CAPITOLUL VI

TRANZISTORUL M.O.S.
NO}IUNI TEORETICE
6.1. Construc]ie. Principii de polarizare. Simboluri.

VS 0 [i VD 0 . La VG 0 I D 0 .
VG [i VD sq fie de acela[i semn: sgn VG sgn VD .
Tranzistoarele cu canal indus nu au canal la VG 0 , iar la

VG VT

se

induce canalul.
Tranzistoare MOS cu canal ini]ial
prezintq canal la VG 0 . Poate fi
polarizat \n douq regimuri: regimul de \mbogq]ire a canalului sau
regimul de sqrqcire a canalului

6. 2. Capacitorul MOS

6.2.1. Capacitorul MOS ideal

Se analizeazq cazul \n care 0 VG VT , deci nu existq canal.

Q S sarcina specificq din semiconductor, datq de rela]ia: Q S qN A x d

(C/m2)
Se noteazq cu S poten]ialul suprafe]ei, acesta controlnd apari]ia
canalului.
E
E
Vo E o x o s s x o s s
ox
ox
Rezultq rela]ia: VG Vo S , unde
xo
Se noteazq cu Co

ox
capacitatea specificq a oxidului.
xo

Se noteazq k
Rezultq

2 s qN A
[i se nume[te factor de substrat.
Co

VG S k S

Poten]ialul Fermi al substratului: F

kT N A
ln
q
ni

Cnd s F suprafa]a devine intrinsecq.

Pentru s F n(0) p(0) [i la suprafa]q semiconductorul devine de tip
n. Se spune cq a avut loc inversia tipului de conductibilitate.
Conven]ional, condi]ia de apari]ie a canalului este s 2 F .
Rezultq tensiunea de prag:

VT VG

, deci

VT 2 F k 2 F

6.2.2 Capacitorul MOS real

Se trateazq ca un capacitor ideal polarizat la o tensiune VG' VG VFB .

Tensiunea de prag devine: VT VFB 2 F k 2 F
Mqrimea VFB se nume[te tensiune de benzi netede (flat - band) [i este
valorea tensiunii aplicate pe poartq la care se anuleazq x d . Tensiunea
VFB este negativq.
6.3. Capacitorul MOS \n regim de neechilibru ( \n prezen]a unei
jonc]iuni)
Pentru S 2 F nu se mai
poate stabili canal. Condi]ia de
apari]ie a canalului este de a
anula la suprafa]q cmpul pe

direc]ia y; ca urmare poten]ialul trebuie sq fie la suprafa]q cel

pu]in VR .
Condi]ia de inversie devine: S VR 2 F .
Tensiunea de prag:
VT VFB VR 2 F k VR 2 F

[i

x d max

2 S
VR 2 F
qN A

6.4. Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

VTS VFB VS 2 F k VS 2 F

tensiunea de prag pentru apari]ia

canalului lngq sursq.
VTD VFB VD 2 F k VD 2 F -tensiunea de prag pentru apari]ia
canalului lngq drenq.
Se define[te tensiunea de prag a tranzistorului MOS:
VT VTS VFB VS 2 F k VS 2 F

Regimul liniar: VDS ia valori \n vecinqtatea lui 0, canalul este practic

echipoten]ial:
VDS
ID
. Dacq VGS cre[te, sarcina din canal Q n cre[te, rezisten]a
R CH VGS
canalului R CH scade [i I D cre[te.
Regim cvasiliniar: Dependen]a lui I D de tensiuni este:
VDS
ID
.
R CH VGS , VDS
Dacq VGS este constant [i VDS cre[te, atunci VTD cre[te, VG VTD
scade, Q n ( y ) scade, R CH cre[te. VDS cre[te mai puternic dect R CH [i

I D cre[te mai slab dect liniar.

canalul la drenq

Limita

se

atinge

cnd

Q n (L) 0
ceea ce este echivalent cu V
VDS VDP

Regim de satura]ie :

VDS VDP

dispare

VTD V V .
D
DP

Canalul se scurteazq, dar foarte pu]in.

Aceasta se explicq prin faptul cq, \ntr-o
regiune de sarcinq spa]ialq, pe distan]e
foarte mici se pot prelua tensiuni foarte
mari ( Ey ac]ioneazq pe o distan]q foarte
micq). Rezisten]a canalului [i tensiunea pe
canal sunt fixe, deci nu influen]eazq
mqrimea curentului de drenq.
+

VDP
curentul
R CH VGS , VDP
se satureazq
Rela]ii simple pentru
caracteristicile statice :
ID

can al n
in i\ ia l

can al n
in d u s

VDP VG VT

ID

VG VT 2
2

Z
n Co
L

6.5. Dependen]a de temperaturq a caracteristicilor statice

VG VT 2 unde Z n Co
2
L
Dacq T cre[te n scade scade.
ID

VT VFB VS 2 F k VS 2 F

F
VT scade.

kT N A
ln
influen]at prin n i ; dacq T cre[te F scade
q
ni

Toate curbele trec prin acela[i

punct Z (tensiunea VGZ este foarte
apropiatq de VT ).
Dacq VG VGZ : T cre[te, I D cre[te.
Dacq VG VGZ : T cre[te, I D scade.

Domeniul normal de lucru este VG VGZ , deci la MOS cnd T

cre[te, I D scade. Ca urmare nu existq strqpungere secundarq [i nu
existq ambalare termicq.
6.6. Regimul dinamic
Schema echivalentq pentru orice frecven]q este:

Capacitq]ile C gs , C gd provin din capacitatea, distribuitq \n raport

cu rezisten]a canalului, a capacitorului poartq-canal.
Celelalte elemente ale circuitului echivalent sunt:
- conductan]a mutualq:

i D
VGS VT
v GS v

ct
.
DS

i
1

1
D
rds

VGS VT 2
v DS v ct . 2
v DS v ct .
GS
GS

gm

-rezisten]a de ie[ire, rds :