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EN SU 50
ANIVERSARIO
Carlos Garca Quiroz y
Leopoldo Parra Reynada
ELECTRONICA radio-grfica
Figura 1
menzar en la tecnologa electrnica, con repercusiones en todas las reas del quehacer humano. Por su descubrimiento, William Shockley, John
Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al
Premio Nobel de Fsica en 1956 (figura 2).
Archivo de AT&T
Cientficos de los
laboratorios Bell
que desarrollaron el
transistor. Al frente,
Shockley, atrs
izquierda, Bardeen
y atrs derecha
Brattain.
Figura 2
ELECTRONICA radio-grfica
El transistor vino a desplazar a otro gran dispositivo en el que descans por dcadas la incipiente
tecnologa electrnica: la vlvula triodo, inventada en 1906 por Lee De Forest, quien a su vez
se apoy en la vlvula diodo, inventada en 1905
por John A. Fleming, basndose en un fenmeno
(el efecto Edison) descubierto por Tomas A. Edison durante las investigaciones que lo llevaron
a inventar la bombilla incandescente.
Lee de Forest encontr que una rejilla de
alambre electrificada originaba un flujo de electrones cuando se le colocaba dentro de un tubo
o vlvula de vaco. Dicho flujo poda ser controlado de distintas maneras: se le poda interrumpir, reducir o incluso detener por completo; as
por ejemplo, una muy baja corriente de electrones en la entrada del tubo llegaba a ser amplificada por ste, a fin de producir una intensa corriente en la salida, por lo que este dispositivo
fue utilizado en televisores, radios y en cualquier
otro equipo electrnico en el que se requiriera
aumentar el nivel de una seal de entrada.
La vlvula de vaco pudo ser aprovechada para
la rectificacin de corrientes (vlvula diodo), para
la amplificacin (vlvula triodo) y para un gran
nmero de aplicaciones especializadas (vlvulas
pentodo, tetrodo y otras ms, figura 3). Con todo
este potencial en el control de la electricidad, el
hombre pudo manejar seales electrnicas (electricidad transportando informacin); y as surgieron y se desarrollaron nuevas formas de comunicacin como la radio y la televisin, y nuevos
avances tecnolgicos, como el radar y las primeras computadoras.
Surge el transistor
Las investigaciones de las que surgi el transistor, como todo desarrollo humano, estuvieron
rodeadas de acontecimientos diversos en los que
Qu es un semiconductor?
Para saber cmo trabaja un transistor, se debe
entender la manera en que la corriente elctrica
Archivo de AT&T
Figura 3
Figura 4
ELECTRONICA radio-grfica
B
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
C
Si
Si
Si
Electrn libre
(material tipo N)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Hueco libre
(material tipo P)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Figura 5
ELECTRONICA radio-grfica
Vc
Colector
Ic=0
-
N
Base
P
V
B
(muy
I =0
pequea) B
++++++ +
- - - - - - -
Campo
elctrico
Emisor
Vc
Ic = Hfe x I
VB
> 0.7 V (Si)
> 0.3 V (Ge)
I =0
B
Campo
elctrico
E
C
N
B
P
B
N
E
E
P
C
C
Figura 6
ELECTRONICA radio-grfica
Figura 7
National Semiconductor
Oblea de silicio
en donde se
observa la gran
cantidad de
circuitos
idnticos que
se obtienen de
una sola pieza.
Fotoresistencia
Oblea de silicio
preparada
Proyeccin
de luz
Sustrato de silicio
Retcula
(o mascarilla)
Conector de metal
5
Regin con impurezas
ELECTRONICA radio-grfica
Lente
La fotoresistencia
expuesta es removida
Figura 8
ELECTRONICA radio-grfica
Figura 9
Dig
ita
lE
qu
ipm
en
Motorola
Microprocesador Power PC
620 de Motorola, con 7
millones de transistores.
Microprocesador Alpha de
500 MHz en su encapsulado.
son tambin del tipo N. Entre la fuente y el drenado se encuentra una regin del tipo P en la que
faltan muchos electrones; como ya se dijo, a
estas regiones se les llama huecos.
En su parte superior, el sustrato de silicio tiene
una capa de dixido de silicio aislante; a su vez,
la parte superior es un metal que corresponde a
la compuerta (gate). Precisamente, de la anterior
combinacin de un metal con un xido se deriva
el nombre de semiconductor metal xido.
Cuando un voltaje positivo es aplicado en la
compuerta de metal, se produce un campo elctrico que penetra a travs del aislante hasta el
sustrato. Este campo atrae electrones hacia la
superficie del sustrato, justo abajo del aislante,
permitiendo que la corriente fluya entre la fuente
y el drenado. Dependiendo de la magnitud de
Compuerta de polisilicio
Terminal
Aislador de
xido
Electrones
Fuente
Colector
bipolar
Compuerta
(metal)
Base bipolar
Drenado
Huecos
Sustrato
MOSFET
Fuente
MOSFET
Emisor bipolar
Aislador
Sustrato tipo P
Drenado
MOSFET
ELECTRONICA radio-grfica
Figura 10
Terminal
Figura 11
Figura 12
Traccin
1.000
HVDC
Auto elctrico
Transistores de altas
potencias
100
Fuentes de alimentacin
de computadoras
Automatizacin de fbricas
Refrigeracin
ELECTRONICA radio-grfica