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TRANSISTORES DE POTENCIA

Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de

activacin y desactivacin. Los transistores, que se utilizan como
elementos conmutadores, se operan en la regin de saturacin, lo
que da como resultado una caa de voltaje baja en estado activo.
1.2.1 Transistor bipolar (BJT)
Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p
o n a un diodo de unin pn. Las tres terminales se llaman
colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones,
la unin colector base (CBJ) y la unin base emisor (BEJ). Con
dos regiones p y una n, se conoce como transistor PNP y con
dos uniones n y una p se forma un transistor NPN, tal y como se
muestra en la figura 1. En la figura 2 aparecen transistores NPN
de varios tamaos.

Figura
1.

Figura
2.

1.2.2 Metal-xido semiconductor (MOS)

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje,
que requiere slo de una pequea corriente de entrada. La
velocidad de conmutacin es muy alta (en el orden de los
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nanosegundos). Poseen problemas de descargas electrostticas,

por lo que su manejo requiere de cuidados especiales.
Los MOSFET son de dos tipos:
1. MOSFET de agotamiento.
Uno de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p,
como se muestra en la figura 3 (a). La compuerta est
aislada mediante una delgada capa de xido. Las tres
terminales se conoces como compuerta, drenaje y fuente.
2. MOSFET de enriquecimiento.
Uno de canal n, no tiene un canal fsico, tal como se puede
observar en la figura 4. Si VGS es positivo, un voltaje inducido
atraer los electrones del sustrato p y los acumular en la
superficie por debajo de la capa de xido. Si VGS es mayor
que o igual a un valor conocido como voltaje de umbral, VT,
se acumular un nmero suficiente de electrones para
formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje a la
fuente.

Figura
3. 1.

Figura
4. 1.

1.2.3 Bipolar de compuerta aislada (IGBT)

Un IGBT combina las ventajas de los BJT y los MOSFET. Un IGBT
tiene una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y
bajas prdidas de conduccin en estado activo como los BJT.
Pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria, como
los BJT.
La seccin transversal de silicio de un IGBT aparece en la figura
5 (a), y es idntica a la de un MOSFET, excepto en el sustrato
p+. Sin embargo, el rendimiento o comportamiento de un IGBT
es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET.

Figura
5. 1.

En la figura 5 (b) aparece el circuito equivalente, mismo que se

puede simplificar en de la figura 5 (c). Un IGBT est fabricado
con cuatro capas alternadas PNPN. Un IGBT es un dispositivo
controlado por voltaje. Tiene menores prdidas de conmutacin
y de conduccin.
1.2.4 Caractersticas y parmetros.
En un transistor existen tres regiones de operacin: de corte,
activa y de saturacin.
En la regin de corte, el transistor est desactivado o la
corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo
ambas uniones en polarizacin inversa.
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En la regin activa, el transistor acta como un amplificador,

donde la corriente del colector queda amplificada mediante una
ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente
de base.
En la regin de saturacin la corriente base es lo
suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea
bajo, y el transistor acta como interruptor.
La caracterstica de transferencia es una grfica de VCE en
funcin de IB aparece en la figura 6.

Figura
6.

CARACTERSICAS EN RGIMEN PERMANTE PARA UN BJT

A pesar de que hay tres configuraciones posibles, colector
comn, base comn y emisor comn, la configuracin de
emisor de emisor comn de la figura para un transistor NPN, es
la que generalmente e utiliza en aplicaciones de conmutacin,
figura 7 (a). Las caractersticas tpicas de entrada de la
corriente de base IB contra el voltaje base-emisor, VBE aparecen
en la figura 7 (b). La figura 7 (c) muestra las caractersticas
tpicas de salida de corriente del colector, IC , en funcin del
voltaje colector- emisor, VCE. En el caso de un PNP, la
polaridades de todas las corrientes y voltajes son inversas.

Figura
7. 1.

En la figura 8 se muestra el modelo de transistor NPN bajo

operacin de gran seal en cd. La ecuacin que relaciona las
corrientes es:
La relacin entre la corriente del colector IC y la corriente de
base IB, se conoce como ganancia de corriente :

La corriente del colector es:

Donde ICEO es la corriente de fuga colector a emisor con la base
en circuito abierto debindose considerar despreciable en
comparacin con IB. Puede expresarse como:
Donde :

Figura
8. 1.

CARACTERSICAS EN RGIMEN PERMANTE PARA UN

MOSFET
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que
tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta
utiliza una corriente de fuga muy pequea, de orden de los
nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relacin entre
la corriente de drenaje, ID , y la corriente de entrada de la
compuerta, IG, es tpicamente del orden de 10 9.
La
transconductancia, es un parmetro muy importante y es la
relacin de la corriente de drenaje al voltaje de la compuerta.
Las caractersticas de transferencia delos MOSFET de canal n y
p aparecen en la figura 9. En la figura 10 se muestran las
caractersticas de salida de un MOSFET tipo enriquecimiento de
canal n.

Figura
9. 1.

Figura
10. 1.

Existen tres regiones de operacin:

1. Regin de corte: donde VGS <VT
2. Regin de estrechamiento o de saturacin: donde VDS<VGSVT
3. Regin lineal: donde VDS= VGS- VT
La transconductancia gm se define como:

CONCLUSIONES
Los transistores son utilizados en los circuitos electrnicos de
potencia y son diseados para que estn completamente
saturados (activados) o en corte (desactivados).
Proporcionan un control de activacin y de desactivacin.

Son capaces de soportar grandes voltajes y elevadas

corrientes.

REFERENCIAS

Mohan, N., M. Undeland, T., & P. Robbins, W. (s.f.). Electrnica de potencia,

covertidores, aplicaciones y diseo (3Ed ed.). Mexico: Mc Graw Hill.
Muhammad H., R. (1995). Electrnica de potencia, circuitos dispositivos y
aplicaciones. (2Ed. ed.). Mxico: Prentice Hall.
W. Hart, D. (2001). Electrnica de potencia (1Ed. ed.). Madrid: Prentice Hall.

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