FISICA DE SEMICONDUCTORES

299002

Unidad 1
Actividad Individual Fase 2
Semiconductores de Potencia

DIEGO ALBERTO LPEZ JARAMILLO 7556178

GRUPO 299002_6

TUTOR
NESTOR JAVIER RODRIGUEZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA-UNAD

Julio de 2016

Introduccin
Investigacin sobre dispositivos Unipolares, Bipolares y Electrnica de Potencia.
Objetivos
Conocer sus caractersticas, comportamiento y aplicaciones.
Transistores unipolares, o transistores de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor)
son dispositivos de estado slido de dos uniones en los que un campo elctrico controla el
flujo de los portadores mayoritarios en un canal de conduccin, de ah su denominacin de
efecto de campo.
A diferencia de los transistores bipolares, en los transistores unipolares la corriente total en
el canal de conduccin se debe nicamente a portadores mayoritarios del canal. Esta es la
razn por la que a estos transistores tambin se les conoce como transistores unipolares.
El transistor de efecto campo (ield-Effect Transistor o FET, en ingls) se trata en realidad
de una familia de transistores los cuales se basan en el campo elctrico para poder controlar
la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
ES as como Los FET, tal como sucede con los transistores, pueden plantearse como
resistencias controladas por voltaje
Tipos de transistores unipolares:
1-.MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante.
2-.JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin PN
3-.MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del
JFET con una barrera Schottky.
4-.HEMT (High Electron Mobility Transistor), denominado HFET (heterostructure FET), la
banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo del
transistor.
5-.MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
6-.IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) dispositivo para control el de potencia. Son
comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V.
Los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones
drenaje-fuente de 1 a 200V.7-.

7-.FREDFET, FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del
transistor.
Nombres de sus terminales
D = Drenador: (Del ingls Drain). terminal por el que salen los portadores del dispositivo
(los electrones en el JFET decanal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a travs del canal.
Principales aplicaciones
1. Amplificador de tensin
2. Conmutador analgico
3. Compuerta digital
4. Resistencia variable con la tensin
5. Amplificador de VHF con baja distorsin
6. En medidores de PH
7. En electroencefalgrafos
8. En electrocardigrafos
Sus configuraciones bsicas
Se emplea como amplificador, puede disponer en cualquiera de las tres configuraciones
determinadas para la forma de conectarlo, as: fuente o surtidor comn (S.C.); drenador
comn (D.C.); y puerta comn (G.C.).
Sus caractersticas son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los hacen
distintos a las ofrecidas en disposiciones anlogas por los transistores bipolares. Se puede
relacionar de la siguiente forma:1-.Fuente comn con Emisor comn.2-.Drenador comn
con Colector comn.3-.Puerta comn con Base comn.
Su funcionamiento depende nicamente de la circulacin de portadores mayoritarios,
siendo, por tanto, un dispositivo unipolar (un solo tipo de portadores). Y su fabricacin es
ms sencilla, requiriendo menor espacio de integracin y permitiendo mayor densidad de
componentes, as como tambin se pueden conectar como resistencias de carga, lo que
permite circuitos formados nicamente con transistores.

Entre las mayores ventajas tenemos las que generan mucho menos ruido, siendo por esto
ms sencillos y en general ocupan menos espacio dentro de los circuitos integrados.
Dentro de sus desventajas podemos decir que como amplificador (aplicaciones de pequea
seal) la ganancia que estos pueden conseguir es mucho menor (transconductancia menor
que en los bipolares).
Este transistor unipolar est conformado por 1 sola capa del semiconductor de tipo n, la
cual est sobre un substrato de tipo p. Y se distingue el canal cuyo dopado es n y las
conexiones al exterior, drenador y surtidor, que son material dopado de tipo n+. Encima del
canal, que conecta drenador y surtidor, se ha difundido una capa adicional de tipo p. Las
zonas dopadas tipo p se conectan conjuntamente y se llaman puerta. El drenador del JFET
es equivalente al colector del BJT, el emisor al surtidor y la puerta a la base

Transistor JFET (a) canal N y (b) su smbolo y (c) canal P y (d) su smbolo

Referencias Bibliogrficas:
http://www.uv.es/=esanchis/cef/pdf/Temas/A_T3.pdf
https://www.scribd.com/doc/116757294/Que-es-un-transistor-unipolar