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241$.'/#5
FGVTCPUKUVQTGU/15('6
(/(&751,&$%6,&$
','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU/15('6
3UREOHPD
3UREOHPD
Un transistor de enriquecimiento NMOS con una tensin umbral Vt de 2V y un factor
de transconductancia K=0.1mA/V2 se utiliza como una resistencia lineal controlada por
tensin. Hallar el rango de valores de VGS para el que se obtiene una resistencia
comprendida entre 0.5k: y 5k:.
6ROXFLyQ 9d 9*6 d 9
3UREOHPD
Un transistor MOSFET de deplexin canal n con IDSS=9mA, K=1mA/V2 y Vp=-3V tiene
sus terminales de puerta y fuente conectados a tierra. Hallar la regin de
funcionamiento del transistor y la corriente de drenador ID cuando:
D VD=0.1V.
E VD=1V.
F VD=3V.
G VD=5V.
6ROXFLyQ D2KPLFD,' P$E 2KPLFD,' P$F6DWXUDFLyQ,' P$G Saturacin,' P$
3UREOHPD
Un transistor NMOS de deplexin con IDSS=9mA, K=1mA/V2 y Vp=-3V tiene su terminal
de puerta conectado a tierra y una fuente de 1V conectada al terminal de fuente. Hallar
el mnimo valor de drenador VD necesario para que el dispositivo est trabajando en
saturacin. Cul es el valor de la corriente de drenador que se obtiene para el valor
de tensin VD determinado?
6ROXFLyQ 9'PLQ 9,' P$
3UREOHPD
Un transistor MOSFET de deplexin canal n trabajando en la regin ohmica con
VDS=0.1V, conduce una corriente de drenador de valor ID=1mA cuando VGS=-1V, y de
valor ID=3mA cuando VGS=1V. Hallar el valor de K y la tensin umbral Vp.
6ROXFLyQ . P$99S 9
3UREOHPD
Un transistor MOSFET de deplexin canal n trabajando en saturacin con VDS=5V,
conduce una corriente de drenador de valor ID=5mA cuando VGS=-1V, y de valor
ID=45mA cuando VGS=1V. Hallar el valor de IDSS y la tensin de pinch-off Vp.
6ROXFLyQ ,'66 P$9S 9
3UREOHPD
w. .
w9
E w. .
7
w7
w7
w7 9*6 9W
&
3UREOHPD
R 2 = 10k:
Q2
Q1
3UREOHPD
Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador ID y
la tensin de drenador VD, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del
2
transistor NMOS son Vt=1V y K=0.5mA/V .
V DD = 1 0 V
10M :
5 k:
ID
10M :
3UREOHPD
R D = 3 2 k:
R G2 = 1 .5 M :
R S= 1 6 k:
3UREOHPD
Calcular las corrientes y tensiones sealadas en los circuitos de la figura teniendo en
2
cuenta que para todos los dispositivos |Vt|=1V y K=0.5mA/V . Suponer que la
expresin de la corriente de drenador en la regin de saturacin para todos los
transistores tanto de deplexin como de enriquecimiento es
ID=K(VGS-VP,T)2.
10 V
10V
+ 6V
I1
V4
V3
V2
V5
- 10V
a)
- 4V
b)
+ 5V
c)
1 0V
10V
I7
d)
10 V
10V
10 M :
V8
V6
V9
10M :
- 5V
6ROXFLyQ D, P$ E 9 9F9 9 G 9 99 9H9 9 I , P$J9 9
K 9
e)
f)
g)
h)
3UREOHPD
Hallar el valor de las tensiones VDS1 y VDS2 sealadas en el circuito de la figura teniendo
en cuenta que las caractersticas de los transistores NMOS Q1 y Q2 empleados son las
dadas por las figuras F1 y F2 respectivamente.
V DD = + 4 V
Q1
+
V DS1
-
+
V DS2
-
Q2
V TT= - 2 V
,'P$
,' P$
V G S1 = + 1.5V
V G S2 = 6.0V
V G S1 = + 1.0V
V G S2 = 5.5V
V G S1 = + 0.5V
V G S2 = 5.0V
V G S1 = 0V
V G S1 = -0.5V
V G S1 = -1.0V
V G S2 = 4.5V
V G S2 = 4.0V
V G S2 = 3.5V
V G S1 = -1.5V
V G S2 = 3.0V
9'6 9
fig ura F 1
9'6 9
fig ura F 2
3UREOHPD
Q2
IO
R D = 1 0K:
VO
Q1
Q3
6ROXFLyQ D, ,' P$9 9'6 9E , ,' P$9 9'6 9F, ,' P$9 9'6 9
3UREOHPD
Determinar el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura,
teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor son Vt1=2.5V,
2
2
Vt2=3V, K1=0.08mA/V , K2=0.125mA/V , y que en el circuito VDD=12V, VTT=-4V, VGG=11V,
RG=1M: y RS=2k:.
V DD
Q1
RG
Q2
V GG
RS
V TT
3UREOHPD
Determinar el punto de polarizacin de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la
figura, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor son Vt1=3V, Vt2=1V, K1=0.12mA/V2, y que en el circuito VDD=4V, V1=15V, RD1=1k:, RD2=18k:,
2
R1=100k: y R2=300k:. 1RWD Suponer K2=0.2mA/V .
V DD
R D1
R1
I D1
Q1
R D2
I D2
Q2
V1
R2
3UREOHPD
Calcular y justificar en qu regin estn polarizados los transistores en el circuito de la
figura, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor MOSFET
2
de enriquecimiento canal n son Vt=2V y K=0.2mA/V , y para el transistor bipolar npn
VBE=0.7V y E=200.
V DD = 1 2 V
2M :
4 .4 5 k:
1 6 k:
1M :
Q1
Q2
2M :
0 .5 6 k:
83: