependant, la
prsence de ce type dalimentation microruban augmente le niveau de la polarisation croise
dau moins 5 dB. Mais, le niveau de la polarisation croise de lantenne est relativement
faible puisquil reste infrieur - 20 dB dans sa bande passante.

IV.3.4. Adaptation de la topologie 2


Le gap de la topologie dantenne 2 est g3 = 150 m. Cette configuration permet
d'obtenir une bande passante de 20 % 60 GHz, avec une faible impdance dentre qui est
quasiment Zin = 22 . Pour que l'impdance dentre devienne purement rsistive, on fixe
Ld = 2,4 mm. Etant donn la petitesse de l'impdance de lantenne, ladaptation l'aide dun
simple transformateur quart donde nous ramnerait aux mmes difficults que celles
rencontres avec la topologie d'antenne 1, car la ligne dalimentation serait aussi large que
lantenne patch. En effet, pour passer dune impdance de 22 50 , il faudrait utiliser une
ligne microruban d'impdance caractristique gale 33 et de largeur gale 2,2 mm sur la
membrane. Cependant, comme nous l'expliquons ci-aprs, la largeur des lignes d'alimentation
peut tre rduite grce une adaptation avec deux lignes quart donde qui se succdent.
IV.3.4.1. Adaptation avec un double tronon g / 4
La figure 4.35a reprsente lantenne patch excite par un T-microruban et alimente
par deux transformateurs quart donde successifs pour adapter l'impdance de 22 50 .
Ces deux tronons g / 4 ont respectivement une impdance caractristique valant 125
(Ws = 250 m) et 250 (Ws = 100 m).

149

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(a) Antenne.

(b) Coefficient de rflexion (S11) et rendement (A).

Figure 4.35. Antenne excite par un T-microruban (g3 = 150 m), avec et sans transformateur
double quart donde.

Lemploi dun double tronon quart donde rduit la bande passante de lantenne. En
effet, les courbes de la figure 4.35b et les donnes du Tableau IV.6 indiquent que cette
technique d'adaptation ramne la bande passante de l'antenne de 20 % 12,5 % dans le cas o
S11 -10dB et de 20 % 10 % lorsque A 90 %.
Tableau IV.5. Bande passante (Bp-10dB (pour S11 < -10 dB) et Bp90% (pour A > 90 % ) et
impdance (Z) de la topologie 2 avec et sans double tronon g/4.
Gap

Bp-10dB

Z ()

Bp90%

22

20 % (A 90%)

20 %

2250: avec un double tronon g/4

12,5 % (A 80%)

10 %

g3= 150 m

IV.3.4.2. Adaptation avec un transformateur bi-frquentiel


La technique dadaptation large bande tudie dans ce paragraphe, drive des travaux
de [8-9] et repose sur un systme dadaptation bi-frquentiel deux tronons de lignes (voir
figure 4.36). Ce systme qui diffre des adaptateurs uni-frquentiels tels que les
transformateurs g/4, permet davoir une impdance valeur constante sur une plus grande
bande de frquence, la seule condition que les impdances caractristiques de ces deux
tronons de lignes soient comprises entre limpdance dentre et l'impdance de charge.
Ainsi, pour assurer une adaptation sur une large bande de frquence avec ces tronons de
lignes, un accord doit tre trouv entre leurs largeurs et leurs longueurs respectives pour

150

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

assurer un faible niveau du coefficient de rflexion deux frquences de rsonance assez


proches.
Suivant les rsultats prsents dans [8], ce type dadaptation est mis en uvre pour
notre application, en disposant de deux tronons de ligne dont l'impdance caractristique est
comprise entre 22 et 50 . Mais, comme nous l'avons vu prcdemment, de telles valeurs
d'impdance donnent sur la membrane, des largeurs de lignes microrubans aussi grandes que
celles de lantenne patch, ce qui altre les caractristiques de rayonnement de cette dernire.

(a) Rseau dadaptation

(b) coefficient de rflexion (S11)

Figure 4.36. Transformateur bi-frquentiel lignes microrubans sur silicium / BCB.

Une autre solution consisterait raliser uniquement la partie antennaire sur la


membrane (r = 1,1) et les tronons de ligne sur le Silicium massif (voir figure 4.37a). Dans
ce cas, comme le dcrivent les figures 4.36a et 4.37a, la forte permittivit de ce substrat (r =
11,9) fait que ces tronons de ligne conus en technologie microruban, sont, la fois, de
faible impdance caractristique et de largeur raisonnable. La longueur de chaque tronon de
ligne est infrieur g/4 et elle est proche de g/5 (soit une longueur lectrique quivalente
70). De plus, d'aprs la figure 4.36b, ce transformateur bi-frquentiel permet de ramener
l'impdance de 22 50 sur une largeur de bande suprieure 80 %, relativement 60
GHz, et ce, pour S11 < - 15 dB. Il est, donc, capable dadapter 50 , lantenne excite par
un T-microruban dans sa bande passante, savoir sur 20 % de bande (voir figure 4.37b).
Le seul inconvnient de cette solution est la proximit de llment rayonnant au bord
de la membrane en Silicium qui perturbe effectivement son diagramme de rayonnement (voir
figure 4.38). Cette contrainte rend alors cette solution dantenne peu intressante.

151

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

(b) Coefficient de rflexion (S11).

(a) Adaptation de l'antenne.

Figure 4.37. Antenne patch alimente par T-microruban, adapte avec un transformateur bifrquentiel.

(a) 50 GHz.

(b) 60 GHz

Figure 4.38. Influence du bord de la membrane en Si/BCB sur les diagrammes de rayonnement
de l'antenne patch alimente par un T-microruban.

IV.3.5. Choix de la topologie dantenne pour la mise en rseau


Nous venons de voir que l'alimentation par couplage lectromagntique avec un Tmicroruban, permet dlargir la bande passante du patch et que cette antenne peut couvrir
jusqu' 20 % de la bande des 60 GHz. Par consquent, ce type d'antenne peut servir
constituer un rseau dantennes 60 GHz. Aussi, pour tudier cette possibilit de mise en
rseau, nous avons considr la topologie dantenne patch excite par un T-microruban ayant
g = 50 m et adapte 50 grce un tronon g / 2, car elle ralise le meilleur compromis
entre la bande passante, le rendement et les variations des diagrammes de rayonnement dans
la bande des 60 GHz. Notons qutant donns les dimensions de llment d'antenne, ltude
est limite la mise en rseau dans le plan H.

152

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

IV.3.5.1. Antenne patch excite par un U-microruban


Comme nous lavons mis en vidence dans ce chapitre, notre antenne doit satisfaire les
conditions de mise en rseau 60 GHz, dont principalement la ncessit d'tre aussi compacte
quune antenne patch classique travaillant dans cette mme gamme de frquence. De plus,
nous avons choisi de mettre nos antennes en rseau avec des distances inter-lments gales
0 / 2, car dans des conditions normales, cette condition ralise un bon compromis entre le
gain et le niveau des lobes secondaires (voir paragraphe IV.2.3). De plus, elle permet de
raliser un rseau ayant un faible encombrement. Les figures 4.39a et 4.39b reprsentent la
vue de dessus des antennes patchs excites respectivement par un T-microruban et un Umicroruban [7]. La largeur totale de l'antenne de la figure 4.39b est Wtotal = Ld = 2,42 mm, ce
qui est presque gal 0/2 = 2,5 mm. A cette distance, la proximit des antennes mises en
rseau et la largeur de lantenne induisent un risque de crer un fort couplage entre les
lments dantennes, voire de chevauchement entre les antennes, lors de leur mise au point en
pratique. Aussi, nous avons cherch rendre lantenne plus compacte en modifiant laspect de
lexcitation microruban en forme de T de faon la condenser sous une forme en U (voir
figure 4.39b). Les courbes de la figure 4.39c reprsentent les variations du coefficient de
rflexion (S11) et du rendement de l'antenne (A) en fonction de la frquence pour les deux
types dantenne. Comme ces deux antennes ont des dimensions identiques, on voit que ces
courbes ont quasiment la mme allure, pour S11 et A respectivement.

(a) Antenne en T.

(c) Paramtre S11 et rendement (


A).

(b) Antenne en U.

Figure 4.39. Comparaison dantennes patch excites par un T-microruban et un U-microruban.

En particulier, la bande passante diffre denviron 1 % d'une antenne l'autre.


Cependant, la topologie compacte donne une meilleure adaptation de lantenne. Par exemple,
60 GHz, S11 va de - 15 dB - 20 dB quand on passe de la configuration en T celle en U.
Les caractristiques de rayonnement sont aussi quivalentes. En effet, les diagrammes de
rayonnement de lantenne patch excite par le U-microruban sont identiques ceux de la
figure 4.33 caractrisant le patch aliment par un T-microruban. Il en est de mme pour le

153

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

gain et le niveau de la polarisation crois (cross polarisation), tels que donns par les courbes
de la figure 4.34. Notre nouvelle topologie dantenne a l'avantage d'tre similaire l'antenne
patch excite par un microruban en forme de T, mais elle est plus compacte. En effet, la
largeur totale de cette topologie dantenne est quivalente une antenne patch et vaut
Wtotale = 2,2 mm. Donc, elle peut tre plus facilement insre dans un rseau dantennes.
IV.3.5.2. Validation exprimentale de lantenne patch excite par un microruban en U
La figure 4.40 reprsente une antenne patch alimente par un U-microruban via un gap
dilectrique. Elle a t ralise sur une membrane en DICLAD (Arlon) selon la technologie
expose au paragraphe III.4.2.

Figure 4.40. Prototype exprimental de lantenne patch excite par un U-microruban.

La Figure 4.41 donne les rsultats de mesure compars ceux de la simulation sous
HFSS du coefficient de rflexion (S11) et du gain de l'antenne patch excite par un Umicroruban et de l'antenne patch alimente de manire classique, par une ligne microruban.

(a) Coefficient de rflexion (S11).

(b) Gain.

Figure 4.41. Comparaison des rsultats de mesure et de la simulation des antennes patch avec
et sans alimentation par un U-microruban.

154

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Cette figure met en vidence une assez bonne concordance entre les rsultats de la
modlisation et de la mesure. Elle montre galement que lexcitation avec un microruban en
forme de U amliore effectivement le gain de lantenne patch sur une bande de frquence plus
large. En effet, si on considre un gain de 8 dBi, lantenne patch munie de notre systme
dalimentation en U, possde une bande passante qui est deux fois plus grande que celle du
patch aliment directement par une ligne microruban , ce qui permet de valider notre tude.
Les figures 4.42a et 4.42b reprsentent les diagrammes de rayonnement en Cross et Co
polarisation mesurs et simuls dans le plan H, respectivement 57 GHz et 64 GHz. Les
mesures sur l'antenne de la figure 4.40 ont t effectues en chambre anchode grce au
montage dcrit sur la figure 3.30 et dans lannexe F. Aprs comparaison, on trouve que les
mesures ainsi obtenues, sont en bon accord avec les rsultats de la simulation.

(a) Plan H

(b) Plan E

Figure 4.42. Mesure et simulation des diagrammes de rayonnement en co - et cross polarisation de lantenne patch sur membrane, excite par un U-microruban.

Plus gnralement, lantenne tudie prsente des caractristiques de rayonnement


semblables celles dun simple patch (voir figure.3.33). Comme escompt, le niveau de cross
polarisation est infrieur - 20 dB sur toute la bande utile. En augmentant avec la frquence,
ce niveau de cross polarisation nest pas gnant puisquil est quasiment aussi faible quavec
un patch classique.

IV. 4. Etude de la mise en rseau de lantenne patch excite par un Umicroruban


Rappelons, que par rapport lanalyse effectue dans le paragraphe. IV.2.5, nous
cherchons avoir une antenne qui permette une mise en rseau sur le plan H, aussi nous
allons limiter notre tude la possibilit de la mise en rseau de lantenne patch excite par un

155

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

U-microruban sur ce mme plan. Cette tude concerne les effets mutuels pouvant intervenir
entre les antennes lors de leur mise en rseau. Le but recherch est de montrer comment notre
antenne peut contribuer une mise en rseau 60 GHz. Pour rsoudre cette question, nous
considrons, tout dabord, un rseau compos de deux lments dantennes seulement. Puis,
nous comptons gnraliser cette topologie au cas d'un rseau form d'un plus grand nombre
d'lments. En fait, pour illustrer le cas gnral, nous nous limiterons quatre lments, car ce
nombre dlment est suffisant pour prendre en compte les principales interactions qui
soprent entre lments dantennes dun rseau lorsque le nombre N dlments disposs sur
le plan H est suprieur 2 lments. De plus, ce nombre permet galement de rduire le temps
de calcul lors de leur modlisation E-M, sans pour autant, restreindre les rsultats. Rappelons
que les lments dantenne sont espacs de d = 0/2 (relativement 60 GHz), car comme nous
lavons prcis prcdemment, cette distance ralise un bon compromis entre le gain et le
niveau des lobes secondaires.
IV.4.1. Mise en rseau de 2x 1 lments dantennes
Les courbes de la figure 4.43a donnent les rsultats de la modlisation E-M ralise
sous IE3D dans le cas de 2x1 lments dantennes et permettent d'en apprcier la bande
passante et le couplage mutuel. La figure 4.43b permet de comparer le gain et le niveau de
cross polarisation de notre rseau dantennes ceux d'un rseau de 2x1 patchs classiques.

(a) Paramtres S11 et S12,

(b) Gain et niveau de cross polarisation.

Figure 4.43. Caractristiques d'un rseau de 2x1 antennes patchs excites avec des Umicrorubans et d'un rseau de 2x1 antennes patchs classiques.

D'aprs les courbes de la figure 4.43a, le rseau dantennes patchs excites par des
microrubans en U via un couplage lectromagntique, est trs bien adapt la bande des
60 GHz. Le couplage mutuel est essentiellement prsent au dbut de la bande passante, entre
57 GHz et 60 GHz, o il vaut pratiquement S12 = S21 = - 14 dB et il est plus faible en fin de
bande. Comme d = 2,5 mm, ce phnomne rsulte du rapprochement des lments d'antenne
aux frquences plus basses que 60 GHz et de leur loignement aux frquences plus hautes.

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

En analysant les diagrammes de rayonnement de la figure 4.44, on voit que ce


couplage a pour effet daugmenter basse frquence, le niveau de cross polarisation dans le
plan H. Ainsi, le gain du rseau de 2x1 antennes patchs excites par des U-microrubans,
augmente alors que la polarisation croise diminue. Comme l'illustre la figure 4.43b, ce rseau
se comporte comme un rseau de patchs classiques. Son gain vaut en moyenne 10 dBi entre
56 GHz et 65 GHz tandis que sa cross polarisation est infrieure - 15 dB et passe par un
second maximum 60 GHz. On dduit des courbes de la figure 4.45 que ce maximum est d
la prsence du dispositif d'alimentation microruban en forme de U qui rayonne 60 GHz.
Comme le montre la figure 4.45b, la mise en rseau de la ligne en forme de U a pour
consquence daccentuer cette frquence, le gain de sa polarisation croise sur le plan H.
Ceci explique laugmentation de ce gain 60 GHz dans le plan H pour le rseau dantennes
patch excite par un U-microruban. Prcisons que les rsultats de la figure 4.45 sont
normaliss limpdance dentre (Z) de la ligne microruban en U oprant seule.

(a) 57 GHz.

(b) 64 GHz

Figure 4.44. Diagrammes de rayonnement du rseau de 2x1 antennes patchs excites chacune
par un U-microruban.

(a) Paramtre S11.

(b) Polarisation croise dans le plan H

Figure 4.45. Caractristiques dun rseau constitu de 2x1 microrubans en forme de U.

157

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Nanmoins, malgr toutes ces contraintes qui parasitent le rayonnement du rseau


dantenne, la polarisation croise reste relativement faible puisquelle est infrieure - 15 dB
sur toute sa bande de frquence considre. Comme l'illustre la figure 4.44, la forme du
diagramme de rayonnement du rseau de 2x1 antennes demeure constante avec la frquence
dans le plan H et elle varie peu avec la frquence dans le plan E. De plus, son niveau de lobes
secondaires est trs faible puisquil est infrieur - 30 dB.
IV. 4. 2. Mise en rseau de 4x1 lments dantennes
La mme tude a t effectue pour un rseau de 4x1 lments dantenne (voir figure
4.46). Afin d'apprcier limpact du couplage sur ladaptation de chaque lment dantenne, les
paramtres de rflexion S11, S22, S33 et S44 ont t considrs. Le couplage mutuel tant non
ngligeable, il a t valu avec les paramtres de transmission S12 = S21, S23 = S32, S34 = S43.
En effet, linteraction est plus forte entre les antennes adjacentes. La figure 4.47a donne les
diffrentes courbes des paramtres [S] ainsi considrs.

Figure 4.46. Mise en rseau de 4x1 lments dantenne excits par un U-microruban.

(a) Paramtres S11 et S12.

(b) Gain et niveau de cross polarisation.

Figure 4.47. Comparaison d'un rseau de 4x1 lments dantennes patchs excites par des Umicrorubans et d'un rseau de patchs classiques.

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Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Comme pour le rseau de 2x1 antennes, cette nouvelle topologie quatre lments est
aussi caractrise par un fort couplage en dbut de bande passante (voir figure 4.47). En
particulier, pour les premire et quatrime antennes qui se trouvent aux extrmits du rseau,
les coefficients de rflexion (adaptation) et de transmission (couplage) sont identiques ceux
des antennes du rseau 2x1 lments. Cependant, les seconde et troisime antennes
subissent un couplage lgrement lev, qui est au maximum de - 12 dB. Ce couplage
engendre un faible dcalage de la bande passante de lantenne denviron 0,8 %. Mais, cet effet
est trs peu significatif et la largeur de cette bande de frquence reste constante.
La figure 4.48 reprsente les diagrammes de rayonnement obtenus en Co et Cross polarisation
dans les plans E et H pour le rseau de quatre patchs excits par des U-microrubans.

(a) 59 GHz.

(b) 64 GHz

Figure 4.48. Diagrammes de rayonnement du rseau de 4x1 antennes patchs excites chacune
par un U-microruban.

Ces antennes tant mises en rseau le long du plan H, on observe aussi une
augmentation de la directivit dans ce plan. Le gain de ce rseau vaut en moyenne 12,5 dBi
sur une bande de frquence variant de 57 GHz 65 GHz et son faisceau reste constant dans
cette mme bande. De plus d'aprs les figures 4.47b et 4.48, le niveau de sa polarisation
croise est faible puisquil demeure infrieur - 20 dB sur toute la bande utile et qu'il diminue
avec la frquence pour atteindre des valeurs infrieures - 30 dB. Cependant, le principal
inconvnient de cette configuration est laccroissement du niveau des lobes secondaires car ce
dernier est compris entre - 15 dB et - 14 dB sur toute la bande de frquences. Laugmentation
de ce niveau ainsi observe, est due laccroissement du nombre dlments dantenne mis en
rseau. Cependant, il est possible de rduire ce niveau en raccourcissant lespace entre les
lments dantennes. Malheureusement, l'amplitude des lobes secondaires ne peut pas tre
rduite dans notre cas en diminuant indfiniment la distance d inter - lments car on
risquerait d'avoir, soit un chevauchement des lments d'antenne, soit une augmentation trop
importante du couplage inter - lments, ce qui dtriorerait trs certainement les bonnes

159

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

caractristiques de notre antenne. Remarquons quil existe des solutions consistant ajuster
l'amplitude et la phase des signaux alimentant les antennes de faon rduire notablement le
niveau des lobes secondaires. Mais, selon lapplication vise, un compromis entre le gain,
l'ouverture angulaire et le niveau de lobe secondaire doit tre trouv [5].

IV.5. Synthse de l'tude des topologies de patchs large bande


Dans ce chapitre, nous avons propos diffrentes topologies d'antennes large bande en
vue de faciliter leur mise en rseau et leur utilisation dans des transmissions 60 GHz par
beamforming (formation de faisceau). Ces antennes sont toutes des configurations de patchs
implants sur le mme support dilectrique, savoir une membrane en Silicium / BCB. Elles
ont t conues de faon que leur bande passante puisse couvrir la bande des 60 GHz dfinie
par la norme IEEE. 802. 15. 3c et que leur taille tienne compte raisonnablement des
contraintes d'encombrement imposes par les applications au beamforming. Dans ce contexte,
deux solutions pouvant satisfaire ces exigences ont t considres. La premire est une
antenne patch munie d'lments parasites ou APMEP [3]. La seconde est une antenne patch
couple une ligne microruban en forme de T ou de U, via un gap dilectrique [7].
La premire solution dantenne drive de travaux existant dans la littrature sur des
applications dans la bande S [1]. Le principe de cette topologie est d'augmenter la bande
passante dune antenne patch en insrant des patchs parasites sur le mme support
dilectrique. Notre tude a, d'abord, mis en vidence des dimensions trop importantes avec ce
type dantenne. L'analyse paramtrique que nous avons dveloppe, a alors permis d'optimiser
les dimensions et les caractristiques de rayonnement de l'APMEP. Cette antenne est aussi
compacte quun simple patch et peut couvrir la bande des 60 GHz. En particulier, sa bande
passante est 1,8 fois plus grande que celle du patch seul. Cependant, la mise en rseau de
lAPMEP est assez problmatique car les lments parasites crent de forts couplages qui
rduisent la bande passante, altrent la forme des diagrammes de rayonnement et limitent
l'encombrement du rseau des dimensions encore trop importantes. En particulier, lorsqu'on
rduit l'espacement inter - lments pour diminuer la taille du rseau, on observe l'apparition
de lobes secondaires de forte amplitude.
La seconde solution dantenne est caractrise par lutilisation dune alimentation
microruban en forme de T pour exciter une antenne patch via un gap dilectrique par couplage
lectromagntique. Notre tude a montr que ce type dalimentation peut contribuer largir
la bande passante dune antenne patch jusqu trois fois. Ainsi, dans le cas dun patch excit
par un T-microruban et travaillant 62 GHz, la bande passante passe de 6,6 % 20 % lorsque
S11 < - 10 dB. Cet largissement de bande est quivalent celui qu'on trouve avec divers
procds d'augmentation de la bande passante dune antenne patch (voir paragraphe II.5).
La structure en T est un cas particulier d'lment parasite. Mais, le principal paramtre
qui permet laugmentation de la bande passante, est le gap existant entre le patch et le T-

160

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

microruban. Ainsi, plus le gap augmente, plus la largeur de bande augmente. Notons que
l'impdance des antennes conues avec ce type dalimentation, est basse, car elle diminue
quand le gap augmente et elle se situe typiquement entre 50 et 20 ,
Ladaptation de cette antenne une alimentation microruban, donne sur membrane,
des lignes aussi larges que lantenne patch, ce qui a pour consquence d'altrer les
diagrammes de rayonnement. Aussi, pour satisfaire ladaptation de l'antenne 50 et rduire
les rayonnements parasites issus de la ligne d'alimentation, nous avons choisi une topologie
dantenne ayant une impdance dentre de 50 (soit g = 50 m) et une bande passante
suffisamment large pour couvrir la bande des 60 GHz (soit Bp 11%). Puis, une ligne
microruban demi-onde suffisamment mince, a t utilise comme transformateur d'impdance
pour adapter lantenne une charge de 50 dans sa bande passante. Cette dernire topologie
a permis de concevoir une antenne dont la bande passante pour A 90 %, est Bp = 13,3 % et
dont le gain vaut pratiquement de 8 dBi dans cette bande passante. Les diagrammes de
rayonnement de ce type dantenne sont similaires ceux d'une antenne patch classique.
Lalimentation en T utilise induit, par rapport au patch classique, un accroissement de la
polarisation croise denviron 5 dB dans le plan H. Mais son niveau de cross-polarisation
reste relativement faible puisquil est infrieur -20 dB sur toute la bande passante.
Ltude de la mise en rseau de l'antenne patch excite par un T-microruban nous a
amen rechercher des structures rayonnantes beaucoup plus compactes. D'o, nous avons
conu une topologie drive de cette antenne, savoir une antenne patch excite par un Umicroruban. Cette nouvelle topologie est d'un encombrement quivalent celui d'un simple
patch. Elle est, donc, plus compacte quune antenne patch excite par une ligne microruban en
forme de T, tout en possdant les mmes proprits que cette dernire.
Lantenne patch alimente par un U-microruban a t valide exprimentalement
grce un prototype que nous avons mis au point en Laboratoire. Son gain est de 8 dBi et sa
bande passante est deux fois plus large que celle dun simple patch. De plus, elle se prte bien
sa mise en rseau dans le plan H car dans ce cas, la distance inter - lments peut tre
notablement rduite jusqu' atteindre la limite de 0/2. Malgr le fort couplage inter-lment
induit au dbut de la bande passante, les caractristiques du rseau d'antennes patchs excites
chacune par un U-microruban, demeurent satisfaisantes quelle que soit la taille du rseau.
Notamment, les diagrammes de rayonnement de ce rseau sont similaires ceux obtenus pour
un rseau de patchs classiques. En outre, ils varient trs peu avec la frquence.
Etant donn le caractre compact de lantenne patch excite par un U-microruban et la
bonne qualit des caractristiques obtenues autour de 60 GHz, nous avons choisi dutiliser
cette topologie d'antenne pour la mettre en rseau. Comme nous le verrons dans le prochain
chapitre, elle nous permettra de raliser notre systme antennaire qui devra, ensuite, quiper
un front-end radio entirement intgr sur Silicium et qui servira dvelopper des
applications au beamforming 60 GHz.

161

Chapitre IV : Conception dantennes patch compactes, large bande 60 GHz et mise en rseau

Rfrences
[1] G. Kumar and K.C. Gupta, Broad-band microstrip antennas using additional resonators gapcoupled to the radiating edges, IEEE Trans.Antennas Propagat., vol. AP-32, pp. 1375-1379, 1984.
[2] IE3D Version 14.1, Zeland Software, Inc., Fermont, CA, 1993 -2008.
[3] A. Adane, F. Galle, C. Person, Antenne patch 60GHz conue sur membrane Si/BCB :
Amlioration de la bande passante par addition dlments parasites, 16mes Journes Nationales
Microondes 27-28-29 Mai 2009, Grenoble.
[4] HFSS Version 11.1, Ansoft Corporation, Inc, 1984 -2008.
[5] C.A.Balanis, " antenna theory" , Third edition, J. Wiley & Son, Inc, Publication, p. 811, 2005,
Canada.
[6] D.G. Kurup, A. Rydberg, and M. Himdi, Compact microstrip-T coupled patch antenna for dual
polarization and active antenna applications, Electron. Lett., vol. 38, pp. 12401241, Oct. 2002.
[7] A. Adane, F. Galle, C. Person Bandwidth improvements of 60 GHz Micromachining Patch
antenna Using gap coupled U-microstrip feeder The 4th European conference of antennas and
propagation 12-16 April 2010 Barcelona, Spain.
[8] Monzon, C., "A small dual-frequency transformer in two sections,", IEEE Transactions on
Microwave Theory and Techniques, vol.51, no.4, pp. 1157- 1161, Apr 2003.
[9] Chow, Y.L.; Wan, K.L.; , "A transformer of one-third wavelength in two sections - for a frequency
and its first harmonic," Microwave and Wireless Components Letters, IEEE , vol.12, no.1, pp.2223, Jan 2002.

162

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

CHAPITRE V : Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur


Silicium: Applications au beamforming 60 GHz

Rsum:
Un rseau dantennes muni de dphaseurs MEMS-RF lignes commutes, est mis au point,
ci-aprs, de faon qu'avec une rorientation continuelle de son faisceau, il puisse assurer une
liaison RF par formation de faisceau (beamforming) 60 GHz. Avant sa construction, ce
rseau a fait l'objet d'une tude pralable qui a mis en vidence la problmatique de sa cointgration avec les dphaseurs MEMS-RF et limpact des pertes des dphaseurs sur le choix
de sa taille. Le rseau ainsi tudi, se compose principalement de deux patchs aliments par
des lignes microrubans avec terminaison en U, via un gap dilectrique. Ce rseau d'antennes
et ses dphaseurs ont t gravs sur le mme substrat en Si/BCB, facilitant ainsi leur
intgration sur le support en Silicium d'un front-end radio d'une liaison RF de la gamme
millimtrique. Les dphaseurs MEMS RF ont t implants sur le substrat en Si/BCB
massif. Le rseau d'antennes a t intgr sur une membrane obtenue en creusant une cavit
d'air de 5 mm x 7 mm dans ce substrat, ceci afin de lui confrer un rendement lev, tout en
exploitant judicieusement les proprits physiques du Silicium. Deux sortes de rseau de 2x1
patchs ont alors t simuls sous HFSS et expriments. L'un est quiphase et l'autre
comporte une ligne quart d'onde qui impose un dphasage = 90 entre les deux
lments d'antenne. Ces deux rseaux d'antennes couvrent parfaitement la bande passante
considre puisqu'on a S11 < - 10 dB entre 55 GHz et 65 GHz, o leur gain moyen vaut
respectivement 9,5 dBi et 6,5 dBi. L'espacement optimum entre les deux lments d'antenne
tant de 0/2, on trouve que le lobe principal est dpoint de 30 pour = 90. Une
modlisation raliste de notre systme antennaire montre qu'entre 56 GHz et 64 GHz, le gain
est meilleur de 1 5 dBi comparativement celui dun patch seul et qu'en faisant varier la
phase, un dpointage du faisceau dantenne de 30 est assur.

163

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

CHAPITRE V : Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur


Silicium: Applications au beamforming 60 GHz

V.1. Problmatique et hypothses


Il faudrait rappeler, ici, que nous cherchons raliser la partie antennaire du front-end
radio d'une liaison sans fil 60 GHz, capable de transmettre des donnes hauts dbits
d'information par la technique de formation de faisceau (beamforming). Comme nous l'avons
expliqu au paragraphe I.6.2, ce type d'antenne doit tre conu de faon optimiser, en
permanence, le bilan de la liaison RF et couvrir un grand nombre de passagers par station de
base (AP) dans un avion de ligne.
Pour que les ondes RF mises puissent balayer automatiquement toute la zone de
rception, nous avons alors retenu une topologie qui revient appliquer successivement
diffrents dphasages entre les lments dun rseau d'antennes. Lantenne lmentaire
composant le rseau qui a t dfini pour notre application, est un patch aliment via un
couplage E-M par une ligne microruban dont la terminaison est en forme de U (voir figure
4.39b). Mais, cette antenne devra tre commande en phase pour raliser la formation de
faisceau.
Etant donn lencombrement des antennes, leur mise en rseau a t limite
uniquement au plan H. Nous avons aussi expliqu au chapitre IV que les lments dantenne
doivent tre espacs de 0/2 car avec cette distance, le meilleur compromis est atteint entre
l'effet de couplage mutuel et les caractristiques de rayonnement.
Deux autres arguments justifient le choix de cette distance:


Comme cela a t prouv dans [1], la rduction de la distance inter-lments ramne le


dphasage inter-lments () de faibles valeurs pour une mme valeur de
dpointage (max) du faisceau de lantenne

On sait, comme nous le montrerons plus loin dans ce chapitre, que les pertes dans les
dphaseurs sont lies laugmentation du dphasage.

Soit N, le nombre dlments dantennes composant le rseau, , le dphasage interlments et , la phase attribue chaque lment d'antenne. La figure 5.1 schmatise le cas
gnral dantennes patch dphases, mises en rseau dans le plan H.
Sachant que 0 = 5mm 60 GHz, la suite de l'tude a consist considrer divers
rseaux qui-amplitude (A1 = A2 = = AN = 1) et qui-phase ( = 0, soit 1 = 2 = =
N = 0) obtenus pour 1 N 8, avec un espacement de 0/2 entre lments dantenne, et
les caractriser. Les courbes de la figure 5.1b dcrivent les variations du gain maximum
(Gmax) et de louverture angulaire - 3dB (-3dB) en fonction de la taille du rseau (N).

164

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.1. Rseau dantennes patch dans le plan H.

Ces courbes ont t obtenues en prenant comme lment dantenne, le patch excit par
un U-microruban, tel que dfini au paragraphe IV.3.5.1. Elles prouvent que la directivit du
rseau dantennes crot sensiblement avec la taille de celui-ci, car Gmax et -3dB augmentent
avec N. Elles mettent aussi en vidence les conditions qu'impose une antenne de grande
directivit lorsque comme dans le cas de notre application, elle doit couvrir l'espace dans un
secteur assez large. La figure 5.2a illustre bien cette problmatique. En effet, tant donn
lespace allou par AP, mme une seule antenne ne suffit pas pour couvrir une zone de 120
avec le gain escompt, car l'ouverture de son faisceau nest pas assez large.

(a) Couverture RF avec le faisceau


dune seule antenne.

(b) Couverture balayage RF


avec un rseau dantenne.

Figure 5.2. Couverture RF en fonction de l'angle d'ouverture de systmes antennaires.

Pour contourner cette difficult, on peut jouer judicieusement sur les valeurs de phase
de faon qu'un rseau contrl par phase comme celui de la figure 5.1, puisse balayer
l'espace avec son faisceau tel que illustr sur la figure.5.2b et assurer une couverture RF
meilleure que dans les cas dcrits par la figure 5.2a. Notons que quand le rseau d'antennes est

165

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

align dans le plan H, son faisceau est plus troit dans ce plan et plus large dans le plan E
(voir figure 4.48). La figure 5.3a illustre la distribution spatiale des caractristiques de
rayonnement obtenues dans ce cas. Elle montre que ce type de rseau est capable dassurer la
couverture RF dans laxe du plan E, sur une large tendue de l'espace, car son angle
d'ouverture - 3dB vaut 83. Cependant, le diagramme de rayonnement trac dans le plan H
est de forme plus troite et comme l'indique la figure 5.3b, il ne peut pas occuper toute la zone
couvrir. Aussi, pour assurer la couverture RF de cette zone, on peut multiplier le nombre de
faisceaux d'antenne obtenus le long de cet axe, en leur faisant subir diffrentes orientations.
Par consquent, pour la suite de nos travaux, nous allons nous focaliser seulement sur le
dpointage du faisceau du rseau dantenne sur laxe correspondant ce plan.

(a) Diagrammes de rayonnement

(b) Couverture RF assure par

rseau du rseau d'antennes.

le rseau d'antennes.

Figure 5.3. Couverture RF dun rseau d'antennes alignes le long du plan H

En pratique, pour changer l'orientation de leur faisceau et assurer le balayage RF


requis, les antennes doivent tre connectes des dphaseurs capables de commuter les
diffrents tats de phase. Aussi, pour passer la conception de notre systme RF, il est
ncessaire de disposer de ce type de dphaseur. Comme nous voulons implanter notre
dispositif RF entirement sur du Silicium, ces dphaseurs devront aussi tre raliss sur ce
mme matriau.

V.2. Les dphaseurs 60 GHz sur Silicium


On trouve dans la littrature deux grandes catgories de dphaseurs travaillant dans la
bande des 60 GHz et raliss selon la technologie au Silicium. Ce sont des dphaseurs actifs
conus avec des composants capacit variable, et des dphaseurs passifs bass sur les
166

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

proprits des lignes de transmission. Le Tableau V.1 rsume les performances des diffrentes
catgories de dphaseurs tudis. Suivant les caractristiques indiques dans ce tableau, il
semble plus intressant demployer des dphaseurs passifs base de composants MEMS-RF
car ils permettent doffrir, pour une mme valeur de phase, un plus faible niveau de pertes que
les autres solutions.
Tableau. V. 1. Dphaseur RF 60 GHz sur Silicium.
Type de

Dphasage

Dphaseurs
Actif

22,5

Pertes

Bande passante

(dB)

(GHz)

Technologie

- 8,5 - 10,3

55 65

CMOS

90

- 4,5 - 8

50 65

90 nm CMOS

Passif

90

- 4,9

Coupleur Hybride [5]

180

- 5,7

57 64

BiCMOS

MEMS [6]

22,5

- 1,7 2,2

56 65

Silicium/BCB

MEMS [7]

90

- 1,7 2,2

56 65

Silicium/BCB

(Varactor) [3]
Actif
(Varactor) [4]
0,13 m SiGe

V.2.1. Les dphaseurs passifs base de commutateurs MEMS-RF


Dans le cadre de nos travaux de recherche, les dphaseurs base de commutateurs
MEMS-RF choisis pour nos applications au beamforming 60 GHz, sont du type lignes
commutes. Ce type de dphaseur est dot de caractristiques telles quil permet dobtenir
d'importantes valeurs de phase avec des pertes rduites [7-8]. Ce genre de dphaseur a t
ralis par nos collaborateurs du LAAS dans le cadre de nos travaux raliss dans le projet
LIMA, puis publis dans [7] et [8]. L'annexe H donne une brve description du commutateur
MEMS-RF. Les figures 5.4 reprsentent le dphaseur MEMS-RF ligne commute 1 bit.
Celui-ci est ralis sur un support dilectrique form du Silicium haute rsistivit (HR)
recouvert d'une couche de BCB (benzocyclobutene). Les caractristiques respectives de ces
matriaux sont [6]:

Silicium (HR) : Epaisseur h = 400 m, permittivit r = 11,9, Conductivit = 0,3333


Siemens / m.

BCB : Epaisseur h = 20 m, permittivit r = 2,6 , tg = 0,002.

Le choix dun dpt de BCB sur Silicium a pour but de rduire les pertes liniques des
lignes de transmission, tel qu'expliqu dans [9].

167

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.4. Dphaseur MEMS-RF de 1 bit bas sur le principe des lignes commutes,
ralis sur silicium/BCB et fonctionnant 60 GHz.

Ce dphaseur est bas sur une structure dinterrupteur SPDT (Single Pole Double
Throw) [10]. Le dphasage provient de la diffrence de longueurs lectriques entre les
deux chemins de lignes, savoir: l = l0 + l l0. Cest la commande des MEMS-RF
qui permet de choisir la branche (V1 ou V2) o le signal doit passer. Les MEMS de
commande sont placs une distance correspondant la longueur d'une ligne quart - donde
(g/4). La ligne quivalente ainsi dfinie, permet de mettre en circuit ouvert, l'entre de
chaque branche ds que lun des interrupteurs MEMS est en court-circuit (tat bas), ce qui
rend plus facile la slection de la branche o le signal doit passer. Prcisons qu'un MEMS
l'tat bas bloque laccs du signal tandis qu' l'tat haut, il laisse passer celui-ci. Ces
dphaseurs sont idaux pour gnrer de grandes valeurs de phase. En particulier, la
modlisation d'un dphaseur 1 bit a t effectue dans [7] et [8], pour couvrir la bande
des 60 GHz. Elle met en vidence des pertes qui se situent dans cette bande passante entre 1,5
et 1,7 dB pour des dphasages respectifs de 22,5 et de 45 [8] tandis quelles vont de1,7 dB
2,2 dB pour 90 [7].
Cependant, dans le cadre de nos travaux de thse, nous avons estim les pertes dans ce
dphaseur sur un plus large panel dtats de phase que ceux dfinis dans [7] et [8]. Pour cela,
nous ralisons ci aprs, une modlisation E-M sous HFSS, du dphaseur considr. Les
donnes obtenues nous serviront estimer les caractristiques relles de rayonnement du
rseau lorsque ses lments sont interconnects des dphaseurs MEMS-RF.
V.2.2. Evaluation des pertes dans un dphaseur 1-bit lignes commutes
Afin dvaluer les caractristiques de ce dphaseur, nous avons considr diffrents
tats de phase et procd une tude base sur la modlisation E-M sous HFSS. Cette
modlisation est effectue en considrant des Switchs mtalliques idaux, tels qu'illustrs sur

168

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

la figure 5.5. Ainsi, quand le pont est ltat haut, il est en circuit ouvert et va donc se
substituer ltat MEMSup du MEMS-RF. Autrement, si le mtal du pont est en contact avec
la masse et la lame centrale du CPW, on obtient un court circuit qui se substituera la
fonction dtat bas du MEMS-RF, soit MEMSdown (voir figures 5.5a et 5.5b respectivement).

(a) Pont mtallique ltat Haut.

(b) Pont mtallique ltat bas.

Figure 5.5. Prsentation des Switch mtalliques idaux caractriss en simulation sous HFSS,
pour se substituer la fonction de Switch du MEMS-RF.

La figure 5.6a donne un aperu du design du dphaseur. Elle y reprsente en bleu, les
ponts mtalliques mis aux emplacements ddis aux commutateurs MEMS-RF. La mise
ltat haut et l'tat bas de ces ponts mtalliques, va ainsi se substituer en modlisation, la
fonction de commutation que doivent raliser les MEMS. Les champs lectriques qui se
propagent dans le dphaseur, sont reprsents en bleu dans la figure 5.6b qui montre
clairement la slection de lune des branches du dphaseur lorsque les commutateurs sont aux
bonnes positions.

(a) Design du dphaseur.

(b) Reprsentation des champs lectriques.

Figure 5.6. Dphaseurs lignes commutes conus sous HFSS.

La figure 5.7a donne les courbes des pertes dinsertion (S12) et dadaptation (S11) de ce
dphaseur en fonction de la frquence, obtenues par modlisation sous HFSS pour les
diffrents tats de phase = 0, 90, 135 et 180. La figure 5.7b dcrit les variations de

169

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

dans la mme bande de frquence. Les valeurs numriques des pertes et de lerreur de phase
sont reportes dans le Tableau V.2 pour les diffrentes valeurs de phases 57 GHz, 60 GHz,
et 64 GHz. Notons que lerreur sur la phase est estime relativement ltat de phase 0 (l0).

(b) Variations de avec la frquence.

(a) Variations de S11 et S12 avec la frquence

Figure 5.7. Caractristiques de dphaseurs lignes commutes 1-bit sur Silicium / BCB,
modliss sous HFSS pour diffrents dphasages .

Tableau V. 2. Pertes et erreur commise sur la phase des dphaseurs lignes commutes 1-bit
sur Silicium / BCB.
Frquences

Erreur sur la phase

Pertes
57 GHz

60 GHz

64 GHz

57 GHz

60 GHz

64 GHz

0 (l 0)

- 1,25 dB

- 1,35 dB

- 1,5 dB

90 (l 0+l)

- 1,4 dB

- 1,45 dB

- 1,6 dB

- 5,5

+ 1

+ 7,5

135 (l 0+l)

- 1,35 dB

- 1,55 dB

- 1,7 dB

- 5,8

+ 2

+ 10

180 (l 0+l)

- 1,65 dB

- 1,56 dB

- 1,75 dB

- 7,9

+ 2

+ 15

Dphasage

D'aprs les courbes des figures 5.7, le dphaseur lignes commutes prsente, en
simulation, de faibles pertes dinsertion pour tous les tats de phase. En effet, ces pertes
sont infrieures - 1,5 dB pour (l0) et - 1,75 dB pour (l0+l) dans la bande 57 64 GHz. Un
niveau dadaptation infrieur - 15 dB est donc assur quel que soit ltat de phase impos.
Remarquons que les valeurs que nous avons trouves aprs simulation, sont viables 0,6 dB
prs, comparativement celles annonces dans [7]. En effet, les pertes dinsertion obtenues
dans [7] pour une phase de 90, varient entre 1,7 et 2,2 dB dans la bande 57 64 GHz. Cette
diffrence de rsultats est lie au fait que notre modle ne prend pas en compte des Switchs
rels base de MEMS-RF, alors que ces derniers ont des pertes dinsertion valant 0,6 dB dans
cette bande de frquence [6]. Au final, si lon associe les pertes des MEMS-RF celles de

170

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

notre modle de dphaseurs, on retombe sur des valeurs quivalentes celles donnes dans
[7]. Par consquent, en faisant abstraction des pertes des MEMS, on se rend compte que les
principales pertes induites par ce type de dphaseur, sont surtout lies aux pertes issues des
lignes de transmission. Dans la bande utile, on trouve que lerreur de phase est denviron 2
60 GHz. Elle varie entre 5,5 et 8 57 GHz et entre 7,5 et 15 64 GHz.

V.3. Impact des pertes des dphaseurs sur le choix de la configuration du


rseau dantenne
Sur le plan pratique, la question qui se pose, ici, est celle d'apprcier linfluence des
caractristiques relles des dphaseurs lors de la conception d'un rseau dantennes dphases.
La rsolution de cette question doit aboutir, par la suite, au choix de la configuration de ce
type de rseau.
La figure 5.8 illustre le cas gnral d'un rseau de N lments dantennes alimentes
par N dphaseurs. La commande de ces antennes par leurs dphaseurs, se traduit par la
commutation de M faisceaux d'antenne entre eux, de faon crer le balayage RF.

Figure 5.8. Cas gnral dune rseau dantennes dphases qui gnre M faisceaux: Ce rseau
est form de N lments dantenne et de N dphaseurs K-bits.

D'aprs cette figure, K dphaseurs 1-bits doivent tre cascads ensemble pour accrotre
le nombre de bits 'K' et par consquent, la phase. Mais, au paragraphe prcdent, nous avons
vu que les pertes dues aux dphaseurs augmentent avec la phase, cause des pertes dans les
lignes. Donc, ces pertes deviennent encore plus importantes lorsque le nombre de bits 'K' du

171

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

dphaseur est de plus en plus grand. En pratique, ce nombre augmente avec le nombre M de
faisceaux d'antenne qui doivent tre gnrs. Aussi, il est indispensable de connatre, au
pralable, le nombre M pour fixer le nombre K de bits appliquer un rseau d'antennes
donn.
Dans ce qui va suivre, nous allons raliser une tude pour trouver le nombre M de
faisceaux d'antenne qu'il faut pour assurer une couverture RF adquate dans le cas de notre
application. Autrement dit, ce nombre doit tre dtermin de faon que le faisceau produit par
notre rseau d'antennes, soit capable de balayer l'espace sur une plage de - 60 + 60,
c'est dire une zone s'talant dans un secteur de 120.
Cette tude est mene en considrant pour la partie antennaire, les hypothses
suivantes :

Les lments d'antenne se comportent comme des sources de rayonnement isotrope.

La distance inter-lment est de d = 0 /2.

Lespace occup par chacun des M faisceaux gnrer, tant dlimit par leur angle
d'ouverture - 3dB (-3dB), il est ncessaire d'valuer cet angle pour ensuite, dterminer le
nombre M ncessaire pour couvrir la zone allant de - 60 + 60. Dans le cas d'une source
isotrope, l'angle -3dB peut tre calcul de deux faons diffrentes.
Soit, N, la taille du rseau form d'antennes assimiles des sources isotropes, d, la
distance inter-lments, , le dphasage inter-lment et 0 , le dpointage dsir. L'une des
deux approches consiste dduire l'angle -3dB partir du facteur de rseau qui scrit dans ce
cas [1] :

avec
et

N
sin
(AF)n = 2
N

2
2
=
d sin +
0
=

2
d sin 0
0

(V-1)

(V-2)
(V-3)

L'autre mthode est base sur le calcul direct du rayonnement d'un rseau de N sources
isotropes [1]. Dans ce cas, l'angle d'ouverture -3 dB vaut :

3dB = 2 arc cos 0,443 0


Nd

(V-4)

La figure 5.9 regroupe les rsultats du calcul de l'angle -3dB en fonction de la taille du
rseau. Elle donne aussi le nombre M de faisceaux estim partir des valeurs de -3dB, dans le
cas o ces faisceaux d'antenne doivent couvrir une zone allant de - 60 + 60.

172

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

.
Figure 5.9. Angle douverture 3dB (-3dB) et nombre (M) de faisceaux ncessaires pour
couvrir une zone de 120 en fonction de la taille ( N) du rseau.

La figure 5.10 reprsente les diagrammes de rayonnement calculs grce aux


quations du facteur de rseau (V-1), (V-2) et (V-3), dans les cas o le rseau se compose de
2, 3 et 4 sources isotropes commande de phase respectivement.

(a) Deux lments.

(b) Trois lments.

(c) Quatre lments.

Figure 5.10. Dfinition du nombre (M) de faisceaux ncessaires pour couvrir une zone de 120,
en considrant les valeurs de (-3dB) en fonction de la taille (N) du rseau.

Cette figure montre clairement quen augmentant la taille du rseau, on rduit lespace
clair par chaque faisceau et qu'on doit, donc, multiplier le nombre de faisceaux pour couvrir
le secteur de 120. D'o, le nombre (M) de faisceaux gnrer augmente avec la taille (N) du
rseau.
La courbe M = f(N) de la figure 5.9 va nous permettre dvaluer le nombre K de bits
caractrisant les dphaseurs de chaque rseau dantenne. Par la suite, connaissant ce nombre,
il sera possible d'estimer les pertes causes par ces dphaseurs dans le rseau dantennes.
Le nombre (M) est aussi gal au nombre maximum de dphasages (), quil faut
appliquer chaque antenne du rseau pour gnrer tous les faisceaux. Ce nombre permet aussi
de dterminer le nombre dtats de phase () capables de produire les dphasages (). Les
173

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

pertes dans un dphaseur 1-bit sont en moyenne de - 2 dB et un dphaseur K-bits offre 2K


voies possibles et donc, 2K tats de phase . Aussi, compte tenu de notre application, nous
avons dtermin dans le Tableau V.3, le bit du dphaseur appliquer et ses pertes en fonction
de la taille de chaque configuration de rseau et du nombre de faisceaux assurer.
Tableau V.3. Choix du dphaseur en fonction de la taille (N) du rseau et du nombre (M) de
faisceaux.
Taille du

Nombre de

Nombre dtats de phase

rseau (N)

faisceaux (M)

() possibles par antenne

2 tats

1bit (2 voies)

- 2 dB

3 4 tats

2 bits (4 voies)

- 4 dB

3 5 tats

3 bits (8 voies)

- 6 dB

4 6 tats

3 bits (8 voies)

- 6 dB

4 7 tats

3 bits (8 voies)

- 6 dB

5 9 tats

4 bits (16 voies)

- 8 dB

10

5 10 tats

4 bits (16 voies)

-8 dB

K-bits

Pertes des
dphaseurs

Les valeurs numriques des pertes de dphaseur reportes dans le Tableau V.3, nous
servirons, par la suite, estimer le gain du rseau dantennes dphases. La figure 5.11 donne
les variations du gain de lantenne en fonction du nombre N caractrisant la taille du rseau
dantennes isotropes, avec et sans prise en compte des pertes des dphaseurs. Ce gain a t
valu en considrant, tout d'abord, l'expression de la directivit (D) dun rseau compos de
N sources isotropes, savoir [1]:
D=

1
1 2
Nq
+
sin(qkd ) cos(q ())
N N q =1 qkd
N 1

(V-5)

Dans notre cas, la distance inter-lments dantennes est d = 0/2. Donc, kd = et


sin(qkd) = 0 q . D'o, quel que soit le dphasage , la directivit de notre rseau de N
sources isotropes devient [1] :
D= N

(V-6)

En gnral, le gain (G) est li la directivit et au rendement () du rseau


d'antennes [1], en crivant que :
:
G = D
(V-7)
Pour calculer ce gain, nous avons considr un rendement () de 100 %. Donc, on a:
G = D = N. Ensuite, le gain avec pertes a t dtermin en faisant :
Gain avec pertes = G pertes de dphaseurs
174

(V-8)

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.11. Gain des rseaux dantennes, avec et sans prise en compte des pertes des
dphaseurs.

Les rsultats de ce calcul expliquent globalement l'allure des courbes de la figure


5.11. Mais, ces courbes montrent clairement la problmatique que lon rencontre lorsque des
dphaseurs prsentant des pertes, sont introduits dans le rseau d'antennes. Ces pertes sont
essentiellement dues la taille du bit des dphaseurs. Ainsi, plus le bit est important, plus les
pertes sont leves. Or, la taille du bit est fonction du nombre dtats de phase assurer pour
chaque lment dantenne. Donc, plus on aura dlment dantennes et dtats de phase, plus
grandes seront les pertes des dphaseurs. Ces pertes ont pour effet de rduire notablement
lapport rsultant de laugmentation du gain obtenu avec la mise en rseau des antennes.
D'aprs les courbes de la figure 5.11, le gain du rseau d'antennes est meilleur que
celui de lantenne isotrope (c'est dire, N = 1), car malgr les pertes, il est suprieur ou gal
0 dB dans la plupart des cas, mais il ne dpasse pas 2 dB. Ce gain qui est maximum pour
N = 2 et 6, atteint sa plus grande valeur avec un rseau six lments. Par contre, la
configuration la plus simple raliser est videmment celle du rseau deux lments.
En rsum, le rseau deux lments prsente un gain de 1 dB et ne ncessite que des
dphaseurs 1-bit tandis que le rseau six lments a un gain peine plus lev, car il vaut
1,7 dB, mais requiert l'emploi de dphaseurs de 3-bit.
Dans ces conditions, pour raliser la partie antennaire du front-end radio, nous avons
choisi la configuration consistant mettre en rseau 2x1 lments dantenne et les associer
des dphaseurs MEMS-RF 1-bit, en les implantant sur un mme substrat en Silicium.

V.4. Ralisation de lantenne sur Si / BCB pour le front-end radio


Avant de passer la conception proprement dite du rseau d'antennes avec ses
dphaseurs, nous devons tout dabord dimensionner notre lment dantenne en fonction de la
ncessit de l'implanter sur une membrane et en considrant un support en Silicium. Le but

175

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

poursuivi est de faciliter la co-intgration sur le mme support en Silicium que celui d'un
front-end radio, lantenne et sa matrice de dphaseurs. Ainsi, le support sur lequel les
dphaseurs ont t intgrs, est en Si / BCB tandis qu'une membrane a t amnage dans ce
matriau, pour recevoir le rseau de 2x1 antennes patch excites par une ligne microruban
avec terminaison en forme de U (ou U-microruban) via un gap dilectrique. Aprs une brve
description de la technologie employe, nous avons procd, tout d'abord, au
dimensionnement de la membrane en Si / BCB sur laquelle a t grave le patch et son Umicroruban. Ensuite, cette antenne a t ralise et mesure. Ce type d'antenne a alors servi
construire un rseau quiphase et un rseau dphas deux lments qui ont ensuite t
expriments.
.
V.4.1. Technologie de construction des antennes sur Si / BCB
Pendant la phase de construction des antennes, le matriau utilis pour raliser le
substrat en Si/BCB a t impos par les contraintes technologiques du LAAS. Brivement, ce
substrat se compose d'une couche de Silicium (HR) recouverte d'un film de BCB dont
l'paisseur est de 10 m alors que celle-ci devait tre de 20 m. L'paisseur de BCB souhaite
n'a pas pu tre obtenue car il n'a pas t possible de superposer deux couches de BCB de
10 m d'paisseur et de les faire adhrer. Aussi, toutes nos ralisations se sont bases sur du
Silicium haute rsistivit avec film de BCB de 10 m d'paisseur. Notons quen rduisant la
couche de BCB de 10 m, les proprits de nos antennes ne sont pas modifies. En effet, pour
de telles valeurs de BCB, lpaisseur de la membrane reste trs faible relativement la forte
paisseur de la cavit dair sous les antennes, qui est pratiquement de 400 m. Par
consquent, la permittivit relative du support des antennes reste proche de 1, aussi bien pour
10 m que pour 20 m de BCB.
La technologie employe au LAAS pour crer la membrane dilectrique en Si/BCB,
revient procder par ablation du Silicium sous l'antenne suivant deux mthodes possibles:


La gravure chimique: Aprs ralisation de la membrane, la cavit d'air est entoure


de bords en Silicium dont l'inclinaison est de 55 (voir figure 5.12a).

La gravure sche: Le Silicium est dcap grce un Laser qui laisse des bords
droits autour de la cavit d'air (voir figure 5.12b).

La seconde mthode est celle que nous avons choisie, car elle permet de nous
affranchir plus simplement des problmes de dsadaptation quon pourrait rencontrer lors de
linterconnexion de lalimentation de lantenne vers le bord de la membrane. L'annexe I dcrit
le procd technologique employ pour raliser lantenne sur membrane en Si / BCB partir
dun substrat massif en Si/BCB. Comme l'indique la figure 5.12c, la surface maximale alloue
la cavit dair sous la membrane, est strictement de 7 mm x 5 mm ou moins.

176

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.12. Fabrication de la Membrane en Si/BCB (procds du LAAS-CNRS).

V.4.2. Elaboration de llment dantenne sur membrane Si / BCB, et influence des


bords de la membrane sur le rayonnement de lantenne.
Etant donn les dimensions de notre topologie dantenne dcrite au paragraphe
IV.3.5.1, lencombrement naturel de notre antenne fait que nous avons fix les dimensions de
la membrane aux valeurs suivantes: X = 5 mm et Y = 7 mm. La figure 5.14 reprsente les
vues du prototype final de cette antenne et de son emplacement sur la membrane en Si/BCB,
entoure des bords en Silicium massif.
Cependant, afin de considrer l'influence exacte des bords de la membrane sur les
caractristiques de rayonnement de l'antenne aprs ce dimensionnement final, nous avons
procd une tude qui consiste modliser l'lment dantenne sous HFSS en comparant
diffrents cas tenant compte de la prsence des bords de cette membrane. Ces cas sont:

Cas 1 : Antenne patch excite par un U-microruban sur membrane Si / BCB en


ngligeant tous les bords en Silicium. Cette antenne qui fait office dantenne de
rfrence, est appele Antenne Rf .

Cas 2 : Antenne patch excite par un U-microruban sur membrane Si / BCB avec
bords en Silicium, sauf du ct de lalimentation microruban (voir figure 5.13).

Cas 3 : Antenne patch excite par un U-microruban sur membrane Si / BCB avec tous
les bords en Silicium. Le tout est raccord une ligne microruban de 50 intgre sur
le substrat en Silicium / BCB massif (voir figure 5.14).

177

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

(a) Vue de dessus.

(b) Vue en coupe.

Figure 5.13. Dimensionnement de la membrane Si / BCB.

(a) Vue de dessus.

(b) Vue en coupe.

Figure 5.14. Dimensions finales de lantenne sur membrane Si / BCB.

La figure 5.15 reprsente les diagrammes de rayonnement, en Co-polarisation (Co) et


en polarisation croise (Cross) dans les plans E et H de lantenne, obtenus pour les diffrents
cas. En comparant les diagrammes de la figure 5.15 caractrisant respectivement
le Cas 1 (marron) et le Cas 2 (vert), on constate que le bord en Silicium faisant face
lantenne, a pour effet daugmenter la directivit de lantenne dans le plan E. Par contre, la
proximit des bords entrane une rduction de la directivit dans le plan H. Dans le plan H, la

178

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

prsence des bords latraux en Silicium provoque aussi une augmentation de la polarisation
croise cross = 90 et une rduction de celle-ci = 30 (voir figure. 5.15b).

(a) Plan E

(b) Plan H
Figure 5.15. Diagrammes de rayonnement de l'antenne patch excite avec un U-microruban, en
considrant les diffrents cas de prise en compte des bords de la membrane.

Le Cas 3 diffre des Cas 1 et 2 par l'adjonction du bord de la membrane du ct de


lexcitation microruban de lantenne patch quand elle est couple au U-microruban. Les
diagrammes de rayonnement qui en rsultent, sont reprsents en rouge dans la figure 5.15. Ils
sont caractriss par lapparition dun lobe secondaire = + 90 dans le plan E, quelle que
soit la frquence de la gamme allant de 57 GHz 64 GHz (voir figure 5.15a).
Comparativement aux autres cas, on observe dans le plan H, une augmentation de la
Cross-polarisation en azimut et en lvation. Quant la Co-polarisation, elle accuse une
augmentation du rayonnement vers la face arrire du substrat, en fonction de la frquence, ce
qui se traduit prcisment 64 GHz, par une rduction de la directivit (voir figure 5.15b).

179

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Afin dexpliquer les phnomnes observs avec les diagrammes de rayonnement de la


figure 5.15, nous avons reprsent la densit de champ lectrique sur la structure forme de
l'antenne excite par un U-microruban et de sa membrane Si/BCB, pour les Cas 2 et 3. La
figure 5.16 dcrit la distribution spatiale de champ qui en rsulte. Elle met en vidence
l'existence dondes de surface dans la structure reprsentative du Cas 3, au niveau de
lexcitation microruban se trouvant sur le Silicium massif, tandis que ces ondes
napparaissent pas pour le Cas 2. La production de ces ondes de surface est essentiellement
cause par la discontinuit dilectrique du support de lantenne. Ainsi, lorsque lnergie
transporte par la ligne microruban se trouvant sur le Silicium massif, rencontre le bord de la
membrane, une partie de cette nergie est rflchie latralement.

(a) Cas 2

(b) Cas 3

Figure 5.16. Distribution spatiale des champs lectriques 60 GHz pour lantenne tudie.

La prsence non ngligeable de ces ondes dans lantenne du Cas 3 explique les
phnomnes observs sur les diagrammes de rayonnement de lantenne. Linfluence de ces
phnomnes se traduit pour cette antenne, par la modification de la forme du lobe principal,
l'augmentation du rayonnement la face arrire, l'accroissement de la polarisation croise
dans le plan H, et l'apparition dun lobe secondaire = + 90 dans le plan E. Au paragraphe
III.2.1.1, nous avons montr que lexploitation dun substrat de forte permittivit dans le cas
de la technologie microruban en bande millimtrique, accentue le risque dapparition de
modes dordre suprieur, surtout lorsque ce substrat est, comme dans notre cas, de forte
paisseur.
Compte tenu de l'invariance des proprits physiques de notre support, ces
phnomnes parasites peuvent tre fortement attnus si tous les bords de la membrane sont
blinds mtalliquement, comme l'illustre la figure 5.17. La figure 5.18 donne les diagrammes
de rayonnement de lantenne, obtenus avec et sans blindage mtallique des bords de la
membrane. Elle montre que dans les deux cas, ces diagrammes ont globalement la mme
allure. Mais, en prsence de blindage, les diagrammes de rayonnement sont beaucoup moins
perturbs, prouvant ainsi que la mtallisation rduit de manire significative linfluence des
ondes parasites observes dans la structure sans blindage.

180

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.17. Antenne avec blindage mtallique des bords de la membrane.

(a) Plan E

(b) Plan H
Figure 5.18. Diagrammes de rayonnement de l'antenne patch excite par un U-microruban,
avec et sans blindage mtallique des bords de la membrane.

181

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Comme le montre la figure 5.17, la mtallisation des bords de la membrane n'est


ralisable pratiquement en laboratoire que si les bords en Silicium sont inclins. Ceci
implique dans ce cas, lobligation de raliser la membrane par gravure chimique. Pour assurer
une bonne adaptation de lantenne son alimentation, il faudrait, alors, prendre en compte
linclinaison du bord de la membrane lors du raccord au niveau du plan de liaison (A-A) de
la ligne microruban qui alimente lantenne sur membrane en Silicium vers la ligne microruban
sur Silicium massif.
Cependant, une configuration dantenne comme celle de la figure 5.17 est
difficilement ralisable en pratique. Aussi, nous nous contenterons d'tudier lantenne sans
blindage mtallique de ses bords. Ce choix se justifie par le fait que les diagrammes de
rayonnement de lantenne sans blindage donnent des rsultats parfaitement exploitables en
pratique dans des dispositifs RF. Le seul problme dans ce cas, est celui du rayonnement
parasite qui apparat dans le plan E = + 90 (voir courbes de la figure 5.18a en rouge).
Comme ce rayonnement est dirig du dispositif RF vers lespace libre, il naffectera pas le
fonctionnement des composants RF de ce dispositif (ampli ou autres) se trouvant l'arrire de
lantenne. Aussi, la suite de nos travaux va s'articuler sur les structures munies de membranes
bords droits et sans blindage, comme celle illustre par la figure 5.14.

V.5. Fabrication des circuits sur wafer en Si / BCB


Les dimensions de la membrane tant dfinies, nous allons prsenter dans ce qui va
suivre la phase pratique de la conception des antennes. La figure 5.19 donne une photographie
de nos circuits raliss au LAAS-CNRS sur un Wafer en Si/BCB de 10 cm de diamtre.
Plusieurs membranes de 5 mm x 7 mm ont t amnages dans ce Wafer. Les antennes
et leurs circuits annexes ont t gravs sur celui-ci. Ces antennes sont principalement des
patchs, avec ou sans excitation par ligne microruban en forme de U et des rseaux dantennes
composs de ce type de patch. Les circuits de calibration requis par les mesures dans la
gamme millimtrique, les lignes CPW et les transitions CPW-microruban ont aussi t
intgrs sur ce Wafer. Le masque qui a servi fabriquer tous ces circuits sur le Wafer, a t
ralis en respectant les contraintes technologiques imposes par le LAAS. Cependant avant
de passer la phase exprimentale de ces antennes, nous allons, tout dabord, prsenter la
conception dune transition CPW-microruban sur Si/BCB massif qui est indispensable pour
mesurer nos antennes avec une station sous pointes. Cette transition doit aussi servir
interconnecter, lors de la mise en rseau, lantenne tudie et les dphaseurs base MEMSRF raliss avec des lignes CPW [6-8].

182

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.19. Circuits gravs sur wafer en Si (400 m) \ BCB (10 m) au LAAS-CNRS.

V.5.1. Conception dune transition CPW-microruban sur Si/BCB


La transition CPW-microruban tant dimensionne pour fonctionner autour de
60 GHz, elle doit couvrir une bande passante gale ou suprieure 7 GHz. Afin de limiter la
complexit de la fabrication, elle a t implante sur la mme couche dilectrique que
lantenne. Dans la littrature, on trouve deux catgories de transition CPW-microruban [1113]. Lune consiste lier entre eux les diffrents plans de masse grce des trous mtalliques
(ou via) traversant le support du circuit. En effet, ces trous mtalliques relient les plans de
masse latraux du CPW et le plan de masse de la face arrire de la ligne microruban qui
assure le passage du mode CPW au mode microruban [11]. Ce type de transition est large
bande et elle est capable de couvrir aisment les 11 % de bande 60 GHz. La seconde
catgorie assure la continuit du plan de masse par couplage lectromagntique grce deux
stubs en circuit ouvert, de longueur quivalente g / 4, fixs sur les masses latrales du
CPW [12-13]. Comme lont montr les travaux de [12], cette transition est aussi large bande
car elle couvre jusqu 20 % de la bande millimtrique avec S11 -15 dB. Aussi, pour raliser
notre transition CPW-microruban sur Silicium / BCB massif, notre choix s'est port sur la
transition stubs, car offrant le meilleur compromis en termes de simplicit de ralisation et
de bande passante. La figure 5.20a donne le design final de la transition qui servira, par la
suite, alimenter notre antenne sur Silicium / BCB. La transition est dispose en tte bche
afin de permettre aprs sa ralisation, sa mesure en back-to-back avec la station sous pointes.
Les rsultats de mesure compars ceux de la simulation sous HFSS sont donns par la figure
5.20b.

183

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

WS1 = 20 m, L1 = 800 m, WS2 = 80 m, L2 = 1.2 mm, WS3 = 120 m,


WS4 = 320 m, S1 = 220 m, S2 = 360 m, m = 50 m, P = 710 m.

(a) dimensions de la transition

(b) S11 et S12 mesurs et simuls.

Figure 5.20. Transition CPW-microruban stub en circuit ouvert sur Si / BCB,

La transition CPW-microruban de la figure 5.20a se compose dune ligne coplanaire


sans plan de masse la face arrire (CPW), dune ligne coplanaire fine dote d'un plan de
masse la face arrire (GCPW), de longueur m = 50 m, dune ligne microruban (-ruban) et
de deux stubs en circuit ouvert, de longueur quivalente g / 4 et fixs sur chaque plan de
masse du CPW, paralllement l'un l'autre et la ligne microruban.
Les dimensions de cette transition ont t optimises dans l'annexe J. Elles ont t
choisies pour assurer de bonnes conditions dadaptation 50 sur une bande de frquence
suffisamment large et pour couvrir la bande passante de lantenne (avec S11 < -10 dB).
Les rsultats de mesure dcrits par la figure 5. 20b, montrent que la transition CPWmicroruban assure une bande passante de 21 % pour S11 < - 10 dB. Les pertes totales (S12)
induites par la mesure de cette transition en tte bche varient entre - 2,7 dB et - 3 dB. Si lon
ne considre qu'une seule des transitions CPW-microruban, les pertes (S12) sont divises par
deux et varient, en ralit, entre - 1,35 dB et - 1,5 dB. De plus, les pertes de chaque ligne de
transmission sont de 0,05 dB/mm pour la ligne -ruban, 0,14 dB/mm pour la ligne CPW et
0,6 dB/mm pour la ligne GCPW. Par consquent, les pertes totales par transition atteignent
- 1 dB entre 54 GHz et 65 GHz (voir Tableau V.4).
Tableau V.4. Pertes 60 GHz dans des lignes de transmissions ralises sur Si / BCB.
Substrat

Type de Ligne Adaptation

BCB

Silicium

r = 2,6

r = 11,9

h = 10 m

h =400 m

tg = 0,002

= 0,033 /m

(S11)

Pertes liniques

-ruban

< - 30 dB

- 0,05 dB/mm

CPW

< - 20 dB

- 0,14 dB/mm

GCPW

< - 20 dB

- 0,6 dB/mm

-1

184

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

V.5.2. Validation de lantenne patch couple un U-microruban sur membrane Si / BCB


La figure 5.21a donne une photographie de lantenne alimente par une ligne
microruban avec terminaison en U et intgre sur le substrat Si / BCB, ainsi que les
dimensions de cette antenne. Elle met en vidence deux parties essentielles. L'une est
lantenne patch et son alimentation de type U-microruban graves sur la membrane en
Si / BCB (partie antennaire). L'autre se compose essentiellement de la transition microrubanCPW dpose sur le substrat Si / BCB massif. Cette transition est interconnecte la ligne
microruban se trouvant sur la membrane, au niveau de l'extrmit (A - A') de cette membrane.
La figure 5.21b donne les courbes du gain et du coefficient S11 obtenues
exprimentalement avec cette antenne. Elle dcrit aussi les courbes de ces deux paramtres
issues de la simulation de notre antenne sous HFSS, avec et sans transition CPW-microruban.

(a) Photographie et vue en coupe de lantenne.

(b) Mesure et simulation de S11 et du gain.

Figure 5.21. Antenne patch couple un feeder U-microruban, construite sur une plaquette en
Si / BCB.

Aprs comparaison, on voit que les courbes du gain ont globalement la mme allure et
sont trs proches les unes des autres. Quant aux courbes du paramtre S11, les rsultats de la
mesure sont en bon accord avec ceux de la simulation dans le cas o lantenne est alimente
par la transition CPW-microruban. Ceci montre que cette transition permet dassurer
efficacement ladaptation de lantenne dans sa bande de frquences de travail. Cependant, en
comparant les courbes des antennes avec et sans transition, on constate que l'insertion de la
transition CPW-microruban engendre la fois un largissement de la bande passante pour
S11 < - 10 dB et une chute du gain valant, en moyenne, 1,5 dB.
La perte de gain ainsi observe est essentiellement due aux pertes dans la transition
CPW-microruban qui sont de 1,3 dB 1,5 dB dans la bande passante allant de 55 GHz
65 GHz. Nanmoins, cette topologie antennaire permet de couvrir entirement la bande des 60

185

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

GHz, avec un gain suffisamment lev car il est, en moyenne, de 6,5 dBi pour S11 - 10 dB,
dans cette bande de frquences.
Lantenne de la figure 5.21a tant implante sur le Wafer en Si/BCB, il est plus simple
de mesurer les diagrammes de rayonnement laide du banc de mesure muni de la station
sous pointes Karl Suss (voir figures 3.23 et 3.25). Cependant, en raison des contraintes
physiques et de lencombrement de linstrumentation (pointes RF, cbles, arche, appareils de
mesure,...), ces diagrammes ont t tracs pour des angles variant de - 70 + 70 dans le plan
H de lantenne et de 30 + 70 dans le plan E. Etant donn le caractre fastidieux de cette
mthode, les mesures ont tous t faites au centre de la bande passante, savoir 60 GHz. La
figure 5.22 reprsente les diagrammes de rayonnement de notre antenne obtenus
exprimentalement cette frquence en Co-polarisation (Co) et en polarisation croise
(Cross) dans les plans H et E. Ces diagrammes ont aussi t simuls sous HFSS.
Aprs comparaison, on trouve une assez bonne concordance entre les diagrammes
mesurs et simuls, dans le cas des courbes de la Co - polarisation. Cependant, les mesures
tant ralises dans l'espace libre, d'importantes fluctuations accompagnent tous les
diagrammes obtenus exprimentalement. En particulier, la Cross - polarisation de lantenne
observe dans le plan E varie alatoirement et atteint des niveaux bien plus leves que ceux
obtenus par simulation, alors qu'ils devraient tre de faibles valeurs. Vu les conditions de
mesure de lantenne dans son environnement immdiat, ces perturbations du signal utile,
pourraient s'expliquer par des rayonnements parasites probablement causs par des rflexions
multiples.

(a) Plan H

(b) Plan E

Figure 5.22. Diagrammes de rayonnement de lantenne patch couple un U-microruban,


construite sur une plaquette en Si / BCB.

186

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

V.5.3. Mise au point sur membrane Si/BCB, d'un rseau quiphase de 2x1 patchs excits
par des microrubans en U
La figure 5.23 donne la photographie et les rsultats de mesure dun rseau se
composant de deux antennes patch excites par des U-microrubans aligns le long du plan H.
Ces antennes sont mises en rseau en fixant la distance inter-lments 0/2 (avec 0 = 5 mm
60 GHz). Rappelons que compte tenu des conditions sur les dimensions de la membrane, le
rseau est ralis sur une membrane de 7 mm x 5 mm (voir figure 5.12c). On dduit de la
courbe de la figure 5.23b que pour S11 < - 10 dB, le gain du rseau dantennes est de 9,5 dBi
entre 55 GHz et 65 GHz. En comparant ce gain celui de lantenne de la figure 5.23 oprant
seule, on constate que la mise en rseau de cette antenne apporte une amlioration du gain de
prs de 3 dBi.
La figure 5.24 reprsente les diagrammes de rayonnement de la Co et de la Cross
polarisation, obtenus en mesure et en simulation 60 GHz dans les plans E et H du rseau
dantennes.
Dans lensemble, on note une assez bonne concordance entre les rsultats
exprimentaux et simuls. Cependant, comme dans le cas de lantenne seule, les niveaux de
cross polarisation issus de la mesure, sont plus levs que ceux attendus. Une distorsion est
aussi observe dans le plan E, probablement cause par des perturbations rsultant de la
prsence de la sonde RF de la station sous pointes, lors de la mesure.

7mm

5mm

(a) Photographie du rseau dantenne.

(b) Mesure et simulation de S11 et du gain.

Figure 5.23. Rseau ralis sur membrane Si / BCB avec deux antennes patch excites par des
U-microrubans,

187

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

(a) Plan E

(b) Plan H

Figure 5.24. Diagrammes de rayonnement du rseau dantenne 60 GHz.

V.6. Conception sur Si/BCB, du rseau dantennes quip de ses dphaseurs


MEMS-RF pour des applications au beamforming
Le systme antennaire que nous avons labor pour des applications au beamforming
60 GHz, est dcrit par la figure 5.25. D'aprs les diffrentes vues donnes par cette figure,
notre systme est form du rseau de 2x1 antennes patch excites par une ligne microruban en
forme de U et espacs de 0 / 2, co-intgr avec ses lignes d'alimentation et ses dphaseursMEMS RF.
Tous ces composants sont dposs sur le mme substrat en Si/BCB et le rseau
d'antennes est construit sur une membrane de 5 mm x 7 mm amnage dans ce matriau.
Etant conu pour tre grav sur le mme support en Silicium, le systme antennaire ainsi
dcrit, peut alors tre facilement intgr dans un front-end radio complet.

(a) Vue oblique.

(b) Vue de dessus et vue en coupe.

Figure 5.25. Rseau dphasage sur Si/BCB, avec co-intgration: antenne + dphaseurs.

188

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Avant de procder la phase effective de conception de ce type de rseau dphas,


nous devons dterminer, au pralable, le dphasage que doivent fournir les dphaseurs
MEMS pour assurer le balayage RF dsir avec un rseau dont les lments sont forms de
notre antenne de base. Cette tape prliminaire est aborde ci-aprs. Ensuite, elle sera suivie
de la mise au point de notre rseau d'antennes dphases et des tests effectus sur celui-ci au
Laboratoire.
V.6.1 Dtermination du dphasage inter-lment
Cette tude a consist apprcier lvolution des diagrammes de rayonnement du
rseau de 2x1 lments dantennes patch excites par des U-microruban, en considrant
diffrents dphasages . Ces dphasages sont: = 90, 135 et 180. Pour raliser cette
caractrisation, nous avons tenu compte des pertes associes chaque dphaseur MEMS-RF
1 bit, telles que dfinies au paragraphe V.3.2. De plus, afin de se rapprocher d'un scnario
raliste, nous avons rajout les pertes de 0,6 dB dues au composant MEMS-RF, comme
lorsque celles-ci avaient t values dans [6].
Les valeurs numriques de ces pertes sont rpertories dans le Tableau V.5. Dans ce
tableau, chaque perte dinsertion caractrisant chaque tat de phase (N), il lui correspond
un facteur de pondration |AN|. De faon gnrale, ce facteur est calcul en faisant le rapport
des pertes observes pour le dphasage N celles prvalant avec un dphasage nul. Les
valeurs de |AN| sont ensuite appliques chaque lment dantenne du rseau. Ainsi, un
dphaseur 60 GHz pour lequel = 0, prsente des pertes valant 1,95 dB et son facteur de
pondration est |A| = 1. Pour chacun des dphasages du Tableau V.4, le gain du rseau
d'antennes est alors estim en faisant :
Gain du rseau rel = Gain du rseau simul 1,95 dB.

(V - 1)

La figure 5.26 reprsente les diagrammes de rayonnement du rseau dantennes


obtenus pour chaque dphasage. Ils montrent que quelle que soit la valeur du dphasage, le
dpointage maximum qu'assure ce rseau dantenne, est proche de = - 30 dans le plan H.
Tableau V. 4. Pertes d'insertion du dphaseur MEMS-RF 60 GHz pour = 90,135,180.
N

Pertes

Amplitude IANI

- 1,95dB

90

- 2.05 dB

0,97

- 1,95dB

135

- 2,15 dB

0,95

- 1,95dB

180

- 2,16 dB

0,95

90

135

180

189

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.26. Diagrammes de rayonnement du rseau de 2x1 lments dphasage pour


diffrents .

La limitation du dpointage observe sur le diagramme de rayonnement du rseau, est


due aux caractristiques de rayonnement de llment de base qui est utilis pour la mise en
rseau. En effet, plus le dpointage souhait est fort, plus langle d'ouverture - 3dB
caractrisant, llment de base, doit tre grand. L'ouverture angulaire de notre antenne de
base est de 70 dans le plan H, soit -3dB = 35, ce qui explique le faible dpointage obtenu.
Cependant, si l'on continue travailler avec ce rseau dantennes dphases et si lon
considre les rsultats de la figure 5.26, les meilleures caractristiques de rayonnement sont
celles obtenus avec notre rseau dantenne pour = 90. En effet, le mme dpointage est
pratiquement assur avec toutes les valeurs de (voir figure 5.9a). Mais, avec le dphasage
de 90, le gain et l'angle douverture -3 dB sont meilleurs tandis que l'amplitude des lobes
secondaires est plus faible.
V.6.2. Caractristiques du rseau de 2x1 antennes patch excites par des microrubans en
U et associes des dphaseurs MEMS-RF 1-bit, pour = 90
Les diagrammes de rayonnement de notre rseau de 2x1 antennes patch, ont t
simuls dans le cas o les deux dphaseurs MEMS-RF 1-bit qui l'quipent, produisent un
dphasage = 90. Notons que ce type de dphaseur est caractris par trois combinaisons
dtats de phase, savoir (1, 2) = (0,0), (0, 90), et (90, 0), engendrant donc trois
dpointages du rayonnement. La figure 5.27 illustre les rsultats de la simulation obtenus dans
le plan H, aux frquences F = 56 GHz, 60 GHz et 64 GHz en considrant les caractristiques
relles du dphaseur 1-bit de 90. On trouve que pour = 0, le lobe principal se positionne
= 0 avec un gain de 7,8 dBi, tandis que pour = 90, ce lobe se dirige vers = 30
avec un gain de 6,2 dBi, quelle que soit la frquence.

190

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Figure 5.27. Diagrammes de rayonnement du rseau de 2x1 antennes patch et dune antenne
patch seule dans le plan H, 56 GHz, 60 GHz et 64 GHz.

Ces diagrammes ont t compars ceux dune antenne patch oprant seule. On
constate alors que la forme des diagrammes de rayonnement de ce rseau dantennes change
beaucoup moins avec la frquence que dans le cas du patch isol. Ce rsultat s'explique par le
fait que la mise en rseau de notre antenne compense les phnomnes qui perturbent la forme
du diagramme de rayonnement du patch seul observ dans le paragraphe V.4.2. On trouve
aussi que grce au dpointage du faisceau du rseau = 30, le gain s'accrot de 1 dBi
57 GHz, de 4 dBi 60 GHz et de 5 dBi 64 GHz comparativement celui de l'antenne patch
isole.
V.6.3. Mise au point sur membrane Si/BCB, d'un rseau de 2x1 antennes patch excites
par des microrubans en U et dphases de = 90
Un rseau de 2x1 lments dantennes dphases a t ralis afin de valider le
dpointage du faisceau de lantenne pour un dphasage de = 90, tel que dfini au
paragraphe prcdent. La figure 5.28 donne une photographie de ce rseau.
Comme le montre la figure 5.28a, le dphasage de = 90 entre les deux patchs
constituant ce rseau, a t ralis en rallongeant lun des accs dalimentation de ces
antennes avec un tronon de ligne de longueur L = g/4. Malheureusement, comme l'indique
la figure 5.28b, lors de la ralisation du rseau d'antennes, un dfaut de gravure a provoqu un
court-circuit au coude de la ligne dalimentation CPW o a t insre la ligne quart - d'onde
qui assure le dphasage de 90. Ce court circuit qui n'est pas franc, quivaut la mise en
parallle d'une rsistance de valeur assez faible avec la ligne CPW. De ce fait, les conditions
d'adaptation avec la transition CPW - microruban ne sont plus satisfaites car une partie de la
puissance transmise est absorbe par cette rsistance. Les courbes de simulation et de mesure
de la figure 5.29a mettent en vidence linfluence du court-circuit sur le paramtre
dadaptation (S11) du rseau commande de phase. Elles permettent d'apprcier les pertes de
dsadaptation du rseau dantenne et indirectement, la chute du gain cause par ce court-

191

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

circuit. Les courbes de la figure 5.29b donnent les rsultats de la simulation et de la rtrosimulation du gain maximum obtenus pour langle de dpointage max.

(a) Rseau 1x2 lments et alimentation

(b) court-circuit.

avec dphasage de 90.


Figure 5.28. Rseau dantennes commande de phase, avec dphasage de 90.

(b) Gain max

(a) Paramtre S11

Figure 5.29. Mesure, simulation et rtro-simulation du rseau dantennes dphases de 90.

Ces courbes indiquent que la chute du gain due au court-circuit, est de 3 4 dBi dans
la bande allant de 57 GHz 64 GHz. De tels rsultats prouvent que, malgr que lun des accs
de la ligne CPW soit partiellement endommag, cette ligne a continu assurer l'alimentation
de son lment d'antenne. Par consquent, nous avons pu mesurer les caractristiques de
rayonnement du prototype antennaire de la figure 5.28 et voir comment valider partiellement
l'tude faite au paragraphe V.6.2. Pour cela, les diagrammes de rayonnement de ce rseau
dantennes ont t tracs exprimentalement dans les plans E et H, la frquence de 60 GHz.
Ils ont aussi t simuls sous HFSS. La figure 5.30 donne une reprsentation de ces
diagrammes sur l'abaque de Smith. Les rsultats ainsi obtenus par la mesure et par la rtrosimulation, montrent que malgr la prsence du court-circuit, ces diagrammes ont

192

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

globalement la mme allure dans leurs plans respectifs et que le rseau d'antennes tudi,
ralise un dpointage max = - 30 dans le plan H, grce au dphasage de 90 entre les deux
lments d'antenne du rseau.

Figure 5.30. Diagramme de rayonnement du rseau dantennes dphases.

Lorsque ce rseau d'antennes est simul sans le court-circuit, il est, videmment,


convenablement adapt dans la bande de frquences allant de 55 GHz 65 GHz et il est
dpoint - 30 dans le plan H, avec un gain d'environ 7,5 dBi (voir courbe en rouge de la
figure 5.29a). Comme les rsultats exprimentaux et simuls sont compatibles, la validit du
rseau de 2x1 antennes patch excites par des U-microrubans et dphases de = 90 est
vrifie. Par consquent, ce rseau se prte bien son utilisation dans des liaisons RF par
beamforming 60 GHz.
V. 6.4. Amliorations pour la conception des rseaux dantennes dphases
Nous venons de montrer quun rseau compos 2x1 antennes patch excites par des Umicrorubans et associes des dphaseurs MEMS-RF 1 bit, possde de bonnes
caractristiques, tout en tant simple raliser. Ce type dantenne est parfaitement exploitable
pour des rseaux de communication WPAN suivant la norme IEEE 802.15.3c et il est idal
pour des liaisons beamforming 60 GHz exigeant des dpointages 30 et un minimum
dlectronique embarquer. De plus, ce dispositif est aisment intgrable sur le mme support
en Silicium que celui d'un front-end radio de ce type de liaison.
Cependant, deux grosses contraintes empchent ce systme antennaire de balayer un
secteur de lespace avec des angles de dpointage suprieurs 30. Ce sont les pertes dans
les dphaseurs MEMS-RF et les performances de llment de base qui sert former le rseau
dantennes. Rappelons qu'tant un patch carr sur membrane Si / BCB, excit par une ligne
microruban avec terminaison en U via un couplage dilectrique, cet lment de base est, la
fois, compact et large bande.
193

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Etant donn sa compacit, notre lment de base a t assimil une source isotrope.
Puis, grce notre tude sur la mise en rseau de sources isotropes dphases, nous avons vu
que les pertes dues aux dphaseurs augmentaient trs vite avec le nombre de faisceaux
gnrer et la taille du rseau. Ainsi, avec des rseaux de grande taille, les pertes dans les
dphaseurs sont tellement fortes qu'il en rsulte une dtrioration importante du gain de tout le
rseau d'antennes commande de phase. Dans ces conditions, il est prfrable de travailler
avec des rseaux de plus faible taille. Dans ce cas, nous avons trouv que l'utilisation d'un
rseau de deux lments munis de dphaseurs faibles pertes, assurait le meilleur compromis
entre son gain et la simplicit de sa mise en uvre. Mais, nous avons constat qutant donn
le caractre limit des caractristiques de rayonnement de notre antenne de base, il tait
impossible de raliser de forts dpointages du faisceau dantenne et le balayage souhait
60, avec seulement un rseau deux lments.
Si lon voulait respecter les spcifications tablies pour la liaison par beamforming,
savoir assurer un gain minimum de 4,3 dBi entre 60, on pourrait envisager deux sortes de
solution pour remdier la problmatique qui vient d'tre ainsi expose.
L'une des solutions serait de changer dlment de base en recherchant des topologies
semblables notre antenne en termes de bande passante, mais dont l'ouverture angulaire serait
suffisamment large pour permettre une mise en rseau caractrise par un balayage plus large,
atteignant 120 au minimum. Cette solution nest pas intressante, car le champ produit dans
ce cas, tendrait vers une distribution isotrope dont le gain serait faible, avec un rayonnement
arrire trs important qui perturberait forcment les autres composants lectroniques du
dispositif RF.
L'autre solution consiste insrer, en mission, des amplificateurs (PA)
supplmentaires aprs les dphaseurs MEMS-RF et rajouter en rception, des amplificateurs
de type (LNA) avant ses dphaseurs pour compenser les pertes que gnrent ces derniers. La
figure 51a illustre la configuration obtenue en mission.
D'aprs notre tude, si on insrait de tels amplificateurs RF dans un rseau de 4x1
antennes patchs excites par des U-microrubans et associes des dphaseurs MEMS-RF 3bits, ce rseau pourrait assurer aisment le balayage entre 60 avec le gain minimum dsir,
savoir 4,3 dBi.
Dans ce cas, le systme antennaire de la figure 5.31 est parfaitement dimensionn pour
assurer une couverture RF un grand nombre de passagers par station de base (AP) dans la
carlingue dun avion et la puissance RF ncessaire pour quils bnficient simultanment,
d'une transmission haut dbit.
Cependant, pour couvrir lespace escompt avec ce rseau, nous devons grer cinq
faisceaux dantenne, rendant difficile lattribution simultane de lintensit RF ncessaire.
Lorsquon gre plusieurs faisceaux, il est tout de mme possible de crer des conditions de
couverture quasi-instantane condition que la commutation des composants MEMS-RF se

194

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

fasse avec un temps trs court, donnant ainsi une impression dinstantanit. Aussi, daprs
les travaux de [14], de tels composants remplissent tout fait ces conditions puisquils sont
caractriss par un temps de commutation variant entre 10 et 20 s.
Par contre, il est clair que la solution dcrite par le schma de la figure.5.31a est plus
complique mettre en uvre et ncessite une tude conceptuelle plus approfondie. De plus,
lexploitation de ce systme antennaire pour notre application, implique de prvoir un rseau
dantennes l'mission et la rception, capable de compenser les pertes dues aux dphaseurs
MEMS et de satisfaire les exigences de la liaison par beamforming. Finalement, tous ces
lments font que notre systme antennaire de 2x1 lments dantennes patchs excites par
des U-microrubans associ ses dphaseurs MEMS-RF, est un bon candidat pour des
applications 60 GHz ncessitant une liaison RF beamforming, car ce rseau dantennes
dphases peut tre utilis aussi bien en mission quen rception. De plus, il ralise le
meilleur compromis entre la rduction de la complexit de mise en oeuvre, la couverture RF,
la bande passante et le niveau du gain.

(a) Constitution du rseau

(b) diagramme de rayonnement du rseau

Figure 5.31. Rseau de 4x1 lments dantennes associ des amplificateurs RF et des
dphaseurs MEMS-RF 3 bits (avec dpointage 60 et gain minimum de 4,3 dBi).

V.7. Synthse des rsultats


Dans ce chapitre, nous avons montr la faisabilit d'un rseau dantennes associ ses
dphaseurs sur un mme support en Silicium, pour des transmissions RF par beamforming.
Ce systme antennaire a t conu de manire quiper les dispositifs RF des stations de base
pour des applications 60 GHz dans les avions.
Le rseau dantennes est compos dantennes patch excites par des U-microruban et
ses dphaseurs sont de type MEMS-RF. Ces deux composants ont t raliss sur le mme

195

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

substrat en Si/BCB. La partie antennaire a t ralise sur une membrane forme d'une couche
de Si de 1,4 m d'paisseur sur laquelle on a superpos un film de BCB de 10 m d'paisseur.
A cet effet, une cavit d'air de 5 mm x 7 mm de surface et de 398,6 m de profondeur a t
creuse dans le substrat en Silicium sous le rseau dantennes. La permittivit relative de ce
substrat est alors fortement rduite et le rendement des antennes est nettement amlior.
Cependant, les discontinuits du support d'antenne au niveau de la membrane
provoquent un changement brutal de la permittivit dilectrique sous la ligne microruban qui
alimente lantenne et favorisent lexcitation dun mode parasite d'ordre suprieur. La prsence
non ngligeable de ce mode se rpercute alors sur la forme du diagramme de rayonnement de
lantenne, car dans ce cas, louverture angulaire de lantenne varie avec la frquence et un
lobe secondaire apparat = + 90 dans le plan E.
Malgr les phnomnes parasites ainsi observs, les caractristiques de rayonnement
de notre antenne de base sont tout fait satisfaisantes pour notre application et ce, malgr
linfluence des caractristiques dilectriques du Silicium sur celles-ci. De plus, la mise en
rseau de cette antenne permet, grce l'effet de couplage inter-lment, damliorer la
directivit de lantenne dans le plan H, avec un faisceau relativement stable sur toute sa bande
passante.
Ltude de la mise en rseau de lantenne patch excite par un U-microruban a t
faite en incluant les pertes des dphaseurs MEMS-RF. D'aprs les rsultats de la simulation,
un rseau form de deux de ces antennes dphases entre elles de 90, ralise le meilleur
compromis entre la rduction de la complexit de ralisation de lantenne, le gain et l'tendue
de l'espace couvert par le dpointage de son faisceau.
Ce rseau dantennes dphases permet un dpointage maximal 30. Dans la plage
angulaire, le gain maximum de ce rseau varie de 6,2 7,8 dBi lorsque la frquence va
57 GHz 64 GHz. Pour notre rseau dantennes co-intgres avec leurs dphaseurs, on
observe donc une amlioration du gain de 1 5 dBi comparativement au gain de l'antenne
patch oprant seule.
Les rsultats exprimentaux obtenus sur notre lment de base et sur ce rseau, ont
permis de valider leurs diagrammes de rayonnement dans la bande des 60 GHz. Ainsi, on
trouve que grce leur implantation sur membrane Si / BCB, ces deux sortes d'antenne
couvrent parfaitement la bande passante allant de 55 GHz 65 GHz, avec un gain maximum
gal respectivement 6,5 dBi et 9,5 dBi.
Le rseau de deux patchs excits par des U-microrubans et dphases de 90, a
galement fait l'objet de mesures au Laboratoire pour valider le dpointage escompt. Malgr
les difficults rencontres pendant la fabrication de ce rseau dantennes, celui-ci a pu tre
valid exprimentalement. En particulier, la mesure des diagrammes de rayonnement a
montr que le lobe principal tait dirig vers = -30 dans le plan H, lorsque le dphasage
inter-lments tait = 90.

196

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

Toutes ces caractristiques font quun rseau de deux lments dantennes associ
ses dphaseurs MEMS-RF, est une solution trs intressante pour raliser des liaisons RF
par beamforming 60 GHz, haut dbit, faible complexit de ralisation et avec des angles
de dpointage de 30. Aussi, lors de futurs travaux, il serait intressant de poursuivre cette
recherche en exprimentant la co-intgration de notre rseau d'antennes avec des dphaseurs
MEMS 1bit.

197

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

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2011, Roma, Italy.
[8] V. Puyal, D. Dragomirescu, C. Villeneuve, P. Pons et R. Plana Dphaseurs base de MEMS RF
60 GHz pour systmes rseaux dantennes reconfigurables , 16mes Journes Nationales
Microondes, 27-29 Mai 2009, Grenoble, France.
[9] Leung, L.L.W., Wai-Cheong Hon, Chen, K.J. "Low-loss coplanar waveguides interconnects on
low-resistivity silicon substrate", IEEE Transactions on Components and Packaging
Technologies, vol.27, no.3, pp. 507- 512, 2004.
[10] Dubuc, D., Rabbia, L., Grenier, K., Pons, P., Vendier, O., Graffeuil, J., Plana, R. Original
MEMS-Based Single Pole Double Throw Topology for Millimeter Wave Space Communications
, European Microwave Conference 2003, pp. 979-982, October 2003 Munich, Germany.
[11] Dengpeng Chen, Quanxin Wang, Zhongxiang Shen. "A broadband microstrip-to-CPW
transition", Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, APMC 2005, vol.2, pp. 4, 4-7 Dec.
2005.
[12] Gauthier, G.P., Katehi, L.P., Rebeiz, G.M. "W-Band finite ground coplanar waveguide (FGGPW)
to microstrip line transition", International Microwave Symposium Digest IEEE MTT-S , vol.1,
pp.107-109, 7-12 June 1998.
[13] Strauss, G., Ehret, P., Menzel, W. On-wafer measurement of microstrip-based
MIMICs without via holes, International Microwave Symposium: IEEE Digest MTT-S, vol.3,
pp.1399-1402, 1996.

198

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

[14] Ruan, J.; Papaioannou, G.J.; Nolhier, N.; Bafleur, M.; Coccetti, F.; Plana, R.; ESD stress in RFMEMS capacitive switches: The influence of dielectric material deposition method, Reliability
Physics Symposium, 2009 IEEE International, Page(s): 568 572, 2009.

199

Chapitre V: Mise au point d'un rseau d'antennes dphases sur Si: Applications au beamforming 60 GHz

200

Conclusion gnrale et Prospectives


Le rseau dantennes dphases que nous avons labor pour raliser une liaison sans
fil 60 GHz, est un systme antennaire complet, co-intgr avec ses dphaseurs - RF, dont la
position du faisceau dantenne est lectroniquement command (ou reconfigurable). Ce
systme antennaire prvu pour quiper les stations de base dun rseau de communication
60 GHz lintrieur dun avion, permet d'assurer aux passagers une connexion haut dbit.
Les caractristiques des antennes ont t spcifies de manire que ce rseau soit capable de
fournir 80 Mb/s / passagers et notamment, d'assurer la transmission de donnes TVHD
compresses de type MPEG2.
Pour rendre aise leur intgration sur un mme support en Silicium que celui du frontend radio 60 GHz, notre rseau d'antennes et ses dphaseurs ont t conus de manire
tre entirement raliss sur un Wafer en Silicium. A cet effet, le prototype que nous avons
tudi, est constitu de deux lments d'antenne excits par des dphaseurs munis de MEMSRF. Cette configuration a t choisie partir des rsultats de ltude ralise dans le
chapitre V, qui consiste montrer linfluence ngative des pertes de dphaseurs sur le gain du
rseau dantennes lorsque le nombre dlments dantennes est lev. Ainsi, cette tude a
montr quun rseau constitu de deux de nos lments dantennes associs aux dphaseurs
MEMS-RF, ralisait le meilleur compromis entre le gain total du rseau, la couverture RF et
simplicit de mise en uvre.
Le rseau dantennes et ses dphaseurs sont dposs sur un mme substrat en Silicium
(Si) / benzocyclobutne (BCB), dans lequel une membrane est amnage. En effet, les
antennes sont graves sur cette membrane tandis que les lignes d'alimentation, les dphaseurs
et leurs MEMS sont implants sur le support massif en Si/BCB. Les dphaseurs dots de
commutateurs MEMS, ont t privilgis pour des raisons dencombrement et de
performances. La technologie de la membrane confre un rendement lev (avoisinant les
90 %) llment rayonnant, tout en mettant judicieusement profit les proprits physiques
du Silicium. Chaque lment de notre rseau dantenne est un patch carr aliment par une
ligne microruban dont la terminaison est en forme de U (U-microruban). Le patch est alors
excit avec cette terminaison par couplage lectromagntique via un gap dilectrique.
L'tude faite au chapitre IV, a montr quune alimentation microruban avec
terminaison en forme de T ou U contribue accroitre la bande passante dune antenne patch
jusqu trois fois, mais avec une configuration beaucoup plus simple et moins encombrante
que celles obtenues avec d'autres procds communment utiliss sur un mme support
dilectrique pour augmenter la bande passante dun patch carr.
Nous avons opt pour l'antenne patch excite par une alimentation en forme de U car
elle possde une bande passante plus large que la bande 57-64 GHz requise et elle est dune
compacit quivalente celle d'une antenne patch classique, ce qui facilite sa mise en rseau
avec des distances inter - lments valant au minimum 0/2 = 2,5 mm. De plus, les
201

diagrammes de rayonnement obtenus avec cette antenne, sont similaires ceux d'une antenne
patch classique et varient trs peu avec la frquence.
Remarquons que comparativement l'antenne classique forme d'un simple patch,
lalimentation avec une ligne microruban via un gap dilectrique induit un accroissement de la
polarisation croise denviron 5 dB dans le plan H. Mais, ce niveau reste faible car il est
infrieur - 20 dB sur toute la bande passante et il est relativement plus bas que dans le cas
d'autres configurations large bande, o la polarisation croise varie de - 15 dB - 7 dB.
Lors de la conception de nos antennes sur Silicium, nous avons mis en vidence
l'existence de modes parasites (mode suprieur et mode de substrat) dans les lignes
microrubans au voisinage de 60 GHz. Ces modes apparaissent surtout lorsque le substrat est,
comme dans notre cas, de forte permittivit dilectrique et possde une paisseur de plusieurs
centaines de m. En particulier, nous avons constat exprimentalement que l'excitation des
modes parasites est accentue avec laugmentation de lpaisseur du substrat et induit de
fortes pertes dans celui-ci. Une autre source d'excitation des modes parasites est la
discontinuit du support dantenne observe quand on passe du matriau massif la cavit
d'air sous la membrane en Silicium. Dans ce cas, ce type de mode donne naissance une
dformation du diagramme de rayonnement, accompagne d'une augmentation de la
polarisation croise dans le plan H. Cependant, malgr que l'influence du Silicium pais soit
significative, lantenne patch excite par un U-microruban, ne dissipe que peu de pertes dues
aux modes parasites et ses caractristiques de rayonnement sont tout fait satisfaisantes pour
notre application.
Aprs avoir rsolu les problmes de dimensionnement et d'adaptation par la simulation
des structures tudies, les modules antennaires ainsi spcifis, ont t raliss sur la base de
procds de fabrication valids pralablement en laboratoire sur des fonctions lmentaires
(lignes de transmission et antennes), puis sur des sous-ensembles plus complexes (rseaux
dantennes qui - phases et dphases). Malgr des difficults lies la fabrication des
prototypes d'antenne, l'exploitation de la gamme millimtrique et la recherche des
meilleures performances, la validit de tous ces blocs fonctionnels a pu tre teste et prouve,
grce aux outils de caractrisation et de modlisation dvelopps en laboratoire.
Les rsultats exprimentaux que nous avons obtenus avec des prototypes finaux
raliss sur Silicium / BCB, pour lantenne patch excite par U-microruban et pour sa mise en
rseau de 2x1 lments, confirment que ces deux sortes dantenne couvrent parfaitement une
bande passante allant de 55 GHz 65 GHz, avec un gain maximum gal respectivement
6,5 dBi et 9,5 dBi.
Sur la base des mesures effectues sur notre rseau deux antennes et des donnes de
phase et de pertes caractrisant les dphaseurs avec commutateurs MEMS-RF, nous avons
simul ce rseau lorsqu'il est contrl par les dphaseurs MEMS. Le rseau d'antennes ainsi
tudi, est bien adapt des applications de beamforming 60 GHz dans un espace limit par
une plage angulaire de 30. Dans cette plage, le gain maximum de ce rseau varie de 6,2
202

7,8 dBi. Notons que le dpointage du faisceau d'antenne 30 a t valid


exprimentalement en ralisant un dphasage fixe par retard de ligne entre les deux lments
dantennes.
Notre rseau dphas compos de deux de nos antennes patch excites par des Umicrorubans, assure un balayage par ondes RF sur une tendue maximum de 30. Si ce
systme antennaire doit quiper un rseau de communication haut dbit dans les avions, il ne
pourra, donc, pas assurer la couverture RF ncessaire pour lapplication escompte, savoir
un gain de 4,3 dBi sur une zone - 60 < < + 60. Cependant, on trouve quun rseau de
quatre lments dantennes dphases peut satisfaire cette exigence, condition que les fortes
pertes des dphaseurs MEMS-RF soient compenses grce des amplificateurs RF
supplmentaires de type PA en mission et de type LNA en rception. Par contre, ce type de
configuration dantennes est assez complexe mettre en uvre. Dans ces conditions, on voit
que malgr les limites observes sur la couverture RF avec notre rseau de 2x1 lments
dantennes dphases, ce dernier permet un bon compromis en termes de simplicit de
ralisation et de performance en rayonnement. Par consquent, ce rseau demeure un trs bon
candidat pour son exploitation dans des rseaux 60 GHz oprant par beamforming.
Si ce type de recherche venait se poursuivre dans le futur, la faisabilit du
dploiement dun rseau de communication complet, quip de notre rseau d'antennes
commande de phase resterait tre value in situ. Cette tude qui serait applicable
l'intrieur d'un avion de ligne, devrait notamment inclure les interfaces de paramtrage
dynamique pour la gestion de la couverture multi-usagers.
A court terme, dans le cadre de telles perspectives, il faudrait, tout dabord, passer la
ralisation pratique de la co-intgration sur un Wafer en Silicium/BCB, du rseau d'antennes
form de 2x1 antennes patch implantes sur membrane, excites par des feeders de type Umicroruban et associes aux dphaseurs commutateurs MEMS-RF. Un premier test
fonctionnel de ce rseau permettrait alors de montrer limpact rel li lexploitation des
MEMS-RF lorsquon veut raliser un systme RF formation de faisceau vers 60 GHz.
A long terme, aprs la caractrisation de ce systme antennaire, on pourrait envisager,
si ncessaire, de mettre au point un rseau de 4x1 lments et de l'associer des dphaseursRF et des amplificateurs RF pour couvrir une zone de l'espace de 60. Le prototype final
de notre rseau d'antennes commande de phase devrait ensuite subir des tests de validit et
de reproductibilit en vue de sa fabrication en srie. Ce n'est qu'aprs cette tape de
validation, qu'il serait possible d'aborder le processus dinsertion de ce systme antennaire
dans un dispositif RF complet, en le ralisant entirement sur le mme support en Silicium.
Dans ce cas, il serait possible de mener une exprience pour valuer lapport rel dune
transmission RF par beamforming 60 GHz avec ce rseau.
Dans le but doptimiser les moyens dexprimentation du laboratoire Lab-STICC, il
serait, surement, intressant d'automatiser la mesure du diagramme de rayonnement des

203

antennes 60 GHz lorsque la station sous pointes est utilise et de voir comment amliorer la
mesure de la rponse de la puissance transmise. En effet, pour ce dernier point, le chapitre III
indique que nos mesures sont, pour l'instant, ralises en espace libre et que d'importantes
fluctuations accompagnent tous les diagrammes obtenus exprimentalement. Une solution
cette problmatique serait d'amnager une enceinte ferme de type chambre anchode, de
faon que notre systme de mesure exploitant la station sous pointes, soit isol des
perturbations externes. Ceci impliquerait videmment de dimensionner convenablement cette
chambre en considrant toutes les contraintes mcaniques de la station sous pointes
Par ailleurs, comme nous lavons fait remarquer au chapitre I, linteraction des ondes
lectromagntique 60 GHz avec des obstacles environnants peut devenir critique cause de
la faible valeur de la longueur donde (de lordre du millimtre). Ainsi, en pratique, lors d'une
liaison RF polarisation linaire, il se peut que les ondes transmises subissent dans certains
cas, une rotation de polarisation qui rend la restitution du signal impossible. En particulier,
selon lorientation du rcepteur face une borne d'mission, la liaison radio peut tre
fortement dgrade si on se retrouve en polarisation croise. Pour pallier ce phnomne de
dpolarisation et rendre la liaison RF 60 GHz plus robuste, nous avons envisag de mettre
en uvre une solution base sur l'emploi d'antennes patch en polarisation circulaire lors de la
rception L'antenne que nous avons conue pour raliser la polarisation circulaire 60 GHz,
est dcrite par la figure suivante.

Brivement, cette antenne se compose d'un patch carr implant sur une membrane
Si/BCB et couple deux lignes microrubans avec terminaison en T, par le biais d'un gap
dilectrique. Ces deux lignes sont places perpendiculairement l'une l'autre sur deux des
cts adjacents du patch. Un dphasage de 90 est ensuite appliqu entre ces lignes faisant
office de deux ports dexcitation orthogonaux. Grce une telle configuration, les caractres
'polarisation circulaire' et 'large bande' ont pu tre obtenus. En effet les rsultats de
modlisation de cette antenne, montrent que cette antenne permet de couvrir 15 % de bande

204

passante relativement 60 GHz, avec un faible taux dellipticit, soit: TE < 2,5 dB. Notons
quen pratique quun taux dellipticit (TE) infrieur 3 dB est suffisant pour que la
polarisation de lantenne soit polarisation circulaire pure.
Les figures ci-aprs, reprsentent les diagrammes de rayonnement de notre antenne en
polarisation circulaire, obtenus respectivement 56 GHz, 62 GHz et 64 GHz. D'aprs ces
diagrammes, la polarisation circulaire obtenue avec cette antenne, est suffisamment pure sur
toute la bande des 60 GHz puisque le niveau de polarisation croise est de 15 dB. Cependant,
avec ce type de configuration, le gros problme est darriver concevoir un coupleur
branches capable dassurer un dphasage constant de 90 entre 56 GHz et 64 GHz pour
raliser une polarisation circulaire sur toute la bande des 60 GHz.

A plus long terme, Il serait souhaitable de raliser sur site le dploiement du rseau de
communication 60 GHz pour des applications haut dbit dans les avions de ligne, incluant
les interfaces de paramtrage dynamique pour la gestion de la couverture multi-usagers. Entre
autres, pour valuer la capacit de notre rseau en s'appuyant sur des lments fiables, des
tests devraient tre mens en considrant les conditions ralistes de communication dans la
carlingue dun aronef, c'est--dire, en prenant en compte les perturbations dune liaison RF
lies notamment la prsence des siges et des passagers.

205

206

Annexes

207

208

Annexe A
Calcul du gain pour la liaison point multi-point

Le calcul effectu au chapitre I pour tablir le bilan d'une liaison RF 60 GHz, est
dtaill ci-aprs. Le but de ce calcul est de dterminer le gain permettant d'assurer chaque
passager, les dbits d'information dfinis soit par la norme IEEE.802.15c pour la TVHD
normale, soit par la norme MPEG2 pour la TVHD compresse (voir Tableau A.1). Le calcul
tant le mme que pour les autres cas (dbits et canal), considrons la couverture RF dcrite
par la figure A.1. Supposons que le dbit d'information soit de 80 Mb/s et qu'on ait un canal
de propagation HRP gal 1,76 GHz.
Tableau A.1. Dbits de la TVHD compresse suivant la norme MPEG 2.
Paramtres

TVHD compresse (MPEG2)

Rsolution (pixel)

352x288

720x576

1440x1152

1920x1152

Dbit max

4 Mb/s

15 Mb/s

60 Mb/s

80 Mb/s

Figure A.1. Couverture RF (Identification des zones claires par une antenne).

209

D'aprs la figure A.1, la couverture RF vers les passagers est divise en trois
principales zones :

Une zone en Rouge - 20 - 20 qui inclue 4 passagers.

Une zone en Orange - 40 - 20 + 20 + 40 englobant 12 passagers.

Une zone en Brun 60 - 40 + 40 + 60 qui couvre 16 passagers.

Lquation des tlcommunications permet d'valuer la puissance reue dans ces


zones. Soit:

C = Ptr
G eG r
4d
2

(A -1)

Dans cette quation, Ptr est la puissance transmise par rayonnement dans lespace libre,
GR, le gain de lantenne de rception, Gtr, le gain de lantenne dmission, , la longueur
donde dans le vide et d, la distance sparant ces deux antennes. Cette puissance exprime en
dB, est:

D'o:


C dB = (Ptr )dB + 20 log
+ (G e ) dB + (G r ) dB
4d

(A - 2)


(G e + G r ) dB = C dB (Ptr )dB 20 log

4d

(A - 3)

Application numrique :
A 60GHz, on a: = 5 mm. Compte tenu de la norme IEEE. 802.15c, la puissance
transmise par lantenne est Ptr = 10 dBm.
Daprs la relation (A - 3), le gain (Ge + Gr) peut tre dtermin en valuant la
puissance reue (C) et la distance (d) sparant lmetteur du rcepteur pour chaque passager.

Calcul de la puissance reue (C):


Soit SNR (Signal to Noise Ratio), le rapport signal sur bruit dun dispositif RF de
transmission numrique, R, le dbit dinformation numrique, BT, la bande passante du
systme, Eb, l'nergie requise par bits et N0, la densit spectrale de bruit ou puissance de bruit
thermique pour une bande passante de bruit de 1 Hz. La puissance reue C se dduit du
rapport signal sur bruit du dispositif RF en crivant que:

SNR =

C Eb R
=
N N 0 BT

E
En dB, il vient: (C) dB = b
N0

(A - 4)

R
+ 10 log
BT
dB

210

N dB

(A - 5)

Le Tableau A.2 donne les diffrents paramtres intervenant dans le calcul de la liaison
RF 60 GHz. La recherche bibliographique ralise au chapitre I, a permis de choisir
minutieusement chacun de ces paramtres. Le Tableau A.3 donne les rsultats du calcul de la
liaison RF 60 GHz, dont le gain ncessaire pour fournir chaque passager, un dbit de
80 Mb/s. Notons que ce gain est obtenu par zone, pour un gain en rception Gr = 0 dBi.
Tableau A.2. Caractristiques gnrales du dispositif RF 60 GHz.

Caractristiques
du rseau

Paramtres

Canal HRP

Bande de frquences

57-64 GHz

Modulation

OFDM-16QAM (Rc = 1/2)

Puissance Tx

10 dBm

Temprature du systme (T)


25C

300 K

NF (facteur de bruit)

10 dB

Bande du canal de
transmission

1,76 GHz
-6

pour un Eb/N0 BER = 5 10

13 dB

Gain en rception (Gr)

0 dBi

Tableau A. 3. Gain ncessaire par zone pour assurer un dbit de 80 Mb/s / passagers.
- 40 < < - 20 et

- 60 < < - 40 et

20 < < 40

40 < < 60

12

16

80

80

80

Capacit (R) en Mb/s

320

960

1280

Puissance reue (C)

- 66 dBm

- 61 dBm

- 60 dBm

Gain

- 7 ,7 < Ge < - 7,2

-2,4 < Ge < -0,7

0,5 < Ge < 4,3

Zone
N

bre

total de passagers

Dbit / passagers en
Mb/s

- 20 < < 20

211

Dbit binaire (R) dsir:


Le dbit qui intervient dans lquation (A - 5), est aussi la capacit binaire (R) dsire.
Pour un dbit minimum par passager ( savoir 80 Mb/ s / passagers), cette capacit dpend du
nombre de passagers. En effet, le tableau A.3 indique que la capacit totale (R) requise pour
assurer 80 Mb/ s / passagers, varie sensiblement d'une zone l'autre.
Dfinition de la densit de bruit :
Le bruit (N) dans un systme de communication scrit en dB, comme suit :
NdB = (NF)dB + 10 log (kTBT)

(A - 6)

o (NF) et le facteur de bruit, k = 1,380650 10-23 J/K est la constante de Boltzman et T, la


temprature du systme exprime en Kelvins.
A temprature ambiante (25), la temprature absolue du systme est quasiment:
T 300 K. Pour BT = 1,76 GHz, on trouve alors que: 10 log (kTBT) = - 81 dBm.
On dduit de lquation (A - 6) que: NdB = 10 dB - 81 dBm = - 71 dBm.
Calcul du rapport Eb / N0:
Le rapport Eb / N0 tant dfini selon la modulation employe, une modulation
16QAM-OFDM a t choisie pour notre application. Pour un BER de 5 x 10-6 et BT =
1,76 GHz, nous avons trouv que: (Eb / N0)dB = 13 dB (voir figure.1.14).
Les diffrents paramtres ainsi calculs, ont t introduits dans lquation (A - 4) pour
dterminer la puissance reue (C) qui permet dattribuer un dbit de 80 Mb/s chaque
passager. Les rsultats de ce calcul pour les trois zones sont reports dans le tableau A.3.
Calcul de la distance (d) entre lmetteur (AP) et les rcepteurs (Utilisateurs) et du gain
de la liaison RF
La figure A.2 reprsente la zone claire par lantenne. Soit h, la distance sparant le
point d'mission du centre (O) des zones de rception, , louverture angulaire de chaque zone
de couverture RF. La distance entre lmetteur et chacun des rcepteurs est:
d = h / cos

(A 7)

L'tendue d'une zone de couverture RF mesure le long de l'axe Ox , vaut:


x = h tg

(A 8)

212

Figure A.2. Variations de la distance entre lmetteur et chaque rcepteur en fonction de .

Application numrique : h = 1 m.
Pour - 20 < < + 20

1 m < d < 1,06 m et 0 < x < 36 cm.

Pour - 40 < < - 20 et 20 < < 40

1,06 m < d < 1,3 m et 36 cm < x < 84 cm.

Pour - 60 < < - 40 et 40< < 60

1,3 m < d < 2 m et 84 cm < x < 1,7 m.

Le gain Ge + Gr de chaque zone est calcul en fixant (Gr)dB 0 dBi et en introduisant


dans lquation (A - 5), les valeurs numriques de distance (d) correspondant chaque
ouverture angulaire (). Le Tableau A.3 donne les valeurs du gain obtenues pour chaque zone
de couverture RF.

213

214

Annexe B
Mthodes de calcul de limpdance caractristique et
normalisation de la simulation sous HFSS
En ce qui concerne la normalisation des rsultats, HFSS laisse la libert lutilisateur
de choisir la mthode de calcul de limpdance du port en fonction de la nature de la structure
tudie, savoir, les modles Zpi, Zpv ou Zvi.
Notons que la notice daide de HFSS prcise que Zpi est mieux adapt au calcul de
limpdance caractristique d'une ligne micro-ruban, Zpv convient trs bien la modlisation
des structures fentes comme les guides donde coplanaires et Zvi sapplique tout fait aux
structures o se propagent les modes TEM [1].
1. Zpi
Avec le Zpi, limpdance caractristique est calcule l'aide de HFSS en faisant le
rapport de la puissance (P) sur le carr du courant (I) :

Z PI =

P
I2

(B - 1)

Les champs E-M simuls sous HFSS permettent de calculer directement la puissance
et le courant. La puissance traversant le port est calcule par intgration sur la surface (S) de
ce port :
P=

(E H) dS

(B - 2)

(S)

Le courant qui traverse le port est calcul en considrant la loi d'Ampre:


I = HdL

(D - 3)

2. Zpv
Zpv est le rapport du carr de la tension (V) sur la puissance (P):
Z PV =

V2
P

215

(B 4)

La puissance (P) et la tension (V) sont calcules directement partir des champs E-M
simuls. La puissance (P) est dtermine de la mme manire quavec le Zpi, par intgration
de lquation (B - 2) et la tension est calcule en faisant :

V = EdL
(B 5)
L

3. Zvi
Zvi ralise le rapport de la tension sur le courant. Elle peut aussi tre considre
comme la moyenne gomtrique de Zpi et Zpv, savoir :
Z VI = Z PI Z PV

(B - 6)

Comme le spcifie la notice technique de HFSS pour les ondes TEM, limpdance Zpi
et Zpv forment respectivement les limites suprieure et infrieure de limpdance
caractristique relle dun port. Par consquent, Zvi est proche de la valeur relle de
l'impdance d'un port pour des structures ondes TEM.

Rfrences:
[1] HFSS Version 11.1, Ansoft Corporation, Inc, 1984-2008.
http://www.ansoft.com/products/hf/hfss/

216

Annexe C
Modlisation des lignes microrubans
Dans cette annexe, est prsente la mthodologie dexcitation de la ligne microruban
suivant respectivement les outils de simulation IE3D et HFSS. Elle concerne la mise en place
du port dexcitation et les mthodes de normalisation des rsultats.
C.1. Dfinition des ports dexcitation
Avant de procder la description des ports dexcitation, il est ncessaire davoir, au
pralable, une ide de la configuration dun mode quasi-TEM se propageant dans la ligne
microruban. Celle-ci est illustre par la figure C.1, o hsub est la hauteur du substrat, Ws, la
largeur de la ligne acheminant le signal RF (V).

(a) gomtrie de la ligne

(b) champ lectromagntique

Figure C.1. Reprsentation du mode quasi-TEM dans une ligne microruban.

Comme nous lavons expliqu au chapitre III, ce qui distingue les deux simulateurs
IE3D et HFSS, c'est leur lenvironnement de simulation.

C.1.1. Dfinition des ports dexcitation sur IE3D


IE3D exploite une excitation localise, ralise aux extrmits de la ligne
dalimentation en forant le mode TEM et en chargeant la ligne dalimentation avec une
impdance gale 50 . Il est, cependant, possible de dterminer la valeur de l'impdance de
charge aprs simulation. En tout cas, lexcitation est ralise sur la mme surface dilectrique
que celle de la structure simuler (voir figure C.2). De plus, il ne permet pas dafficher le
mode qui se propage dans la structure.

217

Figure C.2. Excitation dune ligne microruban modlise avec IE3D.

C.1.2. Dfinition des ports dexcitation sur HFSS


Le Wave port de HFSS retient par dfaut le premier mode, le reprsente et normalise
donc les impdances calcules sur limpdance de ce mode, aprs avoir dtermin tous les
modes compatibles avec la gomtrie du port dexcitation (voir figure C.3). Il revient ensuite
lutilisateur de vrifier la nature vanescente des autres modes associs ce port.

(a) Cas d'une ligne microruban.

(b) Cas d'une ligne CPW.

Figure C.3. Excitation par Wave port modlise avec HFSS.

De manire gnrale, pour assurer lexcitation des lignes de transmission, nous devons
crer sur chaque extrmit des lignes, une surface rectangulaire o sera applique le type
dexcitation (voir figure C.3). Aussi, dans un premier temps, nous allons mettre en vidence
les conditions requises pour exciter correctement nos structures Wave port.

218

C.2. Dimensionnement du Wave port


La surface rectangulaire o est insr le Wave port, doit permettre, dune part,
dexciter la ligne et, dautre part, dobserver les modes qui se propagent dans la structure. Par
consquent, il est important de connatre la carte des champs des modes et de sassurer quil y
a bien propagation du mode quasi-TEM dans ces lignes de transmission (voir figure C.1).
Dans le cas contraire, les rsultats de la simulation seraient fausss. En effet, HFSS procde
au calcul de limpdance caractristique dune structure donne partir des champs excits
dans cette dernire. Dans ces conditions, la taille du port est dune importance capitale car
selon ses dimensions, celui-ci permettra lexcitation et la propagation, soit du mode utile, soit
dun mode indsirable. La figure C.4 donne une reprsentation qui permet de dfinir les
dimensions du port et des champs calculs par HFSS pour la ligne microruban.
En gnral, quel que soit le type de lignes, une bonne simulation est ralise avec une
excitation Wave port, si on tient compte des conditions suivantes:
o Centrer horizontalement le Wave port sur la trace des lignes de transmission.
o Dimensionner le rectangle o le port doit tre mis en contact avec le ct de la
structure ainsi ralise (voir figure C.3).
Pour la plupart des lignes planaires, l'ouverture recommande pour recevoir le Wave
port, est de forme rectangulaire. Dans le cas de la ligne microruban, les dimensions de ce port
sont indiques par la figure C.4a.
Ainsi, d'aprs la notice de HFSS, on doit avoir pour la ligne microruban [3]:
o Une largeur du port faisant cinq fois la largeur (w) du microruban si la hauteur du
substrat est h < w, ou dix fois w si w h.
o Une hauteur du port suprieure 6 h et infrieure 10 h.
o La surface du Wave port amnage juste au dessus de la masse de la face arrire.
La figure C.4b dcrit la distribution des modes de propagation obtenus aprs
simulation, pour une ligne microruban. Elle montre quun bon dimensionnement du port
donne ncessairement une reprsentation correcte de la propagation du mode quasi-TEM
spcifique ces lignes.

219

(a) Dimensions du Wave port

(b) Reprsentation sous HFSS du mode quasiTEM se propageant dans un microruban.

Figure C.4. Dimensionnement de la surface dexcitation pour le Wave Port d'une ligne
microruban.

220

Annexe D
Modlisation des lignes CPW

Dans cette annexe, nous prsentons les mthodes permettant de raliser lexcitation
dune ligne CPW suivant les deux logiciels de simulation IE3D et HFSS. La ligne CPW et les
lignes de champ du mode fondamental quasi-TEM de cette ligne sont illustres par la figure
D.1, o hsub est la hauteur du substrat, Ws, la largeur de la ligne acheminant le signal RF (V)
et g , la fente entre la lame centrale et le plan de masse dans le cas de la ligne CPW.

(a) gomtrie de la ligne

(b) champ lectromagntique

Figure D.1. Reprsentation du mode quasi-TEM dans une ligne CPW.

D.1. Modlisation dune ligne CPW sous IE3D


Deux mthodes de simulation sous IE3D peuvent servir concevoir une ligne CPW.
Comme l'illustre la figure D.2, la mthode 1 permet de simuler la ligne CPW en
dposant sous forme de lignes coplanaires, des surfaces mtalliques de dimensions finies sur
un dilectrique de surface infini. Un port positif est alors prvu sur la ligne centrale et un port
ngatif, sur chaque face situe sur le cot pour dfinir la masse, ceci pour chaque accs de la
ligne. Dans ce cas, IE3D procde par maillage des surfaces mtalliques et calcule le champ
lectrique pour chaque maille. Linconvnient de cette mthode est que le temps de
simulation augmente avec la taille de la surface mtallique et dans ce cas, elle devient trs vite
coteuse en temps de calcul.
La simulation de la structure CPW avec la mthode 2 est dcrite par la figure D.2. Elle
consiste dposer sur un substrat dilectrique, une surface mtallique de dimensions
infiniment grandes. Puis, deux fentes y sont creuses jusqu faire apparatre le substrat (en
blanc sur la figure D.2). Ces fentes vont caractriser le gap g existant entre la masse et la
ligne centrale du CPW. Ensuite, les paramtres [S] de la ligne coplanaire sont simuls en
dotant de ports positifs et ngatifs, chacune des extrmits des fentes [1].
221

Figure D.2. Excitation dune ligne CPW modlise avec IE3D.

Comme lindique la figure D.2, le port est positif lextrmit gauche de la premire
fente et ngatif droite. Pour la seconde fente, le port est ngatif gauche et positif droite.
Le simulateur ralise un maillage des fentes et fait le calcul des champs magntiques maille
par maille. Etant donn le peu de surface mailler en comparaison avec la mthode 1, cette
deuxime mthode de simulation consomme beaucoup moins de temps de calcul.
D.2. Cration et dimensionnement du Waveport
Les rgles de modlisation utilises ci-aprs, ont t tablies selon le tutorial de HFSS.
Elles sont requises pour utiliser convenablement ce logiciel et exciter correctement une ligne
coplanaire (CPW).
Pour assurer cette excitation, le Wave port doit tre plac dans un rectangle cr sur
chacun des accs de la ligne (voir figure D.3). Cette surface permet aussi dobserver les
modes qui se propagent dans la ligne coplanaire. Comme HFSS procde au calcul de
limpdance caractristique partir du champ lectromagntique, il est important de connatre
la carte des champs caractrisant les modes de propagation et de sassurer quil y a bien
transmission du mode quasi-TEM dans cette structure. Autrement, les rsultats de la
simulation seraient fausss. Dans ces conditions, la dtermination de la taille du port est dune
importance capitale, car cela permet de savoir s'il s'agit du bon mode ou dun mode
indsirable.qui est transmis par la ligne CPW.
Pour la plupart des lignes coplanaires, la norme est d'affecter une forme rectangulaire
au Wave port dont les dimensions sont (voir figure D. 4):

Une largeur du port valant au moins trois fois la largeur globale du CPW, soit
3 x (2 g + w) o g est le gap et w, la largeur de la ligne CPW

Une hauteur du port valant au moins quatre fois lpaisseur h du dilectrique.

222

Figure D.3 Cration de la surface dexcitation devant recevoir le Wave port aux
extrmits d'une ligne CPW.

3 (2g + w)

3 (2g + w)
4h

4h
w
h

g
h

(a) CPW sans plan de masse

(b) CPW avec plan de masse

Figure C.4. Dimensionnement de la surface dexcitation pour le Wave Port.

Les conditions remplir pour une bonne simulation, sont:

La longueur et la largeur du Wave port ne doivent pas dpasser /2 : Cette restriction


permet d'viter lexcitation des modes dun guide d'onde rectangulaire.

Le Wave port doit tre centr horizontalement sur la trace du CPW.

Le rectangle o le port est mis en contact avec le ct de la structure, doit tre


dimensionn de faon qu'il ne dpasse pas le plan de masse pour un CPW possdant un tel
plan. Mais, si on simule un CPW sans plan de masse, la hauteur du port doit tre centre au
niveau de la couche mtallique du CPW (voir figure D. 4).

223

D.3. Distribution des modes de propagation


La distribution des modes de propagation obtenue aprs simulation, est donne par la
figure D.5a pour une ligne coplanaire sans plan de masse et par la figure D.5b pour une ligne
CPW avec plan de masse. Ces figures montrent quun bon dimensionnement du port donne
ncessairement une reprsentation correcte de la propagation du mode quasi-TEM spcifique
la ligne coplanaire.

(a) CPW sans plan de masse

(b) CPW avec plan de masse

Figure D.5. Application de HFSS la reprsentation des modes de propagation dans la


ligne CPW.

Pour certaines dimensions de la ligne coplanaire, le port peut, cependant, tre trop
large, soit: 3 x (2g + w) > /2. Un mode de guide donde risque alors dapparatre (voir
figure D.6a). Dans ce cas, il faut redimensionner le port de manire significative pour
n'obtenir que le mode escompt (voir figure D.6b)

(a) Mode TEM du guide donde

(b) Mode quasi-TEM du CPW

Figure D.6. Modes de propagation en fonction de la surface du port.

224

Annexe E
Modes parasites dans les structures microrubans de la
bande millimtrique
Le domaine dapplication des lignes microrubans est limit non seulement par
lapparition des modes dordre suprieur qui pose des problmes quant la dtermination de
limpdance caractristique de la structure, mais aussi par les couplages du mode quasi-TEM
avec les modes de substrat qui entranent des pertes nergtiques parfois trs importantes [1].
Dans le chapitre III, la constitution physique dune ligne microruban et la distribution
de son mode fondamental se propageant dans cette structure sont dcrites par la figure 3.1.
La figure E.1 reprsente les lignes de champs associs lapparition successive des
modes dordre suprieur [1]. Ces modes sont calculs en utilisant le modle de guide donde
appliqu la forme gomtrique d'une ligne microruban.
Soit hsub, la hauteur du substrat, co , la vitesse de la lumire et Zc , limpdance
caractristique. La frquence de coupure (Fgn) du mode d'ordre (n) s'crit:

Fgn =

nc o Z c
240h sub

(E 1)

Figure E.1. Lignes de champ caractrisant les modes dordre suprieur dans une ligne de
transmission ralise en technologie microruban [1].

225

Cette relation montre que l'ordre (n) est proportionnel la hauteur du substrat hsub,
pour Fgn et Zc fixes. Donc, plus cette hauteur augmente plus le risque dexcitation de modes
suprieurs augmente. Les figures E.2 et E.3 illustrent respectivement les variations de la
frquence de coupure des modes du premier ordre et du second ordre en fonction de la
hauteur du substrat pour une ligne microruban d'impdance caractristique Zc = 50 .

Figure E.2. Fgn =f(hsub) pour n = 1.

Figure E.3. Fgn =f(hsub) pour n = 2.

D'aprs ces courbes, le mode du premier ordre risque dtre excit 60 GHz pour une
hauteur hsub 350 m et le mode du second ordre, pour hsub 600 m. On en dduit qu'
60 GHz, la propagation de modes d'ordre suprieur dans une ligne microruban n'a plus lieu et
peut donc tre vite, si la hauteur du substrat est infrieure 350 m.
La structure microruban risque aussi d'tre le sige de modes de substrat. Ce sont des
modes TEn et TMm se propageant dans le guide donde form du substrat et du plan de masse.
Pour viter la propagation du TM0, il suffit de travailler une frquence plus basse que
sa frquence de coupure Fc _ TM 0 donne par [1]:
Fc _ TM 0 =

c o arctg( r )

(E - 2)

.h sub 2( r 1)

Quant au mode TE0, il est principalement excit par les discontinuits de la forme
gomtrique de la ligne microruban. Il existe une frquence de coupure Fc _ TE 0 au-del de
laquelle le couplage des modes de propagation devient possible [1]. Cette frquence de
coupure s'crit:
Fc _ TE 0 =

3c o
4h sub 2( r 1)

226

(E - 3)

Les figure E.4 reprsentent la frquence de coupure du modes substrat TM0 en


fonction de r.
La figure E.4 indique que le mode TM0 apparat 60 GHz pour:
 hsub = 500 m si r 10.
 hsub = 600 m si r 7.
Etant donnes la nature et les dimensions typiques des substrats que lon utilise, on
dduit de lquation (E-3) qu'il n'y a aucun risque dapparition du mode TE0 60 GHz. En
effet, si la permittivit du substrat est au maximum de r = 12, le mode TE0 60 GHz
n'apparat que lorsque hsub = 1,7mm.
Les modes dordre suprieur et les modes de substrat ainsi observs dans la bande des
60 GHz, sont des modes parasites qui entranent une valuation errone de limpdance
caractristique de la structure microruban tudie. Pour viter leur apparition, il faudrait donc
travailler avec des substrats de faible hauteur et faible permittivit. En particulier, si
Zc = 50 , 60 GHz la hauteur du substrat doit tre typiquement hsub 350 m.
Cette condition concorde parfaitement avec les rsultats que nous avons observs lors
de la simulation et de la mesure des lignes microruban (voir chapitre III).

Figure E.4. Frquence de coupure du mode TM0 en fonction de r


pour 400 m hsub 600 m.

Rfrences:
[1] Descharles C. "Contribution la conception et la ralisation de dtecteurs intgrs usage dans
la bande millimtrique pour des applications de radio-astronomie", Thse de Doctorat, Universit
Pierre et Marie Curie, Laboratoire des Instruments et Systmes dIle de France, Ecole Doctorale
E.D.I.T.E., 06 Octobre 2004.

227

228

Annexe F
Mesure du gain des antennes en Laboratoire
Le gain de l'antenne patch sur membrane tudie au chapitre III, a t mesur en
employant la station sous pointes Karl Suss. Cette antenne qui est dcrite par la figure F.1, est
alimente par une transition Cpw-microruban, afin de faciliter les connexions faites par
contact avec les pointes de la station de mesure.

Figure F.1. Antenne patch sur membrane alimente par une transition Cpw-microruban,

La figure F.2a, donne une photographie du banc de mesure du gain de lantenne. Le


connecteur sous pointes alimente l'antenne tudie de gain (G1) et le rayonnement mis par
celle-ci est collecte par une antenne en forme de guide rectangulaire, de gain (G2), oprant en
bande W et place en zone de champ lointain. La figure F.2b reprsente les variations du
paramtre S12 en fonction de la frquence. La figure H.3 donne la courbe de variation de la
densit de puissance lectromagntique (S) mise par l'antenne considre en fonction de la
distance (R). Cette courbe permet de dterminer la zone de champ lointain. La limite de cette
zone est dtermine en fonction de la plus grande dimension (L) de lantenne, en crivant
que :
d = (2L2 / 0)
(F 1)
Dans notre cas, la plus grande dimension est obtenue avec lantenne guide. Elle vaut:
L = 5 mm. Par consquent, la limite de la zone de champ lointain 60 GHz, est gale 1 cm.
Comme l'indique la figure F.2a, la mesure est effectue une distance d = 5 cm, c'est dire
largement au del de la limite de la zone de champ lointain.

229

(a) Photo de la mesure

(b) Mesure du paramtres S12.

Figure F.2. Mesure du gain et du paramtre S12 de l'antenne patch sur membrane.

Figure F.3. Zones de champ proche et de champ lointain.

Le gain (G1) de lantenne patch sur membrane est obtenu en retranchant au paramtre
S12, le gain G2 de l'antenne guide, les pertes (PLB) en espace libre et les pertes de transmission
(PDT) introduites par la connectique, exprims en dB. D'o:
G1 (dB) = S12 (dB) G2 (dB) PLB(dB) PDT (dB)

(F 2)

Les pertes de connectique (PDT) sont celles dues aux lignes daccs (transition Cpwmicroruban) et aux connecteurs de la station sous pointes. Pour les valuer, on mesure, tout
dabord, les pertes dans la transition Cpw-microruban, grce au dispositif en tte bche de la
figure F.4a. Ce dispositif tant form de deux transitions Cpw-microruban, est deux fois plus
long que la transition alimentant lantenne de la figure F.1. Donc, les mesures du paramtre
S12 exprimant ces pertes, sont divises par deux pour avoir les pertes PLB dans la transition
Cpw-microruban. La figure F.4b donne les variations de ces pertes avec la frquence.

230

(a) Transitions en tte bche.

(b) Pertes par transition.

Figure F.4. Mesure des pertes induites par la transition Cpw-microruban et les connecteurs.

La rfrence de la mesure est situe entre (A-A) et (B-B). En retranchant ces pertes
comme l'indique l'expression (F - 2), on obtient une mesure du gain de lantenne suivant la
rfrence (A-A) de la figure F.1.
La figure F.5 illustre les variations des pertes en espace libre (PLB) en fonction de la
frquence F pour une distance d = 5 cm. Ces pertes exprimes en fonction de la longueur
d'onde = c / F, sont:
PLB = 20 log (2d/)
(H - 3)

Figure F.5. Pertes en espace libre en fonction de la frquence, pour d = 5cm.

Le gain (G2) est celui du guide de rception, mais incluant les pertes de la transition
guide. Lvaluation du gain G2 se fait alors en plaant deux guides identiques en vis--vis,
comme le montre la figure F.6a. Ces deux antennes sont spares de la distance d = 5 cm pour
tre dans la zone de champ lointain. Ensuite, le paramtre S12 de cette liaison est mesur en
fonction de la frquence et le gain G2 est obtenu en faisant:
G2 (dB) = [S12 (dB) PLB(dB)] / 2
La figure F.6b dcrit les variations du gain (G2) en fonction de la frquence.

231

(F - 4)

(a) Photos de lexprimentation.

(b) Gain en fonction de la frquence.

Figure F. 6. Mesure du Gain (G2) de l'antenne guide

Finalement, le gain G1 de lantenne mesure est dtermin en introduisant les


paramtres mesurs G2, PLB et PDT dans lquation (F - 2). La figure F.7 dcrit les variations
de ce gain en fonction de la frquence.

Figure F.7. Gain G1 de lantenne patch sur membrane en fonction de la frquence.

232

Annexe G
Permittivit quivalente (r)eq de structure
microrubans sur substrat multicouche
Soit (r)eq , la permittivit dilectrique quivalente, r1 , la permittivit dilectrique du substrat
infrieur, r2 , la permittivit dilectrique du substrat suprieur, h1 , la hauteur du substrat
infrieur et hsub , la hauteur totale du support form des deux couches dilectriques.
Lquation (G - 1) donne lexpression de la constante dilectrique effective dune ligne
microruban implante sur un substrat bi-couches (voir figure G.1).

( r )eq

r1 . r 2
h
r1 + ( r 2 r1 ). 1
h sub

(G - 1)

Cette quation dcoule dune approche base sur les travaux de Wheeler pour estimer le
coefficient de remplissage associ la dtermination de la constante dilectrique effective de
la ligne [1].

Figure G.1. Structure microruban sur un substrat bi-couche [1].

[1] Descharles C. "Contribution la conception et la ralisation de dtecteurs intgrs


usage dans la bande millimtrique pour des applications de radio-astronomie", Thse de
Doctorat, Universit Pierre et Marie Curie, Laboratoire des Instruments et Systmes dIle de
France, Ecole Doctorale E.D.I.T.E., 06 Octobre 2004.

233

234

Annexe H
Composant MEMS-RF sur Silicium / BCB
H.1. Principe d'un commutateur MEMS-RF
La figure H.1 donne la photo et le schma quivalent dun commutateur MEMS 60
GHz ralis au LAAS dans le cadre du projet LIMA. Il comporte principalement une ligne de
transmission de type CPW dpose sur un support dilectrique en Silicium haute rsistivit
(HR) recouvert d'une couche de BCB (benzocyclobutne). Les caractristiques respectives de
ces matriaux sont [1]:

Silicium (HR) : Epaisseur h = 400 m, permittivit r = 11,9, Conductivit = 0,3333


Siemens / m.

BCB : Epaisseur h = 20 m, permittivit r = 2,6 , tg = 0,002.

Figure H. 1. Composant MEMS 60 GHz ralis sur silicium HR / BCB.

Cette figure illustre aussi le principe de fonctionnement de ce type de MEMS. Elle


montre que la lame centrale du CPW est traverse par un pont. Ce dernier est une membrane
mtallique suspendue dans lair et chaque extrmit du pont est connecte la masse latrale
du CPW. Le systme ainsi dcrit, cre une fonction de Switch faisant que le pont se plie ou se
dplie sous l'effet de la diffrence de potentiel applique ses extrmits et met donc en
court-circuit ou pas, la ligne centrale du CPW. Globalement, ce type de MEMS permet une
bonne isolation. De plus, les pertes dinsertion sont faibles et varient autour de 0,6 dB entre 52
GHz et 65 GHz [1]. Ses dimensions sont de lordre de la centaine de microns. Elles diminuent
en fonction de la frquence et valent 450x450 m2 60 GHz. Par consquent, ce composant
MEMS peut servir raliser des circuits compacts et trs peu encombrants. Il permet, alors,
de concevoir des dphaseurs de taille rduite en vue d'applications de notre rseau d'antennes
aux transmissions par beamforming.

235

Rfrences:
[1] Puyal, V., Dragomirescu, D., Villeneuve, C., Ruan, J., Pons, P., Plana, R. Frequency
scalable model for MEMS capacitive shunt switches at millimetre wave frequencies, IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 57, pp. 2824, 2009.

236

Annexe I
Procd de fabrication de la membrane en Silicium / BCB
La figure I.1 illustre le processus technologique qui permet de raliser la co-intgration de
lantenne sur membrane Si / BCB avec ses circuits externes. En gnral, ces derniers sont des
circuits passifs (rseau dalimentation, filtre, dphaseur ) ou actifs (ampli, oscillateur,
diode, transistor) intgrs sur du Silicium massif. Les tapes de ce processus sont:
Etape I - Isolation dilectrique:
- Dpt dune couche de 400 nm de SiNx sur les faces du Wafer en Silicium haute
rsistivit (> 3 k.cm). Cette couche servira de couche darrt pour la gravure du (Si)
-

lors de la ralisation de la membrane en BCB.


Dpt la tournette de 10 m de BCB.

Etape II - Ralisation des circuits :


- Dpt par vaporation dune couche de 200 nm dOr (Au).
-

Gravure du circuit (antennes, rseau dalimentation, circuits RF) sur la couche d'Au,
travers un masque de rsine.

Etape III - Membrane dilectrique :


-

Gravure DRIE (Deep Reactive - Ion Etching) sur la face arrire du SiNx, ainsi que sur
le substrat en Si, travers un masque de rsine.

Figure I.1. Fabrication de la Membrane en Si/BCB et co-intgration de l'antenne avec ses


circuits externes (procds du LAAS-CNRS).

237

238

Annexe J
Dimensionnement de la transition CPW-microruban
Ltude dveloppe dans cette annexe, porte sur le dimensionnement de la transition
CPW-microruban stubs parallles sur Silicium / BCB. De par sa conception, cette transition
facilite la mesure des antennes et leur interconnexion avec les dphaseurs MEMS-RF.
J.1. Rappel des principales contraintes :
Ralisation de la transition :

Sur le mme niveau dilectrique que lantenne (voir exemple de la figure J.1)

Avec une bande passante suffisamment large (Bp 7 GHz) pour qu'un signal RF
puisse tre achemin entre 55 GHz 65 GHz.

Figure J.1. Description de la transition CPW-microruban.

J.2. Donnes initiales pour le dimensionnement de la transition CPW-microruban


Notre but est de raliser une transition CPW-microruban en bande millimtrique, sur
un substrat pais et de forte permittivit tel que du Silicium de 400 m d'paisseur. Pour
dimensionner cette transition, une tude paramtrique est dveloppe ci-aprs.
D'aprs la figure J.1, la transition CPW-microruban considre se compose de lignes
microruban, CPW (Co-Planar Wave), GCPW ( Ground Co-Planar Wave), graves sur un
substrat Si / BCB. L'impdance caractristique de toutes ces lignes est de 50 . Leurs
dimensions sont :
 WS3 = 220 m, S1 = 320 m pour les lignes CPW et GCPW.
 WS2 = 320 m pour la ligne microruban.

239

J.3. Pertes de liniques des lignes de transmission sur Si / BCB


Le Tableau J.I regroupe les valeurs des pertes liniques des diffrentes lignes de
transmission lorsque leur longueur est de 5 mm. Il indique que la ligne GCPW possde le plus
fort niveau de pertes. Ces pertes sont dues la propagation des modes de substrat dans celleci. L'existence de ces modes est favorise par la prsence de la masse de la face arrire du
GCPW. La figure J.2 reprsente la distribution spatiale des champs lectriques dans les lignes
CPW et GCPW. Elle montre quun mode parasite se propage bien avec le mode quasi-TEM
dans la structure GCPW et contribue augmenter les pertes dans cette ligne alors qu'il
napparat pas dans la ligne CPW.
Tableau J.I. Pertes 60 GHz dans des lignes de transmission ralises sur Si / BCB.
Substrat
BCB

Silicium

Type de
Ligne

Adaptation
(S11)

Pertes de
transmission (S12) Pertes liniques
pour L = 5 mm

r = 2,6

r = 11,9

-ruban

< - 30 dB

- 0,25 dB

- 0,05 dB/mm

h = 10 m

h = 400 m

CPW

< - 20 dB

- 0,7 dB

- 0,14 dB/mm

GCPW

< - 20 dB

- 3 dB

- 0,6 dB/mm

tg = 0,002

= 0,033 /m
-1

(a) GCPW

(b) CPW

Figure J.2. Reprsentation des champs lectromagntiques dans la ligne GCPW et CPW.

Compte tenu des fortes pertes induites par la ligne GCPW et lies ses proprits
physiques, il est ncessaire de rduire au maximum sa longueur (m), lors de son insertion dans
la transition CPW-microruban. Notons, cependant, quil est impossible de saffranchir
totalement de la ligne GCPW. En effet, elle assure, avec les stubs en circuit ouvert, la
continuit des masses, grce au couplage lectromagntique entre le plan de masse suprieur
de la ligne CPW et la masse de la face arrire de la ligne microruban. Elle sert aussi
transmettre le signal RF de la ligne CPW vers la ligne microruban. Dans ces conditions, on

240

choisit une longueur de la ligne GCPW aussi faible que possible, soit: m = 50 m, car on a un
bon compromis entre la prsence de cette ligne et les pertes liniques. Notons quil est inutile
que la longueur m soit plus petite que 50 m car les pertes ne seront pas plus faibles.
J.4. Dimensionnement de la transition
Comme le montrent [1] et [2], ce sont les stubs en circuit ouvert qui assurent le
couplage E-M ncessaire pour raliser la continuit du signal RF entre les lignes CPW et
microruban. Cependant, avant de passer effectivement au dimensionnement des stubs, une
tude paramtrique a, tout dabord, t ralise pour dterminer la largeur du CPW (Wcpw)
pour laquelle les pertes sont minimums. Lobjectif de cette tude est aussi de rduire
lencombrement du circuit dalimentation de lantenne.
J.5. Dimensionnement de la largeur du CPW (Wcpw)
Les distributions de la figure J.3 mettent en vidence le fait que lorsquon rduit trop
la largeur WCPW, les champs risquent de dborder en dehors de la ligne transmission CPW,
constitue de sa lame centrale et de ses plans de masse latraux. D'aprs la figure J.4,
laugmentation des pertes de transmission est la consquence de ce dbordement. Les courbes
de cette figure montrent que pour Wcpw 2,2 mm, les pertes sont plus faibles et quivalent
celles dune ligne CPW dont le plan de masse est trs large, soit: Wcpw = 5 mm. En particulier,
pour Wcpw = 2,2 mm, les champs sont confins sous le CPW (voir figure J.3a). De plus, avec
cette largeur, on obtient un bon compromis entre les pertes et l'encombrement du CPW.

(a) Wcpw = 0,8 mm.

(b) Wcpw = 2,2 mm.

Figure J.3. Reprsentation des champs lectromagntiques dans la ligne CPW pour diffrentes
valeurs de Wcpw.

241

(a) Coefficient de transmission S12.

(b) Coefficient de rflexion S11 = S22.

Figure J.4. Paramtres [S] de la ligne CPW pour diffrentes valeurs de WCPW.

J.6. Dimensionnement des stubs


Les stubs parallles ont t dimensionns grce une autre tude paramtrique
effectue sous HFSS. On trouve que la transmission entre les lignes CPW et microruban est
assure avec le minimum de pertes si la longueur des stubs est L1 = 800 m, leur largeur, WS2
= 20 m et leur position, P = 710 m.
J.6.1. Variation de la largeur (WS2) des stubs
L'tude paramtrique dbute en fixant la longueur du stub L1 = 800 m et sa position
P = 710 m. Puis, on attribue aux stubs, diffrentes largeurs WS1 qui sont 20 m, 100 m et
300 m respectivement. Les courbes de la figure J.5 montrent que la largeur des stubs doit
tre aussi faible que possible. En effet, lorsque le niveau dadaptation est pratiquement le
mme et que WS1 = 20 m, les pertes deviennent minimums.

(a) Coefficient de transmission S12.

(b) Coefficients de rflexion S11 = S22.

Figure J.5. Paramtres [S] de la transition CPW-microruban pour diffrentes valeurs de WS1,
avec L1 = 800 m et P = 710 m.

242

De manire gnrale, on sait que les stubs assurent un bon couplage E-M et donc, une
bonne transmission lorsque les coefficients de rflexion S11 et S22 sont trs faibles. Daprs les
courbes de la figure J.5b, le meilleur couplage est donc assur pour WS1 = 100 m car cette
valeur, les coefficients de rflexion sont les plus faibles. Mais, dans ce cas, les pertes sont plus
importantes qu'avec WS1 = 20 m, c'est dire des largeurs plus petites, pour lesquelles les
coefficients de rflexion sont plus forts. En effet, une transition dote de stubs trop larges va
favoriser lapparition de modes parasites, quelle que soit la longueur L1 et la position P,
causant ainsi des pertes de transmission (voir figure J.6a). Grce un rglage judicieux des
stubs, on obtient: WS1 = 20 m, L1 = 800 m et P = 710 m. Avec ces valeurs, les stubs
assurent un bon couplage, comme l'illustre la figure J.6b. De plus, d'aprs la courbe en rouge
de la figure J.5a, ils limitent lapparition des modes parasites et on a donc, moins de pertes

(a) WS1 = 300 m.

(b) WS1 = 20 m.

Figure J.6. Reprsentation des champs lectromagntiques dans la transition CPW-microruban


pour diffrentes valeurs de WS1.

J.6.2. Variation de la longueur (L1) des stubs


Les stubs tant en circuit ouvert, leur longueur doit tre voisine de g / 4 pour que le
couplage soit convenablement assur entre les lignes CPW et microruban [1]. Linfluence de
la longueur des stubs a t tudie de faon l'ajuster g / 4 et optimiser le couplage entre
les lignes. La figure J.7 donne les courbes des coefficients de transmission et de rflexion
obtenues pour WS1 = 20 m , P = 710 m et diverses valeurs de L1 allant de 600 m 1000
m, par pas de 200 m. D'aprs ces rsultats, toutes les valeurs de L1 permettent un assez bon
couplage entre les lignes CPW et microruban. Comme le montre la figure J.7b, la longueur L1
contrle surtout le niveau dadaptation de la ligne microruban. Cependant, si L1 = 800 m, on
obtient la plus faible rflexion et le plus faible niveau de pertes pour la transition CPWmicroruban.

243

J.6.3. Variation de la position (P) des stubs


Aprs avoir fix L1 = 800 m et WS1 = 20 m, on fait varier la position (P) des stubs le
long de la largeur WCPW de la ligne CPW. Le but de l'opration est de montrer l'influence de
la position des stubs sur les caractristiques de transmission de la transition CPW-microruban.
La figure J.8 donne les rsultats de cette tude et montre que le meilleur compromis entre les
pertes et les conditions dadaptation est ralis pour P = 710 m. La figure J.8b indique
galement que la position des stubs contrle essentiellement le niveau dadaptation de la ligne
CPW de la transition considre.

(a) Coefficient de transmission S12.

(b) Coefficient de rflexion S11 = S22.

Figure J.7. Paramtres [S] de la transition CPW-microruban pour diffrentes valeurs de L1, avec
WS1 = 20 m et P = 710 m.

(a) Coefficient de transmission S12.

(b) Coefficient de rflexion S11 = S22.

Figure J.8. Paramtres [S] de la transition CPW-microruban pour diffrentes valeurs de L1, avec
WS1 = 20 m et L1 = 800 m.

244

J.7. Etape finale du dimensionnement de la transition et amlioration de son adaptation


Nous venons de mettre en vidence que le dimensionnement des stubs en faisant
WS1 = 20 m, L1 = 800 m et P = 710 m, permet d'avoir un bon couplage entre les lignes
CPW et microruban, avec le minimum de pertes de transmission de la transition CPWmicroruban. Cependant, lors de notre tude, nous avons constat que le coefficient de
rflexion S11 de la transition CPW-microruban reste gal ou suprieur - 18 dB entre 55 GHz
et 65 GHz et ce, quelles que soient les modifications apportes aux stubs parallles. Nous
nous sommes, alors, rendus compte que cette limitation de la valeur de S11 est due la
prsence dun effet capacitif qui vient sajouter limpdance de la ligne CPW (rappelons que
S11 est le coefficient de rflexion observ du ct de la ligne CPW de la transition tudie).
Cet effet apparat dans la partie de la transition qui s'tend sur toute la longueur m, o se
trouve la ligne GCPW. Cest cette dernire qui joue le rle de capacit parasite forme du
substrat Si/BC pris en sandwich entre deux plaques mtalliques, savoir la plaque mtallique
du CPW et la masse de la face arrire (voir figure J.1). Aussi, afin damliorer ladaptation et
de compenser cet effet capacitif, nous avons rajout la ligne CPW de 50 , un tronon de
ligne dadaptation CPW d'impdance caractristique gale 75 et de dimensions: S2 = 360
m et WS4 = 75 m. Les figures J.9a et J.9b illustrent les transitions CPW-microruban
obtenues avant et aprs lajout du tronon de ligne CPW. Ces transitions sont appeles
respectivement transition stub // (1) et transition stub // (2). La figure J.10 reprsente les
paramtres S11 et S22 des deux types de transition sur l'abaque de Smith. Les diagrammes de
cette figure mettent en vidence leffet capacitif qui apparat pour la transition stub // (1) et
la compensation de cet effet grce lajout du tronon CPW dans la transition stub // (2). On
en dduit que cette technique amliore sensiblement ladaptation de la transition CPWmicroruban et rduit aussi ses pertes de transmission (voir figure J.11).

(a) Transition Stub // (1).

(b) Transition Stub // (2).

Figure J.9. Transitions CPW-microruban suivant deux cas de dimensionnement.

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(a) Coefficient de rflexion Port 1

(b) Coefficient de rflexion Port 2

Figure J.10. Reprsentation des paramtres S11 et S22 sur l'abaque de Smith pour les
topologies de transition CPW-microruban stub // (1) et stub // (2).

Figure J.11. Paramtre S12 des transitions CPW-microruban stub // (1) et stub // (2).

Rfrences
[1] Gauthier, G.P., Katehi, L.P., Rebeiz, G.M. "W-Band finite ground coplanar waveguide
(FGGPW) to microstrip line transition", International Microwave Symposium Digest IEEE
MTT-S, vol.1, pp.107-109, 7-12 June 1998.
[2] Raskin, J.-P., Gauthier, G., Katehi, L.P., Rebeiz, G.M. "Mode conversion at GCPW-tomicrostrip-line transitions", IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.
48, no.1, pp.158-161, Jan 2000.

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Liste des Publications

A. Adane, F. Galle, C. Person, Antenne patch 60 GHz conue sur membrane Si/BCB :
Amlioration de la bande passante par addition dlments parasites, 16mes Journes
Nationales Microondes, 27-29 Mai 2009, Grenoble.
A.Adane, F. Galle, C. Person Bandwidth improvements of 60GHz Micromachining
Patch antenna Using gap coupled U-microstrip feeder The 4th European conference of
antennas and propagation, 12-16 April 2010, Barcelona, Spain.
A. Adane, F. Galle, C. Person, V. Puyal, C. Villeneuve, D. Dragomirescu, Implementation
of Broadband microstrip-U Coupled Patch Array on Si/BCB Membrane for
Beamforming Applications At 60 GHz The 5th European conference of antennas and
propagation 11-15 April 2011, Roma, Italy.
A. Adane, F. Galle, C. Person, V. Puyal, C. Villeneuve, D. Dragomirescu, Rseau
dantennes patch 60 GHz excites par microrubans en U sur membrane Si/BCB et
contrles par des dphaseurs MEMS RF 17mes Journes Nationales Microondes, 18-20
Mai 2011 BREST
A. Adane, F. Galle, C. Person, V. Puyal, C. Villeneuve, D. Dragomirescu, Antenne patch
large bande 60 GHz excite en polarisation circulaire par deux microrubans en T
17mes Journes Nationales Microondes 18-20 Mai 2011 BREST

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