FACULTAD DE INGENIERIA EN ELECTRICIDAD Y COMPUTACION - LABORATORIO A JULIO 2015

Detector de Humedad
Luis Malusin Leon, Jhon Arreaga Carpio
Escuela Superior Politecnica del Litoral
Laboratorio de Electronica
Guayaquil

Abstract En el siguiente informe se comprueba y analiza

el comportamiento de los transistores asi como sus puntos de
operacin en el estudio experimental del circuito de detector de
humedad. Adems de esto se realiza una comprobacin del
desempeo para establecer un criterio basado en lo comprobado
y discriminar as mismo cuales pueden ser sus diferentes
aplicaciones..

II. ANALISIS DE TRANSISTORES Y PUNTOS DE

OPERACIN (SIN HUMEDAD)

I. INTRODUCCION
A travez de este estudio experimental en el uso, aplicacin y
anlisis del BJT en nuestro circuito de deteccin de humedad
procederemos a analizar su punto de operacin, la recta de
carga y sus estados ya sea en corte o en saturacin para las
situaciones en que se encuentre con humedad o carezca de ella.
Notamos que la configuracin de los transistores en el circuito
tienen una configuracin de cascada en el que el emisor de un
transistor se encuentra conectado a la base del siguiente
transistor con lo cual aseguramos que el punto de operacin se
ve directamente modificado por la corriente de emisor del
anterior y este a su vez es controlado por el hecho de haber o no
detectado humedad en donde se lo este probando.
Para realizar este anlisis del transistor procedemos a analizar
la corriente de base de los transistores en cascada en los que si
tenemos una corriente tendiendo a cero sabemos que el
transistor se encuentra en corte haciendo que el voltaje colector
emisor es casi el voltaje de la fuente caso contrario si la
corriente de base es grande el transistor entra en estado de
saturacin en donde el voltaje colector emisor es cero y la
corriente de colector y la de emisor se igualan.

Figura 2: Circuito detector de humedad

Empezaremos con el anlisis del circuito

En el circuito observamos que se ha usado 4
resistencias de 1k, 2 transistores 2N2222A y un diodo
LED verde de 1.6V debido que en pspice no existe la
simulacin de diodos LED se procedio a representar
dicho diodo LED con 3 diodos D1N4148 y una fuente
de 0.54V para representar el voltaje de consumo de
dicho diodo LED.
Ahora cuando este
tenga en sus terminales un
material seco.
Al tener un material que no contiene humedad los
terminales se los representara como un circuito abierto
lo que significara que el transistor Q 1 se encontrara
en un estado de corte por lo que no existir corriente
por ninguno de sus terminales y al estar el terminal
del emisor de Q1 conectado a la base de Q 2 este
transistor tambin estar en corte por lo cual sabremos
que no pasara corriente por ningn terminal del
circuito por el hecho de estar el circuito en corte y
dada la recta de corte tenemos que el voltaje colector
emisor es mximo en los 2 transistores siendo este
igual al voltaje de alimentacin.

Figura 1: Montaje del circuito

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Fuente
R1
R2
R3
R4
Colector
Q1
Emisor
Base
Colector
Q2
Emisor
Base

Teorico
9
0
0
0
0

Voltaje
Experimental
9
0
0
0
0

9
0

9
0

9
0

9
0

Corriente(mA)
Teorico Experimental
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

III. ANALISIS DE TRANSISTORES Y PUNTOS DE

OPERACIN (CON HUMEDAD)
Procedemos con el anlisis del circuito cuando este tiene en sus
terminales un material humedecido a lo cual nuestro circuito
responder de la siguiente manera:
El switch representado en nuestro circuito se cerrara lo cual al
no haber resistencias en la base del transistor Q1 circulara
atravez de ella una corriente elevada en el orden de los
miliamperios lo cual llevara al transistor a zona de saturacin
por consiguiente el voltaje colector emisor ser igual a 0 y por
transitividad llevara al transistor Q2 a zona de saturacin lo cual
permitir el encendido del diodo LED ubicado en el ramal del
colector de Q2.

Tabla 1: Tabla de datos tomados para transistores en corte

Como podemos observar en la tabla se ha verificado el efecto
de corte en los transistores lo lleva a los transistores a proceder
de acuerdo a la teora siendo todas las corrientes en el circuito
igual a 0 y el voltaje colector emisor igual a la fuente de
alimentacin para ambos transistores.
16V

Debemos tomar en consideracin para el analisis del circuito en

zona de saturacin que las ecuaciones que relaciona las
corrientes atravez del hfe del transistor ya no son aplicables al
no estar en zona lineal.

12V

8V

Procederemos al calculo analtico tanto de corrientes como de

voltajes:

4V
0s

50us
V(V1:+,V1:-)

100us

150us

200us

250us

300us

2)

Figura 3: Voltaje colector-emisor Q1

3)
4)
16V

5)
6)
7)

12V

Vcc =IR2 R2 + VCE1 + IR3R3

Vcc = VBE1 + IR4 R4 + VBE2
Vcc = VD + IR1 R1 + VCE2
Vcc =IR2 R2 + VCE1 + IR4R4 + VBE2
IE1= IR2+ IB1
IE2= IR1+ IR4
IE1= IR4+ IR3
ICC= IR3+ IE2
ICC= IB1+ IR2+ IR1

350us

1)

Time

8)
9)

400us

450us

500us

8V

4V
0s

50us
V(V1:+,V1:-)

100us

150us

200us

250us
Time

300us

Tomando la ecuacion 2) despejamos IR4

IR4 = 9mA-0.7mA-0.7mA=7.6mA
350us

400us

450us

500us

Figura 4: Voltaje Colector-Emisor Q2

De 3) sabemos que VCE2=0 despejamos IR1
IR1= 9mA - 1.6mA = 7.4mA
De 4) sabemos que VCE1=0 despejamos IR2
IR2 = 9mA-0.7mA-7.6mA=0.7mA

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De 1) sabemos que VCE1=0 despejamos IR3

IR3 = 9mA-0.7mA=8.3mA
De 6) calculamos IE2
IE2 = 7.4mA+7.6mA=15mA
De 8) calculamos Icc
ICC = 15mA+8.3mA=23.3mA
De 9) calculamos IB1
IB1 = 23.3mA-0.7mA-7.4mA=15.2mA
De 5) calculamos IE1
IE1 = 15.2mA+0.7mA=15.9mA

Fuente
R1
R2
R3
R4
Colector
Q1
Emisor
Base
Colector
Q2
Emisor
Base

Teorico
9
7.4
0.7
8.3
7.6

Voltaje
Experimental
9.65
6.6
0.75
7.85
7.10

0
9

0
8.73

0
0.7

0.024
0.71

Figura 6: Voltajes con respecto a la referencia

Corriente(mA)
Teorico Experimental
23.3
21.7
7.4
8.10
0.7
0.81
8.3
9.54
7.6
8.45
0.7
0.81
15.9
17.99
15.2
14.50
7.4
8.10
15
16.6
7.6
7.10

Tabla 2: Tabla de datos tomados para transistores en

saturacion

20mA

0A

-20mA

-40mA
0s

En la tabla observamos como a travez de la base circula una

corriente grande comparada con el resto lo cual desencadena en
la saturacin de ambos transistores y el voltaje colector emisor
minimo adems del hecho que las corrientes en los terminales
del transistor no dependen de hfe.

IB(Q1)

0.1ms
I(V1)
IE(Q2)

0.2ms
I(R3)

I(R4)

0.3ms
I(R1)

-I(R2)

0.4ms
IE(Q1)

Time

Figura 7: Graficas de corrientes del circuito

10V

5V

0V
0s

0.1ms
0.2ms
0.3ms
0.4ms
V(R3:1,R3:2)
V(R4:1,R4:2)
V(R2:2,R2:1)
V(R1:1,R1:2)

0.5ms

0.6ms

0.7ms

0.8ms

Time

Figura 5: Grafica de Voltajes de cada resistencia

0.5ms

Figura 8: Corrientes en el circuito

0.9ms

1.0ms

0.6ms

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IV. CONCLUSIONES
Una vez conocidos los valores de los voltajes y corrientes
tendremos los puntos de operacin para ambos transistores.
En corte:
Q1 (0,9)
Q2 (0,9)
En saturacin:
Q1 (0.7,0)
Q2 (7.4,0)
Con lo cual tenemos la siguiente grafica:
Q1

Tener presente polaridades de fuentes, diodos y

transistores.
Dada la naturaleza de nuestro circuito los
transistores funcionan como switch.
El transistor se saturara para corrientes de orden
de los miliamperios.
El transistor entrara en corte para corrientes
cercanas a 0.
Vce ser igual a Vcc cuando el transistor este en
corte
V. BIBLIOGRAFIA

[1]. Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos

Electrnicos, 10 Edicin Robert L. Boylestad & Louis
Nashelsky
[2].http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=2n2
222a
Figura 9: Recta de carga Q1

Q2

Figura 10: Recta de carga Q2

Medidor de Humedad
Laboratorio de Electrnica A
Profesor: Ing. Gomer Rubio
Paralelo: 7
Integrantes:
Jhon Arreaga
Luis Malusin